JP2002214805A - レジスト剥離剤 - Google Patents
レジスト剥離剤Info
- Publication number
- JP2002214805A JP2002214805A JP2001013142A JP2001013142A JP2002214805A JP 2002214805 A JP2002214805 A JP 2002214805A JP 2001013142 A JP2001013142 A JP 2001013142A JP 2001013142 A JP2001013142 A JP 2001013142A JP 2002214805 A JP2002214805 A JP 2002214805A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- resist stripping
- stripping agent
- present
- water
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】優れたレジスト剥離性を示すとともに、銅を侵
さないレジスト剥離剤を提供する。 【解決の手段】２−（Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−アミノエ
トキシ）エタノールを必須成分とするレジスト剥離剤を
用いる。
さないレジスト剥離剤を提供する。 【解決の手段】２−（Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−アミノエ
トキシ）エタノールを必須成分とするレジスト剥離剤を
用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路、プ
リント配線基板、液晶の製造工程におけるフォトレジス
ト層を剥離するための剥離剤に関するものである。
リント配線基板、液晶の製造工程におけるフォトレジス
ト層を剥離するための剥離剤に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路は、基体上にフォトレジ
ストを塗布し、露光、現像の後、エッチングを行い、回
路を形成した後、フォトレジストを基体上から剥離する
か、回路形成の後、アッシングを行い、レジストを除去
した後、残ったレジスト残渣を剥離する方法で製造され
る。
ストを塗布し、露光、現像の後、エッチングを行い、回
路を形成した後、フォトレジストを基体上から剥離する
か、回路形成の後、アッシングを行い、レジストを除去
した後、残ったレジスト残渣を剥離する方法で製造され
る。
【０００３】そこで、フォトレジストを基体上から剥離
するため、あるいはレジスト残渣を基体上から剥離する
ため、従来より様々なレジスト剥離剤が提案されてき
た。例えば、特開昭６２−４９３５５号公報には、モノ
エタノールアミン類を用いたレジスト剥離液組成物が開
示されている。しかしながら、例えば銅配線用レジスト
を用いた銅配線プロセスにおいて、このようなモノエタ
ノールアミン類を含む剥離液組成物によりレジストを剥
離させた場合、銅を腐食させてしまい、レジスト剥離剤
としては満足できるものではなく、銅を腐食させないレ
ジスト剥離剤が望まれていた。
するため、あるいはレジスト残渣を基体上から剥離する
ため、従来より様々なレジスト剥離剤が提案されてき
た。例えば、特開昭６２−４９３５５号公報には、モノ
エタノールアミン類を用いたレジスト剥離液組成物が開
示されている。しかしながら、例えば銅配線用レジスト
を用いた銅配線プロセスにおいて、このようなモノエタ
ノールアミン類を含む剥離液組成物によりレジストを剥
離させた場合、銅を腐食させてしまい、レジスト剥離剤
としては満足できるものではなく、銅を腐食させないレ
ジスト剥離剤が望まれていた。
【０００４】このように、従来提案されてきたレジスト
剥離剤は、レジスト剥離性や銅への腐食性の点で十分な
ものとはいえなかった。
剥離剤は、レジスト剥離性や銅への腐食性の点で十分な
ものとはいえなかった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
の課題に鑑みて、優れたレジスト剥離性を示すととも
に、銅を侵さないレジスト剥離剤を提供することにあ
る。
の課題に鑑みて、優れたレジスト剥離性を示すととも
に、銅を侵さないレジスト剥離剤を提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、レジスト
剥離剤について鋭意検討した結果、２−（Ｎ，Ｎ−ジメ
チル−２−アミノエトキシ）エタノールを必須成分とす
るレジスト剥離剤が優れたレジスト剥離性を示すととも
に銅配線を侵さないレジスト剥離剤として用いることが
できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
剥離剤について鋭意検討した結果、２−（Ｎ，Ｎ−ジメ
チル−２−アミノエトキシ）エタノールを必須成分とす
るレジスト剥離剤が優れたレジスト剥離性を示すととも
に銅配線を侵さないレジスト剥離剤として用いることが
できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００７】すなわち、本発明は２−（Ｎ，Ｎ−ジメチ
ル−２−アミノエトキシ）エタノールを必須成分とする
ことを特徴とするレジスト剥離剤である。
ル−２−アミノエトキシ）エタノールを必須成分とする
ことを特徴とするレジスト剥離剤である。
【０００８】以下に本発明をさらに詳細に説明する。
【０００９】本発明のレジスト剥離剤は、２−（Ｎ，Ｎ
−ジメチル−２−アミノエトキシ）エタノール（以下
「ＤＭＡＥＥ」と略記する）を必須成分とする。このＤ
ＭＡＥＥは、優れたレジスト剥離性を示すとともに、銅
を侵さないため、特に銅配線プロセスに用いられるレジ
ストを剥離する際に極めて有効である。この用いられる
ＤＭＡＥＥは市販のものをそのまま使用してもよいし、
Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミンへの酸化エチレンの
付加、ジエチレングリコールへのジメチルアミンの付加
などにより製造したものを使用してもよい。
−ジメチル−２−アミノエトキシ）エタノール（以下
「ＤＭＡＥＥ」と略記する）を必須成分とする。このＤ
ＭＡＥＥは、優れたレジスト剥離性を示すとともに、銅
を侵さないため、特に銅配線プロセスに用いられるレジ
ストを剥離する際に極めて有効である。この用いられる
ＤＭＡＥＥは市販のものをそのまま使用してもよいし、
Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミンへの酸化エチレンの
付加、ジエチレングリコールへのジメチルアミンの付加
などにより製造したものを使用してもよい。
【００１０】本発明のレジスト剥離剤は必須成分として
ＤＭＡＥＥを含むが、さらにこれ以外の成分を含んでい
てもよい。例えば、アミン類、水溶性有機溶媒、水、さ
らにこれら内の任意の２種、あるいはすべてを組合せた
ものを例示できる。
ＤＭＡＥＥを含むが、さらにこれ以外の成分を含んでい
てもよい。例えば、アミン類、水溶性有機溶媒、水、さ
らにこれら内の任意の２種、あるいはすべてを組合せた
ものを例示できる。
【００１１】アミン類を用いる場合、レジスト剥離剤と
して一般に使用されているアミン類を用いることがで
き、さらに具体的にいえば、モノエタノールアミン、ジ
エタノールアミン、トリエタノールアミン、２−（２−
アミノエトキシ）エタノール、Ｎ−（２−アミノエチ
ル）エタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールア
ミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジ
ブチルエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミ
ン、Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ−ブチルエタノー
ルアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、Ｎ−エチル
ジエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジ
イソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミ
ン、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン、Ｎ−
（２−ヒドロキシエチル）モルホリンなどのアルカノー
ルアミン類、エチレンジアミン、ジエチレントリアミ
ン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミ
ン、ペンタエチレンヘキサミン、ピペラジン、Ｎ−（２
−アミノエチル）ピペラジン、トリエチレンジアミンな
どのエチレンアミン類、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメ
チルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ”，Ｎ”−ペ
ンタメチルジエチレントリアミン、Ｎ−メチルピペラジ
ン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリメチルアミノエチルピペラジン
などのＮ−アルキルエチレンアミン類、エチレンアミン
以外のプロパンジアミン、ブタンジアミン、ヘキサメチ
レンジアミンなどのジアミン類、イミダゾール、１−メ
チルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、１，２−
ジメチルイミダゾール、１，２，４，５−テトラメチル
イミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾールな
どのイミダゾール類、モルホリン、シクロヘキシルアミ
ン、２−エチル−ヘキシルアミン、ベンジルアミン、ア
ニリンなどのモノアミン類、トリエチルアミン、トリプ
ロピルアミン、トリブチルアミンなどのアルキルアミン
類が挙げられる。また、必要があればヒドロキシルアミ
ン類を使用してもよい。これらアミン類は単独で使用し
てもよいし、二種類以上を混合して使用してもよい。
して一般に使用されているアミン類を用いることがで
き、さらに具体的にいえば、モノエタノールアミン、ジ
エタノールアミン、トリエタノールアミン、２−（２−
アミノエトキシ）エタノール、Ｎ−（２−アミノエチ
ル）エタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールア
ミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジ
ブチルエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミ
ン、Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ−ブチルエタノー
ルアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、Ｎ−エチル
ジエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジ
イソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミ
ン、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン、Ｎ−
（２−ヒドロキシエチル）モルホリンなどのアルカノー
ルアミン類、エチレンジアミン、ジエチレントリアミ
ン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミ
ン、ペンタエチレンヘキサミン、ピペラジン、Ｎ−（２
−アミノエチル）ピペラジン、トリエチレンジアミンな
どのエチレンアミン類、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメ
チルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ”，Ｎ”−ペ
ンタメチルジエチレントリアミン、Ｎ−メチルピペラジ
ン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリメチルアミノエチルピペラジン
などのＮ−アルキルエチレンアミン類、エチレンアミン
以外のプロパンジアミン、ブタンジアミン、ヘキサメチ
レンジアミンなどのジアミン類、イミダゾール、１−メ
チルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、１，２−
ジメチルイミダゾール、１，２，４，５−テトラメチル
イミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾールな
どのイミダゾール類、モルホリン、シクロヘキシルアミ
ン、２−エチル−ヘキシルアミン、ベンジルアミン、ア
ニリンなどのモノアミン類、トリエチルアミン、トリプ
ロピルアミン、トリブチルアミンなどのアルキルアミン
類が挙げられる。また、必要があればヒドロキシルアミ
ン類を使用してもよい。これらアミン類は単独で使用し
てもよいし、二種類以上を混合して使用してもよい。
【００１２】水溶性有機溶媒を用いる場合、レジスト剥
離剤として一般に使用しているものを用いることがで
き、さらに具体的にいえば、ジメチルスルホキシドなど
のスルホキシド類、ジメチルスルホン、ジエチルスルホ
ンなどのスルホン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、
Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセ
トアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミドなどのアミド
類、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピ
ロリドン、Ｎ−プロピル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロ
キシエチル−２−ピロリドンなどのラクタム類、１，３
−ジメジル−２−イミダゾリジノンなどのイミダゾリジ
ノン類、エチレングリコール、ジエチレングリコール、
トリエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプ
ロピレングリコール、トリプロピレングリコールなどの
グリコール類、エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレン
グリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコール
モノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチル
エーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、
プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレン
グリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコール
モノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチ
ルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテ
ル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテルなどの
グリコールエーテル類が挙げられる。これら水溶性有機
溶媒は単独で使用してもよいし、二種類以上を混合して
使用してもよい。
離剤として一般に使用しているものを用いることがで
き、さらに具体的にいえば、ジメチルスルホキシドなど
のスルホキシド類、ジメチルスルホン、ジエチルスルホ
ンなどのスルホン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、
Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセ
トアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミドなどのアミド
類、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピ
ロリドン、Ｎ−プロピル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロ
キシエチル−２−ピロリドンなどのラクタム類、１，３
−ジメジル−２−イミダゾリジノンなどのイミダゾリジ
ノン類、エチレングリコール、ジエチレングリコール、
トリエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプ
ロピレングリコール、トリプロピレングリコールなどの
グリコール類、エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレン
グリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコール
モノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチル
エーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、
プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレン
グリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコール
モノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチ
ルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテ
ル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテルなどの
グリコールエーテル類が挙げられる。これら水溶性有機
溶媒は単独で使用してもよいし、二種類以上を混合して
使用してもよい。
【００１３】また、本発明のレジスト剥離剤には、一般
に使用されている防食剤も用いることができる。
に使用されている防食剤も用いることができる。
【００１４】上記した本発明のレジスト剥離剤中の各成
分の含有量としては、それぞれ使用する化合物が異なる
とその効果が変化するため限定することは困難である
が、必須成分であるＤＭＡＥＥが０．１〜８０重量％の
範囲にあることが好ましく、水を用いる場合には０〜９
０重量％の範囲で、アミン類を用いる場合には０〜５０
重量％の範囲で、有機溶媒を用いる場合には１〜９０重
量％の範囲で用いることが好ましい。レジスト剥離剤中
の各種成分の含有量がこの範囲にあれば、レジストの剥
離性、安定性に優れたものとなる。
分の含有量としては、それぞれ使用する化合物が異なる
とその効果が変化するため限定することは困難である
が、必須成分であるＤＭＡＥＥが０．１〜８０重量％の
範囲にあることが好ましく、水を用いる場合には０〜９
０重量％の範囲で、アミン類を用いる場合には０〜５０
重量％の範囲で、有機溶媒を用いる場合には１〜９０重
量％の範囲で用いることが好ましい。レジスト剥離剤中
の各種成分の含有量がこの範囲にあれば、レジストの剥
離性、安定性に優れたものとなる。
【００１５】本発明のレジスト剥離剤は上記した成分及
び含有量から構成されるが、これらの各成分はレジスト
を剥離する際に各成分を添加して使用してもよいし、あ
らかじめ各成分を混合しておいてから使用してもよい。
び含有量から構成されるが、これらの各成分はレジスト
を剥離する際に各成分を添加して使用してもよいし、あ
らかじめ各成分を混合しておいてから使用してもよい。
【００１６】本発明のレジスト剥離剤は、ポジ型、ネガ
型を含めて、アルカリ水溶液で現像できるレジストに利
用できる。
型を含めて、アルカリ水溶液で現像できるレジストに利
用できる。
【００１７】本発明のレジスト剥離剤は、無機質基体上
に塗布されたフォトレジスト膜、または無機基体上に塗
布されたフォトレジスト膜をドライエッチング後に残存
するフォトレジスト層、あるいはドライエッチング後に
アッシングを行い残存するフォトレジスト残渣物などを
剥離するのに用いられる。特に銅配線に対する腐食性が
小さいため銅配線用のレジストを剥離するのに好適に用
いられる。また、本発明のレジスト剥離剤を使用する際
には、加熱、超音波などで剥離を促進してもよい。
に塗布されたフォトレジスト膜、または無機基体上に塗
布されたフォトレジスト膜をドライエッチング後に残存
するフォトレジスト層、あるいはドライエッチング後に
アッシングを行い残存するフォトレジスト残渣物などを
剥離するのに用いられる。特に銅配線に対する腐食性が
小さいため銅配線用のレジストを剥離するのに好適に用
いられる。また、本発明のレジスト剥離剤を使用する際
には、加熱、超音波などで剥離を促進してもよい。
【００１８】本発明のレジスト剥離剤の使用方法は浸漬
法が一般的であるが、その他公知の方法を使用しても一
向に差し支えない。
法が一般的であるが、その他公知の方法を使用しても一
向に差し支えない。
【００１９】
【実施例】本発明を以下の実施例によりさらに詳細に説
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２０】実施例１〜５、比較例１〜２ シリコンウェハ上に、市販のポジ型フォトレジストを２
μｍの厚みで塗布し、プリベークした。次いで、マスク
パターンを介して露光し、テトラメチルアンモニウムヒ
ドロキシドで現像した。エッチングを行った後、イオン
注入処理を行った。このシリコンウェハを表１に示す剥
離液に５０℃、３０分浸漬し、その後水洗いし、乾燥し
た。表面を走査型電子顕微鏡で観察し、レジスト変質膜
の剥離性、及び銅配線への腐食性を調べた。
μｍの厚みで塗布し、プリベークした。次いで、マスク
パターンを介して露光し、テトラメチルアンモニウムヒ
ドロキシドで現像した。エッチングを行った後、イオン
注入処理を行った。このシリコンウェハを表１に示す剥
離液に５０℃、３０分浸漬し、その後水洗いし、乾燥し
た。表面を走査型電子顕微鏡で観察し、レジスト変質膜
の剥離性、及び銅配線への腐食性を調べた。
【００２１】変質膜の剥離性は以下の様に評価した。 ○：剥離性良好 △：一部残存物有り ×：大部分残存していた 銅配線への腐食性は以下の様に評価した。 ○：腐食なし △：一部腐食有り ×：腐食が激しい なお、表記を簡潔にするため、表１中では以下の略記号
を使用した。 ＤＭＡＥＥ：２−（Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−アミノエト
キシ）エタノール ＭＥＡ：モノエタノールアミン ＮＭＰ：Ｎ−メチルピロリドン ＤＭＳＯ：ジメチルスルホキシド ＴＥＴＡ：トリエチレンテトラミン
を使用した。 ＤＭＡＥＥ：２−（Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−アミノエト
キシ）エタノール ＭＥＡ：モノエタノールアミン ＮＭＰ：Ｎ−メチルピロリドン ＤＭＳＯ：ジメチルスルホキシド ＴＥＴＡ：トリエチレンテトラミン
【００２２】
【表１】 表１より、実施例に示されるＤＭＡＥＥを含むレジスト
剥離剤は比較例のものよりも、レジスト剥離性に優れ、
銅配線腐食性が小さいことが分かる。
剥離剤は比較例のものよりも、レジスト剥離性に優れ、
銅配線腐食性が小さいことが分かる。
【００２３】
【発明の効果】本発明のレジスト剥離剤は、優れたレジ
スト剥離性を示すとともに、銅配線を腐食しないレジス
ト剥離剤として使用できる。
スト剥離性を示すとともに、銅配線を腐食しないレジス
ト剥離剤として使用できる。
Claims (5)
- 【請求項１】２−（Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−アミノエト
キシ）エタノールを必須成分とするレジスト剥離剤。 - 【請求項２】アミン類、水溶性有機溶媒及び水からなる
群より選ばれる少なくとも一種も含まれることを特徴と
する請求項１に記載のレジスト剥離剤。 - 【請求項３】アミン類が、アルカノールアミン類、エチ
レンアミン類、Ｎ−アルキルエチレンアミン類、ジアミ
ン類、イミダゾール類、モノアミン類及びアルキルアミ
ン類からなる群より選ばれる少なくとも１種であること
を特徴とする請求項２に記載のレジスト剥離剤。 - 【請求項４】水溶性有機溶媒がスルホキシド類、スルホ
ン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アミド類、ラク
タム類、イミダゾリジノン類、グリコール類及びグリコ
ールエーテル類からなる群より選ばれる少なくとも１種
であることを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の
レジスト剥離剤。 - 【請求項５】銅配線用レジストの剥離用であることを特
徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のレジスト剥離
剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001013142A JP4474776B2 (ja) | 2001-01-22 | 2001-01-22 | レジスト剥離剤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001013142A JP4474776B2 (ja) | 2001-01-22 | 2001-01-22 | レジスト剥離剤 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002214805A true JP2002214805A (ja) | 2002-07-31 |
| JP4474776B2 JP4474776B2 (ja) | 2010-06-09 |
Family
ID=18880051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001013142A Expired - Fee Related JP4474776B2 (ja) | 2001-01-22 | 2001-01-22 | レジスト剥離剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4474776B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005022268A1 (ja) * | 2003-08-28 | 2005-03-10 | Sony Corporation | 銀及び／又は銀合金を含む基板のフォトレジスト剥離液組成物、それを用いたパターンの製造方法ならびにそれを含む表示装置 |
| KR100511083B1 (ko) * | 2002-11-07 | 2005-08-30 | 동우 화인켐 주식회사 | 포토레지스트 및 폴리머 박리액 조성물 및 이를 이용한반도체소자의 박리, 세정방법 |
| EP1701217A2 (en) | 2005-03-11 | 2006-09-13 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Composition for photoresist stripping solution and process of photoresist stripping |
| JP2011070057A (ja) * | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Tosoh Corp | レジスト剥離剤及びそれを用いた剥離方法 |
| JP2012018982A (ja) * | 2010-07-06 | 2012-01-26 | Tosoh Corp | レジスト剥離剤及びそれを用いた剥離法 |
-
2001
- 2001-01-22 JP JP2001013142A patent/JP4474776B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100511083B1 (ko) * | 2002-11-07 | 2005-08-30 | 동우 화인켐 주식회사 | 포토레지스트 및 폴리머 박리액 조성물 및 이를 이용한반도체소자의 박리, 세정방법 |
| WO2005022268A1 (ja) * | 2003-08-28 | 2005-03-10 | Sony Corporation | 銀及び／又は銀合金を含む基板のフォトレジスト剥離液組成物、それを用いたパターンの製造方法ならびにそれを含む表示装置 |
| KR101318694B1 (ko) * | 2003-08-28 | 2013-10-16 | 간또 가가꾸 가부시끼가이샤 | 은 및/또는 은 합금을 포함하는 기판의 포토레지스트 박리액 조성물, 그것을 이용한 패턴 형성방법 및 그것을 포함하는 표시장치의 제조방법 |
| EP1701217A2 (en) | 2005-03-11 | 2006-09-13 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Composition for photoresist stripping solution and process of photoresist stripping |
| US7816312B2 (en) | 2005-03-11 | 2010-10-19 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Composition for photoresist stripping solution and process of photoresist stripping |
| JP2011070057A (ja) * | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Tosoh Corp | レジスト剥離剤及びそれを用いた剥離方法 |
| JP2012018982A (ja) * | 2010-07-06 | 2012-01-26 | Tosoh Corp | レジスト剥離剤及びそれを用いた剥離法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4474776B2 (ja) | 2010-06-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101454872B (zh) | 光刻胶剥离剂组合物和用该光刻胶剥离剂组合物剥离光刻胶的方法 | |
| JP3410403B2 (ja) | ホトレジスト用剥離液およびこれを用いたホトレジスト剥離方法 | |
| JP6277511B2 (ja) | レジスト剥離液 | |
| JP2004029696A (ja) | ホトレジスト剥離方法 | |
| JP2006106616A (ja) | ホトレジスト除去用処理液および基板の処理方法 | |
| CN104281017A (zh) | 干膜抗蚀剂剥离剂组合物以及使用该组合物的干膜抗蚀剂的除去方法 | |
| JP2012032757A (ja) | レジスト剥離剤及びそれを用いた剥離方法 | |
| JP2012018982A (ja) | レジスト剥離剤及びそれを用いた剥離法 | |
| JP2001022095A (ja) | ポジ型レジスト用剥離液 | |
| JP5678616B2 (ja) | レジスト剥離剤及びそれを用いた剥離方法 | |
| JP4474776B2 (ja) | レジスト剥離剤 | |
| JP2001022096A (ja) | ポジ型レジスト用剥離液 | |
| JP4442017B2 (ja) | レジスト剥離剤 | |
| TW594443B (en) | Photoresist remover composition comprising ammonium fluoride | |
| JP4165208B2 (ja) | レジスト剥離方法 | |
| JP5533383B2 (ja) | レジスト剥離剤及びそれを用いた剥離方法 | |
| JP4483114B2 (ja) | レジスト剥離剤 | |
| JP4501256B2 (ja) | レジスト剥離剤 | |
| JP4501248B2 (ja) | レジスト剥離剤 | |
| JP4470328B2 (ja) | レジスト剥離剤 | |
| JP2003241400A (ja) | 剥離液及びそれを用いたレジスト剥離方法 | |
| JP2004205675A (ja) | レジスト剥離剤 | |
| JP4572466B2 (ja) | レジスト剥離剤 | |
| KR101733729B1 (ko) | 포토레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 박리 방법 | |
| KR102528302B1 (ko) | 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트 박리 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071219 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100205 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100216 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100301 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130319 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130319 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140319 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |