KR102048917B1 - 포토리소그래피에 사용되는 포토레지스트 세정 조성물 및 이로 기판을 처리하는 방법 - Google Patents

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    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
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    • H01L2224/13101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
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Abstract

(a) 4차 암모늄 하이드록사이드, (b) 수용성 유기 용매의 혼합물, (c) 적어도 하나의 부식 억제제, 및 (d) 물을 함유하는, 3-150 ㎛의 막 두께를 갖는 포토레지스트 패턴을 스트립핑하기 위한 포토레지스트 세정 조성물, 및 이로 기판을 처리하는 방법이 개시된다.

Description

포토리소그래피에 사용되는 포토레지스트 세정 조성물 및 이로 기판을 처리하는 방법
관련 특허 출원에 대한 상호 참조
본 특허 출원은 그 전문이 본원에 참조로 포함되는, 2015년 8월 5일자로 출원된 미국 가특허 출원 일련 번호 62/201,352의 이익을 주장한다.
발명의 배경
본 발명은 두꺼운 포토레지스트 패턴(photoresist pattern)을 스트립핑(stripping)하기 위한 포토리소그래피(photolithography)에 사용되는 포토레지스트 세정 조성물, 및 이로 기판을 처리하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 포토레지스트 세정 조성물은 적합하게는 특히 반도체 디바이스(semiconductor device), 예컨대 IC 및 LSI의 생산시 범프(bump) 또는 필라(pillar) 또는 재배선 층(redistribution layer)(RDL)의 형성을 위해 적용된다. 또한, 반도체 디바이스, 예컨대 IC 및 LSI의 생산시 실리콘 또는 유리 기판 상에서의 실리콘 관통 비아(Through Silicon Vias)(TSV)의 형성에서, Bosch 에칭 공정과 같은 에칭 공정 후에 사용될 수 있다.
최근 몇년간, IC 및 LSI와 같은 반도체 디바이스의 고집적화 및 칩 크기의 축소화로, 금속 배선의 크기를 줄이고, 기판 상에 20 ㎛ 또는 그 초과의 높이를 갖는 접속 단자(connection terminal)(미소 돌출 전극(minute salient electrode))로서 범프 또는 필라를 높은 정밀도로 정렬할 것이 요구되고 있다. 앞으로는, 칩 크기의 추가의 축소화, 금속 배선 및 범프의 고정밀도가 훨씬 더 필요하게 될 것이다.
범프 형성은 예를 들어, 기판 상에 금속 박막을 제공하고, 포토리소그래피 기술에 의해 금속 박막 상에 두꺼운 포토레지스트 패턴을 형성하고, 기판의 포토레지스트 패턴-비피복 영역(즉, 금속 박막-노출 영역) 상에 도전성 층을 제공하여 범프, 필라 또는 RDL을 형성시킨 후, 포토레지스트 패턴을 제거함으로써 수행된다.
포토레지스트 패턴은 일반적으로 약 3-150 ㎛의 막 두께로 두꺼운 막일 수 있고, 포토레지스트는 포지티브-워킹 포토레지스트(positive-working photoresist) 물질일 수 있는데, 왜냐하면 네거티브-워킹 포토레지스트(negative-working photoresist)를 위한 다수의 일반적인 스트립핑 화학물질이 기판 물질, 예컨대 구리, 니켈, 구리 또는 니켈의 여러 금속과의 합금, 주석-은 합금(또한 조성이 상이한 SAC로서 알려져 있음), TiN 또는 그 밖의 패시베이션(passivation) 물질, 예컨대 SiN, 폴리이미드, BCB 등을 심하게 에칭하거나 손상시킬 수 있다.
포토레지스트 패턴이 일반적으로 약 3-150 ㎛의 막 두께로 두꺼울 수 있기 때문에, 포토레지스트는 도금에 대한 내성, 패턴 형상 성질 등에 비추어 네거티브-워킹 포토레지스트 물질일 수 있다. 전형적으로 포지티브-워킹 포토레지스트 물질로 형성된 포토레지스트 패턴에 비해 네거티브-워킹 포토레지스트(negative-working photoresist)로 형성된 포토레지스트 패턴을 제거하기가 더 어렵고, 이에 따라 두꺼운 포지티브-워킹 포토레지스트 물질에 비해 네거티브-워킹 포토레지스트 물질로 형성된 두꺼운 포토레지스트 패턴을 제거하기가 훨씬 더 어렵다.
또한, 두꺼운 포토레지스트 패턴은 이의 두꺼운 막 두께로 인해 형성 과정 동안에 변형되거나 붕괴할 수 있다. 이러한 경우에, 후속 공정을 중단시키고, 기판으로부터 변형된 포토레지스트 패턴을 완전히 제거함으로써 재작업을 수행하고, 사용된 단계를 반복하여 포토레지스트 패턴을 형성시키는 것이 필요하다.
범프 형성 후 포토레지스트 패턴의 제거 또는 재작업을 위한 포토레지스트 패턴의 제거는 전형적으로 포토레지스트 세정 조성물의 탱크에서 일어나 포토레지스트 패턴(경화된 물질)을 빠르고 완전하게 스트립핑한다. 포토레지스트 세정 조성물이 포토레지스트를 세정하면서 금속 박막을 부식시키지 않는 것이 중요하지만, 포토레지스트를 완전히 제거하는 것이 중요하다. 추가로, 기판 상의 범프 형성시, 변질된 막이 포토레지스트 패턴과 범프 사이의 계면에서 형성될 가능성이 있다. 그러므로, 금속 막의 부식을 방지하고, 부식으로부터 범프 또는 포토레지스트 세정 조성물에 의해 제거되지 않도록 의도되는, 존재하는 어떠한 다른 물질을 보호하는 것이 필요하다.
JP-A-08-301911는 범프 형성 이용을 위한 패턴 형성 물질로서 방사선-민감성 수지 조성물을 기술하고 있고, 문단 번호 [0032] 및 [0043]에서 광경화 패턴(photo-cured pattern)을 스트립핑하기 위한 스트립핑액으로서 4차 암모늄, 디메틸 설폭사이드 및 물(특히, 0.5 질량%의 테트라메틸암모늄 하이드록사이드의 디메틸 설폭사이드 용액(1.5 질량%의 물 함유))의 혼합물을 기재하고 있다. 그러나, 이러한 스트립핑액은 스트립핑액에서 기판으로부터 스트립핑되는 광경화 패턴을 용해시키는데 시간이 걸리고, 처리량이 낮다는 문제점을 포함한다. 또한, 이 스트립핑액은 이들 적용시 사용되는 다양한 금속 기판의 고에칭을 초래한다.
JP-A-10-239865는 범프를 형성시키기 위해 네거티브-워킹 포토레지스트를 스트립핑하기 위한 스트립핑액으로서 특정 양의 디메틸 설폭사이드, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, 테트라알킬암모늄 하이드록사이드, 및 물을 함유하는 포뮬레이션(formulation)을 기술하고 있다. 상기 JP-A-08-301911의 경우에서와 같이, JP-A-10-239865 또한 스트립핑액에서 기판으로부터 스트립핑되는 광경화 패턴을 용해시키는데 시간이 걸리고, 처리량이 낮다는 문제점을 포함한다. 또한, 중요하게는, 이 스트립핑액은 이들 적용에 사용되는 여러 금속 기판의 고에칭을 야기한다. 추가로, JP-A-10-239865의 스트립핑 용액은 필수 성분으로서 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논을 함유한다. 이 화합물은 Cu의 변색 또는 부식을 초래한다.
포토리포그래피 분야에서, JP-A-2001-324823, JP-A-07-028254, 등은 4차 암모늄 하이드록사이드 및 수용성 유기 용매, 예컨대 디메틸 설폭사이드를 함유하는 스트립핑액을 기술하고 있다. 그러나, 그 어느 것도 범프 형성을 위한 두꺼운 패턴을 형성하는데 적합하게 사용되는 두꺼운 포지티브 또는 네거티브-워킹 포토레지스트를 제거하기 어렵다는 제거가능성을 전혀 기술하고 있지 않다.
그 밖의 공지된 조성물이 포토레지스트를 스트립핑할 수 있지만, 또한 세정되어야 하는 기판 상에 존재하는 금속 및 그 밖의 물질을 부식시킨다. 잘 세정하고, 기판 상의 금속 및/또는 패시베이션 물질의 부식을 거의 또는 전혀 야기하지 않는 조성물이 요구된다.
발명의 간단한 요약
본 발명의 목적은 기판으로부터 두꺼운 포토레지스트 패턴(이는 범프 형성을 위해 사용될 수 있음)도 스트립핑할 수 있는 포토레지스트 세정 조성물, 및 포토레지스트 세정 조성물을 사용하여 기판을 처리하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 양태에서, 3-150 ㎛의 막 두께를 갖는 포토레지스트 패턴을 스트립핑하기 위한 포토레지스트 세정 조성물로서, (a) 0.5-5 또는 0.5-4 또는 0.5-3 또는 1-5 또는 1-4 또는 1-3 또는 1-2 또는 1.5-3 또는 1.8-2.3 또는 1.25-4.5 질량%의 적어도 하나의 4차 암모늄 하이드록사이드 또는 둘 이상의 4차 암모늄 하이드록사이드의 혼합물; (b) 60-97.5 또는 60-96 또는 73-98 또는 75-96 또는 90-96 또는 89-95 또는 78-85 또는 64-69 또는 80.5-82.5 또는 82-97.5 또는 80-83 또는 85-96 또는 89-94 또는 85-97.5 또는 86-97 또는 91-96 질량%의, 디메틸설폭사이드(DMSO), 설폴란 또는 디메틸설폰 또는 이들의 혼합물 및 적어도 하나의 추가의 유기 용매 또는 둘 이상의 추가의 유기 용매를 포함하는 수용성 유기 용매의 혼합물, (c) 0.5-15 또는 0.5-14 또는 0.5-12 또는 0.5-10 또는 10.5-15 또는 11-14 또는 11-13 또는 10-20 또는 0.5-5 또는 0.5-4 또는 0.5-3 또는 1-10 또는 1-5 또는 1-4 또는 1-3 또는 3-4 질량%의 적어도 하나의 부식 억제제 또는 둘 이상의 부식 억제제의 혼합물; 및 (d) 0.5-25 또는 0.5-10 또는 1-10 또는 1-8 또는 1-7 또는 2-5 또는 1-5 또는 1-2 또는 3-7 또는 4-6 질량%의 물을 포함하는 세정 조성물이 제공된다.
본원에서 "포함하는", "함유하는", "갖는" 등이 언급되는 어느 곳에서나, 이는 "필수적으로 포함하는" 및 "이루어진"을 포함함을 유의하라.
본 발명의 다른 양태에서, 본 발명은 3-150 ㎛의 막 두께를 갖는 포토레지스트 패턴을 스트립핑하기 위한 포토레지스트 세정 조성물로서, (a) 0.5-5 또는 0.5-4 또는 0.5-3 또는 1-5 또는 1-4 또는 1-3 또는 1-2 또는 1.5-3 또는 1.8-2.3 또는 1.25-4.5 질량%의, 적어도 하나의 4차 암모늄 하이드록사이드, 예컨대 테트라메틸암모늄 하이드록사이드 및/또는 테트라에틸암모늄 하이드록사이드 또는 그 밖의 4차 암모늄 하이드록사이드(들) 중 어느 하나(하기 열거된 것들로부터 선택될 수 있음), 또는 이들의 혼합물, (b) 60-97.5 또는 60-96 또는 73-98 또는 75-96 또는 90-96 또는 89-95 또는 78-85 또는 64-69 또는 80.5-82.5 또는 82-97.5 또는 80-83 또는 85-96 또는 89-94 또는 85-97.5 또는 86-97 또는 91-96 질량%의, 디메틸설폭사이드(DMSO), 설폴란 또는 디메틸설폰 또는 이들의 혼합물, 및 프로필렌 글리콜, 그 밖의 글리콜, 디올, 트리올, 사이클릭 알코올, 테트라하이드로푸르푸릴 알코올, 디프로필렌글리콜 메틸에테르, 그 밖의 글리콜 에테르, 감마-부티롤락톤, 감마-발레롤락톤, 디메틸아세트아미드, 모노에탄올아민, 또는 그 밖의 알칸올아민(전형적으로 C1-C6 알칸올아민, 예컨대 디에탄올에틸아민), 아미노프로필모르폴린, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 (또는 둘 이상의) 추가의 유기 용매(들)를 포함하는 수용성 유기 용매의 혼합물; (c) 0.5-15 또는 0.5-14 또는 0.5-12 또는 0.5-10 또는 10.5-15 또는 11-14 또는 11-13 또는 10-20 또는 0.5-5 또는 0.5-4 또는 0.5-3 또는 1-10 또는 1-5 또는 1-4 또는 1-3 또는 3-4 질량%의, 카테콜, 3차-부틸 카테콜, 암모늄 벤조에이트, 안트라닐산, 벤조산, 살리실산, 시트르산, 갈산, 모노 또는 디하이드록시 벤조산, 폴리에틸렌이민(PEI), 디에틸하이드록실아민(DEHA), 하이드록실아민 또는 디프로필하이드록실아민 또는 이들의 염 또는 이들의 혼합물, 또는 어떠한 부식 억제제들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 부식 억제제; 및 (d) 0.5-25 또는 0.5-10 또는 1-10 또는 1-7 또는 2-5 또는 1-5 또는 1-2 또는 3-7 또는 4-6 질량%의 물을 포함하는 포토레지스트 세정 조성물을 제공한다.
본 발명의 또 다른 양태에서, 3-150 ㎛의 막 두께를 갖는 포토레지스트 패턴을 스트립핑하기 위한 포토레지스트 세정 조성물로서, (a) 0.5-5 또는 0.5-4 또는 0.5-3 또는 1-5 또는 1-4 또는 1-3 또는 1-2 또는 1.5-3 또는 1.8-2.3 또는 1.25-4.5 질량%의, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드 또는 테트라에틸암모늄 하이드록사이드, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 4차 암모늄 하이드록사이드; (b) 60-97.5 또는 60-96 또는 73-98 또는 75-96 또는 90-96 또는 89-95 또는 78-85 또는 64-69 또는 80.5-82.5 또는 82-97.5 또는 80-83 또는 85-96 또는 89-94 또는 85-97.5 또는 86-97 또는 91-96 질량%의, 디메틸설폭사이드(DMSO), 설폴란 또는 디메틸설폰 또는 이들의 혼합물 및 프로필렌 글리콜, 테트라하이드로푸르푸릴 알코올, 디프로필렌글리콜 메틸에테르, 그 밖의 글리콜 에테르, 감마-부티롤락톤, 감마-발레롤락톤, 디메틸아세트아미드, 모노에탄올아민 또는 아미노프로필모르폴린 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 추가의 유기 용매를 포함하는 수용성 유기 용매의 혼합물; (c) 0.5-15 또는 0.5-14 또는 0.5-12 또는 0.5-10 또는 10.5-15 또는 11-14 또는 11-13 또는 10-20 또는 0.5-5 또는 0.5-4 또는 0.5-3 또는 1-10 또는 1-5 또는 1-4 또는 1-3 또는 3-4 질량%의, 카테콜, 3차-부틸 카테콜, 암모늄 벤조에이트, 안트라닐산, 벤조산, 살리실산, 시트르산, 갈산, 모노 또는 디하이드록시 벤조산, 폴리에틸렌이민(PEI) 또는 이들의 혼합물, 및/또는 디에틸하이드록실아민(DEHA), 하이드록실아민 또는 디프로필하이드록실아민 또는 이들의 염 또는 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 부식 억제제; 및 (d) 0.5-25 또는 0.5-10 또는 1-10 또는 1-8 또는 1-7 또는 2-5 또는 1-5 또는 1-2 또는 3-7 또는 4-6 질량%의 물을 포함하는, 포토레지스트 세정 조성물이 제공된다.
본 발명의 또 다른 양태에서, 3-150 ㎛의 막 두께를 갖는 포토레지스트 패턴을 스트립핑하기 위한 포토레지스트 세정 조성물로서, (a) 0.5-5 또는 0.5-4 또는 0.5-3 또는 1-5 또는 1-4 또는 1-3 또는 1-2 또는 1.5-3 또는 1.8-2.3 또는 1.25-4.5 질량%의 하나 이상의 4차 암모늄 하이드록사이드, (b) 60-97.5 또는 60-96 또는 73-98 또는 75-96 또는 90-96 또는 89-95 또는 78-85 또는 64-69 또는 80.5-82.5 또는 82-97.5 또는 80-83 또는 85-96 또는 89-94 또는 85-97.5 또는 86-97 또는 91-96 질량%의, 디메틸설폭사이드(DMSO), 설폴란 또는 디메틸설폰 또는 이들의 혼합물, 및 프로필렌 글리콜, 테트라하이드로푸르푸릴 알코올, 디프로필렌글리콜 메틸에테르, 그 밖의 글리콜 에테르, 감마-부티롤락톤, 감마-발레롤락톤, 디메틸아세트아미드, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 아미노프로필모르폴린 또는 그 밖의 용매 또는 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 추가의 유기 용매; (c) 0.5-15 또는 0.5-14 또는 0.5-12 또는 0.5-10 또는 10-20 또는 10.5-15 또는 11-14 또는 11-13 또는 0.5-5 또는 0.5-4 또는 0.5-3 또는 1-10 또는 1-5 또는 1-4 또는 1-3 또는 3-4 질량%의, 디에틸하이드록실아민(DEHA), 하이드록실아민 또는 디프로필하이드록실아민 또는 이들의 염 또는 이들의 혼합물, 및 카테콜, 3차-부틸 카테콜, 암모늄 벤조에이트, 안트라닐산, 벤조산, 살리실산, 시트르산, 갈산, 모노 또는 디하이드록시 벤조산, 폴리에틸렌이민(PEI) 또는 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 추가의 부식 억제제 및 (d) 0.5-25 또는 0.5-10 또는 1-10 또는 1-8 또는 1-7 또는 2-5 또는 1-5 또는 1-2 또는 3-7 또는 4-6 질량%의 물을 포함하는, 포토레지스트 세정 조성물이 제공된다.
본 발명의 또 다른 양태에서, 3-150 ㎛의 막 두께를 갖는 포토레지스트 패턴을 스트립핑하기 위한 포토레지스트 세정 조성물로서, (a) 0.5-5 또는 1-5 또는 1.25-4.5 질량%의 적어도 하나의 4차 암모늄 하이드록사이드 또는 둘 이상의 4차 암모늄 하이드록사이드의 혼합물; (b) 82-97.5 또는 85-96 또는 89-94 질량%의, 디메틸설폭사이드(DMSO), 설폴란 또는 디메틸설폰 또는 이들의 혼합물 및 적어도 하나의 추가의 유기 용매 또는 둘 이상의 추가의 유기 용매를 포함하는 수용성 유기 용매의 혼합물; (c) 1-5 또는 1-4 또는 1-3 질량%의 적어도 하나의 부식 억제제 또는 둘 이상의 부식 억제제의 혼합물; 및 (d) 1-10 또는 1-8 또는 1-7 질량%의 물을 포함하는, 포토레지스트 세정 조성물이 제공된다.
본 발명의 또 다른 양태에서, 3-150 ㎛의 막 두께를 갖는 포토레지스트 패턴을 스트립핑하기 위한 포토레지스트 세정 조성물로서, (a) 0.5-5 또는 1-5 또는 1.25-4.5 질량%의 적어도 하나의 4차 암모늄 하이드록사이드 또는 둘 이상의 4차 암모늄 하이드록사이드의 혼합물; (b) 80-96 또는 83-94 또는 87-92 질량%의, 디메틸설폭사이드(DMSO), 설폴란 또는 디메틸설폰 또는 이들의 혼합물 및 1-4 또는 2-3 또는 2 질량%의 적어도 하나의 추가의 유기 용매 또는 둘 이상의 추가의 유기 용매를 포함하는 수용성 유기 용매의 혼합물; (c) 1-5 또는 1-4 또는 1-3 질량%의 적어도 하나의 부식 억제제 또는 둘 이상의 부식 억제제의 혼합물; 및 (d) 1-10 또는 1-8 또는 1-7 질량%의 물을 포함하는, 포토레지스트 세정 조성물이 제공된다.
본 발명의 또 다른 양태에서, 3-150 ㎛의 막 두께를 갖는 포토레지스트 패턴을 스트립핑하기 위한 포토레지스트 세정 조성물로서, (a) 0.5-5 또는 1-5 또는 1.25-4.5 질량%의 적어도 하나의 4차 암모늄 하이드록사이드 또는 둘 이상의 4차 암모늄 하이드록사이드의 혼합물; (b) 82-97.5 또는 85-96 또는 89-94 질량%의, 디메틸설폭사이드(DMSO), 설폴란 또는 디메틸설폰 또는 이들의 혼합물 및 적어도 하나의 추가의 유기 용매 또는 둘 이상의 추가의 유기 용매를 포함하는 수용성 유기 용매의 혼합물; (c) 1-5 또는 1-4 또는 1-3 질량%의, PEI를 포함하는 둘 이상의 부식 억제제의 혼합물; 및 (d) 1-10 또는 1-8 또는 1-7 질량%의 물을 포함하는, 포토레지스트 세정 조성물이 제공된다. 포토레지스트 세정 조성물에서, 상기 PEI는 1-2 또는 1 질량%로 존재할 수 있다.
본 발명의 또 다른 양태에서, 3-150 ㎛의 막 두께를 갖는 포토레지스트 패턴을 스트립핑하기 위한 포토레지스트 세정 조성물로서, (a) 0.5-5 또는 1-5 또는 1.25-4.5 질량%의 적어도 하나의 4차 암모늄 하이드록사이드 또는 둘 이상의 4차 암모늄 하이드록사이드의 혼합물; (b) 80-96 또는 83-94 또는 87-92 질량%의, 디메틸설폭사이드(DMSO), 설폴란 또는 디메틸설폰 또는 이들의 혼합물 및 1-4 또는 2-3 또는 2 질량%의 적어도 하나의 추가의 유기 용매 또는 둘 이상의 추가의 유기 용매를 포함하는 수용성 유기 용매의 혼합물; (c) 1-5 또는 1-4 또는 1-3 질량%의, PEI를 포함하는 적어도 하나의 부식 억제제 또는 둘 이상의 부식 억제제의 혼합물 및 (d) 1-10 또는 1-8 또는 1-7 질량%의 물을 포함하는, 포토레지스트 세정 조성물이 제공된다. 포토레지스트 세정 조성물에서, 상기 PEI는 1-2 또는 1 질량%로 존재할 수 있다.
본 발명의 또 다른 양태에서 3-150 ㎛의 막 두께를 갖는 포토레지스트 패턴을 스트립핑하기 위한 포토레지스트 세정 조성물로서, (a) 0.5-5 또는 1-5 또는 1-2 질량%의 적어도 하나의 4차 암모늄 하이드록사이드 또는 둘 이상의 4차 암모늄 하이드록사이드의 혼합물; (b) 85-97.5 또는 86-97 또는 91-96 질량%의, 디메틸설폭사이드(DMSO), 설폴란 또는 디메틸설폰 또는 이들의 혼합물 및 적어도 하나의 추가의 유기 용매 또는 둘 이상의 추가의 유기 용매를 포함하는 수용성 유기 용매의 혼합물; (c) 1-10 또는 1-5 또는 3-4 질량%의 적어도 하나의 부식 억제제 또는 둘 이상의 부식 억제제의 혼합물; 및 (d) 1-10 또는 1-5 또는 1-2 질량%의 물을 포함하는, 포토레지스트 세정 조성물이 제공된다.
본 발명의 또 다른 양태에서, 3-150 ㎛의 막 두께를 갖는 포토레지스트 패턴을 스트립핑하기 위한 포토레지스트 세정 조성물로서, (a) 0.5-5 또는 1-5 또는 1-2 질량%의 적어도 하나의 4차 암모늄 하이드록사이드 또는 둘 이상의 4차 암모늄 하이드록사이드의 혼합물; (b) 35-50 또는 38-45 또는 41-44 질량%의, 디메틸설폭사이드(DMSO), 설폴란 또는 디메틸설폰 또는 이들의 혼합물 및 45-58 또는 48-54 또는 50-52 질량%의 추가의 유기 용매 또는 둘 이상의 추가의 유기 용매를 포함하는 수용성 유기 용매의 혼합물; (c) 1-10 또는 1-5 또는 3-4 질량%의 적어도 하나의 부식 억제제 또는 둘 이상의 부식 억제제의 혼합물; 및 (d) 1-10 또는 1-5 또는 1-2 질량%의 물을 포함하는, 포토레지스트 세정 조성물이 제공된다.
본 발명의 또 다른 양태에서, 3-150 ㎛의 막 두께를 갖는 포토레지스트 패턴을 스트립핑하기 위한 포토레지스트 세정 조성물로서, (a) 1-5 또는 1.5-3 또는 1.8-2.3 질량%의 적어도 하나의 4차 암모늄 하이드록사이드 또는 둘 이상의 4차 암모늄 하이드록사이드의 혼합물; (b) 78-85 또는 80-83 또는 80.5-82.5 질량%의, 디메틸설폭사이드(DMSO), 설폴란 또는 디메틸설폰 또는 이들의 혼합물 및 적어도 하나의 추가의 유기 용매 또는 둘 이상의 추가의 유기 용매를 포함하는 수용성 유기 용매의 혼합물; (c) 10.5-15 또는 11-14 또는 11-13 질량%의 적어도 하나의 부식 억제제 또는 둘 이상의 부식 억제제의 혼합물; 및 (d) 1-10 또는 3-7 또는 4-6 질량%의 물을 포함하는, 포토레지스트 세정 조성물이 제공된다. 포토레지스트 세정 조성물은 추가의 유기 용매로서 아민 또는 알칸올아민을 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 양태에서, 3-150 ㎛의 막 두께를 갖는 포토레지스트 패턴을 스트립핑하기 위한 포토레지스트 세정 조성물로서, (a) 1-5 또는 1.5-3 또는 1.8-2.3 질량%의 적어도 하나의 4차 암모늄 하이드록사이드 또는 둘 이상의 4차 암모늄 하이드록사이드의 혼합물; (b) 59-84 또는 65-81 또는 63-67 질량%의, 디메틸설폭사이드(DMSO), 설폴란 또는 디메틸설폰 또는 이들의 혼합물 및 1-20 또는 1-15 또는 2-15 질량%의 적어도 하나의 추가의 유기 용매 또는 둘 이상의 추가의 유기 용매; (c) 10.5-15 또는 11-14 또는 11-13 질량%의 적어도 하나의 부식 억제제 또는 둘 이상의 부식 억제제의 혼합물; 및 (d) 1-10 또는 3-7 또는 4-6 질량%의 물을 포함하는, 포토레지스트 세정 조성물이 제공된다. 어느 한 양태에서, 포토레지스트 세정 조성물은 추가의 유기 용매로서 아민 또는 알칸올아민을 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 양태에서, 3-150 ㎛의 막 두께를 갖는 포토레지스트 패턴을 스트립핑하기 위한 포토레지스트 세정 조성물로서, (a) 1-5 또는 1.5-3 또는 1.8-2.3 질량%의 적어도 하나의 4차 암모늄 하이드록사이드 또는 둘 이상의 4차 암모늄 하이드록사이드의 혼합물; (b) 78-85 또는 80-83 또는 80.5-82.5 질량%의, 디메틸설폭사이드(DMSO), 설폴란 또는 디메틸설폰 또는 이들의 혼합물 및 적어도 하나의 추가의 유기 용매 또는 둘 이상의 추가의 유기 용매를 포함하는 수용성 유기 용매의 혼합물; (c) 10-20 또는 5-14.5 또는 7-12 또는 9-11 질량%의, 디에틸하이드록실아민(DEHA), 하이드록실아민 또는 디프로필하이드록실아민 또는 이들의 염 또는 이들의 혼합물, 및 0.5-5 또는 1-4 또는 1-3 질량%의 적어도 하나의 추가의 부식 억제제 또는 둘 이상의 추가의 부식 억제제의 혼합물; 및 (d) 1-10 또는 3-7 또는 4-6 질량%의 물을 포함하는, 포토레지스트 세정 조성물이 제공된다. 포토레지스트 세정 조성물은 추가의 유기 용매로서 아민 또는 알칸올아민을 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 양태에서, 3-150 ㎛의 막 두께를 갖는 포토레지스트 패턴을 스트립핑하기 위한 포토레지스트 세정 조성물로서, (a) 1-5 또는 1.5-3 또는 1.8-2.3 질량%의 적어도 하나의 4차 암모늄 하이드록사이드 또는 둘 이상의 4차 암모늄 하이드록사이드의 혼합물; (b) 59-84 또는 65-81 또는 63-67 질량%의, 디메틸설폭사이드(DMSO), 설폴란 또는 디메틸설폰 또는 이들의 혼합물 및 1-20 또는 1-15 또는 2-15 질량%의 적어도 하나의 추가의 유기 용매 또는 둘 이상의 추가의 유기 용매; (c) 10-20 또는 5-14.5 또는 7-12 또는 9-11 질량%의, 디에틸하이드록실아민(DEHA), 하이드록실아민 또는 디프로필하이드록실아민 또는 이들의 염 또는 이들의 혼합물, 및 0.5-5 또는 1-4 또는 1-3 질량%의 적어도 하나의 추가의 부식 억제제 또는 둘 이상의 추가의 부식 억제제의 혼합물 및 (d) 1-10 또는 3-7 또는 4-6 질량%의 물을 포함하는, 포토레지스트 세정 조성물이 제공된다. 포토레지스트 세정 조성물은 추가의 유기 용매로서 아민 또는 알칸올아민을 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 양태에서, 3-150 ㎛의 막 두께를 갖는 포토레지스트 패턴을 스트립핑하기 위한 포토레지스트 세정 조성물로서, (a) 1-5 또는 1.5-3 또는 1.8-2.3 질량%의 적어도 하나의 4차 암모늄 하이드록사이드 또는 둘 이상의 4차 암모늄 하이드록사이드의 혼합물; (b) 64-69 질량%의, 디메틸설폭사이드(DMSO), 설폴란 또는 디메틸설폰 또는 이들의 혼합물, 및 알칸올아민, 전형적으로 C1-C6 알칸올아민, 예를 들어 모노에탄올아민을 포함하는 적어도 하나의 추가의 유기 용매 또는 둘 이상의 추가의 유기 용매를 포함하는 수용성 유기 용매의 혼합물; (c) 10.5-15 또는 11-14 또는 11-13 질량%의 적어도 하나의 부식 억제제 또는 둘 이상의 부식 억제제의 혼합물; (d) 1-10 또는 3-7 또는 4-6 질량%의 물을 포함하는, 포토레지스트 세정 조성물이 제공된다.
본 발명의 어느 한 양태에서, 단독으로 또는 다른 양태와 함께, 수용성 유기 용매는 디메틸설폭사이드, 및 프로필렌 글리콜, 테트라하이드로푸르푸릴 알코올, 디프로필렌글리콜 메틸에테르, 그 밖의 글리콜 에테르, 감마-부티롤락톤, 감마-발레롤락톤, 디메틸아세트아미드, 모노에탄올아민 및 아미노프로필모르폴린 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 추가의 유기 용매를 포함할 수 있다. 본 발명의 어떠한 양태에서, 단독으로 또는 다른 양태와 함께, 포토레지스트 세정 조성물은 테트라메틸암모늄 하이드록사이드 또는 테트라에틸암모늄 하이드록사이드, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 4차 암모늄 하이드록사이드를 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 양태에서, 3-150 ㎛의 막 두께를 갖는 포토레지스트 패턴을 스트립핑하기 위한 포토레지스트 세정 조성물로서, (a) 1-3 질량%의 4차 암모늄 하이드록사이드, 예컨대 테트라메틸암모늄 하이드록사이드 또는 테트라에틸암모늄 하이드록사이드, (b) 90-95 질량%의 디메틸설폭사이드, 및 1-6 질량%의, 프로필렌 글리콜, 테트라하이드로푸르푸릴 알코올, 디프로필렌글리콜 메틸에테르, 그 밖의 글리콜 에테르, 감마-부티롤락톤, 감마-발레롤락톤, 디메틸아세트아미드, 모노에탄올아민 및 아미노프로필모르폴린 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 추가의 유기 용매; (c) 0.5-3 질량%의, 카테콜, 3차-부틸 카테콜, 암모늄 벤조에이트, 안트라닐산, 벤조산, 살리실산, 시트르산, 갈산, 모노 또는 디하이드록시 벤조산, 폴리에틸렌이민(PEI) 또는 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 부식 억제제; 및 (d) 2-5 질량%의 물을 포함하는, 포토레지스트 세정 조성물이 제공된다.
본 발명의 어느 한 양태에서, 단독으로 또는 다른 양태와 함께, 추가의 유기 용매(들)은 프로필렌 글리콜, 그 밖의 글리콜, 디올, 트리올, 사이클릭 알코올, 테트라하이드로푸르푸릴 알코올, 디프로필렌글리콜 메틸에테르, 그 밖의 글리콜 에테르, 감마-부티롤락톤, 감마-발레롤락톤, 디메틸아세트아미드, 모노에탄올아민, 또는 그 밖의 알킬 알칸올아민(예컨대, 디에탄올에틸아민, 아미노프로필모르폴린, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다. 본 발명의 어떠한 양태에서, 적어도 하나의 부식 억제제는 카테콜, 3차-부틸 카테콜, 암모늄 벤조에이트, 안트라닐산, 벤조산, 살리실산, 시트르산, 갈산, 모노 또는 디하이드록시 벤조산, 폴리에틸렌이민(PEI), 디에틸하이드록실아민(DEHA), 하이드록실아민 또는 디프로필하이드록실아민 또는 이들의 염 또는 이들의 혼합물 또는 어떠한 부식 억제제들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다.
본 발명의 어떠한 양태에서, 부식 억제제는, 단독으로 또는 본 발명의 그 밖의 양태와 함께, 1-2 또는 1 질량%로 존재할 수 있는 PEI를 포함할 수 있다. 어떠한 양태에서, 성분(b)는, 단독으로 또는 본 발명의 그 밖의 양태와 함께, 프로필렌 글리콜 및/또는 디메틸설폭사이드를 포함할 수 있다. 그 밖의 양태에서, 단독으로 또는 본 발명의 그 밖의 양태와 함께, 성분(b)는 글리콜 또는 디프로필렌글리콜메틸에테르를 포함할 수 있다.
포토레지스트 세정 조성물의 일 양태에서, 성분(c)는, 단독으로 또는 본 발명의 그 밖의 양태와 함께, 카테콜, 3차-부틸 카테콜, 암모늄 벤조에이트, 안트라닐산, 벤조산, 살리실산, 시트르산, 갈산, 모노 또는 디하이드록시 벤조산, 폴리에틸렌이민(PEI) 또는 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되거나; 성분(c)는, 단독으로 또는 본 발명의 그 밖의 양태와 함께, 카테콜, 3차-부틸 카테콜, 갈산, 모노- 또는 디-하이드록시벤조산, 또는 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되거나; 성분(c)는, 단독으로 또는 본 발명의 그 밖의 양태와 함께, 카테콜, 3차-부틸 카테콜, 모노- 또는 디-하이드록시벤조산, 또는 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되거나; 성분(c)는, 단독으로 또는 본 발명의 그 밖의 양태와 함께, 카테콜, 3차-부틸 카테콜 또는 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되거나; 성분(c)는, 단독으로 또는 본 발명의 그 밖의 양태와 함께, 시트르산, 폴리에틸렌이민(PEI) 또는 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다. 선행 구체예 중 어느 하나에 따른 포토레지스트 세정 조성물에서, 단독으로 또는 본 발명의 그 밖의 양태와 함께, 포토레지스트 패턴은 방사선으로의 조사시 중합되는 포지티브 또는 네거티브-워킹 포토레지스트 조성물을 사용하여 형성된 광경화 패턴일 수 있다.
본 발명의 그 밖의 양태에서, 부식 억제제는, 단독으로 또는 본 발명의 그 밖의 양태와 함께, DEHA를 포함하거나 추가로 포함하거나, 부식 억제제는 PEI를 포함하거나 추가로 포함한다. 본 발명의 그 밖의 양태에서, 단독으로 또는 본 발명의 그 밖의 양태와 함께, 추가의 유기 용매는 프로필렌 글리콜을 포함하거나 추가로 포함하거나, 알칸올아민, 예컨대 모노에탄올아민을 포함하거나 추가로 포함한다.
본 발명의 그 밖의 양태에서, 어떠한 구체예의 및/또는 어떠한 방법에서 사용되는 포토레지스트 세정 조성물은, 단독으로 또는 그 밖의 양태와 함께, 아미드를 함유하지 않을 수 있거나, 락탐을 함유하지 않을 수 있거나, 이미다졸리디논을 함유하지 않을 수 있거나, 설폰을 함유하지 않을 수 있거나, 에테르를 함유하지 않을 수 있거나, 알칸올아민을 함유하지 않을 수 있거나, 하이드록실아민을 함유하지 않을 수 있거나, 산을 함유하지 않을 수 있다. 또 다른 양태에서, 본 발명의 어떠한 방법에 사용된 본 발명의 어떠한 조성물은, 단독으로 또는 그 밖의 양태와 함께, 9, 또는 9.5 초과, 또는 9.5-12.5, 또는 9.5-13, 또는 10-12, 또는 10.5-11.5, 또는 11-12.5의 pH를 가질 수 있다.
또한, 추가의 양태에서, 본 발명은 그 위에 금속 박막을 지닌 기판 상에 3-150 ㎛의 막 두께를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성시키고, 금속 박막-노출 영역 또는 포토레지스트 패턴 비피복 영역 상에 도전성 층을 제공하고, 포토레지스트 패턴을 포토레지스트 세정 조성물과 접촉시켜 본원에서 기술되는 포토레지스트 세정 조성물 중 어느 하나를 사용하여 포토레지스트 패턴을 스트립핑하는 것을 포함하는, 기판 처리 방법을 제공한다.
본 발명의 그 밖의 양태에서, 본 발명은 그 위에 금속 박막을 지닌 기판 상에 3-150 ㎛의 막 두께를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성시키는 단계, 금속 박막-노출 영역 또는 포토레지스트 패턴 비피복 영역 상에 비-도전성 패시베이션 층을 제공하는 단계, 포토레지스트 패턴을 본원에서 기술되는 포토레지스트 세정 조성물 중 어느 하나와 접촉시켜 포토레지스트 패턴을 스트립핑하는 단계를 포함하는, 기판 처리 방법을 제공한다.
본 발명의 그 밖의 양태에서, 본 발명은 그 위에 금속 박막을 지닌 기판 상에 3-150 ㎛의 막 두께를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성시키고, 금속 박막-노출 영역 또는 포토레지스트 패턴 비피복 영역 상에 도전성 층을 제공하고, 포토레지스트 패턴을 본원에서 기술되는 포토레지스트 세정 조성물 중 어느 하나와 접촉시켜 포토레지스트 패턴을 스트립핑하고 용해시키는 것을 포함하는, 기판 처리 방법을 제공한다.
본 방법의 그 밖의 양태에서, 포토레지스트 패턴은 방사선으로의 조사시 중합되는 포지티브 또는 네거티브-워킹 포토레지스트 조성물을 사용하여 형성된 광경화 패턴이다.
본 발명의 그 밖의 양태에서, 그 위에 금속 박막을 지닌 기판 상에 3-150 ㎛의 막 두께를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성시키고, 금속 박막-노출 영역 또는 포토레지스트 패턴 비피복 영역 상에 도전성 층을 제공하지 않고 포토레지스트 패턴을 본원에서 기술되는 포토레지스트 세정 조성물 중 어느 하나와 접촉시켜 포토레지스트 패턴을 스트립핑하고 용해시키는 것을 포함하는, 기판 처리 방법이 제공된다.
본 발명의 그 밖의 양태에서, 단독으로 또는 그 밖의 양태와 함께, 본 발명의 기판 처리 방법이 제공되며, 여기서 포토레지스트 패턴은 방사선으로의 조사시 중합되는 포지티브 또는 네거티브-워킹 포토레지스트 조성물을 사용하여 형성된 광경화 패턴일 수 있다.
본 발명의 세정 조성물 및 방법은 하기 이점 중 하나 이상을 제공한다: 포토레지스트 세정 조성물 내 성분의 개선된 스트립핑성(strippability) 및 용해성, 및 포토레지스트 세정 조성물의 포토레지스트 용해성, 및 Cu 및 그 밖의 금속에 대한 낮은 부식률 및 기판 상에 존재하는 패시베이션 물질 또는 그 밖의 물질의낮은 부식성.
발명의 상세한 설명
본 발명의 포토레지스트 세정 조성물은 그 위에 금속 박막을 지닌 기판 상에 형성되는 3-150 ㎛의 막 두께를 갖는 포토레지스트 패턴을 스트립핑하는데 사용된다. 포토레지스트 세정 조성물에서 성분(a)는 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH) 또는 테트라에틸암모늄 하이드록사이드(TEAH) 또는 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 4차 암모늄 하이드록사이드일 수 있다. 대안의 구체예에서, 4차 암모늄 하이드록사이드는 테트라에틸암모늄 하이드록사이드(TEAH)일 수 있거나 이를 포함할 수 있다. 또 다른 예에서, 조성물은 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH)를 포함할 수 있다. 그 밖의 예에서, 조성물은 하기 중 하나 이상을 포함할 수 있다: TEAH, TMAH, 디메틸디프로필암모늄 하이드록사이드, 테트라프로필암모늄 하이드록사이드, 벤질트리메틸암모늄 하이드록사이드, 디메틸디에틸 암모늄 하이드록사이드 및/또는 테트라부틸암모늄 하이드록사이드. 추가의 예에서, 조성물은 TEAH, TMAH, 디메틸디프로필암모늄 하이드록사이드, 테트라프로필암모늄 하이드록사이드, 테트라부틸암모늄 하이드록사이드, 또는 이들의 조합물을 포함할 수 있다. 성분(a)의 추가의 예는 테트라프로필암모늄 하이드록사이드, 테트라부틸암모늄 하이드록사이드, 메틸트리프로필암모늄 하이드록사이드, 및 메틸트리부틸암모늄 하이드록사이드를 포함한다. 성분(a)는 단독으로 또는 이들의 둘 이상의 혼합물로 사용될 수 있다.
성분(a)로서 하나 이상의 4차 암모늄 화합물의 총량은 본 발명의 포토레지스트 세정 조성물의 0.5-5 또는 0.5-4 또는 0.5-3 또는 1-5 또는 1-4 또는 1-3 또는 1-2 또는 1.5-3 또는 1.8-2.3 또는 1.25-4.5 질량%일 수 있다.
성분(b)로서 수용성 유기 용매의 혼합물은 디메틸설폭사이드(DMSO), 설폴란 또는 디메틸설폰 및 물과 혼화될 수 있는 적어도 하나의 유기 용매 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 추가의 유기 용매는 프로필렌 글리콜, 테트라하이드로푸르푸릴 알코올, 디프로필렌글리콜 메틸에테르, 그 밖의 글리콜 에테르, 감마-부티롤락톤, 감마-발레롤락톤, 디메틸아세트아미드, 모노에탄올아민 및 아미노프로필모르폴린으로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
몇몇 구체예에서, 본 발명의 포토레지스트 세정 조성물은 아민(4차 암모늄 화합물 이외의), 알칸올아민, 아미드, 모르폴린, 락탐, 이미다졸, 이미다졸리디논, 설폰, 케톤, 산, 알코올(예를 들어, 모노알코올, 디올, 트리올), 에스테르, 이민 및/또는 에테르 중 어떠한 하나 이상을 어떠한 조합으로 포함할 수 있는 특정 유기 용매 또는 추가의 유기 용매를 함유하지 않는다. 몇몇 구체예에서, 조성물 또는 추가의 유기 용매는 설폴란 및/또는 N-메틸-2-피롤리돈 및/또는 그 밖의 N-알킬-피롤리딘 및/또는 그 밖의 피롤리딘이 아니고/거나 조성물은 이를 함유하지 않는다. 달리 말하면, 조성물은 일례로서, "알칸올아민"-비함유일 수 있거나, 다른 예로서 "알코올"-비함유 및/또는 "디올"-비함유인 추가의 용매 또는 용매들을 추가로 포함할 수 있다. 본 발명의 방법 중 어느 하나에 사용되는 본 발명의 포토레지스트 조성물 중 어느 하나를 기술하기 위해 바로 이전에 기술된 성분들 중 어느 하나는 바로 이전에 열거된 예, 예컨대 "케톤"-비함유 및 "이미다졸"-비함유로 대체될 수 있다.
본 발명에서 성분(b)로서, 디메틸설폭사이드(DMSO), 설폴란 또는 디메틸설폰 중 하나 이상 및 프로필렌 글리콜, 테트라하이드로푸르푸릴 알코올, 디프로필렌글리콜 메틸에테르, 그 밖의 글리콜 에테르, 감마-부티롤락톤, 감마-발레롤락톤, 디메틸아세트아미드, 모노에탄올아민 또는 그 밖의 알칸올아민 및 아미노프로필모르폴린으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 추가의 유기 용매의 혼합 용매가 사용될 수 있다. 본 발명에서 성분(b)로서, 디메틸 설폭사이드 및 프로필렌 글리콜의 혼합 용매가 사용될 수 있다. 디메틸 설폭사이드 및 글리콜의 혼합 용매가 사용될 수 있다. 추가로, 디메틸 설폭사이드 및 글리콜 및 알칸올아민의 혼합 용매가 사용될 수 있다.
몇몇 구체예에서, 디메틸설폭사이드(DMSO), 설폴란 또는 디메틸설폰 중 하나 이상 대 추가의 수용성 유기 용매 또는 유기 용매들의 혼합 비는 바람직하게는 2 초과:1, 또는 5 초과:1, 또는 10 초과:1, 또는 15 초과:1, 또는 20 초과:1, 또는 25 초과:1, 또는 30 초과:1, 또는 35 초과:1, 또는 40 초과:1, 또는 45 초과:1이다. 성분(b)는 세 개 이상의 유기 용매의 혼합물로 사용될 수 있다. 디메틸설폭사이드(DMSO), 설폴란 또는 디메틸설폰 또는 이들의 혼합물 중 하나 이상은 포토레지스트 스트립퍼(stripper)(포토레지스트 세정 조성물) 중에 80-96 또는 83-94 또는 87-92 또는 90-95 질량%로 존재할 수 있고, 용매(들) 중 나머지가 포토레지스트 스트립퍼 조성물 중 1-4 또는 2-3 또는 2 또는 1-6 질량%로 존재할 수 있다. 대안의 구체예에서, 디메틸설폭사이드(DMSO), 설폴란 또는 디메틸설폰 또는 이들의 혼합물 중 하나 이상은 58-84 또는 65-81 또는 63-67 질량%로 존재할 수 있고, 유기 용매(들) 중 나머지는 포토레지스트 세정 조성물의 1-10 또는 1-5 또는 1.5-3 질량%로 존재할 수 있다.
대안의 구체예에서, 디메틸설폭사이드(DMSO), 설폴란 또는 디메틸설폰 또는 이들의 혼합물 중 하나 이상의 질량% 대 추가의 유기 용매(들)의 질량%는 1:2 미만일 수 있다. 몇몇 구체예에서, 디메틸설폭사이드(DMSO), 설폴란 또는 디메틸설폰 또는 이들의 혼합물 중 하나 이상의 질량% 대 추가의 유기 용매(들)의 질량%의 비는 약 1:0.9-1.5이다. 몇몇 구체예에서, 디메틸설폭사이드(DMSO), 설폴란 또는 디메틸설폰 또는 이들의 혼합물 중 하나 이상은 35-50 또는 38-45 또는 41-44 질량%일 수 있고, 추가의 유기 용매(들)은 포토레지스트 세정 조성물의 45-58 또는 48-54 또는 50-52 질량%일 수 있다. 대안의 구체예에서, 디메틸설폭사이드(DMSO), 설폴란 또는 디메틸설폰 중 하나 이상은 34-59 또는 35-53 또는 40-50 질량%의 양으로 존재할 수 있고, 추가의 유기 용매는, 포토레지스트 세정 조성물의 40-65 또는 46-60 또는 48-55 질량%로 존재하는 하나 이상의 용매일 수 있다.
추가의 하나 이상의 용매는 상기 열거된 용매들로부터 선택될 수 있거나, 하나 이상의 글리콜 에테르 및/또는 하나 이상의 콜리콜일 수 있다. 글리콜 에테르 및 글리콜이 세정 조성물에 디메틸설폭사이드(DMSO), 설폴란 또는 디메틸설폰 또는 이들의 혼합물과 함께 사용되는 경우, 글리콜 에테르는 존재하는 콜리콜의 15 초과:1, 또는 20 초과:1, 또는 대략 25:1이 되는 양으로 사용될 수 있다.
용매, 성분(b)의 총량은 본 발명의 포토레지스트 세정 조성물의 60-97.5 또는 60-96 또는 73-98 또는 75-96 또는 90-96 또는 89-95 또는 78-85 또는 64-69 또는 80.5-82.5 또는 82-97.5 또는 80-83 또는 85-96 또는 89-94 또는 85-97.5 또는 86-97 또는 91-96 질량%일 수 있다.
몇몇 구체예에서, 용매 성분(b)의 총량은 포토레지스트 세정 조성물의 78-85 또는 64-69 또는 80-83 또는 82-97.5 또는 80.5-82.5 또는 85-96 또는 89-94 또는 85-97.5 또는 86-97 또는 91-96 질량%일 수 있다.
성분(c)로서 부식 억제제의 양은 0.5-15 또는 0.5-14 또는 0.5-12 또는 0.5-10 또는 10.5-15 또는 11-14 또는 11-13 또는 0.5-5 또는 0.5-4 또는 0.5-3 또는 1-10 또는 1-5 또는 1-4 또는 1-3 또는 3-4 질량%일 수 있다. 부식 억제제는 금속 박막 또는 패시베이션 물질 또는 유전 물질의 부식을 감소시킨다. 부식 억제제는 카테콜, 3차-부틸 카테콜, 암모늄 벤조에이트, 안트라닐산, 벤조산, 살리실산, 시트르산, 갈산, 모노- 또는 디-하이드록시벤조산, 폴리에틸렌이민(PEI) 또는 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다. 몇몇 구체예에서, 바람직한 부식 억제제는 폴리에틸렌 이민(PEI)과 함께 4-하이드록시벤조산(4BHA); 또는 2,4-디하이드록시 벤조산; 또는 3,4-디하이드록시 벤조산 또는 3,5-디하이드록시 벤조산, 또는 시트르산이다. 대안의 구체예에서, 포토레지스트 세정 조성물은 DEHA(부식 억제제 중 적어도 하나로서) 및 글리콜(적어도 하나의 추가의 유기 용매로서)를 포함하고, 아민 또는 알칸올아민을 추가로 포함할 수 있다.
어떠한 구체예에서 부식 억제제는 하이드록실아민 또는 이의 산 염, 예를 들어, 디에틸하이드록실아민(DEHA), 하이드록실아민 또는 디프로필하이드록실아민 또는 이들의 염 또는 이들의 혼합물을, 2-20 또는 10-20 또는 5-14.5 또는 5-15 또는 7-12 또는 8-12 또는 9-11 질량% 또는 약 10 질량%의 양으로 포함할 수 있거나, 추가적으로 이를 추가로 포함할 수 있다. 디에틸하이드록실아민(DEHA), 하이드록실아민 또는 디프로필하이드록실아민 또는 이들의 염 또는 이들의 혼합물은 부식 억제제로서 단독으로 사용될 수 있거나, 하나 이상의 추가의 부식 억제제에 추가로 사용될 수 있다. 디에틸하이드록실아민(DEHA), 하이드록실아민 또는 디프로필하이드록실아민 또는 이들의 염 또는 이들의 혼합물은 하나 이상의 부식 억제제에 대해 상기 기술된 양으로 사용될 수 있다. 디에틸하이드록실아민(DEHA), 하이드록실아민 또는 디프로필하이드록실아민 또는 이들의 염 또는 이들의 혼합물을 포함하는 몇몇 구체예에서, 포토레지스트 세정 조성물은 60-94 질량%의 용매를 포함할 수 있다. 용매는 59-84 또는 65-81 또는 63-67 질량%의 디메틸설폭사이드(DMSO), 설폴란 또는 디메틸설폰 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있고, 1-10 또는 1-5 또는 1-4 질량%가 추가의 유기 용매(들)일 수 있다.
성분(d)로서 물의 양은 본 발명의 포토레지스트 세정 조성물 중 0.5-25 또는 0.5-10 또는 1-10 또는 1-8 또는 1-7 또는 2-5 또는 1-5 또는 1-2 또는 3-7 또는 4-6 질량%일 수 있다.
조성물을 DIW 중 5 질량%로 희석한 후 실온에서 pH 미터(meter)를 사용하여 측정되는 경우, 세정 조성물의 pH는 9 초과, 또는 9.5 초과 또는 9.5-12.5 또는 10-12 또는 10.5-11.5 또는 11-12.5여야 한다.
포토레지스트 세정 조성물은 또한 하기의 임의 첨가제 중 하나 이상을 조성물의 총 중량을 기준으로 하여 총 5 중량% 이하의 양으로 포함할 수 있으나, 단, 이들 첨가제는 조성물의 스트립핑 및 세정 성능에 악영향을 미치지 않고, 하부 기판 표면을 손상시키지 않아야 한다: 계면활성제, 킬레이트화제, 화학 개질제, 염료, 살생물제, 및/또는 그 밖의 첨가제. 대표적인 첨가제의 몇몇 예는 아세틸렌 알코올 및 이의 유도체, 아세틸렌 디올(비이온성 알콕실화된 및/또는 자가-에멀젼화가능한 아세틸렌 디올 계면활성제) 및 이의 유도체, 및 킬레이트화제, 예컨대 베타-디케톤, 베타-케토이민, 말산 및 타르타르산 기반 에스테르 및 디에스테르 및 이들의 유도체, 및 3차 아민, 디아민 및 트리아민을 포함한다. 대안의 구체예에서, 본 발명의 포토레지스트 세정 조성물은 본 문단에서 열거된 첨가제 중 어느 하나를 개별적으로 또는 총체적으로 함유하지 않을 수 있다. 예를 들어, 세정 조성물은 계면활성제 및/또는 킬레이트화제 및/또는 화학 개질제 및/또는 염료 및/또는 살생물제 및/또는 아민 및/또는 아세틸렌 알코올, 등을 함유하지 않을 수 있다.
본 발명의 방법에서 본 발명의 포토레지스트 세정 조성물에 의해 스트립핑되고 용해되어야 하는 대상이 되는 두꺼운 포토레지스트 패턴의 경우, 범프 형성을 위해 두꺼운 패턴을 형성시키기 위한 어떠한 포토레지스트 조성물이 사용될 수 있다.
광중합 타입 네거티브-워킹 포토레지스트 조성물 및 화학 증폭 타입 네거티브-워킹 포토레지스트 조성물이 현재 두꺼운 패턴을 형성시키는데 사용하기 위한 이러한 포토레지스트 조성물 용으로 주로 사용된다. 본 발명의 포토레지스트 세정 조성물은 상기 현재 주로 사용되는 포토레지스트 조성물에 유리한 효과를 나타내야 하나, 이로 제한되는 것은 아니다. 본 발명의 포토레지스트 세정 조성물은 또한 i-레이(i-ray)를 위한 포지티브-워킹 포토레지스트 조성물 및 화학 증폭 타입 포지티브-워킹 포토레지스트 조성물에 유리한 효과를 나타낼 것으로 예상된다.
상술된 여러 포토레지스트 조성물 중에서, 조사시에 중합되고, 알칼리에 불용성이 될 수 있는 광중합 타입 네거티브-워킹 포토레지스트 조성물이 가장 스트립핑되기 어렵고, 포토리소그래피 공정에서 세정 조성물에 가장 용해되기 어려운 것으로 언급된다. 본 발명의 포토레지스트 세정 조성물은 이러한 광중합 타입 네거티브-워킹 포토레지스트 조성물을 효과적으로 스트립핑시키고, 다수의 경우에 용해시킬 수 있다.
광중합 타입 네거티브-워킹 포토레지스트 조성물의 예는 주 성분들로서 폴리머 성분(예컨대(메트)아크릴레이트, 환형 알킬 기-함유(메트)아크릴레이트, 및 스티렌계 폴리머), 광중합 개시제, 용매, 및 가교제를 함유하는 것들을 포함한다.
화학 증폭 타입 네거티브-워킹 포토레지스트 조성물의 예는 구성 성분들로서 폴리머 성분(예컨대 노볼락 수지), 가교제, 광산 발생제, 및 용매를 함유하는 것들을 포함한다.
본 발명의 포토레지스트 세정 조성물의 용도에 대한 구체예 및 포토레지스트 세정 조성물을 사용하여 기판을 처리하는 방법의 구체예가 하기에서 기술될 것이지만, 본 발명이 이로 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 네거티브-워킹 포토레지스트 코팅이 기술되나, 포지티브-워킹 포토레지스트가 대신 사용될 수 있다.
조사시에 중합되고, 알칼리 중에서 불용성이 될 수 있는 네거티브-워킹 포토레지스트 코팅액이 공지된 방법, 예컨대 스핀 코팅법 및 롤 코팅법에 의해 그 위에 금속 박막을 지닌 기판 상에 코팅되고(코팅 단계에서), 이후 건조되어(이는 건조 단계에서 있을 수 있음) 포토레지스트 층을 형성한다.
금속 박막의 예는 TiCu 합금, TiCuNi 합금, 및 Cr:Cu 또는 Cu:Ni:Au 적층 물질을 포함하여, Cu, Cu 합금, Al, Al 합금, Ni, Au, Pd, TI, V, Cr 및 합금 또는 이의 적층 구조물을 포함한다. 금속 박막의 형성(형성 단계에서)은 예를 들어, CVD 증기 증착법, 스퍼터링법(sputtering method), 전기도금법 등에 의해 수행되나, 이로 제한되는 것은 아니다.
이후, 포토레지스트 층은 마스크 패턴을 통해 조사되고(조사 단계에서), 선택적으로 노출된다. 상기 네거티브-워킹 포토레지스트에서, 노광된 영역은 광중합에 의해 경화되어 광경화 영역이 된다. (포지티브-워킹 포토레지스트의 경우, 노광되지 않은 영역이 경화된다.) 방사선 타입은 자외선, 가시선, 원자외선, X선, 전자 빔 등을 포함한다. 방사선원은 저압 수은 증기 램프(low-pressure mercury vapor lamp), 고압 수은 증기 램프(high-pressure mercury vapor lamp), 초고압 수은 증기 램프(ultrahigh-pressure mercury vapor lamp), KrF, ArF, 및 F2 엑시머 레이저(excimer laser)를 포함한다.
이 후에, 현상이 수행되고(현상 단계에서), 이로써 포토레지스트 층의 노출되지 않은 영역이 제거되어 3-150 ㎛의 막 두께를 갖는 포토레지스트 패턴(광경화 패턴)을 형성한다. (포지티브-워킹 포토레지스트의 경우, 노출된 영역이 제거된다.) 현상은 일반적인 방법에 의해 수행될 수 있다. 상술된 네거티브-워킹 포토레지스트에서, 알칼리 수용액이 현상액으로서 사용된다. 이의 특정 예는 소듐 하이드록사이드, 칼륨 하이드록사이드, 탄산나트륨, 소듐 실리케이트, 소듐 메타실리케이트, 암모니아, 물, 에틸아민, n-프로필아민, 디에틸아민, 디-n-프로필아민, 트리에틸아민, 메틸디에틸아민, 디메틸에탄올아민, 트리에탄올아민, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드, 테트라에틸암모늄 하이드록사이드, 피롤, 피페리딘, 1,8-디아자바이사이클로[5.4.0]-7-운데센, 및 1,5-디아자바이사이클로[4.3.0]-5-노난을 포함한다. 현상 시간은 특별히 제한되지 않지만, 일반적으로 약 30 내지 360초이다. 침지법, 패들법(paddle method), 및 분무법과 같은 통상적인 방법이 현상을 위해 사용될 수 있다.
이후, 기판 상의 포토레지스트-비피복 영역(금속 박막-노출 영역; 즉, 비조사 영역)이 도전성 금속으로 채워져 도전성 층을 형성한다(범프 형성). 도전성 금속을 채우기 위해, 임의 방법이 사용될 수 있지만, 전기 도금법이 주로 사용된다. 따라서 요망되는 높이를 갖는 범프가 형성된다. 범프는 일반적으로 20 ㎛ 또는 그 초과의 높이를 갖는다. 범프 형성을 위한 도전성 금속으로서, Cu, Cu 합금, Al, Al 합금, Ni, Au, 및 땜납(solder)과 같은 임의 금속이 사용된다. 본 발명의 포토레지스트 세정 조성물은 도전성 금속으로서 Cu 또는 땜납을 사용하는 기판의 부식을 방지하는데 특히 효과적이다.
범프 형성 공정에서, 포토레지스트 패턴이 두껍게 형성되고, 이에 따라 패턴이 박막 패턴이 형성된 경우와 비교하여 모양 변형, 예컨대 붕괴 및 변형을 초래하기 쉽다는 것은 피할 수 없다. 변형 또는 붕괴가 범프 형성의 완료 이전 포토레지스트 패턴의 형성시에 야기되는 경우, 기판으로부터 이러한 변형된 포토레지스트 패턴을 제거하고, 다시 처음부터 범프 형성을 위해 기판을 적용하는 것이 필요하다("재작업").
본 발명의 포토레지스트 세정 조성물은 범프가 형성된 후 포토레지스트 패턴을 제거하거나, 재작업 공정을 위해 변형된 포토레지스트 패턴을 제거하는데 특히 효과적이다.
즉, 본 발명의 포토레지스트 세정 조성물은 범프 형성 후의 포토레지스트 패턴과, 또는 범프가 아직 형성되지 않은 재작업 공정에 대한 변형된 포토레지스트 패턴과 접촉하게 됨으로써, 이들 패턴을 제거한다.
포토레지스트 세정 조성물을 광경화 패턴과 접촉시킴에 있어서, 포토레지스트 세정 조성물 탱크에 기판을 완전히 침지시키는 것이 바람직하다. 기판을 포토레지스트 세정 조성물과 접촉시킴으로써, 광경화 패턴이 부분적으로 용해되면서 기판으로부터 스트립핑되고, 추가로 본 발명에서, 이에 따라 스트립핑된 경화 패턴이 신속하게 용해되는 우수한 세정을 나타낸다. 경화 패턴이 기판으로부터 스트립핑되더라도, 스트립핑된 경화 패턴이 빠르게 용해되지 않고 포토레지스트 세정 조성물 탱크에 잔류한다면, 스트립핑된 광경화 패턴 또는 이의 잔류물이 기판 또는 세정 탱크에서 처리되는 후속 기판에 재부착될 우려가 있다.
본 발명의 포토레지스트 세정 조성물은 패턴이 네거티브-워킹 광중합가능한 포토레지스트로 이루어지는 경우에도 광경화 패턴이 기판으로부터 완전히 스트립핑되고, 용해되도록 하는데, 이는 지금까지 완전한 제거가 어렵거나, 제거에 오랜 기간이 걸리고, 패턴이 두꺼운(예를 들어, 3-150 ㎛) 경우에는 제거하는데 훨씬 더 어려운 것으로 간주되어 왔다. 본 발명은 기판으로부터의 신속한 스트립핑과 같은 효과를 나타낸다. 또한, 본 발명은 기판 상의 금속 박막 및 범프(도전성 층)의 부식을 효과적으로 방지할 수 있다. 추가로, 본 발명은 범프와 포토레지스트 패턴 사이의 계면에서 변질된 필름의 형성을 방지할 수 있다.
기판의 침지 시간은 기판으로부터 포토레지스트 패턴을 스트립핑하기에 충분한 시간일 수 있으며, 특히 제한되지 않지만, 일반적으로 약 10초 내지 20분이다. 처리 온도는 바람직하게는 약 25-90℃, 특히 약 40-80℃이다. 본 발명의 포토레지스트 세정 조성물에서, 경화된 물질은 약 5-60분의 시간 내에 완전히 용해될 수 있다.
추가적으로, 본 발명의 방법에서, 그 위에 광경화 패턴을 갖는 기판을 본 발명의 포토레지스트 세정 조성물과 접촉시키기 전에, 기판이 오존 수용액 및/또는 과산화수소 수용액과 접촉할 수 있다. 추가로, 본 발명의 방법에서, 그 위에 광경화 패턴을 갖는 기판은 (1) 오존 또는 과산화수소 수용액, (2) 본원에서 기술된 포토레지스트 세정 조성물 중 하나 이상, (3) DIW로의 헹굼, 및 (4) 단계 1-3의 1 내지 10회 반복으로 주기적 방식으로 접촉될 수 있다. 대안적으로, 기판을 오존 또는 과산화수소 수용액과 접촉시키지 않고 단계 2 및 3 만 1 내지 10회 반복될 수 있다. 이러한 주기적 공정은 기판을 완벽하게 세정하기 위해 1 내지 10회 다수회 반복된다.
실시예
본 발명은 하기에서 하기 실시예를 참조하여 자세히 기술될 것이나, 본 발명이 이로 제한된다고 간주되어서는 안된다. 하기 실시예를 포함하여 본 출원 전반의 모든 양은 달리 명시되지 않는 한 질량%이다.
포토레지스트 세정 조성물의 제조
하기 표에 기재된 바와 같은 포토레지스트 세정 조성물을 실온에서 설정 양의 개별 성분들을 교반 플레이트(stir plate) 상의 유리 비커에서 배합함으로써 제조하였다.
각 성분에 대한 표의 약어는 하기 의미를 갖는다:
4BHA: 4-하이드록시벤조산
DIW: 탈이온수
DMSO: 디메틸 설폭사이드
PG: 프로필렌 글리콜
PEI: 폴리에틸렌이민
TBC: 3차 부틸 카테콜
TMAH: 테트라메틸암모늄 하이드록사이드
조성물을 탈이온수(DIW)로 5질량%로 희석한 후 pH 미터를 사용하여 실온에서 조성물을 측정함으로써 조성물의 pH를 측정하였다.
알루미늄 및 구리 및 패시베이션 물질의 부식(에칭)률을 금속 또는 패시베이션 물질의 블랭킷 웨이퍼(blanket wafer)를 사용함으로써 시험하였다. 에칭률이 약 20-30 옹스트롬/분(Å/min) 초과인 경우 20분, 또는 에칭률이 약 20Å/min 미만인 경우 60분 유지하도록 시험을 셋업하였다. 두께 측정(Å)은 0, 3, 5, 10, 및 20분, 또는 0, 10, 20, 40, 및 60분 후에 3회씩 이루어졌다. 에칭률의 수치 평균이 본원에서 보고된다. 금속 두께 측정은 ResMap Four Point 프로브를 사용하여 이루어졌다. 패시베이션 물질에 대한 막 두께 측정은 Filmtek 엘립소미터(ellipsometer)를 사용하였다.
세정 시험을 하기와 같이 수행하였다. 이전에 경화되고 현상된 포토레지스트, 및 그 위에 이미 형성되어 있는 마이크로범프(microbump)를 갖는 시험 웨이퍼를 Fraunhofer IZM(Germany)로부터 입수하였다. 일부 웨이퍼는 50 ㎛의 범프 직경을 가졌고, 다른 것들은 25 ㎛의 범프 직경을 가졌다. 50 ㎛의 범프 직경을 갖는 웨이퍼는 각 웨이퍼 상에 110, 150, 300 및 600 ㎛의 범프 피치(pitch)를 가졌다. 25 ㎛의 범프 직경을 갖는 웨이퍼는 각 웨이퍼 상에 55, 75, 150 및 300 ㎛의 범프 피치를 가졌다. 웨이퍼는 범프를 형성하기 위해 두 가지 타입의 금속 스택(stack)을 가졌다: (a) Cu 및 SnAg 및 (b) Cu, Ni, 및 SnAg. 모든 웨이퍼에 대해 기판은 50 nm Ti 및 300 nm Cu의 코팅을 가졌다. 포토레지스트는 50 ㎛ 두께의 AZ IPS-528였다. 기판의 각 2"x 2" 조각을, 용액을 교반 플레이트 상에서 300 rpm으로 교반하면서 500 ml 유리 비이커 내 330 ml의 실시예 세정 용액에 2-10분 동안 침지시켰다. 용액을 가열하고, 온도를 기록하였다. 온도는 ~40-65℃였다. 기판을 침지시킨 후, 기판을 주위에서 3분 동안 DI 물로 헹구고, 질소로 건조시켰다. 처리된 기판을 SEM을 사용하여 촬영하고, 사진을 육안으로 검사하고, 하기 등급을 사용하여 평가하였다:
√√√√ = 완전히 세정됨
√√√ = 약간의 잔류물을 의미함
√√ = 부분 세정을 의미함
√ = 거의 내지 전혀 세정되지 않음을 의미함
Figure 112018021584227-pct00001
_
Figure 112018021584227-pct00002
Figure 112018021584227-pct00003
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Figure 112018021584227-pct00014
상기에서 자세히 기술된 바와 같이, 본 발명의 포토레지스트 세정 조성물을 사용함으로써, 기판으로부터 범프 형성을 위한 두꺼운 포토레지스트 패턴을 스트립핑할 뿐만 아니라 기판에 재부착을 초래하지 않으면서 스트립핑된 포토레지스트 패턴을 포토레지스트 세정 조성물에 용해시키는 것이 가능하다. 또한, 생산 효율을 향상시키는 것이 가능하다.

Claims (20)

  1. 3-150 ㎛의 막 두께를 갖는 포토레지스트 패턴(photoresist pattern)을 스트립핑(stripping)하기 위한 포토레지스트 세정 조성물(photoresist cleaning composition)로서, (a) 0.5-5 질량%의 적어도 하나의 4차 암모늄 하이드록사이드 또는 둘 이상의 4차 암모늄 하이드록사이드의 혼합물; (b) 60-97.5 질량%의, 디메틸설폭사이드(DMSO), 설폴란 또는 디메틸설폰 또는 이들의 혼합물, 및 적어도 하나의 추가의 유기 용매 또는 둘 이상의 추가의 유기 용매를 포함하는 수용성 유기 용매의 혼합물; (c) 0.5-15 질량%의, 폴리에틸렌이민; 및 4-하이드록시벤조산, 2,4-디하이드록시 벤조산, 3,4-디하이드록시 벤조산, 3,5-디하이드록시 벤조산, 시트르산, 카테콜, 3차-부틸 카테콜, 암모늄 벤조에이트, 벤조산, 살리실산, 갈산, 디에틸하이드록실아민(DEHA), 하이드록실아민 또는 디프로필하이드록실아민 또는 이들의 염 또는 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함하는 둘 이상의 부식 억제제의 혼합물; 및 (d) 0.5-25 질량%의 물을 포함하는, 포토레지스트 세정 조성물.
  2. 제1항에 있어서, (a) 0.5-5 질량%의 적어도 하나의 4차 암모늄 하이드록사이드 또는 둘 이상의 4차 암모늄 하이드록사이드의 혼합물; (b) 82-97.5 질량%의, 디메틸설폭사이드(DMSO), 설폴란 또는 디메틸설폰 또는 이들의 혼합물 및 적어도 하나의 추가의 유기 용매 또는 둘 이상의 추가의 유기 용매를 포함하는 수용성 유기 용매의 혼합물; (c) 1-5 질량%의 둘 이상의 부식 억제제의 혼합물; 및 (d) 1-10 질량%의 물을 포함하는, 포토레지스트 세정 조성물.
  3. 제1항에 있어서, (b)가 80-96 질량%의, 상기 디메틸설폭사이드(DMSO), 설폴란 또는 디메틸설폰 또는 이들의 혼합물, 및 1-4 질량%의, 상기 적어도 하나의 추가의 유기 용매 또는 둘 이상의 추가의 유기 용매를 포함하고; 상기 (c)가 1-5 질량%를 차지하고; 상기 (d)가 1-10 질량%를 차지하는, 포토레지스트 세정 조성물.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서, 상기 (b)가 80-96 질량%의, 디메틸설폭사이드(DMSO), 설폴란 또는 디메틸설폰 또는 이들의 혼합물, 및 1-4 질량%의 적어도 하나의 추가의 유기 용매 또는 둘 이상의 추가의 유기 용매를 포함하고; 상기 (c)가 1-10 질량%의 둘 이상의 부식 억제제의 혼합물이고; 상기 (d)가 1-10 질량%인, 포토레지스트 세정 조성물.
  6. 제1항에 있어서, 상기 (b)가 35-50 질량%의, 디메틸설폭사이드(DMSO), 설폴란 또는 디메틸설폰 또는 이들의 혼합물 및 45-58 질량%의, 추가의 유기 용매 또는 둘 이상의 추가의 유기 용매를 포함하고; 상기 (c)가 1-10 질량%이고; 상기 (d)가 1-10 질량%인, 포토레지스트 세정 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 상기 (a)가 1-5 질량%이고; 상기 (b)가 78-85 질량%이고; 상기 (c)가 10.5-15 질량%이고; 상기 (d)가 1-10 질량%인, 포토레지스트 세정 조성물.
  8. 제1항에 있어서, 상기 (a)가 1-5 질량%이고; 상기 (b)가 59-84 질량%의, 디메틸설폭사이드(DMSO), 설폴란 또는 디메틸설폰 또는 이들의 혼합물 및 1-20 질량%의 적어도 하나의 추가의 유기 용매 또는 둘 이상의 추가의 유기 용매이고; 상기 (c)가 10.5-15 질량%이고; 상기 (d)가 1-10 질량%인, 포토레지스트 세정 조성물.
  9. 3-150 ㎛의 막 두께를 갖는 포토레지스트 패턴을 스트립핑하기 위한 포토레지스트 세정 조성물로서, (a) 1-5 질량%의 적어도 하나의 4차 암모늄 하이드록사이드 또는 둘 이상의 4차 암모늄 하이드록사이드의 혼합물; (b) 78-85 질량%의, 디메틸설폭사이드(DMSO), 설폴란 또는 디메틸설폰 또는 이들의 혼합물 및 적어도 하나의 추가의 유기 용매 또는 둘 이상의 추가의 유기 용매를 포함하는 수용성 유기 용매의 혼합물, (c) 5-14.5 질량%의, 디에틸하이드록실아민(DEHA), 하이드록실아민 또는 디프로필하이드록실아민 또는 이들의 염 또는 이들의 혼합물 및 0.5-5 질량%의, 4-하이드록시벤조산, 2,4-디하이드록시 벤조산, 3,4-디하이드록시 벤조산, 3,5-디하이드록시 벤조산, 시트르산, 카테콜, 3차-부틸 카테콜, 암모늄 벤조에이트, 벤조산, 살리실산, 갈산, 폴리에틸렌이민(PEI), 또는 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 추가의 부식 억제제 또는 둘 이상의 추가의 부식 억제제의 혼합물; 및 (d) 1-10 질량%의 물을 포함하는, 포토레지스트 세정 조성물.
  10. 제9항에 있어서, 상기 (c)가 5-14.5 질량%의, 디에틸하이드록실아민(DEHA), 하이드록실아민 또는 디프로필하이드록실아민 또는 이들의 염 또는 이들의 혼합물 및 0.5-5 질량%의 상기 적어도 하나의 추가의 부식 억제제 또는 둘 이상의 추가의 부식 억제제의 혼합물인, 포토레지스트 세정 조성물.
  11. 제9항에 있어서, 상기 (b)가 78-85 질량%의, 디메틸설폭사이드(DMSO), 설폴란 또는 디메틸설폰 또는 이들의 혼합물을 포함하는 유기 용매의 혼합물이고, 상기 적어도 하나의 추가의 유기 용매 또는 둘 이상의 추가의 유기 용매가 알칸올아민을 포함하는, 포토레지스트 세정 조성물.
  12. 제1항에 있어서, 상기 (b)가 75-96 질량%의, 디메틸설폭사이드, 및 프로필렌 글리콜, 테트라하이드로푸르푸릴 알코올, 글리콜 에테르, 감마-부티롤락톤, 감마-발레롤락톤, 디메틸아세트아미드, 모노에탄올아민 및 아미노프로필모르폴린 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 추가의 유기 용매를 포함하는 수용성 유기 용매의 혼합물이고; 상기 (c)가 0.5-5 질량%의 둘 이상의 부식 억제제의 혼합물이고; 상기 (d)가 0.5-10 질량%인, 포토레지스트 세정 조성물.
  13. 제1항에 있어서, 상기 (a)가 1-3 질량%의, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드 또는 테트라에틸암모늄 하이드록사이드, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 4차 암모늄 하이드록사이드를 포함하고; 상기 (b)가 90-96 질량%의, 디메틸설폭사이드, 및 프로필렌 글리콜, 테트라하이드로푸르푸릴 알코올, 글리콜 에테르, 감마-부티롤락톤, 감마-발레롤락톤, 디메틸아세트아미드, 모노에탄올아민 및 아미노프로필모르폴린 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 추가의 유기 용매이고; 상기 (c)가 0.5-4 질량%의 둘 이상의 부식 억제제의 혼합물이고, 상기 (d)가 2-5 질량%인, 포토레지스트 세정 조성물.
  14. 제13항에 있어서, 상기 (b)가 90-95 질량%의 디메틸설폭사이드 및 1-6 질량%의, 프로필렌 글리콜, 테트라하이드로푸르푸릴 알코올, 디프로필렌글리콜 메틸에테르, 감마-부티롤락톤, 감마-발레롤락톤, 디메틸아세트아미드, 모노에탄올아민 및 아미노프로필모르폴린 또는 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 추가의 유기 용매이고; 상기 (c)가 0.5-3 질량%인, 포토레지스트 세정 조성물.
  15. 삭제
  16. 기판 위에 금속 박막을 지닌 기판 상에 3-150 ㎛의 막 두께를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성시키고, 금속 박막-노출 영역 또는 포토레지스트 패턴 비피복 영역 상에 도전성 층을 제공하고, 포토레지스트 패턴을 포토레지스트 세정 조성물과 접촉시켜 포토레지스트 패턴을 스트립핑하고 용해시키는 것을 포함하는, 기판 처리 방법으로서, 포토레지스트 세정 조성물이 (a) 0.5-5 질량%의 적어도 하나의 4차 암모늄 하이드록사이드 또는 둘 이상의 4차 암모늄 하이드록사이드의 혼합물; (b) 60-97.5 질량%의, 디메틸설폭사이드(DMSO), 설폴란 또는 디메틸설폰 또는 이들의 혼합물, 및 적어도 하나의 추가의 유기 용매 또는 둘 이상의 추가의 유기 용매를 포함하는 수용성 유기 용매의 혼합물; (c) 0.5-15 질량%의, 폴리에틸렌이민; 및 4-하이드록시벤조산, 2,4-디하이드록시 벤조산, 3,4-디하이드록시 벤조산, 3,5-디하이드록시 벤조산, 시트르산, 카테콜, 3차-부틸 카테콜, 암모늄 벤조에이트, 벤조산, 살리실산, 갈산, 디에틸하이드록실아민(DEHA), 하이드록실아민 또는 디프로필하이드록실아민 또는 이들의 염 또는 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함하는 둘 이상의 부식 억제제의 혼합물; 및 (d) 0.5-25 질량%의 물을 포함하는, 기판 처리 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 (b)가 82-97.5 질량%이고; 상기 (c)가 1-5 질량%이고; 상기 (d)가 1-10 질량%인, 기판 처리 방법.
  18. 삭제
  19. 제16항에 있어서, 상기 (b)가 35-50 질량%의, 디메틸설폭사이드(DMSO), 설폴란 또는 디메틸설폰 또는 이들의 혼합물 및 45-58 질량%의, 추가의 유기 용매 또는 둘 이상의 추가의 유기 용매를 포함하고; 상기 (c)가 1-10 질량%이고; 상기 (d)가 1-10 질량%인, 기판 처리 방법.
  20. 기판 위에 금속 박막을 지닌 기판 상에 3-150 ㎛의 막 두께를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성시키고, 금속 박막-노출 영역 또는 포토레지스트 패턴 비피복 영역 상에 도전성 층을 제공하고, 포토레지스트 패턴을 포토레지스트 세정 조성물과 접촉시키는 것을 포함하는, 기판 처리 방법으로서, 포토레지스트 세정 조성물이 (a) 1-5 질량%의 적어도 하나의 4차 암모늄 하이드록사이드 또는 둘 이상의 4차 암모늄 하이드록사이드의 혼합물; (b) 78-85 질량%의, 디메틸설폭사이드(DMSO), 설폴란 또는 디메틸설폰 또는 이들의 혼합물 및 적어도 하나의 추가의 유기 용매 또는 둘 이상의 추가의 유기 용매를 포함하는 수용성 유기 용매의 혼합물; (c) 5-14.5 질량%의, 디에틸하이드록실아민(DEHA), 하이드록실아민 또는 디프로필하이드록실아민 또는 이들의 염 또는 이들의 혼합물 및 0.5-5 질량%의, 4-하이드록시벤조산, 2,4-디하이드록시 벤조산, 3,4-디하이드록시 벤조산, 3,5-디하이드록시 벤조산, 시트르산, 카테콜, 3차-부틸 카테콜, 암모늄 벤조에이트, 벤조산, 살리실산, 갈산, 폴리에틸렌이민(PEI), 또는 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 추가의 부식 억제제 또는 둘 이상의 추가의 부식 억제제의 혼합물; 및 (d) 1-10 질량%의 물을 포함하는, 기판 처리 방법.
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