JPH02221962A - レジスト現像剤 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、プリント基板や半導体の製造時にレジストを
現像するために用いるレジスト現像剤に関するものであ
る。

［従来の技術］ プリント基板や半導体回路を作成する場合レジスト塗布
、露光に続いてレジストを現像し、次いで、エツチング
する工程があるが、このレジストを現像するために、従
来１．１．１−）ジクロロエタン、モノクロロベンゼン
等の塩素系レジスト現像剤やメチルイソブチルケトン等
のケトン系レジスト現像剤等が使われている。

［発明が解決しようとする課題］ 従来使用されていた塩素系レジスト現像剤が地下水汚染
の点から好ましくないため、その使用量を抑制する必要
がある。叉、ケトン系レジスト現像剤は、可燃性であり
設備の防爆化が必要である等の問題がある９本発明は、
これらの問題に対応し、新規のレジスト現像剤を提供す
ることを目的とするものである。

［課題を解決するための手段］ 本発明は前述の目的を達成すべくなされたものであり、
炭素数が３である不飽和塩素化弗素化炭化水素を有効成
分として含有するレジスト現像剤を提供するものである
０本発明の不飽和塩素化弗素化炭化水素としては、１−
クロロ−２−フルオロプロペン（ｂ、ｐ、　５９℃）、
２．３−ジクロロ−３，３−ジフルオロプロペン（ｂ、
　ｐ、　５７℃）、１．１−ジクロロ−３，３，３−ト
リフルオロプロペン（ｂ、　ｐ、　５４℃）、　　１．
２−ジクロロ−３，３，３−トリフルオロプロペン（ｂ
、　ｐ、　５３℃）、１．３−ジクロロ−１，３，３−
トリフルオロプロペン（ｂ。

ｐ、５７℃）、１，３−ジクロロ−２，３，３−トリフ
ルオロプロペン（ｂ、　ｐ、　６７℃）、３．３−ジク
ロロ−１，Ｌ、　３−　）リフルオロプロペン（ｂ、　
ｐ、　５２℃）、３，３−ジクロロ−２，３−ジフルオ
ロプロペン（ｂ、　ｐ、　５４℃）等の含水素不飽和塩
素化弗素化炭化水素から選ばれる１種叉は２種以上の混
合物が好ましい。

本発明のレジスト現像剤には、各種の目的に応じてその
他の各種成分を含有させることができる。

例えば、さらに良好に現像するために、炭化水素類、ア
ルコール類、ケトン類、ハロゲン化炭化水素類又はエス
テル類等の有機溶剤から選ばれる少なくとも１種を含有
させることができる。これらの有機溶剤のレジスト現像
剤中の含有割合は、０〜５０重量％、好ましくは１０〜
４０重量％、さらに好ましくは２０〜３０重量％である
０本発明の塩素化弗素化炭化水素類と有機溶剤との混合
物に共沸組成が存在する場合には、その共沸組成での使
用が好ましい。

炭化水素類としては、炭素数１〜１５の直鎖叉は環状の
飽和叉は不飽和炭化水素類が好ましく、ｎ−ペンタン、
イソペンタン、ｎ−ヘキサン、イソヘキサン、ネオヘキ
サン、２．３−ジメチルブタン、３−メチルペンタン、
ｎ−へブタン、イソへブタン、３−メチルヘキサン、２
．４−ジメチルペンタン、ｎ−オクタン、２−メチルへ
ブタン、３−メチルへブタン、４−メチルへブタン、２
．２−ジメチルヘキサン、２．５−ジメチルヘキサン、
３，３−ジメチルヘキサン、２−メチル−３−エチルペ
ンタン、３−メチル−３−エチルペンタン、２．３．３
−トリメチルペンタン、２．３．４−　トリメチルペン
タン、２．２．３−　トリメチルペンタン、イソオクタ
ン、ノナン、２．２．５−　トリメチルヘキサン、デカ
ン、ドデカン、１−ペンテン、２−ペンテン、１−ヘキ
セン、１−オクテン、１−ノネン、１−デセン、シクロ
ペンタン、メチルシクロペンタン、シクロヘキサン、メ
チルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ビシクロ
ヘキサン、シクロヘキセン、α−ピネン、ジペンテン、
デカリン、テトラリン、アミジノ、アミルナフタレン等
から選ばれるものである。より好ましくはｎ−ペンタン
、ネオヘキサン、２．３−ジメチルブタン、ｎ−ヘキサ
ン、シクロペンタン、シクロヘキサン、ｎ−へブタン等
である。

アルコール類としては、炭素数１〜１７の鎖状叉は、環
状の飽和叉は不飽和アルコール類が好ましく、メタノー
ル、エタノール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピ
ルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、イソブチルアル
コール、５ｅｃ−ブチルアルコール、ｔｅｒｔ−ブチル
アルコール、ペンチルアルコール、５ｅｃ−アミルアル
コール、１−エチル−１−プロパツール、２−メチル−
１−ブタノール、イソペンチルアルコール、ｔｅｒｔ−
ペンチルアルコール、３−メチル−２−ブタノール、ネ
オペンチルアルコール、１−ヘキサノール、２−メチル
−１−ペンタノール、４−メチル−２−ペンタノール、
２−エチル−１−ブタノール、１−ヘプタツール、２−
ヘプタツール、３−ヘプタツール、１−オクタツール、
２−オクタツール、２−エチル−１−ヘキサノール、１
−ノナノール、３．５．５−　）ツメチル−１−ヘキサ
ノール、ｌ−デカノール、１−ウンデカノール、１−ド
デカノール、アリルアルコール、プロパルギルアルコー
ル、ベンジルアルコール、シクロヘキサノール、１−メ
チルシクロヘキサノール、２−メチルシクロヘキサノー
ル、３−メチルシクロヘキサノール、４−メチルシクロ
ヘキサノール、α−テルピネオール、アビニチノール、
２．６−シメチルー４−ヘプタツール、トリメチルノニ
ルアルコール、テトラデシルアルコール、ヘプタデシル
アルコール等がら選ばれるものである。より好ましくは
、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等
である。

１〜９の飽和叉は不飽和炭化水素基）のいずれかの−数
式で示されるものが好ましく、アセトン、メチルエチル
ケトン、２−ペンタノン、３−ペンタノン、２−ヘキサ
ノン、メチルブチルケトン、メチルイソブチルケトン、
２−ヘプタノン、４−ヘプタノン、ジイソブチルケトン
、アセトニルアセトン、メシチルオキシド、ホロン、メ
チル−〇−アミルケトン、エチルブチルケトン、メチル
へキシルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキ
サノン、イソ。

ホロン、２．４−ペンタンジオン、ジアセトンアルコー
ル、アセトフェノン、フェンチョン等から選ばれるもの
である。より好ましくは、アセトン、メチルエチルケト
ン、メチルブチルケトン、メチルインブチルケトン、シ
クロヘキサノン等である。

ハロゲン化炭化水素類としては、炭素数１〜４の飽和叉
は不飽和のハロゲン化炭化水素類が好ましく、ジクロロ
メタン、四塩化炭素、クロロホルム、１．１−ジクロロ
エタン、１．２−ジクロロエタン、１．１．１−トリク
ロロエタン、１．１．２−トリクロロエタン、１．１．
１．２−テトラクロロエタン、１．１．２．２−テトラ
クロロエタン、ペンタクロロエタン、１．１−ジクロロ
エチレン、ｔｒａｎｓ−１，２−ジクロロエチレン、ｃ
ｉｓ−１，２−ジクロロエチレン、トリクロロエチレン
、テトラクロロエチレン、１−クロロプロパン、２−ク
ロロプロパン、モノクロロベンゼン、ジクロロベンゼン
、１−ブロモプロパン、２−ブロモプロパン等から選ば
れるものである。より好ましくは、ジクロロメタン、１
．１．１−トリクロロエタン、ｔｒａｎｓ−１゜２−ジ
クロロエチレン、ｃｉｓ−１，２−ジクロロエチレン、
トリクロロエチレン、テトラクロロエチレン、モノクロ
ロベンゼン、２−ブロモプロパン等である。

エステル類としては、次の一般式で示されるものが好ま
しく、ＲＩ−ＣＯＯ−Ｒ２、 ＣＯＯＲａ Ｒ＋　−ＣＯＯ−Ｒ２−ＣＯＯ−Ｒ３、（ＣＯＯＲ＋　
）　２、◎−〇〇ＯＲ＋ 署 ＣＯＯＲ２ （シこで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６はＨ叉
は炭素数１〜１９の飽和ないし、不飽和結合を有する炭
化水素基）。

具体的には、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸プロピル、
蟻酸ブチル、＠酸イソブチル、蟻酸ペンチル、酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢
酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸５ｅｅ−ブチル、酢酸
ペンチル、酢酸イソペンチル、２−メトキシメチルアセ
テート、２−メトキシエチルアセテート、３−メトキシ
ブチルアセテート、酢酸５ｅｅ−ヘキシル、２−エチル
ブチルアセテート、２−エチルヘキシルアセテート、酢
酸シクロヘキシル、酢酸ベンジル、プロピオン酸メチル
、プロピオン酸エチル、プロピオン酸ブチル、プロピオ
ン酸インペンチル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸ブチ
ル、酪酸イソペンチル、イソ酪酸イソブチル、２−ヒド
ロキシ−２〜メチルプロピオン酸エチル、ステアリン酸
ブチル、ステアリン酸ペンチル、安息香酸メチル、安息
香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ブチル、安息
香酸イソペンチル、安息香酸ベンジル、アビエチン酸エ
チル、アビエチン酸ベンジル、アジピン酸ビス−２−エ
チルヘキシル、γ−ブチロラクト、シュウ酸ジエチル、
シュウ酸ジブチル、シュウ酸ジベンチル、マロン酸ジエ
チル、マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレ
イン酸ジブチル、酒石酸ジブチル、クエン酸トリブチル
、セバシン酸ジブチル、セバシン酸ビス−２−エチル、
フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジブチ
ル、フタル酸ビス−２−エチルヘキシル、フタル酸ジオ
クチル等から選ばれるものである。より好ましくは、酢
酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピ
ル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸５ｅｃ−ブチル
、酢酸ペンチル、酢酸イソペンチル、２−メトキシメチ
ルアセテート、２−メトキシエチルアセテート等である
。

本発明により現像し得るレジストとしては、何ら限定さ
れず、ポジ型又はネガ型のフォトレジスト、遠紫外線レ
ジスト、Ｘ線又は電子線レジスト等を挙げることができ
る。

フォトレジストの材質には、ドライフィルムレジスト用
のアクリル系、フェノール及びクレゾールノボラック樹
脂をベースにしたキノンジアジド系、シス−１，４−ポ
リイソプレンを主成分とする環化ゴム系、ポリケイ皮酸
系等があり、遠紫外線レジストには、ポリメチルメタク
リレート、ポリメチルイソプロペニルケトン等があり、
電子線、Ｘ線レジストには、ポリメチルメタクリレート
、メタクリル酸グリシジル−アクリル酸エチル共重合体
等が知られているが、本発明のレジスト現像剤はいずれ
にも有効である。

レジスト現像方法も何ら限定されず、通常のスプレー法
、浸漬法等を採用することができる。

［実施例］ 実施例１〜１３ 下記第１表に示すレジスト現像剤を用いてレジスト現像
試験を行なった。ドライフィルムレジスト（Ｌａｍｉｎ
ｅｒ、ダイナケム社製）をラミネートした銅張積層板に
１００μｍライン＆スペースのテストパターンを露光後
、レジスト現像剤で現像し、パターンが形成されている
か、叉スペース部に残渣がないかを顕微鏡にて観察した
。その結果を第１表に示す。

第１表 ［発明の効果］ 本発明のレジスト環・像剤は、実施例から明らかなよう
に現像効果の優れたものである。叉、従来使用されてい
た塩素系現像剤等に比べ、プリント基板に使われるプラ
スチック等に対し悪影響がほとんどない点も有利である
。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、炭素数が３である不飽和塩素化弗素化炭化水素を有
   効成分として含有するレジスト現像剤。 ２、不飽和塩素化弗素化炭化水素が１−クロロ−２−フ
   ルオロプロペン、２、３−ジクロロ−３、３−ジフルオ
   ロプロペン、１、１−ジクロロ−３、３、３−トリフル
   オロプロペン、１、２−ジクロロ−３、３、３−トリフ
   ルオロプロペン、１、３−ジクロロ−１、３、３−トリ
   フルオロプロペン、１、３−ジクロロ−２、３、３−ト
   リフルオロプロペン、３、３−ジクロロ−１、１、３−
   トリフルオロプロペン、３、３−ジクロロ−２、３−ジ
   フルオロプロペンである請求項１に記載のレジスト現像
   剤。 ３、レジスト現像剤中に、炭化水素類、アルコール類、
   ケトン類、ハロゲン化炭化水素類、又はエステル類から
   選ばれる少なくとも１種が含まれている請求項１に記載
   のレジスト現像剤。