WO2020022491A1 - 洗浄方法 - Google Patents

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WO2020022491A1
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mass
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resin mask
cleaning composition
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山田晃平
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花王株式会社
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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
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    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Definitions

  • the present disclosure relates to a cleaning composition for removing a resin mask, a cleaning method using the same, and a method for manufacturing an electronic component.
  • Patent Document 1 includes quaternary ammonium hydroxide, a specific alkyl diol aryl ether or a derivative thereof, and (C) acetophenone or A low-etch photoresist cleaning agent comprising a derivative thereof is described.
  • Patent Document 2 discloses that (A) 35 to 80% by mass of an aliphatic alcohol solvent, (B) an organic solvent selected from a halogenated hydrocarbon solvent and a non-hydroxylated ether solvent of 10 to 50% by mass.
  • a photoresist stripper consisting essentially of 40% by weight and (C) 0.1 to 25% by weight of a quaternary ammonium salt is described.
  • U.S. Patent Application Publication No. 2014/01555310 contains dimethyl sulfoxide, quaternary ammonium hydroxide, certain alkanolamines, and a second solvent comprising an alcohol, a polyhydroxy compound or a combination thereof.
  • a solution having a water content of 3% by mass or less is described.
  • WO 2008/039730 discloses a semi-conductor containing at least one kind of alkali and / or alkaline earth metal base, at least one kind of organic solvent and water used for reworking microelectronic devices. An aqueous composition is described.
  • the present invention relates to a cleaning method including a step of removing a resin mask from an object.
  • the cleaning agent composition is used to reduce the remaining of the resin mask as well as the auxiliary and the like contained in the solder and plating solution used for forming fine wiring and bumps. Goods are required to have high detergency.
  • the resin mask is formed using a resist whose physical properties such as solubility in a developing solution are changed by light, an electron beam, or the like. Resists are broadly classified into negative and positive types according to the reaction method with light and electron beams. A negative resist has a property that its solubility in a developing solution is reduced when exposed, and a layer containing a negative resist (hereinafter, also referred to as a “negative resist layer”) has an exposed portion after exposure and development processing.
  • Positive resist has a property that solubility in a developing solution increases when exposed, and a layer containing a positive resist (hereinafter, also referred to as a “positive resist layer”) has an exposed portion after exposure and development processing.
  • the unexposed portions are removed and used as a resin mask.
  • the characteristics of the resin mask change due to plating treatment, heat treatment, and the like used in forming these connection portions, and the resin mask tends to be difficult to be removed in the next cleaning step.
  • a negative resist has the property of being cured by reaction with light or an electron beam
  • a resin mask formed using the negative resist is subjected to a plating process, a heating process, or the like used when forming a connection portion.
  • the hardening proceeds more than necessary, and the substrate cannot be completely removed in the cleaning process, or the time required for the removal becomes extremely long, thereby damaging the substrate and the metal surface. Since the resin mask which has been subjected to the plating treatment and / or the heat treatment is difficult to remove, the cleaning composition is required to have high resin mask removal properties.
  • the miniaturization of wiring is progressing.
  • the electric resistance increases, heat is generated, and the function of the electronic device may be reduced.
  • measures are taken to increase the height of the wiring. For this reason, the resin mask used for forming the wiring becomes thicker, the contact area with the wiring increases, and the wiring interval accompanying the miniaturization becomes narrower, so that it becomes difficult to remove the resin mask.
  • high-energy, low-wavelength light is used to draw fine wiring.
  • the resin mask since the resin mask is thick, the distance from the resin mask surface to the substrate is long, and the reaction rate of photopolymerization due to exposure is low. A difference occurs between the surface and the substrate contact surface, the reaction on the surface proceeds excessively, and if the permeability is not enhanced, the cleaning composition does not penetrate from the surface of the resin mask and the resin mask is difficult to remove.
  • the present disclosure provides a cleaning method excellent in resin mask removability and a cleaning composition for removing a resin mask.
  • the present invention also relates to a cleaning method (hereinafter, also referred to as a “cleaning method of the present disclosure”) including a step of removing the resin mask from an object to be cleaned to which the resin mask has adhered, using the method.
  • the present disclosure relates, in one aspect, to a method for manufacturing an electronic component, including a step of removing a resin mask from an object to be cleaned having a resin mask attached thereto, using the cleaning method of the present disclosure.
  • the present disclosure in one aspect, comprises an alkali agent (component A), an organic solvent (component B), water (component C), and a salt of an inorganic acid other than component A (component D), and the Hansen solubility of component B.
  • the present disclosure in one aspect, is a kit for producing the cleaning composition of the present disclosure, comprising a solution containing component A (first solution) and a solution containing component B (second solution). , A solution containing the component D (third liquid) in a state where they are not mixed with each other, and at least one selected from the first liquid, the second liquid, and the third liquid contains part or all of the component C. Further, the present invention relates to a kit which contains the first liquid, the second liquid, and the third liquid at the time of use.
  • the cleaning method of the present disclosure can efficiently remove a resin mask, particularly, a resin mask that has been subjected to plating treatment and / or heat treatment. Then, by using the cleaning method of the present disclosure, a high-quality electronic component can be obtained with a high yield. Furthermore, by using the cleaning method of the present disclosure, an electronic component having a fine wiring pattern can be efficiently manufactured.
  • the details of the action mechanism of the effect in the cleaning method of the present disclosure are not clear, but are presumed as follows.
  • peeling of the resin mask is caused by interfacial stress caused by the components of the cleaning composition penetrating into the resin mask and swelling the resin mask.
  • the alkaline agent (component A), the specific organic solvent (component B), and water (component C) in the cleaning composition of the present disclosure penetrate into the resin mask, so that the resin composition is mixed with the resin mask. It is considered that the dissociation of the alkali-soluble resin is promoted, and the charge repulsion is further caused to promote the peeling of the resin mask.
  • the specific organic solvent (component B) acts on the interface between the substrate surface and the resin mask and the interface between the wiring and the resin mask. It is presumed that the resin mask removal property is remarkably improved. Further, the specific organic solvent (component B) acts on the unreacted monomer in the resin mask, and from there, the alkaline agent (component A) and water (component C) penetrate into the resin mask, and the resin mask is peeled off. It is also presumed that the resin mask removal property is remarkably improved. Furthermore, when the electrical conductivity, which is an index of the salt concentration of the detergent composition of the present disclosure, is 11 S / m or more, the solubility of component B in water is reduced by the action of salting out.
  • the resin mask acts well to promote the penetration of the alkali agent (component A) and water (component C) into the resin mask, and the resin mask can be removed more efficiently.
  • a fine circuit wiring pattern
  • the present disclosure need not be construed as being limited to this mechanism.
  • a cleaning composition has been required to have high resin mask removal properties, but has little effect on a substrate containing an organic resin such as an epoxy resin or a phenol resin (hereinafter, also referred to as an “organic resin-containing substrate”). It is desired. This is because if the cleaning composition dissolves or alters the surface of the substrate, the performance of the substrate required as an electronic component is reduced, and a high-quality substrate cannot be obtained.
  • the detergent composition of the present disclosure as described above, has an electric conductivity of 11 S / m or more, so that the solubility of the component B in water decreases, and even if the component B has a low concentration. Works on resin masks with high efficiency. Therefore, the organic substance content in the cleaning composition of the present disclosure can be reduced, and the influence on the organic resin-containing substrate can be reduced.
  • a water-based cleaning composition that is easy to remove the removed resin mask from the cleaning liquid with a net or the like is advantageous, and a cleaning composition having a low organic substance content is preferable.
  • the detergent composition of the present disclosure has an electric conductivity of 11 S / m or more, so that the solubility of the component B in water decreases, and even if the component B has a low concentration.
  • the organic matter content in the cleaning composition of the present disclosure can be reduced, and an increase in the wastewater treatment load can be suppressed.
  • a resin mask is a mask for protecting a material surface from a process such as etching, plating, or heating, that is, a mask that functions as a protective film.
  • the resin mask in one or more embodiments, at least one of a resist layer after exposure and development steps, and exposure and development processing is performed (hereinafter, also referred to as “exposure and / or development processing”)
  • a resist layer or a cured resist layer can be used.
  • the resin material forming the resin mask includes a film-shaped photosensitive resin or a resist film.
  • a general-purpose resist film can be used.
  • the cleaning composition of the present disclosure preferably has an electric conductivity of 11 S / m or more, and more preferably 20 S / m or less, and preferably 15 S / m from the viewpoint of improving the resin mask releasability. / M or less is more preferable.
  • the electric conductivity is the electric conductivity at 25 ° C., and can be measured by the measuring method described in Examples. The electric conductivity may be adjusted so that the electric conductivity becomes 11 S / m or more by the content of the component A, the component B and the component C, or a compound which dissolves in water and dissociates ions is further added. May be adjusted.
  • composition of the present disclosure comprises, in one or more embodiments, an alkaline agent (Component A).
  • Component A can be used alone or in combination of two or more.
  • the component A for example, at least one selected from inorganic alkalis and organic alkalis can be mentioned. From the viewpoint of reducing the wastewater treatment load, an inorganic alkali is preferable.
  • Examples of the inorganic alkali include sodium hydroxide, potassium hydroxide, lithium hydroxide, calcium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, sodium silicate, potassium silicate, and the like.
  • sodium hydroxide, potassium hydroxide, lithium hydroxide, calcium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, sodium silicate, potassium silicate, and the like are preferable, and at least one of sodium hydroxide and potassium hydroxide is preferable. Is more preferable, and potassium hydroxide is still more preferable.
  • organic alkali examples include a quaternary ammonium hydroxide represented by the following formula (I) and an amine represented by the following formula (II).
  • R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are each independently at least one member selected from a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a hydroxymethyl group, a hydroxyethyl group and a hydroxypropyl group. It is.
  • R 5 represents a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group or an aminoethyl group
  • R 6 represents at least a hydrogen atom, a hydroxyethyl group, a hydroxypropyl group, a methyl group or an ethyl group
  • R 7 is at least one selected from the group consisting of an aminoethyl group, a hydroxyethyl group and a hydroxypropyl group, or in the formula (II), R 5 is a methyl group, an ethyl group, an aminoethyl group.
  • quaternary ammonium hydroxide represented by the formula (I) for example, a salt composed of a quaternary ammonium cation and a hydroxide, and the like can be mentioned.
  • Specific examples of the quaternary ammonium hydroxide include tetramethylammonium hydroxide (TMAH), tetraethylammonium hydroxide, tetrapropylammonium hydroxide, 2-hydroxyethyltrimethylammonium hydroxide (choline), and 2-hydroxyethyltriethyl.
  • Examples of the amine represented by the formula (II) include alkanolamines, primary to tertiary amines, and heterocyclic compounds. Specific examples of the amine include monoethanolamine, monoisopropanolamine, N-methylmonoethanolamine, N-methylisopropanolamine, N-ethylmonoethanolamine, N-ethylisopropanolamine, diethanolamine, diisopropanolamine, and N-dimethyl.
  • the content of the component A when the cleaning composition of the present disclosure is used is preferably 0.1% by mass or more, more preferably 0.5% by mass or more, and preferably 1% by mass or more from the viewpoint of improving the resin mask removability. Is more preferably 2% by mass or more, and further preferably 5% by mass or less, more preferably 4% by mass or less, still more preferably 3.5% by mass or less, from the viewpoint of improving the resin mask removability. Even more preferably, it is not more than mass%. More specifically, the content of Component A at the time of using the cleaning composition of the present disclosure is preferably from 0.1% by mass to 5% by mass, more preferably from 0.5% by mass to 4% by mass. The content is more preferably from 1% by mass to 3.5% by mass, and still more preferably from 2% by mass to 3% by mass. When component A is composed of two or more alkaline agents, the content of component A refers to the total content thereof.
  • the content of each component at the time of using the cleaning composition refers to the content of each component at the time of cleaning, that is, at the time when the use of the cleaning composition for cleaning is started.
  • composition of the present disclosure comprises, in one or more embodiments, an organic solvent (Component B).
  • Component B can be used alone or in combination of two or more.
  • Within the range more preferably within the range of a sphere having a radius of 5.38 MPa 0.5 , and still more preferably within the range of a sphere having a radius of 4.00 MPa 0.5 .
  • the cleaning composition of the present disclosure may include an organic solvent other than the organic solvent (component B) having the coordinates of the Hansen solubility parameter within the above range.
  • component B organic solvent other than the organic solvent having the coordinates of the Hansen solubility parameter within the above range.
  • the Hansen solubility parameter of the whole mixed organic solvent may not be within the above range, If the organic solvent contains at least one organic solvent (component B) having a Hansen solubility parameter within the above range, the effects of the present disclosure can be exerted.
  • HSP Hansen solubility parameter
  • HSPiP Hansen Solubility Parameters in Practice
  • the distance of the HSP as the mixed organic solvent can be calculated using the HSP calculation function of the mixed organic solvent of “HSPiP: Hansen Solubility Parameters in Practice”.
  • the component B is not particularly limited as long as the distance between the HSP coordinates of the component B and the component coordinates X satisfies the above formula.
  • acetophenone (distance: 2.44 MPa 0.5 )
  • propio Phenone (distance: 0.65 MPa 0.5 )
  • p-anisaldehyde (distance: 5.15 MPa 0.5 )
  • o-anisaldehyde (distance: 2.43 MPa 0.5 )
  • p-methylacetophenone (distance: 1.23 MPa 0.5 )
  • tetrahydrofuran (distance: 5.36MPa 0.5)
  • dimethoxytetrahydrofuran (distance: 5.42MPa 0.5)
  • methoxy cyclopentane (distance: 4.10MPa 0.5), diphenyl ether (distance: 3.83MPa 0.5), anisole (distance: 4.12 MPa 0.5
  • component B comprises, in one or more other embodiments, acetophenone, propiophenone, p-anisaldehyde, p-methylacetophenone, tetrahydrofuran, dimethoxytetrahydrofuran, methoxycyclopentane, anisole, phenetole, cyclohexanone and At least one selected from benzaldehyde is preferred.
  • the numerical value in parentheses indicates the distance (unit: MPa 0.5 ) between the HSP coordinates of the component B and the component coordinates X.
  • ⁇ Component B in the present disclosure preferably has a high boiling point from the viewpoint of reducing fire risk due to ignition and stamina.
  • the boiling point of the component B is preferably 160 ° C. or higher, more preferably 200 ° C. or higher.
  • component B preferably has a high solubility in water from the viewpoint of concentrating properties.
  • the solubility of component B in 100 mL of water is preferably 0.3 g or more.
  • the content of the component B when the cleaning composition of the present disclosure is used is preferably 0.1% by mass or more, more preferably 0.3% by mass or more, and more preferably 0.5% by mass from the viewpoint of improving the resin mask removability. %, More preferably 1% by mass or more, and further preferably 10% by mass or less, more preferably 7% by mass or less, from the viewpoint of reducing the wastewater treatment load and the effect on the organic resin-containing substrate. %, More preferably 4% by mass or less. More specifically, the content of the component B during use is preferably from 0.1% by mass to 10% by mass, more preferably from 0.3% by mass to 7% by mass in one or a plurality of embodiments.
  • component B is composed of two or more organic solvents
  • the content of component B refers to the total content thereof.
  • the content of the component B at the time of use is preferably from 0.1% by mass to 5% by mass.
  • the content of the mixed organic solvent when the cleaning composition of the present disclosure is used is preferably 1% by mass or more from the viewpoint of improving the resin mask removability,
  • the content is more preferably 2% by mass or more, further preferably 4% by mass or more, and from the viewpoint of reducing the wastewater treatment load and the effect on the organic resin-containing substrate, is preferably 20% by mass or less, more preferably 15% by mass or less.
  • % By mass or less is more preferable.
  • the content of the mixed organic solvent is preferably from 1% by mass to 20% by mass, more preferably from 2% by mass to 15% by mass, and still more preferably from 4% by mass to 10% by mass.
  • the content of the component B in the mixed organic solvent is preferably 10% by mass or more, and more preferably 20% by mass or more, from the viewpoint of improving the resin mask removability. , 30% by mass or more is more preferable, and from the same viewpoint, 90% by mass or less is preferable, 85% by mass or less is more preferable, and 80% by mass or less is further preferable. More specifically, the content of Component B in the mixed organic solvent is preferably from 10% by mass to 90% by mass, more preferably from 20% by mass to 85% by mass, and from 30% by mass to 80% by mass. More preferred.
  • the mass ratio (A / B) between the component A and the component B in the cleaning composition of the present disclosure is preferably 0.05 or more, from the viewpoint of reducing the load on the wastewater treatment and reducing the influence on the organic resin-containing substrate. 1 or more is more preferable, 0.5 or more is still more preferable, 0.8 or more is still more preferable, and from the viewpoint of improving the resin mask removability, 20 or less is preferable, 10 or less is more preferable, and 5 or less is more preferable. And 3 or less is still more preferred. More specifically, the mass ratio (A / B) is preferably 0.05 or more and 20 or less, more preferably 0.1 or more and 10 or less, still more preferably 0.5 or more and 5 or less, and 0.8 or more and 3 or less. Is even more preferred.
  • the cleaning composition of the present disclosure comprises water (Component C) in one or more embodiments.
  • Water component C include ion-exchanged water, RO water, distilled water, pure water, and ultrapure water.
  • the content of the component C in the cleaning composition of the present disclosure can be a residue excluding the components A, B, and optional components described below.
  • the content of the component C at the time of using the cleaning composition of the present disclosure is 60% by mass or more from the viewpoint of improving the resin mask removability, reducing the wastewater treatment load, and reducing the effect on the organic resin-containing substrate. Is preferably 70% by mass or more, more preferably 75% by mass or more, and from the viewpoint of improving the resin mask removability, 95% by mass or less is preferable.
  • the content of the component C at the time of using the cleaning composition of the present disclosure is preferably from 60% by mass to 95% by mass, more preferably from 70% by mass to 95% by mass, and more preferably from 75% by mass. It is more preferably at least 95% by mass.
  • the mass ratio B / C of the component B and the component C in the cleaning composition of the present disclosure is preferably 0.01 or more, more preferably 0.02 or more, and from the viewpoint of improving the resin mask removability, and the same. From the viewpoint, it is preferably 0.06 or less, more preferably 0.04 or less. More specifically, the mass ratio B / C is preferably from 0.01 to 0.06, more preferably from 0.02 to 0.04.
  • the cleaning composition of the present disclosure may further include a salt of an inorganic acid other than the component A (component D).
  • the component D include an alkali metal salt, an alkaline earth metal salt, an ammonium salt, and a quaternary ammonium salt of at least one acid selected from sulfuric acid, hydrochloric acid, nitric acid, phosphoric acid, carbonic acid, silicic acid, and boric acid. .
  • alkali metal salts or ammonium salts are preferable from the viewpoint of improving the resin mask removal property, and at least one selected from sodium sulfate, cesium sulfate, potassium sulfate, ammonium sulfate, sodium chloride, potassium chloride, and ammonium chloride is more preferable.
  • sodium sulfate is more preferred.
  • the content of Component D when the cleaning composition of the present disclosure is used is preferably 0.1% by mass or more, more preferably 1% by mass or more, and more preferably 3% by mass or more, from the viewpoint of improving the resin mask removability. It is still more preferably 5% by mass or more, still more preferably 10% by mass or more, and from the viewpoint of suppressing the precipitation of excessive inorganic acid salt and keeping the detergent composition uniform, 30% by mass or less is preferred. Preferably, it is 25% by mass or less, more preferably 20% by mass or less, even more preferably 15% by mass or less.
  • the content of the component D at the time of use is, in one or more embodiments, preferably 1% by mass or more and 30% by mass or less, more preferably 3% by mass or more and 25% by mass or less, and 5% by mass.
  • the content is more preferably from 20% by mass to 20% by mass, and more preferably from 10% by mass to 15% by mass.
  • the content of the component D at the time of use is preferably from 0.1% by mass to 30% by mass, and more preferably from 0.1% by mass to 20% by mass.
  • component D is composed of salts of two or more inorganic acids
  • the content of component D refers to the total content thereof.
  • the mass ratio D / C between the component D and the component C in the cleaning composition of the present disclosure is preferably 0.02 or more, more preferably 0.1 or more, and 0.15 or more from the viewpoint of improving the resin mask removability. Is more preferable, and from the same viewpoint, 0.6 or less is preferable, 0.3 or less is more preferable, and 0.2 or less is further more preferable. More specifically, the mass ratio D / C is preferably from 0.02 to 0.6, more preferably from 0.1 to 0.3, and even more preferably from 0.15 to 0.2.
  • the cleaning composition of the present disclosure may further contain other components as necessary in addition to the components A to D.
  • the other components include components that can be used in ordinary detergents.
  • organic solvents other than component B surfactants, chelating agents, thickeners, dispersants, rust inhibitors, polymers
  • examples include compounds, solubilizers, antioxidants, preservatives, defoamers, and antibacterial agents.
  • the other content at the time of using the cleaning composition of the present disclosure is preferably from 0% by mass to 2.0% by mass, more preferably from 0% by mass to 1.5% by mass, and more preferably from 0% by mass to 1.
  • the content is more preferably 3% by mass or less, and even more preferably 0% by mass or more and 1.0% by mass or less.
  • the total content of the organic substances derived from the components A, B and optional components when the cleaning composition of the present disclosure is used is preferably 15% by mass or less from the viewpoint of reducing the load on the wastewater treatment and reducing the influence on the organic resin-containing substrate. It is preferably 10% by mass or less, more preferably 5% by mass or less, still more preferably 4% by mass or less, even more preferably 3% by mass or less. % By mass or more, more preferably 0.3% by mass or more, still more preferably 0.5% by mass or more, still more preferably 1% by mass or more. More specifically, the total content of component A, component B, and organic matter derived from optional components when using the cleaning composition of the present disclosure is 0.1% by mass or more and 15% by mass in one or more embodiments.
  • the total content of the organic matter derived from the component A, the component B, and the optional component when the cleaning composition of the present disclosure is used is preferably 0.5% by mass or more and 15% by mass or less in one or more other embodiments. .
  • the detergent composition of the present disclosure does not substantially contain a nitrogen-containing compound and a phosphorus-containing compound from the viewpoint of reducing the wastewater treatment load and suppressing the eutrophication of the drainage area.
  • substantially free of a nitrogen-containing compound and a phosphorus-containing compound means that the total content of the nitrogen-containing compound and the phosphorus-containing compound in the cleaning composition of the present disclosure is less than 0.1% by mass. That means.
  • the total content of the nitrogen-containing compound and the phosphorus-containing compound in the detergent composition of the present disclosure is preferably 0.05% by mass or less from the viewpoint of reducing the wastewater treatment load and suppressing the eutrophication of the wastewater area.
  • nitrogen-containing compound examples include nitrogen-containing compounds that have been widely used as a detergent composition. For example, at least one or a combination of two or more amines and salts thereof, ammonia, and ammonium salts.
  • the amine include amino alcohols such as monoethanolamine and diethanolamine.
  • the ammonium salt include a quaternary ammonium salt such as tetramethylammonium hydroxide (TMAH).
  • the phosphorus-containing compound examples include phosphorus-containing compounds that have been widely used as a detergent composition, such as phosphoric acid and salts thereof, condensed phosphoric acid such as pyrophosphoric acid, polyphosphoric acid, and metaphosphoric acid, and salts thereof. And at least one kind or a combination of two or more kinds selected from inorganic phosphoric acid, organic phosphoric acid, and phosphoric acid ester.
  • the cleaning composition of the present disclosure can be produced by blending the above components A to C and, if necessary, the above optional components (component D and other components) by a known method.
  • the cleaning composition of the present disclosure can be obtained by blending at least the above components A to C.
  • the present disclosure relates to a method for producing a cleaning composition, which comprises at least a step of blending the components A to C.
  • "to be compounded” includes mixing the components A to C and, if necessary, the above-mentioned optional components simultaneously or in an arbitrary order.
  • the preferable blending amount of each component can be the same as the preferable content of each component of the above-described cleaning composition of the present disclosure.
  • the detergent composition of the present disclosure may be prepared as a concentrate in which the amount of component C water is reduced within a range that does not cause separation, precipitation, or the like, and impair storage stability.
  • the concentrate of the detergent composition is preferably a concentrate having a dilution factor of 3 or more from the viewpoint of transportation and storage, and is preferably a concentrate having a dilution ratio of 30 or less from the viewpoint of storage stability.
  • the concentrate of the detergent composition can be used after being diluted with water so that the components A to C and optional components have the above-mentioned contents (ie, the contents at the time of washing) at the time of use. Further, the concentrate of the detergent composition can be used by adding each component separately at the time of use.
  • “at the time of use” or “at the time of washing” of the cleaning composition of the concentrated liquid refers to a state in which the concentrate of the cleaning composition is diluted.
  • the cleaning composition of the present disclosure can be used for cleaning an object to be cleaned having a resin mask attached thereto in one or a plurality of embodiments.
  • the object to be cleaned include electronic components and intermediates for producing the same.
  • the electronic component include at least one component selected from a printed board, a wafer, a metal plate such as a copper plate and an aluminum plate.
  • the production intermediate is an intermediate product in a production process of an electronic component, and includes an intermediate product after a resin mask treatment.
  • Specific examples of the object to be cleaned to which the resin mask is attached include, for example, a process of performing soldering using a resin mask or a plating process (copper plating, aluminum plating, nickel plating, or the like) to perform wiring or wiring.
  • An electronic component in which connection terminals and the like are formed on the surface of the substrate may be used. Accordingly, the present disclosure, in one aspect, relates to the use of the cleaning compositions of the present disclosure as cleaning agents in the manufacture of electronic components.
  • the cleaning composition of the present disclosure is suitable for cleaning an object to be cleaned to which a resin mask or a resin mask further subjected to plating treatment and / or heat treatment is adhered from the viewpoint of a cleaning effect.
  • a resin mask for example, a negative resin mask or a positive resin mask may be used, and a negative resin mask is preferable because the effects of the present disclosure are easily exerted.
  • the negative resin mask include a negative dry film resist that has been exposed and / or developed.
  • the negative resin mask is formed using a negative resist, and includes, for example, a negative resist layer that has been exposed and / or developed.
  • the positive resin mask is formed using a positive resist, and includes, for example, a positive resist layer that has been exposed and / or developed.
  • the cleaning method of the present disclosure includes a step of using the cleaning composition of the present disclosure to peel off the resin mask from the object to be cleaned to which the resin mask is attached.
  • the step of removing the resin mask from the object to be cleaned includes, in one or more embodiments, contacting the object to be cleaned with the resin mask attached thereto with the cleaning composition of the present disclosure.
  • a cleaning composition As a method of peeling a resin mask from an object to be cleaned using the cleaning composition of the present disclosure, or a method of contacting the cleaning composition of the present disclosure with an object to be cleaned, for example, a cleaning composition was added.
  • a method of contacting by immersing in a cleaning bath, a method of spraying and contacting the cleaning composition in a spray form (shower method), an ultrasonic cleaning method of irradiating ultrasonic waves during immersion, and the like are included.
  • the cleaning composition of the present disclosure can be used for cleaning without dilution. Examples of the object to be cleaned include the objects to be cleaned described above.
  • the immersion time is, for example, 1 minute or more and 10 minutes or less, and further 3 minutes or more and 6 minutes or less.
  • the spray time is, for example, 1 minute or more and 10 minutes or less, and further 3 minutes or more and 6 minutes or less.
  • the cleaning method of the present disclosure can include a step of rinsing with water and drying after contacting an object to be cleaned with the cleaning composition.
  • the rinsing method includes, for example, running water rinsing.
  • Examples of the drying method include air blow drying.
  • the cleaning method of the present disclosure can include, in one or more embodiments, a step of rinsing with water after contacting the object to be cleaned with the cleaning composition.
  • the cleaning method of the present disclosure is preferably performed by irradiating ultrasonic waves when the cleaning composition of the present disclosure is in contact with the object to be cleaned, since the cleaning power of the cleaning composition of the present disclosure is easily exhibited. More preferably, the sound waves have a relatively high frequency.
  • the ultrasonic irradiation conditions are preferably, for example, 26 to 72 kHz and 80 to 1500 W, more preferably 36 to 72 kHz and 80 to 1500 W.
  • the temperature of the cleaning composition is preferably 40 ° C. or higher, more preferably 50 ° C. or higher, and the organic resin-containing substrate, from the viewpoint that the cleaning power of the cleaning composition of the present disclosure is easily exerted. 70 ° C. or lower is preferable, and 60 ° C. or lower is more preferable, from the viewpoint of reducing the influence on the temperature.
  • the present disclosure includes a method of manufacturing an electronic component (hereinafter, referred to as “the electronic component of the present disclosure”) including a step of removing a resin mask from an object to be cleaned having a resin mask attached thereto using the cleaning method of the present disclosure.
  • Manufacturing method examples of the object to be cleaned include the objects to be cleaned described above.
  • the method for manufacturing an electronic component of the present disclosure by performing cleaning using the cleaning method of the present disclosure, a resin mask attached to the electronic component can be effectively removed, and thus, a highly reliable electronic component can be manufactured. Become. Furthermore, by performing the cleaning method of the present disclosure, the resin mask attached to the electronic component can be easily removed, so that the cleaning time can be reduced and the manufacturing efficiency of the electronic component can be improved.
  • kits relate to a kit for use in any of the cleaning method of the present disclosure and the method of manufacturing an electronic component of the present disclosure (hereinafter, also referred to as “kit of the present disclosure”).
  • kit of the present disclosure is, in one or more embodiments, a kit for producing the cleaning composition of the present disclosure.
  • a solution containing the component A (first solution), a solution containing the component B (second solution), and a solution containing the component D (third solution) are used. And at least one selected from the first liquid, the second liquid, and the third liquid further contains part or all of the component C, and contains the first liquid, the second liquid, and the third liquid.
  • the liquid includes a kit (three-part cleaning composition) that is mixed at the time of use. After the first liquid, the second liquid, and the third liquid are mixed, they may be diluted with the component C (water) as necessary.
  • Each of the first liquid, the second liquid, and the third liquid may contain the above-described optional components as needed.
  • a solution containing the component A and the component D (first solution) and a solution containing the component B (second solution) are contained in a state where they are not mixed with each other, At least one of the first liquid and the second liquid further contains a part or all of the component C (water), and the first liquid and the second liquid are mixed at the time of use. Object). After the first liquid and the second liquid are mixed, they may be diluted with the component C (water) as necessary. Each of the first liquid and the second liquid may contain the above-described optional components as needed. According to the kit of the present disclosure, a detergent composition having excellent resin mask removal properties can be obtained.
  • the first liquid containing 30 to 50% by mass of the component A and the remainder of the component C
  • a kit comprising: a second liquid consisting of: and a third liquid containing component D and component C as the balance; A first liquid containing 30 to 50% by mass of component A and the remainder of component C, a second liquid containing 1 to 99% by mass of component B and the rest of component C, and components D and C And a third liquid containing the balance.
  • kits can further contain a fourth liquid comprising the component C, and dilute the mixture of the first liquid, the second liquid, and the third liquid to an arbitrary concentration using the fourth liquid. Is more preferable.
  • the kit of the present disclosure in one or more other embodiments, contains 1 to 40% by mass of component A, 5 to 90% by mass of component B, and has component C as the balance.
  • a kit having a first liquid containing the first component and a second liquid containing the component D, the optional component and the component C as the balance is preferably exemplified.
  • the kit may further include a third liquid comprising Component C, and more preferably, the third liquid is used to dilute the mixture of the first liquid and the second liquid to an arbitrary concentration.
  • the present disclosure further relates to one or more embodiments described below.
  • ⁇ 2> The cleaning method according to ⁇ 1>, wherein the electric conductivity is preferably 20 S / m or less, more preferably 15 S / m or less.
  • the content of Component A when the cleaning composition is used is preferably 0.1% by mass or more, more preferably 0.5% by mass or more, still more preferably 1% by mass or more, and more preferably 2% by mass or more. More preferably, it is preferably 5% by mass or less, more preferably 4% by mass or less, still more preferably 3.5% by mass or less, even more preferably 3% by mass or less.
  • the content of component A is preferably from 0.1% by mass to 5% by mass, more preferably from 0.5% by mass to 4% by mass, still more preferably from 1% by mass to 3.5% by mass, and more preferably from 2% by mass to 3% by mass.
  • Component B is acetophenone, propiophenone, p-anisaldehyde, o-anisaldehyde, p-methylacetophenone, tetrahydrofuran, dimethoxytetrahydrofuran, methoxycyclopentane, diphenyl ether, anisole, phenetole, diethylene glycol diethyl ether, dipropylene glycol
  • At least one or a combination of two or more selected from acetophenone, propiophenone, p-anisaldehyde, p-methylacetophenone, tetrahydrofuran, dimethoxytetrahydrofuran, methoxycyclopentane, anisole, phenetole, cyclohexanone and benzaldehyde is more preferable.
  • ⁇ 7> The washing method according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 6>, wherein the boiling point of the component B is preferably 160 ° C or higher, more preferably 200 ° C or higher.
  • the washing method according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 7>, wherein the solubility of the component B in 100 mL of water is preferably 0.3 g or more.
  • the content of the component B when used is preferably 0.1% by mass or more, more preferably 0.3% by mass or more, still more preferably 0.5% by mass or more, and still more preferably 1% by mass or more. And 10% by mass or less, more preferably 7% by mass or less, still more preferably 5% by mass or less, and still more preferably 4% by mass or less. Specifically, the content of component B is 0.1% or less.
  • the washing method according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 8>, wherein the amount is preferably from 0.1% by mass to 5% by mass.
  • the mass ratio (A / B) of component A to component B is preferably 0.05 or more, more preferably 0.1 or more, still more preferably 0.5 or more, and even more preferably 0.8 or more. And preferably 20 or less, more preferably 10 or less, still more preferably 5 or less, and still more preferably 3 or less.
  • the mass ratio (A / B) is preferably 0.05 or more and 20 or less
  • the content of the component C in the cleaning composition is preferably 60% by mass or more, more preferably 70% by mass or more, still more preferably 75% by mass or more, and preferably 95% by mass or less.
  • the content of the component C is preferably from 60% by mass to 95% by mass, more preferably from 70% by mass to 95% by mass, and still more preferably from 75% by mass to 95% by mass.
  • the washing method according to any one of ⁇ 10>. ⁇ 12> The mass ratio B / C between the component B and the component C is preferably 0.01 or more, more preferably 0.02 or more, and preferably 0.06 or less, and more preferably 0.04 or less.
  • Component D is preferably an alkali metal salt or an ammonium salt, and more preferably at least one selected from sodium sulfate, cesium sulfate, potassium sulfate, ammonium sulfate, sodium chloride, potassium chloride, and ammonium chloride, and sodium sulfate is more preferred.
  • the content of Component D during use is preferably 0.1% by mass or more, more preferably 1% by mass or more, still more preferably 3% by mass or more, still more preferably 5% by mass or more, and 10% by mass.
  • the above is still more preferred, and the content is preferably 30% by mass or less, more preferably 25% by mass or less, still more preferably 20% by mass or less, and even more preferably 15% by mass or less.
  • the washing method of ⁇ 13> or ⁇ 14> wherein the washing method is preferably 0.1% by mass or more and 30% by mass or less, more preferably 0.1% by mass or more and 20% by mass or less.
  • the mass ratio D / C between the component D and the component C is preferably 0.02 or more, more preferably 0.1 or more, still more preferably 0.15 or more, and preferably 0.6 or less.
  • the mass ratio D / C is preferably from 0.02 to 0.6, more preferably from 0.1 to 0.3,
  • the content of the component A in the cleaning composition is 0.1% by mass or more and 5% by mass or less, and the content of the component B in the cleaning composition is 0.1% by mass or more and 10% by mass or less.
  • ⁇ 18> The cleaning method according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 17>, wherein the cleaning composition does not substantially contain a nitrogen-containing compound and a phosphorus-containing compound.
  • the temperature of the detergent composition is preferably 40 ° C or higher, more preferably 50 ° C or higher, and is preferably 70 ° C or lower, more preferably 60 ° C or lower, any of the above ⁇ 1> to ⁇ 18>.
  • Cleaning method. ⁇ 20> The cleaning method according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 19>, wherein the resin mask is a negative dry film resist that has been subjected to at least one of exposure and development.
  • ⁇ 21> The cleaning method according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 20>, wherein the object to be cleaned is an intermediate for manufacturing an electronic component.
  • a method for manufacturing an electronic component comprising: removing the resin mask from an object to be cleaned to which the resin mask has been attached, using the cleaning method according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 21>.
  • the content of the component A is 0.1% by mass or more and 5% by mass or less
  • the content of the component B is 0.1% by mass or more and 5% by mass or less
  • the content of the component D is 0.1% by mass or less.
  • the cleaning composition according to ⁇ 23> or ⁇ 24> which is at least 30% by mass and not more than 30% by mass.
  • Component B is acetophenone, propiophenone, p-anisaldehyde, o-anisaldehyde, p-methylacetophenone, tetrahydrofuran, dimethoxytetrahydrofuran, methoxycyclopentane, diphenyl ether, anisole, phenetole, diethylene glycol diethyl ether, dipropylene glycol
  • the cleaning composition according to any one of ⁇ 23> to ⁇ 25>, which is at least one selected from dimethyl ether, cyclohexanone, 2-octanone, and benzaldehyde.
  • Component B is at least one selected from acetophenone, propiophenone, p-anisaldehyde, p-methylacetophenone, tetrahydrofuran, dimethoxytetrahydrofuran, methoxycyclopentane, anisole, phenetole, cyclohexanone, and benzaldehyde.
  • ⁇ 28> The composition according to any one of ⁇ 23> to ⁇ 27>, wherein the total content of the components A, B, and organic substances derived from optional components when the cleaning composition is used is 0.5% by mass or more and 15% by mass or less.
  • ⁇ 29> A kit for producing the cleaning composition according to any one of ⁇ 23> to ⁇ 28>, wherein a solution containing component A (first solution) and a solution containing component B (first solution) 2 solution) and a solution containing the component D (third solution) in a state where they are not mixed with each other, and at least one selected from the first solution, the second solution, and the third solution is one of the components C
  • Use of the cleaning composition according to any one of ⁇ 23> to ⁇ 28> as a cleaning composition for removing a resin mask.
  • ⁇ 31> Use of the cleaning composition according to any one of ⁇ 23> to ⁇ 28> for cleaning an intermediate in the production of an electronic component.
  • test piece of resin mask 1 A photosensitive film for direct imaging (direct drawing) (Fotech RD-1225, thickness 25 ⁇ m, negative type dry film resist, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was applied to a glass epoxy multilayer substrate (MCL-E-679FG, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.). After laminating on the surface under the following conditions, selectively exposing and hardening the exposed portion (exposure step), development processing removes the unexposed portion (development step), and the resist pattern (negative pattern pattern) (Resin mask). Then, a test piece (4 cm ⁇ 4.5 cm) was obtained by performing a copper plating process on the region from which the unexposed portion was removed in the developing process.
  • LT-980366 manufactured by Yangha Kagaku Co., Ltd.
  • test piece of resin mask 2 After laminating a photosensitive film (HP-1060, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., thickness 60 ⁇ m, negative dry film resist) on the surface of the glass epoxy multilayer substrate under the following conditions, selectively exposing and curing the exposed portion An unexposed portion was removed by performing an (exposure process) and a development process (a development process), and a substrate having a resist pattern (a negative resin mask having a pattern shape) was obtained. Then, a test piece (4 cm ⁇ 4 cm) was obtained by performing a copper plating process on the region from which the unexposed portion was removed in the developing process.
  • a photosensitive film HP-1060, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., thickness 60 ⁇ m, negative dry film resist
  • Lamination Performed using a clean roller (RY-505Z, manufactured by Rayon Co., Ltd.) and a vacuum applicator (VA7024 / HP5, manufactured by Rohm & Haas).
  • Exposure Exposure is performed using a direct drawing apparatus for printed circuit boards (manufactured by SCREEN Graphic and Precision Solutions Co., Ltd., Mercurex LI-9500).
  • Development Developing device for substrate (LT-980366, manufactured by Yangha Kagaku Co., Ltd.), not exposed using 1% aqueous sodium carbonate solution The resin mask of the part is removed.
  • the cleaning compositions of Examples 1 to 9 are Comparative Examples 1 to 2 and 7 to 9 and 11, which do not contain Component B, Comparative Examples 3, which do not contain Component A, and do not contain Component B. And Comparative Examples 4 to 6 in which the electric conductivity is not within the predetermined range, and containing components A and B, but excellent in resin mask removability as compared with Reference Example 1 and Comparative Example 10 in which the electric conductivity is not within the predetermined range. I understood that. Further, the effects of the cleaning compositions of Examples 1 to 9 on the organic resin-containing substrate were reduced as compared with Comparative Example 10 in which the organic matter content was more than 15% by mass. Furthermore, the detergent compositions of Examples 1 to 9 had an organic matter content of 15% by mass or less, and were considered to have a small wastewater treatment load.
  • the cleaning method of the present disclosure is useful as a cleaning method used in a manufacturing process of an electronic component, shortening a cleaning process of an electronic component to which a resin mask is attached, and improving performance and reliability of the manufactured electronic component. And the productivity of the semiconductor device can be improved.

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Abstract

一態様において、樹脂マスク除去性に優れる洗浄方法を提供する。　本開示は、一態様において、アルカリ剤（成分Ａ）、有機溶剤（成分Ｂ）及び水（成分Ｃ）を含有し、成分Ｂのハンセン溶解度パラメータの座標が、δｄ＝１８．３、δｐ＝６．８、δｈ＝３．７を中心とする半径５．４５ＭＰａ0.5の球の範囲内であり、電気伝導度が１１Ｓ／ｍ以上である洗浄剤組成物を用いて、樹脂マスクが付着した被洗浄物から樹脂マスクを剥離する工程を含む、洗浄方法に関する。

Description

洗浄方法
　本開示は、樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物、これを用いる洗浄方法及び電子部品の製造方法に関する。
　近年、パーソナルコンピュータや各種電子デバイスにおいては、低消費電力化、処理速度の高速化、小型化が進み、これらに搭載されるパッケージ基板などの配線は年々微細化が進んでいる。このような微細配線並びにピラーやバンプといった接続端子形成にはこれまでメタルマスク法が主に用いられてきたが、汎用性が低いことや配線等の微細化への対応が困難になってきたことから、他の新たな方法へと変わりつつある。
　新たな方法の一つとして、ドライフィルムレジストをメタルマスクに代えて厚膜樹脂マスクとして使用する方法が知られている。この樹脂マスクは最終的に剥離・除去されるが、その際にアルカリ性の剥離用洗浄剤が使用される。
　このような剥離用洗浄剤として、例えば、国際公開第２００８／０７１０７８号（特許文献１）には、第４級アンモニウム水酸化物、特定のアルキルジオールアリールエーテル又はその誘導体、並びに（Ｃ）アセトフェノン又はその誘導体を含有することを特徴とする、低エッチング性フォトレジスト洗浄剤が記載されている。
　米国特許第５１８５２３５号明細書（特許文献２）には、（Ａ）脂肪族アルコール系溶剤３５～８０質量％、（Ｂ）ハロゲン系炭化水素溶剤、非ヒドロキシ化エーテル溶剤から選ばれる有機溶剤１０～４０質量％、（Ｃ）第４級アンモニウム塩０．１～２５質量％から本質的になるフォトレジスト用剥離液が記載されている。
　米国特許出願公開第２０１４／０１５５３１０号明細書（特許文献３）には、ジメチルスルホキシド、第４級アンモニウムヒドロキシド、特定のアルカノールアミン、及びアルコール、ポリヒドロキシ化合物又はその組み合わせを含む第２溶剤を含有し、水の含有量が３質量％以下である溶液が記載されている。
　国際公開第２００８／０３９７３０号（特許文献４）には、マイクロ電子デバイスの再加工に用いる、少なくとも１種のアルカリ及び／又はアルカリ土類金属塩基、少なくとも１種の有機溶剤及び水を含有する準水系組成物が記載されている。
　本開示は、一態様において、アルカリ剤（成分Ａ）、有機溶剤（成分Ｂ）及び水（成分Ｃ）を含有し、成分Ｂのハンセン溶解度パラメータの座標が、δｄ＝１８．３、δｐ＝６．８、δｈ＝３．７を中心とする半径５．４５ＭＰａ0.5の球の範囲内であり、電気伝導度が１１Ｓ／ｍ以上である洗浄剤組成物を用いて、樹脂マスクが付着した被洗浄物から樹脂マスクを剥離する工程を含む、洗浄方法に関する。
　プリント基板等に微細配線を形成する上で、樹脂マスクの残存はもちろんのこと、微細配線やバンプ形成に用いられるはんだやメッキ液等に含まれる助剤等の残存を低減するため、洗浄剤組成物には高い洗浄性が要求される。樹脂マスクは、光や電子線等によって現像液に対する溶解性等の物性が変化するレジストを用いて形成されるものである。
　レジストは、光や電子線との反応方法から、ネガ型とポジ型に大きく分けられている。ネガ型レジストは、露光されると現像液に対する溶解性が低下する特性を有し、ネガ型レジストを含む層（以下、「ネガ型レジスト層」ともいう）は、露光及び現像処理後に露光部が樹脂マスクとして使用される。ポジ型レジストは、露光されると現像液に対する溶解性が増大する特性を有し、ポジ型レジストを含む層（以下、「ポジ型レジスト層」ともいう）は、露光及び現像処理後に露光部が除去され、未露光部が樹脂マスクとして使用される。このような特性を有する樹脂マスクを使用することで、金属配線、金属ピラーやハンダバンプといった回路基板の微細な接続部を形成することができる。
　しかし、これら接続部形成時に使用されるメッキ処理や加熱処理等によって樹脂マスクの特性が変化し、次工程の洗浄工程において樹脂マスクが除去されにくい傾向にある。特に、ネガ型レジストは、光や電子線との反応により硬化する特性を有することから、ネガ型レジストを用いて形成された樹脂マスクは、接続部形成時に使用されるメッキ処理や加熱処理等によって必要以上に硬化が進み、洗浄工程で完全に除去できないか、あるいは、除去にかかる時間が非常に長くなることで基板や金属表面にダメージを与えてしまう。このようにメッキ処理及び／又は加熱処理された樹脂マスクは除去しにくいため、洗浄剤組成物には高い樹脂マスク除去性が要求される。
　一方、電子デバイスの小型化、処理速度の高速化、消費電力を低減するため、配線の微細化が進んでいる。配線幅が狭くなると電気抵抗が大きくなり、発熱し、電子デバイスの機能低下を招くおそれがある。配線基板の面積を大きくすることなく電気抵抗を小さくするため、配線の高さを高くする対策が取られる。そのため、配線形成に用いる樹脂マスクは厚くなり配線との接触面積が増え、更に微細化に伴う配線間隔も狭くなることで樹脂マスクは除去しにくくなる。特に、微細配線を描画するためには高エネルギーの低波長光が用いられるが、樹脂マスクが厚いことで、樹脂マスク表面から基板までの距離が長くなり、露光による光重合の反応率が表面と基板接触面とで差異が生じ、表面の反応が過度に進行し、浸透性を強化しないと洗浄剤組成物が樹脂マスク表面から浸透せず、樹脂マスクは除去しにくくなる。
　そこで、本開示は、樹脂マスク除去性に優れる洗浄方法及び樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物を提供する。
　本開示は、一態様において、アルカリ剤（成分Ａ）、有機溶剤（成分Ｂ）及び水（成分Ｃ）を含有し、成分Ｂのハンセン溶解度パラメータの座標が、δｄ＝１８．３、δｐ＝６．８、δｈ＝３．７を中心とする半径５．４５ＭＰａ0.5の球の範囲内であり、電気伝導度が１１Ｓ／ｍ以上である洗浄剤組成物（以下、「本開示の洗浄剤組成物」ともいう）を用いて、樹脂マスクが付着した被洗浄物から樹脂マスクを剥離する工程を含む、洗浄方法（以下、「本開示の洗浄方法」ともいう）に関する。
　本開示は、一態様において、本開示の洗浄方法を用いて、樹脂マスクが付着した被洗浄物から樹脂マスクを剥離する工程を含む、電子部品の製造方法に関する。
　本開示は、一態様において、アルカリ剤（成分Ａ）、有機溶剤（成分Ｂ）、水（成分Ｃ）、及び成分Ａ以外の無機酸の塩（成分Ｄ）を含有し、成分Ｂのハンセン溶解度パラメータの座標が、δｄ＝１８．３、δｐ＝６．８、δｈ＝３．７を中心とする半径５．４５ＭＰａ0.5の球の範囲内である、樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物に関する。
　本開示は、一態様において、本開示の洗浄剤組成物を製造するためのキットであって、成分Ａを含有する溶液（第１液）と、成分Ｂを含有する溶液（第２液）と、成分Ｄを含有する溶液（第３液）とを、相互に混合されない状態で含み、第１液、第２液及び第３液から選ばれる少なくとも１つは、成分Ｃの一部又は全部を更に含有し、第１液と第２液と第３液は使用時に混合されるキットに関する。
　本開示によれば、一態様において、樹脂マスク除去性に優れる洗浄方法を提供できる。よって、本開示の洗浄方法は、樹脂マスク、特にメッキ処理及び／又は加熱処理された樹脂マスクを効率よく除去できる。そして、本開示の洗浄方法を用いることによって、高い収率で高品質の電子部品が得られうる。更に、本開示の洗浄方法を用いることによって、微細な配線パターンを有する電子部品を効率よく製造できる。
　本開示の洗浄方法における効果の作用メカニズムの詳細は不明な部分があるが、以下のように推定される。
　一般に、樹脂マスクの剥離は、洗浄剤組成物の成分が樹脂マスクに浸透し、樹脂マスクが膨潤することによる界面ストレスに起因すると考えられている。本開示の洗浄方法では、本開示の洗浄剤組成物中のアルカリ剤（成分Ａ）、特定の有機溶剤（成分Ｂ）と水（成分Ｃ）が樹脂マスクに浸透することにより、樹脂マスクに配合されているアルカリ可溶性樹脂の解離を促進し、更に電荷反発を起こすことによって樹脂マスクの剥離を促進すると考えられる。このとき、特定の有機溶剤（成分Ｂ）が基板表面と樹脂マスクとの界面、配線と樹脂マスクの界面に作用することで、基板－樹脂間の密着力が低下して更に樹脂マスクの剥離を促進し、樹脂マスク除去性が格段に向上するものと推定される。また、特定の有機溶剤（成分Ｂ）が樹脂マスク中の未反応モノマーに作用し、そこを起点に樹脂マスク中にアルカリ剤（成分Ａ）と水（成分Ｃ）を浸透させ、樹脂マスクの剥離を促進し、樹脂マスク除去性が格段に向上するものとも推定される。さらに、本開示の洗浄剤組成物の塩濃度の指標である電気伝導度が１１Ｓ／ｍ以上であることで、塩析の作用によって成分Ｂの水への溶解度が低下するため、成分Ｂが効率よく樹脂マスクへ作用し、アルカリ剤（成分Ａ）及び水（成分Ｃ）の樹脂マスクへの浸透を促進させ、より効率よく樹脂マスクを除去できると考えられる。これにより、効率よくかつ高い清浄度で基板上に微細な回路（配線パターン）の形成が可能になると考えられる。
　但し、本開示はこのメカニズムに限定して解釈されなくてもよい。
　近年では、洗浄剤組成物には、高い樹脂マスク除去性が要求される一方で、エポキシ樹脂やフェノール樹脂といった有機樹脂を含有する基板（以下、「有機樹脂含有基板」ともいう）に対する影響が少ないことが望まれている。これは、洗浄剤組成物が基板表面を溶解したり、変質させてしまうと、電子部品として求められる基板の性能を低下させてしまい、高品質な基板を得られなくなるからである。
　これに対し、本開示の洗浄剤組成物は、上述したとおり、電気伝導度が１１Ｓ／ｍ以上であることで、成分Ｂの水への溶解度が低下し、成分Ｂが低濃度であっても高効率で樹脂マスクへ作用する。そのため、本開示の洗浄剤組成物中の有機物含有量を低減でき、有機樹脂含有基板への影響を低減しうる。
　また、様々な分野において電子化が進みプリント基板等の生産量が増加し、洗浄剤組成物の使用量も増加する傾向にある。そして、洗浄剤組成物の使用量の増加に伴い、洗浄剤組成物やリンス水等の廃液の排水処理負荷や廃液流入による湖沼の富栄養化も増大している。そのため、排水処理負荷が小さく、湖沼の富栄養化の原因となる窒素及びリンを含有せず、樹脂マスクを効率よく除去できる洗浄剤組成物が強く要望されている。
　さらに、洗浄液を効率よく繰り返し用いるためには、除去した樹脂マスクを洗浄液中から網等で排除しやすい、剥離による水系の洗浄剤組成物が有利であり、有機物含有量の少ない洗浄剤組成物が強く要望されている。しかし、前記特許文献に記載の方法では、高い樹脂マスク除去性と低い排水処理負荷の両立が難しい。
　これに対し、本開示の洗浄剤組成物は、上述したとおり、電気伝導度が１１Ｓ／ｍ以上であることで、成分Ｂの水への溶解度が低下し、成分Ｂが低濃度であっても高効率で樹脂マスクへ作用する。そのため、本開示の洗浄剤組成物中の有機物含有量を低減でき、排水処理負荷の増大を抑制しうる。
　本開示において樹脂マスクとは、エッチング、メッキ、加熱等の処理から物質表面を保護するためのマスク、すなわち、保護膜として機能するマスクである。樹脂マスクとしては、一又は複数の実施形態において、露光及び現像工程後のレジスト層、露光及び現像の少なくとも一方の処理が施された（以下、「露光及び／又は現像処理された」ともいう）レジスト層、あるいは、硬化したレジスト層が挙げられる。樹脂マスクを形成する樹脂材料としては、一又は複数の実施形態において、フィルム状の感光性樹脂、又は、レジストフィルムが挙げられる。レジストフィルムは汎用のものを使用できる。
（洗浄剤組成物）
［電気伝導度］
　本開示の洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、樹脂マスク剥離性向上の観点から、電気伝導度が１１Ｓ／ｍ以上であることが好ましく、そして、２０Ｓ／ｍ以下が好ましく、１５Ｓ／ｍ以下がより好ましい。本開示において、電気伝導度は、２５℃における電気伝導度であり、実施例に示す測定方法によって測定できる。電気伝導度は、成分Ａ、成分Ｂ及び成分Ｃの含有量で、電気伝導度が１１Ｓ／ｍ以上になるように調整してもよいし、水に溶解しイオン解離する化合物を更に添加することで調整してもよい。水に溶解しイオン解離する化合物としては、各種酸、塩基、無機酸の塩、有機酸の塩及びイオン液体等が挙げられ、排水処理負荷を低減する観点から、無機酸の塩（以下、「成分Ｄ」ともいう）が好ましい。
　したがって、本開示の洗浄剤組成物の一実施形態としては、成分Ａ、成分Ｂ及び成分Ｃを含有し、成分Ｂのハンセン溶解度パラメータの座標が、δｄ＝１８．３、δｐ＝６．８、δｈ＝３．７を中心とする半径５．４５ＭＰａ0.5の球の範囲内であり、電気伝導度が１１Ｓ／ｍ以上である洗浄剤組成物が挙げられる。また、本開示の洗浄剤組成物のその他の実施形態としては、成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ及び成分Ｄを含有し、成分Ｂのハンセン溶解度パラメータの座標が、δｄ＝１８．３、δｐ＝６．８、δｈ＝３．７を中心とする半径５．４５ＭＰａ0.5の球の範囲内である洗浄剤組成物が挙げられる。
［成分Ａ：アルカリ剤］
　本開示の洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、アルカリ剤（成分Ａ）を含む。成分Ａは、１種又は２種以上を併用して用いることができる。
　成分Ａとしては、例えば、無機アルカリ及び有機アルカリから選ばれる少なくとも１種が挙げられる。排水処理負荷低減の観点から、無機アルカリが好ましい。
　無機アルカリとしては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、水酸化カルシウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、珪酸ナトリウム及び珪酸カリウム等が挙げられる。これらの中でも、樹脂マスク除去性向上の観点から、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム及び炭酸カリウムから選ばれる１種又は２種以上の組合せが好ましく、水酸化ナトリウム及び水酸化カリウムの少なくとも一方がより好ましく、水酸化カリウムが更に好ましい。
　有機アルカリとしては、下記式（Ｉ）で表される第４級アンモニウム水酸化物、下記式（ＩＩ）で表されるアミン等が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
　上記式（Ｉ）において、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ独立に、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基及びヒドロキシプロピル基から選ばれる少なくとも１種である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
　上記式（ＩＩ）において、Ｒ5は、水素原子、メチル基、エチル基又はアミノエチル基を示し、Ｒ6は、水素原子、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基、メチル基又はエチル基から選ばれる少なくとも１種であって、Ｒ7は、アミノエチル基、ヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基から選ばれる少なくとも１種か、あるいは、式（ＩＩ）において、Ｒ5は、メチル基、エチル基、アミノエチル基、ヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基から選ばれる少なくとも１種であって、Ｒ6とＲ7は互いに結合して式（ＩＩ）中のＮ原子と共にピロリジン環又はピペラジン環を形成する。
　式（Ｉ）で表される第４級アンモニウム水酸化物としては、例えば、第４級アンモニウムカチオンとヒドロキシドとからなる塩等が挙げられる。第４級アンモニウム水酸化物の具体例としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、２－ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド（コリン）、２－ヒドロキシエチルトリエチルアンモニウムヒドロキシド、２－ヒドロキシエチルトリプロピルアンモニウムヒドロキシド、２－ヒドロキシプロピルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、２－ヒドロキシプロピルトリエチルアンモニウムヒドロキシド、２－ヒドロキシプロピルトリプロピルアンモニウムヒドロキシド、ジメチルビス（２－ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド、ジエチルビス（２－ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド、ジプロピルビス（２－ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド、トリス（２－ヒドロキシエチル）メチルアンモニウムヒドロキシド、トリス（２－ヒドロキシエチル）エチルアンモニウムヒドロキシド、トリス（２－ヒドロキシエチル）プロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラキス（２－ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド、及びテトラキス（２－ヒドロキシプロピル）アンモニウムヒドロキシドから選ばれる少なくとも１種が挙げられる。
　式（ＩＩ）で表されるアミンとしては、例えば、アルカノールアミン、１～３級アミン及び複素環化合物等が挙げられる。アミンの具体例としては、モノエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、Ｎ－メチルモノエタノールアミン、Ｎ－メチルイソプロパノールアミン、Ｎ－エチルモノエタノールアミン、Ｎ－エチルイソプロパノールアミン、ジエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、Ｎ－ジメチルモノエタノールアミン、Ｎ－ジメチルモノイソプロパノールアミン、Ｎ－メチルジエタノールアミン、Ｎ－メチルジイソプロパノールアミン、Ｎ－ジエチルモノエタノールアミン、Ｎ－ジエチルモノイソプロパノールアミン、Ｎ－エチルジエタノールアミン、Ｎ－エチルジイソプロパノールアミン、Ｎ－（β－アミノエチル）エタノールアミン、Ｎ－（β－アミノエチル）イソプロパノールアミン、Ｎ－（β－アミノエチル）ジエタノールアミン、Ｎ－（β－アミノエチル）ジイソプロパノールアミン、１－メチルピペラジン、１－（２－ヒドロキシエチル）ピロリジン、１－（２－ヒドロキシエチル）ピペラジン、エチレンジアミン及びジエチレントリアミンから選ばれる少なくとも１種が挙げられる。
　本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ａの含有量は、樹脂マスク除去性向上の観点から、０．１質量％以上が好ましく、０．５質量％以上がより好ましく、１質量％以上が更に好ましく、２質量％以上がより更に好ましく、そして、樹脂マスク除去性向上の観点から、５質量％以下が好ましく、４質量％以下がより好ましく、３．５質量％以下が更に好ましく、３質量％以下がより更に好ましい。より具体的には、本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ａの含有量は、０．１質量％以上５質量％以下が好ましく、０．５質量％以上４質量％以下がより好ましく、１質量％以上３．５質量％以下が更に好ましく、２質量％以上３質量％以下がより更に好ましい。成分Ａが２種以上のアルカリ剤からなる場合、成分Ａの含有量はそれらの合計含有量をいう。
　本開示において「洗浄剤組成物の使用時における各成分の含有量」とは、洗浄時、すなわち、洗浄剤組成物の洗浄への使用を開始する時点での各成分の含有量をいう。
［成分Ｂ：有機溶剤］
　本開示の洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、有機溶剤（成分Ｂ）を含む。成分Ｂは、１種又は２種以上を併用して用いることができる。
　本開示において、成分Ｂのハンセン溶解度パラメータの座標は、δｄ＝１８．３、δｐ＝６．８、δｈ＝３．７を中心とする半径５．４５ＭＰａ0.5の球の範囲内である。成分Ｂのハンセン溶解度パラメータの座標は、樹脂マスク除去性向上の観点から、δｄ＝１８．３、δｐ＝６．８、δｈ＝３．７を中心とし、好ましくは半径５．４２ＭＰａ0.5の球の範囲内、より好ましくは半径５．３８ＭＰａ0.5の球の範囲内、更に好ましくは半径４．００ＭＰａ0.5の球の範囲内である。本開示の洗浄剤組成物は、上記範囲内のハンセン溶解度パラメータの座標を有する有機溶剤（成分Ｂ）以外の有機溶剤を含んでもよい。例えば、本開示の洗浄剤組成物が２種以上の有機溶剤（以下、「混合有機溶剤」ともいう）を含む場合、混合有機溶剤全体のハンセン溶解度パラメータは上記範囲内でなくてもよく、混合有機溶剤中に上記範囲内のハンセン溶解度パラメータを有する有機溶剤（成分Ｂ）が少なくとも１種含まれていれば、本開示の効果は発揮されうる。
　ここで、ハンセン溶解度パラメータ (Hansen solubility parameter)（以下、「ＨＳＰ」ともいう)とは、Charles M. Hansenが１９６７年に発表した、物質の溶解性の予測に用いられる値であって、「分子間の相互作用が似ている２つの物質は、互いに溶解しやすい」との考えに基づくパラメータである。ＨＳＰは以下の３つのパラメータ（単位：ＭＰａ0.5）で構成されている。
　δｄ：分子間の分散力によるエネルギー
　δｐ：分子間の双極子相互作用によるエネルギー
　δｈ：分子間の水素結合によるエネルギー
　これら３つのパラメータは３次元空間（ハンセン空間）における座標とみなすことができ、２つの物質のＨＳＰをハンセン空間内に置いたとき、２点間の距離が近ければ近いほど互いに溶解しやすいことを示している。化学工業２０１０年３月号（化学工業社）等に詳細な説明があり、パソコン用ソフト「HSPiP：Hansen Solubility Parameters in Practice」等を用いることで各種物質のハンセン溶解度パラメータを得ることができる。本開示は、このパソコン用ソフト「HSPiP：Hansen Solubility Parameters in Practice」を用いて得られたハンセン溶解度パラメータを用いている。成分Ｂが２種以上の混合有機溶剤である場合、混合有機溶媒としてのＨＳＰの距離については、「HSPiP：Hansen Solubility Parameters in Practice」の混合有機溶剤のＨＳＰ算出機能を用いて算出できる。
　本開示における成分ＢのＨＳＰの座標は、下記のように表現することもできる。すなわち、成分ＢのＨＳＰの座標を（δｄB、δｐB、δｈB）としたとき、該成分ＢのＨＳＰの座標（δｄB、δｐB、δｈB）と成分座標Ｘ（δｄ＝１８．３、δｐ＝６．８、δｈ＝３．７）との距離（単位：ＭＰａ0.5）が下記式を満たすものとすることができる。
　距離＝［（δｄB－１８．３）2＋（δｐB－６．８）2＋（δｈB－３．７）2］0.5
　　　≦５．４５ＭＰａ0.5
　成分Ｂとしては、成分ＢのＨＳＰの座標と成分座標Ｘとの距離が上記式を満たす有機溶剤であれば特に限定されなくてもよく、例えば、アセトフェノン（距離：２．４４ＭＰａ0.5）、プロピオフェノン（距離：０．６５ＭＰａ0.5）、ｐ－アニスアルデヒド（距離：５．１５ＭＰａ0.5）、ｏ－アニスアルデヒド（距離：２．４３ＭＰａ0.5）、ｐ－メチルアセトフェノン（距離：１．２３ＭＰａ0.5）、テトラヒドロフラン（距離：５．３６ＭＰａ0.5）、ジメトキシテトラヒドロフラン（距離：５．４２ＭＰａ0.5）、メトキシシクロペンタン（距離：４．１０ＭＰａ0.5）、ジフェニルエーテル（距離：３．８３ＭＰａ0.5）、アニソール（距離：４．１２ＭＰａ0.5）、フェネトール（距離：２．３３ＭＰａ0.5）、ジエチレングリコールジエチルエーテル（距離：５．４２ＭＰａ0.5）、ジプロピレングリコールジメチルエーテル（距離：５．４４ＭＰａ0.5）、シクロヘキサノン（距離：２．３５ＭＰａ0.5）、２－オクタノン（距離：４．７３ＭＰａ0.5）及びベンズアルデヒド（距離：２．７９ＭＰａ0.5）から選ばれる１種又は２種以上の組合せが挙げられる。これらの中でも、樹脂マスク除去性向上の観点から、成分Ｂは、一又は複数の実施形態において、アセトフェノン、プロピオフェノン、ｐ－アニスアルデヒド、ｏ－アニスアルデヒド、ｐ－メチルアセトフェノン、テトラヒドロフラン、ジメトキシテトラヒドロフラン、メトキシシクロペンタン、ジフェニルエーテル、アニソール、フェネトール、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、シクロヘキサノン、２－オクタノン及びベンズアルデヒドから選ばれる１種又は２種以上の組合せが好ましく、アセトフェノン、プロピオフェノン、ｐ－アニスアルデヒド、ｏ－アニスアルデヒド、ｐ－メチルアセトフェノン、テトラヒドロフラン、ジメトキシテトラヒドロフラン、メトキシシクロペンタン、アニソール、フェネトール、ジエチレングリコールジエチルエーテル、シクロヘキサノン及びベンズアルデヒドから選ばれる１種又は２種以上の組合せがより好ましく、アセトフェノン、テトラヒドロフラン、ジメトキシテトラヒドロフラン、及びジエチレングリコールジエチルエーテルから選ばれる１種又は２種以上の組合せが更に好ましく、アセトフェノンがより更に好ましい。同様の観点から、成分Ｂは、その他の一又は複数の実施形態において、アセトフェノン、プロピオフェノン、ｐ－アニスアルデヒド、ｐ－メチルアセトフェノン、テトラヒドロフラン、ジメトキシテトラヒドロフラン、メトキシシクロペンタン、アニソール、フェネトール、シクロヘキサノン及びベンズアルデヒドから選ばれる少なくとも１種が好ましい。括弧内の数値は、成分ＢのＨＳＰの座標と成分座標Ｘとの距離（単位：ＭＰａ0.5）を示す。
　本開示における成分Ｂは、引火による火災リスク低減及びスタミナ性の観点から、沸点が高いことが好ましい。例えば、成分Ｂの沸点は、１６０℃以上が好ましく、２００℃以上がより好ましい。
　本開示において、成分Ｂは、濃縮性の観点から、水への溶解度が高いことが好ましく、例えば、成分Ｂの水１００ｍＬに対する溶解度は、０．３ｇ以上が好ましい。
　本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ｂの含有量は、樹脂マスク除去性向上の観点から、０．１質量％以上が好ましく、０．３質量％以上がより好ましく、０．５質量％以上が更に好ましく、１質量％以上がより更に好ましく、そして、排水処理負荷低減及び有機樹脂含有基板に対する影響低減の観点から、１０質量％以下が好ましく、７質量％以下がより好ましく、５質量％以下が更に好ましく、４質量％以下がより更に好ましい。より具体的には、使用時における成分Ｂの含有量は、一又は複数の実施形態において、０．１質量％以上１０質量％以下が好ましく、０．３質量％以上７質量％以下がより好ましく、０．５質量％以上５質量％以下が更に好ましく、１質量％以上４質量％以下がより更に好ましい。成分Ｂが２種以上の有機溶剤からなる場合、成分Ｂの含有量はそれらの合計含有量をいう。使用時における成分Ｂの含有量は、その他の一又は複数の実施形態において、０．１質量％以上５質量％以下が好ましい。
　本開示の洗浄剤組成物が混合有機溶剤を含む場合、本開示の洗浄剤組成物の使用時における混合有機溶剤の含有量は、樹脂マスク除去性向上の観点から、１質量％以上が好ましく、２質量％以上がより好ましく、４質量％以上が更に好ましく、そして、排水処理負荷低減及び有機樹脂含有基板に対する影響低減の観点から、２０質量％以下が好ましく、１５質量％以下がより好ましく、１０質量％以下が更に好ましい。より具体的には、混合有機溶剤の含有量は、１質量％以上２０質量％以下が好ましく、２質量％以上１５質量％以下がより好ましく、４質量％以上１０質量％以下が更に好ましい。
　本開示の洗浄剤組成物が混合有機溶剤を含む場合、混合有機溶剤中における成分Ｂの含有量は、樹脂マスク除去性向上の観点から、１０質量％以上が好ましく、２０質量％以上がより好ましく、３０質量％以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、９０質量％以下が好ましく、８５質量％以下がより好ましく、８０質量％以下が更に好ましい。より具体的には、混合有機溶剤中における成分Ｂの含有量は、１０質量％以上９０質量％以下が好ましく、２０質量％以上８５質量％以下がより好ましく、３０質量％以上８０質量％以下が更に好ましい。
　本開示の洗浄剤組成物における成分Ａと成分Ｂとの質量比（Ａ／Ｂ）は、排水処理負荷低減、及び有機樹脂含有基板に対する影響低減の観点から、０．０５以上が好ましく、０．１以上がより好ましく、０．５以上が更に好ましく、０．８以上がより更に好ましく、そして、樹脂マスク除去性向上の観点から、２０以下が好ましく、１０以下がより好ましく、５以下が更に好ましく、３以下がより更に好ましい。より具体的には、質量比（Ａ／Ｂ）は、０．０５以上２０以下が好ましく、０．１以上１０以下がより好ましく、０．５以上５以下が更に好ましく、０．８以上３以下がより更に好ましい。
［成分Ｃ：水］
　本開示の洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、水（成分Ｃ）を含む。成分Ｃの水としては、イオン交換水、ＲＯ水、蒸留水、純水、超純水等が挙げられる。
　本開示の洗浄剤組成物中の成分Ｃの含有量は、成分Ａ、成分Ｂ及び後述する任意成分を除いた残余とすることができる。具体的には、本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ｃの含有量は、樹脂マスク除去性向上、排水処理負荷低減、及び有機樹脂含有基板に対する影響低減の観点から、６０質量％以上が好ましく、７０質量％以上がより好ましく、７５質量％以上が更に好ましく、そして、樹脂マスク除去性向上の観点から、９５質量％以下が好ましい。より具体的には、本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ｃの含有量は、６０質量％以上９５質量％以下が好ましく、７０質量％以上９５質量％以下がより好ましく、７５質量％以上９５質量％以下が更に好ましい。
　本開示の洗浄剤組成物における成分Ｂと成分Ｃとの質量比Ｂ／Ｃは、樹脂マスク除去性向上の観点から、０．０１以上が好ましく、０．０２以上がより好ましく、そして、同様の観点から、０．０６以下が好ましく、０．０４以下がより好ましい。より具体的には、質量比Ｂ／Ｃは、０．０１以上０．０６以下が好ましく、０．０２以上０．０４以下がより好ましい。
［成分Ｄ：無機酸の塩］
　本開示の洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、更に成分Ａ以外の無機酸の塩（成分Ｄ）を含むことができる。
　成分Ｄとしては、硫酸、塩酸、硝酸、リン酸、炭酸、珪酸及び硼酸から選ばれる少なくとも１種の酸のアルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、アンモニウム塩又は第４級アンモニウム塩等が挙げられる。これらの中でも、樹脂マスク除去性向上の観点から、アルカリ金属塩又はアンモニウム塩が好ましく、硫酸ナトリウム、硫酸セシウム、硫酸カリウム、硫酸アンモニウム、塩化ナトリウム、塩化カリウム、及び塩化アンモニウムから選ばれる少なくとも１種がより好ましく、硫酸ナトリウムが更に好ましい。
　本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ｄの含有量は、樹脂マスク除去性向上の観点からは、０．１質量％以上が好ましく、１質量％以上がより好ましく、３質量％以上が更に好ましく、５質量％以上がより更に好ましく、１０質量％以上がより更に好ましく、そして、過剰な無機酸の塩の析出を抑制し洗浄剤組成物を均一に保つ観点から、３０質量％以下が好ましく、２５質量％以下がより好ましく、２０質量％以下が更に好ましく、１５質量％以下がより更に好ましい。より具体的には、使用時における成分Ｄの含有量は、一又は複数の実施形態において、１質量％以上３０質量％以下が好ましく、３質量％以上２５質量％以下がより好ましく、５質量％以上２０質量％以下が更に好ましく、１０質量％以上１５質量％以下がより更に好ましい。使用時における成分Ｄの含有量は、その他の一又は複数の実施形態において、０．１質量％以上３０質量％以下が好ましく、０．１質量％以上２０質量％以下がより好ましい。成分Ｄが２種以上の無機酸の塩からなる場合、成分Ｄの含有量はそれらの合計含有量をいう。
　本開示の洗浄剤組成物における成分Ｄと成分Ｃとの質量比Ｄ／Ｃは、樹脂マスク除去性向上の観点から、０．０２以上が好ましく、０．１以上がより好ましく、０．１５以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、０．６以下が好ましく、０．３以下がより好ましく、０．２以下が更に好ましい。より具体的には、質量比Ｄ／Ｃは、０．０２以上０．６以下が好ましく、０．１以上０．３以下がより好ましく、０．１５以上０．２以下が更に好ましい。
［その他の成分］
　本開示の洗浄剤組成物は、前記成分Ａ～Ｄ以外に、必要に応じてその他の成分を更に含有することができる。その他の成分としては、通常の洗浄剤に用いられうる成分を挙げることができ、例えば、成分Ｂ以外の有機溶剤、界面活性剤、キレート剤、増粘剤、分散剤、防錆剤、高分子化合物、可溶化剤、酸化防止剤、防腐剤、消泡剤、抗菌剤等が挙げられる。本開示の洗浄剤組成物の使用時におけるその他の含有量は、０質量％以上２．０質量％以下が好ましく、０質量％以上１．５質量％以下がより好ましく、０質量％以上１．３質量％以下が更に好ましく、０質量％以上１．０質量％以下がより更に好ましい。
　本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ａ、成分Ｂ及び任意成分由来の有機物の総含有量は、排水処理負荷低減、及び有機樹脂含有基板に対する影響低減の観点から、１５質量％以下が好ましく、１０質量％以下がより好ましく、５質量％以下が更に好ましく、４質量％以下がより更に好ましく、３質量％以下がより更に好ましく、そして、樹脂マスク除去性向上の観点から、０．１質量％以上が好ましく、０．３質量％以上がより好ましく、０．５質量％以上が更に好ましく、１質量％以上がより更に好ましい。より具体的には、本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ａ、成分Ｂ及び任意成分由来の有機物の総含有量は、一又は複数の実施形態において、０．１質量％以上１５質量％以下が好ましく、０．３質量％以上１０質量％以下がより好ましく、０．５質量％以上５質量％以下が更に好ましく、１質量％以上４質量％以下がより更に好ましく、１質量％以上３質量％以下がより更に好ましい。本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ａ、成分Ｂ及び任意成分由来の有機物の総含有量は、その他の一又は複数の実施形態において、０．５質量％以上１５質量％以下が好ましい。
　本開示の洗浄剤組成物は、排水処理負荷を低減し、排水域の富栄養化を抑制する観点から、窒素含有化合物及びリン含有化合物を実質的に含まないことが好ましい。本開示において「窒素含有化合物及びリン含有化合物を実質的に含まない」とは、本開示の洗浄剤組成物中の窒素含有化合物及びリン含有化合物の合計含有量が０．１質量％未満であることをいう。本開示の洗浄剤組成物中の窒素含有化合物及びリン含有化合物の合計含有量は、排水処理負荷を低減し、排水域の富栄養化を抑制する観点から、０．０５質量％以下が好ましく、０．０１質量％以下がより好ましく、０質量％が更に好ましい。
　窒素含有化合物としては、洗浄剤組成物として従来から広く用いられている窒素含有化合物が挙げられ、例えば、アミン及びその塩、アンモニア、並びにアンモニウム塩から選ばれる少なくとも１種又は２種以上の組合せが挙げられる。前記アミンとしては、例えば、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン等のアミノアルコールが挙げられる。前記アンモニウム塩としては、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）等の４級アンモニウム塩を挙げることができる。
　リン含有化合物としては、洗浄剤組成物として従来から広く用いられているリン含有化合物が挙げられ、例えば、リン酸及びその塩、ピロリン酸、ポリリン酸、メタリン酸等の縮合リン酸及びその塩などの無機リン酸、並びに有機リン酸、リン酸エステルから選ばれる少なくとも１種又は２種以上の組合せが挙げられる。
［洗浄剤組成物の製造方法］
　本開示の洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、前記成分Ａ～Ｃ及び必要に応じて上述の任意成分（成分Ｄ及びその他の成分）を公知の方法で配合することにより製造できる。例えば、本開示の洗浄剤組成物は、少なくとも前記成分Ａ～Ｃを配合してなるものとすることができる。したがって、本開示は、少なくとも前記成分Ａ～Ｃを配合する工程を含む、洗浄剤組成物の製造方法に関する。本開示において「配合する」とは、成分Ａ～Ｃ及び必要に応じて上述した任意成分を同時に又は任意の順に混合することを含む。本開示の洗浄剤組成物の製造方法において、各成分の好ましい配合量は、上述した本開示の洗浄剤組成物の各成分の好ましい含有量と同じとすることができる。
　本開示の洗浄剤組成物は、分離や析出等を起こして保管安定性を損なわない範囲で成分Ｃの水の量を減らした濃縮物として調製してもよい。洗浄剤組成物の濃縮物は、輸送及び貯蔵の観点から、希釈倍率３倍以上の濃縮物とすることが好ましく、保管安定性の観点から、希釈倍率３０倍以下の濃縮物とすることが好ましい。洗浄剤組成物の濃縮物は、使用時に成分Ａ～Ｃ及び任意成分が上述した含有量（すなわち、洗浄時の含有量）になるよう水で希釈して使用することができる。更に洗浄剤組成物の濃縮物は、使用時に各成分を別々に添加して使用することもできる。本開示において濃縮液の洗浄剤組成物の「使用時」又は「洗浄時」とは、洗浄剤組成物の濃縮物が希釈された状態をいう。
［被洗浄物］
　本開示の洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、樹脂マスクが付着した被洗浄物の洗浄に使用されうる。
　被洗浄物としては、例えば、電子部品及びその製造中間物が挙げられる。電子部品としては、例えば、プリント基板、ウエハ、銅板及びアルミニウム板等の金属板から選ばれる少なくとも１つの部品が挙げられる。前記製造中間物は、電子部品の製造工程における中間製造物であって、樹脂マスク処理後の中間製造物を含む。樹脂マスクが付着した被洗浄物の具体例としては、例えば、樹脂マスクを使用した半田付けやメッキ処理（銅メッキ、アルミニウムメッキ、ニッケルメッキ等）等の処理を行う工程を経ることにより、配線や接続端子等が基板表面に形成された電子部品等が挙げられる。
　したがって、本開示は、一態様において、本開示の洗浄剤組成物の、電子部品の製造における洗浄剤としての使用に関する。
　本開示の洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、洗浄効果の点から、樹脂マスク、あるいは、更にメッキ処理及び／又は加熱処理された樹脂マスクが付着した被洗浄物の洗浄に好適に用いられうる。樹脂マスクとしては、例えば、ネガ型樹脂マスクでもよいし、ポジ型樹脂マスクでもよく、本開示の効果が発揮されやすい点からは、ネガ型樹脂マスクが好ましい。ネガ型樹脂マスクとしては、例えば、露光及び／又は現像処理されたネガ型ドライフィルムレジストが挙げられる。本開示においてネガ型樹脂マスクとは、ネガ型レジストを用いて形成されるものであり、例えば、露光及び／又は現像処理されたネガ型レジスト層が挙げられる。本開示においてポジ型樹脂マスクとは、ポジ型レジストを用いて形成されるものであり、例えば、露光及び／又は現像処理されたポジ型レジスト層が挙げられる。
　本開示の洗浄方法は、一又は複数の実施形態において、本開示の洗浄剤組成物を用いて、樹脂マスクが付着した被洗浄物から樹脂マスクを剥離する工程を含む。本開示の洗浄方法において、被洗浄物から樹脂マスクを剥離する工程は、一又は複数の実施形態において、樹脂マスクが付着した被洗浄物を本開示の洗浄剤組成物に接触させることを含む。
　本開示の洗浄剤組成物を用いて被洗浄物から樹脂マスクを剥離する方法、又は、被洗浄物に本開示の洗浄剤組成物を接触させる方法としては、例えば、洗浄剤組成物を入れた洗浄浴槽内へ浸漬することで接触させる方法、洗浄剤組成物をスプレー状に射出して接触させる方法（シャワー方式）、浸漬中に超音波照射する超音波洗浄方法等が挙げられる。本開示の洗浄剤組成物は、希釈することなくそのまま洗浄に使用できる。被洗浄物としては、上述した被洗浄物を挙げることができる。浸漬時間としては、例えば、１分以上１０分以下、更には３分以上６分以下が挙げられる。スプレー時間としては、例えば、１分以上１０分以下、更には３分以上６分以下が挙げられる。
　本開示の洗浄方法は、一又は複数の実施形態において、洗浄剤組成物に被洗浄物を接触させた後、水でリンスし、乾燥する工程を含むことができる。リンス方法としては、例えば、流水リンスが挙げられる。乾燥方法としては、例えば、エアブロー乾燥が挙げられる。
　本開示の洗浄方法は、一又は複数の実施形態において、洗浄剤組成物に被洗浄物を接触させた後、水ですすぐ工程を含むことができる。
　本開示の洗浄方法は、本開示の洗浄剤組成物の洗浄力が発揮されやすい点から、本開示の洗浄剤組成物と被洗浄物との接触時に超音波を照射することが好ましく、その超音波は比較的高周波数であることがより好ましい。前記超音波の照射条件は、同様の観点から、例えば、２６～７２ｋＨｚ、８０～１５００Ｗが好ましく、３６～７２ｋＨｚ、８０～１５００Ｗがより好ましい。
　本開示の洗浄方法において、本開示の洗浄剤組成物の洗浄力が発揮されやすい点から、洗浄剤組成物の温度は４０℃以上が好ましく、５０℃以上がより好ましく、そして、有機樹脂含有基板に対する影響低減の観点から、７０℃以下が好ましく、６０℃以下がより好ましい。
［電子部品の製造方法］
　本開示は、一態様において、本開示の洗浄方法を用いて、樹脂マスクが付着した被洗浄物から樹脂マスクを剥離する工程を含む、電子部品の製造方法（以下、「本開示の電子部品の製造方法」ともいう）に関する。被洗浄物としては、上述した被洗浄物を挙げることができる。本開示の電子部品の製造方法は、本開示の洗浄方法を用いて洗浄を行うことにより、電子部品に付着した樹脂マスクを効果的に除去できるため、信頼性の高い電子部品の製造が可能になる。更に、本開示の洗浄方法を行うことにより、電子部品に付着した樹脂マスクの除去が容易になることから、洗浄時間が短縮化でき、電子部品の製造効率を向上できる。
［キット］
　本開示は、一態様において、本開示の洗浄方法及び本開示の電子部品の製造方法のいずれかに使用するためのキット（以下、「本開示のキット」ともいう）に関する。本開示のキットは、一又は複数の実施形態において、本開示の洗浄剤組成物を製造するためのキットである。
　本開示のキットの一実施形態としては、成分Ａを含有する溶液（第１液）と、成分Ｂを含有する溶液（第２液）と、成分Ｄを含有する溶液（第３液）とを、相互に混合されない状態で含み、第１液、第２液及び第３液から選ばれる少なくとも１つは、成分Ｃの一部又は全部を更に含有し、第１液と第２液と第３液は使用時に混合されるキット（３液型洗浄剤組成物）が挙げられる。第１液と第２液と第３液が混合された後、必要に応じて成分Ｃ（水）で希釈されてもよい。第１液、第２液及び第３液の各々には、必要に応じて上述した任意成分が含まれていてもよい。
　本開示のキットのその他の実施形態としては、成分Ａ及び成分Ｄを含有する溶液（第１液）と、成分Ｂを含有する溶液（第２液）とを、相互に混合されない状態で含み、第１液及び第２液の少なくとも一方は、成分Ｃ（水）の一部又は全部を更に含有し、第１液と第２液とは使用時に混合される、キット（２液型洗浄剤組成物）が挙げられる。第１液と第２液とが混合された後、必要に応じて成分Ｃ（水）で希釈されてもよい。第１液及び第２液の各々には、必要に応じて上述した任意成分が含まれていてもよい。
　本開示のキットによれば、樹脂マスク除去性に優れる洗浄剤組成物が得られうる。
　本開示のキットは、その他の一又は複数の実施形態において、入手性及び作業性の観点から、成分Ａを３０～５０質量％含有し、成分Ｃを残部として含む第１液と、成分Ｂのみからなる第２液と、成分Ｄ及び成分Ｃを残部として含む第３液と、を有するキット；
成分Ａを３０～５０質量％含有し、成分Ｃを残部として含む第１液と、成分Ｂを１～９９質量％含有し、成分Ｃを残部として含む第２液と、成分Ｄ及び成分Ｃを残部として含む第３液と、を有するキットが好ましく挙げられる。これらのキットは、成分Ｃからなる第４液を更に含有することができ、第４液を用いて、前記第１液と前記第２液と前記第３液との混合物を任意の濃度に希釈することがより好ましい。
　また、同様の観点から、本開示のキットは、その他の一又は複数の実施形態において、成分Ａを１～４０質量％含有し、成分Ｂを５～９０質量％含有し、成分Ｃを残部として含む第１液と、成分Ｄ、任意成分及び成分Ｃを残部として含む第２液と、を有するキットが好ましく挙げられる。該キットは、成分Ｃからなる第３液を更に有することができ、第３液を用いて、前記第１液と前記第２液との混合物を任意の濃度に希釈することがより好ましい。
　本開示は、さらに以下の一又は複数の実施形態に関する。
＜１＞　アルカリ剤（成分Ａ）、有機溶剤（成分Ｂ）及び水（成分Ｃ）を含有し、成分Ｂのハンセン溶解度パラメータの座標が、δｄ＝１８．３、δｐ＝６．８、δｈ＝３．７を中心とする半径５．４５ＭＰａ0.5の球の範囲内であり、電気伝導度が１１Ｓ／ｍ以上である洗浄剤組成物を用いて、樹脂マスクが付着した被洗浄物から樹脂マスクを剥離する工程を含む、洗浄方法。
＜２＞　電気伝導度が、２０Ｓ／ｍ以下が好ましく、１５Ｓ／ｍ以下がより好ましい、前記＜１＞の洗浄方法。
＜３＞　成分Ａが、無機アルカリ及び有機アルカリから選ばれる少なくとも１種である、前記＜１＞又は＜２＞の洗浄方法。
＜４＞　洗浄剤組成物の使用時における成分Ａの含有量が、０．１質量％以上が好ましく、０．５質量％以上がより好ましく、１質量％以上が更に好ましく、２質量％以上がより更に好ましく、そして、５質量％以下が好ましく、４質量％以下がより好ましく、３．５質量％以下が更に好ましく、３質量％以下がより更に好ましく、具体的には、成分Ａの含有量が、０．１質量％以上５質量％以下が好ましく、０．５質量％以上４質量％以下がより好ましく、１質量％以上３．５質量％以下が更に好ましく、２質量％以上３質量％以下がより更に好ましい、前記＜１＞から＜３＞のいずれかの洗浄方法。
＜５＞　成分Ｂのハンセン溶解度パラメータの座標が、δｄ＝１８．３、δｐ＝６．８、δｈ＝３．７を中心とし、好ましくは半径５．４２ＭＰａ0.5の球の範囲内、より好ましくは半径５．３８ＭＰａ0.5の球の範囲内、更に好ましくは半径４．００ＭＰａ0.5の球の範囲内である、前記＜１＞から＜４＞のいずれかの洗浄方法。
＜６＞　成分Ｂが、アセトフェノン、プロピオフェノン、ｐ－アニスアルデヒド、ｏ－アニスアルデヒド、ｐ－メチルアセトフェノン、テトラヒドロフラン、ジメトキシテトラヒドロフラン、メトキシシクロペンタン、ジフェニルエーテル、アニソール、フェネトール、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、シクロヘキサノン、２－オクタノン及びベンズアルデヒドから選ばれる１種又は２種以上の組合せが好ましく、アセトフェノン、プロピオフェノン、ｐ－アニスアルデヒド、ｏ－アニスアルデヒド、ｐ－メチルアセトフェノン、テトラヒドロフラン、ジメトキシテトラヒドロフラン、メトキシシクロペンタン、アニソール、フェネトール、ジエチレングリコールジエチルエーテル、シクロヘキサノン及びベンズアルデヒドから選ばれる１種又は２種以上の組合せがより好ましく、アセトフェノン、テトラヒドロフラン、ジメトキシテトラヒドロフラン、及びジエチレングリコールジエチルエーテルから選ばれる１種又は２種以上の組合せが更に好ましく、アセトフェノンがより更に好ましく、アセトフェノン、プロピオフェノン、ｐ－アニスアルデヒド、ｐ－メチルアセトフェノン、テトラヒドロフラン、ジメトキシテトラヒドロフラン、メトキシシクロペンタン、アニソール、フェネトール、シクロヘキサノン及びベンズアルデヒドから選ばれる少なくとも１種又は２種以上の組合せが更に好ましい、前記＜１＞から＜５＞のいずれかの洗浄方法。
＜７＞　成分Ｂの沸点が、１６０℃以上が好ましく、２００℃以上がより好ましい、前記＜１＞から＜６＞のいずれかの洗浄方法。
＜８＞　成分Ｂの水１００ｍＬに対する溶解度が、０．３ｇ以上が好ましい、前記＜１＞から＜７＞のいずれかの洗浄方法。
＜９＞　使用時における成分Ｂの含有量が、０．１質量％以上が好ましく、０．３質量％以上がより好ましく、０．５質量％以上が更に好ましく、１質量％以上がより更に好ましく、そして、１０質量％以下が好ましく、７質量％以下がより好ましく、５質量％以下が更に好ましく、４質量％以下がより更に好ましく、具体的には、成分Ｂの含有量が、０．１質量％以上１０質量％以下が好ましく、０．３質量％以上７質量％以下がより好ましく、０．５質量％以上５質量％以下が更に好ましく、１質量％以上４質量％以下がより更に好ましく、また、０．１質量％以上５質量％以下が好ましい、前記＜１＞から＜８＞のいずれかの洗浄方法。
＜１０＞　成分Ａと成分Ｂとの質量比（Ａ／Ｂ）が、０．０５以上が好ましく、０．１以上がより好ましく、０．５以上が更に好ましく、０．８以上がより更に好ましく、そして、２０以下が好ましく、１０以下がより好ましく、５以下が更に好ましく、３以下がより更に好ましく、具体的には、質量比（Ａ／Ｂ）が、０．０５以上２０以下が好ましく、０．１以上１０以下がより好ましく、０．５以上５以下が更に好ましく、０．８以上３以下がより更に好ましい、前記＜１＞から＜９＞のいずれかの洗浄方法。
＜１１＞　洗浄剤組成物中の成分Ｃの含有量が、６０質量％以上が好ましく、７０質量％以上がより好ましく、７５質量％以上が更に好ましく、そして、９５質量％以下が好ましく、具体的には、成分Ｃの含有量が、６０質量％以上９５質量％以下が好ましく、７０質量％以上９５質量％以下がより好ましく、７５質量％以上９５質量％以下が更に好ましい、前記＜１＞から＜１０＞のいずれかの洗浄方法。
＜１２＞　成分Ｂと成分Ｃとの質量比Ｂ／Ｃが、０．０１以上が好ましく、０．０２以上がより好ましく、そして、０．０６以下が好ましく、０．０４以下がより好ましく、具体的には、質量比Ｂ／Ｃが、０．０１以上０．０６以下が好ましく、０．０２以上０．０４以下がより好ましい、前記＜１＞から＜１１＞のいずれかの洗浄方法。
＜１３＞　成分Ａ以外の無機酸の塩（成分Ｄ）をさらに含む、前記＜１＞から＜１２＞のいずれかの洗浄方法。
＜１４＞　成分Ｄが、アルカリ金属塩又はアンモニウム塩が好ましく、硫酸ナトリウム、硫酸セシウム、硫酸カリウム、硫酸アンモニウム、塩化ナトリウム、塩化カリウム、及び塩化アンモニウムから選ばれる少なくとも１種がより好ましく、硫酸ナトリウムが更に好ましい、前記＜１３＞の洗浄方法。
＜１５＞　使用時における成分Ｄの含有量が、０．１質量％以上が好ましく、１質量％以上がより好ましく、３質量％以上が更に好ましく、５質量％以上がより更に好ましく、１０質量％以上がより更に好ましく、そして、３０質量％以下が好ましく、２５質量％以下がより好ましく、２０質量％以下が更に好ましく、１５質量％以下がより更に好ましく、具体的には、成分Ｄの含有量が、１質量％以上３０質量％以下が好ましく、３質量％以上２５質量％以下がより好ましく、５質量％以上２０質量％以下が更に好ましく、１０質量％以上１５質量％以下がより更に好ましく、また、０．１質量％以上３０質量％以下が好ましく、０．１質量％以上２０質量％以下がより好ましい、前記＜１３＞又は＜１４＞の洗浄方法。
＜１６＞　成分Ｄと成分Ｃとの質量比Ｄ／Ｃが、０．０２以上が好ましく、０．１以上がより好ましく、０．１５以上が更に好ましく、そして、０．６以下が好ましく、０．３以下がより好ましく、０．２以下が更に好ましく、具体的には、質量比Ｄ／Ｃが、０．０２以上０．６以下が好ましく、０．１以上０．３以下がより好ましく、０．１５以上０．２以下が更に好ましい、前記＜１３＞から＜１５＞のいずれかの洗浄方法。
＜１７＞　洗浄剤組成物中の成分Ａの含有量が０．１質量％以上５質量％以下であり、洗浄剤組成物中の成分Ｂの含有量が０．１質量％以上１０質量％以下である、前記＜１＞から＜１６＞のいずれかの洗浄方法。
＜１８＞　洗浄剤組成物が窒素含有化合物及びリン含有化合物を実質的に含まない、前記＜１＞から＜１７＞のいずれかの洗浄方法。
＜１９＞　洗浄剤組成物の温度は４０℃以上が好ましく、５０℃以上がより好ましく、そして、７０℃以下が好ましく、６０℃以下がより好ましい、前記＜１＞から＜１８＞のいずれかの洗浄方法。
＜２０＞　樹脂マスクが、露光及び現像の少なくとも一方の処理が施されたネガ型ドライフィルムレジストである、前記＜１＞から＜１９＞のいずれかの洗浄方法。
＜２１＞　被洗浄物が、電子部品の製造中間物である、前記＜１＞から＜２０＞のいずれかの洗浄方法。
＜２２＞　前記＜１＞から＜２１＞のいずれかに記載の洗浄方法を用いて、樹脂マスクが付着した被洗浄物から樹脂マスクを剥離する工程を含む、電子部品の製造方法。
＜２３＞　アルカリ剤（成分Ａ）、有機溶剤（成分Ｂ）、水（成分Ｃ）、及び成分Ａ以外の無機酸の塩（成分Ｄ）を含有し、成分Ｂのハンセン溶解度パラメータの座標が、δｄ＝１８．３、δｐ＝６．８、δｈ＝３．７を中心とする半径５．４５ＭＰａ0.5の球の範囲内である、樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物。
＜２４＞　成分Ｄが、硫酸ナトリウム、硫酸セシウム、硫酸カリウム、硫酸アンモニウム、塩化ナトリウム、塩化カリウム、及び塩化アンモニウムから選ばれる少なくとも１種である、前記＜２３＞の洗浄剤組成物。
＜２５＞　成分Ａの含有量が０．１質量％以上５質量％以下であり、成分Ｂの含有量が０．１質量％以上５質量％以下であり、成分Ｄの含有量が０．１質量％以上３０質量％以下である、前記＜２３＞又は＜２４＞の洗浄剤組成物。
＜２６＞　成分Ｂが、アセトフェノン、プロピオフェノン、ｐ－アニスアルデヒド、ｏ－アニスアルデヒド、ｐ－メチルアセトフェノン、テトラヒドロフラン、ジメトキシテトラヒドロフラン、メトキシシクロペンタン、ジフェニルエーテル、アニソール、フェネトール、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、シクロヘキサノン、２－オクタノン及びベンズアルデヒドから選ばれる少なくとも１種である、前記＜２３＞から＜２５＞のいずれかの洗浄剤組成物。
＜２７＞　成分Ｂが、アセトフェノン、プロピオフェノン、ｐ－アニスアルデヒド、ｐ－メチルアセトフェノン、テトラヒドロフラン、ジメトキシテトラヒドロフラン、メトキシシクロペンタン、アニソール、フェネトール、シクロヘキサノン及びベンズアルデヒドから選ばれる少なくとも１種である、前記＜２３＞から＜２６＞のいずれかの洗浄剤組成物。
＜２８＞　洗浄剤組成物の使用時における成分Ａ、成分Ｂ及び任意成分由来の有機物の総含有量が、０．５質量％以上１５質量％以下である、前記＜２３＞から＜２７＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２９＞　前記＜２３＞から＜２８＞のいずれかの洗浄剤組成物を製造するためのキットであって、成分Ａを含有する溶液（第１液）と、成分Ｂを含有する溶液（第２液）と、成分Ｄを含有する溶液（第３液）とを、相互に混合されない状態で含み、第１液、第２液及び第３液から選ばれる少なくとも１つは、成分Ｃの一部又は全部を更に含有し、第１液と第２液と第３液は使用時に混合されるキット。
＜３０＞　前記＜２３＞から＜２８＞のいずれかの洗浄剤組成物の樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物としての使用。
＜３１＞　前記＜２３＞から＜２８＞のいずれかの洗浄剤組成物の電子部品の製造中間物の洗浄への使用。
　以下に、実施例により本開示を具体的に説明するが、本開示はこれらの実施例によって何ら限定されるものではない。
１．有機溶剤（成分Ｂ、非成分Ｂ）の物性（ＨＳＰの座標及び距離）について
　有機溶剤のＨＳＰの座標（δｄ1、δｐ1、δｈ1）は、パソコン用ソフトウエア「HSPiP：Hansen Solubility Parameters in Practice」を用いて算出した。そして、有機溶剤のＨＳＰの座標（δｄ1、δｐ1、δｈ1）と成分座標（δｄ＝１８．３、δｐ＝６．８、δｈ＝３．７）との距離を下記式により算出した。結果を表１に示す。
距離＝［（δｄ1－１８．３）2＋（δｐ1－６．８）2＋（δｈ1－３．７）2］0.5
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
２．実施例１～９、比較例１～１１及び参考例１の洗浄剤組成物の調製
　トール型の２００ｍＬガラスビーカーに有効分換算で水酸化カリウム（成分Ａ）２．５ｇ、アセトフェノン（成分Ｂ）３．０ｇ、水（成分Ｃ）９２．０ｇ及び硫酸ナトリウム（成分Ｄ）２．５ｇを配合し、それを攪拌して混合することにより、実施例１の洗浄剤組成物を調製した。そして、実施例２～９、比較例１～１１及び参考例１の洗浄剤組成物を、実施例１と同様の方法により、成分Ａ～Ｄ以外の成分を含む場合はそれらも同時に配合し、表２に示す有効分になる組成比で調製した。各洗浄剤組成物の各成分の含有量（質量％、有効分）を表２に示した。
　実施例１～９、比較例１～１１及び参考例１の洗浄剤組成物の成分としては下記のものを使用した。
（成分Ａ）
Ａ１：水酸化カリウム［関東化学株式会社製、特級、固形分４８質量％］
Ａ２：水酸化ナトリウム［関東化学株式会社製、特級、固形分４８質量％］
Ａ３：テトラメチルアンモニウムヒドロキシド［昭和電工株式会社製、ＴＭＡＨ（２５％）］
（成分Ｂ）
Ｂ１：アセトフェノン［富士フィルム和光純薬株式会社製、特級］
Ｂ２：テトラヒドロフラン［富士フィルム和光純薬株式会社、特級］
Ｂ３：ジメトキシテトラヒドロフラン［東京化成工業株式会社製］
Ｂ４：ジエチレングリコールジエチルエーテル［富士フィルム和光純薬株式会社製、一級］
（非成分Ｂ）
Ｂ５：ブチルジグリコール［富士フィルム和光純薬株式会社製、特級］
Ｂ６：ジエチレングリコールジメチルエーテル［富士フィルム和光純薬株式会社製、特級］
Ｂ７：酢酸ブチル［富士フィルム和光純薬株式会社製、一級］
Ｂ８：フェニルジグリコール［東京化成工業株式会社製］
Ｂ９：エチレングリコールモノベンジルエーテル［日本乳化剤株式会社製］
（成分Ｃ）
水：オルガノ株式会社製純水装置Ｇ－１０ＤＳＴＳＥＴで製造した１μＳ/ｃｍ以下の純水
（成分Ｄ）
Ｄ１：硫酸ナトリウム［ナカライテスク株式会社製、特級、硫酸ナトリウム十水和物］
［電気伝導度］
　調製した実施例１～９、比較例１～１１及び参考例１の洗浄剤組成物の電気伝導度は、電気伝導率計（東亜ディーケーケー株式会社、ＣＭ－３０Ｖ、電極ＣＴ－５４１０１Ａ）を用いて２５℃にて測定し、電極を洗浄剤組成物に攪拌しながら浸漬して１分後の数値を採用した。結果を表２に示す。
３．洗浄剤組成物の評価
　調製した実施例１～９、比較例１～１１及び参考例１の洗浄剤組成物の樹脂マスク除去性を評価した。
［樹脂マスク１のテストピースの作製］
　ダイレクトイメージング（直接描画）用感光性フィルム（日立化成株式会社製、フォテック ＲＤ－１２２５、厚み２５μｍ、ネガ型ドライフィルムレジスト）をガラスエポキシ多層基板（日立化成株式会社製、ＭＣＬ－Ｅ－６７９ＦＧ)の表面に下記条件でラミネートし、選択的に露光処理して露光部を硬化した後（露光工程）、現像処理することで未露光部を除去し（現像工程）、レジストパターン（パターン形状のネガ型樹脂マスク）を有する基板を得た。そして、前記現像処理で未露光部が除去された領域を銅メッキ処理することで、テストピース（４ｃｍ×４．５ｃｍ）を得た。
（１）ラミネート：クリーンローラー（株式会社レヨーン工業製、ＲＹ－５０５Ｚ）及び真空アプリケータ（ローム＆ハース社製、ＶＡ７０２４／ＨＰ５）を用いてローラー温度５０℃、ローラー圧１．４Ｂａｒ、処理時間３０秒で行う。
（２）露光：プリント基板用直接描画装置（株式会社ＳＣＲＥＥＮグラフィックアンドプレシジョンソリューションズ製、Ｍｅｒｃｕｒｅｘ ＬＩ－９５００）を用い、露光量１５ｍＪ／ｃｍ2で露光を行う。
（３）パターン形状：Ｌ／Ｓ＝２０μｍ／２０μｍの縞状パターン
（４）現像：基板用現像装置（揚博科技株式会社製、ＬＴ－９８０３６６）、３０℃の１％炭酸ナトリウム水溶液を用いて、スプレー圧０．２ＭＰａ、４７秒間で、未露光部の樹脂マスクを除去する。
［樹脂マスク２のテストピースの作製］
　感光性フィルム（日立化成株式会社製、ＨＰ－１０６０、厚み６０μｍ、ネガ型ドライフィルムレジスト）をガラスエポキシ多層基板の表面に下記条件でラミネートし、選択的に露光処理して露光部を硬化した後（露光工程）、現像処理することで未露光部を除去し（現像工程）、レジストパターン（パターン形状のネガ型樹脂マスク）を有する基板を得た。そして、前記現像処理で未露光部が除去された領域を銅メッキ処理することで、テストピース（４ｃｍ×４ｃｍ）を得た。
（１）ラミネート：クリーンローラー（株式会社レヨーン工業製、ＲＹ－５０５Ｚ）及び真空アプリケータ（ローム＆ハース社製、ＶＡ７０２４／ＨＰ５）を用いて行う。
（２）露光：プリント基板用直接描画装置（株式会社ＳＣＲＥＥＮグラフィックアンドプレシジョンソリューションズ製、Ｍｅｒｃｕｒｅｘ ＬＩ－９５００）を用いて露光を行う。
（３）パターン形状：Ｌ／Ｓ＝２０μｍ／２０μｍの縞状パターン
（４）現像：基板用現像装置（揚博科技株式会社製、ＬＴ－９８０３６６）、１％炭酸ナトリウム水溶液を用いて、未露光部の樹脂マスクを除去する。
［洗浄試験］
　トール型の２００ｍＬガラスビーカーに、各洗浄剤組成物を１００ｇ添加して６０℃に加温し、回転子（フッ素樹脂（ＰＴＦＥ）、φ８ｍｍ×２５ｍｍ）を用いて回転数６００ｒｐｍで撹拌した状態で、テストピースを４分間浸漬する。そして、１００ｍＬガラスビーカーに水を１００ｇ添加したすすぎ槽へ浸漬してすすいだ後、自然乾燥する。
［樹脂マスク除去性評価（剥離率（％））］
　光学顕微鏡「デジタルマイクロスコープＶＨＸ－２０００」（株式会社キーエンス製）を用いて、洗浄試験を行った後のテストピースの各部位に残存する樹脂マスクの有無を３００倍に拡大して目視確認し、除去率（洗浄試験を行う前に樹脂マスクが存在した総面積を１００としたときの樹脂マスクが除去された部分の面積の比率（％））を算出する。結果を表２に示す。
［基板への影響］
　２５０ｍＬ広口ポリプロピレン製ボトルに各洗浄剤組成物１００ｇを添加し、ガラスエポキシ多層基板（２ｃｍ×５ｃｍ）を浸漬し、６０℃で７日間保管後、水ですすぎ、乾燥後の基板表面の状態を目視観察し、下記評価基準で評価した結果を表２に示す。
Ａ：試験前と変化なし
Ｂ：基板表面が変質した
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
　上記表２に示すとおり、実施例１～９の洗浄剤組成物は、成分Ｂを含まない比較例１～２、７～９、１１、成分Ａを含まない比較例３、成分Ｂを含まず、電気伝導度が所定範囲内ではない比較例４～６、成分Ａ，Ｂを含むが、電気伝導度が所定範囲内ではない参考例１及び比較例１０に比べて、樹脂マスク除去性に優れていることがわかった。また、実施例１～９の洗浄剤組成物は、有機物含有量が１５質量％を超える比較例１０に比べて、有機樹脂含有基板に対する影響が低減されていた。さらに、実施例１～９の洗浄剤組成物は、有機物含有量が１５質量％以下であり、排水処理負荷が小さいと考えられた。
　本開示によれば、樹脂マスク除去性に優れる洗浄方法を提供できる。よって、本開示の洗浄方法は、電子部品の製造工程で用いられる洗浄方法として有用であり、樹脂マスクが付着した電子部品の洗浄工程の短縮化及び製造される電子部品の性能・信頼性の向上が可能となり、半導体装置の生産性を向上できる。

Claims (15)

  1. 　アルカリ剤（成分Ａ）、有機溶剤（成分Ｂ）及び水（成分Ｃ）を含有し、成分Ｂのハンセン溶解度パラメータの座標が、δｄ＝１８．３、δｐ＝６．８、δｈ＝３．７を中心とする半径５．４５ＭＰａ0.5の球の範囲内であり、電気伝導度が１１Ｓ／ｍ以上である洗浄剤組成物を用いて、樹脂マスクが付着した被洗浄物から樹脂マスクを剥離する工程を含む、洗浄方法。
  2. 　成分Ｂが、アセトフェノン、プロピオフェノン、ｐ－アニスアルデヒド、ｏ－アニスアルデヒド、ｐ－メチルアセトフェノン、テトラヒドロフラン、ジメトキシテトラヒドロフラン、メトキシシクロペンタン、ジフェニルエーテル、アニソール、フェネトール、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、シクロヘキサノン、２－オクタノン及びベンズアルデヒドから選ばれる少なくとも１種である、請求項１に記載の洗浄方法。
  3. 　洗浄剤組成物が窒素含有化合物及びリン含有化合物を実質的に含まない、請求項１又は２に記載の洗浄方法。
  4. 　樹脂マスクが、露光及び現像の少なくとも一方の処理が施されたネガ型ドライフィルムレジストである、請求項１から３のいずれかに記載の洗浄方法。
  5. 　被洗浄物が、電子部品の製造中間物である、請求項１から４のいずれかに記載の洗浄方法。
  6. 　洗浄剤組成物中の成分Ａの含有量が０．１質量％以上５質量％以下であり、
    　洗浄剤組成物中の成分Ｂの含有量が０．１質量％以上１０質量％以下である、請求項１から５のいずれかに記載の洗浄方法。
  7. 　洗浄剤組成物中の成分Ｃの含有量は、７０質量％以上９５質量％以下である、請求項１から６のいずれかに記載の洗浄方法。
  8. 　請求項１から７のいずれかに記載の洗浄方法を用いて、樹脂マスクが付着した被洗浄物から樹脂マスクを剥離する工程を含む、電子部品の製造方法。
  9. 　アルカリ剤（成分Ａ）、有機溶剤（成分Ｂ）、水（成分Ｃ）、及び成分Ａ以外の無機酸の塩（成分Ｄ）を含有し、
    　成分Ｂのハンセン溶解度パラメータの座標が、δｄ＝１８．３、δｐ＝６．８、δｈ＝３．７を中心とする半径５．４５ＭＰａ0.5の球の範囲内である、樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物。
  10. 　成分Ｄが、硫酸ナトリウム、硫酸セシウム、硫酸カリウム、硫酸アンモニウム、塩化ナトリウム、塩化カリウム、及び塩化アンモニウムから選ばれる少なくとも１種である、請求項９に記載の洗浄剤組成物。
  11. 　成分Ａの含有量が０．１質量％以上５質量％以下であり、
    　成分Ｂの含有量が０．１質量％以上５質量％以下であり、
    　成分Ｄの含有量が０．１質量％以上３０質量％以下である、請求項９又は１０に記載の洗浄剤組成物。
  12. 　成分Ｂが、アセトフェノン、プロピオフェノン、ｐ－アニスアルデヒド、ｏ－アニスアルデヒド、ｐ－メチルアセトフェノン、テトラヒドロフラン、ジメトキシテトラヒドロフラン、メトキシシクロペンタン、ジフェニルエーテル、アニソール、フェネトール、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、シクロヘキサノン、２－オクタノン及びベンズアルデヒドから選ばれる少なくとも１種である、請求項９から１１のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
  13. 　成分Ｂが、アセトフェノン、プロピオフェノン、ｐ－アニスアルデヒド、ｐ－メチルアセトフェノン、テトラヒドロフラン、ジメトキシテトラヒドロフラン、メトキシシクロペンタン、アニソール、フェネトール、シクロヘキサノン及びベンズアルデヒドから選ばれる少なくとも１種である、請求項９から１１のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
  14. 　洗浄剤組成物の使用時における成分Ａ、成分Ｂ及び任意成分由来の有機物の総含有量が、０．５質量％以上１５質量％以下である、請求項９から１３のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
  15. 　請求項９から１４のいずれかに記載の洗浄剤組成物を製造するためのキットであって、
    　成分Ａを含有する溶液（第１液）と、成分Ｂを含有する溶液（第２液）と、成分Ｄを含有する溶液（第３液）とを、相互に混合されない状態で含み、
    　第１液、第２液及び第３液から選ばれる少なくとも１つは、成分Ｃの一部又は全部を更に含有し、
    　第１液と第２液と第３液は使用時に混合されるキット。
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