JP5708521B2 - レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 - Google Patents
レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5708521B2 JP5708521B2 JP2012024621A JP2012024621A JP5708521B2 JP 5708521 B2 JP5708521 B2 JP 5708521B2 JP 2012024621 A JP2012024621 A JP 2012024621A JP 2012024621 A JP2012024621 A JP 2012024621A JP 5708521 B2 JP5708521 B2 JP 5708521B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- methyl
- group
- pentanol
- alcohol
- butanol
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0042—Photosensitive materials with inorganic or organometallic light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. inorganic resists
- G03F7/0043—Chalcogenides; Silicon, germanium, arsenic or derivatives thereof; Metals, oxides or alloys thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0048—Photosensitive materials characterised by the solvents or agents facilitating spreading, e.g. tensio-active agents
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
Description
バルキーな酸が発生する酸発生剤を添加して酸拡散を抑えることは有効である。そこで、ポリマーに重合性オレフィンを有するオニウム塩の酸発生剤を共重合することが提案されている。
寸法サイズ16nm以降のレジスト膜のパターン形成においては、酸拡散の観点から化学増幅型レジスト膜ではパターン形成ができないと考えられており、非化学増幅型レジスト材料の開発が望まれている。
化学増幅型レジスト材料と同程度の感度で、解像性の高い非化学増幅型の分子レジストの開発が望まれているのである。
また、前述の文献において現像をレジスト溶剤を用いて行っており、これにおいても毒性の問題が生じていた。
〔1〕
マグネシウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、銀、カドミウム、インジウム、錫、アンチモン、セシウム、ジルコニウム、及びハフニウムから選ばれる金属の炭素数1〜20の1〜4価のカルボン酸塩と、溶剤と、GPCによるポリスチレン換算重量平均分子量200〜20,000の範囲のフェノール系樹脂、酸化珪素系樹脂、酸化ジルコニウム系樹脂、酸化亜鉛系樹脂、酸化チタン系樹脂、酸化ハフニウム系樹脂から選ばれる1種以上の樹脂とを含有し、
上記溶剤が、水、メタノール、エタノール、n−プロパノール、イソプロピルアルコール、1−ブチルアルコール、2−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、tert−ブチルアルコール、1−ペンタノール、2−ペンタノール、3−ペンタノール、tert−アミルアルコール、ネオペンチルアルコール、2−メチル−1−ブタノール、3−メチル−1−ブタノール、3−メチル−2−ブタノール、3−メチル−3−ペンタノール、シクロペンタノール、1−ヘキサノール、2−ヘキサノール、3−ヘキサノール、2,3−ジメチル−2−ブタノール、3,3−ジメチル−1−ブタノール、3,3−ジメチル−2−ブタノール、2−エチル−1−ブタノール、2−メチル−1−ペンタノール、2−メチル−2−ペンタノール、2−メチル−3−ペンタノール、3−メチル−1−ペンタノール、3−メチル−2−ペンタノール、3−メチル−3−ペンタノール、4−メチル−1−ペンタノール、4−メチル−2−ペンタノール、4−メチル−3−ペンタノール、1−ヘプタノール、シクロヘキサノール、オクタノール、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、プロピレングリコール、ブタンジオールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ブタンジオールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ブタンジオールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノメトキシメチルエーテル、プロピレングリコールモノアセテート、ジアセトンアルコール、アリルアルコール、プロパギルアルコール、3−メチル−1−ペンチン−3−オール、3−メチル−1−ブチン−3−オール、フルフリルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、及びグリシドールから選ばれる1種以上であり、
上記カルボン酸塩の含有量が、上記樹脂100質量部に対し30〜200質量部であることを特徴とする非化学増幅型ネガ型レジスト材料。
〔2〕
マグネシウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、銀、カドミウム、インジウム、錫、アンチモン、セシウム、ジルコニウム、及びハフニウムから選ばれる金属の炭素数1〜20の1〜4価のカルボン酸塩と、溶剤と、GPCによるポリスチレン換算重量平均分子量200〜20,000の範囲のフェノール系樹脂、酸化珪素系樹脂、酸化ジルコニウム系樹脂、酸化亜鉛系樹脂、酸化チタン系樹脂、酸化ハフニウム系樹脂から選ばれる1種以上の樹脂とのみからなり、
上記溶剤が、水、メタノール、エタノール、n−プロパノール、イソプロピルアルコール、1−ブチルアルコール、2−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、tert−ブチルアルコール、1−ペンタノール、2−ペンタノール、3−ペンタノール、tert−アミルアルコール、ネオペンチルアルコール、2−メチル−1−ブタノール、3−メチル−1−ブタノール、3−メチル−2−ブタノール、3−メチル−3−ペンタノール、シクロペンタノール、1−ヘキサノール、2−ヘキサノール、3−ヘキサノール、2,3−ジメチル−2−ブタノール、3,3−ジメチル−1−ブタノール、3,3−ジメチル−2−ブタノール、2−エチル−1−ブタノール、2−メチル−1−ペンタノール、2−メチル−2−ペンタノール、2−メチル−3−ペンタノール、3−メチル−1−ペンタノール、3−メチル−2−ペンタノール、3−メチル−3−ペンタノール、4−メチル−1−ペンタノール、4−メチル−2−ペンタノール、4−メチル−3−ペンタノール、1−ヘプタノール、シクロヘキサノール、オクタノール、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、プロピレングリコール、ブタンジオールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ブタンジオールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ブタンジオールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノメトキシメチルエーテル、プロピレングリコールモノアセテート、ジアセトンアルコール、アリルアルコール、プロパギルアルコール、3−メチル−1−ペンチン−3−オール、3−メチル−1−ブチン−3−オール、フルフリルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、及びグリシドールから選ばれる1種以上であることを特徴とする非化学増幅型ネガ型レジスト材料。
〔3〕
マグネシウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、銀、カドミウム、インジウム、錫、アンチモン、セシウム、ジルコニウム、及びハフニウムから選ばれる金属の炭素数1〜20の1〜4価のカルボン酸塩が、下記一般式で示されるカルボン酸塩から選ばれることを特徴とする〔1〕又は〔2〕に記載のレジスト材料。
〔4〕
〔1〕〜〔3〕のいずれか1項に記載のレジスト材料を基板上に塗布する工程と、加熱処理後、高エネルギー線で露光する工程と、現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
〔5〕
現像液としてアルカリ水を用いて現像することを特徴とする〔4〕に記載のパターン形成方法。
〔6〕
現像液がテトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、コリンヒドロキシド、水酸化ナトリウム、及び水酸化カリウムから選ばれる1種以上の水溶液であることを特徴とする〔4〕又は〔5〕に記載のパターン形成方法。
〔7〕
前記高エネルギー線で露光する工程において、波長3〜15nmの真空紫外線を光源として用いることを特徴とする〔4〕〜〔6〕のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
〔8〕
前記高エネルギー線で露光する工程において、加速電圧1〜150keVの加速電圧電子ビームを光源として用いることを特徴とする〔4〕〜〔6〕のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
また、金属塩のレジスト膜は導電性を帯びており、EB描画中の帯電を防止し、描画中の位置ずれを防止することができる。
上述のように、LSIの高集積化と高速度化に伴い、パターンルールの微細化が進むなか、高解像度でありながら高感度であり、なおかつ露光後のパターン形状が良好でラインエッジラフネスが小さいレジスト材料が求められていた。
これらの金属はEB、EUVの光に対して吸収が高く、非化学増幅型レジスト材料としては感度が高い特徴を有する。マグネシウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、銀、カドミウム、インジウム、錫、アンチモン、セシウム、ジルコニウム、ハフニウムから選ばれる金属の炭素数1〜20の1〜4価のカルボン酸塩は、高エネルギー線の照射によって金属酸化物を生じる。これらの金属のカルボン酸塩はアルカリ水溶液に可溶であるが、金属酸化物になることによってアルカリ現像液に不溶化し、ネガ型レジスト材料になるのである。
高エネルギー線としては、KrF、ArF、Xe、F2、Ar2に挙げられるエキシマレーザー、エキシマランプ、EUV、EBを挙げることができる。露光のエネルギーによって金属イオンとカルボン酸イオンとの乖離が起こり、水分やカルボキシル基中の酸素と結合することによって金属酸化物が形成される。金属塩はアルカリ水溶液に可溶であるが、金属酸化物は不溶となるためにネガ型パターンが形成される。
描画後にベークを行うことによって金属酸化物の形成を促進させることができる。ベーク温度としては70〜200℃で時間は1〜300秒である。
例えば、本発明のレジスト材料を、集積回路製造用の基板あるいは該基板上の被加工層(Si、SiO2、SiN、SiON、TiN、WSi、BPSG、SOG、有機反射防止膜等)や、マスク回路製造用の基板あるいは該基板上の被加工層(Cr、CrO、CrON、MoSi、SiO2等)上にスピンコート、ロールコート、フローコート、ディップコート、スプレーコート、ドクターコート等の適当な塗布方法により塗布膜厚が0.01〜2.0μmとなるように塗布する。これをホットプレート上で60〜150℃、10秒〜30分間、好ましくは80〜120℃、30秒〜20分間プリベークする。
下記に示される金属のカルボン酸塩、ブレンド樹脂を、界面活性剤として3M社製のフッ素系界面活性剤FC−4430を100ppm溶解させた溶剤に表1,2に示される組成で溶解させた溶液を、0.2μmサイズのフィルターで濾過してネガ型レジスト材料を調製した。
下記表中の各組成は次の通りである。
PGEE:プロピレングリコールモノエチルエーテル
PGPE:プロピレングリコールモノプロピルエーテル
PGMEA:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
MEK:メチルエチルケトン
ハイドロゲンシルセスキオキサン(Mw=4,000、Mw/Mn=1.48)
表1,2に示されるレジスト材料を8インチウエハーに塗布し、ホットプレートで100℃で60秒間ベークし、溶剤を蒸発させた。実施例1〜25、参考例1〜3及び比較例1,2,3,5〜9では膜厚40nmのレジスト膜を形成し、比較例4では膜厚60nmのレジスト膜を形成した。光学測定式膜厚計を用いて8インチウエハー面内の膜厚を測定し、膜厚の最大から最小の値を引いた値が2nm以下の場合をOK、2nmを超える場合をNGとした。結果を表3に示す。
描画評価では、表1,2に示される組成で溶解させた溶液を、0.2μmサイズのフィルターで濾過して得たネガ型レジスト材料を直径6インチのヘキサメチルジシラザン(HMDS)ベーパープライム処理したSi基板上に、クリーントラックMark 5(東京エレクトロン(株)製)を用いてスピンコートし、ホットプレート上で110℃で60秒間プリベークして実施例1〜28及び比較例5〜9では40nmのレジスト膜を作製した。比較例4では膜厚60nmのレジスト膜を作製した。
これに、(株)日立製作所製HL−800Dを用いてHV電圧50keVで真空チャンバー内描画を行った。比較例1,2,3のレジスト材料では、塗布後の膜厚均一性が悪く露光評価の再現性が悪いと考えられたため、露光評価は行わなかった。
描画後、直ちにクリーントラックMark 5(東京エレクトロン(株)製)を用いてホットプレート上で表1に記載の温度で60秒間ポストエクスポージャベーク(PEB)を行い、2.38質量%のTMAH水溶液で20秒間パドル現像を行い、ネガ型のパターンを得た。
得られたレジストパターンを次のように評価した。
100nmのラインアンドスペースを1:1で解像する露光量における、最小の寸法を解像力とし、100nmLSのエッジラフネス(LWR)をSEMで測定した。
レジスト組成とEB露光における感度、解像度の結果を表3に示す。
一方、比較例のレジスト材料は、十分な感度を有しているものの、エッジラフネスは、本発明のレジスト材料に比べてかなり大きい結果となった。
Claims (8)
- マグネシウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、銀、カドミウム、インジウム、錫、アンチモン、セシウム、ジルコニウム、及びハフニウムから選ばれる金属の炭素数1〜20の1〜4価のカルボン酸塩と、溶剤と、GPCによるポリスチレン換算重量平均分子量200〜20,000の範囲のフェノール系樹脂、酸化珪素系樹脂、酸化ジルコニウム系樹脂、酸化亜鉛系樹脂、酸化チタン系樹脂、酸化ハフニウム系樹脂から選ばれる1種以上の樹脂とを含有し、
上記溶剤が、水、メタノール、エタノール、n−プロパノール、イソプロピルアルコール、1−ブチルアルコール、2−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、tert−ブチルアルコール、1−ペンタノール、2−ペンタノール、3−ペンタノール、tert−アミルアルコール、ネオペンチルアルコール、2−メチル−1−ブタノール、3−メチル−1−ブタノール、3−メチル−2−ブタノール、3−メチル−3−ペンタノール、シクロペンタノール、1−ヘキサノール、2−ヘキサノール、3−ヘキサノール、2,3−ジメチル−2−ブタノール、3,3−ジメチル−1−ブタノール、3,3−ジメチル−2−ブタノール、2−エチル−1−ブタノール、2−メチル−1−ペンタノール、2−メチル−2−ペンタノール、2−メチル−3−ペンタノール、3−メチル−1−ペンタノール、3−メチル−2−ペンタノール、3−メチル−3−ペンタノール、4−メチル−1−ペンタノール、4−メチル−2−ペンタノール、4−メチル−3−ペンタノール、1−ヘプタノール、シクロヘキサノール、オクタノール、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、プロピレングリコール、ブタンジオールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ブタンジオールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ブタンジオールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノメトキシメチルエーテル、プロピレングリコールモノアセテート、ジアセトンアルコール、アリルアルコール、プロパギルアルコール、3−メチル−1−ペンチン−3−オール、3−メチル−1−ブチン−3−オール、フルフリルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、及びグリシドールから選ばれる1種以上であり、
上記カルボン酸塩の含有量が、上記樹脂100質量部に対し30〜200質量部であることを特徴とする非化学増幅型ネガ型レジスト材料。 - マグネシウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、銀、カドミウム、インジウム、錫、アンチモン、セシウム、ジルコニウム、及びハフニウムから選ばれる金属の炭素数1〜20の1〜4価のカルボン酸塩と、溶剤と、GPCによるポリスチレン換算重量平均分子量200〜20,000の範囲のフェノール系樹脂、酸化珪素系樹脂、酸化ジルコニウム系樹脂、酸化亜鉛系樹脂、酸化チタン系樹脂、酸化ハフニウム系樹脂から選ばれる1種以上の樹脂とのみからなり、
上記溶剤が、水、メタノール、エタノール、n−プロパノール、イソプロピルアルコール、1−ブチルアルコール、2−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、tert−ブチルアルコール、1−ペンタノール、2−ペンタノール、3−ペンタノール、tert−アミルアルコール、ネオペンチルアルコール、2−メチル−1−ブタノール、3−メチル−1−ブタノール、3−メチル−2−ブタノール、3−メチル−3−ペンタノール、シクロペンタノール、1−ヘキサノール、2−ヘキサノール、3−ヘキサノール、2,3−ジメチル−2−ブタノール、3,3−ジメチル−1−ブタノール、3,3−ジメチル−2−ブタノール、2−エチル−1−ブタノール、2−メチル−1−ペンタノール、2−メチル−2−ペンタノール、2−メチル−3−ペンタノール、3−メチル−1−ペンタノール、3−メチル−2−ペンタノール、3−メチル−3−ペンタノール、4−メチル−1−ペンタノール、4−メチル−2−ペンタノール、4−メチル−3−ペンタノール、1−ヘプタノール、シクロヘキサノール、オクタノール、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、プロピレングリコール、ブタンジオールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ブタンジオールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ブタンジオールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノメトキシメチルエーテル、プロピレングリコールモノアセテート、ジアセトンアルコール、アリルアルコール、プロパギルアルコール、3−メチル−1−ペンチン−3−オール、3−メチル−1−ブチン−3−オール、フルフリルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、及びグリシドールから選ばれる1種以上であることを特徴とする非化学増幅型ネガ型レジスト材料。 - マグネシウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、銀、カドミウム、インジウム、錫、アンチモン、セシウム、ジルコニウム、及びハフニウムから選ばれる金属の炭素数1〜20の1〜4価のカルボン酸塩が、下記一般式で示されるカルボン酸塩から選ばれることを特徴とする請求項1又は2に記載のレジスト材料。
- 請求項1〜3のいずれか1項に記載のレジスト材料を基板上に塗布する工程と、加熱処理後、高エネルギー線で露光する工程と、現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
- 現像液としてアルカリ水を用いて現像することを特徴とする請求項4に記載のパターン形成方法。
- 現像液がテトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、コリンヒドロキシド、水酸化ナトリウム、及び水酸化カリウムから選ばれる1種以上の水溶液であることを特徴とする請求項4又は5に記載のパターン形成方法。
- 前記高エネルギー線で露光する工程において、波長3〜15nmの真空紫外線を光源として用いることを特徴とする請求項4〜6のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
- 前記高エネルギー線で露光する工程において、加速電圧1〜150keVの加速電圧電子ビームを光源として用いることを特徴とする請求項4〜6のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012024621A JP5708521B2 (ja) | 2011-02-15 | 2012-02-08 | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011029588 | 2011-02-15 | ||
JP2011029588 | 2011-02-15 | ||
JP2012024621A JP5708521B2 (ja) | 2011-02-15 | 2012-02-08 | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012185484A JP2012185484A (ja) | 2012-09-27 |
JP5708521B2 true JP5708521B2 (ja) | 2015-04-30 |
Family
ID=46637150
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012024621A Active JP5708521B2 (ja) | 2011-02-15 | 2012-02-08 | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9164383B2 (ja) |
JP (1) | JP5708521B2 (ja) |
KR (1) | KR101711681B1 (ja) |
TW (1) | TWI576659B (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11073761B2 (en) | 2018-07-31 | 2021-07-27 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Semiconductor resist composition, and method of forming patterns using the composition |
US11092889B2 (en) | 2018-07-31 | 2021-08-17 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Semiconductor resist composition, and method of forming patterns using the composition |
US11092890B2 (en) | 2018-07-31 | 2021-08-17 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Semiconductor resist composition, and method of forming patterns using the composition |
US11415885B2 (en) | 2019-10-15 | 2022-08-16 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Semiconductor photoresist composition, and method of forming patterns using the composition |
US11609494B2 (en) | 2019-04-30 | 2023-03-21 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Semiconductor photoresist composition and method of forming patterns using the composition |
US11662663B2 (en) | 2018-10-30 | 2023-05-30 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Substrate protective film-forming composition and pattern forming process |
EP4202548A1 (en) | 2021-12-23 | 2023-06-28 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Material for forming adhesive film, patterning process, and method for forming adhesive film |
EP4325293A2 (en) | 2022-08-17 | 2024-02-21 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Composition for forming adhesive film, patterning process, and method for forming adhesive film |
EP4332677A1 (en) | 2022-08-17 | 2024-03-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Pattern forming method |
EP4339702A1 (en) | 2022-09-14 | 2024-03-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Compound for forming metal-containing film, composition for forming metal-containing film, patterning process, and semiconductor photoresist material |
Families Citing this family (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5601286B2 (ja) * | 2011-07-25 | 2014-10-08 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
JP5650088B2 (ja) * | 2011-10-11 | 2015-01-07 | 信越化学工業株式会社 | レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 |
FR3000235B1 (fr) * | 2012-12-21 | 2016-06-24 | Arkema France | Procede de fabrication de masques nanolithographiques |
US9104107B1 (en) | 2013-04-03 | 2015-08-11 | Western Digital (Fremont), Llc | DUV photoresist process |
TWI510991B (zh) * | 2013-07-25 | 2015-12-01 | Henghao Technology Co Ltd | 觸控面板、導電薄膜及其製作方法 |
US9310684B2 (en) | 2013-08-22 | 2016-04-12 | Inpria Corporation | Organometallic solution based high resolution patterning compositions |
JP6196897B2 (ja) * | 2013-12-05 | 2017-09-13 | 東京応化工業株式会社 | ネガ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法及び錯体 |
GB201405335D0 (en) | 2014-03-25 | 2014-05-07 | Univ Manchester | Resist composition |
KR20170021770A (ko) * | 2014-06-25 | 2017-02-28 | 인텔 코포레이션 | 집적 수동 소자들을 형성하기 위한 기법들 |
JP6353546B2 (ja) * | 2014-09-02 | 2018-07-04 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法 |
JP6433503B2 (ja) * | 2014-09-02 | 2018-12-05 | 富士フイルム株式会社 | 非化学増幅型レジスト組成物、非化学増幅型レジスト膜、パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法 |
KR20170048502A (ko) | 2014-10-08 | 2017-05-08 | 후지필름 가부시키가이샤 | 감활성광선성 또는 감방사선성 조성물과, 이를 이용한, 레지스트막, 마스크 블랭크, 레지스트 패턴 형성 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법 |
KR20170103762A (ko) * | 2015-01-08 | 2017-09-13 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 감방사선성 조성물 및 패턴 형성 방법 |
JP6544248B2 (ja) * | 2015-02-09 | 2019-07-17 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
EP3304202A4 (en) * | 2015-05-28 | 2019-01-09 | Intel Corporation | MEANS FOR DECOUPLING DISPENSING AND SOLUBILITY SWITCHING MECHANISMS OF PHOTOSENSITIVE RESINS |
US10072237B2 (en) | 2015-08-05 | 2018-09-11 | Versum Materials Us, Llc | Photoresist cleaning composition used in photolithography and a method for treating substrate therewith |
JP6389839B2 (ja) | 2016-03-23 | 2018-09-12 | 株式会社先端ナノプロセス基盤開発センター | 感光性組成物およびパターン形成方法 |
EP3435158A4 (en) | 2016-03-24 | 2019-01-30 | Fujifilm Corporation | ACTIVE RADIATIVE OR RADIATIVE COMPOSITION, METHOD FOR CLEANING AN ACTIVE RADIATION-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION, STRUCTURE-FORMING METHOD, AND METHOD FOR PRODUCING AN ELECTRONIC DEVICE |
JP6848767B2 (ja) * | 2016-09-27 | 2021-03-24 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP6980993B2 (ja) | 2016-10-06 | 2021-12-15 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
US10274847B2 (en) * | 2017-09-19 | 2019-04-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Humidity control in EUV lithography |
US11276572B2 (en) * | 2017-12-08 | 2022-03-15 | Tokyo Electron Limited | Technique for multi-patterning substrates |
JP7024744B2 (ja) | 2018-02-22 | 2022-02-24 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
WO2020004172A1 (ja) | 2018-06-29 | 2020-01-02 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 有機修飾金属酸化物ナノ粒子、その製造方法、euvフォトレジスト材料およびエッチングマスクの製造方法 |
US20200174374A1 (en) * | 2018-11-30 | 2020-06-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of storing photoresist coated substrates and semiconductor substrate container arrangement |
JP7334684B2 (ja) | 2019-08-02 | 2023-08-29 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP7334683B2 (ja) | 2019-08-02 | 2023-08-29 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP7351257B2 (ja) | 2019-08-14 | 2023-09-27 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP7354954B2 (ja) | 2019-09-04 | 2023-10-03 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP2021102604A (ja) | 2019-12-24 | 2021-07-15 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 有機修飾金属酸化物ナノ粒子、有機修飾金属酸化物ナノ粒子含有溶液、有機修飾金属酸化物ナノ粒子含有レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
US20220397823A1 (en) | 2019-12-24 | 2022-12-15 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Organically modified metal oxide nanoparticle, method for producing same, euv photoresist material, and method for producing etching mask |
US11747724B2 (en) | 2019-12-24 | 2023-09-05 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Organically modified metal oxide nanoparticles, organically modified metal oxide nanoparticles-containing solution, organically modified metal oxide nanoparticles-containing resist composition, and resist pattern forming method |
JP2021182133A (ja) | 2020-05-18 | 2021-11-25 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
KR20220043040A (ko) | 2020-09-28 | 2022-04-05 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 분자 레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법 |
US20220365427A1 (en) * | 2021-04-30 | 2022-11-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photoresist composition and method for manufacturing a semiconductor device |
Family Cites Families (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4332879A (en) * | 1978-12-01 | 1982-06-01 | Hughes Aircraft Company | Process for depositing a film of controlled composition using a metallo-organic photoresist |
US4608434A (en) * | 1985-10-21 | 1986-08-26 | Celanese Corporation | Metal carboxylate/alcohol curing catalyst for polycyanate ester of polyhydric phenol |
US5415749A (en) | 1994-03-04 | 1995-05-16 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for electrodeposition of resist formulations which contain metal salts of β-diketones |
US5534312A (en) | 1994-11-14 | 1996-07-09 | Simon Fraser University | Method for directly depositing metal containing patterned films |
US6849305B2 (en) | 2000-04-28 | 2005-02-01 | Ekc Technology, Inc. | Photolytic conversion process to form patterned amorphous film |
US6723388B2 (en) * | 2000-07-28 | 2004-04-20 | Ekc Technology, Inc. | Method of depositing nanostructured films with embedded nanopores |
US6787198B2 (en) | 2000-07-28 | 2004-09-07 | Ekc Technology, Inc. | Hydrothermal treatment of nanostructured films |
US20040067444A1 (en) | 2000-12-28 | 2004-04-08 | Makoto Wakabayashi | Method for patterning electroconductive tin oxide film |
US7312013B2 (en) * | 2001-04-09 | 2007-12-25 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Photoreactive composition |
KR20050033523A (ko) | 2001-10-05 | 2005-04-12 | 이케이씨 테크놀로지, 인코포레이티드 | 패턴화된 비정질 필름의 제조를 위한 광분해성 전환 방법 |
CN100480293C (zh) * | 2002-08-30 | 2009-04-22 | 旭有机材工业株式会社 | 酚醛型苯酚树脂的制造方法 |
KR100797731B1 (ko) * | 2002-11-25 | 2008-01-24 | 삼성전자주식회사 | 합금 패턴 형성을 위한 유기 금속화합물의 조성물 및 이를이용한 합금 패턴 형성방법 |
US7303855B2 (en) | 2003-10-03 | 2007-12-04 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photoresist undercoat-forming material and patterning process |
JP4355943B2 (ja) | 2003-10-03 | 2009-11-04 | 信越化学工業株式会社 | フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法 |
US20070210393A1 (en) * | 2004-04-08 | 2007-09-13 | Jean-Luc Rehspringer | Lithographic Method Products Obtained And Use Of Said Method |
JP4496432B2 (ja) | 2005-02-18 | 2010-07-07 | 信越化学工業株式会社 | フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法 |
JP4662052B2 (ja) | 2005-03-11 | 2011-03-30 | 信越化学工業株式会社 | フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法 |
KR100938065B1 (ko) | 2005-03-11 | 2010-01-21 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 포토레지스트 하층막 형성 재료 및 패턴 형성 방법 |
JP4539845B2 (ja) | 2005-03-17 | 2010-09-08 | 信越化学工業株式会社 | フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法 |
JP4466854B2 (ja) | 2005-03-18 | 2010-05-26 | 信越化学工業株式会社 | フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法 |
JP4575214B2 (ja) | 2005-04-04 | 2010-11-04 | 信越化学工業株式会社 | レジスト下層膜材料およびパターン形成方法 |
JP4575220B2 (ja) | 2005-04-14 | 2010-11-04 | 信越化学工業株式会社 | レジスト下層膜材料およびパターン形成方法 |
KR100632046B1 (ko) | 2005-07-05 | 2006-10-04 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 게이트 라인 및 그 제조 방법 |
WO2007007550A1 (ja) | 2005-07-12 | 2007-01-18 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | 平版印刷版材料及び可視画像の形成方法 |
US7629424B2 (en) | 2005-12-09 | 2009-12-08 | Pryog, Llc | Metal-containing compositions and method of making same |
JP4659678B2 (ja) | 2005-12-27 | 2011-03-30 | 信越化学工業株式会社 | フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法 |
JP4662063B2 (ja) | 2006-05-25 | 2011-03-30 | 信越化学工業株式会社 | フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法 |
JP5109338B2 (ja) | 2006-11-02 | 2012-12-26 | 三菱瓦斯化学株式会社 | レジスト下層膜形成材料及び多層レジストパターン形成方法 |
CN104281006B (zh) | 2006-11-02 | 2019-01-22 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 放射线敏感性组合物 |
JP6004649B2 (ja) * | 2008-08-07 | 2016-10-12 | プライオグ リミテッド ライアビリティ カンパニーPryog,Llc | 金属組成物及びその製法 |
JP5647793B2 (ja) * | 2009-03-30 | 2015-01-07 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、及びそれを用いたパターン形成方法 |
-
2012
- 2012-02-08 JP JP2012024621A patent/JP5708521B2/ja active Active
- 2012-02-10 TW TW101104425A patent/TWI576659B/zh active
- 2012-02-14 KR KR1020120014665A patent/KR101711681B1/ko active IP Right Grant
- 2012-02-14 US US13/372,691 patent/US9164383B2/en active Active
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11789362B2 (en) | 2018-07-31 | 2023-10-17 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Semiconductor resist composition, and method of forming patterns using the composition |
US11092889B2 (en) | 2018-07-31 | 2021-08-17 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Semiconductor resist composition, and method of forming patterns using the composition |
US11092890B2 (en) | 2018-07-31 | 2021-08-17 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Semiconductor resist composition, and method of forming patterns using the composition |
US11073761B2 (en) | 2018-07-31 | 2021-07-27 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Semiconductor resist composition, and method of forming patterns using the composition |
US11789361B2 (en) | 2018-07-31 | 2023-10-17 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Semiconductor resist composition, and method of forming patterns using the composition |
US11662663B2 (en) | 2018-10-30 | 2023-05-30 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Substrate protective film-forming composition and pattern forming process |
US11609494B2 (en) | 2019-04-30 | 2023-03-21 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Semiconductor photoresist composition and method of forming patterns using the composition |
US11415885B2 (en) | 2019-10-15 | 2022-08-16 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Semiconductor photoresist composition, and method of forming patterns using the composition |
KR20230096876A (ko) | 2021-12-23 | 2023-06-30 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 밀착막 형성 재료, 패턴 형성 방법 및 밀착막의 형성 방법 |
EP4202548A1 (en) | 2021-12-23 | 2023-06-28 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Material for forming adhesive film, patterning process, and method for forming adhesive film |
EP4325293A2 (en) | 2022-08-17 | 2024-02-21 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Composition for forming adhesive film, patterning process, and method for forming adhesive film |
EP4332677A1 (en) | 2022-08-17 | 2024-03-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Pattern forming method |
EP4339702A1 (en) | 2022-09-14 | 2024-03-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Compound for forming metal-containing film, composition for forming metal-containing film, patterning process, and semiconductor photoresist material |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI576659B (zh) | 2017-04-01 |
US9164383B2 (en) | 2015-10-20 |
TW201241556A (en) | 2012-10-16 |
KR101711681B1 (ko) | 2017-03-02 |
US20120208127A1 (en) | 2012-08-16 |
JP2012185484A (ja) | 2012-09-27 |
KR20120093777A (ko) | 2012-08-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5708521B2 (ja) | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 | |
JP5708522B2 (ja) | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 | |
JP6119544B2 (ja) | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 | |
US7005227B2 (en) | One component EUV photoresist | |
US11327400B2 (en) | Patterning process | |
JP5516557B2 (ja) | レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 | |
TW201825505A (zh) | 感放射線性組成物、圖案形成方法及金屬氧化物 | |
KR102261808B1 (ko) | 환경적으로 안정한 후막성 화학증폭형 레지스트 | |
CN107924124B (zh) | 耐蚀刻性优秀的i线用负性光致抗蚀剂组合物 | |
WO2018139109A1 (ja) | 感放射線性組成物及びパターン形成方法 | |
WO2018179704A1 (ja) | パターン形成方法 | |
TW201642042A (zh) | 負型光阻組成物及圖案形成方法 | |
WO2018173446A1 (ja) | パターン形成方法 | |
WO2007007619A1 (ja) | 保護膜形成用材料、およびこれを用いたホトレジストパターン形成方法 | |
JP6341109B2 (ja) | パターン形成方法 | |
KR20150126968A (ko) | 상층막 형성용 조성물 및 이를 사용한 레지스트 패턴 형성 방법 | |
JP7090843B2 (ja) | 化合物、樹脂、組成物、パターン形成方法及び精製方法 | |
WO2007046442A1 (ja) | 新規な化合物、酸発生剤、化学増幅型ホトレジスト組成物、レジスト層積層体およびレジストパターン形成方法 | |
JPH061381B2 (ja) | 放射線感応性樹脂組成物 | |
JP3786168B2 (ja) | レジスト材料及びパターン形成方法 | |
WO2017169807A1 (ja) | レジストパターン形成方法及びレジスト | |
JP4677423B2 (ja) | 電子ベース・リソグラフィのための高感度レジスト組成物 | |
JP2002287341A (ja) | レジスト組成物およびその利用 | |
Raeis-Zadeh et al. | Electron-Beam Sensitivity and Patterning of an Aqueous-Develop, Epoxy-Based Polynorbornene Dielectric Material | |
KR20120133627A (ko) | 포지티브 고감도 포토레지스트 조성물 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140124 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20141029 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141111 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141216 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150203 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150216 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5708521 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |