JP2002114993A - 洗浄剤及び洗浄方法 - Google Patents

洗浄剤及び洗浄方法

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JP2002114993A JP2000309171A JP2000309171A JP2002114993A JP 2002114993 A JP2002114993 A JP 2002114993A JP 2000309171 A JP2000309171 A JP 2000309171A JP 2000309171 A JP2000309171 A JP 2000309171A JP 2002114993 A JP2002114993 A JP 2002114993A
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日出人 後藤
Takayuki Niuya
貴行 丹生谷
Hiroyuki Mori
宏幸 森
Hirotsugu Matsunaga
裕嗣 松永
Fukusaburo Ishihara
福三郎 石原
Yoshiya Kimura
善哉 木村
Ryuji Sotoaka
隆二 外赤
Takuya Goto
拓也 後藤
Tetsuo Aoyama
哲男 青山
Kojiro Abe
幸次郎 安部
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    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/048—Overflow-type cleaning, e.g. tanks in which the liquid flows over the tank in which the articles are placed
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    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31127—Etching organic layers
    • H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
    • C11D2111/44—

Abstract

(57)【要約】 【課題】 被処理物表面の強固な付着物を、被処理物に
ダメージを与えずに容易に除去することができる洗浄剤
及び洗浄方法を提供する。 【解決手段】 界面活性剤と有機溶剤とからなる洗浄
剤、並びにその洗浄剤を被処理物の表面に高速で流すこ
とにより該表面を洗浄することを特徴とする洗浄方法で
ある。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、被処理物表面の付
着物を除去する洗浄剤及び洗浄方法に関し、詳しくは、
被処理物表面の強固な付着物を被処理物にダメージを与
えずに除去する洗浄剤及び洗浄方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、被処理物の表面を洗浄剤により洗
浄すると、洗浄力が強すぎることにより、被処理物表面
が腐食等のダメージを受けることがあった。例えば、半
導体集積回路や液晶表示装置は、無機質基体上にフォト
レジストを均質に塗布して感光層を設け、これを選択的
露光及び現像処理を施してパターンを形成し、次いでそ
のフォトレジストパターンをマスクとし、非マスク領域
の無機質基体のエッチングを行い、微細回路を形成した
後、残存するフォトレジスト膜を完全に除去するという
一連の工程によって製造される。近年、半導体素子の高
集積化が進み、クォーターミクロン以下のパターン形成
が必要となってきた。このような加工寸法の超微細化に
伴い、配線材料も従来多用されてきたアルミニウムを主
成分とする素材では抵抗が高すぎて、回路を指定の速度
で動作させることが困難となってきたため、銅単体の利
用が高まりつつある。ところが、銅はアッシング等の酸
化によりフォトレジスト膜を除去する方法では著しく酸
化されてしまい、その特性の低抵抗が損なわれてしま
う。そこで、銅配線素材にダメージを与えることなくエ
ッチングにより変性したレジスト膜を除去することが極
めて重要となっている。
【０００３】フォトレジスト膜を除去する方法として、
例えば、特開平５−２８１７５３号公報には、アルカノ
ールアミンを主体とした剥離剤を使用することが記載さ
れている。しかしながら、近年、デバイスの超微細化に
伴い、塩素系ガスへのフッ素系ガスの添加、あるいは高
密度プラズマの使用等エッチング条件が厳しくなってき
ている。そのため、配線および絶縁膜等に使用される金
属成分やドライエッチングに使用されるハロゲン系ガス
がフォトレジスト中に大量に残留するようになり、不要
になったレジスト膜の除去が困難になってきた。このた
め、上記アルカノールアミンを主体とする剥離剤では容
易かつ短時間でフォトレジスト膜を除去できず、さらに
長時間剥離を行うことは配線材料に対して腐食が発生す
る等の様々な問題が生じてきた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記の課題を
解決するためになされたもので、被処理物表面の強固な
付着物を、被処理物にダメージを与えずに容易に除去す
ることができる洗浄剤及び洗浄方法を提供することを目
的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するため手段】本発明は、被処理物の表面
に高速で流すことにより該表面を洗浄する洗浄剤であっ
て、界面活性剤と有機溶剤とからなることを特徴とする
洗浄剤を提供するものである。また、本発明は、界面活
性剤と有機溶剤とからなる洗浄剤を被処理物の表面に高
速で流すことにより、該表面を洗浄することを特徴とす
る洗浄方法を提供するものである。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の洗浄剤及び洗浄方法は、
様々な被処理物、例えば半導体素子、液晶表示素子、光
ディスク、プリント基板、プラズマディスプレー、フィ
ールドエミッションディプレーなどの電子部品をはじめ
とする各種部品を洗浄対象とすることができる。本発明
の洗浄剤及び洗浄方法によれば、例えば、半導体基体上
に塗布されたレジスト膜をドライエッチング後に残存す
るレジスト膜、あるいはドライエッチング後にアッシン
グを行い残存するレジスト膜を剥離する際、界面活性剤
と有機溶剤とからなる洗浄剤を用いて、高速流洗浄する
ことにより、配線材料や絶縁膜等をまったく腐食するこ
となくレジスト膜を短時間で容易に剥離でき、さらにリ
ンス液としてアルコールのような有機溶媒を使用する必
要がなく水のみでリンスすることができる。本発明の洗
浄剤は、界面活性剤が０．０１〜２０重量％、有機溶剤
が８０〜９９．９重量％であることが好ましい。界面活
性剤が０．０１重量％では洗浄剤の洗浄力が不足して短
時間で残存フォトレジスト膜を除去できず、２０重量％
を超えると配線及び絶縁膜等材料を腐食する恐れがあ
る。
【０００７】前記界面活性剤としては、カチオン系、ノ
ニオン系、アニオン系及びフッ素系の界面活性剤が挙げ
られ、特に下記一般式 Ｒ1 Ｏ（ＣＨ2 ＣＨ2 Ｏ）m ＰＯ（ＯＲ2 ）（ＯＨ） 〔式中、Ｒ1 はアルキル基又はアルキルアリール基、Ｒ
2 はＨ又はＲ3 Ｏ（ＣＨ2 ＣＨ2 Ｏ）n 基、Ｒ3 はアル
キル基又はアルキルアリール基であり、Ｒ1 及びＲ3 は
同一でも異なっていてもよく、ｍ及びｎは整数であ
る。〕で表されるアニオン系のリン酸エステル系界面活
性剤が好ましく、例えばプライサーフＡ２０７Ｈ、Ａ２
１７Ｃ（第一工業製薬（株）、商品名) などが市販され
ている。界面活性剤は単独でも２種類以上組み合わせて
も使用でき、アニオン系界面活性剤とノニオン系界面活
性剤との混合物であっても良い。
【０００８】前記有機溶剤としては、例えば、エチレン
グリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモ
ノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエ
ーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジ
エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレング
リコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモ
ノエチルエーテルプロピレングリコールモノブチルエー
テエル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、
ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピ
レングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコ
ールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチ
ルエーテル等のエーテル系溶剤、ホルムアミド、モノメ
チルホルムアミド、ジメチルホルムアミド、モノエチル
ホルムアミド、ジエチルホルムアミド、アセトアミド、
モノメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ−
エチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド系溶剤、ジメ
チルスルホキシド、ジメチルスルホン、ジエチルスルホ
ン、ビス（２−ヒドロキシスルホン) 、テトラメチレン
スルホン等の硫黄化合物系溶剤、メタノール、エタノー
ル、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ヘキサ
ノール、１−ノナノール、シクロヘキサノール、ベンジ
ルアルコール等のアルコール系溶剤が挙げられる。これ
らの中で好ましくは、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−
ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド、Ｎ−メチルピロリドン、ジエチレングリコールモノ
メチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエー
テル、メタノール、ベンジルアルコールであり、さらに
好ましくはジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホ
ルムアミドである。上記有機溶剤は単独でも２種類以上
組み合わせても使用でき、ドライエッチング及び／又は
アッシングの条件等に応じて選択すればよい。
【０００９】本発明による洗浄液を使用する環境として
は密閉された、できる限り狭い空間において、例えば１
リットル未満の容積を確保できる空間、好ましくは２０
０ミリリットル未満の空間で、毎分液流量１リットル／
秒以上、好ましくは１５リットル／秒以上の流量が確保
できる空間により良好な結果を得ることができる。すな
わち、本発明の洗浄方法において、高速流洗浄の流速
は、好ましくは３〜１０００ｃｍ／秒、特に好ましくは
５〜１００ｃｍ／秒、さらに好ましくは５〜１０ｃｍ／
秒で半導体基体上の被処理物表面の残存物を除去する。
本発明は、このように洗浄力の強すぎない洗浄剤を使用
し、高速流洗浄を行うことにより、配線材料や絶縁膜等
をまったく腐食することなくレジスト膜を短時間で容易
に剥離できる。このような高速流洗浄が可能な洗浄装置
としては、例えば、図１に示すような浸漬枚葉型洗浄装
置を用いる。この洗浄装置は、密閉式処理槽２０におい
て、被洗浄物である半導体素子２１が配置される管を細
くすることにより、ポンプ８により循環させた洗浄液２
２の流速を高速にして洗浄するものである。
【００１０】本発明の洗浄方法を実施する際の温度は、
特に限定されないが、通常、常温〜９０℃の範囲であ
り、エッチングの条件や使用される半導体基体により適
宜選択すればよい。本発明の洗浄方法において使用でき
る半導体基体としては、例えば、ポリイミド、アクリル
等の有機材料、シリコン、非晶性−シリコン、ポリシリ
コン、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、アルミニウ
ム、アルミニウム合金、銅、銅合金、チタン、チタン−
タングステン、窒化チタン、タングステン、タンタル、
タンタル化合物、クロム、クロム酸化物、クロム合金、
ＩＴＯ（インジウム−錫酸化物) 等の半導体配線材料、
ガリウム−砒素、ガリウム−リン、インジウム−リン等
の化合物半導体、ＬＣＤのガラス基板等が挙げられる。
【００１１】本発明の洗浄方法は、半導体基体上に塗布
されたレジスト膜、又は半導体基体上に塗布されたレジ
スト膜のエッチング後に残存するレジスト膜を剥離する
際に使用され、必要に応じて超音波を併用することもで
きる。本発明の洗浄方法により、半導体基体上の被処理
物表面の残存物を剥離した後のリンスとしては、アルコ
ールのような有機溶剤を使用する必要はなく、水でリン
スするだけで十分である。
【００１２】
【実施例】実施例及び比較例により本発明をさらに具体
的に説明するが、本発明はこれらの実施例によりなんら
制限されるものではない。実施例及び比較例で使用した
半導体素子のサンプルは次のようにして製造した。図３
に示すように、下層銅配線体１上にＣＶＤ法によりシリ
コン窒化膜２とシリコン酸化膜３を順に堆積させた後、
レジスト４を塗布し通常のフォト技術を用いてレジスト
を加工し、その後ドライエッチング技術を使用してシリ
コン窒化膜２及びシリコン酸化膜３を所望のパターンに
エッチング加工した。
【００１３】実施例１〜１５及び比較例１〜６ 表１及び２に示す組成の洗浄剤を使用し、実施例１〜５
及び比較例１〜４については、流速が比較的遅い浸漬バ
ッチ型洗浄装置（図２参照）を使用し、実施例６〜１５
及び比較例５〜６については流速が速い浸漬枚葉型洗浄
装置（図１参照）を使用し、表１及び２に示す洗浄条件
で上記半導体素子を洗浄した。洗浄後、半導体素子を超
純水でリンスして乾燥した。その後、光学顕微鏡及び走
査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で表面状態を観察し、レジス
トの剥離性、銅配線体及びシリコン酸化膜の腐食性につ
いて下記の判断基準に従って評価した。その結果を表１
及び２に示す。
【００１４】（剥離性） ◎：完全に除去された。 ○：ほぼ完全に除去された。 △：一部残存していた。 ×：大部分残存していた。 （腐食性） ◎：腐食が全く認められなかった。 ○：腐食がほとんど認められなかった。 △：クレーター状あるいはピット状の腐食が認められ
た。 ×：銅層またはシリコン酸化膜の後退が認められた。
【００１５】
【表１】
【００１６】
【表２】
【００１７】表１に示したように、本発明の洗浄方法を
適用した実施例１〜１５においては、銅及びシリコン酸
化膜が全く腐食されることなく、レジスト剥離性も優れ
ていた。特に高速流で洗浄した実施例１１〜１５におい
ては、レジストが完全に除去された。
【００１８】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の洗
浄剤又は洗浄方法で被処理物を洗浄すると、リンス液と
してアルコールのような有機溶媒を使用する必要がな
く、水のみでリンスすることができ、被処理物表面の強
固な付着物を、被処理物にダメージを与えずに容易に除
去することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 高速流による半導体素子の洗浄を実施するた
めの浸漬枚葉型洗浄装置を示す図である。
【図２】 従来の半導体素子の洗浄を実施するための浸
漬バッチ型洗浄装置を示す図である。
【図３】 実施例及び比較例で使用した半導体素子を示
す図である。
【符号の説明】
１：下層銅配線体 ２：シリコン窒化膜 ３：シリコン酸化膜 ４：レジスト ８：ポンプ ９：フィルター ２０：密閉式処理槽 ２１：半導体素子 ２２：洗浄剤 ２３：洗浄槽 ２４：ウェハキャリアー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４７ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４７Ａ ６４７Ｂ (72)発明者 丹生谷 貴行 東京都港区赤坂５−３−６ＴＢＳ放送セン ター内東京エレクトロン株式会社 (72)発明者 森 宏幸 山梨県韮崎市穂坂町三ツ沢650 東京エレ クトロン株式会社内 (72)発明者 松永 裕嗣 茨城県つくば市和台22 三菱瓦斯化学株式 会社総合研究所内 (72)発明者 石原 福三郎 茨城県つくば市和台22 三菱瓦斯化学株式 会社総合研究所内 (72)発明者 木村 善哉 茨城県つくば市和台22 三菱瓦斯化学株式 会社総合研究所内 (72)発明者 外赤 隆二 茨城県つくば市和台22 三菱瓦斯化学株式 会社総合研究所内 (72)発明者 後藤 拓也 茨城県つくば市和台22 三菱瓦斯化学株式 会社総合研究所内 (72)発明者 青山 哲男 新潟県新潟市太夫浜新割182 三菱瓦斯化 学株式会社新潟研究所内 (72)発明者 安部 幸次郎 新潟県新潟市太夫浜新割182 三菱瓦斯化 学株式会社新潟研究所内 Ｆターム(参考） 3B201 AA03 AA46 AB01 BB05 BB82 BB90 BB92 BB93 BB94 BB95 CB01 CC01 CC21 4H003 AB39 BA12 DA15 ED29 ED31 ED32 FA15

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 被処理物の表面に高速で流すことにより
    該表面を洗浄する洗浄剤であって、界面活性剤と有機溶
    剤とからなることを特徴とする洗浄剤。
  2. 【請求項２】 前記被処理物が半導体素子又は液晶表示
    素子であることを特徴とする請求項１に記載の洗浄剤。
  3. 【請求項３】 前記界面活性剤が０．０１〜２０重量
    ％、前記有機溶剤が８０〜９９．９重量％であることを
    特徴とする請求項１又は２に記載の洗浄剤。
  4. 【請求項４】 前記界面活性剤が、少なくともアニオン
    系界面活性剤を含むことを特徴とする請求項１〜３のい
    ずれかに記載の洗浄剤。
  5. 【請求項５】 前記界面活性剤が、ノニオン系界面活性
    剤を含むことを特徴とする請求項４に記載の洗浄剤。
  6. 【請求項６】 前記有機溶剤が、アミド系溶剤又は硫黄
    化合物系溶剤であることを特徴とする請求項１〜５のい
    ずれかに記載の洗浄剤。
  7. 【請求項７】 界面活性剤と有機溶剤とからなる洗浄剤
    を被処理物の表面に高速で流すことにより、該表面を洗
    浄することを特徴とする洗浄方法。
  8. 【請求項８】 前記被処理物が半導体素子であることを
    特徴とする請求項７に記載の洗浄方法。
  9. 【請求項９】 前記洗浄剤の被処理物の表面における流
    速が３〜１０００ｃｍ／秒であることを特徴とする請求
    項７又は８に記載の洗浄方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008075090A (ja) * 2002-04-18 2008-04-03 Lion Corp 液晶パネル用水系液体洗浄剤組成物

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002114993A (ja) * 2000-10-10 2002-04-16 Tokyo Electron Ltd 洗浄剤及び洗浄方法
KR101274531B1 (ko) * 2005-06-20 2013-06-13 도레이 카부시키가이샤 전자파 실드 시트의 제조 방법, 이 방법에 의해 제조된전자파 실드 시트, 그리고 이를 사용한 필터 및 디스플레이
KR101171190B1 (ko) 2005-11-02 2012-08-06 삼성전자주식회사 표시장치의 제조방법과 이에 사용되는 몰드
CA2654120A1 (en) * 2008-02-13 2009-08-13 Lubrication Technologies, Inc. Aqueous cleaning composition
WO2011101661A1 (en) 2010-02-16 2011-08-25 Insight Health Limited Compositions comprising a germinant and an antimicrobial agent
KR102506217B1 (ko) * 2016-10-24 2023-03-06 동우 화인켐 주식회사 아크릴계 수지 제거용 조성물
KR101951860B1 (ko) * 2017-02-14 2019-02-26 동우 화인켐 주식회사 마스크 세정액 조성물
CN107243363A (zh) * 2017-05-10 2017-10-13 浙江大学 用于生化实验的玻璃片清洗保存系统

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0468095A (ja) * 1990-07-09 1992-03-03 Asahi Chem Ind Co Ltd フラックス洗浄剤
JPH0562960A (ja) * 1991-09-04 1993-03-12 Hitachi Ltd 液処理槽および液処理装置
JPH11133628A (ja) * 1997-10-30 1999-05-21 Tokuyama Corp フォトレジスト洗浄除去剤

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE8206447L (sv) 1981-11-24 1983-05-25 Occidental Chem Co Avmetalliseringskomposition och -forfarande
US4536267A (en) * 1983-04-01 1985-08-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Plastic lens of neopentyl glycol dimethacrylate copolymerized with methoxy diethylene glycol methacrylate or diethylene glycol dimethacrylate
US4911761A (en) * 1984-05-21 1990-03-27 Cfm Technologies Research Associates Process and apparatus for drying surfaces
US4778532A (en) * 1985-06-24 1988-10-18 Cfm Technologies Limited Partnership Process and apparatus for treating wafers with process fluids
US4983224A (en) * 1988-10-28 1991-01-08 Rd Chemical Company Cleaning compositions and methods for removing soldering flux
US5039349A (en) * 1990-05-18 1991-08-13 Veriflo Corporation Method and apparatus for cleaning surfaces to absolute or near-absolute cleanliness
JPH0459086A (ja) * 1990-06-25 1992-02-25 Hitachi Ltd 洗浄装置
US5090432A (en) * 1990-10-16 1992-02-25 Verteq, Inc. Single wafer megasonic semiconductor wafer processing system
JP3165435B2 (ja) 1990-11-17 2001-05-14 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置
US5445706A (en) * 1993-04-14 1995-08-29 Stanley Electric Co., Ltd. Wet treatment adapted for mirror etching ZnSe
US5411595A (en) * 1993-07-13 1995-05-02 Mcgean-Rohco, Inc. Post-etch, printed circuit board cleaning process
US5556479A (en) * 1994-07-15 1996-09-17 Verteq, Inc. Method and apparatus for drying semiconductor wafers
TW386235B (en) 1995-05-23 2000-04-01 Tokyo Electron Ltd Method for spin rinsing
JP3504023B2 (ja) 1995-05-26 2004-03-08 株式会社ルネサステクノロジ 洗浄装置および洗浄方法
TW416987B (en) 1996-06-05 2001-01-01 Wako Pure Chem Ind Ltd A composition for cleaning the semiconductor substrate surface
JPH1055993A (ja) * 1996-08-09 1998-02-24 Hitachi Ltd 半導体素子製造用洗浄液及びそれを用いた半導体素子の製造方法
US6030932A (en) 1996-09-06 2000-02-29 Olin Microelectronic Chemicals Cleaning composition and method for removing residues
JP3603173B2 (ja) 1996-11-27 2004-12-22 東洋ゴム工業株式会社 液体封入式防振装置
JPH11323394A (ja) * 1998-05-14 1999-11-26 Texas Instr Japan Ltd 半導体素子製造用洗浄剤及びそれを用いた半導体素子の製造方法
JP2000091289A (ja) 1998-09-10 2000-03-31 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法
TW574634B (en) * 1998-11-13 2004-02-01 Kao Corp Stripping composition for resist
JP4224652B2 (ja) 1999-03-08 2009-02-18 三菱瓦斯化学株式会社 レジスト剥離液およびそれを用いたレジストの剥離方法
JP2000284506A (ja) * 1999-03-31 2000-10-13 Sharp Corp フォトレジスト剥離剤組成物および剥離方法
US20010054706A1 (en) 1999-07-19 2001-12-27 Joseph A. Levert Compositions and processes for spin etch planarization
JP2002113431A (ja) * 2000-10-10 2002-04-16 Tokyo Electron Ltd 洗浄方法
JP2002114993A (ja) * 2000-10-10 2002-04-16 Tokyo Electron Ltd 洗浄剤及び洗浄方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0468095A (ja) * 1990-07-09 1992-03-03 Asahi Chem Ind Co Ltd フラックス洗浄剤
JPH0562960A (ja) * 1991-09-04 1993-03-12 Hitachi Ltd 液処理槽および液処理装置
JPH11133628A (ja) * 1997-10-30 1999-05-21 Tokuyama Corp フォトレジスト洗浄除去剤

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008075090A (ja) * 2002-04-18 2008-04-03 Lion Corp 液晶パネル用水系液体洗浄剤組成物

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Publication number Publication date
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