JPH01140154A - レジスト剥離剤 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はプリント基板や半導体の製造時に用いられるレ
ジスト剥離剤に関するものである。

［従来の技術］ プリント基板や半導体回路を作成する場合。

最終的にエツチング後のレジストを剥離する工程がある
。従来、この工程に塩化メチレン、テトラクロルエチレ
ン、Ｏ−ジクロルベンセン等の塩素系溶剤が使われてい
る。

［発明の解決しようとする間層点］ 本発明は従来使用されていた塩素系溶剤は地下水汚染の
点から好ましくないため、その使用量を抑えるべく塩素
系溶剤にかわる新規のレジスト剥離剤を提供することを
目的とするものである。

［問題点を解決するための手段］ 本発明は前述の目的を達成すべ（なされたものであり、
　１．１−ジクロロ−２−フルオロエタン（以下ＲＩ４
１ａという）、１．１−ジクロロ−ｌ−フルオロエタン
（以下Ｒ１４１ｂという）を有効成分として含有するレ
ジスト剥離剤を提供するものである。

本発明のレジスト剥離剤の有効成分であるＲＩ４１ａ　
、ＲＩ４１ｂ　（これらは混合して用いてもよい）はレ
ジスト剥離力に優れ、プリント基板や半導体の材質に悪
影響の少ない優れた溶剤である。

本発明のレジスト剥離剤には、各種の目的に応じてその
他の各種成分を含有させることができる０例えば、レジ
スト剥離力を高めるために、炭化水素類、アルコール類
、ケトン類、塩素化炭化水素類、芳香族類又はエステル
類等の有機溶剤から選ばれる少なくとも１種を含有させ
ることができる。これらの有機溶剤のレジスト剥離剤中
の含有割合は、０〜５０重量％、好ましくは１０〜４０
重量％、さらに好ましくは２０〜３０重量％である。　
Ｒ１４１ａ又はＲ１４１ｂと有機溶剤との混合物に共沸
組成が存在する場合には、その共沸組成での使用が好ま
しい。

炭化水素類としては炭素数１−１５の直鎖又は環状の飽
和又は不飽和炭化水素類が好ましく、ｎ−ペンタン、イ
ソペンタン、ｎ−ヘキサン、イソヘキサン、２−メチル
ペンタン、２．２−ジメチルブタン、２．３−ジメチル
ブタン、ｎ−へブタン、イソへブタン、３−メチルヘキ
サン、２．４−ジメチルペンタン、ｎ−オクタン、２−
メチルヘプタン、３−メチルへブタン、４−メチルへブ
タン、２．２−ジメチルヘキサン、２．５−ジメチルヘ
キサン、３．３−ジメチルヘキサン、２−メチル−３−
エチルペンタン、３−メチル−３−エチルペンタン、２
゜３．３−トリメチルペンタン、２．３．４−トリメチ
ルペンタン、　２．２．３４リメチルペンクン、イソオ
クタン、ノナン、２．２．５−　トリメチルヘキサン、
デカン、ドデンカン、ｌ−ペンテン、２−ペンテン、１
−ヘキセン、１−オクテン、１−ノネン、１−デセン、
シクロペンタン、メチルシクロペンタン、シクロヘキサ
ン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ビ
シクロヘキサン、シクロヘキセン、ａ−ピネン、ジペン
テン、デカリン、テトラリン、アミジノ、アミルナフタ
レン等から選ばれるものである。より好ましくは、ｎ−
ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へブタン等である。

アルコール類としては、炭素数ｌ〜１７の鎖状又は環状
の飽和又は不飽和アルコール類が好ましく、メタノール
、エタノール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピル
アルコール、ｎ−ブチルアルコール、５ｅｃ−ブチルア
ルコール、イソブチルアルコール、ｔｅｒｔ−ブチルア
ルコール、ペンチルアルコール、　５ｅｃ−アミルアル
コール、１−エチル−１−プロパツール、２−メチル−
１−ブタノール、イソペンチルアルコール、ｊｅｒＬ−
ペンチルアルコール、３−メチル−２−ブタノール、ネ
オペンチルアルコール、ｌ−ヘキサノール、２−メチル
−１−ペンタノール、４−メチル−２−ペンタノール、
２−エチル−１−ブタノール、１−ヘプタツール、２−
ヘプタツール、３−ヘプタツール、Ｉ−オクタノール、
２−オクタノール、２−エチル−１−ヘキサノール、！
−ノナノール、３．５．５−トリメチル−１−ヘキサノ
ール、！−デカノール、１−ウンデカノール、トドデカ
ノール、アリルアルコール、プロパルギルアルコール、
ベンジルアルコール、シクロヘキサノール、ｌ−メチル
シクロヘキサノール、２−メチルシクロヘキサノール、
３−メチルシクロヘキサノール、４−メチルシクロヘキ
サノール、ａ−テルピネオール、アビニチノール、２．
６−シメチルー４−ヘプタツール、トリメチルノニルア
ルコール、テトラデシルアルコール、ヘプタデシルアー
ルコール等から選ばれるものである。より好ましくはメ
タノール、エタノール、イソプロピルアルコール等であ
る。

ケトン類としては、Ｒ−ＣＯ−Ｒ’　、　Ｒ−ＣＯ，Ｒ
−ＣＯ−Ｒ’　−「コ　　ｒ−Ｃ１）！　−＋ Ｃ０−Ｒ”、Ｒ−ＣＤ−Ｒ’、　Ｒ−ＣＯ−Ｒ’　（こ
こで、Ｒ，Ｒ’、Ｒ″は炭素数１．〜９の飽和又は不飽
和炭化水素基）のいずれかの一般式で示されるものが好
ましく、アセトン、メチルエチルケトン、２−ペンタノ
ン、３−ペンタノン、２−ヘキサノン、メチル−ロープ
チルケトン、メチルブチルケトン、２−ヘプタノン、４
−ヘプタノン、ジイソブチルケトン、アセトニルアセト
ン、メシチルオキシド、ホロン、メチル−〇−アミルケ
トン、エチルブチルケトン、メチルへキシルケトン、シ
クロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、イソホロン
、２．４−ベンタンジオン、ジアセトンアルコール、ア
セトフェノン、フエンチョン等から選ばれるものである
。より好ましくはアセトン、メチルエチルケトン等であ
る。

塩素化炭化水素類としては、炭素数１〜２の飽和又は不
飽和、塩素化炭化水素類が好ましく、塩化メチレン、四
塩化炭素、１．１−ジクロルエタン、１．２−ジクロロ
エタン、Ｉ、　ｌ、　ｉ　トリクロルエタン、Ｉ、　１
．２−　）ジクロルエタン、ｌ、　ｌ、　１．２−テト
ラクロルエタン、１．１，２．２−テトラクロルエタン
、ペンタクロルエタン、１．１−ジクロルエチレン、１
．２−ジクロルエチレン、トリクロルエチレン、テトラ
クロルエチレン等から選ばれるものである。より好まし
くは塩化メチレン、１、　Ｉ、ｉトリクロルエタン、ト
リクロルエチレン、テトラクロルエチレン等である。

芳香族類としては、ベンヤン誘導体、ナフタレン誘導体
が好ましく、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベ
ンセン、イソプロピルベンセン、ジエチルベンセン、第
２ブチルベンセン、トリエチルベンセン、ジイソプロピ
ルベンゼン、スチレン、アルキルベンセンスルホン酸、
フェノール、メシチレン、ナフタレン、テトラリン、ブ
チルベン七ン、ｐ−シメン、シクロへキシルベンセン、
ペンチルベンセン、ジベンチルベンゼン、ドデシルベン
セン、ピフェニル、０−クレゾール、ｍ−クレゾール、
キシレノール等から選ばれるものである。より好ましく
は、アルキルベンセンスルホン酸、フェノール等である
。

エステル類としては、次の一般式で示される■ ものが好ましく、Ｒ＋−ＣＯＧ−Ｒｉ、　Ｒ＋−Ｃ−Ｒ
ａ−ＣＯＯ−Ｒｎ。

ｏＲ。

０ＯＲ４ （ここでり、　Ｒｉ、　Ｒｓ、　Ｒａ、　Ｒｓ、　Ｒｅ
は１）又は０■又は炭素数１〜１９の飽和ないし、不飽
和結合を有する炭化水素基。） 具体的には、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、
ギ酸ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸ペンチル、酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢
酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸５ｅｃ−ブチル、酢酸
ペンチル、酢酸イソペンチル、３−メトキシブチルアセ
テート、酢ｓ　５ｅｃ−ヘキシル、２−エチルブチルア
セテート、２−エチルヘキシルアセテート、酢酸シクロ
ヘキシル、酢酸ベンジル、プロピオン酸メチル、プロピ
オン酸エチル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸イソ
ペンチル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸ブチル、酪酸
イソペンチル、イソ醋酸イソブチル、２−ヒドロキシ−
２−メチルプロピオン酸エチル、ステアリン酸ブチル、
ステアリン酸ペンチル、安息香酸メチル、安息６酸エチ
ル、安息香酸プロピル、安息香酸ブチル、安息６酸イソ
ペンチル、安息香酸ベンジル、アビエチン酸エチル、ア
ビエチン酸ベンジル、アジピン酸ビス−２−エチルヘキ
シル、γ−ブチロラクト、シュウ酸ジエチル、シュウ酸
ジブチル、シュウ酸ジペンチル、マロン酸ジエチル、マ
レイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレイン゛酸
ジブデル、酒石酸ジブチル、クエン酸トリブチル、セバ
シン酸ジブチル、セバシン酸ビス−２−エチルヘキシル
、フタル酸ジブチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジブ
チル、フタル酸ビス−２−エチルヘキシル、フタル酸ジ
オクチル等から選ばれるものある。より好ましくは酢酸
メチル、酢酸エチル等である。

本発明により剥離し得るレジストとしては、何ら限定さ
れず、ポジ形またはネガ形の光露光用レジスト、遠紫外
露光用レジスト、Ｘ線又は電子線用レジストを挙げるこ
とができる。光露光用レジストの材質にはフェノール及
びクレゾールノボラック樹脂をベースにしたキノンジア
ジド系、シス−１，４−ポリイソプレンを主成分とする
環化ゴム系、ポリけい皮酸系等があり、遠紫外用レジス
トにはポリメチルメタアクリレート、ポリメチルイソプ
ロペニルケトン等があリ、？Ｉｔ子ａ、ｘｉレジストに
はポリメタフルル酸メチル１、メタクリル酸グリシジル
−アクリル酸エチル共重合体、メタアクリル酸メチル−
メタクリル酸共重合体等が知られているが、本発明のレ
ジスト剥離剤はいずれにも有効である。

レジスト剥離方法も何ら限定されず、通常のスプレー法
、浸漬して攪拌したり、揺動したり、超音波を作用させ
たりする方法等を採用することができる。

［実施例］ 実施例１〜８ 下記第１表に示すレジスト剥離剤を用いてレジスト剥離
試験を行なった。フォトレジストフィルム（Ｌａｍ１ｎ
ｅｒ　Ｈダイナケム社製）がラミネートされたプリント
基板（銅張積層板）を用い露光、現像、エツチング工程
にて回路を作成後、レジスト剥離剤に常温で１５分間浸
漬し、取出後顕微鏡にて硬化膜の剥離状況を観察した。

結果を第１表に示す。

第１表 （）内は混合比［重量％］ ０：良好に剥離できる　Δ：少量残ひ Ｘ：かなり残存 ［発明の効果］ 本発明のレジスト剥離剤は実施例から明らかなようにレ
ジスト剥離効果に優れたものである。

又、従来の塩素系剥離剤に比べ、プリント配線板に使わ
れるプラスチック等に対し悪Ｅ　１９が少ない点も有利
である。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）１，１−ジクロロ−２−フルオロエタン又は１，
   １−ジクロロ−１−フルオロエタンを有効成分として含
   有するレジスト剥離剤。
2. （２）レジスト剥離剤中には、炭化水素類、アルコール
   類、ケトン類、塩素化炭化水素類、芳香族類又はエステ
   ル類から選ばれる少なくとも１種が含まれている特許請
   求の範囲第１項記載のレジスト剥離剤。