RU2011149551A - Композиции для удаления резиста и способы изготовления электрических устройств - Google Patents
Композиции для удаления резиста и способы изготовления электрических устройств Download PDFInfo
- Publication number
- RU2011149551A RU2011149551A RU2011149551/02A RU2011149551A RU2011149551A RU 2011149551 A RU2011149551 A RU 2011149551A RU 2011149551/02 A RU2011149551/02 A RU 2011149551/02A RU 2011149551 A RU2011149551 A RU 2011149551A RU 2011149551 A RU2011149551 A RU 2011149551A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- liquid composition
- composition according
- layer
- group
- solvents
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract 34
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract 30
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract 14
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract 14
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract 13
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 claims abstract 10
- 239000003495 polar organic solvent Substances 0.000 claims abstract 9
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 claims abstract 9
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 claims abstract 7
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 claims abstract 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract 7
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims abstract 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract 6
- 239000012085 test solution Substances 0.000 claims abstract 6
- AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine Chemical compound ON AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- 150000002443 hydroxylamines Chemical class 0.000 claims abstract 3
- 238000000196 viscometry Methods 0.000 claims abstract 3
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N N-phenyl amine Natural products NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 125000002490 anilino group Chemical group [H]N(*)C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 claims abstract 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims abstract 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 26
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims 6
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 claims 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims 3
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 3
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims 2
- -1 aliphatic sulfoxides Chemical class 0.000 claims 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
- HXKKHQJGJAFBHI-UHFFFAOYSA-N 1-aminopropan-2-ol Chemical compound CC(O)CN HXKKHQJGJAFBHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- MCTWTZJPVLRJOU-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-1H-imidazole Chemical compound CN1C=CN=C1 MCTWTZJPVLRJOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 2-(2-aminoethoxy)ethanol Chemical compound NCCOCCO GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- MIJDSYMOBYNHOT-UHFFFAOYSA-N 2-(ethylamino)ethanol Chemical compound CCNCCO MIJDSYMOBYNHOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- KZTWONRVIPPDKH-UHFFFAOYSA-N 2-(piperidin-1-yl)ethanol Chemical compound OCCN1CCCCC1 KZTWONRVIPPDKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- JZQLRTAGAUZWRH-UHFFFAOYSA-N 2-aminoethanol;hydrate Chemical class [OH-].[NH3+]CCO JZQLRTAGAUZWRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- KDHWOCLBMVSZPG-UHFFFAOYSA-N 3-imidazol-1-ylpropan-1-amine Chemical compound NCCCN1C=CN=C1 KDHWOCLBMVSZPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- LQGKDMHENBFVRC-UHFFFAOYSA-N 5-aminopentan-1-ol Chemical compound NCCCCCO LQGKDMHENBFVRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000000018 DNA microarray Methods 0.000 claims 1
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N N-methylethanolamine Chemical compound CNCCO OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- WUGQZFFCHPXWKQ-UHFFFAOYSA-N Propanolamine Chemical compound NCCCO WUGQZFFCHPXWKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N aminoethylethanolamine Chemical compound NCCNCCO LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- YOUGRGFIHBUKRS-UHFFFAOYSA-N benzyl(trimethyl)azanium Chemical compound C[N+](C)(C)CC1=CC=CC=C1 YOUGRGFIHBUKRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 claims 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-DYCDLGHISA-N deuterium hydrogen oxide Chemical compound [2H]O XLYOFNOQVPJJNP-DYCDLGHISA-N 0.000 claims 1
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 claims 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 claims 1
- GUVUOGQBMYCBQP-UHFFFAOYSA-N dmpu Chemical compound CN1CCCN(C)C1=O GUVUOGQBMYCBQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 150000004673 fluoride salts Chemical class 0.000 claims 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims 1
- 229940102253 isopropanolamine Drugs 0.000 claims 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims 1
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 1
- 238000005554 pickling Methods 0.000 claims 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 claims 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims 1
- DZLFLBLQUQXARW-UHFFFAOYSA-N tetrabutylammonium Chemical compound CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC DZLFLBLQUQXARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- CBXCPBUEXACCNR-UHFFFAOYSA-N tetraethylammonium Chemical compound CC[N+](CC)(CC)CC CBXCPBUEXACCNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N tetramethylammonium Chemical compound C[N+](C)(C)C QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- OSBSFAARYOCBHB-UHFFFAOYSA-N tetrapropylammonium Chemical compound CCC[N+](CCC)(CCC)CCC OSBSFAARYOCBHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
- C11D3/26—Organic compounds containing nitrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
- C11D3/26—Organic compounds containing nitrogen
- C11D3/30—Amines; Substituted amines ; Quaternized amines
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
- C11D3/34—Organic compounds containing sulfur
- C11D3/3445—Organic compounds containing sulfur containing sulfino groups, e.g. dimethyl sulfoxide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
- H01L21/02063—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers the processing being the formation of vias or contact holes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31127—Etching organic layers
- H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
1. Жидкая композиция, содержащая(A) по меньшей мере, один полярный органический растворитель, выбранный из группы, состоящей из растворителей, проявляющих в присутствии от 0,06 до 4 мас.% растворенного гидроксида тетраметиламмония (В), массовая доля которого взята, исходя из полного веса соответствующего тестируемого раствора (АВ), постоянную интенсивность удаления при 50°С для полимерного барьерного просветляющего слоя толщиной 30 нм, содержащего хромофорные группы, поглощающие дальнее УФ-излучение,(B) по меньшей мере, один гидроксид четвертичного аммония, и(C) по меньшей мере, один ароматический амин, содержащий, по меньшей мере, одну первичную аминогруппу.2. Жидкая композиция по п.1, характеризующаяся тем, что не содержит N-алкилпирролидоны и гидроксиламин и производные гидроксиламина.3. Жидкая композиция по п.1, характеризующаяся тем, что ароматический амин (С) содержит одну первичную аминогруппу в качестве единственной функциональной группы.4. Жидкая композиция по п.3, характеризующаяся тем, что ароматическим амином является анилин.5. Жидкая композиция по п.1, характеризующаяся тем, что демонстрирует динамическую сдвиговую вязкость при 50°С, измеренную методом ротационной вискозиметрии, от 1 до 10 мПа·с.6. Жидкая композиция по п.1, характеризующаяся тем, что, по меньшей мере, два растворителя (А) выбираются так, чтобы барьерный просветляющий слой удалялся в течение 90 с.7. Жидкая композиция по п.1, характеризующаяся тем, что растворители (А) имеют точку кипения выше 100°С.8. Жидкая композиция по п.7, характеризующаяся тем, что растворители (А) имеют точку вспышки, измеренную в закрытом тигле, выше 50°С.9. Жидкая композиция по п.1, хара
Claims (30)
1. Жидкая композиция, содержащая
(A) по меньшей мере, один полярный органический растворитель, выбранный из группы, состоящей из растворителей, проявляющих в присутствии от 0,06 до 4 мас.% растворенного гидроксида тетраметиламмония (В), массовая доля которого взята, исходя из полного веса соответствующего тестируемого раствора (АВ), постоянную интенсивность удаления при 50°С для полимерного барьерного просветляющего слоя толщиной 30 нм, содержащего хромофорные группы, поглощающие дальнее УФ-излучение,
(B) по меньшей мере, один гидроксид четвертичного аммония, и
(C) по меньшей мере, один ароматический амин, содержащий, по меньшей мере, одну первичную аминогруппу.
2. Жидкая композиция по п.1, характеризующаяся тем, что не содержит N-алкилпирролидоны и гидроксиламин и производные гидроксиламина.
3. Жидкая композиция по п.1, характеризующаяся тем, что ароматический амин (С) содержит одну первичную аминогруппу в качестве единственной функциональной группы.
4. Жидкая композиция по п.3, характеризующаяся тем, что ароматическим амином является анилин.
5. Жидкая композиция по п.1, характеризующаяся тем, что демонстрирует динамическую сдвиговую вязкость при 50°С, измеренную методом ротационной вискозиметрии, от 1 до 10 мПа·с.
6. Жидкая композиция по п.1, характеризующаяся тем, что, по меньшей мере, два растворителя (А) выбираются так, чтобы барьерный просветляющий слой удалялся в течение 90 с.
7. Жидкая композиция по п.1, характеризующаяся тем, что растворители (А) имеют точку кипения выше 100°С.
8. Жидкая композиция по п.7, характеризующаяся тем, что растворители (А) имеют точку вспышки, измеренную в закрытом тигле, выше 50°С.
9. Жидкая композиция по п.1, характеризующаяся тем, что растворитель (А) выбирается из группы, состоящей из алифатических полиаминов, содержащих, по меньшей мере, две первичные аминогруппы, алифатических алканоламинов, имеющих, по меньшей мере, одну углеродную цепь из, по меньшей мере, 3 атомов углерода между одной первичной аминогруппой и одной гидроксильной группой, алифатических сульфоксидов и N-замещенных имидазолов.
10. Жидкая композиция по п.9, характеризующаяся тем, что растворитель (А) выбирается из группы, состоящей из диэтилентриамина, N-метилимидазола, 3-амино-1-пропанола, 5-амино-1-пентанола и диметилсульфоксида.
11. Жидкая композиция по п.1, характеризующаяся тем, что гидроксид четвертичного аммония (В) выбирается из группы, состоящей из гидроксидов тетраметиламмония, тетраэтиламмония, тетрапропиламмония, тетрабутиламмония, бензилтриметиламмония и (2-гидроксиэтил)аммония.
12. Жидкая композиция по п.11, характеризующаяся тем, что гидроксидом четвертичного аммония (В) является гидроксид тетраметиламмония.
13. Жидкая композиция по п.1, характеризующаяся тем, что она содержит, по меньшей мере, один дополнительный компонент, выбранный из группы, состоящей из воды (D), полярных органических растворителей (Е), отличных от растворителей (А), ингибиторов коррозии (F), отличных от ароматических аминов (С), хелатообразующих веществ (G), фторидных солей (Н) и поверхностно-активных веществ (I).
14. Жидкая композиция по п.13, характеризующаяся тем, что полярный органический растворитель (Е) выбирается из группы растворителей, проявляющих в присутствии от 0,06 до 4 мас.% растворенного гидроксида тетраметиламмония (В), массовая доля которого взята, исходя из полного веса соответствующего тестируемого раствора (ЕВ), интенсивность удаления при 50°С для полимерного барьерного просветляющего слоя толщиной 30 нм, содержащего хромофорные группы, поглощающие дальнее УФ-излучение, которая увеличивается с увеличением концентрации гидроксида тетраметиламмония (В).
15. Жидкая композиция по п.14, характеризующаяся тем, что полярный растворитель (Е) выбирается из группы, состоящей из этаноламина, N-метилэтаноламина, N-этилэтаноламина, изопропаноламина, 2-(2-аминоэтиламино)этанола, 2-(2-аминоэтокси)этанола, диэтиленгликоля моноэтилового эфира, диэтиленгликоля монобутилового эфира, N-(2-гидроксиэтил)пиперидина, 1,3-диметил-3,4,5,6-тетрагидро-2-(1Н)-пиримидинона и N-(3-аминопропил)имидазола.
16. Жидкая композиция по п.13, характеризующаяся тем, что ингибитор коррозии (F) выбирается из группы, состоящей из ингибиторов коррозии меди.
17. Способ получения жидкой композиции, где указанный способ содержит стадии
(I) выбор, по меньшей мере, одного полярного органического растворителя (А), проявляющего в присутствии от 0,06 до 4 мас.% растворенного гидроксида тетраметиламмония (В), массовая доля которого взята, исходя из полного веса соответствующего тестируемого раствора, постоянную интенсивность удаления при 50°С для полимерного барьерного просветляющего слоя толщиной 30 нм, содержащего хромофорные группы, поглощающие дальне УФ-излучение, и
(II) смешивание, по меньшей мере, одного из выбранных полярных органических растворителей (А), по меньшей мере, одного гидроксида четвертичного аммония (В) и, по меньшей мере, одного ароматического амина (С), содержащего, по меньшей мере, одну первичную аминогруппу.
18. Способ по п.17, характеризующийся тем, что динамическую сдвиговую вязкость при 50°С смеси, полученной на стадии (II) процесса, доводят до значения от 1 до 10 мПа·с, измеренного методом ротационной вискозиметрии.
19. Способ по п.17, характеризующийся тем, что не применяются N-алкилпирролидон и гидроксиламин и производные гидроксиламина.
20. Способ по п.17, характеризующийся тем, что получается жидкая композиция по любому из пп.1-16.
21. Способ изготовления электрических устройств, содержащий стадии
(1) нанесение изоляционного диэлектрического слоя, состоящего, по меньшей мере, из одного материала с низкой или ультранизкой диэлектрической проницаемостью, на поверхность подложки,
(2) нанесение слоя положительного или негативного резиста на поверхность изоляционного диэлектрического слоя (1),
(3) подвергание слоя резиста (2) селективному воздействию электромагнитного излучения или корпускулярного излучения,
(4) проявление селективно подвергнутого излучению слоя резиста (3) для образования рисунка в резисте,
(5) сухое травление изоляционного диэлектрического слоя (1) с использованием рисунка в резисте (4) в качестве маски для образования проводных канавок и/или сквозных отверстий, сообщающихся с поверхностью подложки,
(6) выбор, по меньшей мере, одного полярного органического растворителя (А), проявляющего в присутствии от 0,06 до 4 мас.% растворенного гидроксида тетраметиламмония (В), массовая доля которого взята, исходя из полного веса соответствующего тестируемого раствора (АВ), постоянную интенсивность удаления при 50°С для полимерного барьерного просветляющего слоя толщиной 30 нм, содержащего хромофорные группы, поглощающие дальнее УФ-излучение,
(7) обеспечение, по меньшей мере, одной композиции для удаления резиста, содержащей
(A) по меньшей мере, один полярный органический растворитель, выбранный в соответствии со стадией (6) процесса, и
(B) по меньшей мере, один гидроксид четвертичного аммония, и
(С) по меньшей мере, один ароматический амин, содержащий, по меньшей мере, одну первичную аминогруппу,
(8) удаление рисунка в резисте и травильных шламов с помощью влажного метода, используя, по меньшей мере, одну композицию для удаления резиста (7), полученную в соответствии со стадией (7) процесса, и
(9) заполнение проводных канавок (5) и сквозных отверстий (5), по меньшей мере, одним материалом, обладающим низким электрическим сопротивлением.
22. Способ по п.21, характеризующийся тем, что на стадии (7) процесса получается жидкая композиция по любому из пп.1-16.
23. Способ по п.21, характеризующийся тем, что слой жесткой маски (10) располагается между слоем резиста (2) и изоляционным диэлектрическим слоем (1), где указанный слой жесткой маски (10) селективно протравливается, используя рисунок в резисте (4) в качестве маски на стадии (5) процесса.
24. Способ по п.21, характеризующийся тем, что барьерный просветляющий слой (11) располагается между слоем резиста (2) и изоляционным диэлектрическим слоем (1), где указанный барьерный просветляющий слой (11) селективно протравливается, используя рисунок в резисте (4) в качестве маски на стадии (5) процесса.
25. Способ по п.23, характеризующийся тем, что барьерный просветляющий слой (11) располагается между слоем жесткой маски (10) и слоем резиста (2), где указанный барьерный просветляющий слой (11) и слой жесткой маски (10) селективно протравливаются на стадии (5) процесса.
26. Способ по п.24, характеризующийся тем, что селективно протравленный барьерный просветляющий слой (11) удаляется на стадии (8) процесса.
27. Способ по п.25, характеризующийся тем, что селективно протравленный барьерный просветляющий слой (11) удаляется на стадии (8) процесса.
28. Способ по п.21, характеризующийся тем, что медь применяется в качестве материала (9), обладающего низким электрическим сопротивлением.
29. Способ по п.21, характеризующийся тем, что изготовленные электрические устройства представляют собой полупроводниковые интегральные схемы, жидкокристаллические индикаторные панели, органические электролюминесцентные индикаторные панели, печатные платы, микромашины, ДНК-чипы и микрозаводы.
30. Применение жидкой композиции для удаления негативных и позитивных фоторезистов и травильных шламов при изготовлении 3D пакетированных интегральных схем и 3D корпусировании на уровне пластин путем формирования рельефа сквозных соединений через кремний (TSV) и/или путем осаждения и путем формирования столбиковых выводов, причем указанная жидкая композиция содержит
(А) по меньшей мере, один полярный органический растворитель, выбранный из группы, состоящей из растворителей, проявляющих в присутствии от 0,06 до 4 мас.% растворенного гидроксида тетраметиламмония (В), массовая доля которого взята, исходя из полного веса соответствующего тестируемого раствора (АВ), постоянную интенсивность удаления при 50°С для полимерного барьерного просветляющего слоя толщиной 30 нм, содержащего хромофорные группы, поглощающие дальнее УФ-излучение,
(B) по меньшей мере, один гидроксид четвертичного аммония, и
(C) по меньшей мере, один ароматический амин, содержащий, по меньшей мере, одну первичную аминогруппу.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US17616509P | 2009-05-07 | 2009-05-07 | |
| US61/176,165 | 2009-05-07 | ||
| PCT/EP2010/055204 WO2010127942A1 (en) | 2009-05-07 | 2010-04-20 | Resist stripping compositions and methods for manufacturing electrical devices |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2011149551A true RU2011149551A (ru) | 2013-06-20 |
Family
ID=42244549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2011149551/02A RU2011149551A (ru) | 2009-05-07 | 2010-04-20 | Композиции для удаления резиста и способы изготовления электрических устройств |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9005367B2 (ru) |
| EP (1) | EP2427803B1 (ru) |
| JP (1) | JP5663562B2 (ru) |
| KR (1) | KR101778313B1 (ru) |
| CN (1) | CN102422228B (ru) |
| IL (1) | IL215806A (ru) |
| MY (1) | MY157093A (ru) |
| RU (1) | RU2011149551A (ru) |
| SG (2) | SG175273A1 (ru) |
| TW (1) | TWI494711B (ru) |
| WO (1) | WO2010127942A1 (ru) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6063879B2 (ja) | 2011-03-18 | 2017-01-18 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ | 集積回路デバイス、光デバイス、マイクロマシン及び線幅５０ｎｍ以下のパターニングされた材料層を有する機械的精密デバイスの製造方法 |
| WO2013138278A1 (en) * | 2012-03-12 | 2013-09-19 | Advanced Technology Materials, Inc. | Copper cleaning and protection formulations |
| TWI588253B (zh) * | 2012-03-16 | 2017-06-21 | 巴地斯顏料化工廠 | 光阻剝除與清潔組合物及其製備方法與用途 |
| CN103995441B (zh) * | 2014-06-11 | 2019-05-31 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 光阻剥离方法及光阻剥离装置 |
| WO2016028454A1 (en) | 2014-08-18 | 2016-02-25 | 3M Innovative Properties Company | Conductive layered structure and methods of making same |
| JP6329889B2 (ja) * | 2014-12-11 | 2018-05-23 | 信越化学工業株式会社 | 洗浄液及び塗布成膜装置配管の洗浄方法 |
| US9650594B2 (en) * | 2015-01-22 | 2017-05-16 | Dynaloy, Llc | Solutions and processes for removing substances from substrates |
| KR20160104454A (ko) | 2015-02-26 | 2016-09-05 | 동우 화인켐 주식회사 | 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법 |
| US10072237B2 (en) * | 2015-08-05 | 2018-09-11 | Versum Materials Us, Llc | Photoresist cleaning composition used in photolithography and a method for treating substrate therewith |
| US9741563B2 (en) * | 2016-01-27 | 2017-08-22 | Lam Research Corporation | Hybrid stair-step etch |
| EP3374443B1 (en) * | 2016-05-10 | 2020-01-08 | ATOTECH Deutschland GmbH | A non-aqueous stripping composition and a method of stripping an organic coating from a substrate |
| KR20180087624A (ko) | 2017-01-25 | 2018-08-02 | 동우 화인켐 주식회사 | 레지스트 박리액 조성물 |
| KR102224907B1 (ko) * | 2018-04-17 | 2021-03-09 | 엘티씨 (주) | 드라이필름 레지스트 박리액 조성물 |
| US11180697B2 (en) | 2018-11-19 | 2021-11-23 | Versum Materials Us, Llc | Etching solution having silicon oxide corrosion inhibitor and method of using the same |
| KR20200076778A (ko) | 2018-12-19 | 2020-06-30 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지의 제조방법 |
| KR20210105911A (ko) * | 2018-12-26 | 2021-08-27 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 | 기재로부터의 전계발광 재료의 제거 |
| KR20220058094A (ko) | 2020-10-30 | 2022-05-09 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 포토레지스트 제거용 박리액 조성물 |
| KR20220150134A (ko) * | 2021-05-03 | 2022-11-10 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트 박리 조성물과 이를 이용하는 반도체 소자 및 반도체 패키지의 제조 방법 |
| CN115216117B (zh) * | 2022-09-21 | 2022-12-16 | 深圳市板明科技股份有限公司 | 一种线路板用改性塞孔树脂及其制备方法 |
Family Cites Families (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4215005A (en) * | 1978-01-30 | 1980-07-29 | Allied Chemical Corporation | Organic stripping compositions and method for using same |
| US5143710A (en) * | 1989-12-22 | 1992-09-01 | The Texas A & M University System | Methods for producing superoxide ion in situ |
| US5612304A (en) * | 1995-07-07 | 1997-03-18 | Olin Microelectronic Chemicals, Inc. | Redox reagent-containing post-etch residue cleaning composition |
| CA2193905A1 (en) | 1996-12-24 | 1998-06-24 | Luc Ouellet | Integrated processing for an etch module |
| US6218078B1 (en) | 1997-09-24 | 2001-04-17 | Advanced Micro Devices, Inc. | Creation of an etch hardmask by spin-on technique |
| US5919599A (en) | 1997-09-30 | 1999-07-06 | Brewer Science, Inc. | Thermosetting anti-reflective coatings at deep ultraviolet |
| US7579308B2 (en) * | 1998-07-06 | 2009-08-25 | Ekc/Dupont Electronics Technologies | Compositions and processes for photoresist stripping and residue removal in wafer level packaging |
| US6417112B1 (en) * | 1998-07-06 | 2002-07-09 | Ekc Technology, Inc. | Post etch cleaning composition and process for dual damascene system |
| US7547669B2 (en) | 1998-07-06 | 2009-06-16 | Ekc Technology, Inc. | Remover compositions for dual damascene system |
| US6440856B1 (en) * | 1999-09-14 | 2002-08-27 | Jsr Corporation | Cleaning agent for semiconductor parts and method for cleaning semiconductor parts |
| US7375066B2 (en) * | 2000-03-21 | 2008-05-20 | Wako Pure Chemical Industries, Ltd. | Semiconductor wafer cleaning agent and cleaning method |
| EP1211563B1 (en) | 2000-11-30 | 2011-12-21 | Tosoh Corporation | Resist stripper composition |
| US20030148624A1 (en) | 2002-01-31 | 2003-08-07 | Kazuto Ikemoto | Method for removing resists |
| JP3516446B2 (ja) | 2002-04-26 | 2004-04-05 | 東京応化工業株式会社 | ホトレジスト剥離方法 |
| JP4443864B2 (ja) | 2002-07-12 | 2010-03-31 | 株式会社ルネサステクノロジ | レジストまたはエッチング残さ物除去用洗浄液および半導体装置の製造方法 |
| JP4282054B2 (ja) * | 2002-09-09 | 2009-06-17 | 東京応化工業株式会社 | デュアルダマシン構造形成プロセスに用いられる洗浄液および基板の処理方法 |
| JP4270544B2 (ja) * | 2003-03-06 | 2009-06-03 | 花王株式会社 | 剥離剤組成物 |
| TW200505975A (en) | 2003-04-18 | 2005-02-16 | Ekc Technology Inc | Aqueous fluoride compositions for cleaning semiconductor devices |
| CN100442449C (zh) | 2003-05-02 | 2008-12-10 | Ekc技术公司 | 半导体工艺中后蚀刻残留物的去除 |
| KR101050011B1 (ko) * | 2003-06-04 | 2011-07-19 | 가오 가부시키가이샤 | 박리제 조성물 및 이것을 사용한 박리 세정방법 |
| US9217929B2 (en) | 2004-07-22 | 2015-12-22 | Air Products And Chemicals, Inc. | Composition for removing photoresist and/or etching residue from a substrate and use thereof |
| TWI273355B (en) * | 2004-08-31 | 2007-02-11 | Merck Electric Chemicals Ltd | Stripper composition and method for photoresist |
| US20060094613A1 (en) | 2004-10-29 | 2006-05-04 | Lee Wai M | Compositions and processes for photoresist stripping and residue removal in wafer level packaging |
| US20060213780A1 (en) | 2005-03-24 | 2006-09-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Electroplating composition and method |
| US7432210B2 (en) | 2005-10-05 | 2008-10-07 | Applied Materials, Inc. | Process to open carbon based hardmask |
| CN101286016A (zh) * | 2007-04-13 | 2008-10-15 | 安集微电子（上海）有限公司 | 低蚀刻性光刻胶清洗剂 |
| KR100908601B1 (ko) | 2007-06-05 | 2009-07-21 | 제일모직주식회사 | 반사방지 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 기판상 재료의패턴화 방법 |
| US7884019B2 (en) | 2007-06-07 | 2011-02-08 | Texas Instruments Incorporated | Poison-free and low ULK damage integration scheme for damascene interconnects |
| US7981812B2 (en) | 2007-07-08 | 2011-07-19 | Applied Materials, Inc. | Methods for forming ultra thin structures on a substrate |
| JP2009075285A (ja) * | 2007-09-20 | 2009-04-09 | Fujifilm Corp | 半導体デバイスの剥離液、及び、剥離方法 |
| JPWO2009096480A1 (ja) * | 2008-01-30 | 2011-05-26 | 日産化学工業株式会社 | ハードマスク用除去組成物および除去方法 |
| US8357646B2 (en) * | 2008-03-07 | 2013-01-22 | Air Products And Chemicals, Inc. | Stripper for dry film removal |
| CN102017015B (zh) | 2008-04-28 | 2013-01-16 | 巴斯夫欧洲公司 | 可由双聚合获得的低k电介质 |
| KR20110021951A (ko) | 2008-05-26 | 2011-03-04 | 바스프 에스이 | 다공성 물질의 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 다공성 물질 |
| KR20110127244A (ko) * | 2009-03-11 | 2011-11-24 | 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. | 표면 상의 잔류물을 제거하기 위한 세정 조성물 |
| WO2010127941A1 (en) | 2009-05-07 | 2010-11-11 | Basf Se | Resist stripping compositions and methods for manufacturing electrical devices |
-
2010
- 2010-04-20 RU RU2011149551/02A patent/RU2011149551A/ru not_active Application Discontinuation
- 2010-04-20 CN CN201080019900.0A patent/CN102422228B/zh active Active
- 2010-04-20 WO PCT/EP2010/055204 patent/WO2010127942A1/en active Application Filing
- 2010-04-20 MY MYPI2011005052A patent/MY157093A/en unknown
- 2010-04-20 US US13/265,647 patent/US9005367B2/en active Active
- 2010-04-20 EP EP10715224.1A patent/EP2427803B1/en active Active
- 2010-04-20 JP JP2012508977A patent/JP5663562B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-04-20 SG SG2011076452A patent/SG175273A1/en unknown
- 2010-04-20 SG SG10201402096TA patent/SG10201402096TA/en unknown
- 2010-04-20 KR KR1020117029327A patent/KR101778313B1/ko active IP Right Grant
- 2010-05-06 TW TW099114542A patent/TWI494711B/zh active
-
2011
- 2011-10-23 IL IL215806A patent/IL215806A/en active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20120040529A1 (en) | 2012-02-16 |
| KR20120023068A (ko) | 2012-03-12 |
| JP5663562B2 (ja) | 2015-02-04 |
| TW201100981A (en) | 2011-01-01 |
| EP2427803A1 (en) | 2012-03-14 |
| EP2427803B1 (en) | 2017-12-13 |
| WO2010127942A1 (en) | 2010-11-11 |
| CN102422228A (zh) | 2012-04-18 |
| US9005367B2 (en) | 2015-04-14 |
| SG10201402096TA (en) | 2014-10-30 |
| MY157093A (en) | 2016-04-29 |
| SG175273A1 (en) | 2011-11-28 |
| JP2012526374A (ja) | 2012-10-25 |
| IL215806A (en) | 2017-08-31 |
| CN102422228B (zh) | 2015-01-21 |
| TWI494711B (zh) | 2015-08-01 |
| KR101778313B1 (ko) | 2017-09-13 |
| IL215806A0 (en) | 2012-01-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2011149551A (ru) | Композиции для удаления резиста и способы изготовления электрических устройств | |
| RU2011149552A (ru) | Композиции для удаления резиста и способы изготовления электрических устройств | |
| TWI304525B (ru) | ||
| KR102503357B1 (ko) | 반도체 기판으로부터 포토레지스트를 제거하기 위한 스트리핑 조성물 | |
| WO2010127941A1 (en) | Resist stripping compositions and methods for manufacturing electrical devices | |
| TWI795433B (zh) | 用於移除乾膜光阻的剝離組成物及使用所述組成物的剝離方法 | |
| WO2020022491A1 (ja) | 洗浄方法 | |
| TW201635052A (zh) | 用於自基板移除物質之溶液及方法 | |
| CN112711176A (zh) | 一种适用半导体领域的光刻胶剥离液及制备方法 | |
| JP2002214805A (ja) | レジスト剥離剤 | |
| KR20220058094A (ko) | 포토레지스트 제거용 박리액 조성물 | |
| CN104345582A (zh) | 一种用于去除光阻残留物的清洗液 | |
| WO2020021721A1 (ja) | 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA92 | Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted) |
Effective date: 20140707 |