JPH01140146A - レジスト現像剤 - Google Patents
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/325—Non-aqueous compositions
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はプリント基板や半導体の製造時にレジストを現
像するために用いるレジスト現像剤に関するものである
。
像するために用いるレジスト現像剤に関するものである
。
[従来の技術]
プリント基板や半導体回路を作成する場合レジスト塗布
、露光に続いてレジストを現像し、次いで、エツチング
する工程があるが、このレジストを現像するために、従
来1. l、 I、−トリクロロエタン等の塩素系レジ
スト現像剤が使われている。
、露光に続いてレジストを現像し、次いで、エツチング
する工程があるが、このレジストを現像するために、従
来1. l、 I、−トリクロロエタン等の塩素系レジ
スト現像剤が使われている。
[発明の解決しようとする問題点]
本発明は従来使用されていた塩素系レジスト現像剤は地
下水汚染の点から好ましくないため、その使用量を抑え
るべく塩素系レジスト現像剤にかわる新規のレジスト現
像剤を提供することを目的とするものである。
下水汚染の点から好ましくないため、その使用量を抑え
るべく塩素系レジスト現像剤にかわる新規のレジスト現
像剤を提供することを目的とするものである。
E問題点を解決するための手段]
本発明は前述の目的を達成すべくなされたものであり、
ジクロロフルオロエタンを有効成分として含有するレジ
スト現像剤を提供するものである。
ジクロロフルオロエタンを有効成分として含有するレジ
スト現像剤を提供するものである。
本発明のレジスト現像剤の有効成分であるジクロロフル
オロエタンは、良好な現像ができる優れた溶剤である。
オロエタンは、良好な現像ができる優れた溶剤である。
ジクロロフルオロエタンには1.2−ジクロロ−1−フ
ルオロエタン(以下R141という) 、1.1−ジク
ロロ−2−フル才ロエタン(以下R141aという)及
び1.1−ジクロロ−1−フルオロエタン(以下R14
1bという)の3種類の異性体が知られているが、これ
らを単独であるいはこれら2種以上の混合物として用い
ることができる。
ルオロエタン(以下R141という) 、1.1−ジク
ロロ−2−フル才ロエタン(以下R141aという)及
び1.1−ジクロロ−1−フルオロエタン(以下R14
1bという)の3種類の異性体が知られているが、これ
らを単独であるいはこれら2種以上の混合物として用い
ることができる。
本発明のレジスト現像剤には、各種の目的に応じてその
他の各種成分を含有させることができる。例えば、さら
に良好に現像するために。
他の各種成分を含有させることができる。例えば、さら
に良好に現像するために。
炭化水素類、アルコール類、ケトン類、塩素化炭化水素
類又はエステル類等の有機溶剤から選ばれる少なくとも
1種を含有させることができる。これらの有機溶剤のレ
ジスト現像剤中の含有割合は、0〜50重量%、好まし
くは10〜40重M%、さらに好ましくは20〜30重
量%である。
類又はエステル類等の有機溶剤から選ばれる少なくとも
1種を含有させることができる。これらの有機溶剤のレ
ジスト現像剤中の含有割合は、0〜50重量%、好まし
くは10〜40重M%、さらに好ましくは20〜30重
量%である。
ジクロロフルオロエタンと有機溶剤との混合物に共沸組
成が存在する場合には、その共沸組成での使用が好まし
い。
成が存在する場合には、その共沸組成での使用が好まし
い。
炭化水素類としては炭素数1〜15の鎖状又は環状の飽
和又は不飽和炭化水素類が好ましく、n−ペンタン、イ
ソペンタン、n−ヘキサン、イソヘキサン、2−メチル
ペンタン、2.2−ジメチルブタン、2.3−ジメチル
ブタン、n−へブタン、イソへブタン、3−メチルヘキ
サン、2.4−ジメチルペンタン、n−オクタン、2−
メチルへブタン、3−メチルへブタン、4−メチルへブ
タン。
和又は不飽和炭化水素類が好ましく、n−ペンタン、イ
ソペンタン、n−ヘキサン、イソヘキサン、2−メチル
ペンタン、2.2−ジメチルブタン、2.3−ジメチル
ブタン、n−へブタン、イソへブタン、3−メチルヘキ
サン、2.4−ジメチルペンタン、n−オクタン、2−
メチルへブタン、3−メチルへブタン、4−メチルへブ
タン。
2.2−ジメチルヘキサン、2.5−ジメチルヘキサン
、3.3−ジメチルヘキサン、2−メチル−3−エチル
ペンタン%3−メチルー3−エチルペンタン、2、3.
3− トリメチルペンタン、2,3.4−トリメチルペ
ンタン、 2,2.3−)ジメチルペンタン、イソオク
タン、ノナン、2.2.5− トリメチルヘキサン、デ
カン、ドデンカン、!−ペンテン、2−ペンテン、1−
ヘキセン、1−オクテン、l−ノネン、l−デセン、シ
クロペンタン、メチルシクロペンタン、シクロヘキサン
、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ビシ
クロヘキサン、シクロヘキセン、a−ピネン、ジペンテ
ン、デカリン、テトラリン、アミレン、アミルナフタレ
ン等から選ばれるものである。より好ましくは、n−ペ
ンタン、n−ヘキサン、n−へブタン等である。
、3.3−ジメチルヘキサン、2−メチル−3−エチル
ペンタン%3−メチルー3−エチルペンタン、2、3.
3− トリメチルペンタン、2,3.4−トリメチルペ
ンタン、 2,2.3−)ジメチルペンタン、イソオク
タン、ノナン、2.2.5− トリメチルヘキサン、デ
カン、ドデンカン、!−ペンテン、2−ペンテン、1−
ヘキセン、1−オクテン、l−ノネン、l−デセン、シ
クロペンタン、メチルシクロペンタン、シクロヘキサン
、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ビシ
クロヘキサン、シクロヘキセン、a−ピネン、ジペンテ
ン、デカリン、テトラリン、アミレン、アミルナフタレ
ン等から選ばれるものである。より好ましくは、n−ペ
ンタン、n−ヘキサン、n−へブタン等である。
アルコール類としては、炭素数1〜17の鎖状又は環状
の飽和又は不飽和アルコール類が好ましく、メタノール
、エタノール、n−プロピルアルコール、イソプロピル
アルコール、n−ブチルアルコール、5ec−ブチルア
ルコール、イソブチルアルコール、tert−ブチルア
ルコール、ペンチルアルコール、 5ec−アミルアル
コール、1−エチル−1−プロパツール、2−メチル−
1−ブタノール、イソペンチルアルコール、tert−
ペンチルアルコール、3−メチル−2−ブタノール、ネ
オペンチルアルコール、I−ヘキサノール、2−メチル
−1−ペンタノール、4−メチル−2−ペンタノール、
2−エチルートブタノール、l−ヘプタツール、2−ヘ
プタツール、3−ヘプタツール、l−オクタノール、2
−オクタノール、2−エチル−1−ヘキサノール、1−
ノナノール、3.5.5− トリメチル−l−ヘキサノ
ール、l−デカノール、l−ウンデカノール、1−ドデ
カノール、アリルアルコール、プロパルギルアルコール
、ベンジルアルコール、シクロヘキサノール、1−メチ
ルシクロヘキサノール、2−メチルシクロヘキサノール
、3−メチルシクロヘキサノール、4−メチルシクロヘ
キサノール、α−テルピネオール、アビニチノール、2
.6−シメチルー4−ヘプタツール、トリメチルノニル
アルコール、テトラデシルアルコール、ヘプタデシルア
ルコール等から選ばれるものである。より好ましくはメ
タノール、エタノール、イソプロピルアルコール等であ
る。
の飽和又は不飽和アルコール類が好ましく、メタノール
、エタノール、n−プロピルアルコール、イソプロピル
アルコール、n−ブチルアルコール、5ec−ブチルア
ルコール、イソブチルアルコール、tert−ブチルア
ルコール、ペンチルアルコール、 5ec−アミルアル
コール、1−エチル−1−プロパツール、2−メチル−
1−ブタノール、イソペンチルアルコール、tert−
ペンチルアルコール、3−メチル−2−ブタノール、ネ
オペンチルアルコール、I−ヘキサノール、2−メチル
−1−ペンタノール、4−メチル−2−ペンタノール、
2−エチルートブタノール、l−ヘプタツール、2−ヘ
プタツール、3−ヘプタツール、l−オクタノール、2
−オクタノール、2−エチル−1−ヘキサノール、1−
ノナノール、3.5.5− トリメチル−l−ヘキサノ
ール、l−デカノール、l−ウンデカノール、1−ドデ
カノール、アリルアルコール、プロパルギルアルコール
、ベンジルアルコール、シクロヘキサノール、1−メチ
ルシクロヘキサノール、2−メチルシクロヘキサノール
、3−メチルシクロヘキサノール、4−メチルシクロヘ
キサノール、α−テルピネオール、アビニチノール、2
.6−シメチルー4−ヘプタツール、トリメチルノニル
アルコール、テトラデシルアルコール、ヘプタデシルア
ルコール等から選ばれるものである。より好ましくはメ
タノール、エタノール、イソプロピルアルコール等であ
る。
ケトン類としては、R−CO−R’ 、 R−CD、
R−Co−R’ −「コ r−CL。
R−Co−R’ −「コ r−CL。
C0−R“、R−co−R′、 R−CO−R” (こ
こで、R,R’、R”は°炭素数1〜9の飽和又は不飽
和炭化水素基)のいずれかの−最大で示されるものが好
ましく、アセトン、メチルエチルケトン、2−ペンタノ
ン、3−ペンタノン、2−ヘキサノ、ン、メチル−〇−
ブチルケトン、メチルブチルケトン、2−ヘプタノン、
4−ヘプタノン、ジイソブチルケトン、アセトニルアセ
トン、メシチルオキシド、ホロン、メチル−〇−アミル
ケトン、エチルブチルケトン、メチルへキシルケトン、
シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、イソホロ
ン、2.4−ペンタンジオン、ジアセトンアルコール、
アセトフェノン、フエンチョン等から選ばれるものであ
る。より好ましくはアセトン、メチルエチルケトン等で
ある。
こで、R,R’、R”は°炭素数1〜9の飽和又は不飽
和炭化水素基)のいずれかの−最大で示されるものが好
ましく、アセトン、メチルエチルケトン、2−ペンタノ
ン、3−ペンタノン、2−ヘキサノ、ン、メチル−〇−
ブチルケトン、メチルブチルケトン、2−ヘプタノン、
4−ヘプタノン、ジイソブチルケトン、アセトニルアセ
トン、メシチルオキシド、ホロン、メチル−〇−アミル
ケトン、エチルブチルケトン、メチルへキシルケトン、
シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、イソホロ
ン、2.4−ペンタンジオン、ジアセトンアルコール、
アセトフェノン、フエンチョン等から選ばれるものであ
る。より好ましくはアセトン、メチルエチルケトン等で
ある。
塩素化炭化水素類としては、炭素数!〜2の飽和又は不
飽和、塩素化炭化水素類が好ましく、塩化メチレン、四
塩化炭素、1.1−ジクロルエタン、1.2−ジクロロ
エタン、1. I、 i トリクロルエタン、l、 l
、 2− トリクロルエタン、1.1.1.2−テトラ
クロルエタン、 1,1,2.2−テトラクロルエタン
、ペンタクロルエタン、1.1−ジクロルエチレン、1
.2−ジクロルエチレン、トリクロルエチレン、テトラ
クロルエチレン等から選ばれるものである。より好まし
くは塩化メチレン、1、1.ll−リクロルエタン、ト
リクロルエチレン、テトラクロルエチレン等である。
飽和、塩素化炭化水素類が好ましく、塩化メチレン、四
塩化炭素、1.1−ジクロルエタン、1.2−ジクロロ
エタン、1. I、 i トリクロルエタン、l、 l
、 2− トリクロルエタン、1.1.1.2−テトラ
クロルエタン、 1,1,2.2−テトラクロルエタン
、ペンタクロルエタン、1.1−ジクロルエチレン、1
.2−ジクロルエチレン、トリクロルエチレン、テトラ
クロルエチレン等から選ばれるものである。より好まし
くは塩化メチレン、1、1.ll−リクロルエタン、ト
リクロルエチレン、テトラクロルエチレン等である。
エステル類としては、次の一般式で示されるものが好ま
しく、R,−COO−R,、R,−C−R,−COO−
R,。
しく、R,−COO−R,、R,−C−R,−COO−
R,。
口R6
■
C0OR。
(ここでR+、Ra、Rs、R4,Rs、Reは11又
は011又は炭素数1〜19の飽和ないし、不飽和結合
を有する炭化水素基。) ゛ 具体的には、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピ
ル、ギ酸メチル、ギ酸イソブチル、ギ酸ペンチル、酢酸
メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル
、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸5ec−ブチル、
酢酸ペンチル、酢酸イソペンチル、3−メトキシブチル
アセテート、酢酸5ec−ヘキシル、2−エチルブチル
アセテート、2−エチルヘキシルアセテート、酢酸シク
ロヘキシル、酢酸ベンジル、プロピオン酸メチル、プロ
ピオン酸エチル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸イ
ソペンチル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸ブチル、酪
酸イソペンチル、イソ酪酸イソブチル、−2−ヒドロキ
シ−2−メチルプロピオン酸エチル、ステアリン酸ブチ
ル、ステアリン酸ペンチル、安息香酸メチル、安息呑酸
エヂル、安息香酸プロピル、安息6酸ブチル、安息香酸
イソペンチル、安息香酸ベンジル、アビエチン酸エチル
、アビエチン酸ベンジル、アジピン酸ビス−2−エチル
ヘキシル、γ−プチロラクト、シュウ酸ジエチル、シュ
ウ酸ジブチル、シュウ酸ジベンチル、マロン酸ジエチル
、マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレイン
酸ジブチル、酒石酸ジブチル、クエン酸トリブチル、セ
バシン酸ジブチル、セバシン酸ビス−2−エチルヘキシ
ル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジ
ブチル、フタル酸ビス−2−エチルヘキシル、フタル酸
ジオクチル等から選ばれるものある。より好ましくは酢
酸メチル、酢酸エチル等である。
は011又は炭素数1〜19の飽和ないし、不飽和結合
を有する炭化水素基。) ゛ 具体的には、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピ
ル、ギ酸メチル、ギ酸イソブチル、ギ酸ペンチル、酢酸
メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル
、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸5ec−ブチル、
酢酸ペンチル、酢酸イソペンチル、3−メトキシブチル
アセテート、酢酸5ec−ヘキシル、2−エチルブチル
アセテート、2−エチルヘキシルアセテート、酢酸シク
ロヘキシル、酢酸ベンジル、プロピオン酸メチル、プロ
ピオン酸エチル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸イ
ソペンチル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸ブチル、酪
酸イソペンチル、イソ酪酸イソブチル、−2−ヒドロキ
シ−2−メチルプロピオン酸エチル、ステアリン酸ブチ
ル、ステアリン酸ペンチル、安息香酸メチル、安息呑酸
エヂル、安息香酸プロピル、安息6酸ブチル、安息香酸
イソペンチル、安息香酸ベンジル、アビエチン酸エチル
、アビエチン酸ベンジル、アジピン酸ビス−2−エチル
ヘキシル、γ−プチロラクト、シュウ酸ジエチル、シュ
ウ酸ジブチル、シュウ酸ジベンチル、マロン酸ジエチル
、マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレイン
酸ジブチル、酒石酸ジブチル、クエン酸トリブチル、セ
バシン酸ジブチル、セバシン酸ビス−2−エチルヘキシ
ル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジ
ブチル、フタル酸ビス−2−エチルヘキシル、フタル酸
ジオクチル等から選ばれるものある。より好ましくは酢
酸メチル、酢酸エチル等である。
本発明により現像し得るレジストとしては、何ら限定さ
れず、ポジ形またはネガ形の光露光用レジスト、遠紫外
露光用レジスト、X線又は電子線用レジストを挙げるこ
とができる。光露光用レジストの材質にはフェノール及
びクレゾールノボラック樹脂をベースにしたキノンジア
ジド系、シス−1,4−ポリイソプレンを主成分とする
環化ゴム系、ポリけい皮酸系等があり、遠紫外用レジス
トにはポリメチルメタアクリレート、ポリメチルイソプ
ロペニルケトン等があり、電子線、X線レジストにはポ
リメタフルル゛酸メチル1、メタクリル酸グリシジル−
アクリル酸エチル共重合体、メタアクリル酸メチル−メ
タクリル酸共重合体等が知られているが、本発明のレジ
スト現像剤はいずれにも有効である。
れず、ポジ形またはネガ形の光露光用レジスト、遠紫外
露光用レジスト、X線又は電子線用レジストを挙げるこ
とができる。光露光用レジストの材質にはフェノール及
びクレゾールノボラック樹脂をベースにしたキノンジア
ジド系、シス−1,4−ポリイソプレンを主成分とする
環化ゴム系、ポリけい皮酸系等があり、遠紫外用レジス
トにはポリメチルメタアクリレート、ポリメチルイソプ
ロペニルケトン等があり、電子線、X線レジストにはポ
リメタフルル゛酸メチル1、メタクリル酸グリシジル−
アクリル酸エチル共重合体、メタアクリル酸メチル−メ
タクリル酸共重合体等が知られているが、本発明のレジ
スト現像剤はいずれにも有効である。
レジスト現像方法も何ら限定されず、通常のスプレー法
、浸漬して攪拌したり、揺動したり、超音波を作用させ
たりする方法等を採用することができる。
、浸漬して攪拌したり、揺動したり、超音波を作用させ
たりする方法等を採用することができる。
[実施例]
実施例1〜8
下記第1表に示すレジスト現像剤を用いてレジスト現像
試験を行なった。フォトレジストフィルム(1a171
iner、ダイナケム社製)がラミネートされたプリン
ト基板(銅張積層板)を一定の回路パターンに露光後、
レジスト現像剤で現像し回路パターンが正常にできてい
るか顕微鏡で観察した。結果を第1表に示す。
試験を行なった。フォトレジストフィルム(1a171
iner、ダイナケム社製)がラミネートされたプリン
ト基板(銅張積層板)を一定の回路パターンに露光後、
レジスト現像剤で現像し回路パターンが正常にできてい
るか顕微鏡で観察した。結果を第1表に示す。
第1表
()内は混合比[rn量%]
O:良好に現像できる △:やや不良
X:不 良
[発明の効果]
本発明のレジスト現像剤は実施例から明らかなようにレ
ジスト現像効果の優れたものである。
ジスト現像効果の優れたものである。
又、従来の塩素系現像剤に比べ、プリント配線板に使わ
れるプラスデック等に対し悪IJe ’19が少ない点
も有利である。
れるプラスデック等に対し悪IJe ’19が少ない点
も有利である。
Claims (2)
- (1)ジクロロフルオロエタンを有効成分として含有す
るレジスト現像剤。 - (2)レジスト現像剤中には、炭化水素類、アルコール
類、ケトン類、塩素化炭化水素類又はエステル類から選
ばれる少なくとも1種が含まれている特許請求の範囲第
1項記載のレジスト現像剤。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29765587A JPH01140146A (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | レジスト現像剤 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29765587A JPH01140146A (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | レジスト現像剤 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01140146A true JPH01140146A (ja) | 1989-06-01 |
Family
ID=17849404
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29765587A Pending JPH01140146A (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | レジスト現像剤 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01140146A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61267533A (ja) * | 1985-01-09 | 1986-11-27 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 弗素化炭化水素の製造方法 |
JPS62127739A (ja) * | 1985-11-25 | 1987-06-10 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | ネガテイブ・フオトレジストの現像方法 |
-
1987
- 1987-11-27 JP JP29765587A patent/JPH01140146A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61267533A (ja) * | 1985-01-09 | 1986-11-27 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 弗素化炭化水素の製造方法 |
JPS62127739A (ja) * | 1985-11-25 | 1987-06-10 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | ネガテイブ・フオトレジストの現像方法 |
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