JPH01137259A - レジスト剥離剤 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はプリント基板や半導体の製造時に用いられるレ
ジスト剥離剤に関するものである。

［従来の技術］ プリント基板や半導体回路を作成する場合、最終的にエ
ツチング後のレジストを剥離する工程がある。従来、こ
の工程に塩化メチレン、テトラクロルエチレン、Ｏ−ジ
クロルベンセン等の塩素系溶剤が使われている。

［発明の解決しようとする問題点］ 本発明は従来使用されていた塩素系溶剤は地下水汚染の
点から好ましくないため、その使用量を抑えるべく塩素
系溶剤にかわる新規のレジスト剥離剤を提供することを
目的とするものである。

Ｅ問題点を解決するための手段１ 本発明は前述の目的を達成すべくなされたものであり、
１．１−ジクロロ−２，２，２−トリフルオロエタン（
以下ＲＩ２３という）又は１．２−ジクロロ−１，１−
ジフルオロエタン（以下Ｒ１３２ｂという）の１種と１
．１−ジクロロ−１−フルオロエタン（以下ＲＩ４１ｂ
という）との共沸組成物組成物を有効成分として含有す
るレジスト剥離剤を提供するものである。

本発明のレジスト剥離剤の有効成分であるＲ１２３／８
１４１ｂ＝約６７７３３の共沸組成物又はＲＩ３２ｂ／
ＲＩ４１ｂ・約Ｉ５．５／８４．５の共沸組成物（共沸
割合は重量％）は、レジスト剥離力に優れ、プリント基
板や半導体の材質に悪影響の少ない優れた溶剤である。

これら２種の共沸組成物はそれぞれ単独で又はこれらの
混合物として用いることができる。

本発明のレジスト剥離剤には、各種の目的に応じてその
他の各種成分を含有させることができる０例えば、レジ
スト剥離力を高めるために１、炭化水素類、アルコール
類、ケトン類、塩素化炭化水素類、芳香族類又はエステ
ル類等の有機溶剤から選ばれる少なくとも１種を含有さ
せることができる。これらの有機溶剤のレジスト剥離剤
中の含有割合は、０〜５０重量％、好ましくは１０〜４
０重量％、さらに好ましくは２０〜３０重量％である。

本発明の共沸組成物と有機溶剤との混合物に共沸組成が
存在する場合には、その共沸組成での使用が好ましい。

炭化水素類としては炭素数１−１５の直鎖又は環状の飽
和又は不飽和炭化水素類が好ましく、ｎ−ペンタン、イ
ソペンタン、ｎ−ヘキサン、イソヘキサン、２−メチル
ペンタン、２．２−ジメチルブタン、２．３−ジメチル
ブタン、ｎ−へブタン、イソへブタン、３−メチルヘキ
サン、２．４−ジメチルペンタン、ｎ−オクタン、２−
メチルへブタン、３−メチルへブタン、４−メチルへブ
タン、２．２−ジメチルヘキサン、２．５−ジメチルヘ
キサン、３．３−ジメチルヘキサン、２−メチル−３−
エチルペンタン、３−メチル−３−エチルペンタン、２
゜３、３−　トリメデルペンタン、２．３．４−　トリ
メチルペンタン、２．２．３−　トリメチルペンタン、
イソオクタン、ノナン、２．２．５−トリメチルヘキサ
ン、デカン、ドデンカン、ｌ−ペンテン、２−ペンテン
、１−ヘキセン、１〜オクテン、１−ノネン、ｌ−デセ
ン、シクロペンタン、メチルシクロペンタン、シクロヘ
キサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン
、ビシクロヘキサン、シクロヘキセン、α−ピネン、ジ
ペンテン、デカリン、テトラリン、アミ１ン、アミルナ
フタレン等から選ばれるものである。より好ましくは、
ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へブタン等である。

アルコール類としては、炭素数１〜Ｉ７の鎖状又は環状
の飽和又は不飽和アルコール類が好ましく、メタノール
、エタノール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピル
アルコール、ｎ−ブチルアルコール、　５ｅｃ−ブチル
アルコール、イソブチルアルコール、ｔ、ｅｒＬ−ブチ
ルアルコール、ペンチルアルコール、５ｅｃ−アミルア
ルコール、トエチルー１−プロパツール、２−メチル−
１−ブタノール、イソペンチルアルコール、　ｔｅｒｔ
−ペンチルアルコール、３−メチル−２−ブタノール、
ネオペンチルアルコール、１−ヘキサノール、２−メチ
ル−１−ペンタノール、４−メチル−２−ペンタノール
、２−エチル−Ｉ−ブタノール、ｌ−ヘプタツール、２
−ヘプタツール、３−ヘプタツール、１−オクタノール
、２−オクタノール、２−エチル−１−ヘキサノール、
ｌ−ノナノール、３．５．５−　トリメチル−１−ヘキ
サノール、１−デカノール、１−ウンデカノール、１−
ドデカノール、アリルアルコール、プロパルギルアルコ
ール、ベンジルアルコール、シクロヘキサノール、１−
メチルシクロヘキサノール、２−メチルシクロヘキサノ
ール、３−メチルシクロヘキサノール、４−メチルシク
ロヘキサノール、ａ−テルピネオール、アビニチノール
、２．６−シメチルー４−ヘプタツール、トリメチルノ
ニルアルコール、テトラデシルアルコール、ヘプタデシ
ルアルコール等から選ばれるものである。より好ましく
はメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等
である。

ケトン類としては、Ｒ−ＣＤ−Ｒ’　、　Ｒ−ＣＯ，Ｒ
−ＣＯ−Ｒ’　−ｒｉｒ−Ｃ１ｌｓ１ ＣＤ−Ｒ”、Ｒ−ＣＯ−Ｒ’、　Ｒ−ＣＯ−Ｒ′（ここ
で、Ｒ，Ｒ’、Ｒ″は炭素数１〜９の飽和又は不飽和炭
化水素基）のいずれかの一般式で示されるものが好まし
く。

アセトン、メチルエチルケトン、２−ペンタノン、３−
ペンタノン、２−ヘキサノン、メチル−ｎ−プチルケト
ン、メチルブチルケトン、２−ヘブタノン、４−ヘプタ
ノン、ジイソブチルケトン、アセトニルアセトン、メシ
チルオキシド、ホロン、メチル−〇−アミルケトン、エ
チルブチルケトン、メチルへキシルケトン、シクロヘキ
サノン、メチルシクロヘキサノン、イソホロン、２．４
−ペンタンジオン、ジアセトンアルコール、アセトフェ
ノン、フェンチョン等から選ばれるものである。より好
ましくはアセトン、メチルエチルケトン等である。

塩素化炭化水素類としては、炭素数１〜２の飽和又は不
飽和、塩素化炭化水素類が好ましく、塩化メチレン、四
塩化炭素、１．１−ジクロルエタン、１．２−ジクロロ
エタン、１，１．１−トリクロルエタン、　１，１．２
−トリクロルエタン、１．　］、　］１．２−テトラク
ロルエタン１．１．２．２−テトラクロルエタン、ペン
タクロルエタン、１．１−ジクロルエチレン、１．２−
ジクロルエチレン、トリクロルエチレン、テトラクロル
エチレン等から選ばれるものである。より好ましくは塩
化メチレン、１、　Ｉ、　Ｉ−トリクロルエタン、トリ
クロルエチレン、テトラクロルエチレン等である。

芳香族類としては、ベンゼン誘導体、ナフタレン誘導体
が好ましく、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベ
ンセン、イソプロピルベンセン、ジエチルベンゼン、第
２ブチルベンゼン、トリエチルベンセン、ジイソブチル
ケンヤン、スチレン、アルキルベンセンスルホン酸、フ
ェノール、メシチレン、ナフタレン、テトラリン、ブチ
ルベンゼン、ｐ−シメン、シクロへキシルベンセン、ペ
ンチルベンゼン、ジベンチルベンセン、ドデシルベンセ
ン、ピフェニル、０−クレゾール、ｍ−クレゾール、キ
シレノール等から選ばれるものである。より好ましくは
、アルキルベンゼンスルホン酸、フェノール等である。

エステル類としては５次の一般式で示されるものが好ま
しく　、　Ｒ＋−ＣＯＯ−Ｒｓ、　Ｒ１−Ｃ−Ｒ，−Ｃ
ＯＯ−Ｒ，。

ＯＲ。

（ここでＲ＋、Ｒｚ、Ｒｓ、Ｒ４，Ｒｓ、Ｒｅは１１又
は０１１又は炭素数１〜１９の飽和ないし、不飽和結合
を有する炭化水素基。） 具体的には、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、
ギ酸ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸ペンチル、酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢
酸ブチル、酢酸イソブチル、酢ｓ　５ｅｃ−ブチル、酢
酸ペンチル、酢酸イソペンチル、３−メトキシブチルア
セテート、酢酸５ｅｃ−ヘキシル、２−エチルブチルア
セテート、２−エチルヘキシルアセテート、酢酸シクロ
ヘキシル、酢酸ベンジル、プロピオン酸メチル、プロピ
オン酸エチル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸イソ
ペンチル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸ブチル、酪酸
イソペンチル、イソ酪酸イソブチル、２−ヒドロキシ−
２−メチルプロピオン酸エチル、ステアリン酸ブチル、
ステアリン酸ペンチル、安息香酸メチル、安息香酸エチ
ル、安息香酸プロピル、安息香酸ブチル、安息香酸イソ
ペンチル、安息香酸ベンジル、アビエチン酸エチル、ア
ビエチン酸ベンジル、アジピン酸ビス−２−エチルヘキ
シル、γ−プチロラクト、シュウ酸ジエチル、シュウ酸
ジ′ブチル、シュウ酸ジペンチル、マロン酸ジエチル、
マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸
ジブチル、酒石酸ジブチル、クエン酸トリブチル、セバ
シン酸ジブチル、セバシン酸ビス−２−エチルヘキシル
、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジブ
チル、フタル酸ビス−２−エチルヘキシル、フタル酸ジ
オクチル等から選ばれるものある。より好ましくは酢酸
メチル、酢酸エチル等である。

本発明により剥離し得るレジストとしては。

何ら限定されず、ポジ形またはネガ形の光露光用レジス
ト、遠紫外露光用レジスト、Ｘ線又は電子線用レジスト
を挙げることができる。光露光用レジストの材質にはフ
ェノール及びタレゾールノボラック樹脂をベースにした
キノンジアジド系、シス−１，４−ポリイソプレンを主
成分とする環化ゴム系、ポリけい皮酸系等があり、遠紫
外用レジストにはポリメチルメタアクリレート、ポリメ
チルイソプロペニルケトン等があり、電子線、　Ｘｌ１
Ｉレジストにはポリメタフルル酸メチル１、メタクリル
酸グリシジル−アクリル酸エチル共重合体、メタアクリ
ル酸メチル−メタクリル酸共重合体等が知られているが
、本発明のレジスト剥離剤はいずれにも有効である。

レジスト剥離方法も何ら限定されず、通常のスプレー法
、浸漬して攪拌したり、揺動したり、超音波を作用させ
たりする方法等を採用することができる。

［実施例］ 実施例１〜８ 下記第１表に示すレジスト剥離剤を用いてレジスト剥離
試験を行なった。フォトレジストフィルム（Ｌａｍ１ｎ
ｅｒ　；ダイナケム社製）がラミネートされたプリント
基板（銅張積層板）を用い露光、現像、エツチング工程
にて回路を作成後、レジスト剥離剤に常温で１５分間浸
漬し、取出後顕微鏡にて硬化膜の剥離状況を観察した。

結果を第１表に示す。

第１表 （）内は混合比［重量％］ Ｏ：良好に剥離できる　Δ：少量残存 Ｘ：かなり残存 ［発明の効果１ 本発明のレジスト剥離剤は実施例から明らかなようにレ
ジスト剥離効果に優れたものである。

又、従来の塩素系剥離剤に比べ、プリント配線板に使わ
れるプラスチック等に対し悪影響が少ない点も有利であ
る。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）１，１−ジクロロ−２，２，２−トリフルオロエ
   タン又は１，２−ジクロロ−１，１−ジフルオロエタン
   の１種と１，１−ジクロロ−１−フルオロエタンとの共
   沸組成物を有効成分として含有するレジスト剥離剤。
2. （２）レジスト剥離剤中には、炭化水素類、アルコール
   類、ケトン類、塩素化炭化水素類、芳香族類又はエステ
   ル類から選ばれる少なくとも１種が含まれている特許請
   求の範囲第１項記載のレジスト剥離剤。