JPH02166185A - レジスト現像剤 - Google Patents
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
[産業上の利用分野]
本発明はプリント基板や半導体の製造時にレジストを現
像するために用いるレジスト現像剤に関するものである
。 [従来の技術] プリント基板や半導体回路を作成する場合レジスト塗布
、露光に続いてレジストを現像し、次いで、エツチング
する工程があるが、このレジストを現像するために、従
来i、i、t、−トリクロロエタン等の塩素系レジスト
現像剤が使われている。 〔発明が解決しようとする課@1 本発明は従来使用されていた塩素系レジスト現像剤は地
下水汚染の点から好ましくないため、その使用量を抑え
るべく塩素系レジスト現像剤にかわる新規のレジスト現
像剤を提供することを目的とするものである。 [課題を解決するための手段] 本発明は前述の目的を達成すべくなされたものであり、
炭素数が3である特定の塩化弗化炭化水素を有効成分と
して含有するレジスト現像剤を提供するものである。 本発明の塩化弗化炭化水素としては3.3−ジクロロ−
1,1,2,2,3−ペンタフルオロプロパン(CHF
s−CFI−CGlsF、 b、p、 64.1 ’C
) 、1.3−ジクロロ−1,2,2,3−テトラフル
オロプロパン(C)ICIF−CFI−CHCIF、
b、p、82.6℃)、3.3−ジクロロ−1,1,2
,2−テトラフルオロプロパン(CHF、−CF、−C
HCII。 b、p、 82.1℃)、3−クロロ−1,2,2,3
−テトラフルオロプロパン(CHaF−CFs−CII
CIF、 b、p。 78.8℃)、3−クロロ−1,1,1,2,2−ペン
タフルオロプロパン(CF、−CFI−C)IxCI、
b、p、 27.2℃)。 l−クロロ−1,1,2,2,3−ペンタフルオロプロ
パン(CCIFt−CF、−C11F、 b、p、
36.2℃) 、1.3−ジクロロ−2,2,3−トリ
フルオロプロパン(cotct−CFm−CHCIF、
b、p、 93.4℃)、3−クロロ−1,2,2−
トリフルオロプロパン(CHaF−CFI−C)lte
l、 b、p。 96.1’C) 、3.3−ジクロロ−1,2,2,3
−テトラフルオロプロパン(CH,F−CFs−CC1
sF、 b、p、 58.1℃)、l−クロロ−1,1
,2,2−テトラフルオロプロパン(CGIFs−CF
I−C)ls、 b、p、 19.9℃)、 3.3−
ジクロロ−1,2,2−トリフルオロプロパン(C)l
tF−CFI−CHClm、 b、p、 69.8℃)
、3−クロロ−2,2,3−ト・リフルオロプロパン(
CHs−CFs−CHCIF、 b、 p。 37.8℃)等の水素含有塩化弗化炭化水素から選ばれ
る1種又は2種以上の混合物が好ましい。 本発明のレジスト現像剤には、各種の目的に応じてその
他の各種成分を含有させることができる0例えば、さら
に良好に現像するために、炭化水素類、アルコール類、
ケトン類、塩素化炭化水素類又はエステル類等の有機溶
剤から選ばれる少なくとも1種を含有させることができ
る。これらの有機溶剤のレジスト現像剤中の含有割合は
、0〜50重量%、好ましくは10〜40重量%、さら
に好ましくは20〜30重量%である。 本発明の塩化弗化炭化水素類と有機溶剤との混合物に共
沸組成が存在する場合には、その共沸組成での使用が好
ましい。 炭化水素類としては炭素数1〜15の鎖状又は環状の飽
和又は不飽和炭化水素類が好ましく、n−ペンタン、イ
ソペンタン、n−ヘキサン、イソヘキサン、2−メチル
ペンタン%2.2−ジメチルブタン、2.3−ジメチル
ブタン、n−へブタン、イソへブタン、3−メチルヘキ
サン、2.4−ジメチルペンタン、n−オクタン、2−
メチルへブタン、3−メチルへブタン、4−メチルへブ
タン、2.2−ジメチルヘキサン、2.5−ジメチルヘ
キサン、3.3−ジメチルヘキサン、2−メチル−3−
エチルペンタン、3−メチル−3−エチルペンタン、2
、3.3−トリメチルペンタン、2.3.4− トリメ
チルペンタン、2,2.3−トリメチルペンタン、イソ
オクタン、ノナン、2,2.5−トリメチルヘキサン、
デカン、ドデンカン、1−ペンテン、2−ペンテン、1
−ヘキセン、l−オクテン、l−ノネン、1−デセン、
シクロベンクン、メチルシクロペンタン、シクロヘキサ
ン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ビ
シクロヘキサン、シクロヘキセン、α−ピネン、ジペン
テン、デカリン、テトラリン、アミジノ、アミルナフタ
レン等から選ばれるものである。より好ましくは、n−
ペンタン、n−ヘキサン、シクロヘキサン%n−へブタ
ン等である。 アルコール類としては、炭素数1〜17の鎖状又は環状
の飽和又は不飽和アルコール類が好ましく、メタノール
、エタノール、no−プロピルアルコール、イソプロピ
ルアルコール、n−ブチルアルコール、5ec−ブチル
アルコール、イソブチルアルコール、 tert−ブチ
ルアルコール、ペンチルアルコール、5ee−アミルア
ルコール、1−エチル−1−プロパツール、2−メチル
−1−ブタノール、イソペンチルアルコール、 ter
t−ペンチルアルコール、3−メチル−2−ブタノール
、ネオペンチルアルコール、l−ヘキサノール、2−メ
チル−1−ペンタノール%4−メチルー2−ペンタノー
ル、2−エチル−1−ブタノール、1−へブタノール、
2−ヘプタツール、3−ヘプタツール、l−オクタツー
ル、2−オクタノール、2−エチル−l−ヘキサノール
、l−ノナノール、3.5.5− トリメチル−1−ヘ
キサノール、1−デカノール、l−ウンデカノール、l
−ドデカノール、アリルアルコール、プロパルギルアル
コ−ルミベンジルアルコール、シクロヘキサノール、l
−メチルシクロヘキサノール、2−メチルシクロヘキサ
ノール、3−メチルシクロヘキサノール、4−メチルシ
クロヘキサノール、α−テルピネオール、アビニチノー
ル、2.レジメチル−4−ヘプタツール、トリメチルノ
ニルアルコール、テトラデシルアルコール、ヘプタデシ
ルアルコール等から選ばれるものである。より好ましく
はメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等
である。 炭素数1〜9の飽和又は不飽和炭化水素基)のいずれか
の一般式で示されるものが好ましく、アセトン、メチル
エチルケトン、2−ペンタノン、3−ペンタノン、2−
ヘキサノン、メチル−n−プチルケトン、メチルブチル
ケトン、2−ヘプタノン、4−ヘプタノン、ジイソブチ
ルケトン、アセトニルアセトン、メシチルオキシド、ホ
)ン、メチルーn−アミルケトン、エチルブチルケトン
、メチルへキシルケトン、シクロヘキサノン、メチルシ
クロヘキサノン、イソホロン。 2.4−ペンタンジオン、ジアセトンアルコール、アセ
トフェノン、フェンチ四ン等から選ばれるものである。 より好ましくはアセトン1、メチルエチルケトン等であ
る。 塩素化炭化水素類としては、炭素数1〜2の飽和又は不
飽和、塩素化炭化水素類が好ましく、塩化メチレン、四
塩化炭素、l、1−ジクロルエタン、1,2−ジクロロ
エタン、1,1.1−トリクロルエタン、1,1.2−
トリクロルエタン、1,1,1.2−テトラクロルエタ
ン、!、1,2.2−テトラクロルエタン、ペンタクロ
ルエタン、1.1−ジクロルエチレン、1,2−ジクロ
ルエチレン、トリクロルエチレン、テトラクロルエチレ
ン等から選ばれるものである。より好ましくは塩化メチ
レン。 !、 1.1− トリクロルエタン、トリクロルエチレ
ン、テトラクロルエチレン等である。 エステル類としては、次の一般式で示されるR菖 ものが好ましく、R,−Coo−R,、R,−C−R,
−COO−R,。 0R。 GOOR。 (ここでR+、Rt、Rs、Rn、Ri、RaはH又は
OH又は炭素数1〜19の飽和ないし、不飽和結合を有
する炭化水素基、) 具体的には、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、
ギ酸ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸ペンチル、酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢
酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸5ea−ブチル、酢酸
ペンチル、酢酸イソペンチル、3−メトキシブチルアセ
テート、酢酸5ec−ヘキシル、2−エチルブチルアセ
テート、2−エチルヘキシルアセテート、酢酸シクロヘ
キシル、酢酸ベンジル、プロピオン酸メチル、プロピオ
ン酸エチル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸イソペ
ンチル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸ブチル、酪酸イ
ソペンチル。 イソ酪酸イソブチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロ
ピオン酸エチル、ステアリン酸ブチル、ステアリン酸ペ
ンチル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プ
ロピル、安息香酸ブチル、安息香酸イソペンチル、安息
香酸ベンジル、アビエチン酸エチル、アビエチン酸ベン
ジル、アジピン酸ビス−2−エチルヘキシル、γ−ブチ
ロラクト、シュウ酸ジエチル、シェラ酸ジブチル、シュ
ウ酸ジペンチル、マロン酸ジエチル、マレイン酸ジメチ
ル、マレイン酸ジェチル、マレイン酸ジブチル、酒石酸
ジブチル、クエン駿トリブチル、セバシン酸ジブチル、
セバシン酸ビス−2−エチルヘキシル、フタル酸ジメチ
ル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジブチル、フタル酸ビ
・スー2−エチルヘキシル、フタル駿ジオクチル等から
選ばれるものある。より好ましくは酢酸メチル、酢酸エ
チル等である。 本発明により現像し得るレジストとしては、何ら限定さ
れず、ポジ形またはネガ形の光露光用レジスト、遠紫外
露光用レジスト、X線又は電子線用レジストを挙げるこ
とができる。光露光用レジストの材質にはフェノール及
びクレゾールノボラック樹脂をベースにしたキノンジア
ジド系、シス−1,4−ポリイソプレンを主成分とする
環化ゴム系、ポリけい皮酸系等があり、遠紫外用レジス
トにはポリメチルメタアクリレート、ポリメチルイソプ
ロペニルケトン等があり、電子線、X線レジストに、は
ポリメタフルル酸メチル1、メタクリル酸グリシジル−
アクリル酸エチル共重合体、メタアクリル酸メチル−メ
タクリル酸共重合体等が知られているが、本発明のレジ
スト現像剤はいずれにも有効である。 レジスト現像方法も何ら限定されず、通常のスプレー法
、浸漬して撹拌したり、揺動したり、超音波を作用させ
たりする方法等を採用することができる。
像するために用いるレジスト現像剤に関するものである
。 [従来の技術] プリント基板や半導体回路を作成する場合レジスト塗布
、露光に続いてレジストを現像し、次いで、エツチング
する工程があるが、このレジストを現像するために、従
来i、i、t、−トリクロロエタン等の塩素系レジスト
現像剤が使われている。 〔発明が解決しようとする課@1 本発明は従来使用されていた塩素系レジスト現像剤は地
下水汚染の点から好ましくないため、その使用量を抑え
るべく塩素系レジスト現像剤にかわる新規のレジスト現
像剤を提供することを目的とするものである。 [課題を解決するための手段] 本発明は前述の目的を達成すべくなされたものであり、
炭素数が3である特定の塩化弗化炭化水素を有効成分と
して含有するレジスト現像剤を提供するものである。 本発明の塩化弗化炭化水素としては3.3−ジクロロ−
1,1,2,2,3−ペンタフルオロプロパン(CHF
s−CFI−CGlsF、 b、p、 64.1 ’C
) 、1.3−ジクロロ−1,2,2,3−テトラフル
オロプロパン(C)ICIF−CFI−CHCIF、
b、p、82.6℃)、3.3−ジクロロ−1,1,2
,2−テトラフルオロプロパン(CHF、−CF、−C
HCII。 b、p、 82.1℃)、3−クロロ−1,2,2,3
−テトラフルオロプロパン(CHaF−CFs−CII
CIF、 b、p。 78.8℃)、3−クロロ−1,1,1,2,2−ペン
タフルオロプロパン(CF、−CFI−C)IxCI、
b、p、 27.2℃)。 l−クロロ−1,1,2,2,3−ペンタフルオロプロ
パン(CCIFt−CF、−C11F、 b、p、
36.2℃) 、1.3−ジクロロ−2,2,3−トリ
フルオロプロパン(cotct−CFm−CHCIF、
b、p、 93.4℃)、3−クロロ−1,2,2−
トリフルオロプロパン(CHaF−CFI−C)lte
l、 b、p。 96.1’C) 、3.3−ジクロロ−1,2,2,3
−テトラフルオロプロパン(CH,F−CFs−CC1
sF、 b、p、 58.1℃)、l−クロロ−1,1
,2,2−テトラフルオロプロパン(CGIFs−CF
I−C)ls、 b、p、 19.9℃)、 3.3−
ジクロロ−1,2,2−トリフルオロプロパン(C)l
tF−CFI−CHClm、 b、p、 69.8℃)
、3−クロロ−2,2,3−ト・リフルオロプロパン(
CHs−CFs−CHCIF、 b、 p。 37.8℃)等の水素含有塩化弗化炭化水素から選ばれ
る1種又は2種以上の混合物が好ましい。 本発明のレジスト現像剤には、各種の目的に応じてその
他の各種成分を含有させることができる0例えば、さら
に良好に現像するために、炭化水素類、アルコール類、
ケトン類、塩素化炭化水素類又はエステル類等の有機溶
剤から選ばれる少なくとも1種を含有させることができ
る。これらの有機溶剤のレジスト現像剤中の含有割合は
、0〜50重量%、好ましくは10〜40重量%、さら
に好ましくは20〜30重量%である。 本発明の塩化弗化炭化水素類と有機溶剤との混合物に共
沸組成が存在する場合には、その共沸組成での使用が好
ましい。 炭化水素類としては炭素数1〜15の鎖状又は環状の飽
和又は不飽和炭化水素類が好ましく、n−ペンタン、イ
ソペンタン、n−ヘキサン、イソヘキサン、2−メチル
ペンタン%2.2−ジメチルブタン、2.3−ジメチル
ブタン、n−へブタン、イソへブタン、3−メチルヘキ
サン、2.4−ジメチルペンタン、n−オクタン、2−
メチルへブタン、3−メチルへブタン、4−メチルへブ
タン、2.2−ジメチルヘキサン、2.5−ジメチルヘ
キサン、3.3−ジメチルヘキサン、2−メチル−3−
エチルペンタン、3−メチル−3−エチルペンタン、2
、3.3−トリメチルペンタン、2.3.4− トリメ
チルペンタン、2,2.3−トリメチルペンタン、イソ
オクタン、ノナン、2,2.5−トリメチルヘキサン、
デカン、ドデンカン、1−ペンテン、2−ペンテン、1
−ヘキセン、l−オクテン、l−ノネン、1−デセン、
シクロベンクン、メチルシクロペンタン、シクロヘキサ
ン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ビ
シクロヘキサン、シクロヘキセン、α−ピネン、ジペン
テン、デカリン、テトラリン、アミジノ、アミルナフタ
レン等から選ばれるものである。より好ましくは、n−
ペンタン、n−ヘキサン、シクロヘキサン%n−へブタ
ン等である。 アルコール類としては、炭素数1〜17の鎖状又は環状
の飽和又は不飽和アルコール類が好ましく、メタノール
、エタノール、no−プロピルアルコール、イソプロピ
ルアルコール、n−ブチルアルコール、5ec−ブチル
アルコール、イソブチルアルコール、 tert−ブチ
ルアルコール、ペンチルアルコール、5ee−アミルア
ルコール、1−エチル−1−プロパツール、2−メチル
−1−ブタノール、イソペンチルアルコール、 ter
t−ペンチルアルコール、3−メチル−2−ブタノール
、ネオペンチルアルコール、l−ヘキサノール、2−メ
チル−1−ペンタノール%4−メチルー2−ペンタノー
ル、2−エチル−1−ブタノール、1−へブタノール、
2−ヘプタツール、3−ヘプタツール、l−オクタツー
ル、2−オクタノール、2−エチル−l−ヘキサノール
、l−ノナノール、3.5.5− トリメチル−1−ヘ
キサノール、1−デカノール、l−ウンデカノール、l
−ドデカノール、アリルアルコール、プロパルギルアル
コ−ルミベンジルアルコール、シクロヘキサノール、l
−メチルシクロヘキサノール、2−メチルシクロヘキサ
ノール、3−メチルシクロヘキサノール、4−メチルシ
クロヘキサノール、α−テルピネオール、アビニチノー
ル、2.レジメチル−4−ヘプタツール、トリメチルノ
ニルアルコール、テトラデシルアルコール、ヘプタデシ
ルアルコール等から選ばれるものである。より好ましく
はメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等
である。 炭素数1〜9の飽和又は不飽和炭化水素基)のいずれか
の一般式で示されるものが好ましく、アセトン、メチル
エチルケトン、2−ペンタノン、3−ペンタノン、2−
ヘキサノン、メチル−n−プチルケトン、メチルブチル
ケトン、2−ヘプタノン、4−ヘプタノン、ジイソブチ
ルケトン、アセトニルアセトン、メシチルオキシド、ホ
)ン、メチルーn−アミルケトン、エチルブチルケトン
、メチルへキシルケトン、シクロヘキサノン、メチルシ
クロヘキサノン、イソホロン。 2.4−ペンタンジオン、ジアセトンアルコール、アセ
トフェノン、フェンチ四ン等から選ばれるものである。 より好ましくはアセトン1、メチルエチルケトン等であ
る。 塩素化炭化水素類としては、炭素数1〜2の飽和又は不
飽和、塩素化炭化水素類が好ましく、塩化メチレン、四
塩化炭素、l、1−ジクロルエタン、1,2−ジクロロ
エタン、1,1.1−トリクロルエタン、1,1.2−
トリクロルエタン、1,1,1.2−テトラクロルエタ
ン、!、1,2.2−テトラクロルエタン、ペンタクロ
ルエタン、1.1−ジクロルエチレン、1,2−ジクロ
ルエチレン、トリクロルエチレン、テトラクロルエチレ
ン等から選ばれるものである。より好ましくは塩化メチ
レン。 !、 1.1− トリクロルエタン、トリクロルエチレ
ン、テトラクロルエチレン等である。 エステル類としては、次の一般式で示されるR菖 ものが好ましく、R,−Coo−R,、R,−C−R,
−COO−R,。 0R。 GOOR。 (ここでR+、Rt、Rs、Rn、Ri、RaはH又は
OH又は炭素数1〜19の飽和ないし、不飽和結合を有
する炭化水素基、) 具体的には、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、
ギ酸ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸ペンチル、酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢
酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸5ea−ブチル、酢酸
ペンチル、酢酸イソペンチル、3−メトキシブチルアセ
テート、酢酸5ec−ヘキシル、2−エチルブチルアセ
テート、2−エチルヘキシルアセテート、酢酸シクロヘ
キシル、酢酸ベンジル、プロピオン酸メチル、プロピオ
ン酸エチル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸イソペ
ンチル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸ブチル、酪酸イ
ソペンチル。 イソ酪酸イソブチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロ
ピオン酸エチル、ステアリン酸ブチル、ステアリン酸ペ
ンチル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プ
ロピル、安息香酸ブチル、安息香酸イソペンチル、安息
香酸ベンジル、アビエチン酸エチル、アビエチン酸ベン
ジル、アジピン酸ビス−2−エチルヘキシル、γ−ブチ
ロラクト、シュウ酸ジエチル、シェラ酸ジブチル、シュ
ウ酸ジペンチル、マロン酸ジエチル、マレイン酸ジメチ
ル、マレイン酸ジェチル、マレイン酸ジブチル、酒石酸
ジブチル、クエン駿トリブチル、セバシン酸ジブチル、
セバシン酸ビス−2−エチルヘキシル、フタル酸ジメチ
ル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジブチル、フタル酸ビ
・スー2−エチルヘキシル、フタル駿ジオクチル等から
選ばれるものある。より好ましくは酢酸メチル、酢酸エ
チル等である。 本発明により現像し得るレジストとしては、何ら限定さ
れず、ポジ形またはネガ形の光露光用レジスト、遠紫外
露光用レジスト、X線又は電子線用レジストを挙げるこ
とができる。光露光用レジストの材質にはフェノール及
びクレゾールノボラック樹脂をベースにしたキノンジア
ジド系、シス−1,4−ポリイソプレンを主成分とする
環化ゴム系、ポリけい皮酸系等があり、遠紫外用レジス
トにはポリメチルメタアクリレート、ポリメチルイソプ
ロペニルケトン等があり、電子線、X線レジストに、は
ポリメタフルル酸メチル1、メタクリル酸グリシジル−
アクリル酸エチル共重合体、メタアクリル酸メチル−メ
タクリル酸共重合体等が知られているが、本発明のレジ
スト現像剤はいずれにも有効である。 レジスト現像方法も何ら限定されず、通常のスプレー法
、浸漬して撹拌したり、揺動したり、超音波を作用させ
たりする方法等を採用することができる。
実施例1〜17
下記第1表に示すレジスト現像前を用いてレジスト現像
試験を行なった。フォトレジストフィルム(Lam1n
er、ダイナヶム社製)がラミネートされたプリント基
板(銅張積層板)を一定の回路パターンに露光後、レジ
スト現像剤で現像し回路パターンが正常にできているが
顕微鏡で観察した。結果を第1表に示す。 第1表 [発明の効果] 本発明のレジスト現像剤は実施例から明らかなようにレ
ジスト現像効果の優れたものである。 又、従来の塩素系現像剤に比べ、プリント配線板に使わ
れるプラスチック等に対し悪影響が少ない点も有利であ
る。
試験を行なった。フォトレジストフィルム(Lam1n
er、ダイナヶム社製)がラミネートされたプリント基
板(銅張積層板)を一定の回路パターンに露光後、レジ
スト現像剤で現像し回路パターンが正常にできているが
顕微鏡で観察した。結果を第1表に示す。 第1表 [発明の効果] 本発明のレジスト現像剤は実施例から明らかなようにレ
ジスト現像効果の優れたものである。 又、従来の塩素系現像剤に比べ、プリント配線板に使わ
れるプラスチック等に対し悪影響が少ない点も有利であ
る。
Claims (2)
- (1)3,3−ジクロロ−1,1,2,2,3−ペンタ
フルオロプロパン、1,3−ジクロロ−1,2,2,3
−テトラフルオロプロパン、3,3−ジクロロ−1,1
,2,2−テトラフルオロプロパン、3−クロロ−1,
2,2,3−テトラフルオロプロパン、3−クロロ−1
,1,1,2,2−ペンタフルオロプロパン、1−クロ
ロ−1,1,2,2,3−ペンタフルオロプロパン、1
,3−ジクロロ−2,2,3−トリフルオロプロパン、
3−クロロ−1,2,2−トリフルオロプロパン、3,
3−ジクロロ−1,2,2,3−テトラフルオロプロパ
ン、1−クロロ−1,1,2,2−テトラフルオロプロ
パン、3,3−ジクロロ−1,2,2−トリフルオロプ
ロパン及び3−クロロ−2,2,3−トリフルオロプロ
パンの群から選ばれる少なくとも1種を有効成分として
含有するレジスト現像剤。 - (2)レジスト現像剤中には、炭化水素、アルコール類
、ケトン類、塩素化炭化水素類又はエステル類から選ば
れる少なくとも1種が含まれている請求項1記載のレジ
スト現像剤。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31949788A JPH02166185A (ja) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | レジスト現像剤 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31949788A JPH02166185A (ja) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | レジスト現像剤 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02166185A true JPH02166185A (ja) | 1990-06-26 |
Family
ID=18110880
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31949788A Pending JPH02166185A (ja) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | レジスト現像剤 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02166185A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5211866A (en) * | 1991-11-26 | 1993-05-18 | Allied-Signal Inc. | Azeotrope-like compositions of 1-chloro-3,3,3-trifluoropropane and isopropanol |
US5213707A (en) * | 1991-11-26 | 1993-05-25 | Allied-Signal Inc. | Azeotrope-like compositions of 1-chloro-3,3,3-trifluoropropane and a mono- or dichlorinated C1 or C3 alkane |
US5227088A (en) * | 1991-11-26 | 1993-07-13 | Allied-Signal Inc. | Azeotrope-like compositions of 1-chloro-3,3,3-trifluoropropane and a C.sub.56 hydrocarbon |
-
1988
- 1988-12-20 JP JP31949788A patent/JPH02166185A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5211866A (en) * | 1991-11-26 | 1993-05-18 | Allied-Signal Inc. | Azeotrope-like compositions of 1-chloro-3,3,3-trifluoropropane and isopropanol |
US5213707A (en) * | 1991-11-26 | 1993-05-25 | Allied-Signal Inc. | Azeotrope-like compositions of 1-chloro-3,3,3-trifluoropropane and a mono- or dichlorinated C1 or C3 alkane |
US5227088A (en) * | 1991-11-26 | 1993-07-13 | Allied-Signal Inc. | Azeotrope-like compositions of 1-chloro-3,3,3-trifluoropropane and a C.sub.56 hydrocarbon |
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