JPH02221961A - 塩素化弗素化炭化水素系レジスト現像剤 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は、プリント基板や半導体の製造時にレジストを
現像するために用いるレジスト現像剤に関するものであ
る。

［従来の技術］ プリント基板や半導体回路を作成する場合レジスト塗布
、露光に続いてレジストを現像し、次いで、エツチング
する工程があるが、このレジストを現像するために、従
来１，１．１−トリクロロエタン、モノクロロベンゼン
等の塩素系レジスト現像剤やメチルイソブチルケトン等
のケトン系レジスト現像剤等が使われている。

［発明が解決しようとする課題］ 従来使用されていた塩素系レジスト現像剤が地下水汚染
の点から好ましくないため、その使用量を抑制する必要
がある。叉、ケトン系レジスト現像剤は、可燃性であり
設備の防爆化が必要である等の問題がある０本発明は、
これらの問題に対応し、新規のレジスト現像剤を提供す
ることを目的とするものである。

［課題を解決するための手段］ 本発明は前述の目的を達成すべくなされたものであり、
炭素数が４である塩素化弗素化炭化水素を有効成分とし
て含有するレジスト現像剤を提供するものである０本発
明の塩素化弗素化炭化水素としては、　１−クロロ−１
，１−ジフルオロブタン（ｂ。

ｐ、　５５．５℃）、３−クロロ−１，１，１−）リフ
ルオロブタン（ｂ、　Ｐ、　６６℃）、１−クロロ−１
，１，３，３−テトラフルオロブタン（ｂ、　９．７０
℃）、２−クロロ−１，１，１，４，４，４−ヘキサフ
ルオロブタン（ｂ、　ｐ、　５１℃）、　４−クロロ−
１，１゜１、２．２．３．３−ヘプタフルオロブタン（
ｂ、　ｐ、　５４℃）、３．４−ジクロロ−１，ｌ、　
１．２．２．３−ヘキサフルオロブタン（ｂ、　ｐ、　
７２℃）、２．３−ジクロロ−１，１，１，４，４，４
−ヘキサフルオロブタン（ｂ、　Ｐ、　７８℃）、　４
．４−ジクロロ−１゜１、１．２．２．３．３−ヘプタ
フルオロブタン　（ｂ、　ｐ、　７６、５℃）、■−ク
ロロー２．２．３．３−テトラフルオロシクロブタン（
ｂ、　ｐ、　７３℃）、１．１−ジクロロ−２，２，３
，３−テトラフルオロシクロブタン（ｂ、　ｐ、　８４
℃）、　１−クロロ−２、２，３，３，４，４−ヘキサ
フルオロシクロブタン（ｂ、　ｐ。

４０℃）等の含水素塩素化弗素化炭化水素から選ばれる
１種又は２種以上の混合物が好ましい。

本発明のレジスト現像剤には、各種の目的に応じてその
他の各種成分を含有させることができる。

例えば、さらに良好に現像するために、炭化水素類、ア
ルコール類、ケトン類、ハロゲン化炭化水素類叉はエス
テル類等の有機溶剤から選ばれる少なくとも１種を含有
させることができる。これらの有機溶剤のレジスト現像
剤中の含有割合は、０〜５０重量％、好ましくは１０〜
４０重量％、さらに好ましくは２０〜３０重量％である
０本発明の塩素化弗素化炭化水素類と有機溶剤との混合
物に共沸組成が存在する場合には、その共沸組成での使
用が好ましい。

炭化水素類としては、炭素数１〜１５の直鎖叉は環状の
飽和叉は不飽和炭化水素類が好ましく、ｎ−ペンタン、
イソペンタン、ｎ−ヘキサン、イソヘキサン、ネオヘキ
サン、２．３−ジメチルブタン、３−メチルペンタン、
ｎ−へブタン、イソへブタン、３−メチルヘキサン、２
．４−ジメチルペンタン、ｎ−オクタン、２−メチルへ
ブタン、３−メチルへブタン、４−メチルへブタン、２
．２−ジメチルヘキサン、２．５−ジメチルヘキサン、
３，３−ジメチルヘキサン、２−メチル−３−エチルペ
ンタン、３−メチル−３−エチルペンタン、２．３．３
−トリメチルペンタン、２．３．４−　トリメチルペン
タン、２．２．３〜トリメチルペンタン、イソオクタン
、ノナン、２．２．５−　トリメチルヘキサン、デカン
、ドデカン、１−ペンテン、２−ペンテン、１−ヘキセ
ン、１−オクテン、１−ノネン、１−デセン、シクロペ
ンタン、メチルシクロペンタン、シクロヘキサン、メチ
ルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ビシクロヘ
キサン、シクロヘキセン、α−ピネン、ジペンテン、デ
カリン、テトラリン、アミジノ、アミルナフタレン等か
ら選ばれるものである。より好ましくはｎ−ペンタン、
ネオヘキサン、２．３−ジメチルブタン、ｎ−ヘキサン
、シクロペンタン、シクロヘキサン、ｎ−へブタン等で
ある。

アルコール類としては、炭素数１〜１７の鎖状叉は、環
状の飽和叉は不飽和アルコール類が好ましく、メタノー
ル、エタノール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピ
ルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、イソブチルアル
コール、’　５ｅｅ−ブチルアルコール、ｔｅｒｔ−ブ
チルアルコール、ペンチルアルコール、５ｅｃ−アミル
アルコール、１−エチル−１−プロパツール、２−メチ
ル−１−ブタノール、イソペンチルアルコール、ｔｅｒ
ｔ−ペンチルアルコール、３−メチル−２−ブタノール
、ネオペンチルアルコール、１−ヘキサノール、２−メ
チル−１−ペンタノール、４−メチル−２−ペンタノー
ル、２−エチル−１−ブタノール、１−ヘプタツール、
２−ヘプタツール、３−ヘプタツール、１−オクタツー
ル、２−オクタツール、２−エチル−１−ヘキサノール
、１−ノナノール、３．５．５−　トリメチル−１−ヘ
キサノール、１−デカノール、１−ウンデカノール、ｌ
−ドデカノール、アリルアルコール、プロパルギルアル
コール、ベンジルアルコール、シクロヘキサノール、１
−メチルシクロヘキサノール、２−メチルシクロヘキサ
ノール、３−メチルシクロヘキサノ−ル、４−メチルシ
クロヘキサノール、α−テルピネオール、アとニチノー
ル、２．６−シメチルー４−ヘプタツール、トリメチル
ノニルアルコール、テトラデシルアルコール、ヘプタデ
シルアルコール等がら選ばれるものである。より好まし
くは、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコー
ル等である。

１〜９の飽和叉は不飽和炭化水素基）のいずれかの一般
式で示されるものが好ましく、アセトン、メチルエチル
ケトン、２−ペンタノン、３−ペンタノン、２−ヘキサ
ノン、メチルブチルケトン、メチルイソブチルケトン、
２−ヘプタノン、４−ヘプタノン、ジイソブチルケトン
、アセトニルアセトン、メシチルオキシド、ホロン、メ
チル−ｎ−アミルケトン、エチルブチルケトン、メチル
へキシルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキ
サノン、イソホロン、２．４−ペンタンジオン、ジアセ
トンアルコール、アセトフェノン、フェンチョン等から
選ばれるものである。より好ましくは、アセトン、メチ
ルエチルケトン、メチルブチルケトン、メチルイソブチ
ルケトン、シクロヘキサノン等である。

ハロゲン化炭化水素類としては、炭素数１〜４の飽和又
は不飽和のハロゲン化炭化水素類が好ましく、ジクロロ
メタン、四塩化炭素、クロロホルム、１．１−ジクロロ
エタン、１，２−ジクロロエタン、１．１．１−トリク
ロロエタン、１．１．２−　トリクロロエタン、１．１
．１．２−チートラクロロエタン、ｌ、　１．２．２−
テトラクロロエタン、ペンタクロロエタン、１．１−ジ
クロロエチレン、ｔｒａｎｓ−１，２−ジクロロエチレ
ン、ｃｉｓ−１，２−ジクロロエチレン、トリクロロエ
チレン、テトラクロロエチレン、１−クロロプロパン、
２−クロロプロパン、モノクロロベンゼン、ジクロロベ
ンゼン、１−ブロモプロパン、２−ブロモプロパン等か
ら選ばれるものである。より好ましくは、ジクロロメタ
ン、１．１．１−トリクロロエタン、ｔｒａｎｓ−１゜
２−ジクロロエチレン、ｃｉｓ−１，２−ジクロロエチ
レン、トリクロロエチレン、テトラクロロエチレン、モ
ノクロロベンゼン、２−ブロモプロパン等である。

エステル類としては、次の一般式で示されるものが好ま
しく、Ｒ＋　−ＣＯＯ−Ｒ２、Ｒ＋−ＣＯ０−Ｒ２−Ｃ
Ｏ０−Ｒ１、（ＣＯＯＲ＋　）　２、◎−ＣＯＯＲ＋ ＣＯＯＲ２ （ここで、Ｒ＋、　　Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６は
Ｈ叉は炭素数１〜１９の飽和ないし、不飽和結合を有す
る炭化水素基）。

具体的には、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸プロピル、
蟻酸ブチル、蟻酸イソブチル、蟻酸ペンチル、酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢
酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸５ｅｃ−ブチル、酢酸
ペンチル、酢酸インペンチル、２−メトキシメチルアセ
テート、２−メトキシエチルアセテート、３−メトキシ
ブチルアセテート、酢酸５ｅｃ−ヘキシル、２−エチル
ブチルアセテート、２−エチルヘキシルアセテート、酢
酸シクロヘキシル、酢酸ベンジル、プロピオン酸メチル
、プロピオン酸エチル、プロピオン酸ブチル、プロピオ
ン酸イソペンチル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸ブチ
ル、酪酸イソペンチル、イソ酪酸イソブチル、２−ヒド
ロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、ステアリン酸
ブチル、ステアリン酸ペンチル、安息香酸メチル、安息
香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ブチル、安息
香酸イソペンチル、安息香酸ベンジル、アビエチン酸エ
チル、アビエチン酸ベンジル、アジピン酸ビス−２−エ
チルヘキシル、γ−ブチロラクト、シュウ酸ジエチル、
シュウ酸ジブチル、シュウ酸ジベンチル、マロン酸ジエ
チル、マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレ
イン酸ジブチル、酒石酸ジブチル、クエン酸トリブチル
、セバシン酸ジブチル、セバシン酸ビス−２−エチル、
フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジブチ
ル、フタル酸ビス−２−エチルヘキシル、フタル酸ジオ
クチル等から選ばれるものである。より好ましくは、酢
酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピ
ル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸５ｅｅ−ブチル
、酢酸ペンチル、酢酸イソペンチル、２−メトキシメチ
ルアセテート、２−メトキシエチルアセテート等である
。

本発明により現像し得るレジストとしては、何ら限定さ
れず、ポジ型叉はネガ型のフォトレジスト、遠紫外線レ
ジスト、Ｘ線又は電子線レジスト等を挙げることができ
る。

フォトレジストの材質には、ドライフィルムレジスト用
のアクリル系、フェノール及びクレゾールノボラック樹
脂をベースにしたキノンジアジド系、シス−１，４−ポ
リイソプレンを主成分とする環化ゴム系、ポリケイ皮酸
系等があり、遠紫外線レジストには、ポリメチルメタク
リレート、ポリメチルイソプロペニルケトン等があり、
電子線、Ｘ線レジストには、ポリメチルメタクリレート
、メタクリル酸グリシジル−アクリル酸エチル共重合体
等が知られているが、本発明のレジスト現像剤はいずれ
にも有効である。

レジスト現像方法も何ら限定されず、通常のスプレー法
、浸漬法等を採用することができる。

［実施例］ 実施例１〜２１ 下記第１表に示すレジスト現像剤を用いてレジスト現像
試験を行なった。ドライフィルムレジスト（Ｌａｎ＋　
ｉ　ｎｅｒ、ダイナケム社製）をラミネートした銅張積
層板に１００μｍライン＆スペースのテストパターンを
露光後、レジスト現像剤で現像し、パターンが形成され
ているか、叉スペース部に残渣がないかを顕微鏡にて観
察した。その結果を第１表に示す。

第１表 第１表（続き） Δ：やや不良 ×：千尺 ［発明の効果コ 本発明のレジスト現像剤は、実施例から明らかなように
現像効果の優れたものである。叉、従来使用されていた
塩素系現像剤等に比べ、プリント基板に使われるプラス
チック等に対し悪影響がほとんどない点も有利である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、炭素数が４である塩素化弗素化炭化水素を有効成分
   として含有するレジスト現像剤。 ２、塩素化弗素化炭化水素が１−クロロ−１、１−ジフ
   ルオロブタン、３−クロロ−１、１、１−トリフルオロ
   ブタン、１−クロロ−１、１、３、３−テトラフルオロ
   ブタン、２−クロロ−１、１、１、４、４、４−ヘキサ
   フルオロブタン、４−クロロ−１、１、１、２、２、３
   、３−ヘプタフルオロブタン、３、４−ジクロロ−１、
   １、１、２、２、３−ヘキサフルオロブタン、２、３−
   ジクロロ−１、１、１、４、４、４−ヘキサフルオロブ
   タン、４、４−ジクロロ−１、１、１、２、２、３、３
   −ヘプタフルオロブタン、１−クロロ−２、２、３、３
   −テトラフルオロシクロブタン、１、１−ジクロロ−２
   、２、３、３−テトラフルオロシクロブタン、１−クロ
   ロ−２、２、３、３、４、４−ヘキサフルオロシクロブ
   タンである請求項１に記載のレジスト現像剤。 ３、レジスト現像剤中に、炭化水素類、アルコール類、
   ケトン類、ハロゲン化炭化水素類、又はエステル類から
   選ばれる少なくとも１種が含まれている請求項１に記載
   のレジスト現像剤。