JPH01130154A - レジスト現像剤 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はプリント基板や半導体の製造時にレジストを現
像するために用いるレジスト現像剤に関するものである
。

［従来の技術］ プリント基板や半導体回路を作成する場合レジスト塗布
、露光に続いてレジストを現像し、次いで、エツチング
する工程があるが、このレジストを現像するために、従
来１，１．１．−トリクロロエタン等の塩素系レジスト
現像剤が使われている。

［発明の解決しようとする問題点］ 本発明は従来使用されていた塩素系レジスト現像剤は地
下水汚染の点から好ましくないため、その使用量を抑え
るべく塩素系レジスト現像剤にかわる新規のレジスト現
像剤を提供することを目的とするものである。

［問題点を解決するための手段］ 本発明は前述の目的を達成すべくなされたものであり、
トリクロロジフルオロエタンを有効成分として含有する
レジスト現像剤を提供するものである。

本発明のレジスト現像剤の有効成分であるトリクロロジ
フルオロエタンは、不燃性で良好な現像ができる優れた
溶剤である。トリクロロジフルオロエタンには１，１．
２−トリクロロ−２，２−ジフルオロエタン（以下Ｒ１
２２という）　、　１．２．２−トジクロロ−１，２−
ジフルオロエタン（以下ＲＩ２２ａという）及び１，１
．１−トリクロロ−２，２−ジフルオロエタ゛ン（以下
旧２２ｂという）の３種類の異性”体が知られてい、る
が、これらを単独であるいはこれら２種以上の混合物と
して用いることができる。

本発明のレジスト現像剤には、各種の目的に応じてその
他の各種成分を含有させることができる。例えば、さら
に良好に現像するために、炭化水素類、アルコール類、
ケトン類、塩素化炭化水素類又はエステル類等の有機溶
剤から選ばれる少なくとも１種を含有させること□がで
きる。これらの有機溶剤のレジスト現像剤中の含有割合
は、０〜５０重量％、好ましくは１０〜４０重量％、さ
らに好ましくは２０〜３０重量％である。

トリクロロジフルオロエタンと有機溶剤との混合物に共
沸組成が存在する場合には、その共沸組成での使用が好
ましい。

炭化水素類としては炭素数１−１５の鎖状又は環状の飽
和又は不飽和炭化水素類が好ましく、ｎ−ペンタン、イ
ソペンタン、ｎ−ヘキサン。

イソヘキサン、２−メチルペンタン、２．２−ジメチル
ブタン、２．３−ジメチルブタン、ｎ−へブタン、イソ
へブタン、３−メチルヘキサン、２．４−ジメチルペン
タン、ｎ−オクタン、２−メチルへブタン、３−メチル
へブタン、４−メチルへブタン、２．２−ジメチルヘキ
サン、２．５−ジメチルヘキサン、３．３−ジメチルヘ
キサン、２−メチル−３−エチルペンタン、３−メチル
−３−エチルペンタン、２、３．３−トリメチルペンタ
ン、２．３．４−　トリメチルペンタン、２．２．３−
　トリメチルペンタン、イソオ　゛ノナン、ノナン、２
．２．５−　トリメチルヘキサン、デカン、ドデンカン
、ｌ−ペンテン、２−ペンテン、１−ヘキセン、１−オ
クテン、ｌ−ノネン、！−デセン、シクロペンタン、メ
チルシクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘ
キサン、エチルシクロヘキサン、ビシクロヘキサン、シ
クロヘキセン、ａ−ピネン、ジペンテン、デカリン、ケ
トンリン、アミジノ、アミルナフタレン等から選ばれる
ものである。より好ましくは、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキ
サン、ｎ−へブタン等である。

アルコール類としては、炭素数１〜１７の鎖状又は環状
の飽和又は不飽和アルコール類が好ましく、メタノール
、エタノール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピル
アルコール、ｎ−ブチルアルコール、５ｅｃ−ブチルア
ルコール、イソブチルアルコール、ｔｅｒｔ−ブチルア
ルコール、ペンチルアルコール、５ｅｃ−アミルアルコ
ール、１−エチル−１−プロパツール、２−メチル−１
−ブタノール、イソペンチルアルコール、ｔｅｒｔ−ペ
ンチルアルコール、３−メチル−２−ブタノール、ネオ
ペンチルアルコール、ｌ−ヘキサノール、２−メチル−
１−ペンタノール、４−メチル−２−ペンタノール、２
−エチル−１−ブタノール、ｌ−ヘプタツール、２−ヘ
プタツール、３−ヘプタツール、Ｉ−オクタノール、２
−オクタノール、２−エチル−１−ヘキサノール、ｌ−
ノナノール、３．５．５−トリメチル−１−ヘキサノー
ル、１−デカノール、ｌ−ウンデカノール、１−ドデカ
ノール、アリルアルコール、プロパルギルアルコール、
ベンジルアルコール、シクロヘキサノール、ｌ−メチル
シクロヘキサノール、２−メチルシクロヘキサノール、
３−メチルシクロヘキサノール、４−メチルシクロヘキ
サノール、ａ−テルピネオール、アビニチノール、２．
６−シメチルー４−ヘプタツール、トリメチルノニルア
ルコール、テトラデシルアルコール、ヘプタデシルアル
コール等から選ばれるものである。より好ましくはメタ
ノール、エタノール、イソプロピルアルコール等である
。

ケトン類としては、Ｒ−ＣＤ−Ｒ’　、　Ｒ−ＣＯ，Ｒ
−Ｃｏ−Ｒ”　−ｒ１７ｃｌｌ□１ ＣＯ−Ｒ”、Ｒ−ＣＯ−Ｒ’、　Ｒ−ＣＤ−Ｒ’　（こ
こで、Ｒ，Ｒ″、Ｒ″は炭素数１〜９の飽和又は不飽和
炭化水素基）のいずれかの一般式で示されるものが好ま
しく。

アセトン、メチルブチルケトン、２−ペンタノン、３−
ペンタノン、２−ヘキサノン、メチル−ｎ−ブチルケト
ン、メチルブチルケトン、２−ヘプタノン、４−ヘプタ
ノン、ジイソブチルケトン、アセトニルアセトン、メシ
チルオキシド、ホロン、メチル−ｎ−アミルケトン、エ
チルブチルケトン、メチルへキシルケトン、シクロヘキ
サノン、メチルシクロヘキサノン、イソホロン、２．４
−ベンタンジオン、ジアセトンアルコール、アセトフェ
ノン、フエンチョン等から選ばれるものである。より好
ましくはアセトン、メチルエチルケトン等である。

塩素化炭化水素類としては、炭素数１〜２の飽和又は不
飽和、塩素化炭化水素類が好ましく、塩化メチレン、四
塩化炭素、１．１−ジクロルエタン、１．２−ジクロロ
エタン、ｌ、　１．　ｌ−トリクロルエタン、ｌ、　ｌ
、　２−１−リクロルエタ、ン、１．　ｌ、　１．２−
テトラクロルエタン、１．１．２．２−テトラクロルエ
タン、ペンタクロルエタン、１．１−ジクロルエチレン
、１．２−ジクロルエチレン、トリクロルエチレン、テ
トラクロルエチレン笠から選ばれるものである。より好
ましくは塩化メチレン、１、１．　ｌ−トリクロルエタ
ン、トリクロルエチレン、テトラクロルエチレン写であ
る。

ニスデル類としては１次の一般式で示されるものが好ま
しく、Ｒ，−ＣＯＯ−Ｒ，、Ｉｌ＋−Ｃ−Ｒ３−ＣＯＯ
−Ｌ。

ＯＲ。

■ Ｃ０ＯＲ。

（ここでＲ＋、’Ｒ＝、Ｒｓ、Ｒ４，Ｒａ、Ｒａは１１
又は０１（又は炭素数１〜１つの飽和ないし、不飽和結
合を有する炭化水素基。） 具体的には、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、
ギ酸ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸ペンチル、酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢
酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸５ｅｃ−ブチル、酢酸
ペンチル、酢酸イソペンチル、３−メトキシブチルアセ
テート、酢酸ｓｅ、ｃ−ヘキシル、２−エチルブチルア
セテート、２−エチルヘキシルアセテート、酢酸シクロ
ヘキシル、酢酸ベンジル、プロピオン酸メチル、プロピ
オン酸エチル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸イソ
ペンチル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸ブチル、酪酸
イソペンチル、イソ酪酸イソブチル、２−ヒドロキシ−
２−メチルプロピオン酸エチル、ステアリン酸ブチル、
ステアリン酸ペンチル、安息香酸メチル、安息香酸エチ
ル、安息香酸プロピル、安息香酸ブチル、安息香酸イソ
ペンチル、安息香酸ベンジル、アビエチン酸エチル、ア
ビエチン酸ベンジル、アジピン酸ビス−２−エチルヘキ
シル、γ−ブチロラクト、シュウ酸ジエチル、シュウ酸
ジブチル、シュウ酸ジベンチル、マロン酸ジエチル、マ
レイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジ
ブチル、酒石酸ジブチル、クエン酸トリブチル、セパシ
ン酸ジブチル、セバシン酸ビス−２−エチルヘキシル、
フタル酸ジメヂル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジブチ
ル、フタル酸ビス−２−エチルヘキシル、フタル酸ジオ
クヂル等から選ばれるものある。より好ましくは酢酸メ
チル、酢酸エチル等である。

本発明により現像し得るレジストとしては、何ら限定さ
れず、ポジ形またはネガ形の光露光用レジスト、遠紫外
露光用レジスト、Ｘ線又は電子線用レジストを挙げるこ
とができる。光露光用レジストの材質にはフェノール及
びクレゾールノボラック樹脂をベースにしたキノンジア
ジド系、シス−１，４−ポリイソプレンを主成分とする
環化ゴム系、ポリけい皮酸系等があり、遠紫外用レジス
トにはポリメチルメタアクリレート、ポリメチルイソプ
ロペニルケトン等があり、電子線、Ｘ線レジストにはポ
リメタフルル酸メチル１、メタクリル酸グリシジル−ア
クリル酸エチル共重合体、メタアクリル酸メチル−メタ
クリル酸共重合体等が知られているが、本発明のレジス
ト現像剤はいずれにも有効である。

レジスト現像方法も何ら限定されず、通常のスプレー法
、浸漬して攪拌したり、揺動したり、超音波を作用させ
たりする方法等を採用することができる。

［実施例］ 実施例１〜８ 下記第１表に示すレジスト現像剤を用いてレジスト現像
試験を行なった。フォトレジストフィルム（Ｌａｍ１ｎ
ｅｒ、ダイナケム社製）がラミネートされたプリント基
板（銅張積層板）を一定の回路パターンに露光後、レジ
スト現像剤で現像し回路パターンが正常にできているか
顕微鏡で観察した。結果を第１表に示す。

第１表 （）内は混合比［重量％］ Ｏ：良好に現像できる　△：やや不良 ×：不　良 ［発明の効果］ 本発明のレジスト現像剤は実施例から明らかなようにレ
ジスト現像効果の優れたものである。

又、従来の塩素系現像剤に比べ、プリント配線板に使わ
れるプラスチック等に対し悪影響が少ない点も有利であ
る。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）トリクロロジフルオロエタンを有効成分として含
   有するレジスト現像剤。
2. （２）レジスト現像剤中には、炭化水素類、アルコール
   類、ケトン類、塩素化炭化水素類又はエステル類から選
   ばれる少なくとも１種が含まれている特許請求の範囲第
   １項記載のレジスト現像剤。