JP2007254555A - 洗浄剤組成物 - Google Patents
洗浄剤組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007254555A JP2007254555A JP2006079452A JP2006079452A JP2007254555A JP 2007254555 A JP2007254555 A JP 2007254555A JP 2006079452 A JP2006079452 A JP 2006079452A JP 2006079452 A JP2006079452 A JP 2006079452A JP 2007254555 A JP2007254555 A JP 2007254555A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- carbon atoms
- acid
- cleaning
- integer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
【課題】カラーフィルターの不良基板または配向膜塗布後のガラス基板からカラーレジスト、ブラックマトリクス樹脂、配向膜およびホトレジストを除去するための洗浄剤組成物、洗浄方法および洗浄された電子部品を提供する。
【解決手段】式(1)で示される化合物および多価カルボン酸塩から選ばれる1種以上、親水性有機溶剤、並びにアルカリ成分を含有する洗浄剤組成物。
【選択図】 なし
【解決手段】式(1)で示される化合物および多価カルボン酸塩から選ばれる1種以上、親水性有機溶剤、並びにアルカリ成分を含有する洗浄剤組成物。
【選択図】 なし
Description
本発明は、電子部品、金属部品、セラミック部品などに付着している油脂類、樹脂、パーティクルなどを除去するのに使用されるアルカリ洗浄剤、更に詳しくは、液晶パネルのカラーフィルター樹脂膜の剥離液、液晶パネルの垂直配向ポリイミド膜(とくに焼成膜)および硬化後ホトレジスト(ホトスペーサーなど)の剥離液として使用されるアルカリ洗浄剤に関する。
現在、液晶ディスプレイ用などのカラーフィルターの製造工程において欠陥の発生したカラーフィルターの不良基板は、焼成後のカラーレジストは溶剤等ではほとんど除去できないため、ほとんど廃棄され、環境面および経済性の観点から問題であった。このような観点から、近年、不良カラーフィルター基板を再生する方法として、パーフルオロアルキルカルボン酸塩を含む苛性ソーダ水溶液(特許文献−1)やアルカリ、ジメチルスルホキシドおよび水からなる剥離液(特許文献−2)を用いてカラーレジストを除去する方法、濃硫酸に浸漬後、グリコールエーテルを含有したアルカリ水溶液にてカラーレジストを剥離する方法(特許文献−3)が提案されている。しかしながらこれらの剥離液では、不良カラーフィルター基板上のカラーレジストおよびブラックマトリクス樹脂が完全に除去されないか、除去するためには長時間要したり、80〜100℃と高温にて剥離する必要があり、剥離液の揮発が激しい等の問題があった。
また、濃硫酸に浸漬後、過酸化水素およびアンモニアの水溶液にてカラーレジストを剥離する方法(特許文献−4)も提案されているが、過酸化水素水溶液の安定性が悪いため、剥離液の寿命が短いという問題がある。
特開平6−321581号公報
特開2005−31682号公報
特開平6−20224号公報
特開2005−189679号公報
また、濃硫酸に浸漬後、過酸化水素およびアンモニアの水溶液にてカラーレジストを剥離する方法(特許文献−4)も提案されているが、過酸化水素水溶液の安定性が悪いため、剥離液の寿命が短いという問題がある。
本発明の目的は、液晶ディスプレイ用などのカラーフィルターの不良基板または配向膜塗布後のガラス基板からカラーレジスト、ブラックマトリクス樹脂、配向膜または硬化後ホトレジストを、短時間で剥離および洗浄するための洗浄剤組成物、洗浄方法および洗浄された電子部品を提供することにある。
本発明者は、上記目的を達成すべく鋭意研究した結果、本発明に到達した。
すなわち、本発明は、一般式(1)で示される化合物(A)および一般式(2)で示される化合物(B)からなる群から選ばれる1種以上、親水性有機溶剤(C)、並びにアルカリ成分(D)を含有する洗浄剤組成物;該洗浄剤組成物を用いて、超音波洗浄、シャワー洗浄、スプレー洗浄、浸漬および浸漬揺動から選ばれる1種以上の方法で洗浄することを特徴とする電子部品または電気部品の洗浄方法;および、該洗浄方法で洗浄し、リンスした後、乾燥して得られる電子部品または電気部品;である。
すなわち、本発明は、一般式(1)で示される化合物(A)および一般式(2)で示される化合物(B)からなる群から選ばれる1種以上、親水性有機溶剤(C)、並びにアルカリ成分(D)を含有する洗浄剤組成物;該洗浄剤組成物を用いて、超音波洗浄、シャワー洗浄、スプレー洗浄、浸漬および浸漬揺動から選ばれる1種以上の方法で洗浄することを特徴とする電子部品または電気部品の洗浄方法;および、該洗浄方法で洗浄し、リンスした後、乾燥して得られる電子部品または電気部品;である。
(1)式中、R1は炭素数6〜18のアルキル基、アルケニル基もしくはヒドロキシアルキル基、炭素数7〜18のアリールアルキル基、エステル結合もしくはアミド結合で分断された炭素数6〜20のアルキル基もしくはアルケニル基、または式−(A1O)j−Jで表される基(なお、A1は炭素数2〜4のアルキレン基、Jは水素原子または炭素数1〜18のアルキル基、jは1〜10の整数である)であり、R2、R3およびR4は炭素数1〜4のアルキル基もしくは炭素数2〜4のヒドロキシアルキル基、fは1〜5の整数、Xf-は炭素数2以上のf価の有機酸のアニオンを表す。
R5−(COO-Z+)k (2)
(2)式中、R5は多価カルボン酸からカルボキシル基を除いた残基;Z+はアルカリ金属カチオン、アンモニウムカチオン、1級〜3級アミンカチオン、または4個のアルキル基の炭素数がいずれも1〜4である第4級アンモニウムカチオン;kは2〜300の整数を表す。
R5−(COO-Z+)k (2)
(2)式中、R5は多価カルボン酸からカルボキシル基を除いた残基;Z+はアルカリ金属カチオン、アンモニウムカチオン、1級〜3級アミンカチオン、または4個のアルキル基の炭素数がいずれも1〜4である第4級アンモニウムカチオン;kは2〜300の整数を表す。
本発明の洗浄剤組成物は、樹脂の剥離性に優れているため、例えば液晶ディスプレイ用のカラーフィルター基板上のカラーレジスト、ブラックマトリクス樹脂、ポリイミド系配向膜およびホトスペーサーなどの硬化後ホトレジストを短時間に剥離・洗浄できる。また、本発明の洗浄剤は、油分、指紋、樹脂およびパーティクルを除去する能力にも優れている。
本発明において化合物(A)としては、一般式(1)で示される化合物が挙げられ、これら化合物の1種または2種以上の混合物が使用できる。
(1)式中、R1は炭素数6〜18のアルキル基、アルケニル基もしくはヒドロキシアルキル基、炭素数7〜18のアリールアルキル基、、エステル結合もしくはアミド結合で分断された炭素数6〜20のアルキル基もしくはアルケニル基、または式−(A1O)j−Jで表される基(なお、A1は炭素数2〜4のアルキレン基、Jは水素原子または炭素数1〜18のアルキル基、jは1〜10の整数である)であり、R2、R3およびR4は炭素数1〜4のアルキル基もしくは炭素数2〜4のヒドロキシアルキル基、fは1〜5の整数、Xf-は炭素数2以上のf価の有機酸のアニオンを表す。
(1)式中、R1としては以下の基が含まれる。
炭素数が6〜18のアルキル基;
直鎖もしくは分岐のアルキル基またはシクロアルキル基、例えばn−およびi−ヘキシル基、n−およびi−オクチル基、2−エチルヘキシル基、n−およびi−ノニル基、n−およびi−デシル基、n−およびi−ウンデシル基、n−およびi−ドデシル基、ラウリル基、n−およびi−テトラデシル基、n−およびi−ヘキサデシル基、並びにn−およびi−オクタデシル基等が挙げられ、これらのうちで好ましいのは炭素数8〜12、さらに好ましいのは9〜12のアルキル基である。
炭素数が6〜18のアルキル基;
直鎖もしくは分岐のアルキル基またはシクロアルキル基、例えばn−およびi−ヘキシル基、n−およびi−オクチル基、2−エチルヘキシル基、n−およびi−ノニル基、n−およびi−デシル基、n−およびi−ウンデシル基、n−およびi−ドデシル基、ラウリル基、n−およびi−テトラデシル基、n−およびi−ヘキサデシル基、並びにn−およびi−オクタデシル基等が挙げられ、これらのうちで好ましいのは炭素数8〜12、さらに好ましいのは9〜12のアルキル基である。
炭素数6〜18のアルケニル基;
直鎖もしくは分岐のアルケニル基、例えばオクテニル基、デセニル基、ドデセニル基、トリデセニル基、テトラデセニル基、ペンタデセニル基、ヘキサデセニル基、オクタデセニル基およびオレイル基などが挙げられ、これらのうちで好ましいのはデセニル基である。
直鎖もしくは分岐のアルケニル基、例えばオクテニル基、デセニル基、ドデセニル基、トリデセニル基、テトラデセニル基、ペンタデセニル基、ヘキサデセニル基、オクタデセニル基およびオレイル基などが挙げられ、これらのうちで好ましいのはデセニル基である。
炭素数6〜18のヒドロキシアルキル基;
2−ヒドロキシヘキシル基、ω−ヒドロキシオクチル基、2−ヒドロキシデシル基、ω−ヒドロキシドデシル基およびジヒドロキシステアリル基などが挙げられ、これらの内で好ましいのは2−ヒドロキシデシル基である。
2−ヒドロキシヘキシル基、ω−ヒドロキシオクチル基、2−ヒドロキシデシル基、ω−ヒドロキシドデシル基およびジヒドロキシステアリル基などが挙げられ、これらの内で好ましいのは2−ヒドロキシデシル基である。
炭素数7〜18のアリールアルキル基;
ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルブチル基およびフェニルオクチル基などが挙げられ、これらのうちで好ましいのはベンジル基である。
ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルブチル基およびフェニルオクチル基などが挙げられ、これらのうちで好ましいのはベンジル基である。
エステル結合もしくはアミド結合で分断された炭素数6〜20のアルキル基またはアルケニル基;
本発明において、エステル結合で分断されたアルキル基またはアルケニル基におけるエステル結合の個数は通常1個であり、1個のエステル結合で分断されたアルキル基またはアルケニル基としては、炭素数5〜18の飽和もしくは不飽和脂肪酸と炭素数2〜4のヒドロキシアルキル基から誘導される基、例えばアシロキシアルキル基[ラウロイロキシエチル基、ラウロイロキシプロピル基、ステアロイロキシエチル基、ステアロイロキシプロピル基等]およびアシロキシアルケニル基[オレオイロキシエチル基、オレオイロキシプロピル基等]、並びに炭素数5〜18のアルキルもしくはアルケニル基を有するアルコールと炭素数2〜4のカルボキシアルキル基から誘導される基、例えばアルコキシカルボニルアルキル基[ラウロキシカルボニルエチル基、ステアロキシカルボニルエチル基など]が挙げられる。本発明において、アミド結合で分断されたアルキル基もしくはアルケニル基におけるアミド結合の個数は通常1個であり、1個のアミド結合で分断されたアルキル基またはアルケニル基としては、炭素数5〜18の飽和もしくは不飽和脂肪酸と炭素数2〜4のアミノアルキル基から誘導される基、例えばアシルアミノアルキル基[ラウラミドエチル基、ラウラミドプロピル基、ステアラミドエチル基等]、並びに炭素数5〜18のアルキル基もしくはアルケニル基を有するアミンと炭素数2〜4のカルボキシアルキル基から誘導される基、例えばアルキルアミノカルボニルアルキル基[ラウリルアミノカルボニルエチル基、ステアリルアミノカルボニルエチル基、オレイルアミノカルボニルエチル基など]が挙げられる。
本発明において、エステル結合で分断されたアルキル基またはアルケニル基におけるエステル結合の個数は通常1個であり、1個のエステル結合で分断されたアルキル基またはアルケニル基としては、炭素数5〜18の飽和もしくは不飽和脂肪酸と炭素数2〜4のヒドロキシアルキル基から誘導される基、例えばアシロキシアルキル基[ラウロイロキシエチル基、ラウロイロキシプロピル基、ステアロイロキシエチル基、ステアロイロキシプロピル基等]およびアシロキシアルケニル基[オレオイロキシエチル基、オレオイロキシプロピル基等]、並びに炭素数5〜18のアルキルもしくはアルケニル基を有するアルコールと炭素数2〜4のカルボキシアルキル基から誘導される基、例えばアルコキシカルボニルアルキル基[ラウロキシカルボニルエチル基、ステアロキシカルボニルエチル基など]が挙げられる。本発明において、アミド結合で分断されたアルキル基もしくはアルケニル基におけるアミド結合の個数は通常1個であり、1個のアミド結合で分断されたアルキル基またはアルケニル基としては、炭素数5〜18の飽和もしくは不飽和脂肪酸と炭素数2〜4のアミノアルキル基から誘導される基、例えばアシルアミノアルキル基[ラウラミドエチル基、ラウラミドプロピル基、ステアラミドエチル基等]、並びに炭素数5〜18のアルキル基もしくはアルケニル基を有するアミンと炭素数2〜4のカルボキシアルキル基から誘導される基、例えばアルキルアミノカルボニルアルキル基[ラウリルアミノカルボニルエチル基、ステアリルアミノカルボニルエチル基、オレイルアミノカルボニルエチル基など]が挙げられる。
式−(A1O)j−Jで表される基;
A1は炭素数2〜4のアルキレン基であり、例えば、エチレン基、1,2−プロピレン基、1,3−プロピレン基、1,2−ブチレン基、1,4−ブチレン基など、Jは水素原子または炭素数1〜18のアルキル基であり、例えばメチル基、エチル基、n−およびi−プロピル基、n−、i−およびsec−ブチル基、n−およびi−ペンチル基、並びに前述のR1で挙げたアルキル基が挙げられ、jは1〜10、好ましくは1〜6の整数である。具体的には、アルコキシアルキル基[ラウロキシエチル基、ヘキサデシルオキシメチル基、ステアロキシエチル基など]、アルキル(炭素数4〜18)(ポリ)オキシアルキレン基(重合度=2〜10)[ラウリルポリ(重合度=6)オキシエチレン基、ミリスチルポリ(重合度=2)オキシエチレン基など]が挙げられる。
これらのR1のうち好ましいのはアルキル基およびアルケニル基であり、さらに好ましいのはアルキル基である。
A1は炭素数2〜4のアルキレン基であり、例えば、エチレン基、1,2−プロピレン基、1,3−プロピレン基、1,2−ブチレン基、1,4−ブチレン基など、Jは水素原子または炭素数1〜18のアルキル基であり、例えばメチル基、エチル基、n−およびi−プロピル基、n−、i−およびsec−ブチル基、n−およびi−ペンチル基、並びに前述のR1で挙げたアルキル基が挙げられ、jは1〜10、好ましくは1〜6の整数である。具体的には、アルコキシアルキル基[ラウロキシエチル基、ヘキサデシルオキシメチル基、ステアロキシエチル基など]、アルキル(炭素数4〜18)(ポリ)オキシアルキレン基(重合度=2〜10)[ラウリルポリ(重合度=6)オキシエチレン基、ミリスチルポリ(重合度=2)オキシエチレン基など]が挙げられる。
これらのR1のうち好ましいのはアルキル基およびアルケニル基であり、さらに好ましいのはアルキル基である。
(1)式中、R2、R3およびR4は、炭素数1〜4のアルキル基もしくは炭素数2〜4のヒドロキシアルキル基であり、アルキル基としては前述のJとして例示した基のうちの炭素数1〜4のアルキル基、ヒドロキシアルキル基としては、2−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシプロピル基、3−ヒドロキシプロピル基、2−ヒドロキシブチル基および4−ヒドロキシブチル基などが挙げられる。これらのうち好ましいのは、アルキル基、特にメチル基およびエチル基である。
(1)式中のfは1〜5、好ましくは1〜3の整数であり、Zf-は炭素数2以上のf価の有機酸アニオンである。アニオンZf-を構成するf価の有機酸としては、下記一般式(3)または(4)で表される有機酸の他、芳香環含有有機酸、脂環基含有有機酸、ヘテロ環含有有機酸、エステル基含有有機酸、アミド基含有有機酸、水酸基含有有機酸、および有機酸基含有ビニル単量体のオリゴマー(2〜10量体)などが挙げられる。
また、これらには、1価または2価〜5価のカルボン酸類、スルホン酸類、硫酸エステル類、リン酸エステル類およびフェノール類などが含まれる。
また、これらには、1価または2価〜5価のカルボン酸類、スルホン酸類、硫酸エステル類、リン酸エステル類およびフェノール類などが含まれる。
一般式(3)または(4)で表される有機酸は以下のものである。
(3)および(4)式中、R6およびR7は炭素数4〜18(好ましくは6〜12)の脂肪族炭化水素基(アルカジエニル基も含む)、A2およびA3は炭素数1〜4(好ましくは1〜3)のアルキレン基、Qは−COOH、−SO3Hもしくは−OSO3H、p1およびp2は0または1〜10(好ましくは0〜5)の整数、qは1または2、hは1〜5の整数であり、Qが−SO3Hの場合はp1は0であり、p1またはp2が2以上の場合のA2は同じでも異なっていてもよい。
R6の例としては、前記の炭素数4〜18アルキル基およびアルケニル基と同様の基、並びにアルカジエニル基(例えばリノレイル基など)が挙げられる。
R6の例としては、前記の炭素数4〜18アルキル基およびアルケニル基と同様の基、並びにアルカジエニル基(例えばリノレイル基など)が挙げられる。
A2およびA3としては、メチレン基および前述のA1と同様の基が挙げられる。
式(3)で表される有機酸のうち、好ましいものは、Qが−COOHでp1が0の化合物(炭素数8〜18の高級脂肪酸、たとえばオクタン酸、2−エチルヘキサン酸、ノナン酸、ドデカン酸、テトラデカン酸、ステアリン酸およびオレイン酸等)、Qが−COOHでp1が1以上でかつQと結合するA2がメチレン基で残りの(p1−1)個のA2が炭素数2〜3のアルキレン基の化合物(アルキルもしくはアルケニルエーテルカルボン酸、たとえばポリオキシエチレンオクチルエーテルカルボキシメチルエーテルなど)、Qが−OSO3Hでp1が0〜5でA2が炭素数2〜3のアルキレン基の化合物(アルキルもしくはアルケニル硫酸エステル、たとえばオクチル硫酸エステル、2−エチルヘキシル硫酸エステル、デシル硫酸エステル、ドデシル硫酸エステル、テトラデシル硫酸エステル、ステアリル硫酸エステルおよびオレイル硫酸エステル等;並びに(ポリ)オキシアルキレンアルキルもしくはアルケニルエーテル硫酸エステル、たとえばポリオキシエチレンオクチルエーテル硫酸エステル等)である。
式(4)で表される有機酸のうち、好ましいものは、A3が炭素数2もしくは3のアルキレン基、p2が0〜5の整数、qが1で表されるものである。qが1の場合、(A)はモノ4級アンモニウム塩でもジ4級アンモニウム塩でもよい。具体例としては、アルキルもしくはアルケニル燐酸エステル、たとえばオクチル燐酸エステル、2−エチルヘキシル燐酸エステル、デシル燐酸エステル、ドデシル燐酸エステル、ステアリル燐酸エステルおよびオレイル燐酸エステル等;並びに(ポリ)オキシアルキレンアルキルもしくはアルケニルエーテル燐酸エステル、たとえばポリオキシエチレンオクチルエーテル燐酸エステル等が挙げられる。
有機酸のうち、芳香環含有有機酸としては、芳香族カルボン酸(安息香酸、エチル安息香酸、桂皮酸およびt−ブチル安息香酸などのo,p,m−各異性体を含む芳香族モノカルボン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、トリメリット酸およびピロメリット酸などの芳香族多価カルボン酸)、芳香族スルホン酸(p−トルエンスルホン酸およびドデシルベンゼンスルホン酸などの炭素数1〜18のアルキル基を有するアルキルベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸およびp−フェノールスルホン酸など)およびフェノール類(フェノール、p−クロロフェノール、β−ナフトール、o−およびp−ニトロフェノール、p−アミノフェノール、カテコールおよびレゾルシンなど)が挙げられる。
脂環基含有有機酸としては、シクロヘキサンモノおよびジカルボン酸、シクロペンタンカルボン酸などが挙げられる。
エステル基含有有機酸としては、ジカルボン酸のモノアルキル(アルキル基の炭素数1〜8)エステル(シュウ酸モノメチルエステル、コハク酸モノエチルエステル、マレイン酸モノメチルエステル、アジピン酸モノメチルエステルおよびフタル酸モノメチルエステルなど)、トリカルボン酸のモノもしくはジアルキル(炭素数1〜6)エステル(トリメリット酸モノメチルエステルおよびトリメリット酸モノブチルエステルなど)、およびスルホコハク酸モノもしくはジアルキル(アルキル基の炭素数1〜24)エステル(スルホコハク酸ジ2−エチルヘキシルエステルなど)が挙げられる。
アミド基含有有機酸としては、ジカルボン酸のモノアルキル(アルキル基の炭素数1〜8)アミド(コハク酸モノエチルアミド、マレイン酸モノメチルアミド、アジピン酸モノメチルアミドおよびフタル酸モノメチルアミドなど)、トリカルボン酸のモノもしくはジアルキル(炭素数1〜6)アミド(トリメリット酸モノメチルアミドおよびトリメリット酸モノブチルアミドなど)、高級脂肪酸とアミノ酸の縮合物(オレイルザルコシンなど)、高級脂肪酸アミドのアルキル化スルホン酸(ラウリン酸メチルタウライドおよびオレイン酸N−メチルタウライドなど)および高級脂肪酸アミドのアルキロール化硫酸エステル(ラウリルエタノールアミド硫酸エステルなど)が挙げられる。
水酸基含有有機酸としては、ヒドロキシカルボン酸(乳酸、クエン酸、リンゴ酸、グルタル酸およびp−ヒドロキシ安息香酸など)が挙げられる。
有機酸基含有ビニル単量体のオリゴマー(2〜10量体)を構成する単量体としては、(メタ)アクリル酸およびマレイン酸などのカルボキシル基含有ビニル単量体、ビニルスルホン酸、スチレンスルホン酸、(メタ)アリルスルホン酸およびアルキル(炭素数1〜18)アリルスルホコハク酸エステルなどのスルホン酸基含有ビニル単量体などが挙げられる。
これらの有機酸の当量(酸基当たりの分子量)は、好ましくは58〜600、特に58〜300である。
脂環基含有有機酸としては、シクロヘキサンモノおよびジカルボン酸、シクロペンタンカルボン酸などが挙げられる。
エステル基含有有機酸としては、ジカルボン酸のモノアルキル(アルキル基の炭素数1〜8)エステル(シュウ酸モノメチルエステル、コハク酸モノエチルエステル、マレイン酸モノメチルエステル、アジピン酸モノメチルエステルおよびフタル酸モノメチルエステルなど)、トリカルボン酸のモノもしくはジアルキル(炭素数1〜6)エステル(トリメリット酸モノメチルエステルおよびトリメリット酸モノブチルエステルなど)、およびスルホコハク酸モノもしくはジアルキル(アルキル基の炭素数1〜24)エステル(スルホコハク酸ジ2−エチルヘキシルエステルなど)が挙げられる。
アミド基含有有機酸としては、ジカルボン酸のモノアルキル(アルキル基の炭素数1〜8)アミド(コハク酸モノエチルアミド、マレイン酸モノメチルアミド、アジピン酸モノメチルアミドおよびフタル酸モノメチルアミドなど)、トリカルボン酸のモノもしくはジアルキル(炭素数1〜6)アミド(トリメリット酸モノメチルアミドおよびトリメリット酸モノブチルアミドなど)、高級脂肪酸とアミノ酸の縮合物(オレイルザルコシンなど)、高級脂肪酸アミドのアルキル化スルホン酸(ラウリン酸メチルタウライドおよびオレイン酸N−メチルタウライドなど)および高級脂肪酸アミドのアルキロール化硫酸エステル(ラウリルエタノールアミド硫酸エステルなど)が挙げられる。
水酸基含有有機酸としては、ヒドロキシカルボン酸(乳酸、クエン酸、リンゴ酸、グルタル酸およびp−ヒドロキシ安息香酸など)が挙げられる。
有機酸基含有ビニル単量体のオリゴマー(2〜10量体)を構成する単量体としては、(メタ)アクリル酸およびマレイン酸などのカルボキシル基含有ビニル単量体、ビニルスルホン酸、スチレンスルホン酸、(メタ)アリルスルホン酸およびアルキル(炭素数1〜18)アリルスルホコハク酸エステルなどのスルホン酸基含有ビニル単量体などが挙げられる。
これらの有機酸の当量(酸基当たりの分子量)は、好ましくは58〜600、特に58〜300である。
これらの 有機酸のうち、好ましいものは式(3)または(4)で表されるものであり、さらに好ましいのは炭素数6〜18のアルキルまたはアルケニル基を有するカルボン酸、スルホン酸、硫酸エステルまたはリン酸である。
なお、f価の有機酸アニオンには、f価の有機酸のf価のアニオン、およびf価より高い[(f+α)価の]有機酸のf価のアニオン(部分塩)が含まれる。例えば、有機酸が2塩基酸の場合、(B)にはモノ塩およびジ塩が含まれる。
式(1)で示される化合物(A)の例としては、R1がn−オクチル基、2−エチルヘキシル基、デシル基、ラウリル基、ミリスチル基、セチル基、ステアリル基、オレイル基、オレアミドエチル基もしくはステアラミドエチル基で、R2、R3、R4がいずれもメチル基、ヒドロキシエチル基、n−ブチルもしくはポリオキシエチレン基、またはR2、R3、R4のうちの2つがメチル基で1つがエチル基、2つがメチル基で1つがプロピル基、2つがエチル基で1つがメチル基、2つがメチル基で1つがヒドロキシエチル基であり、Zf- が炭素数6〜18のアルキルまたはアルケニル基を有するカルボン酸またはリン酸のもの、並びに米国特許第4,331,447号およびフランス特許第1,427,133号明細書に記載の第4級アンモニウムとの有機酸塩が挙げられる。
(A)は、通常、3級アミンを4級化剤と反応させて4級アンモニウム塩とし、有機酸とアニオン交換することにより製造することができる。4級化剤としては、ジアルキルカーボネート(アルキル基は炭素数1〜4、たとえばメチル基、エチル基など)、ハロゲン化アルキルもしくはハロゲン化アルケニル等の前記R2〜R4で表される基のハロゲン化物(ハロゲンとしては、塩素、臭素、ヨウ素もしくはフッ素)、ジアルキル硫酸(アルキル基は炭素数1〜4、たとえばメチル基、エチル基など)が挙げられる。
R2〜R4が低級アルキル基の場合は、以下の合成方法に従い製造することができる。有機溶媒(メタノール、エタノールなど)中、3級アミン(たとえば、ジメチルオクチルアミンなど)とジアルキルカーボネート(ジメチルカーボネートなど;3級アミンに対して通常1.05〜2当量)をオートクレーブ中にて加圧下、加熱(110〜120℃)して2〜3時間反応させることにより、4級アンモニウムカーボネートの有機溶媒溶液を得る。これに前記式(3)または(4)で表される有機酸(オクタン酸、オクチル硫酸エステル、モノオクチルリン酸エステルなど;4級アンモニウム塩に対して通常0.9〜1.2当量、好ましくは0.99〜1.02当量)を30〜60℃で徐々に滴下して加え、その後、加熱下(40〜100℃)で二酸化炭素、有機溶媒および未反応のジアルキルカーボネートを留去しながらアニオン交換反応を行い、水で希釈することで、目的物(例えばオクチルトリメチルアンモニウム・オクタン酸塩、オクチルトリメチルアンモニウム・オクチル硫酸エステル塩など)の水性液を得る。
本発明における化合物(B)は、一般式(2)で示される多価カルボン酸塩である。
(2)式中、Z+はアルカリ金属カチオン、アンモニウムカチオン、1級〜3級アミンカチオン、または4個のアルキル基の炭素数がいずれも1〜4である第4級アンモニウムカチオンである。
アルカリ金属カチオンとしては、ナトリウム、カリウムおよびリチウムカチオンが挙げられる。
1級〜3級アミンカチオンとしては、1級アミン(モノメチルアミン、モノエチルアミン、モノプロピルアミンおよびモノブチルアミンなど)、2級アミン(ジメチルアミン、ジエチルアミンおよびジブチルアミンなど)および3級アミン(トリメチルアミンおよびトリエチルアミンなど)のカチオンが挙げられる。
4個のアルキル基の炭素数がいずれも1〜4である第4級アンモニウムカチオンとしては、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラプロピルアンモニウムおよびテトラブチルアンモニウムカチオンなどが挙げられる。
kは(B)を構成する多価カルボン酸の価数を表し、通常2〜500、好ましくは2〜6または50〜500である。
多価カルボン酸としては、2〜6価(kが2〜6)の、炭素数2〜36の脂肪族多価カルボン酸(例えばシュウ酸、マロン酸、コハク酸、アジピン酸、クエン酸、シクロペンタンテトラカルボン酸等);窒素原子含有多価カルボン酸(例えば、アスパラギン酸、ヒドロキシエチルイミノ二酢酸、L−グルタミン酸二酢酸、s−アスパラギン酸二酢酸、エチレンジアミン四酢酸、トリエチレンテトラミン六酢酸);炭素数7〜36の芳香族カルボン酸(例えば安息香酸、エチル安息香酸、桂皮酸およびt−ブチル安息香酸などのo,p,m−各異性体を含む芳香族モノカルボン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、トリメリット酸およびピロメリット酸などの芳香族多価カルボン酸等);および数平均分子量が1,500〜50,000(kが、好ましくは50〜500)のカルボキシル基含有ポリマー(B1)等があげられる。
(2)式中、Z+はアルカリ金属カチオン、アンモニウムカチオン、1級〜3級アミンカチオン、または4個のアルキル基の炭素数がいずれも1〜4である第4級アンモニウムカチオンである。
アルカリ金属カチオンとしては、ナトリウム、カリウムおよびリチウムカチオンが挙げられる。
1級〜3級アミンカチオンとしては、1級アミン(モノメチルアミン、モノエチルアミン、モノプロピルアミンおよびモノブチルアミンなど)、2級アミン(ジメチルアミン、ジエチルアミンおよびジブチルアミンなど)および3級アミン(トリメチルアミンおよびトリエチルアミンなど)のカチオンが挙げられる。
4個のアルキル基の炭素数がいずれも1〜4である第4級アンモニウムカチオンとしては、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラプロピルアンモニウムおよびテトラブチルアンモニウムカチオンなどが挙げられる。
kは(B)を構成する多価カルボン酸の価数を表し、通常2〜500、好ましくは2〜6または50〜500である。
多価カルボン酸としては、2〜6価(kが2〜6)の、炭素数2〜36の脂肪族多価カルボン酸(例えばシュウ酸、マロン酸、コハク酸、アジピン酸、クエン酸、シクロペンタンテトラカルボン酸等);窒素原子含有多価カルボン酸(例えば、アスパラギン酸、ヒドロキシエチルイミノ二酢酸、L−グルタミン酸二酢酸、s−アスパラギン酸二酢酸、エチレンジアミン四酢酸、トリエチレンテトラミン六酢酸);炭素数7〜36の芳香族カルボン酸(例えば安息香酸、エチル安息香酸、桂皮酸およびt−ブチル安息香酸などのo,p,m−各異性体を含む芳香族モノカルボン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、トリメリット酸およびピロメリット酸などの芳香族多価カルボン酸等);および数平均分子量が1,500〜50,000(kが、好ましくは50〜500)のカルボキシル基含有ポリマー(B1)等があげられる。
(B1)としては、α,β−不飽和カルボン酸類を必須構成単位としたポリマーなどが挙げられる。
α,β−不飽和カルボン酸類としては、モノカルボン酸(例えば、(メタ)アクリル酸等)、ジカルボン酸(例えば、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、シトラコン酸等)、ジカルボン酸無水物(例えば、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水シトラコン酸等)およびジカルボン酸半エステル{ジカルボン酸と炭素数2〜16のアルカノール、カルビトールまたはセルソルブとの半エステル、例えば、マレイン酸半エステル(マレイン酸モノブチルエステル、マレイン酸モノエチルカルビトールエステル等)、フマル酸半エステル(フマル酸モノブチルエステル、フマル酸モノエチルカルビトールエステル等)}など、並びにこれらの併用などが挙げられる。これらのうち好ましいものはアクリル酸である。
α,β−不飽和カルボン酸類としては、モノカルボン酸(例えば、(メタ)アクリル酸等)、ジカルボン酸(例えば、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、シトラコン酸等)、ジカルボン酸無水物(例えば、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水シトラコン酸等)およびジカルボン酸半エステル{ジカルボン酸と炭素数2〜16のアルカノール、カルビトールまたはセルソルブとの半エステル、例えば、マレイン酸半エステル(マレイン酸モノブチルエステル、マレイン酸モノエチルカルビトールエステル等)、フマル酸半エステル(フマル酸モノブチルエステル、フマル酸モノエチルカルビトールエステル等)}など、並びにこれらの併用などが挙げられる。これらのうち好ましいものはアクリル酸である。
(B1)には、他の共重合可能な単量体を構成単位として用いることができる。他の単量体としては、例えば次のものが挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
(a)芳香族エチレン性不飽和単量体:
スチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエンおよびヒドロキシスチレン等のスチレン類、ジクロルスチレン等のスチレン類のハロゲン置換体、ビニルナフタレン類等;
(b)炭素数2〜20の脂肪族エチレン性不飽和単量体:
エチレン、プロピレン、ブテン、イソブチレン、ペンテン、ヘプテン、ジイソブチレン、オクテン、ドデセンおよびオクタデセン等のオレフィン、ブタジエンおよびイソプレン等のジエン;
(c)炭素数5〜15の脂環族エチレン性不飽和単量体:
シクロペンタジエン、ピネン、リモネン、インデン、ビシクロペンタジエン、エチリデンノルボルネン等;
(d)炭素数1〜50のアルキル基を有するアルキル(メタ)アクリレート:メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ドデシル(メタ)アクリレート、ヘキサデシル(メタ)アクリレート
、ヘプタデシル(メタ)アクリレート、エイコシル(メタ)アクリレート等;
(e)ヒドロキシル基または(ポリ)オキシアルキレン基(分子量44〜2000)を有するエチレン性不飽和単量体(前記α、β−不飽和カルボン酸)のエステル:
ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートおよびヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート等のヒドロキシアルキル(炭素数2〜6)(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコール(分子量300)モノ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコール(分子量500)モノ(メタ)アクリレート、メチルアルコールエチレンオキサイド10モル付加物(メタ)アクリレートおよびラウリルアルコールエチレンオキサイド30モル付加物(メタ)アクリレート等の(ポリ)オキシアルキレン基(分子量44〜2000、アルキレン基の炭素数2〜4)を有する(メタ)アクリレート並びにこれらに相当する(メタ)アクリレート以外の前記α、β−不飽和カルボン酸エステル;
(f)アミド含有エチレン性不飽和単量体:
(メタ)アクリルアミド、N−メチロール(メタ)アクリルアミド等;
(g)スルホン基または硫酸エステル基含有単量体:
ビニルスルホン酸、(メタ)アリルスルホン酸、2−ヒドロキシ−3−(メタ)アリロキシプロパンスルホン酸、スチレンスルホン酸、α−メチルスチレンスルホン酸、スルホプロピル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシ−3−(メタ)アクリロキシプロパンスルホン酸、2−(メタ)アクリロイルアミノ−2,2−ジメチルエタンスルホン酸および2−(メタ)アクリロイルオキシエタンスルホン酸等のスルホン基含有単量体、ポリオキシアルキレンモノ(メタ)アクリレートの硫酸エステル化物(該オキシアルキレンは炭素数2〜4のオキシアルキレンの1種または2種以上の混合物であり、2種以上の混合物の場合、ランダム、ブロックのいずれでもよく、付加モル数は通常1〜30である)等。
(a)芳香族エチレン性不飽和単量体:
スチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエンおよびヒドロキシスチレン等のスチレン類、ジクロルスチレン等のスチレン類のハロゲン置換体、ビニルナフタレン類等;
(b)炭素数2〜20の脂肪族エチレン性不飽和単量体:
エチレン、プロピレン、ブテン、イソブチレン、ペンテン、ヘプテン、ジイソブチレン、オクテン、ドデセンおよびオクタデセン等のオレフィン、ブタジエンおよびイソプレン等のジエン;
(c)炭素数5〜15の脂環族エチレン性不飽和単量体:
シクロペンタジエン、ピネン、リモネン、インデン、ビシクロペンタジエン、エチリデンノルボルネン等;
(d)炭素数1〜50のアルキル基を有するアルキル(メタ)アクリレート:メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ドデシル(メタ)アクリレート、ヘキサデシル(メタ)アクリレート
、ヘプタデシル(メタ)アクリレート、エイコシル(メタ)アクリレート等;
(e)ヒドロキシル基または(ポリ)オキシアルキレン基(分子量44〜2000)を有するエチレン性不飽和単量体(前記α、β−不飽和カルボン酸)のエステル:
ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートおよびヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート等のヒドロキシアルキル(炭素数2〜6)(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコール(分子量300)モノ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコール(分子量500)モノ(メタ)アクリレート、メチルアルコールエチレンオキサイド10モル付加物(メタ)アクリレートおよびラウリルアルコールエチレンオキサイド30モル付加物(メタ)アクリレート等の(ポリ)オキシアルキレン基(分子量44〜2000、アルキレン基の炭素数2〜4)を有する(メタ)アクリレート並びにこれらに相当する(メタ)アクリレート以外の前記α、β−不飽和カルボン酸エステル;
(f)アミド含有エチレン性不飽和単量体:
(メタ)アクリルアミド、N−メチロール(メタ)アクリルアミド等;
(g)スルホン基または硫酸エステル基含有単量体:
ビニルスルホン酸、(メタ)アリルスルホン酸、2−ヒドロキシ−3−(メタ)アリロキシプロパンスルホン酸、スチレンスルホン酸、α−メチルスチレンスルホン酸、スルホプロピル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシ−3−(メタ)アクリロキシプロパンスルホン酸、2−(メタ)アクリロイルアミノ−2,2−ジメチルエタンスルホン酸および2−(メタ)アクリロイルオキシエタンスルホン酸等のスルホン基含有単量体、ポリオキシアルキレンモノ(メタ)アクリレートの硫酸エステル化物(該オキシアルキレンは炭素数2〜4のオキシアルキレンの1種または2種以上の混合物であり、2種以上の混合物の場合、ランダム、ブロックのいずれでもよく、付加モル数は通常1〜30である)等。
(B1)におけるα,β−不飽和カルボン酸類/他の単量体のモル比は、通常100/0〜50/50、好ましくは100/0〜70/30である。
本発明の洗浄剤組成物は、(A)と(B)のうち、(A)のみを含む場合、(B)のみを含む場合、並びに(A)と(B)の両方を含む場合の3つの場合がある。このうち、(A)と(B)の両方を含む場合の(A)に対する(B)の重量比(B)/(A)は、洗浄性の観点から、好ましくは10以下、さらに好ましくは7以下である。
本発明における親水性有機溶剤(C)としては、20℃における水に対する溶解度(g/100gH2O)が3以上、好ましくは10以上のものであり、下記の(C1)〜(C7)の化合物が挙げられる。
(C1);グリコール系溶媒
例えば、一般式(5)で示される化合物が挙げられる。
R8O(CnH2nO)mR9 (5)
式中、R8は炭素数1〜18のアルキル基、炭素数2〜18のアルケニル基、炭素数7〜24のアルキルフェニル基またはフェニル基、R9は水素原子または炭素数1〜4のアルキル基もしくは総炭素数1〜4のアシル基、mは1〜10、好ましくは1もしくは2の整数、nは2〜4の整数、好ましくは2もしくは3である。
例えば、一般式(5)で示される化合物が挙げられる。
R8O(CnH2nO)mR9 (5)
式中、R8は炭素数1〜18のアルキル基、炭素数2〜18のアルケニル基、炭素数7〜24のアルキルフェニル基またはフェニル基、R9は水素原子または炭素数1〜4のアルキル基もしくは総炭素数1〜4のアシル基、mは1〜10、好ましくは1もしくは2の整数、nは2〜4の整数、好ましくは2もしくは3である。
(5)式におけるCnH2nOは、オキシエチレン、オキシプロピレン、オキシブチレンを表し、式中のmが2以上の場合は、単独、ランダムまたはブロックのいずれでもよい。
R8のうち、アルキル基またはアルケニル基としては、前述のR1で例示した基、アルキルフェニル基としては、オクチルフェニル基およびノニルフェニル基などが挙げられ、好ましいのはメチル基およびエチル基である。R9としては前述の炭素数1〜4のアルキル基、並びにホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基およびイソブチリル基が挙げられ、好ましいのはメチル基およびエチル基である。
一般式(5)で示されるグリコール系溶媒の具体例としては、モノアルキルエーテル{エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノn−ヘキシルエーテルおよびジエチレングリコールモノ2−エチルヘキシルエーテル(以下、2−HCEと略記)など}、ジアルキルエーテル{エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル(以下、DEDEと略記)、ジエチレングリコールジn−ブチルエーテル、ジエチレングリコールイソプロピルメチルエーテル(以下、DEIMと略記)、ジエチレングリコールn−ブチルメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールn−プロピルメチルエーテルおよびジプロピレングリコールn−ブチルメチルエーテルなど}、並びにアルキルフェニルアルキルエーテル{ジエチレングリコールn−オクチルフェニルメチルエーテルおよびジエチレングリコールノニルフェニルメチルエーテルなど}が挙げられる。
(C2);3価以上の多価アルコールのモノ、ジ、トリもしくはテトラアルキルエーテルなど
3価以上の多価アルコールとしては、例えば、脂肪族多価アルコール(例えば、グリセリン、トリメチロールエタン、トリメチロールプロパン、ジグリセリン、トリグリセリン、テトラグリセリン、ペンタグリセリン、ペンタエリスリトール、ソルビトールなど)、糖類{例えば、グルコース、ショ糖、キシリトール、シュークロース、セルロース系化合物(例えば、メチルセルロース、エチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、エチルヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロースおよびそれらのケン化物など)、ゼラチン、デンプン、デキストリン、キチン、キトサンなど}、トリスフェノール類(例えば、トリスフェノールPAなど)、ノボラック樹脂(例えば、フェノールノボラック、クレゾールノボラックなど)、ポリフェノール、その他の水酸基を有するポリマー[例えば、ポリビニルアルコール、アクリルポリオール{例えば、ポリヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートと他のビニル系モノマーの共重合物など}など]など、並びにこれらのAO付加物(付加モル数1〜7モル)などが挙げられる。
(C2)の具体例としては、グリセリンモノメチルエーテル、トリメチロールプロパンモノメチルエーテルおよびペンタエリスリトールジメチルエーテルなどが挙げられる。
3価以上の多価アルコールとしては、例えば、脂肪族多価アルコール(例えば、グリセリン、トリメチロールエタン、トリメチロールプロパン、ジグリセリン、トリグリセリン、テトラグリセリン、ペンタグリセリン、ペンタエリスリトール、ソルビトールなど)、糖類{例えば、グルコース、ショ糖、キシリトール、シュークロース、セルロース系化合物(例えば、メチルセルロース、エチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、エチルヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロースおよびそれらのケン化物など)、ゼラチン、デンプン、デキストリン、キチン、キトサンなど}、トリスフェノール類(例えば、トリスフェノールPAなど)、ノボラック樹脂(例えば、フェノールノボラック、クレゾールノボラックなど)、ポリフェノール、その他の水酸基を有するポリマー[例えば、ポリビニルアルコール、アクリルポリオール{例えば、ポリヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートと他のビニル系モノマーの共重合物など}など]など、並びにこれらのAO付加物(付加モル数1〜7モル)などが挙げられる。
(C2)の具体例としては、グリセリンモノメチルエーテル、トリメチロールプロパンモノメチルエーテルおよびペンタエリスリトールジメチルエーテルなどが挙げられる。
(C3)窒素原子含有親水性溶媒
例えば、ピロリドン系溶媒(例えば、N−メチルピロリドン、N−エチルピロリドン、2−ピロリドンなど)、ホルムアミド系溶剤(例えば、N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、N−エチルホルムアミド、N,N−ジエチルホルムアミドなど)、アセトアミド系溶剤(例えば、N−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−エチルアセトアミド、N,N−ジエチルアセトアミドなど)、プロピオンアミド系溶剤(例えば、N,N−ジメチルプロピオンアミドなど)、オキサゾリジノン系溶剤(例えば、N−メチル−2−オキサゾリジノン、3,5−ジメチル−2−オキサゾリジノンなど)、ニトリル系溶剤(例えば、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、アクリロニトリル、メタクリルニトリル、ベンゾニトリルなど)およびヘキサメチルホスホリルアミドなどが挙げられる。
(C4)ラクトン系親水性溶媒
例えば、炭素数3〜12のラクトン(γ−ブチロラクトン、α−アセチル−γ−ブチロラクトン、β−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、δ−バレロラクトンなど)などが挙げられる。
(C5)ケトン系親水性溶媒
例えば、アセトン、ジエチルケトン、アセトフェノン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、ジアセトンアルコールなどが挙げられる。
(C6)環状エーテル系親水性溶媒
例えば、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピランなどが挙げられる。
(C7)硫黄原子含有親水性溶媒
ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシドおよびスルホランなどが挙げられる。
例えば、ピロリドン系溶媒(例えば、N−メチルピロリドン、N−エチルピロリドン、2−ピロリドンなど)、ホルムアミド系溶剤(例えば、N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、N−エチルホルムアミド、N,N−ジエチルホルムアミドなど)、アセトアミド系溶剤(例えば、N−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−エチルアセトアミド、N,N−ジエチルアセトアミドなど)、プロピオンアミド系溶剤(例えば、N,N−ジメチルプロピオンアミドなど)、オキサゾリジノン系溶剤(例えば、N−メチル−2−オキサゾリジノン、3,5−ジメチル−2−オキサゾリジノンなど)、ニトリル系溶剤(例えば、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、アクリロニトリル、メタクリルニトリル、ベンゾニトリルなど)およびヘキサメチルホスホリルアミドなどが挙げられる。
(C4)ラクトン系親水性溶媒
例えば、炭素数3〜12のラクトン(γ−ブチロラクトン、α−アセチル−γ−ブチロラクトン、β−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、δ−バレロラクトンなど)などが挙げられる。
(C5)ケトン系親水性溶媒
例えば、アセトン、ジエチルケトン、アセトフェノン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、ジアセトンアルコールなどが挙げられる。
(C6)環状エーテル系親水性溶媒
例えば、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピランなどが挙げられる。
(C7)硫黄原子含有親水性溶媒
ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシドおよびスルホランなどが挙げられる。
(C)のうち、好ましいのは、洗浄性の観点から、(C1)、(C3)および(C7)、特に(C1)および(C7)である。
本発明におけるアルカリ成分(D)としては、(D1)金属水酸化物[アルカリ金属水酸化物(例えば、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなど)、アルカリ土類金属水酸化物(水酸化カルシウム、水酸化マグネシウム、水酸化バリウムなど)など]、(D2)炭酸塩[アルカリ金属塩(例えば、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなど)、アルカリ土類金属塩(例えば、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸バリウムなど)]、(D3)リン酸塩[アルカリ金属塩(例えば、ピロリン酸ナトリウム、ピロリン酸カリウム、トリポリリン酸ナトリウム、トリポリリン酸カリウムなど)、アルカリ土類金属塩(例えば、ピロリン酸カルシウム、ピロリン酸マグネシウム、ピロリン酸バリウム、トリポリリン酸カルシウム、トリポリリン酸マグネシウム、トリポリリン酸バリウムなど)]、(D4)ケイ酸塩[アルカリ金属塩(例えば、ケイ酸ナトリウム、ケイ酸カリウムなど)、アルカリ土類金属塩(例えば、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、ケイ酸バリウムなど)]、(D5)アンモニア、(D6)ヒドロキシルアミン、(D7)下記一般式(6)で表される有機アルカリおよびこれらの混合物などが挙げられる。
式中、R10、R11、R12およびR13は、それぞれ炭素数1〜24の炭化水素基または−(R14O)p−Hで表される基であり、R14は炭素数2〜4のアルキレン基、pは1〜6の整数を表す。]
一般式(6)において、R10、R11、R12およびR13としては、直鎖もしくは分岐の飽和または不飽和炭化水素基、脂環式炭化水素基および芳香環含有炭化水素基などが挙げられる。直鎖もしくは分岐の飽和炭化水素基としては、アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、n−、i−、sec−およびt−ブチル基、オクチル基、2−エチルへキシル基、オクタデシル基など);直鎖もしくは分岐の不飽和炭化水素基としては、アルケニル基(例えば、ビニル基、プロペニル基、アリル基、ブテニル基など);脂環式炭化水素基としては、シクロアルキル基(例えば、シクロヘキシル基など)など;芳香環含有炭化水素基としては、アリール基(例えば、フェニル基、ナフチル基など);アラルキル基(例えば、ベンジル基、フェネチル基など);アルキルアリール基(例えば、メチルフェニル基、エチルフェニル基、ノニルフェニル基、メチルナフチル基、エチルナフチル基など)などが挙げられる。これらの炭化水素基の中では、洗浄性の観点から好ましいのはアルキル基、アルケニル基である。
R10、R11、R12およびR13の炭素数は、通常1〜24であり、洗浄性(または剥離性、以下同じ)の観点から、好ましくは1〜14である。
またR14としては、例えばエチレン基、プロピレン基、ブチレン基などの炭素数2〜4のアルキレン基が挙げられる。pは1〜6(好ましくは1〜3)の整数である。
またR14としては、例えばエチレン基、プロピレン基、ブチレン基などの炭素数2〜4のアルキレン基が挙げられる。pは1〜6(好ましくは1〜3)の整数である。
一般式(6)で示される有機アルカリ(D7)の具体例としては、下記(1)〜(4)のテトラアルキルアンモニウムカチオン、ハイドロカルビル基を有するアンモニウムカチオンおよび下記(5)のオキシアルキレン基を有するアンモニウムカチオンとハイドロオキサイドアニオンとの塩およびこれら塩の混合物が挙げられる。
(1)炭素数1〜6のアルキル基を4個含むカチオン
[例えば、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラ(n−またはi−)プロピルアンモニウム、テトラ(n−、i−またはt−)ブチルアンモニウム、テトラペンチルアンモニウム、テトラヘキシルアンモニウム、トリメチルエチルアンモニウムおよびテトラエチルアンモニウムなど];
(2)炭素数1〜6のアルキル基を3個と炭素数7〜24のハイドロカルビル基を1個含むカチオン
[例えば、トリメチルへプチルアンモニウム、トリメチルオクチルアンモニウム、トリメチルデシルアンモニウム、トリメチルドデシルアンモニウム、トリメチルステアリルアンモニウム、トリメチルベンジルアンモニウム、トリエチルへキシルアンモニウム、トリエチルオクチルアンモニウム、トリエチルステアリルアンモニウム、トリエチルベンジルアンモニウム、トリブチルアンモニウム、トリブチルオクチルアンモニウムおよびトリへキシルステアリルアンモニウムなど];
(3)炭素数1〜6のアルキル基を2個と炭素数7〜24のハイドロカルビル基を2個含むカチオン
[例えば、ジメチルジオクチルアンモニウム、ジエチルジオクチルアンモニウムおよびジメチルジベンジルアンモニウムなど];
(4)炭素数1〜6のアルキル基を1個と炭素数7〜24のハイドロカルビル基を3個含むカチオン
[例えば、メチルトリオクチルアンモニウム、エチルトリオクチルアンモニウムおよびメチルオクチルジベンジルアンモニウムなど]。
(1)炭素数1〜6のアルキル基を4個含むカチオン
[例えば、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラ(n−またはi−)プロピルアンモニウム、テトラ(n−、i−またはt−)ブチルアンモニウム、テトラペンチルアンモニウム、テトラヘキシルアンモニウム、トリメチルエチルアンモニウムおよびテトラエチルアンモニウムなど];
(2)炭素数1〜6のアルキル基を3個と炭素数7〜24のハイドロカルビル基を1個含むカチオン
[例えば、トリメチルへプチルアンモニウム、トリメチルオクチルアンモニウム、トリメチルデシルアンモニウム、トリメチルドデシルアンモニウム、トリメチルステアリルアンモニウム、トリメチルベンジルアンモニウム、トリエチルへキシルアンモニウム、トリエチルオクチルアンモニウム、トリエチルステアリルアンモニウム、トリエチルベンジルアンモニウム、トリブチルアンモニウム、トリブチルオクチルアンモニウムおよびトリへキシルステアリルアンモニウムなど];
(3)炭素数1〜6のアルキル基を2個と炭素数7〜24のハイドロカルビル基を2個含むカチオン
[例えば、ジメチルジオクチルアンモニウム、ジエチルジオクチルアンモニウムおよびジメチルジベンジルアンモニウムなど];
(4)炭素数1〜6のアルキル基を1個と炭素数7〜24のハイドロカルビル基を3個含むカチオン
[例えば、メチルトリオクチルアンモニウム、エチルトリオクチルアンモニウムおよびメチルオクチルジベンジルアンモニウムなど]。
(5)オキシアルキレン基を有するアンモニウムカチオン
(i)オキシアルキレン基を1個有するカチオン[例えば、ヒドロキシエチルトリメチルアミンカチオン、ヒドロキシエチルトリエチルアミンカチオン、ヒドロキシプロピルトリメチルアミンカチオン、ヒドロキシプロピルトリエチルアミンカチオン、ヒドロキシエチルジメチルエチルアミンカチオンおよびヒドロキシエチルジメチルオクチルアミンカチオンなど];
(ii)オキシアルキレン基を2個有するカチオン[例えば、ジヒドロキシエチルジメチルアミンカチオン、ジヒドロキシエチルジエチルアミンカチオン、ジヒドロキシプロピルジメチルアミンカチオン、ジヒドロキシプロピルジエチルアミンカチオン、ジヒドロキシエチルメチルエチルアミンカチオン、ジヒドロキシエチルメチルオクチルアミンカチオンおよびビス(2−ヒドロキシエトキシエチル)オクチルアミンカチオンなど];
(iii)オキシアルキレン基を3個有するカチオン[例えば、トリヒドロキシエチルメチルアミンカチオン、トリヒドロキシエチルエチルアミンカチオン、トリヒドロキシエチルブチルアミンカチオン、トリヒドロキシプロピルメチルアミンカチオン、トリヒドロキシプロピルエチルアミンカチオンおよびトリヒドロキシエチルオクチルアミンカチオンなど]。
(i)オキシアルキレン基を1個有するカチオン[例えば、ヒドロキシエチルトリメチルアミンカチオン、ヒドロキシエチルトリエチルアミンカチオン、ヒドロキシプロピルトリメチルアミンカチオン、ヒドロキシプロピルトリエチルアミンカチオン、ヒドロキシエチルジメチルエチルアミンカチオンおよびヒドロキシエチルジメチルオクチルアミンカチオンなど];
(ii)オキシアルキレン基を2個有するカチオン[例えば、ジヒドロキシエチルジメチルアミンカチオン、ジヒドロキシエチルジエチルアミンカチオン、ジヒドロキシプロピルジメチルアミンカチオン、ジヒドロキシプロピルジエチルアミンカチオン、ジヒドロキシエチルメチルエチルアミンカチオン、ジヒドロキシエチルメチルオクチルアミンカチオンおよびビス(2−ヒドロキシエトキシエチル)オクチルアミンカチオンなど];
(iii)オキシアルキレン基を3個有するカチオン[例えば、トリヒドロキシエチルメチルアミンカチオン、トリヒドロキシエチルエチルアミンカチオン、トリヒドロキシエチルブチルアミンカチオン、トリヒドロキシプロピルメチルアミンカチオン、トリヒドロキシプロピルエチルアミンカチオンおよびトリヒドロキシエチルオクチルアミンカチオンなど]。
アルカリ成分(D)のうち、洗浄性とリンス性の観点から、好ましいのは(D1)および(D7)、特に好ましくは(D7)である。
(D1)のうち洗浄性の観点から好ましいのは、アルカリ金属水酸化物、更に好ましいのは水酸化ナトリウムおよび水酸化カリウムである。
(D7)のうち、洗浄性とリンス性の観点から好ましいのは、テトラハイドロカルビルアンモニウムカチオンのハイドロオキサイドアニオン塩であり、さらに好ましいのは、上記(1)および(2)、特に好ましいのは(1)、最も好ましいのはテトラメチルアンモニウムカチオン、テトラエチルアンモニウムカチオンのハイドロオキサイドアニオン塩およびこれらの併用である。
(D1)のうち洗浄性の観点から好ましいのは、アルカリ金属水酸化物、更に好ましいのは水酸化ナトリウムおよび水酸化カリウムである。
(D7)のうち、洗浄性とリンス性の観点から好ましいのは、テトラハイドロカルビルアンモニウムカチオンのハイドロオキサイドアニオン塩であり、さらに好ましいのは、上記(1)および(2)、特に好ましいのは(1)、最も好ましいのはテトラメチルアンモニウムカチオン、テトラエチルアンモニウムカチオンのハイドロオキサイドアニオン塩およびこれらの併用である。
本発明の洗浄剤組成物は、前記(A)、(B)、(C)および(D)の合計重量に基づいて、(A)および(B)の合計を好ましくは0.01〜10重量%、さらに好ましくは0.1〜8重量%、(C)を好ましくは10〜99.89重量%、さらに好ましくは15〜90重量%、並びに(D)を好ましくは0.1〜30重量%、さらに好ましくは1〜25重量%含有する。
本発明における洗浄剤は水を含有していてもよい。水としては、水道水、工業用水、地下水、蒸留水、イオン交換水、超純水など特に限定はないが、好ましくはイオン交換水、超純水である。
本発明の洗浄剤組成物には、さらに洗浄力を高めるために、必要により、他の界面活性剤(H)の1種または2種以上を含有してもよい。
他の界面活性剤(H)としては以下のものが挙げられる。
(H1)ノニオン性界面活性剤[脂肪族アルコール(炭素数8〜24)AO(炭素数2〜8)付加物、多価(2価〜10価またはそれ以上)アルコール脂肪酸(炭素数8〜24)エステル、脂肪酸(炭素数8〜24)アルカノールアミド、(ポリ)オキシアルキレン(炭素数2〜8)アルキル(炭素数1〜22)フェニルエーテル、(ポリ)オキシアルキレン(炭素数2〜8)アルキル(炭素数8〜24)アミン、並びにアルキル(炭素数8〜24)ジアルキル(炭素数1〜6)アミンオキシド]、
(H2)カチオン性界面活性剤[(A)以外の第4級アンモニウム塩型カチオン性界面活性剤およびアミン塩型カチオン性界面活性剤]、(H3)両性界面活性剤[ベタイン型両性界面活性剤およびアミノ酸型両性界面活性剤]、並びに(H4)高分子型界面活性剤[ポリビニルアルコール、デンプンおよびその誘導体、カルボキシメチルセルロース、メチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロースなどのセルロース誘導体、特開平11−193305号公報記載のもの、並びに特開平7−133423号公報および特開平8−120041号公報に記載のウレタン結合もしくはエステル結合を有する高分子型分散剤など]が挙げられる。
これらの界面活性剤のうちで好ましいものは、ノニオン性界面活性剤および高分子型界面活性剤であり、さらに好ましいものはノニオン性界面活性剤である。
他の界面活性剤(H)の含有量は、(A)、(B)、(C)および(D)の合計重量に基づいて好ましくは5重量%以下、さらに好ましくは2重量%以下である。
他の界面活性剤(H)の含有量は、(A)、(B)、(C)および(D)の合計重量に基づいて好ましくは5重量%以下、さらに好ましくは2重量%以下である。
本発明の洗浄剤組成物において、(A)〜(H)以外の成分は、水のみ、または水と(C)以外の親水性有機溶媒の混合溶媒であり、好ましいのは水のみの場合である。
混合溶媒の場合の、(C)以外の親水性有機溶媒としては、炭素数1〜4の低級アルコ−ル(メタノール、エタノール、n−およびiso−プロパノール、n−、iso−、sec−およびt−ブタノール)、総炭素数3〜6の脂肪族カルボン酸アルキルエステル(酢酸メチル、酢酸エチルなど)および総炭素数3〜4のケトン類(アセトン、メチルエチルケトンなど)が挙げられ、水と親水性有機溶媒の重量比率は好ましくは30/70〜99.9/0.1である。
混合溶媒の場合の、(C)以外の親水性有機溶媒としては、炭素数1〜4の低級アルコ−ル(メタノール、エタノール、n−およびiso−プロパノール、n−、iso−、sec−およびt−ブタノール)、総炭素数3〜6の脂肪族カルボン酸アルキルエステル(酢酸メチル、酢酸エチルなど)および総炭素数3〜4のケトン類(アセトン、メチルエチルケトンなど)が挙げられ、水と親水性有機溶媒の重量比率は好ましくは30/70〜99.9/0.1である。
本発明の洗浄剤組成物において、洗浄剤組成物の重量に基づく(A)〜(H)の合計の含有量は、好ましくは50重量%以上、さらに好ましくは70重量%以上である。
本発明の洗浄剤が適用できる用途は特に限定はなく、各種の電子部品および電気部品などの洗浄に使用される。
具体的には、例えば液晶パネル用ガラス基板(不具合カラーフィルター上のカラーレジストおよびブラックマトリクスの剥離洗浄、配向膜パターン化の前の洗浄、不具合配向膜の剥離洗浄)、プリント配線基板、半導体基板、プラズマディスプレイガラス基板、サーマルヘッドなどの電子部品などが挙げられる。
また、洗浄の対象物(汚れ)は、油分、指紋、樹脂、有機パーティクルなどの有機物、無機パーティクル(例えば、ガラス粉、セラミック粉、金属粉など)などの無機物が挙げられる。
具体的には、例えば液晶パネル用ガラス基板(不具合カラーフィルター上のカラーレジストおよびブラックマトリクスの剥離洗浄、配向膜パターン化の前の洗浄、不具合配向膜の剥離洗浄)、プリント配線基板、半導体基板、プラズマディスプレイガラス基板、サーマルヘッドなどの電子部品などが挙げられる。
また、洗浄の対象物(汚れ)は、油分、指紋、樹脂、有機パーティクルなどの有機物、無機パーティクル(例えば、ガラス粉、セラミック粉、金属粉など)などの無機物が挙げられる。
本発明の洗浄剤を用いて、例えば液晶パネル用ガラス基板の配向膜を剥離洗浄する方法としては、超音波洗浄、シャワー洗浄、スプレー洗浄、浸漬、浸漬揺動およびこれらの組み合わせによる洗浄方法が適用できる。
洗浄時の本発明の洗浄剤は、必要によりさらに水で稀釈されて使用されてもよいが、好ましいのは水の含有量が5〜95重量%、さらに好ましくは10〜80重量%の範囲内である。
洗浄時の本発明の洗浄剤は、必要によりさらに水で稀釈されて使用されてもよいが、好ましいのは水の含有量が5〜95重量%、さらに好ましくは10〜80重量%の範囲内である。
洗浄温度は、通常10〜80℃、好ましくは15〜70℃程度である。洗浄時間は通常0.2〜120分、好ましくは0.5〜30分である。水によるリンス温度は、通常5〜90℃、好ましくは10〜70℃であり、リンス方法としては上記洗浄方法と同じ方法が適用できる。リンス後通常50〜150℃、好ましくは60〜100℃で通常1〜120分間、好ましくは3〜60分間加熱乾燥することにより清浄な液晶パネル用ガラス基板が得られ、再生使用することができる。
[実施例]
以下に実施例および比較例をあげ本発明を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
以下に実施例および比較例をあげ本発明を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
製造例1
温度計、加熱冷却装置、撹拌機、滴下ロートおよびストリッピング装置を備えたステンレス製耐圧容器にメタノール191部とジメチルカーボネート350部を仕込み、窒素置換後密閉し、120℃に昇温した。撹拌下、ジメチルオクチルアミン470部を滴下し、120℃で3時間撹拌し、オクチルトリメチルアンモニウム・メチルカーボネート塩のメタノール溶液(逆エプトン法によるカチオン含量:70%)を得た。次に40℃に冷却した後、オクタン酸431部を発泡に注意しながら徐々に滴下した。その後、徐々に昇温してメタノールおよびジメチルカーボネートを常圧下100℃になるまで留去しながらアニオン交換反応して、固体状のオクチルトリメチルアンモニウム・オクタン酸塩(A−1)を得た。
温度計、加熱冷却装置、撹拌機、滴下ロートおよびストリッピング装置を備えたステンレス製耐圧容器にメタノール191部とジメチルカーボネート350部を仕込み、窒素置換後密閉し、120℃に昇温した。撹拌下、ジメチルオクチルアミン470部を滴下し、120℃で3時間撹拌し、オクチルトリメチルアンモニウム・メチルカーボネート塩のメタノール溶液(逆エプトン法によるカチオン含量:70%)を得た。次に40℃に冷却した後、オクタン酸431部を発泡に注意しながら徐々に滴下した。その後、徐々に昇温してメタノールおよびジメチルカーボネートを常圧下100℃になるまで留去しながらアニオン交換反応して、固体状のオクチルトリメチルアンモニウム・オクタン酸塩(A−1)を得た。
製造例2
製造例1と同様にして得られたオクチルトリメチルアンモニウム・メチルカーボネート塩のメタノール溶液919部にモノオクチルリン酸628部を40℃以下で発泡に注意しながら徐々に滴下した。その後、徐々に昇温してメタノールおよびジメチルカーボネートを常圧下100℃になるまで留去しながらアニオン交換して、固体状のオクチルトリメチルアンモニウム・オクチルリン酸塩(A−2)を得た。
製造例1と同様にして得られたオクチルトリメチルアンモニウム・メチルカーボネート塩のメタノール溶液919部にモノオクチルリン酸628部を40℃以下で発泡に注意しながら徐々に滴下した。その後、徐々に昇温してメタノールおよびジメチルカーボネートを常圧下100℃になるまで留去しながらアニオン交換して、固体状のオクチルトリメチルアンモニウム・オクチルリン酸塩(A−2)を得た。
製造例3
撹拌装置、温度制御装置、液相窒素通気兼液中滴下用器具を取り付けた0.3Lの4ツ口フラスコに、オクチルアルコール130gを仕込み、攪拌速度400rpm、窒素通気量100ml/m、10〜20℃にて、クロロ硫酸128gを2時間かけて滴下した後、同温度にて更に2時間熟成し、高粘度液状の硫酸エステル化物(A−3a)を得た。製造例1と同様にして得られたオクチルトリメチルアンモニウム・メチルカーボネート塩のメタノール溶液318部に(A−3a)189部を40℃以下で発泡に注意しながら徐々に滴下した。その後、徐々に昇温してメタノールおよびジメチルカーボネートを常圧下100℃になるまで留去しながらアニオン交換して、固体状のオクチルトリメチルアンモニウム・オクチル硫酸塩(A−3)を得た。
撹拌装置、温度制御装置、液相窒素通気兼液中滴下用器具を取り付けた0.3Lの4ツ口フラスコに、オクチルアルコール130gを仕込み、攪拌速度400rpm、窒素通気量100ml/m、10〜20℃にて、クロロ硫酸128gを2時間かけて滴下した後、同温度にて更に2時間熟成し、高粘度液状の硫酸エステル化物(A−3a)を得た。製造例1と同様にして得られたオクチルトリメチルアンモニウム・メチルカーボネート塩のメタノール溶液318部に(A−3a)189部を40℃以下で発泡に注意しながら徐々に滴下した。その後、徐々に昇温してメタノールおよびジメチルカーボネートを常圧下100℃になるまで留去しながらアニオン交換して、固体状のオクチルトリメチルアンモニウム・オクチル硫酸塩(A−3)を得た。
実施例1〜10、比較例1〜4
表1に記載の部数(純分表示)の各成分を、1Lのビーカー中で室温で十分に撹拌・混合して実施例および比較例の洗浄剤を作製した。
表1中の略号は下記の通りである。
A−1:オクチルトリメチルアンモニウム・オクタン酸塩
A−2:オクチルトリメチルアンモニウム・オクチルリン酸塩
A−3:オクチルトリメチルアンモニウム・オクチル硫酸塩
B−1:エチレンジアミン四酢酸四ナトリウム
B−2:クエン酸三カリウム
B−3:ポリアクリル酸(数平均分子量:約10,000)ナトリウム
C−1:ジエチレングリコールジエチルエーテル
C−2:ジエチレングリコールモノメチルエーテル
C−3:ジメチルスルホキシド
D−1:テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド
D−2:テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイド
D−3:水酸化カリウム
表1に記載の部数(純分表示)の各成分を、1Lのビーカー中で室温で十分に撹拌・混合して実施例および比較例の洗浄剤を作製した。
表1中の略号は下記の通りである。
A−1:オクチルトリメチルアンモニウム・オクタン酸塩
A−2:オクチルトリメチルアンモニウム・オクチルリン酸塩
A−3:オクチルトリメチルアンモニウム・オクチル硫酸塩
B−1:エチレンジアミン四酢酸四ナトリウム
B−2:クエン酸三カリウム
B−3:ポリアクリル酸(数平均分子量:約10,000)ナトリウム
C−1:ジエチレングリコールジエチルエーテル
C−2:ジエチレングリコールモノメチルエーテル
C−3:ジメチルスルホキシド
D−1:テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド
D−2:テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイド
D−3:水酸化カリウム
実施例および比較例で得られた洗浄剤の評価試験方法を以下に示し、評価結果を表1に示す。
1.カラーレジストの剥離性
ガラス基板上にカラーレジストおよびブラックマトリクス(BM)が形成された液晶ディスプレイ用カラーフィルター(25×25mm、厚さ0.75mm)を洗浄剤(60℃)に所定時間(5分、10分または60分)浸漬後、試験片をステンレス網かごの上に置きイオン交換水で1分間シャワーリンスし、さらに裏側の面についても同様にリンスした。次に、試験片を70℃の循風乾燥機中で10分間乾燥後、顕微鏡で観察して配向膜剥離性を次の5段階で評価した。
<評価基準>
5:ガラス基板面にカラーレジストおよびBMが全くなし。
4:ガラス基板面にカラーレジストまたはBMが痕跡程度残っている。
3:ガラス基板面の一部にカラーレジストまたはBMが少し残っている。
2:ガラス基板面の大部分にカラーレジストまたはBMが残っている。
1:ガラス基板全面にカラーレジストまたはBMが残っている。
ガラス基板上にカラーレジストおよびブラックマトリクス(BM)が形成された液晶ディスプレイ用カラーフィルター(25×25mm、厚さ0.75mm)を洗浄剤(60℃)に所定時間(5分、10分または60分)浸漬後、試験片をステンレス網かごの上に置きイオン交換水で1分間シャワーリンスし、さらに裏側の面についても同様にリンスした。次に、試験片を70℃の循風乾燥機中で10分間乾燥後、顕微鏡で観察して配向膜剥離性を次の5段階で評価した。
<評価基準>
5:ガラス基板面にカラーレジストおよびBMが全くなし。
4:ガラス基板面にカラーレジストまたはBMが痕跡程度残っている。
3:ガラス基板面の一部にカラーレジストまたはBMが少し残っている。
2:ガラス基板面の大部分にカラーレジストまたはBMが残っている。
1:ガラス基板全面にカラーレジストまたはBMが残っている。
2.配向膜剥離性
予めITO膜(インジウム・スズ酸化膜)が成膜されたガラス基板(25×25mm、厚さ0.75mm)の上にポリイミド樹脂を塗布し、80℃で焼き付ける作業を3回繰り返し、半焼性の垂直配向ポリイミド膜(膜厚5μm)が密着したガラス基板試験片を作成した。試験片を洗浄剤(50℃)に所定時間(1分、2分または30分)浸漬後、試験片をステンレス網かごの上に置きイオン交換水で1分間シャワーリンスし、さらに裏側の面についても同様にリンスした。次に、試験片を70℃の循風乾燥機中で10分間乾燥後、顕微鏡で観察して配向膜剥離性を次の5段階で評価した。
<評価基準>
5:ガラス基板面に配向膜が全くなし。
4:ガラス基板面に配向膜が痕跡程度残っている。
3:ガラス基板面の一部に配向膜が少し残っている。
2:ガラス基板面の大部分に配向膜が残っている。
1:ガラス基板全面に配向膜が残っている。
予めITO膜(インジウム・スズ酸化膜)が成膜されたガラス基板(25×25mm、厚さ0.75mm)の上にポリイミド樹脂を塗布し、80℃で焼き付ける作業を3回繰り返し、半焼性の垂直配向ポリイミド膜(膜厚5μm)が密着したガラス基板試験片を作成した。試験片を洗浄剤(50℃)に所定時間(1分、2分または30分)浸漬後、試験片をステンレス網かごの上に置きイオン交換水で1分間シャワーリンスし、さらに裏側の面についても同様にリンスした。次に、試験片を70℃の循風乾燥機中で10分間乾燥後、顕微鏡で観察して配向膜剥離性を次の5段階で評価した。
<評価基準>
5:ガラス基板面に配向膜が全くなし。
4:ガラス基板面に配向膜が痕跡程度残っている。
3:ガラス基板面の一部に配向膜が少し残っている。
2:ガラス基板面の大部分に配向膜が残っている。
1:ガラス基板全面に配向膜が残っている。
3.ホトスペーサーの剥離性
予めITO膜(インジウム・スズ酸化膜)が成膜されたガラス基板上にネガ型フォトレジスト(アクリル系樹脂)にて厚み2μm、口径5μmのホトスペーサー形成し、230℃にて1時間焼き付け、試験片を作成した。試験片を洗浄剤中に60℃にて所定時間(10分、30分または60分)浸漬した後、イオン交換水で1分間シャワーリンスした。次に、試験片を70℃の循風乾燥機中で10分間乾燥後、顕微鏡で観察してホトスペーサーの剥離性を次の5段階で評価した。
<評価基準>
5:ホトスペーサーの残存なし。
4:ホトスペーサーが痕跡程度残っている。
3:ホトスペーサーが少し残っている。
2:ホトスペーサーが大部分残っている。
1:ホトスペーサーが全く除去されていない。
予めITO膜(インジウム・スズ酸化膜)が成膜されたガラス基板上にネガ型フォトレジスト(アクリル系樹脂)にて厚み2μm、口径5μmのホトスペーサー形成し、230℃にて1時間焼き付け、試験片を作成した。試験片を洗浄剤中に60℃にて所定時間(10分、30分または60分)浸漬した後、イオン交換水で1分間シャワーリンスした。次に、試験片を70℃の循風乾燥機中で10分間乾燥後、顕微鏡で観察してホトスペーサーの剥離性を次の5段階で評価した。
<評価基準>
5:ホトスペーサーの残存なし。
4:ホトスペーサーが痕跡程度残っている。
3:ホトスペーサーが少し残っている。
2:ホトスペーサーが大部分残っている。
1:ホトスペーサーが全く除去されていない。
本発明の洗浄剤組成物は、樹脂の剥離性に優れているため、例えば液晶ディスプレイ用のカラーフィルター基板上のカラーレジスト、ブラックマトリクス樹脂、ポリイミド系配向膜およびホトスペーサーなどの硬化後ホトレジストを短時間に剥離・洗浄できる。また、本発明の洗浄剤は、油分、指紋、樹脂およびパーティクルを除去する能力にも優れており、液晶パネル用ガラス基板や半導体基板をはじめとする電子部品および電気部品洗浄用途に適用が可能であり極めて有用性が高い。
Claims (10)
- 一般式(1)で示される化合物(A)および一般式(2)で示される化合物(B)からなる群から選ばれる1種以上、親水性有機溶剤(C)、並びにアルカリ成分(D)を含有する洗浄剤組成物。
R5−(COO-Z+)k (2)
[(2)式中、R5は多価カルボン酸からカルボキシル基を除いた残基;Z+はアルカリ金属カチオン、アンモニウムカチオン、1級〜3級アミンカチオン、または4個のアルキル基の炭素数がいずれも1〜4である第4級アンモニウムカチオン;kは2〜500の整数を表す。] - 一般式(1)において、Xf-を構成するf価の有機酸が、一般式(3)で示される有機酸および一般式(4)で示される有機酸からなる群から選ばれる1種以上である請求項1記載の洗浄剤組成物。
- 化合物(B)が多価カルボン酸のアルカリ金属塩である請求項1または2記載の洗浄剤組成物。
- 親水性有機溶媒(C)が、一般式(5)で示される化合物を少なくとも1種以上含有する請求項1〜3のいずれか記載の洗浄剤組成物。
R8O(CnH2nO)mR9 (5)
[式中、R8およびR9は炭素数1〜18のアルキル基、炭素数2〜18のアルケニル基、炭素数7〜24のアルキルフェニル基またはフェニル基、R9は水素原子または炭素数1〜4のアルキル基もしくはアシル基、mは1〜10の整数、nは2〜4の整数である。] - アルカリ成分(D)が、一般式(6)で示される有機アルカリ(D7)を少なくとも1種以上含有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか記載の洗浄剤組成物。
- 前記(A)、(B)、(C)および(D)の合計重量に基づいて、(A)および(B)の合計を0.01〜10重量%、(C)を10〜99.89重量%、並びに(D)を0.1〜30重量%含有する請求項1〜5のいずれか記載の洗浄剤組成物。
- 電子部品または電気部品の洗浄用である請求項1〜6のいずれか記載の洗浄剤組成物。
- 請求項7記載の洗浄剤組成物を用いて、超音波洗浄、シャワー洗浄、スプレー洗浄、浸漬および浸漬揺動から選ばれる1種以上の方法で洗浄することを特徴とする電子部品または電気部品の洗浄方法。
- 電子部品がガラス基板またはシリコンウエハである請求項8記載の洗浄方法。
- 請求項8記載の洗浄方法で洗浄し、リンスした後、乾燥して得られる電子部品または電気部品。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006079452A JP2007254555A (ja) | 2006-03-22 | 2006-03-22 | 洗浄剤組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006079452A JP2007254555A (ja) | 2006-03-22 | 2006-03-22 | 洗浄剤組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007254555A true JP2007254555A (ja) | 2007-10-04 |
Family
ID=38629114
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006079452A Pending JP2007254555A (ja) | 2006-03-22 | 2006-03-22 | 洗浄剤組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007254555A (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007188080A (ja) * | 2006-01-11 | 2007-07-26 | Dongjin Semichem Co Ltd | Tft−lcd用カラーレジスト剥離液組成物 |
JP2011039487A (ja) * | 2009-08-18 | 2011-02-24 | Samsung Electronics Co Ltd | カラーフィルタ剥離用組成物、及びこれを利用したカラーフィルタ再生方法 |
CN102500570A (zh) * | 2011-11-01 | 2012-06-20 | 宁波市鑫友光伏有限公司 | 太阳能电池硅片清洗方法 |
JP2013049753A (ja) * | 2011-08-30 | 2013-03-14 | Dongwoo Fine-Chem Co Ltd | 洗浄剤組成物及びそれを用いた液晶表示装置用アレイ基板の製造方法 |
JP2013229570A (ja) * | 2012-02-17 | 2013-11-07 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体デバイス用洗浄液及び半導体デバイス用基板の洗浄方法 |
WO2016163384A1 (ja) * | 2015-04-10 | 2016-10-13 | 富士フイルム株式会社 | レジスト除去液、レジスト除去方法、再生半導体基板の製造方法 |
US9476016B2 (en) | 2014-04-22 | 2016-10-25 | Mitsubishi Electric Corporation | Cleaning solution, cleaning facility and method of cleaning mount substrate |
JP2017043680A (ja) * | 2015-08-25 | 2017-03-02 | 株式会社カネコ化学 | 洗浄用溶剤組成物 |
WO2019220711A1 (ja) * | 2018-05-16 | 2019-11-21 | Jsr株式会社 | 洗浄剤、洗浄剤の製造方法、および対象物の処理方法 |
WO2020021721A1 (ja) * | 2018-07-27 | 2020-01-30 | 花王株式会社 | 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物 |
CN112470079A (zh) * | 2018-07-27 | 2021-03-09 | 花王株式会社 | 清洗方法 |
WO2021201047A1 (ja) * | 2020-03-31 | 2021-10-07 | 日産化学株式会社 | 洗浄剤組成物及び加工された半導体基板の製造方法 |
-
2006
- 2006-03-22 JP JP2006079452A patent/JP2007254555A/ja active Pending
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007188080A (ja) * | 2006-01-11 | 2007-07-26 | Dongjin Semichem Co Ltd | Tft−lcd用カラーレジスト剥離液組成物 |
JP2011039487A (ja) * | 2009-08-18 | 2011-02-24 | Samsung Electronics Co Ltd | カラーフィルタ剥離用組成物、及びこれを利用したカラーフィルタ再生方法 |
CN101995777A (zh) * | 2009-08-18 | 2011-03-30 | 三星电子株式会社 | 用于剥离滤色片的组合物以及使用其再生滤色片的方法 |
US8951949B2 (en) | 2009-08-18 | 2015-02-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Composition for stripping color filter and regeneration method of color filter using the same |
JP2013049753A (ja) * | 2011-08-30 | 2013-03-14 | Dongwoo Fine-Chem Co Ltd | 洗浄剤組成物及びそれを用いた液晶表示装置用アレイ基板の製造方法 |
CN102500570A (zh) * | 2011-11-01 | 2012-06-20 | 宁波市鑫友光伏有限公司 | 太阳能电池硅片清洗方法 |
JP2013229570A (ja) * | 2012-02-17 | 2013-11-07 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体デバイス用洗浄液及び半導体デバイス用基板の洗浄方法 |
US10113141B2 (en) | 2012-02-17 | 2018-10-30 | Mitsubishi Chemical Corporation | Cleaning liquid for semiconductor device and method for cleaning substrate for semiconductor device |
US9476016B2 (en) | 2014-04-22 | 2016-10-25 | Mitsubishi Electric Corporation | Cleaning solution, cleaning facility and method of cleaning mount substrate |
JPWO2016163384A1 (ja) * | 2015-04-10 | 2018-02-01 | 富士フイルム株式会社 | レジスト除去液、レジスト除去方法、再生半導体基板の製造方法 |
WO2016163384A1 (ja) * | 2015-04-10 | 2016-10-13 | 富士フイルム株式会社 | レジスト除去液、レジスト除去方法、再生半導体基板の製造方法 |
JP2017043680A (ja) * | 2015-08-25 | 2017-03-02 | 株式会社カネコ化学 | 洗浄用溶剤組成物 |
WO2019220711A1 (ja) * | 2018-05-16 | 2019-11-21 | Jsr株式会社 | 洗浄剤、洗浄剤の製造方法、および対象物の処理方法 |
WO2020021721A1 (ja) * | 2018-07-27 | 2020-01-30 | 花王株式会社 | 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物 |
CN112470079A (zh) * | 2018-07-27 | 2021-03-09 | 花王株式会社 | 清洗方法 |
JPWO2020021721A1 (ja) * | 2018-07-27 | 2021-06-24 | 花王株式会社 | 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物 |
JP7132214B2 (ja) | 2018-07-27 | 2022-09-06 | 花王株式会社 | 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物 |
TWI810335B (zh) * | 2018-07-27 | 2023-08-01 | 日商花王股份有限公司 | 樹脂遮罩剝離用洗淨劑組合物 |
WO2021201047A1 (ja) * | 2020-03-31 | 2021-10-07 | 日産化学株式会社 | 洗浄剤組成物及び加工された半導体基板の製造方法 |
CN115362246A (zh) * | 2020-03-31 | 2022-11-18 | 日产化学株式会社 | 清洗剂组合物以及经加工的半导体基板的制造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2007254555A (ja) | 洗浄剤組成物 | |
US8444768B2 (en) | Compositions and methods for removing organic substances | |
CN102449131B (zh) | 用于除去有机物质的组合物和方法 | |
JP2015073098A (ja) | Cmp後洗浄のための配合物及び方法 | |
US8614053B2 (en) | Processess and compositions for removing substances from substrates | |
US6635118B2 (en) | Aqueous cleaning of polymer apply equipment | |
US20120073607A1 (en) | Polymeric or monomeric compositions comprising at least one mono-amide and/or at least one diamide for removing substances from substrates and methods for using the same | |
KR20050002573A (ko) | 포토레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한포토레지스트의 박리방법 | |
KR20110053557A (ko) | 레지스트 박리액 조성물 | |
KR100629416B1 (ko) | 레지스트 수계 박리액 조성물 | |
JP2006063201A (ja) | 洗浄剤 | |
CN105425554B (zh) | 抗蚀剂剥离剂组合物、平板显示器的制法及平板显示器 | |
JP3233279B2 (ja) | 洗浄剤組成物および洗浄方法 | |
CN112470079A (zh) | 清洗方法 | |
WO2014057860A1 (ja) | 基板の洗浄方法および洗浄液組成物 | |
KR100511083B1 (ko) | 포토레지스트 및 폴리머 박리액 조성물 및 이를 이용한반도체소자의 박리, 세정방법 | |
JP5015553B2 (ja) | 水性アルカリフォトレジスト洗浄組成物及び該組成物を使用する方法 | |
KR20110047693A (ko) | 평판표시장치의 유리기판용 세정제 조성물 | |
KR102572751B1 (ko) | 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법 | |
KR100381729B1 (ko) | 액정디스플레이 패널용 수계 세정제 조성물 | |
TWI810335B (zh) | 樹脂遮罩剝離用洗淨劑組合物 | |
TW202231863A (zh) | 樹脂遮罩層剝離用洗淨劑組合物 | |
TWI376413B (en) | Photoresist cleaning agent with low etching rate and method of using the same | |
JP2021099380A (ja) | 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物 | |
JP2005196039A (ja) | 液晶パネルの製造方法 |