TWI566058B - 剝離光阻用組成物及其使用方法 - Google Patents

剝離光阻用組成物及其使用方法 Download PDF

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剝離光阻用組成物及其使用方法
本發明是有關於一種剝離光阻用組成物，特別是指一種包含胺系化合物及醇系化合物的剝離光阻用組成物，其中，該醇系化合物包括至少一種由下列群組所組成的第一醇系化合物：糖系化合物及含炔基的醇系化合物。
在半導體製程中，是在晶片上形成積體電路，而該積體電路是由許多金屬線路所構成，其中，該等金屬線路主要是透過光微影製程來形成。該光微影製程包含基板處理、光阻塗佈、曝光、顯影、蝕刻及光阻剝離等步驟。隨著積體電路尺寸的微小化，對所形成的金屬線路的品質更為要求，除了透過光阻成份上的改良達到金屬線路的品質訴求外，也越來越重視光阻剝離步驟的技術，其中，開發一有效地將光阻從金屬線路上剝離的組成物，是此技術領域相關技術人員積極研究的課題。
日本專利公開號2005070230揭示一種剝離光阻用組成物。該剝離光阻用組成物包含2,3-二羥基萘(A)、有機胺化合物(B)、極性有機溶劑(C)及糖類(D)，其中，有機胺化合物(B)是擇自於單乙醇胺、異丙醇胺或二甘醇。該剝 離光阻用組成物可避免金屬線路被腐蝕且可將光阻從金屬線路上剝離。雖該剝離光阻用組成物可將光阻剝離，但會發生已剝離的光阻回沾至金屬線路上的現象，且每單位體積的剝離光阻用組成物剝離光阻的效率不佳，以致於洗淨容量不足。
有鑑於上述，改良剝離光阻用組成物從而避免已剝離的光阻回沾至金屬層或絕緣層上，同時，提高剝離光阻用組成物的洗淨容量，是此技術領域相關技術人員可再突破的課題。
因此，本發明之第一目的，即在提供一種避免已剝離的光阻回沾至金屬層或絕緣層上且具有大洗淨容量的剝離光阻用組成物。
於是本發明剝離光阻用組成物，包含：胺系化合物，包括至少一種由下列群組所組成的三級胺系化合物：式(I)所示的氮雜環化合物及具有至少二個三級胺的鏈狀多胺化合物；
於式(I)中，A及B分別表示-O-、或，條件 是A及B中至少一者表示，其中，該R表示未經取代的C1至C4的烷基，或經取代的C1至C4的烷基；醇系化合物，包括至少一種由下列群組所組成的第一 醇系化合物：糖系化合物及含炔基的醇系化合物；四級銨鹽化合物；有機溶劑；以及水。
本發明之第二目的，即在提供一種使用剝離光阻用組成物的方法。
本發明使用剝離光阻用組成物的方法，包含以下步驟：提供一積層體，包括一基板、一形成在該基板上的金屬層或絕緣層，及一形成在該金屬層或絕緣層上的光阻層；將該積層體的光阻層與上述的剝離光阻用組成物接觸，直至該光阻層自該積層體剝離；施予一清洗處理。
本發明之功效在於：該剝離光阻用組成物透過該等成份的協同效應，使該剝離光阻用組成物可防止已剝離的光阻回沾至金屬層或絕緣層上，繼而提升後續製程的良率，且該剝離光阻用組成物具有大洗淨容量，可使每單位體積的剝離光阻用組成物剝離光阻的量增加，繼而可提升產能及使用效益。
本發明剝離光阻用組成物，包含：胺系化合物，包括至少一種由下列群組所組成的三級胺系化合物：式(I)所示的氮雜環化合物及具有至少二個三級胺的鏈狀多胺化合物；
於式(I)中，A及B分別表示-O-、或， 條件是A及B中至少一者表示，其中，該R表示未經取代的C1至C4的烷基，或經取代的C1至C4的烷基；醇系化合物，包括至少一種由下列群組所組成的第一醇系化合物：糖系化合物及含炔基的醇系化合物；四級銨鹽化合物；有機溶劑；以及水。
以下將逐一對該剝離光阻用組成物中的各個成份進行詳細說明：
<胺系化合物>
該胺系化合物包括至少一種由下列群組所組成的三級胺系化合物：式(I)所示的氮雜環化合物及具有至少二個三級胺以上的鏈狀多胺化合物。該剝離光阻用組成物中未使用式(I)所示的氮雜環化合物或具有至少二個三級胺的鏈狀多胺化合物，則會產生已剝離的光阻回沾至金屬層或絕緣層的問題，且該剝離光阻用組成物的洗淨容量不佳。
<<三級胺系化合物>>
[式(I)所示的氮雜環化合物]
該式(I)所示的氮雜環化合物：
於式(I)中，A及B分別表示-O-、或， 條件是A及B中至少一者表示，其中，該R表示未經取代的C1至C4的烷基，或經取代的C1至C4的烷基。
該經取代的C1至C4的烷基是擇自於經羥基取代的C1至C4的烷基、經胺基取代的C1至C4的烷基，或經氰基取代的C1至C4的烷基。
該式(I)所示的氮雜環化合物可單獨或混合使用，且該式(I)所示的氮雜環化合物例如但不限於嗎啉(morpholine)、N-甲基嗎啉(N-methylmorpholine)、N-乙基嗎啉(N-ethyl morpholine)、N-丙基嗎啉(N-propyl morpholine)、N-丁基嗎啉(N-butyl morpholine)、N-(2-羥基乙基)嗎啉[N-(2-hydroxyethyl)morpholine]、N-(3-胺基丙基)嗎啉[N-(3-aminopropyl)morpholine]、N-(2-氰基乙基)嗎啉[N-(2-cyanoethyl)morpholine]、N-(2-胺基乙基)哌嗪[N-(2-aminoethyl)piperazine]、N-(2-羥基乙基)哌嗪[N-(2-hydroxyethyl)piperazine]，或N-甲基-N'-(2-羥基乙基)哌嗪[N-methyl-N'-(2-hydroxyethyl)piperazine]等。
較佳地，該式(I)所示的氮雜環化合物是擇自於N-(2-胺基乙基)哌嗪、N-(2-羥基乙基)哌嗪、N-(3-胺基丙基 )嗎啉，或此等一組合。
[具有至少二個三級胺的鏈狀多胺化合物]
該具有至少二個三級胺的鏈狀多胺化合物是擇自於N,N,N',N'-四甲基乙二胺(N,N,N',N'-tetramethylethylenediamine)、N,N,N',N'-四甲基丙二胺(N,N,N',N'-tetramethylpropylene diamine)、雙[2-(N,N-二甲基胺基)乙基]醚{bis[2-(N,N-dimethylamino)ethyl]ether}、N,N,N',N",N"-五甲基二伸乙基三胺(N,N,N',N",N"-pentamethyldiethylenetriamine)、N,N,N',N'-四甲基己二胺(N,N,N',N'-tetramethyl hexamethylene diamine)，或此等一組合。
較佳地，該具有至少二個三級胺的鏈狀多胺化合物是擇自於N,N,N',N'-四甲基乙二胺、雙[2-(N,N-二甲基胺基)乙基]醚、N,N,N',N",N"-五甲基二伸乙基三胺，或此等一組合。
該胺系化合物還包括至少一種由下列群組所組成的其他胺系化合物：單乙醇胺(monoethanolamine)、二乙醇胺(diethanolamine)、三乙醇胺(triethanolamine)、2-(2-胺基乙氧基)乙醇[2-(2-aminoethoxy)ethanol]、N-(2-胺基乙基)乙醇胺[N-(2-aminoethyl)ethanolamine]、N,N-二甲基乙醇胺(N,N-dimethyl ethanolamine)、N,N-二乙基乙醇胺(N,N-diethyl ethanolamine)、N,N-二丁基二乙醇胺(N,N-dibutyl ethanolamine)、N-甲基乙醇胺(N-methyl ethanolamine)、N-乙基乙醇胺(N-ethyl ethanolamine)、N-丁基乙醇胺(N-butyl ethanolamine)、N-甲基二乙醇胺(N-methyl diethanolamine)、N-乙基二乙醇胺(N-ethyl diethanolamine)、異丙醇胺(monoisopropanolamine)、二異丙醇胺(diisopropanolamine)、三異丙醇胺(triisopropanolamine)、乙二胺(ethylenediamine)、二伸乙基三胺(diethylene triamine)、三伸乙基四胺(triethylenetetramine)、四伸乙基五胺(tetraethylenepentamine)、五伸乙基六胺(pentaethylenehexamine)、三伸乙基二胺(triethylenediamine)、丙二胺(propane diamine)、丁二胺(butane diamine)、己二胺(hexamethylene diamine)、咪唑(imidazole)、1-甲基咪唑(1-methyl imidazole)、2-甲基咪唑(2-methyl imidazole)、1,2-二甲基咪唑(1,2-dimethyl imidazole)、1,2,4,5-四甲基-咪唑(1,2,4,5-tetramethyl-imidazole)、2-乙基-4-甲基咪唑(2-ethyl-4-methyl imidazole)、環己胺(cyclohexylamine)、2-乙基己基胺(2-ethyl hexyl amine)、芐胺(benzylamine)、苯胺(aniline)、三乙胺(triethylamine)、三丙胺(tripropylamine)及三正丁胺(tributylamine)。
<醇系化合物>
該醇系化合物包括至少一種由下列群組所組成的第一醇系化合物：糖系化合物及含炔基的醇系化合物。該剝離光阻用組成物中未使用該醇系化合物，則會產生已 剝離的光阻回沾至金屬層或絕緣層的問題。
<<第一醇系化合物>>
[糖系化合物]
該糖系化合物是擇自於葡萄糖(glucose)、甘露糖(mannose)、半乳糖(galactose)、山梨糖醇(sorbitol)、甘露糖醇(mannitol)、木糖醇(xylitol)，或此等一組合。
[含炔基的醇系化合物]
該含炔基的醇系化合物是擇自於3-甲基-1-丁炔基-3-醇(3-methyl-1-butyne-3-ol)、3-甲基-1-戊炔基-3-醇(3-methyl-1-pentyne-3-ol)、3,6-二甲基-4-辛炔基-3,6-二醇(3,6-dimethyl-4-octyne-3,6-diol)、2,4,7,9-四甲基-5-癸炔基-4,7-二醇(2,4,7,9-tetramethyl-5-decyne-4,7-diol)、3,5-二甲基-1-己炔基-3-醇(3,5-dimethyl-1-hexyne-3-ol)、2-丁炔基-1,4-二醇(2-butyne-1,4-diol)，或此等一組合。
較佳地，該第一醇系化合物是擇自於甘露糖醇、山梨糖醇、3-甲基-1-丁炔基-3-醇、3,6-二甲基-4-辛炔基-3,6-二醇，或此等一組合。
該醇系化合物還包括第二醇系化合物。
<<第二醇系化合物>>
第二醇系化合物可單獨或混合使用，且該第二醇系化合物例如但不限於苯酚(phenol)、甲酚(cresol)、鄰苯二酚(catechol)、間苯二酚(resorcin)、2,3-二羥基萘(2,3-dihydroxynaphthalene)、2,3-吡啶二醇(2,3-pyridine diol)、苯三酚(pyrogallol)、水楊酸(salicylic acid)，或3,4,5-三羥 苯甲酸(gallic acid)等。
<四級銨鹽化合物>
該剝離光阻用組成物中未使用四級銨鹽化合物，則該剝離光阻用組成物的洗淨容量不佳。該四級銨鹽化合物是擇自於具有四個(C1至C6烷基)的氫氧化銨(ammonium hydroxide)、具有四個(C1至C6烷基)的碳酸銨(ammonium carbonate)、具有四個(C1至C6烷基)的醋酸銨(ammonium acetate)、具有四個(C1至C6烷基)的檸檬酸銨(ammonium citrate)、具有四個(C1至C6烷基)的矽酸銨(ammonium silicate)、三烷基-2-羥基烷基氫氧化銨(trialkyl-2-hydroxy-alkyl ammonium hydroxide)、三烷基-2-羥基-烷氧基氫氧化銨(trialkyl-2-hydroxy-alkoxy ammonium hydroxide)，或此等一組合。
<<具有四個(C 1 至C 6 烷基)的氫氧化銨>>
該具有四個(C1至C6烷基)的氫氧化銨可單獨或混合使用，且該具有四個(C1至C6烷基)的氫氧化銨例如但不限於四甲基氫氧化銨(tetramethylammonium hydroxide)或四丁基氫氧化銨(tetrabutylammonium hydroxide)等。
<<具有四個(C 1 至C 6 烷基)的碳酸銨>>
該具有四個(C1至C6烷基)的碳酸銨可單獨或混合使用，且該具有四個(C1至C6烷基)的碳酸銨例如但不限於四甲基碳酸銨(tetramethyl ammonium carbonate)。
<<具有四個(C 1 至C 6 烷基)的醋酸銨>>
該具有四個(C1至C6烷基)的醋酸銨可單獨或混 合使用，且該具有四個(C1至C6烷基)的醋酸銨例如但不限於四甲基醋酸銨(tetramethyl ammonium acetate)。
<<具有四個(C 1 至C 6 烷基)的檸檬酸銨>>
該具有四個(C1至C6烷基)的檸檬酸銨可單獨或混合使用，且該具有四個(C1至C6烷基)的檸檬酸銨例如但不限於四甲基檸檬酸銨(tetramethyl ammonium citrate)。
<<具有四個(C 1 至C 6 烷基)的矽酸銨>>
該具有四個(C1至C6烷基)的矽酸銨可單獨或混合使用，且該具有四個(C1至C6烷基)的矽酸銨例如但不限於四甲基矽酸銨(tetramethylammonium silicate)。
<<三烷基-2-羥基烷基氫氧化銨>>
該三烷基-2-羥基烷基氫氧化銨可單獨或混合使用，且該三烷基-2-羥基烷基氫氧化銨例如但不限於三甲基-2-羥基乙基氫氧化銨[trimethyl-2-hydroxyethyl ammonium hydroxide，俗稱膽鹼(choline)]等。
<<三烷基-2-羥基-烷氧基氫氧化銨>>
該三烷基-2-羥基-烷氧基氫氧化銨可單獨或混合使用，且該三烷基-2-羥基-烷氧基氫氧化銨例如但不限於三甲基-2-羥基乙氧基氫氧化銨(trimethyl-2-hydroxyethoxy ammonium hydroxide)，或三甲基-2-(2-羥基乙氧基)乙氧基氫氧化銨[trimethyl-2-(2-hydroxyethoxy)ethoxy ammonium hydroxide]等。
較佳地，該四級銨鹽化合物是擇自於四甲基氫氧化銨、四丁基氫氧化銨、三甲基-2-羥基乙基氫氧化銨， 或此等一組合。
<有機溶劑>
該有機溶劑可單獨或混合使用，且該有機溶劑例如但不限於醯胺系化合物或第一溶劑，其中，該第一溶劑是擇自於二醇系化合物、醇醚系化合物，或此等一組合。
<<醯胺系化合物>>
該醯胺系化合物可單獨或混合使用，且該醯胺系化合物例如但不限於甲醯胺、乙醯胺、N-甲基甲醯胺、N-甲基乙醯胺、N-乙基甲醯胺、N-乙基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二乙基甲醯胺、N,N-二乙基乙醯胺、N,N-二甲基咪唑、N-甲基-2-吡咯烷酮(N-methyl-2-pyrrolidone；NMP)，或N-乙基-2-吡咯烷酮等。
<<第一溶劑>>
[二醇系化合物]
該二醇系化合物可單獨或混合使用，且該二醇系化合物例如但不限於乙二醇、二乙二醇、丙二醇或1,3-丁二醇等。較佳地，該二醇系化合物是擇自於乙二醇、丙二醇，或此等一組合。
[醇醚系化合物]
該醇醚系化合物可單獨或混合使用，且該醇醚系化合物例如但不限於乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單丙醚、乙二醇單丁醚、乙二醇甲醚醋酸酯、乙二醇 乙醚醋酸酯、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丙醚、二乙二醇單丁醚、二乙二醇單戊醚、二乙二醇單己醚、二乙二醇單苯醚、三乙二醇單甲醚、三乙二醇單乙基醚、三乙二醇單丁醚、丙二醇單甲醚、丙二醇甲醚醋酸酯、二丙二醇單甲醚、二丙二醇單乙醚等、二丙二醇單丙醚、二丙二醇單丁基醚，或三丙二醇單甲醚等。較佳地，該醇醚系化合物是擇自於二乙二醇單丁醚、乙二醇乙醚醋酸酯、丙二醇甲醚醋酸酯，或此等一組合。
為使該剝離光阻用組成物具有較佳的洗淨容量效果，較佳地，該有機溶劑包括第一溶劑。
該剝離光阻用組成物的製法是將胺系化合物、醇系化合物、四級銨鹽化合物、有機溶劑及水放置於攪拌器中攪拌，使其均勻混合即可。
基於該胺系化合物的總量為100重量份，該醇系化合物的使用量範圍為10至100重量份、該四級銨鹽化合物的使用量範圍為5至100重量份、該有機溶劑的使用量範圍為500至4,000重量份，以及該水的使用量範圍為100至1,000重量份。
較佳地，基於該胺系化合物的總量為100重量份，該醇系化合物的使用量範圍為15至95重量份、該四級銨鹽化合物的使用量範圍為10至95重量份、該有機溶劑的使用量範圍為600至3,800重量份，以及該水的使用量範圍為150至900重量份。
更佳地，基於該胺系化合物的總量為100重量 份，該醇系化合物的使用量範圍為20至90重量份、該四級銨鹽化合物的使用量範圍為15至90重量份、該有機溶劑的使用量範圍為700至3,500重量份，以及該水的使用量範圍為200至800重量份。
本發明使用剝離光阻用組成物的方法，包含以下步驟：提供一積層體，包括一基板、一形成在該基板上的金屬層或絕緣層，及一形成在該金屬層或絕緣層上的光阻層；將該積層體的光阻層與上述的剝離光阻用組成物接觸，直至該光阻層自該積層體剝離；施予一清洗處理。
較佳地，本發明使用剝離光阻用組成物的方法還包含一於清洗處理後，施予一乾燥處理。
該積層體的製備方式並無特別的限制，可採以往所使用的方式，例如，該積層體的製備方式包含以下步驟：將感光性樹脂組成物以旋轉塗佈的方式，塗佈在一具有金屬層或絕緣層的基板上。接著，對該感光性樹脂組成物進行光微影製程，然後，以純水洗淨。洗淨後將其置於烘箱中乾燥，則於該金屬層或絕緣層上形成具有特定圖案的光阻層。接著，將其浸泡於蝕刻液中，對金屬層或絕緣層進行蝕刻處理，以將未受光阻層保護的金屬層或絕緣層移除，形成具有特定圖案的金屬層或絕緣層，其中，該具有特定圖案的金屬層或絕緣層中的特定圖案是與該具有特 定圖案的光阻層中的特定圖案相對應，然後，進行清洗處理及乾燥處理，即可獲得積層體。
在該具有金屬層的基板中，該基板的材質並無特別的限制，例如但不限於無鹼玻璃、鈉鈣玻璃、硬質玻璃(派勒斯玻璃)、石英玻璃、於上述玻璃上附著透明導電膜的基板，或用於固體攝影裝置等的光電變換裝置基板等。
在該具有金屬層的基板中，該金屬層的材質並無特別的限制，可採用以往所使用的，例如但不限於銅、鋁、鋁合金、鈦或氮化鈦等。該金屬層形成於基板的方式並無特別的限制，可採用以往的方式，例如但不限於以化學氣相沉積法或濺鍍法等。
在該具有絕緣層的基板中，該絕緣層的材質並無特別的限制，可採用以往所使用的，例如但不限於非晶矽(a-Si)、多晶矽(p-Si)、壓克力系聚合物或聚矽氧烷系聚合物等。該絕緣層形成於基板的方式並無特別的限制，可採用以往的方式，例如，材質為非晶矽(a-Si)或多晶矽(p-Si)以化學氣相沉積法或濺鍍法等形成，而材質為壓克力系聚合物或聚矽氧烷系聚合物以旋轉塗佈或流延塗佈等形成。
該光阻層是由感光性樹脂組成物經光微影製程所形成。該光微影製程可採用以往所使用的方式，故不再贅述。該感光性樹脂組成物並無特別限制，可採用以往所使用的，例如但不限於包含酚醛清漆樹脂的感光性樹脂組成物等。
該蝕刻液並無特別的限制，只要能將該具有金 屬層或絕緣層的基板上的金屬層或絕緣層移除即可，例如但不限於磷酸蝕刻液或氫氟酸蝕刻液等。
該積層體的光阻層與上述的剝離光阻用組成物接觸的方式並無特別的限制，可採以往的方式，例如但不限於將積層體浸泡至剝離光阻用組成物中。較佳地，在24℃至100℃的溫度下接觸30秒至30分鐘，更佳地，接觸1分鐘至20分鐘。
該清洗處理只要能讓剝離光阻用組成物不會殘留即可，且可採用以往的方式，故不再贅述。
該乾燥處理只要能讓剝離光阻層後的積層體乾燥即可，且可採用以往的方式，例如將剝離光阻層後的積層體置於真空乾燥箱中進行乾燥。
本發明將就以下實施例來作進一步說明，但應瞭解的是，該等實施例僅為例示說明之用，而不應被解釋為本發明實施之限制。
<<實施例>>
<<實施例1>>
將100重量份的N-(2-胺基乙基)哌嗪、10重量份的甘露糖醇、20重量份的四甲基氫氧化銨、1,000重量份的二乙二醇單丁醚、500重量份的丙二醇及500重量份的水於室溫下攪拌混合均勻，即可獲得本發明剝離光阻用組成物。
實施例1的剝離光阻用組成物的使用方法如下： 提供一積層體，且該積層體的製備方式包含以下步驟：將酚醛清漆樹脂系的正型感光性樹脂組成物(廠牌：奇美實業股份有限公司製；型號：TR305)以旋轉塗佈的方式，塗佈在100mm×100mm×0.7mm的具有銅金屬膜的玻璃基板上。接著，以100mmHg進行減壓乾燥，歷時5秒鐘後，於烘箱中以90℃預烤2分鐘至3分鐘，形成膜厚6μm的預烤塗膜。將該預烤塗膜以特定圖案的光罩進行曝光(曝光機廠牌：M&R Nano Technology；型號：AG500-4N)，其曝光能量為100 mJ/cm2，然後，將其以0.05wt%的氫氧化鉀水溶液，於45℃下予以顯影1分鐘，經曝光的預烤塗膜除去，接著，以純水洗淨。洗淨後將其置於烘箱中，並以235℃進行後烤30分鐘，於該銅金屬膜上形成光阻層。將其浸泡於含有磷酸的蝕刻液中進行蝕刻處理，以將未受光阻層保護的銅金屬膜移除，接著，以去離子水清洗並乾燥，即可獲得積層體。將上述積層體浸泡於50℃的實施例1的剝離光阻用組成物中，並浸泡20分鐘，接著，取出後以去離子水清洗並乾燥即可。
<<實施例2至9及比較例1至9>>
實施例2至9及比較例1至9是以與實施例1相同的步驟來製備該剝離光阻用組成物，不同的地方在於：改變原料的種類及其使用量，如表1及表2所示。
實施例2至9及比較例1至9的剝離光阻用組成物的使用方法是以與實施例1的剝離光阻用組成物的使用方法的步驟相同，故不再贅述。
<<檢測項目>>
光阻回沾檢測：將100重量份的實施例1至9及比較例1至9的剝離光阻用組成物中，分別加入2重量份的含有酚醛清漆樹脂的正型感光性樹脂組成物(廠牌：奇美實業股份有限公司製；型號：TR305)，形成18個混合液，接著，將18個具有銅金屬膜的玻璃基板，於60℃下，分別浸漬於該等混合液中2分鐘，然後，分別取出該18個具有銅金屬膜的玻璃基板，並使用掃描式電子顯微鏡觀察銅金屬膜是否有光阻沾黏，判定方式如下：○：銅金屬膜無光阻沾黏；X：銅金屬膜有光阻沾黏。
洗淨容量檢測：將100重量份的實施例1至9及比較例1至9的剝離光阻用組成物，分別加入XT重量份的含有酚醛清漆樹脂的正型感光性樹脂組成物(廠牌：奇美實業股份有限公司製；型號：TR305)，形成18個混合液。將實施例1所述的積層體，於60℃下，分別浸漬於該等混合液中2分鐘，然後，取出並使用掃描式電子顯微鏡觀察該積層體上的光阻層是否剝除乾淨，並以XT用量的多寡來判定洗淨容量的優劣，判定方式如下：◎：XT>3重量部，可將該積層體上的光阻層剝除乾淨；○：2.5重量部<XT≦3重量部，可將該積層體上的光阻層剝除乾淨；X：2.5重量部≦XT，可將該積層體上的光阻層剝除乾 淨，或無法剝除乾淨。
A-1-1：N-(2-胺基乙基)哌嗪；A-1-2：N-(2-羥基乙基)哌嗪；A-1-3：N-(3-胺基丙基)嗎啉；A-2-1：N,N,N',N'-四甲基乙二胺；A-2-2：雙[2-(N,N-二甲基胺基)乙基]醚；A-2-3：N,N,N',N",N"-五甲基二伸乙基三胺；A-3-1：單乙醇胺；A-3-2：N,N-二甲基乙醇胺；B-1：甘露糖醇；B-2：山梨糖醇；B-3：3-甲基-1-丁炔基-3-醇；B-4：3,6-二甲基-4-辛炔基-3,6-二醇；B-5：鄰苯二酚；C-1：四甲基氫氧化銨；C-2：四丁基氫氧化銨；C-3：三甲基-2-羥基乙基氫氧化銨；D-1：二乙二醇單丁醚；D-2：乙二醇乙醚醋酸酯；D-3：丙二醇；D-4：N,N-二甲基乙醯胺；D-5：N,N-二乙基甲醯胺；D-6：N-甲基乙醯胺。
A-1-1：N-(2-胺基乙基)哌嗪；A-1-2：N-(2-羥基乙基)哌嗪；A-1-3：N-(3-胺基丙基)嗎啉；A-2-1：N,N,N',N'-四甲基乙二胺；A-2-2：雙[2-(N,N-二甲基胺基)乙基]醚；A-2-3：N,N,N',N",N"-五甲基二伸乙基三胺；A-3-1：單乙醇胺；A-3-2：N,N-二甲基乙醇胺；B-1：甘露糖醇；B-2：山梨糖醇；B-3：3-甲基-1-丁炔基-3-醇；B-4：3,6-二甲基-4-辛炔基-3,6-二醇；B-5：鄰苯二酚；C-1：四甲基氫氧化銨；C-2：四丁基氫氧化銨；C-3：三甲基-2-羥基乙基氫氧化銨；D-1：二乙二醇單丁醚；D-2：乙二醇乙醚醋酸酯；D-3：丙二醇；D-4：N,N-二甲基乙醯胺；D-5：N,N-二乙基甲醯胺；D-6：N-甲基乙醯胺。
由上述表1的實驗結果可知，實施例1至3及實施例7的剝離光阻用組成物包含式(I)所示的氮雜環化合物、醇系化合物、四級銨鹽化合物、有機溶劑及水，可有效地防止已剝離的光阻回沾至金屬層或絕緣層上，且具有大的洗淨容量。
實施例4至6及實施例9的剝離光阻用組成物包含具有至少二個三級胺的鏈狀多胺化合物、醇系化合物、四級銨鹽化合物、有機溶劑及水，可有效地防止已剝離的光阻回沾至金屬層或絕緣層上，且具有大的洗淨容量。
實施例8的剝離光阻用組成物包含式(I)所示的氮雜環化合物、具有至少二個三級胺的鏈狀多胺化合物、醇系化合物、四級銨鹽化合物、有機溶劑及水，可有效地防止已剝離的光阻回沾至金屬層或絕緣層上，且具有大的洗淨容量。
比較例1及2的剝離光阻用組成物未使用四級銨鹽化合物，洗淨容量不佳。
比較例3、6、7及9的剝離光阻用組成物未使用式(I)所示的氮雜環化合物或具有至少二個三級胺的鏈狀多胺化合物，存在有已剝離的光阻回沾至金屬層或絕緣層上的問題，且洗淨容量不佳。
比較例4、5及8的剝離光阻用組成物未使用本案的醇系化合物，存在有已剝離的光阻回沾至金屬層或絕緣層上的問題。
綜上所述，該剝離光阻用組成物透過該等成份 的協同效應，使該剝離光阻用組成物可防止已剝離的光阻回沾至金屬層或絕緣層上，繼而提升後續製程的良率，且該剝離光阻用組成物具有大洗淨容量，可使每單位體積的剝離光阻用組成物剝離光阻的量增加，繼而可提升產能及使用效益，故確實能達成本發明之目的。
惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍，即大凡依本發明申請專利範圍及專利說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。

Claims (6)

  1. 一種剝離光阻用組成物，包含：胺系化合物，包括式(I)所示的氮雜環化合物； 於式(I)中，A及B分別表示-O-、或，條件是A及B中至少一者表示，其中，該R表示未經取代的C2至C4的烷基，或具有末端取代基的C2至C4的直鏈烷基；醇系化合物，包括至少一種由下列群組所組成的第一醇系化合物：糖系化合物及含炔基的醇系化合物，該糖系化合物是擇自於葡萄糖、甘露糖、半乳糖、山梨糖醇、甘露糖醇、木糖醇，或此等一組合，該含炔基的醇系化合物是擇自於3-甲基-1-丁炔基-3-醇、3-甲基-1-戊炔基-3-醇、3,6-二甲基-4-辛炔基-3,6-二醇、2,4,7,9-四甲基-5-癸炔基-4,7-二醇、3,5-二甲基-1-己炔基-3-醇、2-丁炔基-1,4-二醇，或此等一組合； 四級銨鹽化合物，擇自於具有四個C1至C6烷基的氫氧化銨、具有四個C1至C6烷基的碳酸銨、具有四個C1至C6烷基的醋酸銨、具有四個C1至C6烷基的檸檬酸銨、具有四個C1至C6烷基的矽酸銨、三烷基-2-羥基烷基氫氧化銨、三烷基-2-羥基-烷氧基氫氧化銨，或此 等一組合；有機溶劑，包括第一溶劑，且該第一溶劑是擇自於二醇系化合物、醇醚系化合物，或此等一組合；以及水；基於該胺系化合物的總量為100重量份，該醇系化合物的使用量範圍為10至100重量份、該四級銨鹽化合物的使用量範圍為5至100重量份、該有機溶劑的使用量範圍為500至4,000重量份，以及該水的使用量範圍為100至1,000重量份。
  2. 如請求項1所述的剝離光阻用組成物，其中，該具有末端取代基的C2至C4的直鏈烷基是擇自於具有末端羥基的C2至C4的直鏈烷基、具有末端胺基的C2至C4的直鏈烷基，或具有末端氰基的C2至C4的直鏈烷基。
  3. 如請求項1所述的剝離光阻用組成物，其中，該胺系化合物還包括具有至少二個三級胺的鏈狀多胺化合物。
  4. 如請求項3所述的剝離光阻用組成物，其中，該具有至少二個三級胺的鏈狀多胺化合物是擇自於N,N,N',N'-四甲基乙二胺、N,N,N',N'-四甲基丙二胺、雙[2-(N,N-二甲基胺基)乙基]醚、N,N,N',N",N"-五甲基二伸乙基三胺、N,N,N',N'-四甲基己二胺，或此等一組合。
  5. 一種使用剝離光阻用組成物的方法，包含以下步驟：提供一積層體，包括一基板、一形成在該基板上的金屬層或絕緣層，及一形成在該金屬層或絕緣層上的光 阻層；將該積層體的光阻層與請求項1至4中任一項所述的剝離光阻用組成物接觸，直至該光阻層自該積層體剝離；施予一清洗處理。
  6. 如請求項5所述的使用剝離光阻用組成物的方法，還包含一於清洗處理後，施予一乾燥處理。
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