JP2000284506A - フォトレジスト剥離剤組成物および剥離方法 - Google Patents
フォトレジスト剥離剤組成物および剥離方法Info
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- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
- H01L21/76807—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics for dual damascene structures
- H01L21/76808—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics for dual damascene structures involving intermediate temporary filling with material
Abstract
(57)【要約】
【課題】 無機質基体上に塗布されたフォトレジスト
膜、エッチング後に残存するフォトレジストおよびフォ
トレジスト残渣を短時間で容易に剥離でき、その際、各
種半導体層材料、配線材料、絶縁膜材料等を全く腐食し
ないフォトレジスト剥離物組成物を提供すること。 【解決手段】 （１）含窒素有機ヒドロキシル化合物、
（２）一般式ＨＯ−（Ｃp Ｈ2pＯ）q −Ｒ（Ｒは炭素数
１〜４のアルキル基、ｐは２又は３、ｑは１，２又は３
をそれぞれ示す）で表されるアルキレングリコールモノ
アルキルエーテル、（３）糖類または糖アルコール類、
（４）リン含有化合物および（５）水からなるフォトレ
ジスト剥離剤組成物および該組成物を用いるフォトレジ
スト剥離方法である。
膜、エッチング後に残存するフォトレジストおよびフォ
トレジスト残渣を短時間で容易に剥離でき、その際、各
種半導体層材料、配線材料、絶縁膜材料等を全く腐食し
ないフォトレジスト剥離物組成物を提供すること。 【解決手段】 （１）含窒素有機ヒドロキシル化合物、
（２）一般式ＨＯ−（Ｃp Ｈ2pＯ）q −Ｒ（Ｒは炭素数
１〜４のアルキル基、ｐは２又は３、ｑは１，２又は３
をそれぞれ示す）で表されるアルキレングリコールモノ
アルキルエーテル、（３）糖類または糖アルコール類、
（４）リン含有化合物および（５）水からなるフォトレ
ジスト剥離剤組成物および該組成物を用いるフォトレジ
スト剥離方法である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はフォトレジスト剥離
剤組成物および剥離方法に関し、さらに詳しくは各種液
晶表示素子や半導体素子の製造工程においてフォトレジ
スト層を剥離するための剥離剤組成物およびフォトレジ
スト剥離方法に関するものである。
剤組成物および剥離方法に関し、さらに詳しくは各種液
晶表示素子や半導体素子の製造工程においてフォトレジ
スト層を剥離するための剥離剤組成物およびフォトレジ
スト剥離方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の製造は、無機質基体上にフ
ォトレジストを塗布し、露光、現像によりパターンを形
成し、次いで該フォトレジストパターンをマスクとし、
その後非マスク領域の無機質基体のエッチングを行い、
微細回路を形成した後、上記フォトレジスト膜を無機質
基体から剥離する方法、あるいは同様にして微細回路を
形成した後、アッシング（灰化処理）を行い、しかる後
に残存するレジスト残渣物を無機質基体から剥離する方
法によって行われる。近年、ＬＣＤ（液晶ディスプレ
イ）、特にＴＦＴ−ＬＣＤ（薄膜トランジスター液晶デ
ィスプレイ）においては、基板サイズが大きくなる傾向
があり、そのため、配線材料や絶縁膜材料の成膜、レジ
スト塗布による成膜時の不均一によるトラブル、さらに
露光、現像およびエッチング時の不均一化によるトラブ
ルが多発し、製品の不良率を増大させている。
ォトレジストを塗布し、露光、現像によりパターンを形
成し、次いで該フォトレジストパターンをマスクとし、
その後非マスク領域の無機質基体のエッチングを行い、
微細回路を形成した後、上記フォトレジスト膜を無機質
基体から剥離する方法、あるいは同様にして微細回路を
形成した後、アッシング（灰化処理）を行い、しかる後
に残存するレジスト残渣物を無機質基体から剥離する方
法によって行われる。近年、ＬＣＤ（液晶ディスプレ
イ）、特にＴＦＴ−ＬＣＤ（薄膜トランジスター液晶デ
ィスプレイ）においては、基板サイズが大きくなる傾向
があり、そのため、配線材料や絶縁膜材料の成膜、レジ
スト塗布による成膜時の不均一によるトラブル、さらに
露光、現像およびエッチング時の不均一化によるトラブ
ルが多発し、製品の不良率を増大させている。
【０００３】特に成膜の不均一化に起因して、ウエット
エッチング時には、成膜が欠落することによりダストが
発生し、あるいはドライエッチング時には、レジスト残
渣物によるダストが発生する。これらのダストは、レジ
スト剥離の際にフォトレジスト剥離液を用いても除去す
ることができず、場合によっては次工程で形成される薄
膜との密着不良を引き起こす原因となるため、最終的に
は製品の不良につながる。従来、上記薄膜のドライエッ
チング後のフォトレジスト剥離方法に関して、特開昭６
２−４９３５５号公報、特開昭６２−９５５３１号公
報、特開昭６４−９８１９４９号公報、特開昭６４−８
１９５０号公報および特開平５−２７３７６８号公報等
には、アミノアルコールを含有するフォトレジスト剥離
液が例示されているが、これらのフォトレジスト剥離液
では、エッチング時に発生するダスト等の除去には、何
ら効果が認められていない。従って、上記問題を解決す
るためには、レジスト層、レジスト残渣物、さらにエッ
チング時に発生するダスト等を容易に剥離することがで
き、かつ液晶表示素子や半導体素子の製造に使用される
材料等を全く腐食しない高性能のフォトレジスト剥離液
が要求されている。
エッチング時には、成膜が欠落することによりダストが
発生し、あるいはドライエッチング時には、レジスト残
渣物によるダストが発生する。これらのダストは、レジ
スト剥離の際にフォトレジスト剥離液を用いても除去す
ることができず、場合によっては次工程で形成される薄
膜との密着不良を引き起こす原因となるため、最終的に
は製品の不良につながる。従来、上記薄膜のドライエッ
チング後のフォトレジスト剥離方法に関して、特開昭６
２−４９３５５号公報、特開昭６２−９５５３１号公
報、特開昭６４−９８１９４９号公報、特開昭６４−８
１９５０号公報および特開平５−２７３７６８号公報等
には、アミノアルコールを含有するフォトレジスト剥離
液が例示されているが、これらのフォトレジスト剥離液
では、エッチング時に発生するダスト等の除去には、何
ら効果が認められていない。従って、上記問題を解決す
るためには、レジスト層、レジスト残渣物、さらにエッ
チング時に発生するダスト等を容易に剥離することがで
き、かつ液晶表示素子や半導体素子の製造に使用される
材料等を全く腐食しない高性能のフォトレジスト剥離液
が要求されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、各種液晶表
示素子や半導体素子の製造工程において、無機質基体上
に形成されたフォトレジスト層、フォトレジスト残渣物
およびエッチング時に発生するダスト等を容易に剥離す
ることができ、しかもその際に、使用される各種半導体
層材料、導電性材料あるいは絶縁膜材料等を腐食する恐
れのないフォトレジスト剥離剤およびフォトレジスト剥
離方法を提供することを目的とするものである。
示素子や半導体素子の製造工程において、無機質基体上
に形成されたフォトレジスト層、フォトレジスト残渣物
およびエッチング時に発生するダスト等を容易に剥離す
ることができ、しかもその際に、使用される各種半導体
層材料、導電性材料あるいは絶縁膜材料等を腐食する恐
れのないフォトレジスト剥離剤およびフォトレジスト剥
離方法を提供することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記従来
技術における種々の問題点を解決すべく鋭意検討を行っ
た結果、（１）含窒素有機ヒドロキシル化合物、（２）
特定のアルキレングリコールモノアルキルエーテル、
（３）糖類または糖アルコール類、（４）リン含有化合
物および（５）水からなるフォトレジスト剥離剤組成物
が、フォトレジスト膜、フォトレジスト層、フォトレジ
スト残渣、さらにはエッチング時に発生するダスト等を
低温、短時間で完全に除去することができ、かつ各種材
料を全く腐食しないことを見出した。本発明は、かかる
知見に基いて完成したものである。すなわち、本発明
は、（１）含窒素有機ヒドロキシル化合物、（２）一般
式ＨＯ−（Ｃp Ｈ2pＯ）q −Ｒ（Ｒは炭素数１〜４のア
ルキル基、ｐは２又は３、ｑは１，２又は３をそれぞれ
示す）で表されるアルキレングリコールモノアルキルエ
ーテル、（３）糖類または糖アルコール類、（４）リン
含有化合物および（５）水からなるフォトレジスト剥離
剤組成物を提供するものである。また、本発明は、この
剥離剤組成物を用いたフォトレジスト剥離方法を提供す
るものである。
技術における種々の問題点を解決すべく鋭意検討を行っ
た結果、（１）含窒素有機ヒドロキシル化合物、（２）
特定のアルキレングリコールモノアルキルエーテル、
（３）糖類または糖アルコール類、（４）リン含有化合
物および（５）水からなるフォトレジスト剥離剤組成物
が、フォトレジスト膜、フォトレジスト層、フォトレジ
スト残渣、さらにはエッチング時に発生するダスト等を
低温、短時間で完全に除去することができ、かつ各種材
料を全く腐食しないことを見出した。本発明は、かかる
知見に基いて完成したものである。すなわち、本発明
は、（１）含窒素有機ヒドロキシル化合物、（２）一般
式ＨＯ−（Ｃp Ｈ2pＯ）q −Ｒ（Ｒは炭素数１〜４のア
ルキル基、ｐは２又は３、ｑは１，２又は３をそれぞれ
示す）で表されるアルキレングリコールモノアルキルエ
ーテル、（３）糖類または糖アルコール類、（４）リン
含有化合物および（５）水からなるフォトレジスト剥離
剤組成物を提供するものである。また、本発明は、この
剥離剤組成物を用いたフォトレジスト剥離方法を提供す
るものである。
【０００６】本発明に使用される（１）含窒素有機ヒド
ロキシル化合物としては、各種のものがあり特に限定さ
れるものではないが、モノエタノールアミン、ジエタノ
ールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノ
ールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ−
エチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノール
アミン、プロパノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパ
ノールアミン、Ｎ−エチルプロパノールアミン、Ｎ，Ｎ
−ジエチルプロパノールアミン、２−（２−アミノエト
キシ）エタノール、Ｎ−ヒドロキシエチルピペラジン、
４−（２−ヒドロキシエチル）モルホリン、２−（２−
ヒドロキシエチル）ピリジン、２−ピペリジンメタノー
ル、Ｎ−メチル−４−ピペリジノール等が挙げられる。
本発明においては、このうちモノエタノールアミン、Ｎ
−メチルエタノールアミン、２−（２−アミノエトキ
シ）エタノール、４−（２−ヒドロキシエチル）モルホ
リンが好適である。
ロキシル化合物としては、各種のものがあり特に限定さ
れるものではないが、モノエタノールアミン、ジエタノ
ールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノ
ールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ−
エチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノール
アミン、プロパノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパ
ノールアミン、Ｎ−エチルプロパノールアミン、Ｎ，Ｎ
−ジエチルプロパノールアミン、２−（２−アミノエト
キシ）エタノール、Ｎ−ヒドロキシエチルピペラジン、
４−（２−ヒドロキシエチル）モルホリン、２−（２−
ヒドロキシエチル）ピリジン、２−ピペリジンメタノー
ル、Ｎ−メチル−４−ピペリジノール等が挙げられる。
本発明においては、このうちモノエタノールアミン、Ｎ
−メチルエタノールアミン、２−（２−アミノエトキ
シ）エタノール、４−（２−ヒドロキシエチル）モルホ
リンが好適である。
【０００７】本発明の組成物において、これらの（１）
含窒素有機ヒドロキシル化合物の含有量は、様々に選定
できるが、組成物全体の３０〜８０重量％とすることが
好ましく、特に好ましくは４０〜６０重量％の範囲であ
る。この（１）含窒素有機ヒドロキシル化合物の含有量
が少なすぎると、フォトレジストの剥離速度が遅く、ま
た多すぎる場合には、配線材料の腐食を防止できない場
合がある。
含窒素有機ヒドロキシル化合物の含有量は、様々に選定
できるが、組成物全体の３０〜８０重量％とすることが
好ましく、特に好ましくは４０〜６０重量％の範囲であ
る。この（１）含窒素有機ヒドロキシル化合物の含有量
が少なすぎると、フォトレジストの剥離速度が遅く、ま
た多すぎる場合には、配線材料の腐食を防止できない場
合がある。
【０００８】本発明に使用される（２）アルキレングリ
コールモノアルキルエーテルは、一般式ＨＯ−（Ｃp Ｈ
2pＯ）q −Ｒ（Ｒは炭素数１〜４のアルキル基、ｐは２
又は３、ｑは１，２又は３をそれぞれ示す）で表され、
具体的にはエチレングリコールモノエチルエーテル、エ
チレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリ
コールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノ
エチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエー
テル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエ
チレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリ
コールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモ
ノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチル
エーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテ
ル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジ
プロピレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレ
ングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコ
ールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノ
プロピルエーテル、トリエチレングリコールモノブチル
エーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテ
ル、トリプロピレングリコールモノエチルエーテル、ト
リプロピレングリコールモノプロピルエーテル、トリプ
ロピレンモノブチルエーテル等が挙げられる。
コールモノアルキルエーテルは、一般式ＨＯ−（Ｃp Ｈ
2pＯ）q −Ｒ（Ｒは炭素数１〜４のアルキル基、ｐは２
又は３、ｑは１，２又は３をそれぞれ示す）で表され、
具体的にはエチレングリコールモノエチルエーテル、エ
チレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリ
コールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノ
エチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエー
テル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエ
チレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリ
コールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモ
ノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチル
エーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテ
ル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジ
プロピレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレ
ングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコ
ールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノ
プロピルエーテル、トリエチレングリコールモノブチル
エーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテ
ル、トリプロピレングリコールモノエチルエーテル、ト
リプロピレングリコールモノプロピルエーテル、トリプ
ロピレンモノブチルエーテル等が挙げられる。
【０００９】本発明の組成物において、これらの（２）
アルキレングリコールアルキルエーテルの含有量は、各
種の状況に応じて様々に選定できるが、組成物全体の５
〜４０重量％であることが好ましく、特に好ましくは１
５〜３０重量％の範囲である。アルキレングリコールア
ルキルエーテルの含有量が少なすぎると、配線材料の腐
食が進行する場合があり、また多すぎる場合には、フォ
トレジストの剥離速度が低下する場合がある。
アルキレングリコールアルキルエーテルの含有量は、各
種の状況に応じて様々に選定できるが、組成物全体の５
〜４０重量％であることが好ましく、特に好ましくは１
５〜３０重量％の範囲である。アルキレングリコールア
ルキルエーテルの含有量が少なすぎると、配線材料の腐
食が進行する場合があり、また多すぎる場合には、フォ
トレジストの剥離速度が低下する場合がある。
【００１０】本発明においては（３）糖類または糖アル
コール類が使用されるが、ここで糖類としては、単糖
類、多糖類等の糖類、具体的には、例えば炭素数３〜６
のグリセリンアルデヒド、トレオース、アラビノース、
キシロース、リボース、リブロース、キシルロース、グ
ルコース、マンノース、ガラクトース、タガトース、ア
ロース、アルトロース、グロース、イドース、タロー
ス、ソルボース、プシコース、果糖等が挙げられる。ま
た、糖アルコール類としては、トレイトール、エリトリ
トール、アドニトール、アラビトール、キシリトール、
タリトール、ソルビトール、マンニトール、イジトー
ル、ズルシトール等が挙げられる。これらのうち、グル
コース、マンノース、ガラクトース、ソルビトール、マ
ンニトール、キシリトール等が溶解性あるいは分解性な
どの点から好適である。
コール類が使用されるが、ここで糖類としては、単糖
類、多糖類等の糖類、具体的には、例えば炭素数３〜６
のグリセリンアルデヒド、トレオース、アラビノース、
キシロース、リボース、リブロース、キシルロース、グ
ルコース、マンノース、ガラクトース、タガトース、ア
ロース、アルトロース、グロース、イドース、タロー
ス、ソルボース、プシコース、果糖等が挙げられる。ま
た、糖アルコール類としては、トレイトール、エリトリ
トール、アドニトール、アラビトール、キシリトール、
タリトール、ソルビトール、マンニトール、イジトー
ル、ズルシトール等が挙げられる。これらのうち、グル
コース、マンノース、ガラクトース、ソルビトール、マ
ンニトール、キシリトール等が溶解性あるいは分解性な
どの点から好適である。
【００１１】本発明の組成物において、これら（３）糖
類または糖アルコールの含有量は、各種の状況に応じて
様々に選定できるが、組成物全体の0.１〜１５重量％で
あることが好ましく、特に好ましくは１〜１０重量％の
範囲である。糖類または糖アルコールの含有量が少なす
ぎると、配線材料の腐食を充分に防止できない場合があ
る。一方、多すぎる場合には、格別な利点はなく、経済
的な面から得策でない。
類または糖アルコールの含有量は、各種の状況に応じて
様々に選定できるが、組成物全体の0.１〜１５重量％で
あることが好ましく、特に好ましくは１〜１０重量％の
範囲である。糖類または糖アルコールの含有量が少なす
ぎると、配線材料の腐食を充分に防止できない場合があ
る。一方、多すぎる場合には、格別な利点はなく、経済
的な面から得策でない。
【００１２】また、本発明に使用される（４）リン含有
化合物としては、リン酸類、リン酸エステル系界面活性
剤、ホスホン酸系キレート剤が挙げられる。具体的に
は、リン酸類としては、正リン酸、次リン酸、亜リン
酸、次亜リン酸等のリン酸類、ピロリン酸、トリメタリ
ン酸、テトラメタリン酸、正亜リン酸、ポリメタ亜 リ
ン酸等が拳げられる。また、これらのリン酸類のアンモ
ニウム塩、アミン塩、第四級アンモニウム塩等も使用で
きる。リン酸エステル系界面活性剤としては、例えば一
般式（１）
化合物としては、リン酸類、リン酸エステル系界面活性
剤、ホスホン酸系キレート剤が挙げられる。具体的に
は、リン酸類としては、正リン酸、次リン酸、亜リン
酸、次亜リン酸等のリン酸類、ピロリン酸、トリメタリ
ン酸、テトラメタリン酸、正亜リン酸、ポリメタ亜 リ
ン酸等が拳げられる。また、これらのリン酸類のアンモ
ニウム塩、アミン塩、第四級アンモニウム塩等も使用で
きる。リン酸エステル系界面活性剤としては、例えば一
般式（１）
【００１３】
【化１】
【００１４】（式中Ｒ1 は、炭素数１〜３０のアルキル
基または炭素数７〜３０のアルキルアリール基、ａは１
〜２００の整数である）及び一般式（２）
基または炭素数７〜３０のアルキルアリール基、ａは１
〜２００の整数である）及び一般式（２）
【００１５】
【化２】
【００１６】（式中Ｒ2 およびＲ3 はそれぞれ炭素数１
〜３０のアルキル基または炭素数７〜３０のアルキルア
リール基であり、それらは同一であっても、異なってい
てもよく、ｂは１〜２００の整数およびｃは１〜２００
の整数である。）で表されるリン酸エステル系界面活性
剤が挙げられる。上記一般式（１）または（２）におい
て、アルキル基としては炭素数２〜１２のものが好まし
く、またアルキルアリール基としては炭素数１４〜１８
のものが好ましい。ここでリン酸エステル系界面活性剤
としては、例えばアデカコール（旭電化工業株式会社
製）、プライサーフ（第一工業製薬株式会社製）、フォ
スファノール（東邦化学工業株式会社製）、ニューコー
ル、アントックス（以上、日本乳化剤株式会社製）など
が市販されており、好適に使用できる。さらにホスホン
酸系キレート剤としては、メチルジホスホン酸、ヒドロ
キシエタンジホスホン酸、アミノトリスメチレンホスホ
ン酸、エチリデンジホスホン酸、１‐ヒドロキシエチリ
デン‐１、１‐ジホスホン酸、１‐ヒドロキシプロピリ
デン‐１、１ジホスホン酸、エチルアミノビスメチレン
ホスホン酸、ドデシルアミノビスメチレンホスホン酸、
ニトリロトリスメチレンホスホン酸、エチレンジアミン
ビスメチレンホスホン酸、エチレンジアミンテトラキス
メチレンホスホン酸、ヘキセンジアミンテトラキスメチ
レンホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタメチレン
ホスホン酸、１、２‐プロパンジアミンテトラメチレン
ホスホン酸等のホスホン酸類、あるいはこれらのアンモ
ニウム塩、アルカリ金属塩、有機アミン塩等、分子中に
ホスホン酸基またはその塩を１以上有するキレート剤が
挙げられ、それらの酸化体としては、これらホスホン酸
系キレート剤の内、その分子中に窒素分子を有するもの
が酸化されてＮ−オキシド体となっているものが挙げら
れる。
〜３０のアルキル基または炭素数７〜３０のアルキルア
リール基であり、それらは同一であっても、異なってい
てもよく、ｂは１〜２００の整数およびｃは１〜２００
の整数である。）で表されるリン酸エステル系界面活性
剤が挙げられる。上記一般式（１）または（２）におい
て、アルキル基としては炭素数２〜１２のものが好まし
く、またアルキルアリール基としては炭素数１４〜１８
のものが好ましい。ここでリン酸エステル系界面活性剤
としては、例えばアデカコール（旭電化工業株式会社
製）、プライサーフ（第一工業製薬株式会社製）、フォ
スファノール（東邦化学工業株式会社製）、ニューコー
ル、アントックス（以上、日本乳化剤株式会社製）など
が市販されており、好適に使用できる。さらにホスホン
酸系キレート剤としては、メチルジホスホン酸、ヒドロ
キシエタンジホスホン酸、アミノトリスメチレンホスホ
ン酸、エチリデンジホスホン酸、１‐ヒドロキシエチリ
デン‐１、１‐ジホスホン酸、１‐ヒドロキシプロピリ
デン‐１、１ジホスホン酸、エチルアミノビスメチレン
ホスホン酸、ドデシルアミノビスメチレンホスホン酸、
ニトリロトリスメチレンホスホン酸、エチレンジアミン
ビスメチレンホスホン酸、エチレンジアミンテトラキス
メチレンホスホン酸、ヘキセンジアミンテトラキスメチ
レンホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタメチレン
ホスホン酸、１、２‐プロパンジアミンテトラメチレン
ホスホン酸等のホスホン酸類、あるいはこれらのアンモ
ニウム塩、アルカリ金属塩、有機アミン塩等、分子中に
ホスホン酸基またはその塩を１以上有するキレート剤が
挙げられ、それらの酸化体としては、これらホスホン酸
系キレート剤の内、その分子中に窒素分子を有するもの
が酸化されてＮ−オキシド体となっているものが挙げら
れる。
【００１７】本発明の組成物において、これら（４）リ
ン含有化合物は一種類を使用してもよく、二種類以上使
用しても何等差し支えない。これらリン含有化合物の含
有量は、様々であり適宜状況に応じて選定すればよい
が、組成物全体の0.０１〜１０重量％であることが好ま
しく、特に好ましくは0.１〜５重量％の範囲である。リ
ン含有化合物の含有量が少なすぎると、レジスト残渣物
の処理ができない場合がある。一方、多すぎるとフォト
レジストの除去性を低下させるという不都合が生じやす
い。
ン含有化合物は一種類を使用してもよく、二種類以上使
用しても何等差し支えない。これらリン含有化合物の含
有量は、様々であり適宜状況に応じて選定すればよい
が、組成物全体の0.０１〜１０重量％であることが好ま
しく、特に好ましくは0.１〜５重量％の範囲である。リ
ン含有化合物の含有量が少なすぎると、レジスト残渣物
の処理ができない場合がある。一方、多すぎるとフォト
レジストの除去性を低下させるという不都合が生じやす
い。
【００１８】本発明の組成物は、上記（１）〜（４）成
分と残部の（５）水よりなる水性組成物であり、その状
態は分散液あるいは懸濁液であってもよいが、通常は水
溶液である。また、本発明の組成物には、さらに所望に
より、また本発明の目的を損なわない範囲で従来からフ
ォトレジスト剥離剤に使用されている添加成分を配合す
ることもできる。
分と残部の（５）水よりなる水性組成物であり、その状
態は分散液あるいは懸濁液であってもよいが、通常は水
溶液である。また、本発明の組成物には、さらに所望に
より、また本発明の目的を損なわない範囲で従来からフ
ォトレジスト剥離剤に使用されている添加成分を配合す
ることもできる。
【００１９】本発明の方法は、上記組成物を用いてフォ
トレジストを剥離するものであるが、特に半導体集積回
路または液晶表示装置の製造において使用される無機質
基体上に塗布されたフォトレジスト膜を剥離する方法で
ある。ここで無機質基体としては各種のものがあるが、
例えば、シリコン、非晶性シリコン、ポリシリコン、シ
リコン酸化膜、シリコン窒化膜、アルミニウム、アルミ
ニウム合金、チタン、チタン−タングステン、窒化チタ
ン、タングステン、タンタル、タンタル化合物、タンタ
ル合金、クロム、クロム酸化物、クロム合金、ＩＴＯ
（インジウム−錫酸化物）等、半導体配線材料あるいは
ガリウム−砒素、ガリウム−リン、インジウム−リン等
の化合物半導体、さらにＬＣＤのガラス基板等が挙げら
れる。
トレジストを剥離するものであるが、特に半導体集積回
路または液晶表示装置の製造において使用される無機質
基体上に塗布されたフォトレジスト膜を剥離する方法で
ある。ここで無機質基体としては各種のものがあるが、
例えば、シリコン、非晶性シリコン、ポリシリコン、シ
リコン酸化膜、シリコン窒化膜、アルミニウム、アルミ
ニウム合金、チタン、チタン−タングステン、窒化チタ
ン、タングステン、タンタル、タンタル化合物、タンタ
ル合金、クロム、クロム酸化物、クロム合金、ＩＴＯ
（インジウム−錫酸化物）等、半導体配線材料あるいは
ガリウム−砒素、ガリウム−リン、インジウム−リン等
の化合物半導体、さらにＬＣＤのガラス基板等が挙げら
れる。
【００２０】本発明のフォトレジスト剥離剤は、無機質
基体上に塗布されたフォトレジスト膜、または、無機質
基体上に塗布されたフォトレジスト膜をエッチング後に
残存するフォトレジスト層、あるいはエッチング後にア
ッシングを行い残存するフォトレジスト残渣物等を剥離
する際に用いられ、これらの剥離を行う際には必要に応
じて適宜加熱あるいは超音波等を併用することができ
る。また本発明の剥離剤組成物による処理方法は、浸漬
法が一般的であるが、その他の方法、例えばスプレーに
よる方法を使用してもよい。本発明による剥離剤の処理
後のリンスとしては、アルコール等の有機溶媒を使用し
てもよく、あるいは水でリンスを行ってもよい。
基体上に塗布されたフォトレジスト膜、または、無機質
基体上に塗布されたフォトレジスト膜をエッチング後に
残存するフォトレジスト層、あるいはエッチング後にア
ッシングを行い残存するフォトレジスト残渣物等を剥離
する際に用いられ、これらの剥離を行う際には必要に応
じて適宜加熱あるいは超音波等を併用することができ
る。また本発明の剥離剤組成物による処理方法は、浸漬
法が一般的であるが、その他の方法、例えばスプレーに
よる方法を使用してもよい。本発明による剥離剤の処理
後のリンスとしては、アルコール等の有機溶媒を使用し
てもよく、あるいは水でリンスを行ってもよい。
【００２１】このような本発明のフォトレジスト剥離剤
組成物を使用することにより、無機質基体上に塗布され
たフォトレジスト膜、または無機質基体上に塗布された
フォトレジスト膜をエッチングした後に残存するフォト
レジスト層、あるいはエッチングを行い、アッシングを
行った後に残存するフォトレジスト残渣物、さらにエッ
チング時に発生するダスト等を低温で、かつ短時間に容
易に剥離でき、その際配線材料を全く腐食せずに微細加
工が可能であり、高精度、高品質の回路配線を製造でき
る。
組成物を使用することにより、無機質基体上に塗布され
たフォトレジスト膜、または無機質基体上に塗布された
フォトレジスト膜をエッチングした後に残存するフォト
レジスト層、あるいはエッチングを行い、アッシングを
行った後に残存するフォトレジスト残渣物、さらにエッ
チング時に発生するダスト等を低温で、かつ短時間に容
易に剥離でき、その際配線材料を全く腐食せずに微細加
工が可能であり、高精度、高品質の回路配線を製造でき
る。
【００２２】
【実施例】次に実施例および比較例により本発明を更に
具体的に説明する。但し本発明は、これらの実施例によ
り制限されるものではない。 実施例１ 図１はレジストをマスクとして、塩化第二鉄／塩酸水溶
液を用いてＩＴＯのウエットエッチングを行った後の状
態を示す図である。ガラス基板６の上にＴＦＴ１が形成
され、さらにＴＦＴ１上に、アクリル樹脂から成るパッ
シベーション膜５が形成されている。さらに、パッシベ
ーション膜５上に絵素電極である透明電極（ＩＴＯ）４
が形成され、その上にレジスト３が残存している。ま
た、ウエットエッチング時に発生したＩＴＯ４とレジス
ト５の混合物と推定される異物（ダスト）２が、レジス
ト３とＩＴＯ４上に残存している。モノエタノールアミ
ン５0.０重量％、ジエチレングリコールモノブチルエー
テル２4.０重量％、ソルビトール5.０重量％、リン酸エ
ステル系界面活性剤アントックスＥＨＤ４００（日本乳
化剤株式会社製）1.０重量％、水２０重量％から成る剥
離剤を使用し、図１に示す基板を剥離剤中に５０℃で５
分間浸漬後、超純水でリンスを行って乾燥した。しかる
後に走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で表面状態を観察した
ところ、図２に示す如く、レジスト３および異物（ダス
ト）２が完全に除去されたことが認められた。
具体的に説明する。但し本発明は、これらの実施例によ
り制限されるものではない。 実施例１ 図１はレジストをマスクとして、塩化第二鉄／塩酸水溶
液を用いてＩＴＯのウエットエッチングを行った後の状
態を示す図である。ガラス基板６の上にＴＦＴ１が形成
され、さらにＴＦＴ１上に、アクリル樹脂から成るパッ
シベーション膜５が形成されている。さらに、パッシベ
ーション膜５上に絵素電極である透明電極（ＩＴＯ）４
が形成され、その上にレジスト３が残存している。ま
た、ウエットエッチング時に発生したＩＴＯ４とレジス
ト５の混合物と推定される異物（ダスト）２が、レジス
ト３とＩＴＯ４上に残存している。モノエタノールアミ
ン５0.０重量％、ジエチレングリコールモノブチルエー
テル２4.０重量％、ソルビトール5.０重量％、リン酸エ
ステル系界面活性剤アントックスＥＨＤ４００（日本乳
化剤株式会社製）1.０重量％、水２０重量％から成る剥
離剤を使用し、図１に示す基板を剥離剤中に５０℃で５
分間浸漬後、超純水でリンスを行って乾燥した。しかる
後に走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で表面状態を観察した
ところ、図２に示す如く、レジスト３および異物（ダス
ト）２が完全に除去されたことが認められた。
【００２３】実施例２〜１２ 図１の液晶パネルを使用し、第１表に示す組成の剥離剤
に、第１表に示す処理条件で浸漬した後、超純水でリン
スを行い、乾燥後、レジストおよび異物の剥離性につい
てＳＥＭ観察を行った。結果を第１表に示す。なおＳＥ
Ｍ観察による評価基準は次の通りである。 （剥離状態）◎：完全に除去された。 ○：ほぼ完全に除去された。 △：一部残存が認められた。 ×：大部分残存していた。
に、第１表に示す処理条件で浸漬した後、超純水でリン
スを行い、乾燥後、レジストおよび異物の剥離性につい
てＳＥＭ観察を行った。結果を第１表に示す。なおＳＥ
Ｍ観察による評価基準は次の通りである。 （剥離状態）◎：完全に除去された。 ○：ほぼ完全に除去された。 △：一部残存が認められた。 ×：大部分残存していた。
【００２４】
【表１】
【００２５】
【表２】
【００２６】実施例１３ 実施例１で用いたものと同様のガラス基板を使用し、エ
タノールアミン５0.０重量％、ジエチレングリコールモ
ノブチルエーテル２4.０重量％、ソルビトール5.０重量
％、リン酸エステル系界面活性剤アントックスＥＨＤ４
００（日本乳化剤株式会社製）1.０重量％、ヒドロキシ
エタンホスホン酸0.３重量％、水１9.７重量％から成る
剥離剤を用いて ４０℃、１０分間浸漬し、超純水でリ
ンスを行い乾燥した。ＳＥＭ観察の結果、レジスト３お
よび異物２は完全に除去されたことが認められた。
タノールアミン５0.０重量％、ジエチレングリコールモ
ノブチルエーテル２4.０重量％、ソルビトール5.０重量
％、リン酸エステル系界面活性剤アントックスＥＨＤ４
００（日本乳化剤株式会社製）1.０重量％、ヒドロキシ
エタンホスホン酸0.３重量％、水１9.７重量％から成る
剥離剤を用いて ４０℃、１０分間浸漬し、超純水でリ
ンスを行い乾燥した。ＳＥＭ観察の結果、レジスト３お
よび異物２は完全に除去されたことが認められた。
【００２７】比較例１〜７ 第２表に示す組成の剥離剤に、第２表に示す処理条件で
浸漬した後、超純水でリンスを行い乾燥した。レジスト
の剥離性、異物の剥離性については、実施例と同様にＳ
ＥＭ観察を行い、上記の判断基準に従い評価を行った。
結果を第２表に示す。なお、図３は、剥離後のレジスト
３は剥離されるが異物２は残存する状態（比較例２に相
当）を示す図である。
浸漬した後、超純水でリンスを行い乾燥した。レジスト
の剥離性、異物の剥離性については、実施例と同様にＳ
ＥＭ観察を行い、上記の判断基準に従い評価を行った。
結果を第２表に示す。なお、図３は、剥離後のレジスト
３は剥離されるが異物２は残存する状態（比較例２に相
当）を示す図である。
【００２８】
【表３】
【００２９】
【発明の効果】本発明の剥離剤を使用することにより、
無機質基体上に塗布されたフォトレジスト膜、エッチン
グ後に残存するフォトレジストおよびフォトレジスト残
渣を短時間で容易に剥離でき、その際、各種半導体層材
料、配線材料、絶縁膜材料等を全く腐食せずに微細加工
が可能であり、高精度の回路配線を製造できる。
無機質基体上に塗布されたフォトレジスト膜、エッチン
グ後に残存するフォトレジストおよびフォトレジスト残
渣を短時間で容易に剥離でき、その際、各種半導体層材
料、配線材料、絶縁膜材料等を全く腐食せずに微細加工
が可能であり、高精度の回路配線を製造できる。
【図１】 レジストをマスクとして、塩化第二鉄／塩酸
水溶液を用いてＩＴＯのウエットエッチングを行った後
の状態を示す図である。
水溶液を用いてＩＴＯのウエットエッチングを行った後
の状態を示す図である。
【図２】 図１に示すレジストおよび異物を、本発明の
実施例の剥離剤組成物を用いて処理した後の状態を示す
図である。
実施例の剥離剤組成物を用いて処理した後の状態を示す
図である。
【図３】 図１に示すレジストおよび異物を、比較例２
の剥離剤組成物を用いて処理した後の状態を示す図であ
る。
の剥離剤組成物を用いて処理した後の状態を示す図であ
る。
１：ＴＦＴ ２：異物（ダスト） ３：レジスト ４：透明電極（ＩＴＯ） ５：パッシベーション膜（アクリル樹脂）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹内 志彦 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 阿部 久起 新潟県新潟市太夫浜字新割132 三菱瓦斯 化学株式会社新潟研究所内 (72)発明者 丸山 岳人 新潟県新潟市太夫浜字新割132 三菱瓦斯 化学株式会社新潟研究所内 (72)発明者 青山 哲男 新潟県新潟市太夫浜字新割132 三菱瓦斯 化学株式会社新潟研究所内 Ｆターム(参考） 2H096 AA25 AA30 HA23 HA30 LA03 5F046 MA02
Claims (5)
- 【請求項１】（１）含窒素有機ヒドロキシル化合物、
（２）一般式ＨＯ−（Ｃp Ｈ2pＯ）q −Ｒ（Ｒは炭素数
１〜４のアルキル基、ｐは２又は３、ｑは１，２又は３
をそれぞれ示す）で表されるアルキレングリコールモノ
アルキルエーテル、（３）糖類または糖アルコール類、
（４）リン含有化合物および（５）水からなるフォトレ
ジスト剥離剤組成物。 - 【請求項２】 請求項１に記載の剥離剤組成物を用いて
フォトレジストを剥離することを特徴とするフォトレジ
スト剥離方法。 - 【請求項３】 無機質基体上に塗布されたフォトレジス
ト膜を剥離する請求項２に記載のフォトレジスト剥離方
法。 - 【請求項４】 無機質基体上にフォトレジスト膜を用い
てマスク形成を行い、次いで非マスク領域をエッチング
し、しかる後にマスク形成されたフォトレジスト層を剥
離する請求項２に記載のフォトレジスト剥離方法。 - 【請求項５】 無機質基体上にフォトレジスト膜を用い
てマスク形成を行い、次いで非マスク領域をエッチング
し、さらにマスク形成されたフォトレジスト層をアッシ
ング処理し、しかる後に残存するフォトレジスト残渣を
剥離する請求項２に記載のフォトレジスト剥離方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11092377A JP2000284506A (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | フォトレジスト剥離剤組成物および剥離方法 |
| TW089105201A TW457527B (en) | 1999-03-31 | 2000-03-22 | Photoresist stripping composition and process for stripping photoresist |
| SG200001715A SG76650A1 (en) | 1999-03-31 | 2000-03-22 | Photoresist stripping composition and process for stripping photoresist |
| DE60042184T DE60042184D1 (de) | 1999-03-31 | 2000-03-23 | Verfahren und Zusammensetzung zur Entschichtung von Photoresist |
| EP00105934A EP1043629B1 (en) | 1999-03-31 | 2000-03-23 | Photoresist stripping composition and process for stripping photoresist |
| US09/536,643 US6458517B2 (en) | 1999-03-31 | 2000-03-28 | Photoresist stripping composition and process for stripping photoresist |
| KR1020000016069A KR100657072B1 (ko) | 1999-03-31 | 2000-03-29 | 포토레지스트 박리조성물 및 포토레지스트 박리방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11092377A JP2000284506A (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | フォトレジスト剥離剤組成物および剥離方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000284506A true JP2000284506A (ja) | 2000-10-13 |
Family
ID=14052747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11092377A Pending JP2000284506A (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | フォトレジスト剥離剤組成物および剥離方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6458517B2 (ja) |
| EP (1) | EP1043629B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000284506A (ja) |
| KR (1) | KR100657072B1 (ja) |
| DE (1) | DE60042184D1 (ja) |
| SG (1) | SG76650A1 (ja) |
| TW (1) | TW457527B (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003005384A (ja) * | 2001-06-22 | 2003-01-08 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | フォトレジスト剥離剤組成物 |
| JP2003015322A (ja) * | 2001-07-02 | 2003-01-17 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | フォトレジスト剥離剤組成物 |
| JP2003171694A (ja) * | 2001-12-03 | 2003-06-20 | Mejiro Optica:Kk | 洗浄用組成物並びに洗浄方法 |
| KR100483846B1 (ko) * | 2002-10-15 | 2005-04-19 | 삼성전자주식회사 | 신너 조성물 및 이를 사용한 포토레지스트의 스트립핑 방법 |
| JP2006072083A (ja) * | 2004-09-03 | 2006-03-16 | Mitsubishi Electric Corp | レジスト除去用組成物 |
| JP2006173566A (ja) * | 2004-11-18 | 2006-06-29 | Kao Corp | 剥離剤組成物 |
| JP2007324357A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Kao Corp | 剥離剤組成物 |
| KR100843984B1 (ko) * | 2002-02-22 | 2008-07-07 | 주식회사 동진쎄미켐 | 감광성 수지 조성물을 제거하기 위한 씬너 조성물 |
| US7879784B2 (en) | 2003-08-05 | 2011-02-01 | Kao Corporation | Stripping agent composition for a resist |
| JP5885043B1 (ja) * | 2014-12-05 | 2016-03-15 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | レジスト剥離液とその製造方法 |
| JP5885045B1 (ja) * | 2015-01-27 | 2016-03-15 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | レジスト剥離液とその製造方法 |
| JP5885046B1 (ja) * | 2015-03-24 | 2016-03-15 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | レジスト剥離液 |
| JP5885041B1 (ja) * | 2014-10-27 | 2016-03-15 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | レジスト剥離液 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6455479B1 (en) * | 2000-08-03 | 2002-09-24 | Shipley Company, L.L.C. | Stripping composition |
| JP2002114993A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-04-16 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄剤及び洗浄方法 |
| KR20030011480A (ko) * | 2001-08-03 | 2003-02-11 | 주식회사 덕성 | 포토레지스트용 박리액 조성물 |
| JP3787085B2 (ja) * | 2001-12-04 | 2006-06-21 | 関東化学株式会社 | フォトレジスト残渣除去液組成物 |
| US7563753B2 (en) * | 2001-12-12 | 2009-07-21 | Hynix Semiconductor Inc. | Cleaning solution for removing photoresist |
| JP2003177556A (ja) * | 2001-12-12 | 2003-06-27 | Sharp Corp | フォトレジスト剥離剤組成物および剥離方法 |
| US7323290B2 (en) * | 2002-09-30 | 2008-01-29 | Eternal Technology Corporation | Dry film photoresist |
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