JPH02201446A - レジスト現像剤 - Google Patents
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野1
本発明はプリント基板や半導体の製造時にレジストを現
像するために用いるレジスト現像剤に関するものである
。
像するために用いるレジスト現像剤に関するものである
。
【従来の技術]
プリント基板や半導体回路を作成する場合レジスト塗布
、露光に続いてレジストを現像し、次いで、エツチング
する工程があるが、このレジストを現像するために、従
来1,1,1.−トリクロロエタン等の塩素系レジスト
現像剤が使われている。
、露光に続いてレジストを現像し、次いで、エツチング
する工程があるが、このレジストを現像するために、従
来1,1,1.−トリクロロエタン等の塩素系レジスト
現像剤が使われている。
【発明が解決しようとする課題]
本発明は従来使用されていた塩素系レジスト現像剤は地
下水汚染の点から好ましくないため、その使用量を抑え
るべく塩素系レジスト現像剤にかわる新規のレジスト現
像剤を提供することを目的とするものである。
下水汚染の点から好ましくないため、その使用量を抑え
るべく塩素系レジスト現像剤にかわる新規のレジスト現
像剤を提供することを目的とするものである。
[課題を解決するための手段]
本発明は前述の目的を達成すべくなされたものであり、
炭素数が3である特定の塩化弗化炭化水素を有効成分と
して含有するレジスト現像剤を提供するものである。
炭素数が3である特定の塩化弗化炭化水素を有効成分と
して含有するレジスト現像剤を提供するものである。
本発明の塩化弗化炭化水素としては
CFsCF*CHCl2F (R226ca)、CCQ
F−CFtCHFi (R226cb)、CCQmCF
*CHCQ* (R222c) 、 CCQJCF−C
HCQz (R223ca)、CCQ、CFICHC:
12F(R223Cb)、CCQ、CF、CHF*(R
224cc)、CHCQ、CF、CHCQz(R232
ca) 、CCQ、CF、CH,C(!(R232cb
)、CCQ、pcp*cnmcQ(R233cb)、C
HCQ、CF、CHCl2F(R233ca)、CCQ
sCF*CHJ(R233cc)、CCQ、CF*CH
s(R242cb)、CHCl2F、CH*CQ (R
242ca)等の水素含有塩化弗化炭化水素から選ばれ
る1種又は2種以上の混合物が好ましい。
F−CFtCHFi (R226cb)、CCQmCF
*CHCQ* (R222c) 、 CCQJCF−C
HCQz (R223ca)、CCQ、CFICHC:
12F(R223Cb)、CCQ、CF、CHF*(R
224cc)、CHCQ、CF、CHCQz(R232
ca) 、CCQ、CF、CH,C(!(R232cb
)、CCQ、pcp*cnmcQ(R233cb)、C
HCQ、CF、CHCl2F(R233ca)、CCQ
sCF*CHJ(R233cc)、CCQ、CF*CH
s(R242cb)、CHCl2F、CH*CQ (R
242ca)等の水素含有塩化弗化炭化水素から選ばれ
る1種又は2種以上の混合物が好ましい。
本発明のレジスト現像剤には、各種の目的に応じてその
他の各種成分を含有させることができる0例えば、さら
に良好に現像するために、炭化水素類、アルコール類、
ケトン類、塩素化炭化水素類又はエステル類等の有機溶
剤から選ばれる少なくとも1種を含有させることができ
る。これらの有機溶剤のレジスト現像剤中の含有割合は
、0〜50重量%、好ましくは10〜40重量%、さら
に好ましくは20〜30重量%である。
他の各種成分を含有させることができる0例えば、さら
に良好に現像するために、炭化水素類、アルコール類、
ケトン類、塩素化炭化水素類又はエステル類等の有機溶
剤から選ばれる少なくとも1種を含有させることができ
る。これらの有機溶剤のレジスト現像剤中の含有割合は
、0〜50重量%、好ましくは10〜40重量%、さら
に好ましくは20〜30重量%である。
本発明の塩化弗化炭化水素類と有機溶剤との混合物に共
沸組成が存在する場合には、その共沸組成での使用が好
ましい。
沸組成が存在する場合には、その共沸組成での使用が好
ましい。
炭化水素類としては炭素数1〜15の鎖状又は環状の飽
和又は不飽和炭化水素類が好ましく、n−ペンタン、イ
ソペンタン、n−ヘキサン、イソヘキサン、2−メチル
ペンタン、2.2−ジメチルブタン、2.3−ジメチル
ブタン、n−へブタン、イソへブタン、3−メチルヘキ
サン、2.4−ジメチルペンクン、n−オクタン、2−
メチルへブタン、3−メチルへブタン、4−メチルへブ
タン、2.2−ジメチルヘキサン、2.5−ジメチルヘ
キサン、3.3−ジメチルヘキサン、2−メチル−3−
エチルペンクン、3−メチル−3−エチルペンクン、2
、3.3−トリメチルペンタン、2,3.4−)−ジメ
チルペンクン、2,2.3−トリメチルペンタン、イソ
オクタン、ノナン、2.2.5− トリメチルヘキサン
、デカン、ドデンカン、l−ペンテン、2−ペンテン、
1−ヘキセン、1−オクテン、l−ノネン、l−デセン
、シクロペンタン、メチルシクロペンタン、シクロヘキ
サン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、
ビシクロヘキサン、シクロヘキセン、α−ピネン、ジペ
ンテン、デカリン、テトラリン、アミジノ、アミルナフ
タレン等から選ばれるものである。より好ましくは、n
−ペンタン、n−ヘキサン、シクロヘキサン、n−へブ
タン等である。
和又は不飽和炭化水素類が好ましく、n−ペンタン、イ
ソペンタン、n−ヘキサン、イソヘキサン、2−メチル
ペンタン、2.2−ジメチルブタン、2.3−ジメチル
ブタン、n−へブタン、イソへブタン、3−メチルヘキ
サン、2.4−ジメチルペンクン、n−オクタン、2−
メチルへブタン、3−メチルへブタン、4−メチルへブ
タン、2.2−ジメチルヘキサン、2.5−ジメチルヘ
キサン、3.3−ジメチルヘキサン、2−メチル−3−
エチルペンクン、3−メチル−3−エチルペンクン、2
、3.3−トリメチルペンタン、2,3.4−)−ジメ
チルペンクン、2,2.3−トリメチルペンタン、イソ
オクタン、ノナン、2.2.5− トリメチルヘキサン
、デカン、ドデンカン、l−ペンテン、2−ペンテン、
1−ヘキセン、1−オクテン、l−ノネン、l−デセン
、シクロペンタン、メチルシクロペンタン、シクロヘキ
サン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、
ビシクロヘキサン、シクロヘキセン、α−ピネン、ジペ
ンテン、デカリン、テトラリン、アミジノ、アミルナフ
タレン等から選ばれるものである。より好ましくは、n
−ペンタン、n−ヘキサン、シクロヘキサン、n−へブ
タン等である。
アルコール類としては、炭素数1〜17の鎖状又は環状
の飽和又は不飽和アルコール類が好ましく、メタノール
、エタノール、n−プロピルアルコール、イソプロピル
アルコール、n−ブチルアルコール、5ec−ブチルア
ルコール、イソブチルアルコール、tert−ブチルア
ルコール、ペンチルアルコール、5ec−アミルアルコ
ール、l−エチル−1−プロパツール、2−メチル−1
−ブタノール、イソペンチルアルコール、tert−ペ
ンチルアルコール、3−メチル−2−ブタノール、ネオ
ペンチルアルコール、l−ヘキサノール、2−メチル−
1−ペンタノール、4−メチル−2−ペンタノール、2
−エチル−1−ブタノール、1−ヘプタツール、2−ヘ
プタツール、3−ヘプタツール、l−オクタツール、2
−オクタツール、2−エチル−1−ヘキサノール、l−
ノナノール、3.5.5−トリメチル−1−ヘキサノー
ル、l−デカノール、l−ウンデカノール、l−ドデカ
ノール、アリルアルコール、プロパルギルアルコール、
ベンジルアルコール、シクロヘキサノール、l−メチル
シクロヘキサノール、2−メチルシクロヘキサノール、
3−メチルシクロヘキサノール、4−メチルシクロヘキ
サノール、α−テルピネオール、アとニチノール、2.
6−シメチルー4−ヘプタツール、トリメチルノニルア
ルコール、テトラデシルアルコール、ヘプタデシルアル
コール等から選ばれるものである。より好ましくはメタ
ノール、エタノール、イソプロピルアルコール等である
。
の飽和又は不飽和アルコール類が好ましく、メタノール
、エタノール、n−プロピルアルコール、イソプロピル
アルコール、n−ブチルアルコール、5ec−ブチルア
ルコール、イソブチルアルコール、tert−ブチルア
ルコール、ペンチルアルコール、5ec−アミルアルコ
ール、l−エチル−1−プロパツール、2−メチル−1
−ブタノール、イソペンチルアルコール、tert−ペ
ンチルアルコール、3−メチル−2−ブタノール、ネオ
ペンチルアルコール、l−ヘキサノール、2−メチル−
1−ペンタノール、4−メチル−2−ペンタノール、2
−エチル−1−ブタノール、1−ヘプタツール、2−ヘ
プタツール、3−ヘプタツール、l−オクタツール、2
−オクタツール、2−エチル−1−ヘキサノール、l−
ノナノール、3.5.5−トリメチル−1−ヘキサノー
ル、l−デカノール、l−ウンデカノール、l−ドデカ
ノール、アリルアルコール、プロパルギルアルコール、
ベンジルアルコール、シクロヘキサノール、l−メチル
シクロヘキサノール、2−メチルシクロヘキサノール、
3−メチルシクロヘキサノール、4−メチルシクロヘキ
サノール、α−テルピネオール、アとニチノール、2.
6−シメチルー4−ヘプタツール、トリメチルノニルア
ルコール、テトラデシルアルコール、ヘプタデシルアル
コール等から選ばれるものである。より好ましくはメタ
ノール、エタノール、イソプロピルアルコール等である
。
炭素数1〜9の飽和又は不飽和炭化水素基)のいずれか
の−数式で示されるものが好ましく、アセトン、メチル
エチルケトン、2−ペンタノン、3−ペンタノン、2−
ヘキサノン、メチル−n−ブチルケトン、メチルブチル
ケトン、2−ヘプタノン、4−ヘプタノン、ジイソブチ
ルケトン、アセトニルアセトン、メシチルオキシド、ホ
ロン、メチル−n−アミルケトン、エチルブチルケトン
、メチルへキシルケトン、シクロヘキサノン、メチルシ
クロヘキサノン、イソホロン、2.4−ペンタンジオン
、ジアセトンアルコール、アセトフェノン、フエンチ式
ン等から選ばれるものである。より好ましくはアセトン
、メチルエチルケトン等である。
の−数式で示されるものが好ましく、アセトン、メチル
エチルケトン、2−ペンタノン、3−ペンタノン、2−
ヘキサノン、メチル−n−ブチルケトン、メチルブチル
ケトン、2−ヘプタノン、4−ヘプタノン、ジイソブチ
ルケトン、アセトニルアセトン、メシチルオキシド、ホ
ロン、メチル−n−アミルケトン、エチルブチルケトン
、メチルへキシルケトン、シクロヘキサノン、メチルシ
クロヘキサノン、イソホロン、2.4−ペンタンジオン
、ジアセトンアルコール、アセトフェノン、フエンチ式
ン等から選ばれるものである。より好ましくはアセトン
、メチルエチルケトン等である。
塩素化炭化水素類としては、炭素数1〜2の飽和又は不
飽和、塩素化炭化水素類が好ましく、塩化メチレン、四
塩化炭素、1.1−ジクロルエタン、1.2−ジクロロ
エタン、l、 l、 を−トリクロルエタン、1,1.
2−トリクロルエタン、1,1,1.2−テトラクロル
エタン、 1,1,2.2−テトラクロルエタン、ペン
タクロルエタン、1.1−ジクロルエチレン、1.2−
ジクロルエチレン、トリクロルエチレン、テトラクロル
エチレン等から選ばれるものである。より好ましくは塩
化メチレン、1、1.1−トリクロルエタン、トリクロ
ルエチレン、テトラクロルエチレン等である。
飽和、塩素化炭化水素類が好ましく、塩化メチレン、四
塩化炭素、1.1−ジクロルエタン、1.2−ジクロロ
エタン、l、 l、 を−トリクロルエタン、1,1.
2−トリクロルエタン、1,1,1.2−テトラクロル
エタン、 1,1,2.2−テトラクロルエタン、ペン
タクロルエタン、1.1−ジクロルエチレン、1.2−
ジクロルエチレン、トリクロルエチレン、テトラクロル
エチレン等から選ばれるものである。より好ましくは塩
化メチレン、1、1.1−トリクロルエタン、トリクロ
ルエチレン、テトラクロルエチレン等である。
エステル類としては、次の一般式で示されるR禦
雷
ものが好ましく、R、−Con−R□R1−C−R1−
C00−R4゜8s C0OR。
C00−R4゜8s C0OR。
(ここでR1,RIRIR4,R1R@はH又はOH又
は炭素数1〜19の飽和ないし、不飽和結合を有する炭
化水素基、) 具体的には、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、
ギ酸ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸ペンチル、酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢
酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸5eC−ブチル、酢酸
ペンチル、酢酸イソペンチル、3−メトキシブチルアセ
テート、酢酸5ee−ヘキシル、2−エチルブチルアセ
テート、2−エチルヘキシルアセテート、酢酸シクロヘ
キシル、酢酸ベンジル、プロピオン酸メチル、プロピオ
ン酸エチル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸イソペ
ンチル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸ブチル、酪酸イ
ソペンチル、イソ酪酸イソブチル、2−ヒドロキシ−2
−メチルプロピオン酸エチル、ステアリン酸ブチル、ス
テアリン酸ペンチル、安息香酸メチル、安息香酸エチル
、安息香酸プロピル、安息香酸ブチル、安息香酸イソペ
ンチル、安息香酸ベンジル、アビエチン酸エチル、アビ
エチン酸ベンジル、アジピン酸ビス−2−エチルヘキシ
ル、γ−ブチロラクト、シュウ酸ジエチル、シェラ酸ジ
ブチル、シェラ酸ジペンチル、マロン酸ジエチル、マレ
イン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジブ
チル、酒石酸ジブチル、クエン酸トリブチル、セバシン
酸ジブチル、セバシン酸ビス−2−エチルヘキシル、フ
タル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジブチル
、フタル酸ビス−2−エチルヘキシル、フタル酸ジオク
チル等から選ばれるものある。より好ましくは酢酸メチ
ル、酢酸エチル等である。
は炭素数1〜19の飽和ないし、不飽和結合を有する炭
化水素基、) 具体的には、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、
ギ酸ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸ペンチル、酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢
酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸5eC−ブチル、酢酸
ペンチル、酢酸イソペンチル、3−メトキシブチルアセ
テート、酢酸5ee−ヘキシル、2−エチルブチルアセ
テート、2−エチルヘキシルアセテート、酢酸シクロヘ
キシル、酢酸ベンジル、プロピオン酸メチル、プロピオ
ン酸エチル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸イソペ
ンチル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸ブチル、酪酸イ
ソペンチル、イソ酪酸イソブチル、2−ヒドロキシ−2
−メチルプロピオン酸エチル、ステアリン酸ブチル、ス
テアリン酸ペンチル、安息香酸メチル、安息香酸エチル
、安息香酸プロピル、安息香酸ブチル、安息香酸イソペ
ンチル、安息香酸ベンジル、アビエチン酸エチル、アビ
エチン酸ベンジル、アジピン酸ビス−2−エチルヘキシ
ル、γ−ブチロラクト、シュウ酸ジエチル、シェラ酸ジ
ブチル、シェラ酸ジペンチル、マロン酸ジエチル、マレ
イン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジブ
チル、酒石酸ジブチル、クエン酸トリブチル、セバシン
酸ジブチル、セバシン酸ビス−2−エチルヘキシル、フ
タル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジブチル
、フタル酸ビス−2−エチルヘキシル、フタル酸ジオク
チル等から選ばれるものある。より好ましくは酢酸メチ
ル、酢酸エチル等である。
本発明により現像し得るレジストとしては、何ら限定さ
れず、ポジ形またはネガ形の光露光用レジスト、遠紫外
露光用レジスト、X線又は電子線用レジストを挙げるこ
とができる。光露光用レジストの材質にはフェノール及
びクレゾールノボラック樹脂をベースにしたキノンジア
ジド系、シス−1,4−ポリイソプレンを主成分とする
環化ゴム系、ポリけい皮酸系等があり、遠紫外用レジス
トにはポリメチルメタアクリレート、ポリメチルイソプ
ロペニルケトン等があり、電子線、X線レジストにはポ
リメタフルル酸メチル1、メタクリル酸グリシジル−ア
クリル酸エチル共重合体、メタアクリル酸メチル−メタ
クリル酸共重合体等が知られているが、本発明のレジス
ト現像剤はいずれにも有効である。
れず、ポジ形またはネガ形の光露光用レジスト、遠紫外
露光用レジスト、X線又は電子線用レジストを挙げるこ
とができる。光露光用レジストの材質にはフェノール及
びクレゾールノボラック樹脂をベースにしたキノンジア
ジド系、シス−1,4−ポリイソプレンを主成分とする
環化ゴム系、ポリけい皮酸系等があり、遠紫外用レジス
トにはポリメチルメタアクリレート、ポリメチルイソプ
ロペニルケトン等があり、電子線、X線レジストにはポ
リメタフルル酸メチル1、メタクリル酸グリシジル−ア
クリル酸エチル共重合体、メタアクリル酸メチル−メタ
クリル酸共重合体等が知られているが、本発明のレジス
ト現像剤はいずれにも有効である。
レジスト現像方法も何ら限定されず、通常のスプレー法
、浸漬して撹拌したり、揺動したり、超音波を作用させ
たりする方法等を採用することができろ。
、浸漬して撹拌したり、揺動したり、超音波を作用させ
たりする方法等を採用することができろ。
[実施例]
実施例1〜18
下記第1表に示すレジスト現像剤を用いてレジスト現像
試験を行なった。フォトレジストフィルム(Lam1n
er、ダイナケム社製)がラミネートされたプリント基
板(銅張積層板)を一定の回路パターンに露光後、レジ
スト現像剤で現像し回路パターンが正常にできているか
顕微鏡で観察した。結果を第1表に示す。
試験を行なった。フォトレジストフィルム(Lam1n
er、ダイナケム社製)がラミネートされたプリント基
板(銅張積層板)を一定の回路パターンに露光後、レジ
スト現像剤で現像し回路パターンが正常にできているか
顕微鏡で観察した。結果を第1表に示す。
[発明の効果]
本発明のレジスト現像剤は実施例から明らかなようにレ
ジスト現像効果の優れたものである。
ジスト現像効果の優れたものである。
又、従来の塩素系現像剤に比べ、プリント配線板に使わ
れるプラスチック等に対し悪影響が少ない点も有利であ
る。
れるプラスチック等に対し悪影響が少ない点も有利であ
る。
Claims (2)
- (1)CF_3CF_3CHClF、CClF_2CF
_2CHF_2、CCl_3CF_2CHCl_2、C
Cl_2FCF_2CHCl_2、CCl_3CF_2
CHClF、CCl_3CF_2CHF_2、CHCl
_2CF_2CHCl_2、CCl_3CF_2CH_
2Cl、CCl_2FCF_2CH_2Cl、CHCl
_2CF_2CHClF、CCl_3CF_2CH_2
F、CCl_3CF_2CH_3、CHCl_2CF_
2CH_2Clの群から選ばれる少なくとも1種を有効
成分として含有するレジスト現像剤。 - (2)レジスト現像剤中には、炭化水素、アルコール類
、ケトン類、塩素化炭化水素類又はエステル類から選ば
れる少なくとも1種が含まれている請求項1記載のレジ
スト現像剤。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1982789A JPH02201446A (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | レジスト現像剤 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1982789A JPH02201446A (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | レジスト現像剤 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02201446A true JPH02201446A (ja) | 1990-08-09 |
Family
ID=12010129
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1982789A Pending JPH02201446A (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | レジスト現像剤 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02201446A (ja) |
-
1989
- 1989-01-31 JP JP1982789A patent/JPH02201446A/ja active Pending
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