JPH02222468A - 塩素化弗素化炭化水素系レジスト剥離剤 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、プリント基板や半導体の製造時に用いられる
レジスト剥離剤に関するものである。

［従来の技術］ プリント基板や半導体回路を作成する場合、最終的にエ
ツチング後のレジストを剥離する工程がある。従来、こ
の工程にジクロロメタン、テトラクロロエチレン、０−
ジクロロベンゼン等の塩素系溶剤やフェノール等が使わ
れている。

［発明が解決しようとする課題］ 本発明は、従来使われていた塩素系溶剤やフェノール類
が毒性や地下水汚染の点から好ましくないため、その使
用量を抑えるべく、これら従来の溶剤等にかわる新規の
レジスト剥離剤を提供することを目的とするものである
。

［課題を解決するための手段］ 本発明は前述の目的を達成すべくなされたものであり、
炭素数が４である塩素化弗素化炭化水素を有効成分とし
て含有するレジスト剥離剤を提供するものである。

本発明の塩素化弗素化炭化水素としては、１−クロロ−
１，１−ジフルオロブタン（ｂ、　ｐ、　５５．５℃）
、３−クロロ−１，１，１−トリフルオロブタン（ｂ、
　ｐ、　６６℃）、１−クロロ−１，１，３，３−テト
ラフルオロブタン　（ｂ、ｐ。

７０℃）、２−クロロ−１，１，１，４，４，４−ヘキ
サフルオロブタン（ｂ、ｐ、５１℃）、４−クロロ−１
，１，１，２，２，３，３−ヘプタフルオロブタン（ｂ
、　ｐ、　５４℃）、　３，４−ジクロロ−１、１，１
，２，２，３−ヘキサフルオロブタン（ｂ、　９．７２
℃）、２．３−ジクロロ−１，１，１，４，４，４−ヘ
キサフルオロブタン（ｂ、　ｐ、　７８℃）、４，４−
ジクロロ−１，１，１，２，２，３，３−ヘプタフルオ
ロブタン（ｂ、　ｐ、　７６、５℃）、　１−クロロ−
２゜２、３．３−テトラフルオロシクロブタン（ｂ、　
ｐ、ぢ℃）、１．１−ジクロロ−２，２，３，３−テト
ラフルオロシクロブタン（ｂ、　ｐ、　８４℃）、１−
クロロ−２，２，３，３，４，４−ヘキサフルオロシク
ロブタン（ｂ、　ｐ、　４０℃）等の含水素塩素化弗素
化炭化水素から選ばれる１種又は２種以上の混合物が好
ましい。

本発明のレジスト剥離剤には、各種の目的に応じてその
他の各種成分を含有させることができる。

例えば、レジスト剥離力を高めるために、炭化水素類、
アルコール類、ケトン類、ハロゲン化炭化水素類、芳香
族類叉はエステル類等の有機溶剤から選ばれる少なくと
も１種を含有させることができる。これらの有機溶剤の
レジスト剥離剤中の含有割合は、０〜５０重量％、好ま
しくは１０〜４０重量％、さらに好ましくは２０〜３０
重量％である０本発明の塩素化弗素化炭化水素類と有機
溶剤との混合物に共沸組成が存在する場合には、その共
沸組成での使用が特に好ましい。

炭化水素類としては、炭素数１〜１５の直鎖叉は環状の
飽和叉は不飽和炭化水素類が好ましく、ｎ−ペンタン、
イソペンタン、ｎ−ヘキサン、イソヘキサン、ネオヘキ
サン、２．３−ジメチルブタン、３−メチルペンタン、
ｎ−へブタン、イソへブタン、３−メチＬレヘキサン、
２．４−ジメチルベンクン、ｎ−オクタン、２−メチル
へブタン、３−メチルへブタン、４−メチルへブタン、
２．２−ジメチルヘキサン、２．５−ジメチルヘキサン
、３．３−ジメチルヘキサン、２−メチル−３−エチル
ペンタン、３−メチル−３−エチルペンタン、２．３．
３−　トリメチルペンタン、２．３．４−トリメチルペ
ンタン、２．２．３−　）ジメチルベンクン、イソオク
タン、ノナン、２．２．５−　）ジメチルヘキサン、デ
カン、ドデカン、１−ペンテン、２−ペンテン、１−ヘ
キセン、１−オクテン、１−ノネン、１−デセン、シク
ロペンタン、メチルシクロペンタン、シクロヘキサン、
メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ビシク
ロヘキサン、シクロヘキセン、α−ピネン、ジペンテン
、デカリン、テトラリン、アミジノ、アミルナフタレン
等から選ばれるものである。より好ましくはｎ−ペンタ
ン、ネオヘキサン、２．３−ジメチルブタン、ｎ−ヘキ
サン、シクロペンタン、シクロヘキサン、ｎ−へブタン
等である。

アルコール類としては、炭素数１〜１７の鎖状叉は、環
状の飽和叉は不飽和アルコール類が好ましく、メタノー
ル、エタノール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピ
ルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、イソブチルアル
コール、５ｅｅ−ブチルアルコール、ｔｅｒｔ−ブチル
アルコール、ペンチルアルコール、５ｅｅ−アミルアル
コール、１−エチル−１−プロパツール、２−メチル−
１−ブタノール、イソペンチルアルコール、ｔｅｒｔ−
ペンチルアルコール、３−メチル−２−ブタノール、ネ
オペンチルアルコール、１−ヘキサノール、２−メチル
−１−ペンタノール、４−メチル−２−ペンタノール、
２−エチル−１−ブタノール、１−ヘプタツール、２−
ヘプタツール、３−ヘプタツール、１−オクタツール、
２−オクタツール、２−エチル−１−ヘキサノール、１
−ノナノール、３．５．５〜トリメナル−１−ヘキサノ
ール、１−デカノール、１−ウンデカノール、１−ドデ
カノール、アリルアルコール、プロパルギルアルコール
、ベンジルアルコール、シクロヘキサノール、１−メチ
ルシクロヘキサノール、２−メチルシクロヘキサノール
、３−メチルシクロヘキサノール、４−メチルシクロヘ
キサノール、α−テルピネオール、アとニチノール、２
．６−シメチルー４−へプタノール、トリメチルノニル
アルコール、テトラデシルアルコール、ヘプタデシルア
ルコール等から選ばれるものである。より好ましくは、
メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等で
ある。

１〜９の飽和叉は不飽和炭化水素基）のいずれかの一般
式で示されるものが好ましく、アセトン、メチルエチル
ケトン、２−ペンタノン、３−ペンタノン、２−ヘキサ
ノン、メチルブチルケトン、メチルイソブチルケトン、
２−ヘプタノン、４−ヘプタノン、ジイソブチルケトン
、アセトニルアセトン、メシチルオキシド、ホロン、メ
チル−〇−アミルケトン、エチルブチルゲトン、メチル
へキシルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキ
サノン、イソホロン、２．４−ペンタンジオン、ジアセ
トンアルコール、アセトフェノン、フェンチョン等から
選ばれるものである。より好ましくは、アセトン、メチ
ルエチルケトン等である。

ハロゲン化炭化水素類としては、炭素数１〜４の飽和叉
は不飽和のハロゲン化炭化水素類が好ましく、ジクロロ
メタン、四塩化炭素、クロロホルム、１．１−ジクロロ
エタン、１．２−ジクロロエタン、１、１．１−　）ジ
クロロエタン、１．１．２−トリクロロエタン、１．１
．１．２−テトラクロロエタン、１．１．２．２−テト
ラクロロエタン、ペンタクロロエタン、１．１−ジクロ
ロエチレン、ｔｒａｎｓ−１，２−ジクロロエチレン、
ｃｉｓ−１，２−ジクロロエチレン、トリクロロエチレ
ン、テトラクロロエチレン、１−クロロプロパン、２−
クロロプロパン、０−ジクロロベンゼン、１−ブロモプ
ロパン、２−ブロモプロパン等から選ばれるものである
。より好ましくは、ジクロロメタン、１．１．１−トリ
クロロエタン、ｔｒａｎｓ−１，２−ジクロロエチレン
、ｃｉｓ−１，２−ジクロロエチレン、トリクロロエチ
レン、テトラクロロエチレン、０−ジクロロベンゼン、
２−ブロモプロパン等である。

芳香族類としては、ベンゼン誘導体、ナフタレン誘導体
が好ましく、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベ
ンゼン、イソプロピルベンゼン、ジエチルベンゼン、第
２ブチルベンゼン、トリエチルベンゼン、ジイソプロピ
ルベンゼン、アルキルベンゼンスルホン酸、フェノール
、メシチレン、ナフタレン、テトラリン、ブチルベンゼ
ン、ｐ−シメン、シクロヘキシルベンゼン、ペンチルベ
ンゼン、ジベンチルベンゼン、ドデシルベンゼン、ビフ
ェニル、０−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾ
ール、キシレノール等から選ばれるものである。

より好ましくは、アルキルベンゼンスルホン酸、フェノ
ール等である。

エステル類としては、次の一般式で示されるものが好ま
しく、Ｒ＋　−ＣＯＯ−Ｒ２、ＣＯＯＲａ Ｒ＋−ＣＯＯ−Ｒ２−ＣＯＯ−ＦＬｓ、　（Ｃ０ＯＲ＋
）２、◎−ＣＯＯＲ＋ ＣＯＯＲ２ （ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６はＨ叉
は炭素数１〜１９の飽和ないし、不飽和結合を有する炭
化水素基）。

具体的には、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸プロピル、
蟻酸ブチル、蟻酸イソブチル、蟻酸ペンチル、酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢
酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸５ｅｅ−ブチル、酢酸
ペンチル、・酢酸イソペンチル、３−メトキシブチルア
セテート、酢酸５ｅｃ−ヘキシル、２−エチルブチルア
セテート、２−エチルヘキジルアセテート、酢酸シクロ
ヘキシル、酢酸ベンジル、プロピオン酸メチル、プロピ
オン酸エチル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸イソ
ペンチル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸ブチル、酪酸
イソペンチル、イソ酪酸イソブチル、２−ヒドロキシ−
２−メチルプロピオン酸エチル、ステアリン酸ブチル、
ステアリン酸ペンチル、安息香酸メチル、安息香酸エチ
ル、安息香酸プロピル、安息香酸ブチル、安息香酸イソ
ペンチル、安息香酸ベンジル、アビエチン酸エチル、ア
ビエチン酸ベンジル、アジピン酸ビス−２−エチルヘキ
シル、γ−ブチロラクト、シュウ酸ジエチル、シュウ酸
ジブチル、シュウ酸ジペンチル、マロン酸ジエチル、マ
レイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジ
ブチル、酒石酸ジブチル、クエン酸トリブチル、セバシ
ン酸ジブチル、セバシン酸ビス−２−エチル、フタル酸
ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジブチル、フタ
ル酸ビス−２−エチルヘキシル、フタル酸ジオクチル等
から選ばれるものである。より好ましくは、酢酸メチル
、酢酸エチル等である。

本発明により剥離し得るレジストとしては、何ら限定さ
れず、ポジ型又はネガ型のフォトレジスト、遠紫外線レ
ジスト、Ｘ線叉は電子線レジスト等を挙げることができ
る。

フォトレジストの材質には、ドライフィルムレジスト用
のアクリル系や、フェノール及びクレゾールノボラック
樹脂をベースにしたキノンジアジド系、シス−１，４−
ポリイソプレンを主成分とする環化ゴム系、ポリケイ皮
酸系等があり、遠紫外線レジストには、ポリメチルメタ
クリレート、ポリメチルイソプロペニルケトン等があり
、電子線、Ｘ線レジストには、ポリメチルメタクリレー
ト、メタクリル酸グリシジル−アクリル酸エチル共重合
体等が知られているが、本発明のレジスト剥離剤はいず
れにも有効である。

レジスト剥離方法も何ら限定されず、通常のスプレー法
、浸漬法等を採用することができる。

［実施例］ 実施例１〜２１ 下記第１表に示すレジスト剥離剤を用いてレジスト剥離
試験を行なった。ドライフィルムレシス）　（１ａｍｉ
ｎｅｒ、ダイナケム社製）をラミネートした銅１５Ｎｒ
ｌｔ層板を用い、露光、現像、エツチング工程にて回路
を作成後、後、レジスト剥離剤に常温で１５分間浸漬し
た後、顕微鏡にてレジスト膜の剥離状況を観察した。そ
の結果を第１表に示す。

第１表 Δ：微量残存 ×：カドにり残存 Δ：微量残存 第１表（続き） ×：かなり残存 ［発明の効果］ 本発明のレジスト剥離剤は、実施例から明らかなように
レジスト剥離効果の優れたものである。

叉、従来使用されていた塩素系溶剤等に比べ、プラスチ
ック等に対し悪影響を与えることが少ない点も有利であ
る。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、炭素数が４である塩素化弗素化炭化水素を有効成分
   として含有するレジスト剥離剤。 ２、塩素化弗素化炭化水素が１−クロロ−１，１−ジフ
   ルオロブタン、３−クロロ−１，１，１−トリフルオロ
   ブタン、１−クロロ−１，１，３，３−テトラフルオロ
   ブタン、２−クロロ−１，１，１，４，４，４−ヘキサ
   フルオロブタン、４−クロロ−１，１，１，２，２，３
   ，３−ヘプタフルオロブタン、３，４−ジクロロ−１，
   １，１，２，２，３−ヘキサフルオロブタン、２，３−
   ジクロロ−１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロブ
   タン、４，４−ジクロロ−１，１，１，２，２，３，３
   −ヘプタフルオロブタン、１−クロロ−２，２，３，３
   −テトラフルオロシクロブタン、１，１−ジクロロ−２
   ，２，３，３−テトラフルオロシクロブタン、１−クロ
   ロ−２，２，３，３，４，４−ヘキサフルオロシクロブ
   タンである請求項１に記載のレジスト剥離剤。 ３、レジスト剥離剤中に、炭化水素類、アルコール類、
   ケトン類、ハロゲン化炭化水素類、芳香族類叉はエステ
   ル類から選ばれる少なくとも１種が含まれている請求項
   １に記載のレジスト剥離剤。