JPWO2013018569A1 - レジスト現像剤、レジストパターンの形成方法及びモールドの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
また、特許文献2のメチルイソブチルケトンとイソプロパノ−ルとの混合液であって、メチルイソブチルケトン対イソプロパノ−ルが56対44(体積混合比)の混合液を現像剤に用いた場合、前記解像度は20nmであった。そして、当該レジスト溶解部の幅を形成するための必要露光量は約350μC/cm2(加速電圧100kV)であった。
一方、パターンドメディアの一つであるディスクリート・トラック・レコーディング・メディア(Discrete Track Recording Media)で実用化を目指す磁気記録密度は、一般に、1 TeraBit/inch2であって、それに必要なトラックピッチは50nm程度とされ、即ち、幅比1対2のライン・アンド・スペース・パターンにおける前記解像度はおおよそ17nmである。
また、本発明者らが想到した知見を基にした例であり、未だ公知となっていない技術を基にした例である参考例として、以下のデータをあげることができる。即ち、α−クロロアクリル酸エステルとα−メチルスチレンとの重合体を含むレジストに対し、バートレルXFのみを現像剤に用いた場合、前記解像度は11nmにまで改善された。しかし、当該レジスト溶解部の幅を形成するための必要露光量は約1800μC/cm2(加速電圧100kV)であった。
このとき、前記所望の解像度(17nm)は達成できるものの、現像剤を前記のイソプロパノール又はバートレルXFとした場合、レジスト溶解部を形成するための必要露光量は、前記解像度に拘わらずに酢酸−n−アミルを現像剤とした場合(120μC/cm2、加速電圧100kV)と比較して、9.6倍(約1150μC/cm2)から15倍(約1800μC/cm2)と、相当に大きくなってしまう。その結果、電子線描画処理に相当の時間を要することになり、マスターモールド作製効率が低下してしまう。
なお、レジスト溶解部とレジスト非溶解部で形成されたレジスト層に形成された構造をレジストパターンという。
本発明の第2の態様は、第1の態様に記載の発明において、前記α−クロロアクリル酸エステルは、α−クロロアクリル酸メチルであることを特徴とする。
本発明の第3の態様は、第1又は第2の態様に記載の発明において、前記溶媒Aは、末端の一つあるいは両端にCF3基を、その他に(CFX)基(XはF又はH)を有することを特徴とする。
本発明の第4の態様は、第1ないし第3のいずれかの態様に記載の発明において、前記溶媒Aは、CF3−(CFX)n−CF3(XはF又はH、かつnは自然数)であることを特徴とする。
本発明の第5の態様は、第1ないし第4のいずれかの態様に記載の発明において、前記溶媒Bは、イソプロパノールであることを特徴とする。
本発明の第6の態様は、第1ないし第5のいずれかの態様に記載の発明において、前記現像剤は前記溶媒A及び前記溶媒Bからなり、(溶媒A+溶媒B)に対する溶媒Bの体積混合比率が25%より大きく、かつ、50%未満、とすることを特徴とする。
本発明の第7の態様は、第1ないし第6のいずれかの態様に記載の発明において、前記描画又は露光工程は電子線描画を行う工程であり、前記レジスト層は電子線に感度を持つレジストであることを特徴とする。
本発明の第8の態様は、基板上に、α−クロロアクリル酸エステルとα−メチルスチレンとの重合体を含む電子線に感度を持つレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層に電子線描画を行う工程と、CF3−(CFX)n−CF3(XはF又はH、かつnは自然数)である溶媒Aと、イソプロパノールである溶媒Bとからなり、(溶媒A+溶媒B)に対する溶媒Bの体積混合比率が25%より大きく、かつ、50%未満、とする現像剤によって、前記電子線描画されたレジスト層を現像する工程と、を含むことを特徴とするレジストパターンの形成方法である。
本発明の第9の態様は、第1ないし第8のいずれかの態様に記載の発明において、前記現像工程の後に、レジスト層に対して前記溶媒Aによるリンス処理工程を設けることを特徴とする。
本発明の第10の態様は、基板上に、α−クロロアクリル酸エステルとα−メチルスチレンとの重合体を含むレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層にエネルギービームを照射することにより、所望のパターン形状の描画又は露光を行う工程と、フルオロカーボンを含む溶媒Aと前記溶媒Aよりも前記レジスト層に対する溶解速度が高い溶媒Bとを含む現像剤によって、前記露光されたレジスト層を現像する工程と、を含むことを特徴とするモールドの製造方法である。
本発明の第11の態様は、第10の態様に記載の発明において、前記α−クロロアクリル酸エステルは、α−クロロアクリル酸メチルであることを特徴とする。
本発明の第12の態様は、α−クロロアクリル酸エステルとα−メチルスチレンとの重合体を含むレジスト層にエネルギービームを照射して描画又は露光して、現像を行う際に用いられるレジスト層の現像剤であって、フルオロカーボンを含む溶媒Aと、当該溶媒Aよりも前記レジスト層に対する溶解速度が高いアルコール溶媒Bとを含むことを特徴とするレジスト層の現像剤である。
本発明の第13の態様は、第12の態様に記載の発明において、前記α−クロロアクリル酸エステルは、α−クロロアクリル酸メチルであることを特徴とする。
以下、本発明の実施形態を、マスターモールドの製造工程を説明するための断面概略図である図1に基づいて説明する。
まず、最終的にマスターモールド20となる基板1を用意する(図1(a))。
まず、必要に応じて適宜研磨し洗浄した基板1(図1(a))をスパッタリング装置に導入する。そして本実施形態においては、クロム(Cr)からなるターゲットをアルゴンガスと窒素ガスでスパッタリングし、窒化クロムからなるハードマスク層2を形成する(図1(b))。
前記ハードマスク層2を形成した基板1に対して、適宜洗浄し、密着性向上のために必要に応じてレジスト塗布前の脱水ベーク処理あるいは密着補助層の形成を行った後、本実施形態においては、図1(c)に示すように、ハードマスク層2を形成した基板1に対して、α−クロロアクリル酸エステルとα−メチルスチレンとの重合体を含むレジストを塗布し、レジスト層3を形成する。塗布方法としては、本実施形態においては、ハードマスク層2を形成した基板1の主表面に上記レジストの溶液を滴下した後、所定の回転数にて基板1を回転させレジスト層3を形成するスピンコート法を用いる。次いで、レジスト層3がスピンコートされた基板1をホットプレートにて所定の温度と時間でベーク処理し、その後、例えば室温(22.5℃)に保たれた冷却プレート上に移載して冷却処理し、乾燥して、レジスト層3を形成した。
ここで、ハードマスク層2を必要とせずにレジストパターン4をマスク材として基板1をエッチングして溝形成できる場合、基板1に直接レジスト層3を形成しても良い。またこの場合、基板1に対して脱水ベーク処理あるいは密着補助層の形成を行った後、その上にレジスト層3を設けても良い。
また、このレジストは、エネルギービームを照射して描画又は露光したときに反応性を有するものであれば良い。具体的には、現像剤による現像処理を行う必要のあるレジストであれば良く、紫外線、X線、電子線、イオンビーム、プロトンビーム等に感度を持つレジストであっても良い。本実施形態においては、電子線描画を行う場合について述べる。なおこの際、レジスト層3の上に、チャージアップ防止のための導電剤を塗布しても良い。
また、この時のレジスト層3の厚さは、基板1に形成したハードマスク層2へのエッチングが完了するまでレジスト層が残存する程度の厚さであることが好ましい。ハードマスク層2へのエッチングにより、レジスト層3に形成されるレジスト溶解部に対応する部位のみならず、レジスト非溶解部のレジスト層3も少なからず除去されるためである。
次に、電子線描画装置を用いて、レジスト層3に所望のパターンを描画する。この微細パターンはミクロンオーダーであっても良いが、近年の電子機器の性能という観点からはナノオーダーであっても良いし、最終製品の性能を考えると、その方が好ましい。
なお、本実施形態においては、レジスト層3はポジ型レジストあり、電子線描画した部位がレジスト溶解部となり、ひいてはモールド20の溝部に対応する場合について説明する。
所望の微細パターンを電子線描画した後、図1(d)に示すように、レジスト層3を所定の現像剤で現像し、レジスト層3において電子線描画された部分(レジスト溶解部)を除去し、所望の微細パターンに対応するレジストパターン4を形成する。
レジスト溶解に必要な露光量と解像度との関係を記載した図2や図4(実施例にて後述)に示すように、上述の溶媒Aと溶媒Bを用い、好ましくは上述の体積混合比率とすることにより、化合物Yのみを現像剤に用いた場合に得られる高い解像度を維持しつつ、化合物Yのみ又はイソプロパノールのみを現像剤に用いた場合よりも、必要露光量を大きく下げることができるという顕著な効果を奏することができる。必要露光量が下がることにより、電子線の描画時間を短くすることができ、電子線描画の生産性を大きく向上させることが可能となり、あるいはまた、電子線の出力(電流値)を低下させることが可能となり、より精緻なパターンを描画することも可能となる。
即ち、ハードマスク層2とレジスト層3が設けられ、所望のパターンを電子線描画された基板1を所定の回転数で回転させる。そして、この基板1の上方から、前記溶解Aと前記溶媒Bとの混合液からなる現像剤を滴下供給する。この際、この現像剤は室温であっても良いし、所定の温度に維持されていても良い。この現像剤の滴下が行われている際中に現像剤によるレジスト溶解部の溶解が起こる。
また、このレジスト溶解部の溶解が終了した後も、基板1を回転させながら現像液を過剰に滴下し続けることで、レジスト溶解物を含んだ現像剤は、基板1の回転による遠心力により、基板外縁部から流れ落ちる。また、基板1を回転させながら、さらに現像液を過剰に滴下し続けることで、レジスト溶解物を含んだ現像剤はレジスト溶解物を含まない現像剤に置換され、清浄なレジストパターンが形成される。
その後、前記現像剤の滴下供給を止めた直後に、基板1を回転させながら基板1の上方から、前記現像剤を洗い流すためにリンス剤を滴下供給する。
なお、このリンス剤の滴下供給は、現像剤の滴下供給を止める前に行うのが好ましい。こうすることにより、現像剤が瞬時にリンス剤に置換され、基板上に滞留している現像剤中に残存するレジスト溶解物が再度析出して汚れとなることを防止できる。
さらに、このリンス剤には現像剤の溶媒Aと同物質を用いるのが好ましい。表面張力の小さな溶媒Aをリンス剤に用いることで、後の、乾燥工程におけるパターン倒壊を防止あるいは低減できる。
上記のリンス処理を行った基板1に対して乾燥処理を行う。この乾燥処理は、リンス処理を行った後にリンス剤の滴下供給を止めた後、所定の回転数にて基板1を回転させることによって行う。これにより、リンス剤が遠心力により基板外縁部から流れ落ちる、又は、蒸発する。こうして、所望のレジスト溶解部とレジスト非溶解部からなるレジストパターン4が形成されたハードマスク層2付きの基板1が得られる。
なお、形成されたレジストパターン4の中に残存している現像剤あるいはリンス剤の除去と、レジストパターン4とハードマスク層2との密着性を向上させることを目的に、必要に応じて、乾燥工程に次いでベーク処理を行っても良い。
その後、レジストパターン4が形成されたハードマスク層2付きの基板1を、ドライエッチング装置に導入する。そして、酸素ガスとアルゴン(Ar)ガスの混合ガスによる第1のエッチングを行い、レジスト溶解部の残渣(スカム)を除去する。ここで、酸素ガスに代えて、例えばCH4等のフッ素系ガスを用いても良い。また、ヘリウム(He)が添加されても良い。
続いて、第1のエッチングで用いたガスを排気した後、塩素ガスと酸素ガスからなる混合ガスにより、第2のエッチングを行い、前記現像処理と上記第1のエッチング処理により露出したハードマスク層2を除去する。
こうして図1(e)に示すように、レジストパターン4に対応する溝加工が基板1上のハードマスク層2に施される。
なお、この時のエッチング終点は、例えば反射光学式の終点検出器又はプラズマモニター等を用いることで判別する。
続いて、第2のエッチングで用いたガスを排気した後、フッ素系ガスを用いた第3のエッチングを基板1に対して行う。
続いて、硫酸と過酸化水素水の混合液からなるレジスト剥離剤によって、前記第3のエッチングの後に生じたレジストパターン4の残存を除去し、レジストパターン4を完全に剥離する。
具体的には、基板1を前記レジスト剥離剤に所定の時間浸漬し、その後、リンス剤(ここでは、常温または加熱された純水)によりレジスト剥離剤を洗い流す。次いで前記乾燥処理と同様な手法で、基板1を乾燥させる。
なお、ここで用いるレジスト剥離剤としては、前記の硫酸と過酸化水素水の混合液の他、有機溶剤(α−クロロアクリル酸メチルとα−メチルスチレンとの重合体を含むレジストの場合、アニソール又はN,N−ジメチルアセトアミド(ZDMAC(日本ゼオン株式会社製))、オゾン水等が挙げられる。レジストを膨潤溶解又は化学的に分解して剥離除去できる化合物であれば良い。また、これらのレジスト剥離剤は、加熱して、レジスト剥離除去能力を高めても良い。さらには、酸素プラズマを用いた灰化処理であって良い。
また、当該レジストパターン4の除去は、前記第2のエッチング処理の後、前記第3のエッチング処理の前に実施しても良い。
引き続いて、第1のエッチングと同様の手法で、残存ハードマスク層2を除去する前のモールド10上に残存する前記レジストパターン4に対応してパターン形成されたハードマスク層2を、ドライエッチングにて剥離除去する工程が行われる。なお、ハードマスク層を溶解除去できる薬液が存在する場合、ウェットエッチングにてハードマスク層の除去を行っても良い。
即ち、フルオロカーボンを含む溶媒Aとアルコール溶媒Bとを含む現像剤を用いることにより、レジスト溶解の際の必要露光量を抑えつつも、レジストパターンを所望の高い解像度で形成することができる。
以上、本発明の技術的思想については、現在発明者により鋭意研究中である。
本実施例においては、基板1としてウエハ形状の合成石英基板(外径150mm、厚み0.7mm)を用いた(図1(a))。
そしてまず、前記基板1をスパッタリング装置に導入し、クロム(Cr)からなるターゲットをアルゴンガスと窒素ガスでスパッタリングし、厚さ2nmの窒化クロムからなるハードマスク層2を形成した(図1(b))。このハードマスク層を形成した基板1に対して、ホットプレートにて200℃で10分間ベークを行い、脱水ベーク処理を行った。その後、基板1を室温(22.5℃)に保たれた冷却プレート上に載置して、基板1を冷却した。
的に使用する上での限界となる解像度を得たときの露光量を必要露光量と定めた。
実施例1においては溶媒Aと溶媒Bとの体積混合比を5対3、即ち、(溶媒A+溶媒B)に対する溶媒Bの体積混合比率を37.5%とした。一方、本実施例2〜5においては、(溶媒A+溶媒B)に対する溶媒Bの体積混合比率を、10%、25%、50%、75%とした。これ以外は実施例1と同様にして試料を作製した。なお、参考例として、0%とした場合についても試料を作製した。また、100%とした場合は、後述する比較例3に該当する。
なお、実施例の効果が顕著であることを示すものとして、本発明者らが想到した知見を基にした例であって、未だ公知となっていない参考例について、以下のような試料を作製した。即ち、実施例では現像剤がバートレルXFとイソプロパノールの混合液であったかわりに、参考例においては現像剤をバートレルXFのみとした以外は、実施例1と同様に試料を作製した。
実施例では現像剤がバートレルXFとイソプロパノールであったかわりに、比較例1においては現像剤を酢酸−n−アミルからなるZED−N50(日本ゼオン株式会社製)のみとし、比較例2においては現像剤をメチルイソブチルケトンとイソプロパノールの混合液(体積混合比は56対44)からなるZMD−C(日本ゼオン株式会社製)とし、比較例3においては現像剤をイソプロパノールのみにした以外は、実施例1と同様に試料を作製した。
実施例、参考例及び比較例により得られた試料(レジストパターン付き石英基板(石英基板直上にハードマスク層として窒化クロム膜を形成し、その上に、α−クロロアクリル酸メチルとα−メチルスチレンとの重合体であるZEP520Aからなるレジストパターンを形成したもの))について評価した。その結果を図2〜図4に示す。
図2は、実施例1、参考例及び比較例1〜3における実用的に使用する上での限界となる解像度とレジスト溶解に必要な露光量との関係を記載した図である。
図3は、実施例1、参考例及び比較例1〜3における試料(モールド)の作製途中であるレジストパターンを、走査型電子顕微鏡を用いて上面観察した写真である。
図4は、実施例1及び実施例2〜5において、(溶媒A+溶媒B)に対する溶媒Bの体積混合比率を、37.5%(実施例1)、10%、25%、50%、75%(以上、順に、実施例2〜5)とした試料について、レジストパターン形成に必要な露光量が最小となる溶媒Aと溶媒Bの体積混合比率を記載した図である。
結果、実施例1では、比較例1〜3よりも解像度は向上し、参考例と同程度の解像度を得ることができた。
比較例2においては、解像度20nmかつ必要露光量350μC/cm2であり、比較例1と同じく、必要露光量は低く済むものの、実用的に使用する上での限界となる解像度は実施例1に比べて劣っていた(図2(比較例2)、図3(d))。
上述の通り、磁気記録密度「1TeraBit/inch2」を達成するに必要なDTRMでのトラックピッチである50nm程度に対して必要となる解像度17nm(幅比1対2のライン・アンド・スペース・パターン)は、比較例1及び比較例2では得られない。
次に、比較例3においては解像度14nmかつ必要露光量は1150μC/cm2で、上記所望の解像度17nmは満たすものの、解像度、必要露光量ともに実施例1に劣っていた(図2(比較例3)、図3(e))。
2 ハードマスク層
3 レジスト層
4 レジストパターン
10 残存ハードマスク層及びレジスト層除去前モールド
20 モールド(マスターモールド)
Claims (13)
- 基板上に、α−クロロアクリル酸エステルとα−メチルスチレンとの重合体を含むレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層にエネルギービームを照射することにより、所定のパターンの描画又は露光を行う工程と、
フルオロカーボンを含む溶媒Aと、前記溶媒Aよりも前記レジスト層に対する溶解度が高いアルコール溶媒Bとを含む現像剤によって、前記描画又は露光されたレジスト層を現像する工程と、
を含むことを特徴とするレジストパターンの形成方法。 - 前記α−クロロアクリル酸エステルは、α−クロロアクリル酸メチルであることを特徴とする請求項1に記載のレジストパターンの形成方法。
- 前記溶媒Aは、末端の一つあるいは両端にCF3基を、その他に(CFX)基(XはF又はH)を有することを特徴とする請求項1又は2に記載のレジストパターンの形成方法。
- 前記溶媒Aは、CF3−(CFX)n−CF3(XはF又はH、かつnは自然数)であることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載のレジストパターンの形成方法。
- 前記溶媒Bは、イソプロパノールであることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載のレジストパターンの形成方法。
- 前記現像剤は前記溶媒A及び溶媒Bからなり、(溶媒A+溶媒B)に対する溶媒Bの体積混合比率が25%より大きく、かつ、50%未満であることを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに記載のレジストパターンの形成方法。
- 前記描画又は露光工程は電子線描画を行う工程であり、
前記レジスト層は電子線に感度をもつレジストであることを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載のレジストパターンの形成方法。 - 基板上に、α−クロロアクリル酸エステルとα−メチルスチレンとの重合体を含む、電子線に感度をもつレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層に電子線描画を行う工程と、
CF3−(CFX)n−CF3(XはF又はH、かつnは自然数)である溶媒Aと、イソプロピルアルコールである溶媒Bとからなり、(溶媒A+溶媒B)に対する溶媒Bの体積混合比率が25%より大きく、かつ、50%未満である現像剤によって、前記描画又は露光されたレジスト層を現像する工程と、
を含むことを特徴とするレジストパターンの形成方法。 - 前記現像工程後に、レジスト層に対して前記溶媒Aによるリンス処理工程を設けることを特徴とする請求項1ないし8のいずれかに記載のレジストパターンの形成方法。
- 基板上に、α−クロロアクリル酸エステルとα−メチルスチレンとの重合体を含むレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層にエネルギービームを照射することにより、所定のパターン形状の描画又は露光を行う工程と、
フルオロカーボンを含む溶媒Aと前記溶媒Aよりも前記レジスト層に対する溶解度が高い溶媒Bとを含む現像剤によって、前記描画又は露光されたレジスト層を現像する工程と、
を含むことを特徴とするモールドの製造方法。 - 前記α−クロロアクリル酸エステルは、α−クロロアクリル酸メチルであることを特徴とする請求項10に記載のモールドの製造方法。
- α−クロロアクリル酸エステルとα−メチルスチレンとの重合体を含むレジスト層にエネルギービームを照射して描画又は露光して、現像を行う際に用いられるレジスト現像剤であって、
フルオロカーボンを含む溶媒Aと、前記溶媒Aよりも前記レジスト層に対する溶解度が高いアルコール溶媒Bとを含むことを特徴とするレジスト現像剤。 - 前記α−クロロアクリル酸エステルは、α−クロロアクリル酸メチルであることを特徴とする請求項12に記載のレジスト現像剤。
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