JPH01137253A - レジスト現像剤 - Google Patents

レジスト現像剤

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JPH01137253A
JPH01137253A JP29519787A JP29519787A JPH01137253A JP H01137253 A JPH01137253 A JP H01137253A JP 29519787 A JP29519787 A JP 29519787A JP 29519787 A JP29519787 A JP 29519787A JP H01137253 A JPH01137253 A JP H01137253A
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JP
Japan
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resist
dichloro
alcohol
developer
methyl
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Application number
JP29519787A
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English (en)
Inventor
Akio Asano
浅野 昭雄
Kazuki Jinushi
地主 一樹
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AGC Inc
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH01137253A publication Critical patent/JPH01137253A/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • G03F7/325Non-aqueous compositions

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明はプリント基板や半導体の製造時にレジストを現
像するために用いるレジスト現像剤に関するものである
[従来の技術] プリント基板や半導体回路を作成する場合レジスト塗布
、露光に続いてレジストを現像し、次いで、エツチング
する工程があるが、このレジストを現像するために、従
来1,1,1.−トリクロロエタン等の塩素系レジスト
現像剤が使われている。
[発明の解決しようとする問題点] 本発明は従来使用されていた塩素系レジスト現像剤は地
下水汚染の点から好ましくないため、その使用量を抑え
るべく塩素系レジスト現像剤にかわる新規のレジスト現
像剤を提供することを目的とするものである。
[問題点を解決するための手段] 本発明は前述の目的を達成すべくなされたものであり、
1.1−ジクロロ−2,2,2−トリフルオロエタン(
以下RI23という)又は1.2−ジクロロ−1,1−
ジフルオロエタン(以下R132bという)の1aと!
、1−ジクロロー1−フルオロエタン(以下RI41b
という)との共沸組成物を有効成分として含有するレジ
スト現像剤を提供するものである。
本発明のレジスト現像剤の有効成分であるR123/R
141b=約67/33の共沸組成物又はR132b/
R141b・約15.6/84.5の共沸組成物(共沸
割合は重量%)は、良好な現像ができる優れた溶剤であ
る。これら2種の共沸組成物はそれぞれ単独で又はこれ
らの混合物として用いることができる。
本発明のレジスト現像剤には、各種の目的に応じてその
他の各種成分を含有させることができる。例λば、さら
に良好に現像するために、炭化水素類、アルコール類、
ケトン類、塩素化炭化水素類又はエステル類等の有機溶
剤から選ばれる少なくとも1種を含有させることができ
る。これらの有機溶剤のレジスト現像剤中の含有割合は
、0〜50重里%、好ましくは10〜40重量%、さら
に好ましくは20〜3Offfffi%である。
本発明の共沸組成物と有機溶剤との混合物に共沸組成が
存在する場合には、その共沸組成での使用が好ましい。
炭化水素類としては炭素数1−15の鎖状又は環状の飽
和又は不飽和炭化水素類が好ましく、n−ペンタン、イ
ソペンタン、n−ヘキサン、イソヘキサン、2−メチル
ペンタン、2.2−ジメチルブタン、2.3−ジメチル
ブタン、n−へブタン、イソへブタン、3−メチルヘキ
サン、2.4−ジメチルベンタン、n−オクタン、2−
メチルへブタン、3−メチルへブタン、4−メチルへブ
タン、2.2−ジメチルヘキサン、2.5−ジメチルヘ
キサン、3.3−ジメチルヘキサン、2〜メチル−3−
エチルペンタン、3−メチル−3−エチルペンタン、2
、3.3− トリメチルペンタン、2.3.4−トリメ
チルペンタン、2.2.3−トリメチルペンタン、イソ
オクタン、ノナン、2.2.5−トリメチルヘキサン、
デカン、ドデンカン、1−ペンテン、2−ペンテン、1
−ヘキセン、1−オクテン、1−ノネン、1−デセン、
シクロペンタン、メチルシクロベンクン、シクロヘキサ
ン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ビ
シクロヘキサン、シクロヘキセン、a−ピネン、ジペン
テン、デカリン、テトラリン、アミジノ、アミルナフタ
レン等から選ばれるものである。より好ましくは、n−
ペンタン、n−ヘキサン、n−へブタン等である。
アルコール類としては、炭素数1〜17の鎖状又は環状
の飽和又は不飽和アルコール類が好ましく、メタノール
、エタノール、n−プロピルアルコール、イソプロピル
アルコール、n−ブチルアルコール、5ec−ブチルア
ルコール、イソブチルアルコール、tart−ブチルア
ルコール、ペンチルアルコール%5ec−アミルアルコ
ール。
1−エチル−1−プロパツール、2−メチル−1−ブタ
ノール、イソペンチルアルコール、Lert−ペンチル
アルコール、3−メチル−2−ブタノール、ネオペンデ
ルアルコール、1−ヘキサノール、2−メチルートペン
タノール、4−メチル−2−ペンタノール、2−エチル
−1−ブタノール、1−ヘプタツール、2−ヘプタツー
ル、3−ヘプタツール、l−オクタノール、2−オクタ
ノール、2−エチル−1−ヘキサノール、1−ノナノー
ル、3.5.5−1−ツメチル−1−ヘキサノール、1
−デカノール、l−ウンデカノール、1−ドデカノール
、アリルアルコール、プロパルギルアルコール、ベンジ
ルアルコール、シクロヘキサノール、1−メチルシクロ
ヘキサノール、2−メチルシクロヘキサノール、3−メ
チルシクロヘキサノール、4−メチルシクロヘキサノー
ル、α−テルピネオール、アビニチノール、2.6−シ
メチルー4−ヘプタツール、トリメチルノニルアルコー
ル、テトラデシルアルコール、ヘプタデシルアルコール
等から選ばれるものである。より好ましくはメタノール
、エタノール、イソプロピルアルコール等である。
ケトン類としては、R−CO−R″、R−CO,R−C
O−If’ −rコr−C11□1 CD−R#、 R−CD−R″、 R−CD−R” (
ここで、 R,R’、R#は炭素数1〜9の飽和又は不
飽和炭化水素基)のいずれかの一般式で示されるものが
好ましく、アセトン、メチルエチルケトン、2−ペンタ
ノン、3−ペンタノン、2−ヘキサノン、メチル−〇−
ブチルケトン、メチルブチルケトン、2−ヘプタノン、
4−ヘプタノン、ジイソブチルケトン、アセトニルアセ
トン、メシチルオキシド、ホロン、メチル−〇−アミル
ケトン、エチルブチルケトン、メチルへキシルケトン、
シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、イソホロ
ン、2.4−ベンタンジオン、ジアセトンアルコール、
アセトフェノン、フェンチョン等から選ばれるものであ
る。より好ましくはアセトン、メチルエチルケトン等で
ある。
塩素化炭化水素類としては、炭素数1〜2の飽和又は不
飽和、塩素化炭化水素類が好ましく、塩化メチレン、四
塩化炭素、1.1−ジクロルエタン、1.2−ジクロロ
エタン、1.1. i トリクロルエタン、1,1.2
−1−ジクロルエタン、1. I、 1.2−テトラク
ロルエタン、1.1.2.2−テトラクロルエタン、ペ
ンタクロルエタン、1.1−ジクロルエチレン、1,2
−ジクロルエチレン、トリクロルエチレン、テトラクロ
ルエチレン等から選ばれるものである。より好ましくは
塩化メチレン、!、 1.1トリクロルエタン、トリク
ロルエチレン、テトラクロルエチレン等である。
エステル類としては、次の一般式で示されるものが好ま
しく、R+−COD−Ra、 R1−C−R,−COO
−R4゜OR。
0OR4 (ここで83.R,l、R−、R4,Ra、R6は11
又は011又は炭素数1〜19の飽和ないし、不飽和結
合を有する炭化水素基。) 具体的には、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、
ギ酸ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸ペンチル、酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢
酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸5ec−ブチル、酢酸
ペンチル、酢酸イソペンチル、3−メトキシブチルアセ
テート、酢酸5ec−ヘキシル、2−エチルブチルアセ
テート、2−エチルブチルアセテート、酢酸シクロヘキ
シル、酢酸ベンジル、プロピオン酸メチル、プロピオン
酸エチル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸イソペン
チル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸ブチル、酪酸イソ
ペンチル、イソ酪酸イソブチル、2−ヒドロキシ−2−
メチルプロピオン酸エチル、ステアリン酸ブチル、ステ
アリン酸ペンチル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、
安息香酸プロピル、安息香酸ブチル、安息香酸イソペン
チル、安息香酸ベンジル、アビエチン酸エチル、アビエ
チン酸ベンジル、アジピン酸ビス−2−エチルヘキシル
、γ−ブチロラクト、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジブ
チル、シュウ酸ジベンヂル、マロン酸ジエチル、マレイ
ン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジブチ
ル、酒石酸ジブチル、クエン酸トリブチル、セバシン酸
ジブチル、セバシン酸ビス−2−エチルヘキシル、フタ
ル酸ジブチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジブチル、
フタル酸ビス−2−エチルヘキシル、フタル酸ジオクチ
ル等から選ばれるものある。より好ましくは酢酸ブチル
、酢酸エチル等である。
本発明により現像し得るレジストとしては、何ら限定さ
れず、ポジ形またはネガ形の光露光用レジスト、遠紫外
露光用レジスト、X線又は電子線用レジストを挙げるこ
とができる。光露光用レジストの材質にはフェノール及
びクレゾールノボラック樹脂をベースにしたキノンジア
ジド系、シス−1,4−ポリイソプレンを主成分とする
環化ゴム系、ポリけい皮酸系等があり、遠紫外用レジス
トにはポリメチルメタアクリレート、ポリメチルイソプ
ロペニルケトン等があり、電子線、X線レジストにはポ
リメタフルル酸メチル1、メタクリル酸グリシジル−ア
クリル酸エチル共重合体、メタアクリル酸メチル−メタ
クリル酸共重合体等が知られているが、本発明のレジス
ト現像剤はいずれにも有効である。
レジスト現像方法も何ら限定されず、通常のスプレー法
、浸漬して攪拌したり、揺動したり、超音波を作用させ
たりする方法等を採用することができる。
[実施例] 実施例1〜7 下記第1表に示すレジスト現像剤を用いてレジスト現像
試験を行なった。フォトレジストフィルム(1B1y1
iner、ダイナケム社製)がラミネートされたプリン
ト基板(銅張積層板)を一定の回路パターンに露光後、
レジスト現像剤で現像し回路パターンが正常にできてい
るか顕微鏡で観察した。結果を第1表に示す。
第1表 ()内は混合比[小量%] O:良好に現像できる △:やや不良 ×:不 良 [発明の効果] 本発明のレジスト現像剤は実施例から明らかなようにレ
ジスト現像効果の優れたものである。
又、従来の塩素系現像剤に比べ、プリント配線板に使わ
れるプラスチック等に対し悪影響が少ない点も有利であ
る。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)1,1−ジクロロ−2,2,2−トリフルオロエ
    タン又は1,2−ジクロロ−1,1−ジフルオロエタン
    の1種と1,1−ジクロロ−1−フルオロエタンとの共
    沸組成物を有効成分として含有するレジスト現像剤。
  2. (2)レジスト現像剤中には、炭化水素類、アルコール
    類、ケトン類、塩素化炭化水素類又はエステル類から選
    ばれる少なくとも1種が含まれている特許請求の範囲第
    1項記載のレジスト現像剤。
JP29519787A 1987-11-25 1987-11-25 レジスト現像剤 Pending JPH01137253A (ja)

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Cited By (8)

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