CN101473272A - 抗蚀剂剥离剂 - Google Patents

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CN101473272A
CN101473272A CNA2007800231589A CN200780023158A CN101473272A CN 101473272 A CN101473272 A CN 101473272A CN A2007800231589 A CNA2007800231589 A CN A2007800231589A CN 200780023158 A CN200780023158 A CN 200780023158A CN 101473272 A CN101473272 A CN 101473272A
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CN
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corrosion inhibitor
acid
resist
corrosion
fissility
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CNA2007800231589A
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白木安司
藤冈东洋臧
松尾茂
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Idemitsu Kosan Co Ltd
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Idemitsu Kosan Co Ltd
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Abstract

本发明的目的在于提供剥离性优异、且没有可燃性、安全,而且不会腐蚀导电体的防腐蚀性优异的抗蚀剂剥离剂。抗蚀剂剥离剂为含有式(1)所示的化合物的构成,这里,式(1)中,R3为碳原子数1~18的烷基;R1和R2各自独立地为氢原子或可具有碳原子数1~6的醚键的烃基。

Description

抗蚀剂剥离剂
技术领域
本发明涉及抗蚀剂剥离剂。特别是,本发明的抗蚀剂剥离剂的剥离性优异、且没有可燃性,安全,而且不会腐蚀导电体的防腐蚀性优异。
背景技术
IC、LSI等集成电路,LCD、EL元件等显示机器,打印基板等使用热刻蚀技术制造。在该热刻蚀工序中,不需要的抗蚀剂(感光剂)使用抗蚀剂剥离剂进行除去。
(现有例)
在该抗蚀剂剥离工序中,之前使用各种抗蚀剂剥离剂。但是,近年来对应液晶显示面板或半导体元件的工艺微细化或短时间处理的能力低,期待进一步的性能。目前,含有剥离性优异的胺系化合物的抗蚀剂剥离剂成为主力。
该胺系剥离剂可以分为溶剂系和水系。例如,作为溶剂系剥离剂使用二甲基亚砜(约30重量%)+单乙醇胺(约70重量%)或者单乙醇胺+N-甲基吡咯烷酮等。另一方面,作为水系剥离剂使用水(约20~30重量%)+二甘醇单丁基醚(约20~30重量%)+单乙醇胺(约30~40重量%)、烷基苯磺酸+功能水(臭氧水)、酸系(硫酸+过氧化氢)+功能水(臭氧水)等。
近年来,能够进行水淋洗的水系剥离剂的使用有所扩大。其理由在于水系剥离剂的剥离性优异、而且没有可燃性,是不是危险品。然而,水系剥离剂添加有单乙醇胺。因此,水系剥离剂具有会引起对配线等导电体的腐蚀的缺点。因而,实际上有必要考虑剥离性能和腐蚀性调整单乙醇胺的含量。而且,以抗蚀剂剥离性能和防止对导电体的破坏(腐蚀)为目的,开发了各种抗蚀剂剥离剂。
例如,专利文献1中公开了含有使烷醇胺和甲醛反应的产物的光致抗蚀剂剥离剂。以甲醛/烷醇胺(摩尔比)0.8以下的比例使烷醇胺与甲醛反应,从而生成该产物。
另外,专利文献2中公开了包含烷醇胺化合物、砜化合物或亚砜化合物和羟基化合物的光致抗蚀剂剥离剂组合物。
进而,专利文献3中公开了至少含有羟基羧酸和水的pH稳定的抗蚀剂剥离剂。该抗蚀剂剥离剂调整制造后所含的羟基羧酸,使得两分子以上的缩合体与羟基羧酸单体的比例(即缩合体/单体)达到1/9以下。
另外,专利文献4中公开了将铜和银的合金用于配线工艺的抗蚀剂剥离的剥离剂。该抗蚀剂剥离剂含有哌嗪类。
专利文献5中公开了含有四亚乙基五胺和醚醇的抗蚀剂剥离剂。
专利文献1:特开2004-219486号公报
专利文献2:特开平05-281753号公报
专利文献3:特开2005-049438号公报
专利文献4:特开2004-205674号公报
专利文献5:特开2004-205675号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
上述各专利文献所记载的技术以提高抗蚀剂剥离性能和导电体(包含铜(Cu)、铝(Al)等的配线等)的防腐蚀为目的而开发。但是这些技术仍然具有无法完全满足两个目的的问题。
本发明鉴于上述课题而完成,其目的在于提供剥离性优异、且没有可燃性、安全,且不会腐蚀导电体的防腐蚀性优异的抗蚀剂剥离剂。
予以说明,本发明人鉴于上述情况进行了深入研究,结果使用具有高的双亲介质性的特定新型烷氧基酰胺系化合物作为抗蚀剂剥离剂。该抗蚀剂剥离剂的防腐蚀性优异、且剥离性能也优异。本发明如下完成。
用于解决技术问题的方法
为了达成上述目的,本发明的抗蚀剂剥离剂含有式(1)所示的化合物。
这里,式(1)中,R3为碳原子数1~18的烷基。R1和R2各自独立地表示氢原子或可具有碳原子数1~6的醚键的烃基。R1和R2可以相同也可相互不同,还可以键合形成环状结构。
如此,烷氧基酰胺系抗蚀剂剥离剂在具有高剥离性能的同时,相对于铜或氧化铝的防腐蚀性也非常优异。另外,该抗蚀剂剥离剂由于具有水溶性,因此,不需要IPA(异丙醇)淋洗,可以提高生产性。
另外,优选含有约20~100重量%的上述式(1)所示的化合物和约0~80重量%的水。
这样,抗蚀剂剥离剂还可以作为水混合系的抗蚀剂剥离剂使用。另外,抗蚀剂剥离剂通过制成水混合物,可以除去可燃性,作为非危险品处理。另外,抗蚀剂剥离剂即便是高水稀释率也具有高剥离性能,可以减少抗蚀剂剥离剂的使用量。而且,抗蚀剂剥离剂即便在不制成水混合物时,由于烷氧基酰胺系化合物本身的闪点高、为第三石油类,因此可以提高安全性。
另外,优选使上述R1和R2的碳原子数为1~4。
如此,抗蚀剂剥离剂可以抑制在水中的溶解性降低,能够进行水淋洗。
另外,优选使上述R1和R2的碳原子数为1、且使上述R3的碳原子数为1~8。
如此,抗蚀剂剥离剂可以在不降低抗蚀剂的剥离性的情况下抑制在水中的溶解性降低。
另外,优选使上述R1和R2的碳原子数为2、且使上述R3的碳原子数为1~6。
如此,抗蚀剂剥离剂也可在不降低抗蚀剂的剥离性的情况下抑制在水中的溶解性降低。
另外,优选可以添加防蚀剂、螯合剂、剥离促进剂、还原剂、氧化剂、表面活性剂、缓冲剂和/或抗氧化剂。
这样,例如添加表面活性剂时,在微细间隙的渗透性提高,可以提高抗蚀剂的剥离性。另外,通过添加抗氧化剂,抗蚀剂剥离剂可以抑制氧化所导致的性能恶化。
附图说明
图1为表示相对于实施例1~15的剥离剂种类(剥离液的组成)、剥离性能和防腐蚀性能的表-1。
图2为表示相对于比较例1~6的剥离剂种类(剥离液的组成)、剥离性能和防腐蚀性能的表-2。
具体实施方式
[抗蚀剂剥离剂的一实施方式]
本发明的抗蚀剂剥离剂在制造液晶显示面板或半导体元件等时使用。即,在热刻蚀工序中,将不需要的抗蚀剂(感光剂)溶解、除去。
本实施方式的抗蚀剂剥离剂具有含有式(1)所示烷氧基酰胺系化合物的构成。
Figure A200780023158D00061
上述式(1)中,R3为碳原子数1~18的烷基。R1和R2分别表示氢原子或可具有碳原子数1~6的醚键的一价烃基。
这里,R3的烷基可以举出甲基、乙基、各种丙基、各种丁基、各种戊基、各种己基、各种辛基等。该烷基优选碳原子数1~8、特别优选碳原子数1~6。
另外,R1和R2的烃基可以是直链状、支链状的任一种,优选饱和烃基。作为其例子,可以举出甲基、乙基、各种丙基、各种丁基、甲氧基甲基、甲氧基乙基、乙氧基乙基等,最一般的为甲基。R1和R2可相同也可相互不同,而且还可以相互键合形成环结构。该环结构可以是以氮为杂原子的杂环结构,另外,还可以是以氮原子和氧原子为杂原子的杂环结构。具有该杂环结构的基团例如可以举出1-吡咯烷基、哌啶基、吗啉基等。
上述烷氧基酰胺系的化合物例如可以举出3-甲氧基-N,N-二甲基丙酰胺、3-丁氧基-N,N-二甲基丙酰胺、3-甲氧基-N,N-二乙基丙酰胺、3-乙氧基-N,N-二乙基丙酰胺等。
这里,优选使R1和R2的碳原子数为1~4、更优选使R1和R2的碳原子数为1~2。如此,可以降低在水中的溶解性降低,因此能够进行水淋洗。
另外,在使R1和R2的碳原子数为1时,优选使R3的碳原子数为1~8、更优选使R3的碳原子数为1~6。这样,可以在不降低抗蚀剂的剥离性(包括溶解抗蚀剂的性能)的情况下增大在水中的溶解性。在使R1和R2的碳原子数为1时可以使R3的碳原子数为1~8的理由为R3的碳原子数越大,则在水中的溶解性越降低,在水稀释率降低的同时,水淋洗变难。
另外,在使R1和R2的碳原子数为2时,优选使R3的碳原子数为1~6、更优选使R3的碳原子数为1~3。这样,可以在不降低抗蚀剂的剥离性的情况下增大在水中的溶解性。在使R1和R2的碳原子数为2时可以使R3的碳原子数为1~6的理由为R3的碳原子数越大,则在水中的溶解性越降低,在水稀释率降低的同时,水淋洗变难。
上述式(1)所示烷氧基酰胺系的化合物通常与水混合,作为水混合系的抗蚀剂剥离剂使用。该抗蚀剂剥离剂通过制成水混合物而没有可燃性,因此可以作为非危险品处理。另外,该抗蚀剂剥离剂即便是高水稀释率也具有高剥离性能,可以减少抗蚀剂剥离剂的使用量。进而,即便不制成水混合物时,也可作为抗蚀剂剥离剂使用。另外,烷氧基酰胺系化合物本身的闪点高、为第三石油类,因此可以提高稳定性。
这里,优选在抗蚀剂剥离剂中含有约20~100重量%的式(1)所示化合物和约0~80重量%的水。更优选含有约25~100重量%的式(1)所示化合物和约0~75重量%的水,进一步优选含有约40~100重量%的式(1)所示化合物和0~60重量%的水。如此,可以良好地发挥抗蚀剂剥离剂的剥离性能。
例如,作为式(1)所示的化合物,当使用N,N-二甲基体时,水添加量可以为约5~80重量%、优选为约20~60重量%。即,式(1)所示化合物在小于约40重量%或者超过约80重量%时,由于式(1)所示化合物有相对于抗蚀剂的剥离性能降低的担心。另外,作为式(1)所示化合物,当使用N,N-二乙基体时,水添加量可以为约0~80重量%、优选为约0~40重量%。如此,可以防止相对于抗蚀剂的剥离性能降低的问题。
另外,本实施方式的抗蚀剂剥离剂优选可添加防蚀剂、螯合剂、剥离促进剂、还原剂、氧化剂、表面活性剂、缓冲剂和/或抗氧化剂等。这样,例如添加表面活性剂时,在微细间隙的渗透性提高,可以提高抗蚀剂的剥离性。另外,通过根据需要添加抗氧化剂,可以抑制氧化所导致的性能恶化。上述防蚀剂、螯合剂、剥离促进剂、还原剂、氧化剂、表面活性剂、抗氧化剂可以单独使用,还可以组合使用2种以上。
作为防蚀剂或者螯合剂,可以举出芳香族羟基化合物、乙炔醇、含羧基的有机化合物及其酸酐、三唑化合物、糖类及肟系化合物等。上述各防蚀剂或者螯合剂可以单独使用,还可以组合使用2种以上。
作为芳香族羟基化合物,可以举出苯酚、甲酚、二甲酚、儿茶酚、间苯二酚、氢醌、邻苯三酚、1,2,4-苯三醇、水杨醇、对羟基苄醇、邻-羟基苄醇、对羟基苯乙醇、对氨基苯酚、间氨基苯酚、二氨基苯酚、氨基间苯二酚、对羟基苯甲酸、邻-羟基苯甲酸、2,4-二羟基苯甲酸、2,5-二羟基苯甲酸、3,4-二羟基苯甲酸、3,5-二羟基苯甲酸、没食子酸等。
乙炔醇可以举出2-丁烯-1,4-二醇、3,5-二甲基-1-己烯-3-醇、2-甲基-3-丁烯-2-醇、3-甲基-1-戊烯-3-醇、3,6-二甲基-4-辛烯-3,6-二醇、2,4,7,9-四甲基-5-癸烯-4,7-醇、2,5-二甲基-3-己烯-2,5-二醇等。
含羧基的有机化合物及其酸酐可以举出甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、异丁酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、甘草酸、马来酸、富马酸、苯甲酸、苯二甲酸、1,2,3-苯三酸、乙二醇酸、乳酸、苹果酸、柠檬酸、乙酸酐、苯二甲酸酐、马来酸酐、琥珀酸酐、水杨酸、酒石酸、丙烯酸、γ-亚麻酸等。
三唑化合物可以举出苯并三唑、邻甲苯基三唑、间甲苯基三唑、对甲苯基三唑、羧基苯并三唑、1-羟基苯并三唑、硝基苯并三唑、二羟基丙基苯并三唑、氨基三唑等。
另外,糖类可以举出山梨糖酸、木糖醇、益寿糖、阿拉伯醇、甘露醇、蔗糖、淀粉等。
另外,肟系化合物可以举出二甲基乙二肟、二苯基乙二肟等。
上述防蚀剂或螯合剂能够以单独或者它们的混合物的任一种形式使用。
剥离促进剂可以举出苯磺酸、甲苯磺酸、二甲苯磺酸、苯酚磺酸或者甲基、丙基、庚基、辛基、癸基、十二烷基等烷基苯磺酸等。
上述剥离促进剂能够以单独或者它们的混合物的任一种形式使用。
作为还原剂,可以举出连二亚硫酸、硫酸盐系还原剂、胺系还原剂或者其它的还原剂。
上述连二亚硫酸、硫酸盐系还原剂可以举出硫代硫酸钠、连二亚硫酸钠、焦亚硫酸钠、偏亚硫酸钠等。
胺系还原剂可以举出羟基胺、单乙醇胺、色氨酸、组氨酸、蛋氨酸、苯丙氨酸。
其它的还原剂为抗坏血酸、丁二醇类、不饱和酮类、尿酸、四咪唑、肼类及其衍生物类,可以举出肼基甲酸盐类、肟类、氢醌、邻苯三酚、没食子酸、2,4,5-三羟基丁酰苯、生育醇、6-羟基-2,5,7,8-四甲基色原酮-2-羧酸、丁基化羟基甲苯(BHT)、丁基化羟基苯甲醚(BHA)、2,6-二叔丁基-4-羟基甲基苯酚、硫醇类、水杨醛、4-羟基苯甲醛、羟乙醛二烷基缩醛类及它们的混合物等。
上述还原剂能够以单独或者它们的混合物的任一种形式使用。
氧化剂可以举出臭氧、过氧化氢、次氯酸或次氯酸盐、亚氯酸或亚氯酸盐、过氯酸或过氯酸盐、次溴酸或次溴酸盐、亚溴酸盐或亚溴酸盐、过溴酸或过溴酸盐、次碘酸或次碘酸盐、亚碘酸或亚碘酸盐、过碘酸或过碘酸盐、过硫酸或过硫酸盐、过乙酸或过乙酸盐、过丙酸或过丙酸盐、过苯甲酸或过苯甲酸盐、叔丁基过氧化氢、过氧化氢乙苯、氢过氧化枯烯等。
上述氧化剂能够以单独或者它们的混合物的任一种形式使用。
表面活性剂可以举出阳离子系、阴离子系、非离子系或氟系等表面活性剂。
作为阳离子系表面活性剂,可以举出烷基三甲基铵盐系、烷基酰胺系、烷基二甲基苄基铵盐系、聚乙烯聚胺系阳离子树脂、鲸蜡基三甲基氯化铵、季铵盐等表面活性剂。
作为非离子系表面活性剂,可以举出聚氧化烯烷基醚系、聚氧化烯烷基苯基醚系、聚氧化烯二醇脂肪酸酯系、聚氧化烯山梨糖醇脂肪酸酯系、山梨聚糖脂肪酸酯系、聚氧化烯山梨聚糖脂肪酸酯系等表面活性剂。
作为阴离子系表面活性剂,可以举出在水中显示阴离子性的基团、形成磺酸的基团(以下记作磺酸基)、形成硫酸酯的基团(以下记作硫酸酯基)、形成磷酸酯的基团(以下记作磷酸酯基)、形成羧酸的基团(以下记作羧酸基)等。
作为上述具有磺酸基的化合物,可以举出烷基二苯基醚二磺酸、亚烷基二磺酸、萘磺酸甲醛缩合物、苯酚磺酸甲醛缩合物、苯基苯酚磺酸甲醛缩合物等分子结构中具有2个以上阴离子性官能团的化合物、烷基苯磺酸、丁二酸二烷基酯磺酸钠、丁二酸单烷基酯磺酸钠、烷基苯氧基乙氧基乙基磺酸等化合物或其盐等。
作为具有硫酸酯基的化合物,可以举出烷基甲基牛磺酸、酰基甲基牛磺酸、脂肪酸甲基牛磺酸等甲基牛磺酸类,聚氧化烯烷基苯基醚硫酸酯、聚氧化烯烷基醚硫酸酯、聚氧化烯多环苯基醚硫酸酯、聚氧化烯芳基醚硫酸酯等化合物或其盐等。
作为具有磷酸酯基的化合物,可以举出聚氧化烯烷基醚磷酸、聚氧化烯烷基苯基醚磷酸等化合物或其盐等。
作为具有羧酸基的化合物,可以举出酰基肌氨酸、脂肪酸肌氨酸等肌氨酸类化合物,椰子油、油酸、丙烯酸、γ-亚麻酸等脂肪酸类化合物或其盐等。
进而,作为分子结构中具有不同的2个阴离子系官能团的化合物,可以举出具有磺酸基和羧酸基的磺基琥珀酸烷基酯、磺基琥珀酸聚氧化烯烷基酯等化合物或其盐等。
作为氟系表面活性剂,可以举出全氟烷基环氧乙烷加成物、全氟烷基磷酸酯、全氟烷基苯基甘氨酸等。
上述表面活性剂能够以单独或者它们的混合物的任一种形式使用。
缓冲剂可以举出无机酸盐系或有机酸盐系等。
例如,作为在缓冲体系中有用的有机酸并无限定,可以举出甲酸、三氟乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、庚酸、乳酸、草酸、苹果酸、丙二酸、琥珀酸、富马酸、己二酸、苯甲酸、苯二甲酸和柠檬酸等。
另外,作为本发明缓冲体系中有用的共轭碱可以举出有机酸的盐、氨、四甲基氢氧化铵、四烷基氢氧化铵、2-(甲基氨基)乙醇、单异丙醇胺、二甘醇胺、N,N-二甲基-2-(2-氨基乙氧基)乙醇、1-(2-氨基乙基)哌啶、1-(2-羟乙基)哌嗪、1-(2-氨基乙基)哌嗪、1-(3-氨基丙基)-咪唑、1,8-二氮杂二环[5.4.0]-7-十一烷烯、N.N.N’-三甲基氨基乙醇胺、五甲基二亚乙基三胺、乙基吗啉、羟基吗啉、氨基丙酸吗啉三乙醇胺和甲基二乙醇胺等。另外,有用的共轭碱并非限定于上述示例。
另外,优选为选自羧酸盐、硫酸盐、磺酸盐、磷酸盐、硝酸盐、盐酸盐和硼酸盐等的1种以上的盐。具体地可以举出乙酸铵、柠檬酸铵、草酸铵、磺基琥珀酸铵、硫酸铵、甲磺酸铵、磷酸铵、硝酸铵、氯化铵、四硼酸铵、丙烯酸铵等。当着眼于阳离子时,除了铵盐之外,可以是胺盐,也可以是季铵盐。
作为胺,可以举出羟基胺、二乙基羟基胺等羟基胺类,乙基胺、丙二胺、二丁基胺、三甲基胺等烷胺类,单乙醇胺、甲基乙醇胺、甲基二乙醇胺、三乙醇胺、单异丙醇胺、二甘醇胺、N,N-二甲基-2-(2-氨基乙氧基)乙醇等烷醇胺类,苯胺、苄胺等芳香族胺类,乙基吗啉、羟基吗啉、氨基丙酸吗啉等吗啉类,1-(2-氨基乙基)哌嗪、1-(2-羟乙基)哌嗪、1-(2-氨基乙基)哌嗪、1-(3-氨基丙基)-咪唑、1,8-二氮杂二环[5.4.0]-十一-7-烯、N.N.N’-三甲基氨基乙醇胺、五甲基二亚乙基三胺等。上述胺只要显示碱性即可,并无特别限定。
作为形成季铵盐的季铵离子,可以举出四甲基铵离子、四乙基铵离子、三乙基甲基铵离子、月桂基三甲基铵离子、苄基三甲基铵离子等。
上述缓冲剂能够以单独或者它们的混合物的任一种形式使用。
作为上述抗氧化剂,可以举出2,6-二叔丁基-4-甲基苯酚、2,5-二叔丁基氢醌、2,6-二叔丁基-α-二甲基氨基-对甲酚等单酚系化合物。另外,还可以举出4,4’-双(2,6-二叔丁基苯酚)、4,4’-亚甲基-双(2,6-二叔丁基苯酚)、2,2’-亚甲基-双(4-甲基-6-叔丁基苯酚)、4,4’-亚甲基-双(2,6-二叔丁基苯酚)、4,4’-亚丁基-双(3-甲基-6-叔丁基苯酚)等双酚化合物。另外,可以举出4,4’-硫代双(3-甲基-6-叔丁基苯酚)、2,2’-硫代双(6-叔丁基-邻甲酚)、2,2’-硫代双(4-甲基-6-叔丁基苯酚)等硫代双酚系化合物。另外,还可以举出四[亚甲基-3-(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸酯]甲烷、三[2-甲基-4-羟基-5-叔丁基-苯酚]丁烷等三酚系化合物。另外,还可以举出三苯基膦、三壬基膦、三(单和二壬基苯基)膦等膦系抗氧化剂。另外,还可以举出二丙酸二月桂酯、硫代二丙酸二硬脂酯等硫系抗氧化剂。
上述抗氧化剂能够以单独或者它们的混合物的任一种形式使用。另外,抗氧化剂的使用量相对于抗蚀剂剥离剂优选添加约0.01~1.0重量%。
如此,本实施方式的抗蚀剂剥离剂通过使用式(1)所示烷氧基酰胺系化合物,在具有高剥离性能的同时,相对于铜或氧化铝等的防腐蚀性非常优异。另外,通过制成水系剥离剂,由于没有可燃性,安全、且具有水溶性,因此可以进行水淋洗,且由于不需要IPA淋洗,因此可以提高生产性。
接着,参照图1的表-1和图2的表-2说明上述抗蚀剂剥离剂的实施例和比较例。
实施例1
图1为表示相对于实施例1~5的剥离剂种类(剥离液的组成)、剥离性能和防腐蚀性能的表-1。
图2为表示相对于比较例1~6的剥离剂种类(剥离液的组成)、剥离性能和防腐蚀性能的表-2。
首先,说明相对于实施例1~15和比较例1~6的通用抗蚀剂剥离性性能评价法(抗蚀基板、剥离试验和腐蚀试验)等。
<抗蚀基板>
基板:使用日立金属株式会社制的成膜玻璃(尺寸约100mm×100mm)。
抗蚀剂:使用涂布富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ(株)的HPR204(重氮萘醌/ノボルトラツク树脂),在规定温度下烘箱中烘焙约15分钟的抗蚀剂。即,实施例1、2、3、5~8、10~15和比较例1、3~6使用在约130℃下烘箱中烘焙约15分钟的抗蚀剂。实施例4、9和比较例2使用在约150℃下烘箱中烘焙约15分钟的抗蚀剂。
予以说明,评价剥离性时,使用将上述抗蚀基板剪切为约10mm×5mm的试验片。
<剥离试验>
剥离性能利用下述2个评价法评价。
抗蚀剂剥离性-1:在约30ml的样品瓶中放入约5ml剥离剂和1张上述制作的抗蚀基板的试验片,在规定温度下搅拌的同时,测定液中的玻璃基板变为无色透明的时间,如下进行判断。
○:至变为透明的时间小于40秒钟
×:至变为透明的时间为40秒钟以上
予以说明,实施例1、2、3、5~8、10~15和比较例1、3~6使搅拌时的上述规定温度为室温(例如0~30℃、通常为20~25℃)。另外,实施例4、9和比较例2使搅拌时的上述规定温度为约40℃。
抗蚀剂剥离性-2:在约30ml的样品瓶中放入约5ml剥离剂和1张上述制作的抗蚀基板的试验片,在规定温度下搅拌约60秒钟,使其剥离后,取出抗蚀基板,立即进行丙酮淋洗后,观察在约50℃下干燥约30分钟后的表面,如下进行判断。
○:玻璃基板表面上完全没有发雾部分,抗蚀剂被完全地洗涤剥离。
△:玻璃基板表面上稍有发雾部分,抗蚀剂几乎被洗涤剥离。
×:玻璃基板表面的一半以上发雾,洗涤剥离不充分,相当部分地抗蚀剂残存。
予以说明,实施例1、2、3、5~8、10~15和比较例1、3~6使搅拌约60秒钟时的上述规定温度为室温(例如0~30℃、通常为20~25℃)。另外,实施例4、9和比较例2使搅拌约60秒钟时的上述规定温度为约40℃。
<腐蚀试验>
防腐蚀性能按照以下2个评价法评价。
防腐蚀性-1:在约30ml的样品瓶中放入剥离剂,在其中团入直径约0.5mm的铜线约100mm使其浸渍,观察1周后的着色程度,如下进行判断。
○:完全没有变色。
△:稍微变色为淡蓝色。
×:明显地变色为蓝色。
防腐蚀性-2:制作Mo(钼)/Al/Mo的层压配线基板,将该试验片(约10mm×5mm)放入约30ml的样品瓶中,添加约5ml剥离剂,在约40℃下浸渍约5分钟。在浸渍-腐蚀操作后,按照以下顺序进行观察,如下进行判断。
顺序1进行IPA淋洗、顺序2进行丙酮淋洗、顺序3进行在约50℃下干燥约30分钟,利用SEM(扫描电子显微镜)观察Al的腐蚀程度。
○:完全没有变化。
△:Al稍有溶出,观察到腐蚀。
×:Al明显地溶出,观察到严重的腐蚀。
予以说明,将相对于实施例1~15和比较例1~10的结果示于表-1和表-2。
作为实施例1的剥离剂,准备包含约80重量%的3-甲氧基-N,N-二甲基丙酰胺(适当简称作MDMPA)和约20重量%的水的抗蚀剂剥离剂。接着,进行上述剥离试验和腐蚀试验。
试验结果示于表-1中。
抗蚀剂剥离性-1:○(至基板变为透明的时间为38秒钟)
抗蚀剂剥离性-2:○
防腐蚀性-1:○
防腐蚀性-2:○
该抗蚀剂剥离剂的剥离性能和防腐蚀性能优异。
实施例2
作为实施例2的剥离剂,准备包含约60重量%的3-甲氧基-N,N-二甲基丙酰胺和约40重量%的水的抗蚀剂剥离剂。接着,进行上述剥离试验和腐蚀试验。
试验结果示于表-1中。
抗蚀剂剥离性-1:○(至基板变为透明的时间为39秒钟)
抗蚀剂剥离性-2:△
防腐蚀性-1:○
防腐蚀性-2:○
该抗蚀剂剥离剂在抗蚀剂剥离性-2中,在玻璃基板表面上稍有发雾部分,抗蚀剂几乎被洗涤剥离(可见微量的抗蚀剂残渣)。另外,该抗蚀剂剥离性在其它试验中的剥离性能和防腐蚀性能优异。
实施例3
作为实施例3的剥离剂,准备约100重量%的3-甲氧基-N,N-二甲基丙酰胺构成的抗蚀剂剥离剂。接着,进行上述剥离试验和腐蚀试验。
试验结果示于表-1中。
抗蚀剂剥离性-1:○(至基板变为透明的时间为32秒钟)
抗蚀剂剥离性-2:○
防腐蚀性-1:○
防腐蚀性-2:○
该抗蚀剂剥离剂的剥离性能和防腐蚀性能优异。
实施例4
作为实施例4的剥离剂,准备约100重量%的3-甲氧基-N,N-二甲基丙酰胺构成的抗蚀剂剥离剂。接着,进行上述剥离试验和腐蚀试验。
试验结果示于表-1中。
抗蚀剂剥离性-1:○(至基板变为透明的时间为35秒钟)
抗蚀剂剥离性-2:○
防腐蚀性-1:○
防腐蚀性-2:○
该抗蚀剂剥离剂的剥离性能和防腐蚀性能优异。
实施例5
作为实施例5的剥离剂,准备约100重量%的3-丁氧基-N,N-二甲基丙酰胺(适当略记为BDMPA)构成的抗蚀剂剥离剂。接着,进行上述剥离试验和腐蚀试验。
试验结果示于表-1中。
抗蚀剂剥离性-1:○(至基板变为透明的时间为31秒钟)
抗蚀剂剥离性-2:△
防腐蚀性-1:○
防腐蚀性-2:○
该抗蚀剂剥离剂在抗蚀剂剥离性-2中,在玻璃基板表面上稍有发雾部分,抗蚀剂几乎被洗涤剥离(可见微量的抗蚀剂残渣)。另外,该抗蚀剂剥离性在其它试验中的剥离性能和防腐蚀性能优异。
实施例6
作为实施例6的剥离剂,准备约80重量%的3-丁氧基-N,N-二甲基丙酰胺和约20重量%的水构成的抗蚀剂剥离剂。接着,进行上述剥离试验和腐蚀试验。
试验结果示于表-1中。
抗蚀剂剥离性-1:○(至基板变为透明的时间为24秒钟)
抗蚀剂剥离性-2:△
防腐蚀性-1:○
防腐蚀性-2:○
该抗蚀剂剥离剂在抗蚀剂剥离性-2中,在玻璃基板表面上稍有发雾部分,抗蚀剂几乎被洗涤剥离(可见微量的抗蚀剂残渣)。另外,该抗蚀剂剥离性在其它试验中的剥离性能和防腐蚀性能优异。
实施例7
作为实施例7的剥离剂,准备约60重量%的3-丁氧基-N,N-二甲基丙酰胺和约40重量%的水构成的抗蚀剂剥离剂。接着,进行上述剥离试验和腐蚀试验。
试验结果示于表-1中。
抗蚀剂剥离性-1:○(至基板变为透明的时间为29秒钟)
抗蚀剂剥离性-2:○
防腐蚀性-1:○
防腐蚀性-2:○
该抗蚀剂剥离剂的剥离性能和防腐蚀性能优异。
实施例8
作为实施例8的剥离剂,准备约40重量%的3-丁氧基-N,N-二-甲基丙酰胺和约60重量%的水构成的抗蚀剂剥离剂。接着,进行上述剥离试验和腐蚀试验。
试验结果示于表-1中。
抗蚀剂剥离性-1:○(至基板变为透明的时间为24秒钟)
抗蚀剂剥离性-2:○
防腐蚀性-1:○
防腐蚀性-2:○
该抗蚀剂剥离剂的剥离性能和防腐蚀性能优异。
实施例9
作为实施例9的剥离剂,准备约60重量%的3-丁氧基-N,N-二甲基丙酰胺和约40重量%的水构成的抗蚀剂剥离剂。接着,进行上述剥离试验和腐蚀试验。
试验结果示于表-1中。
抗蚀剂剥离性-1:○(至基板变为透明的时间为39秒钟)
抗蚀剂剥离性-2:△
防腐蚀性-1:○
防腐蚀性-2:○
该抗蚀剂剥离剂在抗蚀剂剥离性-2中,在玻璃基板表面上稍有发雾部分,抗蚀剂几乎被洗涤剥离(可见微量的抗蚀剂残渣)。另外,该抗蚀剂剥离性在其它试验中的剥离性能和防腐蚀性能优异。
实施例10
作为实施例10的剥离剂,准备约100重量%的3-甲氧基-N,N-二乙基丙酰胺(适当略记为MDEPA)构成的抗蚀剂剥离剂。接着,进行上述剥离试验和腐蚀试验。
试验结果示于表-1中。
抗蚀剂剥离性-1:○(至基板变为透明的时间为30秒钟)
抗蚀剂剥离性-2:○
防腐蚀性-1:○
防腐蚀性-2:○
该抗蚀剂剥离剂的剥离性能和防腐蚀性能优异。
实施例11
作为实施例11的剥离剂,准备约80重量%的3-甲氧基-N,N-二乙基丙酰胺和约20重量%的水构成的抗蚀剂剥离剂。接着,进行上述剥离试验和腐蚀试验。
试验结果示于表-1中。
抗蚀剂剥离性-1:○(至基板变为透明的时间为18秒钟)
抗蚀剂剥离性-2:○
防腐蚀性-1:○
防腐蚀性-2:○
该抗蚀剂剥离剂的剥离性能和防腐蚀性能优异。
实施例12
作为实施例12的剥离剂,准备约60重量%的3-甲氧基-N,N-二乙基丙酰胺和约40重量%的水构成的抗蚀剂剥离剂。接着,进行上述剥离试验和腐蚀试验。
试验结果示于表-1中。
抗蚀剂剥离性-1:○(至基板变为透明的时间为28秒钟)
抗蚀剂剥离性-2:○
防腐蚀性-1:○
防腐蚀性-2:○
该抗蚀剂剥离剂的剥离性能和防腐蚀性能优异。
实施例13
作为实施例13的剥离剂,准备约100重量%的3-乙氧基-N,N-二乙基丙酰胺(适当略记为EDEPA)构成的抗蚀剂剥离剂。接着,进行上述剥离试验和腐蚀试验。
试验结果示于表-1中。
抗蚀剂剥离性-1:○(至基板变为透明的时间为19秒钟)
抗蚀剂剥离性-2:△
防腐蚀性-1:○
防腐蚀性-2:○
该抗蚀剂剥离剂在抗蚀剂剥离性-2中,在玻璃基板表面上稍有发雾部分,抗蚀剂几乎被洗涤剥离(可见微量的抗蚀剂残渣)。另外,该抗蚀剂剥离性在其它试验中的剥离性能和防腐蚀性能优异。
实施例14
作为实施例14的剥离剂,准备约80重量%的3-乙氧基-N,N-二乙基丙酰胺和约20重量%的水构成的抗蚀剂剥离剂。接着,进行上述剥离试验和腐蚀试验。
试验结果示于表-1中。
抗蚀剂剥离性-1:○(至基板变为透明的时间为19秒钟)
抗蚀剂剥离性-2:○
防腐蚀性-1:○
防腐蚀性-2:○
该抗蚀剂剥离剂的剥离性能和防腐蚀性能优异。
实施例15
作为实施例15的剥离剂,准备约60重量%的3-乙氧基-N,N-二乙基丙酰胺和约40重量%的水构成的抗蚀剂剥离剂。接着,进行上述剥离试验和腐蚀试验。
试验结果示于表-1中。
抗蚀剂剥离性-1:○(至基板变为透明的时间为29秒钟)
抗蚀剂剥离性-2:△
防腐蚀性-1:○
防腐蚀性-2:○
该抗蚀剂剥离剂在抗蚀剂剥离性-2中,在玻璃基板表面上稍有发雾部分,抗蚀剂几乎被洗涤剥离(可见微量的抗蚀剂残渣)。另外,该抗蚀剂剥离性在其它试验中的剥离性能和防腐蚀性能优异。
比较例1
作为比较例1的剥离剂,准备约30重量%的二甲基亚砜(适当略记为DMSO)和约70重量%的单乙醇胺(适当略记为MEA)构成的抗蚀剂剥离剂。接着,进行上述剥离试验和腐蚀试验。
试验结果示于表-2中。
抗蚀剂剥离性-1:×(至基板变为透明的时间为45秒钟)
抗蚀剂剥离性-2:△
防腐蚀性-1:○
防腐蚀性-2:○
该抗蚀剂剥离剂在抗蚀剂剥离性-1中,剥离需要长时间,在抗蚀剂剥离性-2中,可见微量的抗蚀剂残渣。另外,该抗蚀剂剥离性在防腐蚀性-1中稍变色为淡蓝色,在防腐蚀性-2中Al稍有溶出,可见腐蚀。
比较例2
作为比较例2的剥离剂,准备约30重量%的二甲基亚砜(适当略记为DMSO)和约70重量%的单乙醇胺(适当略记为MEA)构成的抗蚀剂剥离剂。接着,进行上述剥离试验和腐蚀试验。
试验结果示于表-2中。
抗蚀剂剥离性-1:×(至基板变为透明的时间为50秒钟)
抗蚀剂剥离性-2:△
防腐蚀性-1:△
防腐蚀性-2:△
该抗蚀剂剥离剂在抗蚀剂剥离性-1中,剥离需要长时间,在抗蚀剂剥离性-2中,可见微量的抗蚀剂残渣。另外,该抗蚀剂剥离性在防腐蚀性-1中稍变色为淡蓝色,在防腐蚀性-2中Al稍有溶出,可见腐蚀。
比较例3
作为比较例3的剥离剂,准备约34重量%的二甘醇单丁基醚、约46重量%的单乙醇胺和约20重量%的水构成的抗蚀剂剥离剂。接着,进行上述剥离试验和腐蚀试验。
试验结果示于表-2中。
抗蚀剂剥离性-1:×(至基板变为透明的时间为56秒钟)
抗蚀剂剥离性-2:×
防腐蚀性-1:△
防腐蚀性-2:△
该抗蚀剂剥离剂在抗蚀剂剥离性-1中,剥离需要长时间,在抗蚀剂剥离性-2中,玻璃基板表面的一半以上有发雾,洗涤剥离不充分,相当量的抗蚀剂残存。另外,该抗蚀剂剥离性在防腐蚀性-1中稍变色为淡蓝色,在防腐蚀性-2中Al稍有溶出,可见腐蚀。
比较例4
作为比较例4的剥离剂,准备约26重量%的二甘醇单丁基醚、约34重量%的单乙醇胺和约40重量%的水构成的抗蚀剂剥离剂。接着,进行上述剥离试验和腐蚀试验。
试验结果示于表-2中。
抗蚀剂剥离性-1:○(至基板变为透明的时间为38秒钟)
抗蚀剂剥离性-2:△
防腐蚀性-1:×
防腐蚀性-2:×
该抗蚀剂剥离剂在抗蚀剂剥离性-1中,虽然剥离性优异,但在抗蚀剂剥离性-2中,可见微量的抗蚀剂残渣。另外,该抗蚀剂剥离性在防腐蚀性-1中明显地变色为蓝色,在防腐蚀性-2中Al明显地溶出,可见严重的腐蚀。
比较例5
作为比较例5的剥离剂,准备约17重量%的二甘醇单丁基醚、约23重量%的单乙醇胺和约60重量%的水构成的抗蚀剂剥离剂。接着,进行上述剥离试验和腐蚀试验。
试验结果示于表-2中。
抗蚀剂剥离性-1:○(至基板变为透明的时间为24秒钟)
抗蚀剂剥离性-2:○
防腐蚀性-1:×
防腐蚀性-2:×
该抗蚀剂剥离剂的剥离性优异。另外,该抗蚀剂剥离性在防腐蚀性-1中明显地变色为蓝色,在防腐蚀性-2中Al明显地溶出,可见严重的腐蚀。
比较例6
作为比较例6的剥离剂,准备约9重量%的二甘醇单丁基醚、约11重量%的单乙醇胺和约80重量%的水构成的抗蚀剂剥离剂。接着,进行上述剥离试验和腐蚀试验。
试验结果示于表-2中。
抗蚀剂剥离性-1:○(至基板变为透明的时间为29秒钟)
抗蚀剂剥离性-2:△
防腐蚀性-1:×
防腐蚀性-2:×
该抗蚀剂剥离剂在抗蚀剂剥离性-1中,虽然剥离性优异,但在抗蚀剂剥离性-2中,可见微量的抗蚀剂残渣。另外,该抗蚀剂剥离性在防腐蚀性-1中明显地变色为蓝色,在防腐蚀性-2中Al明显地溶出,可见严重的腐蚀。
由上述各实施例的试验结果可以确认在全部的实施例中,防腐蚀性能优异。另外,对于剥离性能而言,实施例2、5、6、9、13、15虽然可见微量的抗蚀剂残渣,但在其它实施例中,剥离性能也优异。
另外,由上述各比较例的试验结果可知,全部比较例无法满足剥离性能和防腐蚀性能两者。
以上,对于本发明的抗蚀剂剥离剂举出优选的实施方式进行说明,但本发明的抗蚀剂剥离剂并非仅限于上述实施方式,可以在本发明的范围内实施各种变更。
例如,抗蚀剂剥离剂所含的式(1)所示化合物并非限定于一种类,例如可以是含有式(1)所示2个以上化合物的抗蚀剂剥离剂。
另外,作为本发明的用途并非限定于液晶-半导体用抗蚀剂剥离剂,例如还可作为打印基板用剥离剂、抗蚀剂显影液、焊剂洗涤剂、树脂溶剂(例如聚酰亚胺树脂用溶剂、聚酰胺树脂用溶剂)等使用。

Claims (6)

1.一种抗蚀剂剥离剂,其特征在于,其含有式(1)所示的化合物,
Figure A200780023158C00021
这里,式(1)中,R3为碳原子数1~18的烷基;R1和R2各自独立地为氢原子或可具有碳原子数1~6的醚键的烃基,可以相同也可以相互不同,还可以相互键合形成环状结构。
2.根据权利要求1所述的抗蚀剂剥离剂,其特征在于,含有20~100重量%的上述式(1)所示的化合物和0~80重量%的水。
3.根据权利要求1或2所述的抗蚀剂剥离剂,其特征在于,使上述R1和R2的碳原子数为1~4。
4.根据权利要求1或2所述的抗蚀剂剥离剂,其特征在于,使上述R1和R2的碳原子数为1、且使上述R3的碳原子数为1~8。
5.根据权利要求1或2所述的抗蚀剂剥离剂,其特征在于,使上述R1和R2的碳原子数为2、且使上述R3的碳原子数为1~6。
6.根据权利要求1~5任一项所述的抗蚀剂剥离剂,其特征在于,添加有防蚀剂、螯合剂、剥离促进剂、还原剂、氧化剂、表面活性剂、缓冲剂和/或抗氧化剂。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102436153A (zh) * 2011-10-28 2012-05-02 绍兴文理学院 印花网版感光胶剥离剂及剥离方法
CN103336412A (zh) * 2013-07-03 2013-10-02 北京科华微电子材料有限公司 一种新型的光刻胶剥离液及其应用工艺
CN104122763A (zh) * 2013-04-25 2014-10-29 奇美实业股份有限公司 剥离光阻用组成物及其使用方法
CN105204301A (zh) * 2014-06-23 2015-12-30 东友精细化工有限公司 抗蚀剂剥离剂组合物和利用其剥离抗蚀剂的方法
CN107168021A (zh) * 2017-07-07 2017-09-15 绵阳艾萨斯电子材料有限公司 一种光刻胶用剥离液及其制备方法和应用
CN111474832A (zh) * 2020-05-11 2020-07-31 Tcl华星光电技术有限公司 光刻胶剥离液及剥离装置
CN115236953A (zh) * 2021-04-22 2022-10-25 金�雄 用于去除光致抗蚀剂的剥离剂组合物及使用其的光致抗蚀剂的剥离方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102436153A (zh) * 2011-10-28 2012-05-02 绍兴文理学院 印花网版感光胶剥离剂及剥离方法
CN102436153B (zh) * 2011-10-28 2013-06-19 绍兴文理学院 印花网版感光胶剥离剂
CN104122763A (zh) * 2013-04-25 2014-10-29 奇美实业股份有限公司 剥离光阻用组成物及其使用方法
CN103336412A (zh) * 2013-07-03 2013-10-02 北京科华微电子材料有限公司 一种新型的光刻胶剥离液及其应用工艺
CN103336412B (zh) * 2013-07-03 2017-02-08 北京科华微电子材料有限公司 一种新型的光刻胶剥离液及其应用工艺
CN105204301A (zh) * 2014-06-23 2015-12-30 东友精细化工有限公司 抗蚀剂剥离剂组合物和利用其剥离抗蚀剂的方法
CN107168021A (zh) * 2017-07-07 2017-09-15 绵阳艾萨斯电子材料有限公司 一种光刻胶用剥离液及其制备方法和应用
CN107168021B (zh) * 2017-07-07 2020-06-02 绵阳艾萨斯电子材料有限公司 一种光刻胶用剥离液及其制备方法和应用
CN111474832A (zh) * 2020-05-11 2020-07-31 Tcl华星光电技术有限公司 光刻胶剥离液及剥离装置
CN115236953A (zh) * 2021-04-22 2022-10-25 金�雄 用于去除光致抗蚀剂的剥离剂组合物及使用其的光致抗蚀剂的剥离方法

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WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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