WO2020021721A1 - 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物 - Google Patents

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WO2020021721A1
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mass
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resin mask
present disclosure
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山田晃平
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花王株式会社
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    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Definitions

  • the present disclosure relates to a cleaning composition for removing a resin mask, a cleaning method using the cleaning composition, and a method for manufacturing an electronic component.
  • Patent Literature 1 for example, includes a quaternary ammonium hydroxide, a specific alkyl diol aryl ether or a derivative thereof, and (C) acetophenone or a derivative thereof as such a stripping detergent.
  • a low etch photoresist cleaning agent is described.
  • Patent Document 2 discloses that (A) 35 to 80% by mass of an aliphatic alcohol solvent, (B) 10 to 40% by mass of an organic solvent selected from a halogenated hydrocarbon solvent and a non-hydroxylated ether solvent, A photoresist stripper consisting essentially of 0.1 to 25% by weight of a quaternary ammonium salt is described.
  • Patent Document 3 contains dimethyl sulfoxide, a quaternary ammonium hydroxide, a specific alkanolamine, and a second solvent containing an alcohol, a polyhydroxy compound, or a combination thereof, and has a water content of 3% by mass or less. The solution is described.
  • Patent Document 4 describes a quasi-aqueous composition containing at least one kind of alkali and / or alkaline earth metal base, at least one kind of organic solvent, and water, which is used for reworking a microelectronic device.
  • the cleaning agent composition is used to reduce the remaining of the resin mask as well as the auxiliary and the like contained in the solder and plating solution used for forming fine wiring and bumps. Goods are required to have high detergency.
  • the resin mask is formed using a resist whose physical properties such as solubility in a developing solution are changed by light, an electron beam, or the like. Resists are broadly classified into negative and positive types according to the reaction method with light and electron beams. A negative resist has a property that its solubility in a developing solution is reduced when exposed, and a layer containing a negative resist (hereinafter, also referred to as a “negative resist layer”) has an exposed portion after exposure and development processing.
  • Positive resist has a property that solubility in a developing solution increases when exposed, and a layer containing a positive resist (hereinafter, also referred to as a “positive resist layer”) has an exposed portion after exposure and development processing.
  • the unexposed portions are removed and used as a resin mask.
  • the characteristics of the resin mask change due to plating treatment, heat treatment, and the like used in forming these connection portions, and the resin mask tends to be difficult to be removed in the next cleaning step.
  • a negative resist has the property of being cured by reaction with light or an electron beam
  • a resin mask formed using the negative resist is subjected to a plating process, a heating process, or the like used when forming a connection portion.
  • the hardening proceeds more than necessary, and the substrate cannot be completely removed in the cleaning process, or the time required for the removal becomes extremely long, thereby damaging the substrate and the metal surface. Since the resin mask which has been subjected to the plating treatment and / or the heat treatment is difficult to remove, the cleaning composition is required to have high resin mask removal properties.
  • the miniaturization of wiring is progressing.
  • the electric resistance increases, heat is generated, and the function of the electronic device may be reduced.
  • measures are taken to increase the height of the wiring. For this reason, the resin mask used for forming the wiring becomes thicker, the contact area with the wiring increases, and the wiring interval accompanying the miniaturization becomes narrower, so that it becomes difficult to remove the resin mask.
  • high-energy, low-wavelength light is used to draw fine wiring.
  • the resin mask since the resin mask is thick, the distance from the resin mask surface to the substrate is long, and the reaction rate of photopolymerization due to exposure is low. A difference occurs between the surface and the substrate contact surface, the reaction on the surface proceeds excessively, and if the permeability is not enhanced, the cleaning composition does not penetrate from the surface of the resin mask and the resin mask is difficult to remove.
  • the present disclosure provides a cleaning composition for removing a resin mask, which is excellent in resin mask removal properties, a cleaning method using the cleaning composition, and a method for manufacturing a substrate.
  • the present invention relates to a cleaning composition for removing a mask.
  • the present disclosure in one aspect, relates to a cleaning method including a step of removing a resin mask from an object to be cleaned having a resin mask attached thereto with the cleaning composition of the present disclosure.
  • the present disclosure in one aspect, relates to a method for manufacturing an electronic component, including a step of removing a resin mask from an object to be cleaned to which the resin mask has been attached with the cleaning composition of the present disclosure.
  • the present disclosure in one aspect, relates to the use of the cleaning composition of the present disclosure as a cleaning agent in the manufacture of electronic components.
  • the present disclosure in one aspect, is a kit for use in any of the cleaning method of the present disclosure and the method of manufacturing an electronic component of the present disclosure, wherein the kit contains a solution (first solution) containing component A and a component B And a solution (a second liquid) containing at least one of the first liquid and the second liquid further contains part or all of the component C, and the first liquid and the second liquid.
  • the liquid relates to a kit to be mixed at the time of use.
  • the present invention relates to a cleaning composition for use (hereinafter, also referred to as “cleaning composition of the present disclosure”).
  • the cleaning composition of the present disclosure can efficiently remove a resin mask, particularly, a resin mask that has been subjected to plating treatment and / or heat treatment. And, by using the cleaning composition of the present disclosure, a high-quality electronic component can be obtained with a high yield. Furthermore, by using the cleaning composition of the present disclosure, an electronic component having a fine wiring pattern can be efficiently manufactured.
  • the specific organic solvent (component B) acts on the interface between the substrate surface and the resin mask and the interface between the wiring and the resin mask. It is presumed that the resin mask removal property is remarkably improved. Further, the specific organic solvent (component B) acts on the unreacted monomer in the resin mask, and from there, the alkaline agent (component A) and water (component C) penetrate into the resin mask, and the resin mask is peeled off. It is also presumed that the resin mask removal property is remarkably improved. Thus, it is considered that a fine circuit (wiring pattern) can be efficiently formed on the substrate with high cleanliness. However, the present disclosure need not be construed as being limited to this mechanism.
  • a cleaning composition has been required to have high resin mask removal properties, but has little effect on a substrate containing an organic resin such as an epoxy resin or a phenol resin (hereinafter, also referred to as an “organic resin-containing substrate”). It is desired. This is because if the cleaning composition dissolves or alters the surface of the substrate, the performance of the substrate required as an electronic component is reduced, and a high-quality substrate cannot be obtained.
  • the specific organic solvent (component B) is optimally compatible with water, and even when a large amount of water is present or the amount of component B added is small. It works effectively and can promote the penetration of the alkali agent (component A) and water (component C) into the resin mask. Then, by reducing the content of the organic substance in the cleaning composition of the present disclosure, the influence on the organic resin-containing substrate can be reduced.
  • a water-based cleaning composition that is easy to remove the removed resin mask from the cleaning liquid with a net or the like is advantageous, and a cleaning composition having a low organic substance content is preferable.
  • the specific organic solvent (component B) is optimally compatible with water, and when a large amount of water is present or when the amount of component B is added. Works effectively even when the amount is small, and can promote penetration of the alkali agent (component A) and water (component C) into the resin mask. And by reducing the organic matter content in the cleaning composition of the present disclosure, it is possible to suppress an increase in the wastewater treatment load.
  • a resin mask is a mask for protecting a material surface from a process such as etching, plating, or heating, that is, a mask that functions as a protective film.
  • the resin mask in one or more embodiments, at least one of a resist layer after exposure and development steps, and exposure and development processing is performed (hereinafter, also referred to as “exposure and / or development processing”)
  • a resist layer or a cured resist layer can be used.
  • the resin material forming the resin mask includes a film-shaped photosensitive resin or a resist film.
  • a general-purpose resist film can be used.
  • composition of the present disclosure comprises, in one or more embodiments, an alkaline agent (Component A).
  • Component A can be used alone or in combination of two or more.
  • component A for example, at least one selected from inorganic alkalis and organic alkalis can be mentioned, and from the viewpoint of reducing the wastewater treatment load, inorganic alkalis are preferable.
  • Examples of the inorganic alkali include sodium hydroxide, potassium hydroxide, lithium hydroxide, calcium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, sodium silicate, potassium silicate, and the like.
  • sodium hydroxide, potassium hydroxide, lithium hydroxide, calcium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, sodium silicate, potassium silicate, and the like are preferable, and at least one of sodium hydroxide and potassium hydroxide is preferable. Is more preferable, and potassium hydroxide is still more preferable.
  • organic alkali examples include a quaternary ammonium hydroxide represented by the following formula (I) and an amine represented by the following formula (II).
  • R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are each independently at least one member selected from a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a hydroxymethyl group, a hydroxyethyl group and a hydroxypropyl group. It is.
  • R 5 represents a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group or an aminoethyl group
  • R 6 represents at least a hydrogen atom, a hydroxyethyl group, a hydroxypropyl group, a methyl group or an ethyl group
  • R 7 is at least one selected from the group consisting of an aminoethyl group, a hydroxyethyl group and a hydroxypropyl group, or in the formula (II), R 5 is a methyl group, an ethyl group, an aminoethyl group.
  • quaternary ammonium hydroxide represented by the formula (I) for example, a salt composed of a quaternary ammonium cation and a hydroxide, and the like can be mentioned.
  • Specific examples of the quaternary ammonium hydroxide include tetramethylammonium hydroxide (TMAH), tetraethylammonium hydroxide, tetrapropylammonium hydroxide, 2-hydroxyethyltrimethylammonium hydroxide (choline), and 2-hydroxyethyltriethyl.
  • TMAH tetramethylammonium hydroxide
  • TMAH 2-hydroxyethyltrimethylammonium hydroxide
  • TMAH 2-hydroxyethyltrimethylammonium hydroxide
  • TMAH 2-hydroxyethyltrimethylammonium hydroxide
  • TMAH dimethylbis (2-hydroxyethyl) ammonium hydroxide
  • diethylbis At least one selected from the group consisting of tetramethylammonium hydroxide (TMAH), 2-hydroxyethyltrimethylammonium hydroxide (choline) and dimethylbis (2-hydroxyethyl) ammonium hydroxide At least one selected is more preferred, and tetramethylammonium hydroxide (TMAH) is even more preferred.
  • Examples of the amine represented by the formula (II) include alkanolamines, primary to tertiary amines, and heterocyclic compounds. Specific examples of the amine include monoethanolamine, monoisopropanolamine, N-methylmonoethanolamine, N-methylisopropanolamine, N-ethylmonoethanolamine, N-ethylisopropanolamine, diethanolamine, diisopropanolamine, and N-dimethyl.
  • the content of the component A when the cleaning composition of the present disclosure is used is preferably 0.1% by mass or more, more preferably 0.5% by mass or more, and more preferably 1.0% by mass from the viewpoint of improving resin mask removability. % Or more, more preferably 1.5% by mass or more, and from the viewpoint of improving the resin mask removability, preferably 15% by mass or less, more preferably 10% by mass or less, and preferably 7.5% by mass or less. It is still more preferably 5% by mass or less. More specifically, the content of the component A at the time of use is preferably from 0.1% by mass to 15% by mass, more preferably from 0.5% by mass to 10% by mass, and more preferably from 1.0% by mass to 7% by mass. 0.5 mass% or less is still more preferable, and 1.5 mass% or more and 5 mass% or less are still more preferable. When component A is composed of two or more alkaline agents, the content of component A refers to the total content thereof.
  • the content of each component at the time of using the cleaning composition refers to the content of each component at the time of cleaning, that is, at the time when the use of the cleaning composition for cleaning is started.
  • composition of the present disclosure comprises, in one or more embodiments, an organic solvent (Component B).
  • Component B can be used alone or in combination of two or more.
  • the cleaning composition of the present disclosure includes two or more organic solvents (hereinafter, also referred to as “mixed organic solvent”)
  • the Hansen solubility parameter of the entire mixed organic solvent may not be within the above range, and the mixed organic solvent If at least one organic solvent having a Hansen solubility parameter within the above range is contained therein, the effect of the present disclosure can be exerted.
  • HSP Hansen solubility parameter
  • HSPiP Hansen Solubility Parameters in Practice
  • the distance of the HSP as the mixed organic solvent can be calculated using the HSP calculation function of the mixed organic solvent of “HSPiP: Hansen Solubility Parameters in Practice”.
  • the component B is not particularly limited as long as the distance between the HSP coordinates of the component B and the component coordinates X satisfies the above formula.
  • acetophenone (distance: 2.44 MPa 0.5 )
  • propio Phenone (distance: 0.65 MPa 0.5 )
  • p-anisaldehyde (distance: 5.15 MPa 0.5 )
  • o-anisaldehyde (distance: 2.43 MPa 0.5 )
  • p-methylacetophenone (distance: 1.23 MPa 0.5 )
  • tetrahydrofuran (distance: 5.36MPa 0.5)
  • dimethoxytetrahydrofuran (distance: 5.42MPa 0.5)
  • methoxy cyclopentane (distance: 4.10MPa 0.5), diphenyl ether (distance: 3.83MPa 0.5), anisole (distance: 4.12 MPa 0.5
  • ⁇ Component B in the present disclosure preferably has a high boiling point from the viewpoint of reducing fire risk due to ignition and stamina.
  • the boiling point of the component B is preferably 160 ° C. or higher, more preferably 200 ° C. or higher.
  • component B preferably has a high solubility in water from the viewpoint of concentrating properties.
  • the solubility of component B in 100 mL of water is preferably 0.3 g or more.
  • the content of the component B when the cleaning composition of the present disclosure is used is preferably 0.5% by mass or more, more preferably 1% by mass or more, and more preferably 3% by mass or more, from the viewpoint of improving the resin mask removability. It is still more preferably 5% by mass or more, and further preferably 30% by mass or less, more preferably 25% by mass or less, and preferably 20% by mass or less, from the viewpoint of reducing the load on the wastewater treatment and reducing the influence on the organic resin-containing substrate. More preferably, it is even more preferably 15% by mass or less.
  • the content of the component B at the time of use is preferably 0.5% by mass to 30% by mass, more preferably 1% by mass to 25% by mass, and more preferably 3% by mass to 20% by mass. More preferably, the content is 5% by mass or more and 15% by mass or less.
  • the content of component B refers to the total content thereof.
  • the mass ratio (A / B) of the component A and the component B in the detergent composition of the present disclosure is preferably 0.05 or more, and more preferably 0.08 or more, from the viewpoint of storage stability and reduction of the wastewater treatment load. , 0.1 or more, still more preferably 0.15 or more, and from the viewpoint of improving the removability of the resin mask, 2 or less, preferably 1 or less, more preferably 0.8 or less, and 0. Even more preferably 5 or less. More specifically, the mass ratio (A / B) is preferably 0.05 or more and 2 or less, more preferably 0.08 or more and 1 or less, further preferably 0.1 or more and 0.8 or less, and 0.15 or more. 0.5 or less is even more preferred.
  • the cleaning composition of the present disclosure includes water (Component C).
  • Water component C examples include ion-exchanged water, RO water, distilled water, pure water, and ultrapure water.
  • the content of the component C in the cleaning composition of the present disclosure can be a residue excluding the components A, B, and optional components described below.
  • the content of the component C at the time of using the cleaning composition of the present disclosure is 69.9 mass from the viewpoint of improving the resin mask removability, reducing the wastewater treatment load, and reducing the influence on the organic resin-containing substrate.
  • % Or more preferably 70% by mass or more, more preferably 75% by mass or more, still more preferably 80% by mass or more, and from the viewpoint of improving the resin mask removability, 99.4% by mass or less, 95 mass% or less is preferable, 90 mass% or less is more preferable, and 85 mass% or less is still more preferable.
  • the content of the component C at the time of use is from 69.9% by mass to 99.4% by mass, preferably from 70% by mass to 95% by mass, and more preferably from 75% by mass to 90% by mass. Is more preferably 80% by mass or more and 85% by mass or less.
  • the cleaning composition of the present disclosure may further contain optional components as required, in addition to the components A to C.
  • the optional component include components that can be used in ordinary detergents.
  • organic solvents other than component B surfactants, chelating agents, thickeners, dispersants, rust inhibitors, polymer compounds Solubilisers, antioxidants, preservatives, defoamers, antibacterial agents and the like.
  • the content of the optional component when the cleaning composition of the present disclosure is used is preferably 0% by mass to 2.0% by mass, more preferably 0% by mass to 1.5% by mass, and more preferably 0% by mass to 1% by mass. 0.3% by mass or less, more preferably 0% by mass or more and 1.0% by mass or less.
  • the total content of the organic substances derived from the components A, B and optional components when the cleaning composition of the present disclosure is used is preferably 40% by mass or less from the viewpoint of reducing the load on the wastewater treatment and reducing the influence on the organic resin-containing substrate.
  • it is preferably 35% by mass or less, more preferably 30% by mass or less, still more preferably 25% by mass or less, even more preferably 20% by mass or less.
  • It is preferably at least 1% by mass, more preferably at least 1% by mass, still more preferably at least 3% by mass, and still more preferably at least 5% by mass.
  • the total content of the component A, the component B, and the organic matter derived from an optional component when the cleaning composition of the present disclosure is used is preferably 0.5% by mass or more and 40% by mass or less, and more preferably 1% by mass. It is more preferably 35% by mass or less, more preferably 3% by mass or more and 30% by mass or less, still more preferably 5% by mass or more and 25% by mass or less, even more preferably 5% by mass or more and 20% by mass or less.
  • the detergent composition of the present disclosure does not substantially contain a nitrogen-containing compound and a phosphorus-containing compound from the viewpoint of reducing the wastewater treatment load and suppressing the eutrophication of the drainage area.
  • substantially free of a nitrogen-containing compound and a phosphorus-containing compound means that the total content of the nitrogen-containing compound and the phosphorus-containing compound in the cleaning composition of the present disclosure is less than 0.1% by mass. That means.
  • the total content of the nitrogen-containing compound and the phosphorus-containing compound in the detergent composition of the present disclosure is preferably 0.05% by mass or less from the viewpoint of reducing the wastewater treatment load and suppressing the eutrophication of the wastewater area.
  • nitrogen-containing compound examples include nitrogen-containing compounds that have been widely used as a detergent composition. For example, at least one or a combination of two or more amines and salts thereof, ammonia, and ammonium salts.
  • the amine include amino alcohols such as monoethanolamine and diethanolamine.
  • the ammonium salt include a quaternary ammonium salt such as tetramethylammonium hydroxide (TMAH).
  • the phosphorus-containing compound examples include phosphorus-containing compounds that have been widely used as a detergent composition, such as phosphoric acid and salts thereof, condensed phosphoric acid such as pyrophosphoric acid, polyphosphoric acid, and metaphosphoric acid, and salts thereof. And at least one kind or a combination of two or more kinds selected from inorganic phosphoric acid, organic phosphoric acid, and phosphoric acid ester.
  • the cleaning composition of the present disclosure can be produced by blending the components A to C and, if necessary, the above-mentioned optional components by a known method.
  • the cleaning composition of the present disclosure can be obtained by blending at least the above components A to C.
  • the present disclosure relates to a method for producing a cleaning composition, which comprises at least a step of blending the components A to C.
  • “comprising” includes mixing components A to C and, if necessary, other components simultaneously or in any order.
  • the preferable blending amount of each component can be the same as the preferable content of each component of the above-described cleaning composition of the present disclosure.
  • the detergent composition of the present disclosure may be prepared as a concentrate in which the amount of component C water is reduced within a range that does not cause separation, precipitation, or the like, and impair storage stability.
  • the concentrate of the detergent composition is preferably a concentrate having a dilution factor of 3 or more from the viewpoint of transportation and storage, and is preferably a concentrate having a dilution ratio of 30 or less from the viewpoint of storage stability.
  • the concentrate of the detergent composition can be used after being diluted with water so that the components A to C have the above-mentioned contents (ie, the contents at the time of washing) at the time of use. Further, the concentrate of the detergent composition can be used by adding each component separately at the time of use.
  • “at the time of use” or “at the time of washing” of the cleaning composition of the concentrated liquid refers to a state in which the concentrate of the cleaning composition is diluted.
  • the cleaning composition of the present disclosure can be used for cleaning an object to be cleaned having a resin mask attached thereto in one or a plurality of embodiments.
  • the object to be cleaned include electronic components and intermediates for producing the same.
  • the electronic component include at least one component selected from a printed board, a wafer, a metal plate such as a copper plate and an aluminum plate.
  • the production intermediate is an intermediate product in a production process of an electronic component, and includes an intermediate product after a resin mask treatment.
  • Specific examples of the object to be cleaned to which the resin mask is attached include, for example, a process of performing soldering using a resin mask or a plating process (copper plating, aluminum plating, nickel plating, or the like) to perform wiring or wiring.
  • An electronic component in which connection terminals and the like are formed on the surface of the substrate may be used. Accordingly, the present disclosure, in one aspect, relates to the use of the cleaning compositions of the present disclosure as cleaning agents in the manufacture of electronic components.
  • the cleaning composition of the present disclosure is suitable for cleaning an object to be cleaned to which a resin mask or a resin mask further subjected to plating treatment and / or heat treatment is adhered from the viewpoint of a cleaning effect.
  • a resin mask for example, a negative resin mask or a positive resin mask may be used, and a negative resin mask is preferable because the effects of the present disclosure are easily exerted.
  • the negative resin mask include a negative dry film resist that has been exposed and / or developed.
  • the negative resin mask is formed using a negative resist, and includes, for example, a negative resist layer that has been exposed and / or developed.
  • the positive resin mask is formed using a positive resist, and includes, for example, a positive resist layer that has been exposed and / or developed.
  • the present disclosure in one aspect, relates to a cleaning method (hereinafter, also referred to as “the cleaning method of the present disclosure”) including a step of removing a resin mask from an object to be cleaned to which the resin mask has been attached with the cleaning composition of the present disclosure.
  • the step of separating the resin mask from the object to be cleaned includes, in one or more embodiments, contacting the object to be cleaned with the resin mask attached thereto with the cleaning composition of the present disclosure.
  • a resin mask particularly, a resin mask subjected to plating treatment and / or heat treatment can be efficiently removed.
  • a cleaning composition As a method of peeling a resin mask from an object to be cleaned using the cleaning composition of the present disclosure, or a method of contacting the cleaning composition of the present disclosure with an object to be cleaned, for example, a cleaning composition was added.
  • a method of contacting by immersing in a cleaning bath, a method of spraying and contacting the cleaning composition in a spray form (shower method), an ultrasonic cleaning method of irradiating ultrasonic waves during immersion, and the like are included.
  • the cleaning composition of the present disclosure can be used for cleaning without dilution. Examples of the object to be cleaned include the objects to be cleaned described above.
  • the cleaning method of the present disclosure may include, in one or more embodiments, a step of contacting the object to be cleaned with the cleaning composition, rinsing with water, and drying.
  • the cleaning method of the present disclosure can include, in one or more embodiments, a step of rinsing with water after contacting the object to be cleaned with the cleaning composition.
  • the cleaning method of the present disclosure is preferably performed by irradiating ultrasonic waves when the cleaning composition of the present disclosure is in contact with the object to be cleaned, since the cleaning power of the cleaning composition of the present disclosure is easily exhibited. More preferably, the sound waves have a relatively high frequency.
  • the ultrasonic irradiation conditions are preferably, for example, 26 to 72 kHz and 80 to 1500 W, more preferably 36 to 72 kHz and 80 to 1500 W.
  • the temperature of the cleaning composition is preferably 40 ° C. or higher, more preferably 50 ° C. or higher, and the organic resin-containing substrate, from the viewpoint that the cleaning power of the cleaning composition of the present disclosure is easily exerted. 70 ° C. or lower is preferable, and 60 ° C. or lower is more preferable, from the viewpoint of reducing the influence on the temperature.
  • the present disclosure includes a method of manufacturing an electronic component (hereinafter, referred to as “the electronic component of the present disclosure”) including a step of removing a resin mask from an object to be cleaned to which the resin mask is attached with the cleaning composition of the present disclosure.
  • Manufacturing method examples of the object to be cleaned include the objects to be cleaned described above.
  • the method for manufacturing an electronic component according to the present disclosure can effectively remove the resin mask attached to the electronic component by performing cleaning using the cleaning composition according to the present disclosure, and thus can manufacture a highly reliable electronic component. Will be possible. Furthermore, by performing the cleaning method of the present disclosure, the resin mask attached to the electronic component can be easily removed, so that the cleaning time can be reduced and the manufacturing efficiency of the electronic component can be improved.
  • kits relate to a kit for use in any of the cleaning method of the present disclosure and the method of manufacturing an electronic component of the present disclosure (hereinafter, also referred to as “kit of the present disclosure”).
  • kit of the present disclosure is, in one or more embodiments, a kit for producing the cleaning composition of the present disclosure.
  • the kit of the present disclosure includes, in one or more embodiments, a solution containing component A (first solution) and a solution containing component B (second solution) in a state where they are not mixed with each other; At least one of the first liquid and the second liquid further contains a part or all of the component C (water), and the first liquid and the second liquid are mixed at the time of use. Object). After the first liquid and the second liquid are mixed, they may be diluted with the component C (water) as necessary. Each of the first liquid and the second liquid may contain the above-described optional components as needed. According to the kit of the present disclosure, a detergent composition having excellent resin mask removal properties can be obtained.
  • the first liquid containing 30 to 50% by mass of the component A and the balance of the component C A kit comprising: a first liquid containing component A in an amount of 30 to 50% by mass and component C as a balance, and a component B containing 1 to 99% by mass and component C as a balance.
  • kits can further include a third liquid comprising the component C, and it is more preferable to dilute the mixture of the first liquid and the second liquid to an arbitrary concentration using the third liquid.
  • the present disclosure further relates to one or more embodiments below.
  • ⁇ 1> containing an alkali agent (component A), an organic solvent (component B) and water (component C),
  • component A an alkali agent
  • component B organic solvent
  • component C water
  • a cleaning composition for removing a resin mask wherein the content of the component C at the time of use is from 69.9% by mass to 99.4% by mass.
  • Component A is at least one inorganic alkali selected from sodium hydroxide, potassium hydroxide, lithium hydroxide, calcium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, sodium silicate and potassium silicate, ⁇ 1> or The cleaning composition according to ⁇ 2>.
  • Component A is at least one organic alkali selected from a quaternary ammonium hydroxide represented by the following formula (I) and an amine represented by the following formula (II). ⁇ 1> 9. The cleaning composition according to item 1.
  • R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are each independently at least one member selected from a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a hydroxymethyl group, a hydroxyethyl group and a hydroxypropyl group. It is.
  • R 5 represents a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group or an aminoethyl group
  • R 6 represents at least a hydrogen atom, a hydroxyethyl group, a hydroxypropyl group, a methyl group or an ethyl group.
  • R 7 is at least one selected from the group consisting of an aminoethyl group, a hydroxyethyl group and a hydroxypropyl group, or in the formula (II), R 5 is a methyl group, an ethyl group, an aminoethyl group. , A hydroxyethyl group or a hydroxypropyl group, wherein R 6 and R 7 combine with each other to form a pyrrolidine ring or a piperazine ring together with the N atom in formula (II).
  • R 6 and R 7 combine with each other to form a pyrrolidine ring or a piperazine ring together with the N atom in formula (II).
  • the content of the component A at the time of use is preferably 0.1% by mass or more, more preferably 0.5% by mass or more, still more preferably 1.0% by mass or more, and more preferably 1.5% by mass or more. More preferably, the cleaning composition according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 5>.
  • the content of Component A at the time of use is preferably 15% by mass or less, more preferably 10% by mass or less, still more preferably 7.5% by mass or less, and still more preferably 5% by mass or less. To ⁇ 6>.
  • the content of the component A at the time of use is preferably from 0.1% by mass to 15% by mass, more preferably from 0.5% by mass to 10% by mass, and more preferably from 1.0% by mass to 7.5% by mass. % Or less, more preferably 1.5% by mass or more and 5% by mass or less, the cleaning composition according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 7>.
  • ⁇ 9> coordinates of the HSP component B ( ⁇ d B, ⁇ p B, ⁇ h B) when the, ingredients HSP coordinates B ( ⁇ d B, ⁇ p B, ⁇ h B) and component coordinates X ( ⁇ d 18. 3.
  • Distance [( ⁇ d B -18.3) 2 + ( ⁇ p B -6.8) 2 + ( ⁇ h B -3.7) 2] 0.5 ⁇ 5.45MPa 0.5 ⁇ 10>
  • Component B is acetophenone, propiophenone, p-anisaldehyde, o-anisaldehyde, p-methylacetophenone, tetrahydrofuran, dimethoxytetrahydrofuran, methoxycyclopentane, diphenyl ether, anisole, phenetole, diethylene glycol diethyl ether, dipropylene glycol
  • the content of the component B at the time of use is preferably 0.5% by mass or more, more preferably 1% by mass or more, still more preferably 3% by mass or more, and still more preferably 5% by mass or more.
  • the content of Component B during use is preferably 30% by mass or less, more preferably 25% by mass or less, still more preferably 20% by mass or less, and even more preferably 15% by mass or less.
  • the cleaning composition according to any one of the above.
  • the content of the component B during use is preferably from 0.5% by mass to 30% by mass, more preferably from 1% by mass to 25% by mass, and still more preferably from 3% by mass to 20% by mass,
  • the content of the component A at the time of use is 0.1% by mass or more and 15% by mass or less
  • the cleaning composition according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 13>, wherein the content of the component B at the time of use is 0.5% by mass or more and 30% by mass or less.
  • the mass ratio (A / B) between component A and component B is preferably 0.05 or more, more preferably 0.08 or more, still more preferably 0.1 or more, and even more preferably 0.15 or more.
  • the cleaning composition according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 14>.
  • the mass ratio (A / B) between component A and component B is preferably 2 or less, more preferably 1 or less, still more preferably 0.8 or less, and even more preferably 0.5 or less.
  • the mass ratio (A / B) of component A to component B is preferably 0.05 or more and 2 or less, more preferably 0.08 or more and 1 or less, and still more preferably 0.1 or more and 0.8 or less.
  • the content of Component C at the time of use is 69.9% by mass or more, preferably 70% by mass or more, more preferably 75% by mass or more, and still more preferably 80% by mass or more.
  • the content of Component C at the time of use is 99.4% by mass or less, preferably 95% by mass or less, more preferably 90% by mass or less, and even more preferably 85% by mass or less.
  • the content of the component C at the time of use is from 69.9% by mass to 99.4% by mass, preferably from 70% by mass to 95% by mass, more preferably from 75% by mass to 90% by mass.
  • the total content of organic substances when the cleaning composition is used is preferably 40% by mass or less, more preferably 35% by mass or less, still more preferably 30% by mass or less, and still more preferably 25% by mass or less, The cleaning composition according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 20>, further preferably 20% by mass or less.
  • the total content of organic substances when the cleaning composition is used is preferably 0.5% by mass or more, more preferably 1% by mass or more, still more preferably 3% by mass or more, and still more preferably 5% by mass or more.
  • the total content of organic substances when the detergent composition is used is preferably 0.5% by mass or more and 40% by mass or less, more preferably 1% by mass or more and 35% by mass or less, and more preferably 3% by mass or more and 30% by mass.
  • the total content of the nitrogen-containing compound and the phosphorus-containing compound in the detergent composition is less than 0.1% by mass, preferably 0.05% by mass or less, more preferably 0.01% by mass or less, and 0% by mass or less.
  • ⁇ 26> The cleaning composition according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 25>, wherein the resin mask is a negative dry film resist that has been subjected to at least one of exposure and development.
  • a cleaning method comprising: removing the resin mask from an object to be cleaned to which the resin mask has been attached, using the cleaning composition according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 26>.
  • ⁇ 28> The cleaning method according to ⁇ 27>, wherein the object to be cleaned is an intermediate for manufacturing an electronic component.
  • ⁇ 29> A method for manufacturing an electronic component, comprising a step of removing a resin mask from an object to be cleaned to which the resin mask has been attached with the cleaning composition according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 26>.
  • ⁇ 30> Use of the cleaning composition according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 26> as a cleaning agent in the production of electronic components.
  • test piece of resin mask 1 A photosensitive film for direct imaging (direct drawing) (Fotech RD-1225, thickness 25 ⁇ m, negative type dry film resist, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was applied to a glass epoxy multilayer substrate (MCL-E-679FG, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.). After laminating on the surface under the following conditions, selectively exposing and hardening the exposed portion (exposure step), development processing removes the unexposed portion (development step), and the resist pattern (negative pattern pattern) (Resin mask). Then, a test piece (4 cm ⁇ 4.5 cm) was obtained by performing a copper plating process on the region from which the unexposed portion was removed in the developing process.
  • LT-980366 manufactured by Yangha Kagaku Co., Ltd.
  • test piece of resin mask 2 After laminating a photosensitive film (HP-1060, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., thickness 60 ⁇ m, negative dry film resist) on the surface of the glass epoxy multilayer substrate under the following conditions, selectively exposing and curing the exposed portion An unexposed portion was removed by performing an (exposure process) and a development process (a development process), and a substrate having a resist pattern (a negative resin mask having a pattern shape) was obtained. Then, a test piece (4 cm ⁇ 4 cm) was obtained by performing a copper plating process on the region from which the unexposed portion was removed in the developing process.
  • a photosensitive film HP-1060, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., thickness 60 ⁇ m, negative dry film resist
  • Lamination Performed using a clean roller (RY-505Z, manufactured by Rayon Co., Ltd.) and a vacuum applicator (VA7024 / HP5, manufactured by Rohm & Haas).
  • Exposure Exposure is performed using a direct drawing apparatus for printed circuit boards (manufactured by SCREEN Graphic and Precision Solutions Co., Ltd., Mercurex LI-9500).
  • Development Developing device for substrate (LT-980366, manufactured by Yangha Kagaku Co., Ltd.), not exposed using 1% aqueous sodium carbonate solution The resin mask of the part is removed.
  • peeling rate (%)
  • the peeling rate (the ratio (%) of the area of the portion where the resin mask is removed, assuming that the total area where the resin mask was present before the cleaning test is 100) is calculated. Table 2 shows the results.
  • the cleaning compositions of Examples 1 to 22 were the same as Comparative Examples 1 to 7, 9 containing no component A or component B, and Comparative Example 8 in which the content of component C was not within the predetermined range. In comparison, it was found that the resin mask was easily removed.
  • the cleaning compositions of Examples 1 to 22 in which the content of the component C is in the range of 69.9 to 99.4% by mass are the same as those of Comparative Example 8 in which the content of the component C is less than 69.9% by mass.
  • the effect on the organic resin-containing substrate was reduced as compared to Furthermore, the detergent compositions of Examples 1 to 22 had an organic matter content of 40% by mass or less, and it was considered that the wastewater treatment load was small.
  • the cleaning composition of the present disclosure is useful as a cleaning composition used in a manufacturing process of an electronic component, shortening the cleaning process of the electronic component to which the resin mask is attached, and improving the performance and performance of the manufactured electronic component.
  • the reliability can be improved, and the productivity of the semiconductor device can be improved.

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Abstract

一態様において、樹脂マスク除去性に優れる樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物の提供。　本開示は、一態様において、アルカリ剤（成分Ａ）、有機溶剤（成分Ｂ）及び水（成分Ｃ）を含有し、成分Ｂのハンセン溶解度パラメータの座標が、δｄ＝１８．３、δｐ＝６．８、δｈ＝３．７を中心とする半径５．４５ＭＰａ0.5の球の範囲内であり、使用時における成分Ｃの含有量が６９．９質量％以上９９．４質量％以下である、樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物に関する。

Description

樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物
　本開示は、樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物、該洗浄剤組成物を用いた洗浄方法及び電子部品の製造方法に関する。
　近年、パーソナルコンピュータや各種電子デバイスにおいては、低消費電力化、処理速度の高速化、小型化が進み、これらに搭載されるパッケージ基板などの配線は年々微細化が進んでいる。このような微細配線並びにピラーやバンプといった接続端子形成にはこれまでメタルマスク法が主に用いられてきたが、汎用性が低いことや配線等の微細化への対応が困難になってきたことから、他の新たな方法へと変わりつつある。
　新たな方法の一つとして、ドライフィルムレジストをメタルマスクに代えて厚膜樹脂マスクとして使用する方法が知られている。この樹脂マスクは最終的に剥離・除去されるが、その際にアルカリ性の剥離用洗浄剤が使用される。
　このような剥離用洗浄剤として、例えば、特許文献１には、第４級アンモニウム水酸化物、特定のアルキルジオールアリールエーテル又はその誘導体、並びに（Ｃ）アセトフェノン又はその誘導体を含有することを特徴とする、低エッチング性フォトレジスト洗浄剤が記載されている。
　特許文献２には、（Ａ）脂肪族アルコール系溶剤３５～８０質量％、（Ｂ）ハロゲン系炭化水素溶剤、非ヒドロキシ化エーテル溶剤から選ばれる有機溶剤１０～４０質量％、（Ｃ）第４級アンモニウム塩０．１～２５質量％から本質的になるフォトレジスト用剥離液が記載されている。
　特許文献３には、ジメチルスルホキシド、第４級アンモニウムヒドロキシド、特定のアルカノールアミン、及びアルコール、ポリヒドロキシ化合物又はその組み合わせを含む第２溶剤を含有し、水の含有量が３質量％以下である溶液が記載されている。
　特許文献４には、マイクロ電子デバイスの再加工に用いる、少なくとも１種のアルカリ及び／又はアルカリ土類金属塩基、少なくとも１種の有機溶剤及び水を含有する準水系組成物が記載されている。
国際公開第２００８／０７１０７８号 米国特許第５１８５２３５号明細書 米国特許出願公開第２０１４／０１５５３１０号明細書 国際公開第２００８／０３９７３０号
　プリント基板等に微細配線を形成する上で、樹脂マスクの残存はもちろんのこと、微細配線やバンプ形成に用いられるはんだやメッキ液等に含まれる助剤等の残存を低減するため、洗浄剤組成物には高い洗浄性が要求される。樹脂マスクは、光や電子線等によって現像液に対する溶解性等の物性が変化するレジストを用いて形成されるものである。
　レジストは、光や電子線との反応方法から、ネガ型とポジ型に大きく分けられている。ネガ型レジストは、露光されると現像液に対する溶解性が低下する特性を有し、ネガ型レジストを含む層（以下、「ネガ型レジスト層」ともいう）は、露光及び現像処理後に露光部が樹脂マスクとして使用される。ポジ型レジストは、露光されると現像液に対する溶解性が増大する特性を有し、ポジ型レジストを含む層（以下、「ポジ型レジスト層」ともいう）は、露光及び現像処理後に露光部が除去され、未露光部が樹脂マスクとして使用される。このような特性を有する樹脂マスクを使用することで、金属配線、金属ピラーやハンダバンプといった回路基板の微細な接続部を形成することができる。
　しかし、これら接続部形成時に使用されるメッキ処理や加熱処理等によって樹脂マスクの特性が変化し、次工程の洗浄工程において樹脂マスクが除去されにくい傾向にある。特に、ネガ型レジストは、光や電子線との反応により硬化する特性を有することから、ネガ型レジストを用いて形成された樹脂マスクは、接続部形成時に使用されるメッキ処理や加熱処理等によって必要以上に硬化が進み、洗浄工程で完全に除去できないか、あるいは、除去にかかる時間が非常に長くなることで基板や金属表面にダメージを与えてしまう。このようにメッキ処理及び／又は加熱処理された樹脂マスクは除去しにくいため、洗浄剤組成物には高い樹脂マスク除去性が要求される。
　一方、電子デバイスの小型化、処理速度の高速化、消費電力を低減するため、配線の微細化が進んでいる。配線幅が狭くなると電気抵抗が大きくなり、発熱し、電子デバイスの機能低下を招くおそれがある。配線基板の面積を大きくすることなく電気抵抗を小さくするため、配線の高さを高くする対策が取られる。そのため、配線形成に用いる樹脂マスクは厚くなり配線との接触面積が増え、更に微細化に伴う配線間隔も狭くなることで樹脂マスクは除去しにくくなる。特に、微細配線を描画するためには高エネルギーの低波長光が用いられるが、樹脂マスクが厚いことで、樹脂マスク表面から基板までの距離が長くなり、露光による光重合の反応率が表面と基板接触面とで差異が生じ、表面の反応が過度に進行し、浸透性を強化しないと洗浄剤組成物が樹脂マスク表面から浸透せず、樹脂マスクは除去しにくくなる。
　そこで、本開示は、樹脂マスク除去性に優れる樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物、該洗浄剤組成物を用いた洗浄方法及び基板の製造方法を提供する。
　本開示は、一態様において、アルカリ剤（成分Ａ）、有機溶剤（成分Ｂ）及び水（成分Ｃ）を含有し、成分Ｂのハンセン溶解度パラメータの座標が、δｄ＝１８．３、δｐ＝６．８、δｈ＝３．７を中心とする半径５．４５ＭＰａ0.5の球の範囲内であり、使用時における成分Ｃの含有量が６９．９質量％以上９９．４質量％以下である、樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物に関する。
　本開示は、一態様において、本開示の洗浄剤組成物で、樹脂マスクが付着した被洗浄物から樹脂マスクを剥離する工程を含む、洗浄方法に関する。
　本開示は、一態様において、本開示の洗浄剤組成物で樹脂マスクが付着した被洗浄物から樹脂マスクを剥離する工程を含む、電子部品の製造方法に関する。
　本開示は、一態様において、本開示の洗浄剤組成物の、電子部品の製造における洗浄剤としての使用に関する。
　本開示は、一態様において、本開示の洗浄方法及び本開示の電子部品の製造方法のいずれかに使用するためのキットであって、成分Ａを含有する溶液（第１液）と、成分Ｂを含有する溶液（第２液）とを、相互に混合されない状態で含み、第１液及び第２液の少なくとも一方は、成分Ｃの一部又は全部を更に含有し、第１液と第２液とは使用時に混合されるキットに関する。
　本開示によれば、一態様において、樹脂マスク除去性に優れる樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物を提供できる。
　本開示は、一態様において、アルカリ剤（成分Ａ）、有機溶剤（成分Ｂ）及び水（成分Ｃ）を含有し、成分Ｂのハンセン溶解度パラメータの座標が、δｄ＝１８．３、δｐ＝６．８、δｈ＝３．７を中心とする半径５．４５ＭＰａ0.5の球の範囲内であって、成分Ｃの含有量が６９．９質量％以上９９．４質量％以下である、樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物（以下、「本開示の洗浄剤組成物」ともいう）に関する。
　本開示によれば、樹脂マスク除去性に優れる洗浄剤組成物を提供できる。よって、本開示の洗浄剤組成物は、樹脂マスク、特に、メッキ処理及び／又は加熱処理された樹脂マスクを効率よく除去できる。そして、本開示の洗浄剤組成物を用いることによって、高い収率で高品質の電子部品が得られうる。更に、本開示の洗浄剤組成物を用いることによって、微細な配線パターンを有する電子部品を効率よく製造できる。
　本開示の洗浄剤組成物における効果の作用メカニズムの詳細は不明な部分があるが、以下のように推定される。
　一般に、樹脂マスクの剥離は、洗浄剤組成物の成分が樹脂マスクに浸透し、樹脂マスクが膨潤することによる界面ストレスに起因すると考えられている。本開示の洗浄剤組成物では、アルカリ剤（成分Ａ）、特定の有機溶剤（成分Ｂ）と水（成分Ｃ）が樹脂マスクに浸透することにより、樹脂マスクに配合されているアルカリ可溶性樹脂の解離を促進し、更に電荷反発を起こすことによって樹脂マスクの剥離を促進すると考えられる。このとき、特定の有機溶剤（成分Ｂ）が基板表面と樹脂マスクとの界面、配線と樹脂マスクの界面に作用することで、基板－樹脂間の密着力が低下して更に樹脂マスクの剥離を促進し、樹脂マスク除去性が格段に向上するものと推定される。また、特定の有機溶剤（成分Ｂ）が樹脂マスク中の未反応モノマーに作用し、そこを起点に樹脂マスク中にアルカリ剤（成分Ａ）と水（成分Ｃ）を浸透させ、樹脂マスクの剥離を促進し、樹脂マスク除去性が格段に向上するものとも推定される。これにより、効率よくかつ高い清浄度で基板上に微細な回路（配線パターン）の形成が可能になると考えられる。
　但し、本開示はこのメカニズムに限定して解釈されなくてもよい。
　近年では、洗浄剤組成物には、高い樹脂マスク除去性が要求される一方で、エポキシ樹脂やフェノール樹脂といった有機樹脂を含有する基板（以下、「有機樹脂含有基板」ともいう）に対する影響が少ないことが望まれている。これは、洗浄剤組成物が基板表面を溶解したり、変質させてしまうと、電子部品として求められる基板の性能を低下させてしまい、高品質な基板を得られなくなるからである。
　これに対し、本開示の洗浄剤組成物では、特定の有機溶剤（成分Ｂ）は、水との相溶性が最適であり、大量の水が存在する場合や成分Ｂの添加量が少ない場合でも有効に作用し、アルカリ剤（成分Ａ）及び水（成分Ｃ）の樹脂マスクへの浸透を促進しうる。そして、本開示の洗浄剤組成物中の有機物含有量を低減させることで、有機樹脂含有基板への影響を低減しうる。
　また、様々な分野において電子化が進みプリント基板等の生産量が増加し、洗浄剤組成物の使用量も増加する傾向にある。そして、洗浄剤組成物の使用量の増加に伴い、洗浄剤組成物やリンス水等の廃液の排水処理負荷や廃液流入による湖沼の富栄養化も増大している。そのため、排水処理負荷が小さく、湖沼の富栄養化の原因となる窒素及びリンを含有せず、樹脂マスクを効率よく除去できる洗浄剤組成物が強く要望されている。
　さらに、洗浄液を効率よく繰り返し用いるためには、除去した樹脂マスクを洗浄液中から網等で排除しやすい、剥離による水系の洗浄剤組成物が有利であり、有機物含有量の少ない洗浄剤組成物が強く要望されている。しかし、前記特許文献に記載の方法では、高い樹脂マスク除去性と低い排水処理負荷の両立が難しい。
　これに対し、本開示の洗浄剤組成物では、上述したとおり、特定の有機溶剤（成分Ｂ）は、水との相溶性が最適であり、大量の水が存在する場合や成分Ｂの添加量が少ない場合でも有効に作用し、アルカリ剤（成分Ａ）及び水（成分Ｃ）の樹脂マスクへの浸透を促進しうる。そして、本開示の洗浄剤組成物中の有機物含有量を低減させることで、排水処理負荷の増大を抑制しうる。
　本開示において樹脂マスクとは、エッチング、メッキ、加熱等の処理から物質表面を保護するためのマスク、すなわち、保護膜として機能するマスクである。樹脂マスクとしては、一又は複数の実施形態において、露光及び現像工程後のレジスト層、露光及び現像の少なくとも一方の処理が施された（以下、「露光及び／又は現像処理された」ともいう）レジスト層、あるいは、硬化したレジスト層が挙げられる。樹脂マスクを形成する樹脂材料としては、一又は複数の実施形態において、フィルム状の感光性樹脂、又は、レジストフィルムが挙げられる。レジストフィルムは汎用のものを使用できる。
［成分Ａ：アルカリ剤］
　本開示の洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、アルカリ剤（成分Ａ）を含む。成分Ａは、１種又は２種以上を併用して用いることができる。
　成分Ａとしては、例えば、無機アルカリ及び有機アルカリから選ばれる少なくとも１種が挙げられ、排水処理負荷低減の観点から、無機アルカリが好ましい。
　無機アルカリとしては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、水酸化カルシウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、珪酸ナトリウム及び珪酸カリウム等が挙げられる。これらの中でも、樹脂マスク除去性向上の観点から、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム及び炭酸カリウムから選ばれる１種又は２種以上の組合せが好ましく、水酸化ナトリウム及び水酸化カリウムの少なくとも一方がより好ましく、水酸化カリウムが更に好ましい。
　有機アルカリとしては、下記式（Ｉ）で表される第４級アンモニウム水酸化物、下記式（ＩＩ）で表されるアミン等が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
　上記式（Ｉ）において、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ独立に、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基及びヒドロキシプロピル基から選ばれる少なくとも１種である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
　上記式（ＩＩ）において、Ｒ5は、水素原子、メチル基、エチル基又はアミノエチル基を示し、Ｒ6は、水素原子、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基、メチル基又はエチル基から選ばれる少なくとも１種であって、Ｒ7は、アミノエチル基、ヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基から選ばれる少なくとも１種か、あるいは、式（ＩＩ）において、Ｒ5は、メチル基、エチル基、アミノエチル基、ヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基から選ばれる少なくとも１種であって、Ｒ6とＲ7は互いに結合して式（ＩＩ）中のＮ原子と共にピロリジン環又はピペラジン環を形成する。
　式（Ｉ）で表される第４級アンモニウム水酸化物としては、例えば、第４級アンモニウムカチオンとヒドロキシドとからなる塩等が挙げられる。第４級アンモニウム水酸化物の具体例としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、２－ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド（コリン）、２－ヒドロキシエチルトリエチルアンモニウムヒドロキシド、２－ヒドロキシエチルトリプロピルアンモニウムヒドロキシド、２－ヒドロキシプロピルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、２－ヒドロキシプロピルトリエチルアンモニウムヒドロキシド、２－ヒドロキシプロピルトリプロピルアンモニウムヒドロキシド、ジメチルビス（２－ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド、ジエチルビス（２－ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド、ジプロピルビス（２－ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド、トリス（２－ヒドロキシエチル）メチルアンモニウムヒドロキシド、トリス（２－ヒドロキシエチル）エチルアンモニウムヒドロキシド、トリス（２－ヒドロキシエチル）プロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラキス（２－ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド、及びテトラキス（２－ヒドロキシプロピル）アンモニウムヒドロキシドから選ばれる少なくとも１種が挙げられる。これらの中でも、樹脂マスク除去性向上の観点から、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）、２－ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド（コリン）、ジメチルビス（２－ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド、及びジエチルビス（２－ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシドから選ばれる少なくとも１種が好ましく、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）、２－ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド（コリン）、及びジメチルビス（２－ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシドから選ばれる少なくとも１種がより好ましく、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）が更に好ましい。
　式（ＩＩ）で表されるアミンとしては、例えば、アルカノールアミン、１～３級アミン及び複素環化合物等が挙げられる。アミンの具体例としては、モノエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、Ｎ－メチルモノエタノールアミン、Ｎ－メチルイソプロパノールアミン、Ｎ－エチルモノエタノールアミン、Ｎ－エチルイソプロパノールアミン、ジエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、Ｎ－ジメチルモノエタノールアミン、Ｎ－ジメチルモノイソプロパノールアミン、Ｎ－メチルジエタノールアミン、Ｎ－メチルジイソプロパノールアミン、Ｎ－ジエチルモノエタノールアミン、Ｎ－ジエチルモノイソプロパノールアミン、Ｎ－エチルジエタノールアミン、Ｎ－エチルジイソプロパノールアミン、Ｎ－（β－アミノエチル）エタノールアミン、Ｎ－（β－アミノエチル）イソプロパノールアミン、Ｎ－（β－アミノエチル）ジエタノールアミン、Ｎ－（β－アミノエチル）ジイソプロパノールアミン、１－メチルピペラジン、１－（２－ヒドロキシエチル）ピロリジン、１－（２－ヒドロキシエチル）ピペラジン、エチレンジアミン及びジエチレントリアミンから選ばれる少なくとも１種が挙げられる。これらの中でも、樹脂マスク除去性向上の観点から、モノエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジエタノールアミン、Ｎ－メチルモノエタノールアミン、Ｎ－エチルモノエタノールアミン、Ｎ－（β－アミノエチル）エタノールアミン、１－（２－ヒドロキシエチル）ピペラジン及びジエチレントリアミンから選ばれる少なくとも１種が好ましく、モノエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジエタノールアミン、Ｎ－メチルモノエタノールアミン、及びＮ－エチルモノエタノールアミンから選ばれる少なくとも１種がより好ましく、モノエタノールアミンが更に好ましい。
　本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ａの含有量は、樹脂マスク除去性向上の観点から、０．１質量％以上が好ましく、０．５質量％以上がより好ましく、１．０質量％以上が更に好ましく、１．５質量％以上がより更に好ましく、そして、樹脂マスク除去性向上の観点から、１５質量％以下が好ましく、１０質量％以下がより好ましく、７．５質量％以下が更に好ましく、５質量％以下がより更に好ましい。より具体的には、使用時における成分Ａの含有量は、０．１質量％以上１５質量％以下が好ましく、０．５質量％以上１０質量％以下がより好ましく、１．０質量％以上７．５質量％以下が更に好ましく、１．５質量％以上５質量％以下がより更に好ましい。成分Ａが２種以上のアルカリ剤からなる場合、成分Ａの含有量はそれらの合計含有量をいう。
　本開示において「洗浄剤組成物の使用時における各成分の含有量」とは、洗浄時、すなわち、洗浄剤組成物の洗浄への使用を開始する時点での各成分の含有量をいう。
［成分Ｂ：有機溶剤］
　本開示の洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、有機溶剤（成分Ｂ）を含む。成分Ｂは、１種又は２種以上を併用して用いることができる。
　本開示において、成分Ｂのハンセン溶解度パラメータの座標は、δｄ＝１８．３、δｐ＝６．８、δｈ＝３．７を中心とする半径５．４５ＭＰａ0.5の球の範囲内である。本開示の洗浄剤組成物が２種以上の有機溶剤（以下、「混合有機溶剤」ともいう）を含む場合、混合有機溶剤全体のハンセン溶解度パラメータは上記範囲内でなくてもよく、混合有機溶剤中に上記範囲内のハンセン溶解度パラメータを有する有機溶剤が少なくとも１種含まれていれば、本開示の効果は発揮されうる。
　ここで、ハンセン溶解度パラメータ (Hansen solubility parameter)（以下、「ＨＳＰ」ともいう)とは、Charles M. Hansenが１９６７年に発表した、物質の溶解性の予測に用いられる値であって、「分子間の相互作用が似ている２つの物質は、互いに溶解しやすい」との考えに基づくパラメータである。ＨＳＰは以下の３つのパラメータ（単位：ＭＰａ0.5）で構成されている。
　δｄ：分子間の分散力によるエネルギー
　δｐ：分子間の双極子相互作用によるエネルギー
　δｈ：分子間の水素結合によるエネルギー
　これら３つのパラメータは３次元空間（ハンセン空間）における座標とみなすことができ、２つの物質のＨＳＰをハンセン空間内に置いたとき、２点間の距離が近ければ近いほど互いに溶解しやすいことを示している。化学工業２０１０年３月号（化学工業社）等に詳細な説明があり、パソコン用ソフト「HSPiP：Hansen Solubility Parameters in Practice」等を用いることで各種物質のハンセン溶解度パラメータを得ることができる。本開示は、このパソコン用ソフト「HSPiP：Hansen Solubility Parameters in Practice」を用いて得られたハンセン溶解度パラメータを用いている。成分Ｂが２種以上の混合有機溶剤である場合、混合有機溶媒としてのＨＳＰの距離については、「HSPiP：Hansen Solubility Parameters in Practice」の混合有機溶剤のＨＳＰ算出機能を用いて算出できる。
　本開示における成分ＢのＨＳＰの座標は、下記のように表現することもできる。すなわち、成分ＢのＨＳＰの座標を（δｄB、δｐB、δｈB）としたとき、該成分ＢのＨＳＰの座標（δｄB、δｐB、δｈB）と成分座標Ｘ（δｄ＝１８．３、δｐ＝６．８、δｈ＝３．７）との距離（単位：ＭＰａ0.5）が下記式を満たすものとすることができる。
距離＝［（δｄB－１８．３）2＋（δｐB－６．８）2＋（δｈB－３．７）2］0.5
　　≦５．４５ＭＰａ0.5
　成分Ｂとしては、成分ＢのＨＳＰの座標と成分座標Ｘとの距離が上記式を満たす有機溶剤であれば特に限定されなくてもよく、例えば、アセトフェノン（距離：２．４４ＭＰａ0.5）、プロピオフェノン（距離：０．６５ＭＰａ0.5）、ｐ－アニスアルデヒド（距離：５．１５ＭＰａ0.5）、ｏ－アニスアルデヒド（距離：２．４３ＭＰａ0.5）、ｐ－メチルアセトフェノン（距離：１．２３ＭＰａ0.5）、テトラヒドロフラン（距離：５．３６ＭＰａ0.5）、ジメトキシテトラヒドロフラン（距離：５．４２ＭＰａ0.5）、メトキシシクロペンタン（距離：４．１０ＭＰａ0.5）、ジフェニルエーテル（距離：３．８３ＭＰａ0.5）、アニソール（距離：４．１２ＭＰａ0.5）、フェネトール（距離：２．３３ＭＰａ0.5）、ジエチレングリコールジエチルエーテル（距離：５．４２ＭＰａ0.5）、ジプロピレングリコールジメチルエーテル（距離：５．４４ＭＰａ0.5）、シクロヘキサノン（距離：２．３５ＭＰａ0.5）、２－オクタノン（距離：４．７３ＭＰａ0.5）及びベンズアルデヒド（距離：２．７９ＭＰａ0.5）から選ばれる１種又は２種以上の組合せが挙げられる。樹脂マスク除去性向上の観点からは、アセトフェノン、プロピオフェノン、ｐ－アニスアルデヒド、ｏ－アニスアルデヒド、ｐ－メチルアセトフェノン、テトラヒドロフラン、ジメトキシテトラヒドロフラン、メトキシシクロペンタン、ジフェニルエーテル、アニソール、フェネトール、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、シクロヘキサノン、２－オクタノン及びベンズアルデヒドから選ばれる１種又は２種以上の組合せが好ましく、アセトフェノン、プロピオフェノン、ｐ－アニスアルデヒド、ｏ－アニスアルデヒド、ｐ－メチルアセトフェノン、テトラヒドロフラン、ジメトキシテトラヒドロフラン、メトキシシクロペンタン、アニソール、フェネトール、ジエチレングリコールジエチルエーテル、シクロヘキサノン及びベンズアルデヒドから選ばれる１種又は２種以上の組合せがより好ましく、アセトフェノン、プロピオフェノン、ｐ－アニスアルデヒド、ｐ－メチルアセトフェノン、テトラヒドロフラン、ジメトキシテトラヒドロフラン、メトキシシクロペンタン、アニソール、フェネトール、シクロヘキサノン及びベンズアルデヒドから選ばれる１種又は２種以上の組合せが更に好ましく、アセトフェノン、ｐ－アニスアルデヒド、ｐ－メチルアセトフェノン、フェネトール、シクロヘキサノン及びベンズアルデヒドから選ばれる１種又は２種以上の組合せがより更に好ましい。括弧内の数値は、成分ＢのＨＳＰの座標と成分座標Ｘとの距離（単位：ＭＰａ0.5）を示す。
　本開示における成分Ｂは、引火による火災リスク低減及びスタミナ性の観点から、沸点が高いことが好ましい。例えば、成分Ｂの沸点は、１６０℃以上が好ましく、２００℃以上がより好ましい。
　本開示において、成分Ｂは、濃縮性の観点から、水への溶解度が高いことが好ましく、例えば、成分Ｂの水１００ｍＬに対する溶解度は、０．３ｇ以上が好ましい。
　本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ｂの含有量は、樹脂マスク除去性向上の観点からは、０．５質量％以上が好ましく、１質量％以上がより好ましく、３質量％以上が更に好ましく、５質量％以上がより更に好ましく、そして、排水処理負荷低減及び有機樹脂含有基板に対する影響低減の観点から、３０質量％以下が好ましく、２５質量％以下がより好ましく、２０質量％以下が更に好ましく、１５質量％以下がより更に好ましい。より具体的には、使用時における成分Ｂの含有量は、０．５質量％以上３０質量％以下が好ましく、１質量％以上２５質量％以下がより好ましく、３質量％以上２０質量％以下が更に好ましく、５質量％以上１５質量％以下がより更に好ましい。成分Ｂが２種以上の組み合わせである場合、成分Ｂの含有量はそれらの合計含有量をいう。
　本開示の洗浄剤組成物における成分Ａと成分Ｂとの質量比（Ａ／Ｂ）は、保存安定性及び排水処理負荷低減の観点から、０．０５以上が好ましく、０．０８以上がより好ましく、０．１以上が更に好ましく、０．１５以上がより更に好ましく、そして、樹脂マスク除去性向上の観点から、２以下が好ましく、１以下がより好ましく、０．８以下が更に好ましく、０．５以下がより更に好ましい。より具体的には、質量比（Ａ／Ｂ）は、０．０５以上２以下が好ましく、０．０８以上１以下がより好ましく、０．１以上０．８以下が更に好ましく、０．１５以上０．５以下がより更に好ましい。
［成分Ｃ：水］
　本開示の洗浄剤組成物は、水（成分Ｃ）を含む。成分Ｃの水としては、イオン交換水、ＲＯ水、蒸留水、純水、超純水等が挙げられる。
　本開示の洗浄剤組成物中の成分Ｃの含有量は、成分Ａ、成分Ｂ及び後述する任意成分を除いた残余とすることができる。具体的には、本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ｃの含有量は、樹脂マスク除去性向上、排水処理負荷低減、及び有機樹脂含有基板に対する影響低減の観点から、６９．９質量%以上であって、７０質量％以上が好ましく、７５質量％以上がより好ましく、８０質量％以上が更に好ましく、そして、樹脂マスク除去性向上の観点から、９９．４質量％以下であって、９５質量％以下が好ましく、９０質量％以下がより好ましく、８５質量％以下が更に好ましい。より具体的には、使用時における成分Ｃの含有量は、６９．９質量％以上９９．４質量％以下であって、７０質量％以上９５質量％以下が好ましく、７５質量％以上９０質量％以下がより好ましく、８０質量％以上８５質量％以下が更に好ましい。
［任意成分］
　本開示の洗浄剤組成物は、前記成分Ａ～Ｃ以外に、必要に応じて任意成分を更に含有することができる。任意成分としては、通常の洗浄剤に用いられうる成分を挙げることができ、例えば、成分Ｂ以外の有機溶剤、界面活性剤、キレート剤、増粘剤、分散剤、防錆剤、高分子化合物、可溶化剤、酸化防止剤、防腐剤、消泡剤、抗菌剤等が挙げられる。本開示の洗浄剤組成物の使用時における任意成分の含有量は、０質量％以上２．０質量％以下が好ましく、０質量％以上１．５質量％以下がより好ましく、０質量％以上１．３質量％以下が更に好ましく、０質量％以上１．０質量％以下がより更に好ましい。
　本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ａ、成分Ｂ及び任意成分由来の有機物の総含有量は、排水処理負荷低減、及び有機樹脂含有基板に対する影響低減の観点から、４０質量％以下が好ましく、３５質量％以下がより好ましく、３０質量％以下が更に好ましく、２５質量％以下がより更に好ましく、２０質量％以下がより更に好ましく、そして、樹脂マスク除去性向上の観点から、０．５質量％以上が好ましく、１質量％以上がより好ましく、３質量％以上が更に好ましく、５質量％以上がより更に好ましい。より具体的には、本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ａ、成分Ｂ及び任意成分由来の有機物の総含有量は、０．５質量％以上４０質量％以下が好ましく、１質量％以上３５質量％以下がより好ましく、３質量％以上３０質量％以下が更に好ましく、５質量％以上２５質量％以下がより更に好ましく、５質量％以上２０質量％以下がより更に好ましい。
　本開示の洗浄剤組成物は、排水処理負荷を低減し、排水域の富栄養化を抑制する観点から、窒素含有化合物及びリン含有化合物を実質的に含まないことが好ましい。本開示において「窒素含有化合物及びリン含有化合物を実質的に含まない」とは、本開示の洗浄剤組成物中の窒素含有化合物及びリン含有化合物の合計含有量が０．１質量％未満であることをいう。本開示の洗浄剤組成物中の窒素含有化合物及びリン含有化合物の合計含有量は、排水処理負荷を低減し、排水域の富栄養化を抑制する観点から、０．０５質量％以下が好ましく、０．０１質量％以下がより好ましく、０質量％が更に好ましい。
　窒素含有化合物としては、洗浄剤組成物として従来から広く用いられている窒素含有化合物が挙げられ、例えば、アミン及びその塩、アンモニア、並びにアンモニウム塩から選ばれる少なくとも１種又は２種以上の組合せが挙げられる。前記アミンとしては、例えば、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン等のアミノアルコールが挙げられる。前記アンモニウム塩としては、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）等の４級アンモニウム塩を挙げることができる。
　リン含有化合物としては、洗浄剤組成物として従来から広く用いられているリン含有化合物が挙げられ、例えば、リン酸及びその塩、ピロリン酸、ポリリン酸、メタリン酸等の縮合リン酸及びその塩などの無機リン酸、並びに有機リン酸、リン酸エステルから選ばれる少なくとも１種又は２種以上の組合せが挙げられる。
［洗浄剤組成物の製造方法］
　本開示の洗浄剤組成物は、前記成分Ａ～Ｃ及び必要に応じて上述の任意成分を公知の方法で配合することにより製造できる。例えば、本開示の洗浄剤組成物は、少なくとも前記成分Ａ～Ｃを配合してなるものとすることができる。したがって、本開示は、少なくとも前記成分Ａ～Ｃを配合する工程を含む、洗浄剤組成物の製造方法に関する。本開示において「配合する」とは、成分Ａ～Ｃ及び必要に応じてその他の成分を同時に又は任意の順に混合することを含む。本開示の洗浄剤組成物の製造方法において、各成分の好ましい配合量は、上述した本開示の洗浄剤組成物の各成分の好ましい含有量と同じとすることができる。
　本開示の洗浄剤組成物は、分離や析出等を起こして保管安定性を損なわない範囲で成分Ｃの水の量を減らした濃縮物として調製してもよい。洗浄剤組成物の濃縮物は、輸送及び貯蔵の観点から、希釈倍率３倍以上の濃縮物とすることが好ましく、保管安定性の観点から、希釈倍率３０倍以下の濃縮物とすることが好ましい。洗浄剤組成物の濃縮物は、使用時に成分Ａ～Ｃが上述した含有量（すなわち、洗浄時の含有量）になるよう水で希釈して使用することができる。更に洗浄剤組成物の濃縮物は、使用時に各成分を別々に添加して使用することもできる。本開示において濃縮液の洗浄剤組成物の「使用時」又は「洗浄時」とは、洗浄剤組成物の濃縮物が希釈された状態をいう。
［被洗浄物］
　本開示の洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、樹脂マスクが付着した被洗浄物の洗浄に使用されうる。
　被洗浄物としては、例えば、電子部品及びその製造中間物が挙げられる。電子部品としては、例えば、プリント基板、ウエハ、銅板及びアルミニウム板等の金属板から選ばれる少なくとも１つの部品が挙げられる。前記製造中間物は、電子部品の製造工程における中間製造物であって、樹脂マスク処理後の中間製造物を含む。樹脂マスクが付着した被洗浄物の具体例としては、例えば、樹脂マスクを使用した半田付けやメッキ処理（銅メッキ、アルミニウムメッキ、ニッケルメッキ等）等の処理を行う工程を経ることにより、配線や接続端子等が基板表面に形成された電子部品等が挙げられる。
　したがって、本開示は、一態様において、本開示の洗浄剤組成物の、電子部品の製造における洗浄剤としての使用に関する。
　本開示の洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、洗浄効果の点から、樹脂マスク、あるいは、更にメッキ処理及び／又は加熱処理された樹脂マスクが付着した被洗浄物の洗浄に好適に用いられうる。樹脂マスクとしては、例えば、ネガ型樹脂マスクでもよいし、ポジ型樹脂マスクでもよく、本開示の効果が発揮されやすい点からは、ネガ型樹脂マスクが好ましい。ネガ型樹脂マスクとしては、例えば、露光及び／又は現像処理されたネガ型ドライフィルムレジストが挙げられる。本開示においてネガ型樹脂マスクとは、ネガ型レジストを用いて形成されるものであり、例えば、露光及び／又は現像処理されたネガ型レジスト層が挙げられる。本開示においてポジ型樹脂マスクとは、ポジ型レジストを用いて形成されるものであり、例えば、露光及び／又は現像処理されたポジ型レジスト層が挙げられる。
［洗浄方法］
　本開示は、一態様において、本開示の洗浄剤組成物で樹脂マスクが付着した被洗浄物から樹脂マスクを剥離する工程を含む、洗浄方法（以下、「本開示の洗浄方法」ともいう）に関する。本開示の洗浄方法において、被洗浄物から樹脂マスクを剥離する工程は、一又は複数の実施形態において、樹脂マスクが付着した被洗浄物を本開示の洗浄剤組成物に接触させることを含む。本開示の洗浄方法であれば、樹脂マスク、特にメッキ処理及び／又は加熱処理された樹脂マスクを効率よく除去できる。
　本開示の洗浄剤組成物を用いて被洗浄物から樹脂マスクを剥離する方法、又は、被洗浄物に本開示の洗浄剤組成物を接触させる方法としては、例えば、洗浄剤組成物を入れた洗浄浴槽内へ浸漬することで接触させる方法、洗浄剤組成物をスプレー状に射出して接触させる方法（シャワー方式）、浸漬中に超音波照射する超音波洗浄方法等が挙げられる。本開示の洗浄剤組成物は、希釈することなくそのまま洗浄に使用できる。被洗浄物としては、上述した被洗浄物を挙げることができる。
　本開示の洗浄方法は、一又は複数の実施形態において、洗浄剤組成物に被洗浄物を接触させた後、水でリンスし、乾燥する工程を含むことができる。本開示の洗浄方法は、一又は複数の実施形態において、洗浄剤組成物に被洗浄物を接触させた後、水ですすぐ工程を含むことができる。
　本開示の洗浄方法は、本開示の洗浄剤組成物の洗浄力が発揮されやすい点から、本開示の洗浄剤組成物と被洗浄物との接触時に超音波を照射することが好ましく、その超音波は比較的高周波数であることがより好ましい。前記超音波の照射条件は、同様の観点から、例えば、２６～７２ｋＨｚ、８０～１５００Ｗが好ましく、３６～７２ｋＨｚ、８０～１５００Ｗがより好ましい。
　本開示の洗浄方法において、本開示の洗浄剤組成物の洗浄力が発揮されやすい点から、洗浄剤組成物の温度は４０℃以上が好ましく、５０℃以上がより好ましく、そして、有機樹脂含有基板に対する影響低減の観点から、７０℃以下が好ましく、６０℃以下がより好ましい。
［電子部品の製造方法］
　本開示は、一態様において、本開示の洗浄剤組成物で、樹脂マスクが付着した被洗浄物から樹脂マスクを剥離する工程を含む、電子部品の製造方法（以下、「本開示の電子部品の製造方法」ともいう）に関する。被洗浄物としては、上述した被洗浄物を挙げることができる。本開示の電子部品の製造方法は、本開示の洗浄剤組成物を用いて洗浄を行うことにより、電子部品に付着した樹脂マスクを効果的に除去できるため、信頼性の高い電子部品の製造が可能になる。更に、本開示の洗浄方法を行うことにより、電子部品に付着した樹脂マスクの除去が容易になることから、洗浄時間が短縮化でき、電子部品の製造効率を向上できる。
［キット］
　本開示は、一態様において、本開示の洗浄方法及び本開示の電子部品の製造方法のいずれかに使用するためのキット（以下、「本開示のキット」ともいう）に関する。本開示のキットは、一又は複数の実施形態において、本開示の洗浄剤組成物を製造するためのキットである。
　本開示のキットとしては、一又は複数の実施形態において、成分Ａを含有する溶液（第１液）と、成分Ｂを含有する溶液（第２液）とを、相互に混合されない状態で含み、第１液及び第２液の少なくとも一方は、成分Ｃ（水）の一部又は全部を更に含有し、第１液と第２液とは使用時に混合される、キット（２液型洗浄剤組成物）が挙げられる。第１液と第２液とが混合された後、必要に応じて成分Ｃ（水）で希釈されてもよい。第１液及び第２液の各々には、必要に応じて上述した任意成分が含まれていてもよい。本開示のキットによれば、樹脂マスク除去性に優れる洗浄剤組成物が得られうる。
　本開示のキットとしては、その他の一又は複数の実施形態において、入手性及び作業性の観点から、成分Ａを３０～５０質量％含有し、成分Ｃを残部として含む第１液と、成分Ｂのみからなる第２液と、を有するキット；成分Ａを３０～５０質量％含有し、成分Ｃを残部として含む第１液と、成分Ｂを１～９９質量％含有し、成分Ｃを残部として含む第２液と、を有するキット；又は、成分Ａを３０～５０質量％含有し、成分Ｃを残部として含む第１液と、成分Ｂを１～９９質量％含有し、任意成分及び成分Ｃを残部として含む第２液と、を有するキット；が好ましく挙げられる。これらのキットは、成分Ｃからなる第３液を更に有することができ、第３液を用いて、前記第１液と前記第２液との混合物を任意の濃度に希釈することがより好ましい。
　本開示はさらに以下の一又は複数の実施形態に関する。
　＜１＞　アルカリ剤（成分Ａ）、有機溶剤（成分Ｂ）及び水（成分Ｃ）を含有し、
　成分Ｂのハンセン溶解度パラメータの座標が、δｄ＝１８．３、δｐ＝６．８、δｈ＝３．７を中心とする半径５．４５ＭＰａ0.5の球の範囲内であり、
　使用時における成分Ｃの含有量が６９．９質量％以上９９．４質量％以下である、樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物。
　＜２＞　成分Ａが、無機アルカリである、＜１＞に記載の洗浄剤組成物。
　＜３＞　成分Ａが、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、水酸化カルシウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、珪酸ナトリウム及び珪酸カリウムから選ばれる少なくとも１種の無機アルカリである、＜１＞又は＜２＞に記載の洗浄剤組成物。
　＜４＞　成分Ａが、下記式（Ｉ）で表される第４級アンモニウム水酸化物、及び下記式（ＩＩ）で表されるアミンから選ばれる少なくとも１種の有機アルカリである、＜１＞に記載の洗浄剤組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
 　上記式（Ｉ）において、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ独立に、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基及びヒドロキシプロピル基から選ばれる少なくとも１種である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
 　上記式（ＩＩ）において、Ｒ5は、水素原子、メチル基、エチル基又はアミノエチル基を示し、Ｒ6は、水素原子、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基、メチル基又はエチル基から選ばれる少なくとも１種であって、Ｒ7は、アミノエチル基、ヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基から選ばれる少なくとも１種か、あるいは、式（ＩＩ）において、Ｒ5は、メチル基、エチル基、アミノエチル基、ヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基から選ばれる少なくとも１種であって、Ｒ6とＲ7は互いに結合して式（ＩＩ）中のＮ原子と共にピロリジン環又はピペラジン環を形成する。
　＜５＞　成分Ａが、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドである、＜１＞又は＜４＞に記載の洗浄剤組成物。
　＜６＞　使用時における成分Ａの含有量は、０．１質量％以上が好ましく、０．５質量％以上がより好ましく、１．０質量％以上が更に好ましく、１．５質量％以上がより更に好ましい、＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
　＜７＞　使用時における成分Ａの含有量は、１５質量％以下が好ましく、１０質量％以下がより好ましく、７．５質量％以下が更に好ましく、５質量％以下がより更に好ましい、＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
　＜８＞　使用時における成分Ａの含有量は、０．１質量％以上１５質量％以下が好ましく、０．５質量％以上１０質量％以下がより好ましく、１．０質量％以上７．５質量％以下が更に好ましく、１．５質量％以上５質量％以下がより更に好ましい、＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
　＜９＞　成分ＢのＨＳＰの座標を（δｄB、δｐB、δｈB）としたとき、該成分ＢのＨＳＰの座標（δｄB、δｐB、δｈB）と成分座標Ｘ（δｄ＝１８．３、δｐ＝６．８、δｈ＝３．７）との距離（単位：ＭＰａ0.5）が下記式を満たす、＜１＞から＜８＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
距離＝［（δｄB－１８．３）2＋（δｐB－６．８）2＋（δｈB－３．７）2］0.5
　　≦５．４５ＭＰａ0.5
　＜１０＞　成分Ｂが、アセトフェノン、プロピオフェノン、ｐ－アニスアルデヒド、ｏ－アニスアルデヒド、ｐ－メチルアセトフェノン、テトラヒドロフラン、ジメトキシテトラヒドロフラン、メトキシシクロペンタン、ジフェニルエーテル、アニソール、フェネトール、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、シクロヘキサノン、２－オクタノン及びベンズアルデヒドから選ばれる少なくとも１種である、＜１＞から＜９＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
　＜１１＞　使用時における成分Ｂの含有量は、０．５質量％以上が好ましく、１質量％以上がより好ましく、３質量％以上が更に好ましく、５質量％以上がより更に好ましい、＜１＞から＜１０＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
　＜１２＞　使用時における成分Ｂの含有量は、３０質量％以下が好ましく、２５質量％以下がより好ましく、２０質量％以下が更に好ましく、１５質量％以下がより更に好ましい、＜１＞から＜１１＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
　＜１３＞　使用時における成分Ｂの含有量は、０．５質量％以上３０質量％以下が好ましく、１質量％以上２５質量％以下がより好ましく、３質量％以上２０質量％以下が更に好ましく、５質量％以上１５質量％以下がより更に好ましい、＜１＞から＜１２＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
　＜１４＞　使用時における成分Ａの含有量が０．１質量％以上１５質量％以下であり、
　使用時における成分Ｂの含有量が０．５質量％以上３０質量％以下である、＜１＞から＜１３＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
　＜１５＞　成分Ａと成分Ｂとの質量比（Ａ／Ｂ）は、０．０５以上が好ましく、０．０８以上がより好ましく、０．１以上が更に好ましく、０．１５以上がより更に好ましい、＜１＞から＜１４＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
　＜１６＞　成分Ａと成分Ｂとの質量比（Ａ／Ｂ）は、２以下が好ましく、１以下がより好ましく、０．８以下が更に好ましく、０．５以下がより更に好ましい、＜１＞から＜１５＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
　＜１７＞　成分Ａと成分Ｂとの質量比（Ａ／Ｂ）は、０．０５以上２以下が好ましく、０．０８以上１以下がより好ましく、０．１以上０．８以下が更に好ましく、０．１５以上０．５以下がより更に好ましい、＜１＞から＜１６＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
　＜１８＞　使用時における成分Ｃの含有量は、６９．９質量%以上であって、７０質量％以上が好ましく、７５質量％以上がより好ましく、８０質量％以上が更に好ましい、＜１＞から＜１７＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
　＜１９＞　使用時における成分Ｃの含有量は、９９．４質量％以下であって、９５質量％以下が好ましく、９０質量％以下がより好ましく、８５質量％以下が更に好ましい、＜１＞から＜１８＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
　＜２０＞　使用時における成分Ｃの含有量は、６９．９質量％以上９９．４質量％以下であって、７０質量％以上９５質量％以下が好ましく、７５質量％以上９０質量％以下がより好ましく、８０質量％以上８５質量％以下が更に好ましい、＜１＞から＜１９＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
　＜２１＞　洗浄剤組成物の使用時における有機物の総含有量は、４０質量％以下が好ましく、３５質量％以下がより好ましく、３０質量％以下が更に好ましく、２５質量％以下がより更に好ましく、２０質量％以下がより更に好ましい、＜１＞から＜２０＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
　＜２２＞　洗浄剤組成物の使用時における有機物の総含有量は、０．５質量％以上が好ましく、１質量％以上がより好ましく、３質量％以上が更に好ましく、５質量％以上がより更に好ましい、＜１＞から＜２１＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
　＜２３＞　洗浄剤組成物の使用時における有機物の総含有量は、０．５質量％以上４０質量％以下が好ましく、１質量％以上３５質量％以下がより好ましく、３質量％以上３０質量％以下が更に好ましく、５質量％以上２５質量％以下がより更に好ましく、５質量％以上２０質量％以下がより更に好ましい、＜１＞から＜２２＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
　＜２４＞　窒素含有化合物及びリン含有化合物を実質的に含まない、＜１＞から＜２３＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
　＜２５＞　洗浄剤組成物中の窒素含有化合物及びリン含有化合物の合計含有量が０．１質量％未満であり、０．０５質量％以下が好ましく、０．０１質量％以下がより好ましく、０質量％が更に好ましい、＜１＞から＜２４＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
　＜２６＞　樹脂マスクが、露光及び現像の少なくとも一方の処理が施されたネガ型ドライフィルムレジストである、＜１＞から＜２５＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
　＜２７＞　＜１＞から＜２６＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物で、樹脂マスクが付着した被洗浄物から樹脂マスクを剥離する工程を含む、洗浄方法。
　＜２８＞　被洗浄物が、電子部品の製造中間物である、＜２７＞に記載の洗浄方法。
　＜２９＞　＜１＞から＜２６＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物で樹脂マスクが付着した被洗浄物から樹脂マスクを剥離する工程を含む、電子部品の製造方法。
　＜３０＞　＜１＞から＜２６＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物の、電子部品の製造における洗浄剤としての使用。
　＜３１＞　＜２７＞又は＜２８＞に記載の洗浄方法及び＜２９＞に記載の電子部品の製造方法のいずれかに使用するためのキットであって、
　成分Ａを含有する溶液（第１液）と、成分Ｂを含有する溶液（第２液）とを、相互に混合されない状態で含み、
　第１液及び第２液の少なくとも一方は、成分Ｃの一部又は全部を更に含有し、
　第１液と第２液とは使用時に混合されるキット。
　以下に、実施例により本開示を具体的に説明するが、本開示はこれらの実施例によって何ら限定されるものではない。
１．有機溶剤（成分Ｂ、非成分Ｂ）の物性（ＨＳＰの座標及び距離）について
　有機溶剤のＨＳＰの座標（δｄ1、δｐ1、δｈ1）は、パソコン用ソフトウエア「HSPiP：Hansen Solubility Parameters in Practice」を用いて算出した。そして、有機溶剤のＨＳＰの座標（δｄ1、δｐ1、δｈ1）と成分座標（δｄ＝１８．３、δｐ＝６．８、δｈ＝３．７）との距離を下記式により算出した。結果を表１に示す。
距離＝［（δｄ1－１８．３）2＋（δｐ1－６．８）2＋（δｈ1－３．７）2］0.5
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
２．実施例１～２２及び比較例１～９の洗浄剤組成物の調製
　トール型の２００ｍＬガラスビーカーに有効分換算で水酸化カリウム（成分Ａ）２．５ｇ、アセトフェノン（成分Ｂ）１５．０ｇ及び水（成分Ｃ）８２．５ｇを配合し、それを攪拌して混合することにより、実施例１の洗浄剤組成物を調製した。そして、実施例２～２２及び比較例１～９の洗浄剤組成物を、実施例１と同様の方法により、成分Ａ～Ｃ以外の成分を含む場合はそれらも同時に配合し、表２に示す有効分となる組成比で調製した。各洗浄剤組成物の各成分の含有量（質量％、有効分）を表２に示した。
　実施例１～２２及び比較例１～９の洗浄剤組成物の成分としては下記のものを使用した。
（成分Ａ）
Ａ１：水酸化カリウム［関東化学株式会社製、特級、固形分４８質量％］
Ａ２：水酸化ナトリウム［関東化学株式会社製、特級、固形分４８質量％］
Ａ３：テトラメチルアンモニウムヒドロキシド［昭和電工株式会社製、ＴＭＡＨ（２５％）］
（成分Ｂ）
Ｂ１：アセトフェノン［富士フィルム和光純薬株式会社製、特級］
Ｂ２：プロピオフェノン［東京化成工業株式会社製］
Ｂ３：ｐ－アニスアルデヒド［富士フィルム和光純薬株式会社製、特級］
Ｂ４：ｏ－アニスアルデヒド［ＳＩＧＭＡ－ＡＬＤＲＩＣＨ社製］
Ｂ５：ｐ－メチルアセトフェノン［富士フィルム和光純薬株式会社製、一級］
Ｂ６：テトラヒドロフラン［富士フィルム和光純薬株式会社、特級］
Ｂ７：ジメトキシテトラヒドロフラン［東京化成工業株式会社製］
Ｂ８：メトキシシクロペンタン［東京化成工業株式会社製］
Ｂ９：ジフェニルエーテル［富士フィルム和光純薬株式会社製、特級］
Ｂ１０：アニソール［富士フィルム和光純薬株式会社製、特級］
Ｂ１１：フェネトール［富士フィルム和光純薬株式会社製、一級］
Ｂ１２：ジエチレングリコールジエチルエーテル［富士フィルム和光純薬株式会社製、一級］
Ｂ１３：ジプロピレングリコールジメチルエーテル［富士フィルムワコーケミカル株式会社製］
Ｂ１４：シクロヘキサノン［富士フィルム和光純薬株式会社製、一級］
Ｂ１５：２－オクタノン［富士フィルム和光純薬株式会社製、一級］
Ｂ１６：ベンズアルデヒド［富士フィルム和光純薬株式会社製、特級］
（非成分Ｂ）
Ｂ１７：ブチルジグリコール［富士フィルム和光純薬株式会社製、特級］
Ｂ１８：ジエチレングリコールジメチルエーテル［富士フィルム和光純薬株式会社製、特級］
Ｂ１９：酢酸ブチル［富士フィルム和光純薬株式会社製、一級］
Ｂ２０：フェニルジグリコール［東京化成工業株式会社製］
Ｂ２１：エチレングリコール［富士フィルム和光純薬株式会社製、一級］
（成分Ｃ）
水：オルガノ株式会社製純水装置Ｇ－１０ＤＳＴＳＥＴで製造した１μＳ/ｃｍ以下の純水
３．洗浄剤組成物の評価
　調製した実施例１～２２及び比較例１～９の洗浄剤組成物の樹脂マスク除去性を評価した。
［樹脂マスク１のテストピースの作製］
　ダイレクトイメージング（直接描画）用感光性フィルム（日立化成株式会社製、フォテック ＲＤ－１２２５、厚み２５μｍ、ネガ型ドライフィルムレジスト）をガラスエポキシ多層基板（日立化成株式会社製、ＭＣＬ－Ｅ－６７９ＦＧ)の表面に下記条件でラミネートし、選択的に露光処理して露光部を硬化した後（露光工程）、現像処理することで未露光部を除去し（現像工程）、レジストパターン（パターン形状のネガ型樹脂マスク）を有する基板を得た。そして、前記現像処理で未露光部が除去された領域を銅メッキ処理することで、テストピース（４ｃｍ×４．５ｃｍ）を得た。
（１）ラミネート：クリーンローラー（株式会社レヨーン工業製、ＲＹ－５０５Ｚ）及び真空アプリケータ（ローム＆ハース社製、ＶＡ７０２４／ＨＰ５）を用いてローラー温度５０℃、ローラー圧１．４Ｂａｒ、処理時間３０秒で行う。
（２）露光：プリント基板用直接描画装置（株式会社ＳＣＲＥＥＮグラフィックアンドプレシジョンソリューションズ製、Ｍｅｒｃｕｒｅｘ ＬＩ－９５００）を用い、露光量１５ｍＪ／ｃｍ2で露光を行う。
（３）パターン形状：Ｌ／Ｓ＝２０μｍ／２０μｍの縞状パターン
（４）現像：基板用現像装置（揚博科技株式会社製、ＬＴ－９８０３６６）、３０℃の１％炭酸ナトリウム水溶液を用いて、スプレー圧０．２ＭＰａ、４７秒間で、未露光部の樹脂マスクを除去する。
［樹脂マスク２のテストピースの作製］
　感光性フィルム（日立化成株式会社製、ＨＰ－１０６０、厚み６０μｍ、ネガ型ドライフィルムレジスト）をガラスエポキシ多層基板の表面に下記条件でラミネートし、選択的に露光処理して露光部を硬化した後（露光工程）、現像処理することで未露光部を除去し（現像工程）、レジストパターン（パターン形状のネガ型樹脂マスク）を有する基板を得た。そして、前記現像処理で未露光部が除去された領域を銅メッキ処理することで、テストピース（４ｃｍ×４ｃｍ）を得た。
（１）ラミネート：クリーンローラー（株式会社レヨーン工業製、ＲＹ－５０５Ｚ）及び真空アプリケータ（ローム＆ハース社製、ＶＡ７０２４／ＨＰ５）を用いて行う。
（２）露光：プリント基板用直接描画装置（株式会社ＳＣＲＥＥＮグラフィックアンドプレシジョンソリューションズ製、Ｍｅｒｃｕｒｅｘ ＬＩ－９５００）を用いて露光を行う。
（３）パターン形状：Ｌ／Ｓ＝２０μｍ／２０μｍの縞状パターン
（４）現像：基板用現像装置（揚博科技株式会社製、ＬＴ－９８０３６６）、１％炭酸ナトリウム水溶液を用いて、未露光部の樹脂マスクを除去する。
［洗浄試験］
　トール型の２００ｍＬガラスビーカーに、各洗浄剤組成物を１００ｇ添加して６０℃に加温し、回転子［フッ素樹脂（ＰＴＦＥ）、φ８ｍｍ×２５ｍｍ］を用いて回転数６００ｒｐｍで撹拌した状態で、テストピースを４分間浸漬する。そして、１００ｍＬガラスビーカーに水を１００ｇ添加したすすぎ槽へ浸漬してすすいだ後、自然乾燥する。
［樹脂マスク除去性評価（剥離率（％））］
　光学顕微鏡「デジタルマイクロスコープＶＨＸ－２０００」（株式会社キーエンス製）を用いて、洗浄試験を行った後のテストピースの各部位に残存する樹脂マスクの有無を３００倍に拡大して目視確認し、剥離率（洗浄試験を行う前に樹脂マスクが存在した総面積を１００としたときの樹脂マスクが除去された部分の面積の比率（％））を算出する。結果を表２に示す。
［基板への影響］
　２５０ｍＬ広口ポリプロピレン製ボトルに各洗浄剤組成物１００ｇを添加し、ガラスエポキシ多層基板（２ｃｍ×５ｃｍ）を浸漬し、６０℃で７日間保管後、水ですすぎ、乾燥後の基板表面の状態を目視観察し、下記評価基準で評価した結果を表２に示す。
Ａ：試験前と変化なし
Ｂ：基板表面が変質した
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
　上記表２に示すとおり、実施例１～２２の洗浄剤組成物は、成分Ａ又は成分Ｂを含まない比較例１～７、９、成分Ｃの含有量が所定の範囲内でない比較例８に比べて、樹脂マスク除去性に優れていることがわかった。また、成分Ｃの含有量が６９．９～９９．４質量％の範囲内にある実施例１～２２の洗浄剤組成物は、成分Ｃの含有量が６９．９質量％未満の比較例８に比べて、有機樹脂含有基板に対する影響が低減されていた。さらに、実施例１～２２の洗浄剤組成物は、有機物含有量が４０質量％以下であり、排水処理負荷が小さいと考えられた。
　本開示によれば、樹脂マスク除去性に優れる樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物を提供できる。よって、本開示の洗浄剤組成物は、電子部品の製造工程で用いられる洗浄剤組成物として有用であり、樹脂マスクが付着した電子部品の洗浄工程の短縮化及び製造される電子部品の性能・信頼性の向上が可能となり、半導体装置の生産性を向上できる。

Claims (11)

  1. 　アルカリ剤（成分Ａ）、有機溶剤（成分Ｂ）及び水（成分Ｃ）を含有し、
    　成分Ｂのハンセン溶解度パラメータの座標が、δｄ＝１８．３、δｐ＝６．８、δｈ＝３．７を中心とする半径５．４５ＭＰａ0.5の球の範囲内であり、
    　使用時における成分Ｃの含有量が６９．９質量％以上９９．４質量％以下である、樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物。
  2. 　使用時における成分Ａの含有量が０．１質量％以上１５質量％以下であり、
    　使用時における成分Ｂの含有量が０．５質量％以上３０質量％以下である、請求項１に記載の洗浄剤組成物。
  3. 　成分Ｂが、アセトフェノン、プロピオフェノン、ｐ－アニスアルデヒド、ｏ－アニスアルデヒド、ｐ－メチルアセトフェノン、テトラヒドロフラン、ジメトキシテトラヒドロフラン、メトキシシクロペンタン、ジフェニルエーテル、アニソール、フェネトール、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、シクロヘキサノン、２－オクタノン及びベンズアルデヒドから選ばれる少なくとも１種である、請求項１又は２に記載の洗浄剤組成物。
  4. 　成分Ａが、無機アルカリである、請求項１から３のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
  5. 　窒素含有化合物及びリン含有化合物を実質的に含まない、請求項１から４のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
  6. 　樹脂マスクが、露光及び現像の少なくとも一方の処理が施されたネガ型ドライフィルムレジストである、請求項１から５のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
  7. 　請求項１から６のいずれかに記載の洗浄剤組成物で、樹脂マスクが付着した被洗浄物から樹脂マスクを剥離する工程を含む、洗浄方法。
  8. 　被洗浄物が、電子部品の製造中間物である、請求項７に記載の洗浄方法。
  9. 　請求項１から６のいずれかに記載の洗浄剤組成物で樹脂マスクが付着した被洗浄物から樹脂マスクを剥離する工程を含む、電子部品の製造方法。
  10. 　請求項１から６のいずれかに記載の洗浄剤組成物の、電子部品の製造における洗浄剤としての使用。
  11. 　請求項７又は８に記載の洗浄方法及び請求項９に記載の電子部品の製造方法のいずれかに使用するためのキットであって、
    　成分Ａを含有する溶液（第１液）と、成分Ｂを含有する溶液（第２液）とを、相互に混合されない状態で含み、
    　第１液及び第２液の少なくとも一方は、成分Ｃの一部又は全部を更に含有し、
    　第１液と第２液とは使用時に混合されるキット。
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