JPH0862610A - 液晶表示装置用レジスト剥離液 - Google Patents
液晶表示装置用レジスト剥離液Info
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- JPH0862610A JPH0862610A JP19264494A JP19264494A JPH0862610A JP H0862610 A JPH0862610 A JP H0862610A JP 19264494 A JP19264494 A JP 19264494A JP 19264494 A JP19264494 A JP 19264494A JP H0862610 A JPH0862610 A JP H0862610A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 アルミニウムの電蝕による腐蝕を抑制する。
【構成】 アルミニウムおよび高融点金属の積層膜から
なるソース電極19およびドレイン電極18上のレジスト31
を剥離する液晶表示装置用レジスト剥離液である。剥離
液は、アルカノールアミン（Ｃn Ｈ2n＝１- ＮＨ3 ）と
グライコエーテル（Ｒ- （ＯＣＨ2 ＣＨ2 ）2 -ＯＨ）
とを純水で希釈したものである。 【効果】 剥離液により、液抵抗を増加させて分極抵抗
を増大させ、アルミニウムのアノード分極曲線と高融点
金属のカソード分極曲線との交点によって決定される腐
蝕速度を抑制し、アルミニウムの電蝕を小さくできる。
なるソース電極19およびドレイン電極18上のレジスト31
を剥離する液晶表示装置用レジスト剥離液である。剥離
液は、アルカノールアミン（Ｃn Ｈ2n＝１- ＮＨ3 ）と
グライコエーテル（Ｒ- （ＯＣＨ2 ＣＨ2 ）2 -ＯＨ）
とを純水で希釈したものである。 【効果】 剥離液により、液抵抗を増加させて分極抵抗
を増大させ、アルミニウムのアノード分極曲線と高融点
金属のカソード分極曲線との交点によって決定される腐
蝕速度を抑制し、アルミニウムの電蝕を小さくできる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置のアルニ
ミウムと高融点金属からなるソース電極およびドレイン
電極に設けられたレジストを剥離する液晶表示装置用レ
ジスト剥離液に関する。
ミウムと高融点金属からなるソース電極およびドレイン
電極に設けられたレジストを剥離する液晶表示装置用レ
ジスト剥離液に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、アクティブマトリクス型の液晶表
示装置に用いられるアレイ基板は、ガラス基板上に走査
電極線と信号電極線とをマトリクス状に形成し、これら
走査電極線および信号電極線の交点を画素とし、各画素
に透明画素電極と薄膜トランジスタとを形成している。
示装置に用いられるアレイ基板は、ガラス基板上に走査
電極線と信号電極線とをマトリクス状に形成し、これら
走査電極線および信号電極線の交点を画素とし、各画素
に透明画素電極と薄膜トランジスタとを形成している。
【０００３】そして、このようなアレイ基板を製造する
工程を説明する。まず、ガラス基板上にモリブデン・タ
ンタル（Ｍｏ・Ｔａ）からなる合金をスパッタリング法
などの成膜法により堆積させ、ドライエッチング法など
によりテーパー加工を加え、走査電極線およびゲート電
極を形成する。
工程を説明する。まず、ガラス基板上にモリブデン・タ
ンタル（Ｍｏ・Ｔａ）からなる合金をスパッタリング法
などの成膜法により堆積させ、ドライエッチング法など
によりテーパー加工を加え、走査電極線およびゲート電
極を形成する。
【０００４】次に、そのガラス基板上に、ゲート絶縁
膜、活性層およびエッチングストッパ層を順次成膜し、
エッチングストッパ層をウエットエッチング法などによ
り所定形状に形成した後、オーミックコンタクト層を成
膜し、活性層とオーミックコンタクト層を同時にドライ
エッチング法などにより所定形状に形成する。
膜、活性層およびエッチングストッパ層を順次成膜し、
エッチングストッパ層をウエットエッチング法などによ
り所定形状に形成した後、オーミックコンタクト層を成
膜し、活性層とオーミックコンタクト層を同時にドライ
エッチング法などにより所定形状に形成する。
【０００５】次に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などか
らなる画素電極をスパッタリング法などの成膜法により
堆積させ、ウエットエッチング法などにより所定形状に
形成し、走査電極線の電極パッド上のゲート絶縁膜の除
去を行なう。続いて、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウ
ム（Ａｌ）などの金属をスパッタリング法などの成膜法
により堆積させ、ウエットエッチング法などにより信号
電極線、ソース電極およびドレイン電極を形成する。
らなる画素電極をスパッタリング法などの成膜法により
堆積させ、ウエットエッチング法などにより所定形状に
形成し、走査電極線の電極パッド上のゲート絶縁膜の除
去を行なう。続いて、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウ
ム（Ａｌ）などの金属をスパッタリング法などの成膜法
により堆積させ、ウエットエッチング法などにより信号
電極線、ソース電極およびドレイン電極を形成する。
【０００６】この状態では、ソース電極とドレイン電極
はオーミックコンタクト層を介して短絡しているので、
エッチングストッパ層上のオーミックコンタクト層をソ
ース電極とドレイン電極をマスクとしてプラズマエッチ
ング法などにより除去し、アレイ基板を形成する。
はオーミックコンタクト層を介して短絡しているので、
エッチングストッパ層上のオーミックコンタクト層をソ
ース電極とドレイン電極をマスクとしてプラズマエッチ
ング法などにより除去し、アレイ基板を形成する。
【０００７】このアレイ基板を図示しない対向電極に対
向させ、アレイ基板および対向基板間に液晶を挟持させ
て、液晶表示装置を形成する。
向させ、アレイ基板および対向基板間に液晶を挟持させ
て、液晶表示装置を形成する。
【０００８】そして、信号電極線、ソース電極およびド
レイン電極の加工工程において、レジストの剥離処理に
は、アルカノールアミンとグライコエーテルを主成分と
する剥離液が使用されている。
レイン電極の加工工程において、レジストの剥離処理に
は、アルカノールアミンとグライコエーテルを主成分と
する剥離液が使用されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来使
用されているアルカノールアミンとグライコエーテルを
主成分とする剥離液は、レジスト溶解力が弱い問題があ
る。
用されているアルカノールアミンとグライコエーテルを
主成分とする剥離液は、レジスト溶解力が弱い問題があ
る。
【００１０】特に、高温でベーキングされたレジストや
ドライエッチング工程でふっ素イオンなどの活性膜が侵
入して硬化したレジストなどは、剥離液に長時間浸漬し
なければレジストを残らず剥離することが困難で、通常
これを補うために液温を上げ、かつ、超音波を併用する
などの方法が採られている。しかし、液温は８０℃以上
とする必要がある場合もあり、このような高温では液の
蒸発が激しく、反応の消費による液組成の変化だけでな
く、構成物質の蒸気圧の差に応じた変化も加わるので、
工程の管理のしやすさや経済性の面で問題が残されてい
る。
ドライエッチング工程でふっ素イオンなどの活性膜が侵
入して硬化したレジストなどは、剥離液に長時間浸漬し
なければレジストを残らず剥離することが困難で、通常
これを補うために液温を上げ、かつ、超音波を併用する
などの方法が採られている。しかし、液温は８０℃以上
とする必要がある場合もあり、このような高温では液の
蒸発が激しく、反応の消費による液組成の変化だけでな
く、構成物質の蒸気圧の差に応じた変化も加わるので、
工程の管理のしやすさや経済性の面で問題が残されてい
る。
【００１１】そこで、剥離液を純水で希釈することによ
り、アルカノールアミンを電離させて生じるイオンがレ
ジストとの中和反応を活性化する機能を活用して液温を
低温化する試みがなされている。しかし、剥離液の加水
分解によって水酸基イオン（ＯＨ- ）が生じて液を強ア
ルカリとするので、アルミニウム膜の腐蝕、特にアルミ
ニウムと他の金属とから構成される配線材料において生
じる電蝕によるアルミニウム層の腐蝕の加速が大きな問
題となっている。これは、アルミニウムと他の金属との
多層構造からなる配線で、アルミニウム層が選択的に溶
出し、配線断面構造が変形してその上層の膜のカバレー
ジが取れず、たとえば、配線と液晶とが直接接触して不
良欠陥となるなどの問題が生じる。
り、アルカノールアミンを電離させて生じるイオンがレ
ジストとの中和反応を活性化する機能を活用して液温を
低温化する試みがなされている。しかし、剥離液の加水
分解によって水酸基イオン（ＯＨ- ）が生じて液を強ア
ルカリとするので、アルミニウム膜の腐蝕、特にアルミ
ニウムと他の金属とから構成される配線材料において生
じる電蝕によるアルミニウム層の腐蝕の加速が大きな問
題となっている。これは、アルミニウムと他の金属との
多層構造からなる配線で、アルミニウム層が選択的に溶
出し、配線断面構造が変形してその上層の膜のカバレー
ジが取れず、たとえば、配線と液晶とが直接接触して不
良欠陥となるなどの問題が生じる。
【００１２】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で、アルミニウムの電蝕による腐蝕を抑制できる液晶表
示装置用レジスト剥離液を提供することを目的とする。
で、アルミニウムの電蝕による腐蝕を抑制できる液晶表
示装置用レジスト剥離液を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の液晶表示
装置用レジスト剥離液は、基板上に走査電極線および信
号電極線をマトリクス状に形成し、これら走査電極線お
よび信号電極線の交点にゲート電極、ゲート絶縁膜、活
性層、オーミックコンタクト層、ソース電極およびドレ
イン電極を有する薄膜トランジスタと画素電極とを配置
したアレイ基板を備え、前記ソース電極およびドレイン
電極はアルミニウムおよび高融点金属の積層膜からなる
液晶表示装置の前記ソース電極およびドレイン電極に設
けられたレジストを剥離する液晶表示装置用レジスト剥
離液において、アルカノールアミン（Ｃn Ｈ2n＝１- Ｎ
Ｈ3 ）とグライコエーテル（Ｒ- （ＯＣＨ2 ＣＨ2 ）2
-ＯＨ）とを純水で希釈したものであるものである。
装置用レジスト剥離液は、基板上に走査電極線および信
号電極線をマトリクス状に形成し、これら走査電極線お
よび信号電極線の交点にゲート電極、ゲート絶縁膜、活
性層、オーミックコンタクト層、ソース電極およびドレ
イン電極を有する薄膜トランジスタと画素電極とを配置
したアレイ基板を備え、前記ソース電極およびドレイン
電極はアルミニウムおよび高融点金属の積層膜からなる
液晶表示装置の前記ソース電極およびドレイン電極に設
けられたレジストを剥離する液晶表示装置用レジスト剥
離液において、アルカノールアミン（Ｃn Ｈ2n＝１- Ｎ
Ｈ3 ）とグライコエーテル（Ｒ- （ＯＣＨ2 ＣＨ2 ）2
-ＯＨ）とを純水で希釈したものであるものである。
【００１４】請求項２記載の液晶表示装置用レジスト剥
離液は、請求項１記載の液晶表示装置用レジスト剥離液
において、電導度が１０μＳ／ｃｍ以下であるものであ
る。
離液は、請求項１記載の液晶表示装置用レジスト剥離液
において、電導度が１０μＳ／ｃｍ以下であるものであ
る。
【００１５】請求項３記載の液晶表示装置用レジスト剥
離液は、請求項１または２記載の液晶表示装置用レジス
ト剥離液において、濃度が５０％以上であるものであ
る。
離液は、請求項１または２記載の液晶表示装置用レジス
ト剥離液において、濃度が５０％以上であるものであ
る。
【００１６】
【作用】請求項１記載の液晶表示装置用レジスト剥離液
は、ソース電極およびドレイン電極はアルミニウムおよ
び高融点金属の積層膜のレジストを剥離する際に、アル
カノールアミン（Ｃn Ｈ2n＝１- ＮＨ3 ）とグライコエ
ーテル（Ｒ- （ＯＣＨ2ＣＨ2 ）2 -ＯＨ）とを純水で
希釈したものを用いることにより、液抵抗を増加させて
分極抵抗を増大させ、アルミニウムのアノード分極曲線
と高融点金属のカソード分極曲線との交点によって決定
される腐蝕速度を抑制し、アルミニウムの電蝕を小さく
する。
は、ソース電極およびドレイン電極はアルミニウムおよ
び高融点金属の積層膜のレジストを剥離する際に、アル
カノールアミン（Ｃn Ｈ2n＝１- ＮＨ3 ）とグライコエ
ーテル（Ｒ- （ＯＣＨ2ＣＨ2 ）2 -ＯＨ）とを純水で
希釈したものを用いることにより、液抵抗を増加させて
分極抵抗を増大させ、アルミニウムのアノード分極曲線
と高融点金属のカソード分極曲線との交点によって決定
される腐蝕速度を抑制し、アルミニウムの電蝕を小さく
する。
【００１７】請求項２記載の液晶表示装置用レジスト剥
離液は、請求項１記載の液晶表示装置用レジスト剥離液
において、電導度が１０μＳ／ｃｍ以下であるため、電
蝕を抑えるに十分な液抵抗が得られる。
離液は、請求項１記載の液晶表示装置用レジスト剥離液
において、電導度が１０μＳ／ｃｍ以下であるため、電
蝕を抑えるに十分な液抵抗が得られる。
【００１８】請求項３記載の液晶表示装置用レジスト剥
離液は、請求項１または２記載の液晶表示装置用レジス
ト剥離液において、濃度が５０％以上であるため、導電
率を低下でき、電蝕を抑えるに十分な液抵抗が得られ
る。
離液は、請求項１または２記載の液晶表示装置用レジス
ト剥離液において、濃度が５０％以上であるため、導電
率を低下でき、電蝕を抑えるに十分な液抵抗が得られ
る。
【００１９】
【実施例】以下、本発明の液晶表示装置用レジスト剥離
液の一実施例をアクティブマトリクス型の液晶表示装置
において図面を参照して説明する。
液の一実施例をアクティブマトリクス型の液晶表示装置
において図面を参照して説明する。
【００２０】図１に示すように、透明絶縁性基板となる
図示しない酸化シリコン（ＳｉＯx）膜付きの透明なガ
ラス基板11上に、モリブデン・タンタル（Ｍｏ・Ｔａ）
のゲート電極12が３０００オングストロームの膜厚で形
成され、これらガラス基板11およびゲート電極12上には
ゲート絶縁膜13が３５００オングストロームの膜厚で形
成されている。
図示しない酸化シリコン（ＳｉＯx）膜付きの透明なガ
ラス基板11上に、モリブデン・タンタル（Ｍｏ・Ｔａ）
のゲート電極12が３０００オングストロームの膜厚で形
成され、これらガラス基板11およびゲート電極12上には
ゲート絶縁膜13が３５００オングストロームの膜厚で形
成されている。
【００２１】また、このゲート絶縁膜13上には、膜厚５
００オングストロームの水素化非晶質シリコン（ａ−Ｓ
ｉ：Ｈ）の活性層としての半導体層14、膜厚５００オン
グストロームの窒化シリコン（ＳｉＮx ）のエッチング
ストッパ層15、膜厚５００オングストロームのｎ型水素
化非晶質シリコン（ｎ+ ａ−Ｓｉ：ＯＨ）のオーミック
コンタクト層16が積層形成されている。
００オングストロームの水素化非晶質シリコン（ａ−Ｓ
ｉ：Ｈ）の活性層としての半導体層14、膜厚５００オン
グストロームの窒化シリコン（ＳｉＮx ）のエッチング
ストッパ層15、膜厚５００オングストロームのｎ型水素
化非晶質シリコン（ｎ+ ａ−Ｓｉ：ＯＨ）のオーミック
コンタクト層16が積層形成されている。
【００２２】さらに、ゲート絶縁膜13上には、ＩＴＯ
（Indium Tin Oxide）の透明画素電極17が形成されてい
る。
（Indium Tin Oxide）の透明画素電極17が形成されてい
る。
【００２３】そして、オーミックコンタクト層16の一端
側にはドレイン電極18が形成され、他端側には透明画素
電極17に接続されたソース電極19が形成されている。ま
た、これらドレイン電極18およびソース電極19は、高融
点金属としてのモリブデン（Ｍｏ）18a ，19a 、アルミ
ニウム（Ａｌ）18b ，19b および高融点金属としてのモ
リブデン（Ｍｏ）18c ，19c の３層構造にて形成され、
アルミニウム18b ，19b の周囲には、酸化膜20，21が形
成されている。
側にはドレイン電極18が形成され、他端側には透明画素
電極17に接続されたソース電極19が形成されている。ま
た、これらドレイン電極18およびソース電極19は、高融
点金属としてのモリブデン（Ｍｏ）18a ，19a 、アルミ
ニウム（Ａｌ）18b ，19b および高融点金属としてのモ
リブデン（Ｍｏ）18c ，19c の３層構造にて形成され、
アルミニウム18b ，19b の周囲には、酸化膜20，21が形
成されている。
【００２４】また、これらにて薄膜トランジスタ22が形
成され、この薄膜トランジスタ22の上部には保護膜23が
形成されている。
成され、この薄膜トランジスタ22の上部には保護膜23が
形成されている。
【００２５】そして、ガラス基板11上には互いにほぼ平
行に等間隔のそれぞれ薄膜トランジスタ22のドレイン電
極18に一体的に形成された複数本の図示しない信号電極
線と、これら信号電極線に対して直交し、ゲート電極12
に一体的に形成された図示しない走査電極線が形成され
ている。ここで、信号電極線と走査電極線との交点に
は、薄膜トランジスタ22が配設されている。さらに、薄
膜トランジスタ22のソース電極19には、透明画素電極17
および図示しない補助容量が接続されている。
行に等間隔のそれぞれ薄膜トランジスタ22のドレイン電
極18に一体的に形成された複数本の図示しない信号電極
線と、これら信号電極線に対して直交し、ゲート電極12
に一体的に形成された図示しない走査電極線が形成され
ている。ここで、信号電極線と走査電極線との交点に
は、薄膜トランジスタ22が配設されている。さらに、薄
膜トランジスタ22のソース電極19には、透明画素電極17
および図示しない補助容量が接続されている。
【００２６】次に、アレイ基板の製造工程について説明
する。
する。
【００２７】まず、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor D
eposition ）法によりガラス基板11上に図示しない酸化
シリコンの膜を形成し、スパッタ法によりモリブデン・
タンタル合金膜を３０００オングストローム堆積させ
る。続いて、フォトリソグラフィ技術を用いてゲート電
極12のパターンを形成し、ＣＤＥ（Chemical Dry Etchi
ng）で四ふっ化炭素（ＣＦ4 ）＋酸素（Ｏ2 ）の混合ガ
スで３０°以下のテーパーができるようにゲート電極12
のエッチングを行なう。
eposition ）法によりガラス基板11上に図示しない酸化
シリコンの膜を形成し、スパッタ法によりモリブデン・
タンタル合金膜を３０００オングストローム堆積させ
る。続いて、フォトリソグラフィ技術を用いてゲート電
極12のパターンを形成し、ＣＤＥ（Chemical Dry Etchi
ng）で四ふっ化炭素（ＣＦ4 ）＋酸素（Ｏ2 ）の混合ガ
スで３０°以下のテーパーができるようにゲート電極12
のエッチングを行なう。
【００２８】次に、プラズマＣＶＤにより、ゲート絶縁
膜13を３５００オングストローム堆積させ、シランガス
（ＳｉＨ4 ）、水素ガス（Ｈ2 ）系のグロー放電によ
り、水素化非晶質シリコンの半導体層14を５００オング
ストロームの厚さに堆積し、シランガス、アンモニアガ
ス（ＮＨ3 ）および窒素ガス（Ｎ2 ）系のグロー放電に
より、窒化シリコンのエッチングストッパ層15を３００
０オングストロームの厚さに形成し、フォトリソグラフ
ィ技術を用いてゲート電極12の上方の位置に配設する。
膜13を３５００オングストローム堆積させ、シランガス
（ＳｉＨ4 ）、水素ガス（Ｈ2 ）系のグロー放電によ
り、水素化非晶質シリコンの半導体層14を５００オング
ストロームの厚さに堆積し、シランガス、アンモニアガ
ス（ＮＨ3 ）および窒素ガス（Ｎ2 ）系のグロー放電に
より、窒化シリコンのエッチングストッパ層15を３００
０オングストロームの厚さに形成し、フォトリソグラフ
ィ技術を用いてゲート電極12の上方の位置に配設する。
【００２９】続いて、シランガスとＰＨ3 を含む水素ガ
スのグロー放電により、ｎ型水素化シリコンのオーミッ
クコンタクト層16を５００オングストロームの厚さに形
成する。
スのグロー放電により、ｎ型水素化シリコンのオーミッ
クコンタクト層16を５００オングストロームの厚さに形
成する。
【００３０】次に、半導体層14とオーミックコンタクト
層16とゲート絶縁膜13を同時に、アイランド状に形成し
た後、ＩＴＯの透明画素電極17を形成する。この透明画
素電極17は図示しない補助容量の一方の電極の一部とし
ても使用する。
層16とゲート絶縁膜13を同時に、アイランド状に形成し
た後、ＩＴＯの透明画素電極17を形成する。この透明画
素電極17は図示しない補助容量の一方の電極の一部とし
ても使用する。
【００３１】続いて、ゲート配線である走査電極線の電
極パッド上のゲート絶縁膜13をＨＦ系ウエットエッチン
グ除去し、スパッタ法によりモリブデン18a ，19a 、ア
ルミニウム18b ，19b 、モリブデン18c ，19c を順次堆
積させ、図１に示すように、所定形状のレジスト31を形
成して、所定のパターニングを行ない、燐酸＋硝酸＋酢
酸の混酸によりエッチング除去し、データ線である信号
電極線およびこの信号電極線と一体のドレイン電極18
と、透明画素電極17に接続するソース電極19とを形成す
る。
極パッド上のゲート絶縁膜13をＨＦ系ウエットエッチン
グ除去し、スパッタ法によりモリブデン18a ，19a 、ア
ルミニウム18b ，19b 、モリブデン18c ，19c を順次堆
積させ、図１に示すように、所定形状のレジスト31を形
成して、所定のパターニングを行ない、燐酸＋硝酸＋酢
酸の混酸によりエッチング除去し、データ線である信号
電極線およびこの信号電極線と一体のドレイン電極18
と、透明画素電極17に接続するソース電極19とを形成す
る。
【００３２】この際、レジスト31の剥離液としてアルカ
ノールアミン（Ｃn Ｈ2n＝１- ＮＨ3 ）とグライコエー
テル（Ｒ- （ＯＣＨ2 ＣＨ2 ）2 -ＯＨ）とを８４％の
濃度に純水で希釈したものを使用する。剥離処理を行な
う剥離装置は、剥離液を基板表面にスプレー状に供給す
る漕と、剥離液に基板全体を浸漬して超音波を併用しな
がら剥離する漕とが直列に接続されており、液の温度は
いずれも４０℃とする。それぞれの漕での基板の滞在時
間は３０秒である。この処理後には、膜厚の光学的測定
方法によってレジスト31の残量を測定しても、レジスト
31の残りは全く測定されない。
ノールアミン（Ｃn Ｈ2n＝１- ＮＨ3 ）とグライコエー
テル（Ｒ- （ＯＣＨ2 ＣＨ2 ）2 -ＯＨ）とを８４％の
濃度に純水で希釈したものを使用する。剥離処理を行な
う剥離装置は、剥離液を基板表面にスプレー状に供給す
る漕と、剥離液に基板全体を浸漬して超音波を併用しな
がら剥離する漕とが直列に接続されており、液の温度は
いずれも４０℃とする。それぞれの漕での基板の滞在時
間は３０秒である。この処理後には、膜厚の光学的測定
方法によってレジスト31の残量を測定しても、レジスト
31の残りは全く測定されない。
【００３３】この後、プラズマ酸化法によりソース電極
19と、走査電極線とドレイン電極18の側面を５０オング
ストローム酸化させて酸化膜20，21を形成し、ドレイン
電極18とソース電極19の間のオーミックコンタクト層16
をＰＥ（Plasma Etching）により除去し、この後、レジ
スト剥離する。
19と、走査電極線とドレイン電極18の側面を５０オング
ストローム酸化させて酸化膜20，21を形成し、ドレイン
電極18とソース電極19の間のオーミックコンタクト層16
をＰＥ（Plasma Etching）により除去し、この後、レジ
スト剥離する。
【００３４】そして、薄膜トランジスタ22の経時変化を
抑えるために、図２に示すように、窒化シリコンからな
る保護膜23で覆い、透明画素電極17および周辺の電極パ
ッド部をエッチング除去を行ない、続いて、ガラス基板
11の上面に、たとえばポリイミドからなる図示しない配
向膜をスピンコート法により塗布し、１００〜１８０℃
の間の適当な温度で焼成をしてラビングを行ない、所望
のアレイ基板が得られる。
抑えるために、図２に示すように、窒化シリコンからな
る保護膜23で覆い、透明画素電極17および周辺の電極パ
ッド部をエッチング除去を行ない、続いて、ガラス基板
11の上面に、たとえばポリイミドからなる図示しない配
向膜をスピンコート法により塗布し、１００〜１８０℃
の間の適当な温度で焼成をしてラビングを行ない、所望
のアレイ基板が得られる。
【００３５】なお、この薄膜トランジスタ22を有するア
レイ基板から液晶表示装置を形成するには、薄膜トラン
ジスタ22と対向するように図示しない遮光膜を形成す
る。
レイ基板から液晶表示装置を形成するには、薄膜トラン
ジスタ22と対向するように図示しない遮光膜を形成す
る。
【００３６】さらに、別個の図示しないガラス基板の全
面にたとえばＩＴＯからなる対向電極とたとえばポリイ
ミドからなる配向膜を順次形成し、同様にラビングを行
ない、所望の対向基板を形成する。
面にたとえばＩＴＯからなる対向電極とたとえばポリイ
ミドからなる配向膜を順次形成し、同様にラビングを行
ない、所望の対向基板を形成する。
【００３７】次に、アレイ基板と対向基板を、たとえば
粒径約１０ミクロンのアルミナからなるスペーサを介し
て、配向膜が対向した状態で平行かつ一体となるよう
に、液晶注入口となる部分を除き、たとえばエポキシ系
の接着でほぼ１０ミクロン離して接着する。続いて、注
入口より液晶を注入後に、エポキシ接着剤で注入口を封
止する。こうして、アレイ基板と対向基板との間に液晶
を挟持した所望のアクティブマトリクス型の液晶表示素
子を形成する。
粒径約１０ミクロンのアルミナからなるスペーサを介し
て、配向膜が対向した状態で平行かつ一体となるよう
に、液晶注入口となる部分を除き、たとえばエポキシ系
の接着でほぼ１０ミクロン離して接着する。続いて、注
入口より液晶を注入後に、エポキシ接着剤で注入口を封
止する。こうして、アレイ基板と対向基板との間に液晶
を挟持した所望のアクティブマトリクス型の液晶表示素
子を形成する。
【００３８】上記実施例によれば、ソース電極19および
ドレイン電極18のアルミニウムおよび高融点金属の積層
膜のレジスト31を剥離する際に、アルカノールアミン
（ＣnＨ2n＝１- ＮＨ3 ）とグライコエーテル（Ｒ-
（ＯＣＨ2 ＣＨ2 ）2 -ＯＨ）とを純水で希釈したもの
を用いることにより、液抵抗を増加させて分極抵抗を増
大させ、アルミニウムのアノード分極曲線と高融点金属
のカソード分極曲線との交点によって決定される腐蝕速
度を抑制し、アルミニウムの電蝕を小さくできるととも
に、希釈して使用することによる経済性が得られるとと
もに、液管理を容易にできる。
ドレイン電極18のアルミニウムおよび高融点金属の積層
膜のレジスト31を剥離する際に、アルカノールアミン
（ＣnＨ2n＝１- ＮＨ3 ）とグライコエーテル（Ｒ-
（ＯＣＨ2 ＣＨ2 ）2 -ＯＨ）とを純水で希釈したもの
を用いることにより、液抵抗を増加させて分極抵抗を増
大させ、アルミニウムのアノード分極曲線と高融点金属
のカソード分極曲線との交点によって決定される腐蝕速
度を抑制し、アルミニウムの電蝕を小さくできるととも
に、希釈して使用することによる経済性が得られるとと
もに、液管理を容易にできる。
【００３９】そして、図３は、５０％に希釈した剥離液
と７５％に希釈した剥離液とにおけるアルミニウムおよ
びモリブデンの分極曲線を示す。図中a1は５０％に希釈
した剥離液でのアルミニウムのアノード分極曲線を示
し、a2は５０％に希釈した剥離液でのモリブデンのカソ
ード分極曲線を示し、b1は７５％に希釈した剥離液での
アルミニウムのアノード分極曲線を示し、b2は７５％に
希釈した剥離液でのモリブデンのカソード分極曲線を示
す。
と７５％に希釈した剥離液とにおけるアルミニウムおよ
びモリブデンの分極曲線を示す。図中a1は５０％に希釈
した剥離液でのアルミニウムのアノード分極曲線を示
し、a2は５０％に希釈した剥離液でのモリブデンのカソ
ード分極曲線を示し、b1は７５％に希釈した剥離液での
アルミニウムのアノード分極曲線を示し、b2は７５％に
希釈した剥離液でのモリブデンのカソード分極曲線を示
す。
【００４０】５０％に希釈した場合には、アノードもカ
ソードも共に分極が大きく、電流密度２．１ｍＡ／ｃｍ
2 の速度（図中のｉcorr（60））で腐蝕が進行してい
る。この値は膜圧の減小速度に換算するとおおよそ６０
０オングストローム／ｍｉｎに相当する。
ソードも共に分極が大きく、電流密度２．１ｍＡ／ｃｍ
2 の速度（図中のｉcorr（60））で腐蝕が進行してい
る。この値は膜圧の減小速度に換算するとおおよそ６０
０オングストローム／ｍｉｎに相当する。
【００４１】これに対し、７５％に希釈した場合には、
アノードもカソードも共に反応は可逆的に進行し、アノ
ードとカソードとの間のオーム損によって電位差が保た
れ、単極における腐蝕速度が支配的となっている。この
場合の電流密度は０．２１ｍＡ／ｃｍ2 で濃度５０％の
場合と比較すると約１／１０に減少している。
アノードもカソードも共に反応は可逆的に進行し、アノ
ードとカソードとの間のオーム損によって電位差が保た
れ、単極における腐蝕速度が支配的となっている。この
場合の電流密度は０．２１ｍＡ／ｃｍ2 で濃度５０％の
場合と比較すると約１／１０に減少している。
【００４２】電蝕はより卑な金属とより貴な金属とが短
絡し、かつ、電界液と接しているときに進行する。より
卑な金属でのアノード反応により電極に残された余剰電
子がより貴な金属まで移動し、そこでカソード反応が進
行し、電界液中ではアノードからカソードに向かって正
の電荷が移動する過程である。従って、液抵抗が大きい
場合では単極における電流がほとんど流れない（正の電
荷がアノードからカソードへ移動しない）ので反応は可
逆的であるので、単極での腐蝕はあっても、電蝕は起こ
らない。
絡し、かつ、電界液と接しているときに進行する。より
卑な金属でのアノード反応により電極に残された余剰電
子がより貴な金属まで移動し、そこでカソード反応が進
行し、電界液中ではアノードからカソードに向かって正
の電荷が移動する過程である。従って、液抵抗が大きい
場合では単極における電流がほとんど流れない（正の電
荷がアノードからカソードへ移動しない）ので反応は可
逆的であるので、単極での腐蝕はあっても、電蝕は起こ
らない。
【００４３】本実施例は、このような作用を利用したも
ので、図４に示すように、液濃度を６０％以上とすると
導電率は１００μＳ／ｃｍ以下とすることが可能で、電
蝕を抑えるに十分な液抵抗を付与することができる。
ので、図４に示すように、液濃度を６０％以上とすると
導電率は１００μＳ／ｃｍ以下とすることが可能で、電
蝕を抑えるに十分な液抵抗を付与することができる。
【００４４】また、電導度を小さく抑えることにより分
極抵抗を高め、アルミニウムとその他の金属との組み合
わせによるガルバニ電池作用を抑制できる。分極抵抗は
アルミニウムの腐蝕による膜厚の減少速度に関連し、た
とえば、浸漬時間２分程度で膜圧減量を数十オングスト
ローム以内とするには電流は０．１ｍＡ／ｃｍ2 程度で
あり、そのためには分極抵抗は１０Ｖ程度の酸化還元電
位差に対して１００ｋΩｃｍ程度であることになる。す
なわち、電導度として１０μＳ／ｃｍに相当する。
極抵抗を高め、アルミニウムとその他の金属との組み合
わせによるガルバニ電池作用を抑制できる。分極抵抗は
アルミニウムの腐蝕による膜厚の減少速度に関連し、た
とえば、浸漬時間２分程度で膜圧減量を数十オングスト
ローム以内とするには電流は０．１ｍＡ／ｃｍ2 程度で
あり、そのためには分極抵抗は１０Ｖ程度の酸化還元電
位差に対して１００ｋΩｃｍ程度であることになる。す
なわち、電導度として１０μＳ／ｃｍに相当する。
【００４５】そして、作製したアレイ基板を切り出し、
断面をＳＥＭ観察した結果を図５に示す。図５(a) は６
０％に希釈した温度８０℃の剥離液を使用して剥離処理
をした場合の配線断面部であり、図５(b) は前記実施例
のように８４％の剥離液を使用して剥離処理をした場合
を示す。図５(a) ではアルミニウムが大きく選択的に腐
蝕されているのに対し、図５(b) ではアルミニウムの腐
蝕よりはむしろ、湿式エッチングによるモリブデンのエ
ッチングの方が進行しているのがわかる。図５(a) のよ
うな断面形状では窒化シリコンからなる保護膜のカバレ
ージが十分取れなく、配線が直接液晶と接して不良の発
生原因となるのに対し、図５(b) のような本発明を実施
することにより低温で信頼性の高い配線断面形状が得ら
れる。
断面をＳＥＭ観察した結果を図５に示す。図５(a) は６
０％に希釈した温度８０℃の剥離液を使用して剥離処理
をした場合の配線断面部であり、図５(b) は前記実施例
のように８４％の剥離液を使用して剥離処理をした場合
を示す。図５(a) ではアルミニウムが大きく選択的に腐
蝕されているのに対し、図５(b) ではアルミニウムの腐
蝕よりはむしろ、湿式エッチングによるモリブデンのエ
ッチングの方が進行しているのがわかる。図５(a) のよ
うな断面形状では窒化シリコンからなる保護膜のカバレ
ージが十分取れなく、配線が直接液晶と接して不良の発
生原因となるのに対し、図５(b) のような本発明を実施
することにより低温で信頼性の高い配線断面形状が得ら
れる。
【００４６】
【発明の効果】請求項１記載の液晶表示装置用レジスト
剥離液によれば、ソース電極およびドレイン電極はアル
ミニウムおよび高融点金属の積層膜のレジストを剥離す
る際に、アルカノールアミン（Ｃn Ｈ2n＝１- ＮＨ3 ）
とグライコエーテル（Ｒ- （ＯＣＨ2 ＣＨ2 ）2 -Ｏ
Ｈ）とを純水で希釈したものを用いることにより、液抵
抗を増加させて分極抵抗を増大させ、アルミニウムのア
ノード分極曲線と高融点金属のカソード分極曲線との交
点によって決定される腐蝕速度を抑制し、アルミニウム
の電蝕を小さくできるとともに、希釈して使用すること
による経済性が得られるとともに、液管理を容易にでき
る。
剥離液によれば、ソース電極およびドレイン電極はアル
ミニウムおよび高融点金属の積層膜のレジストを剥離す
る際に、アルカノールアミン（Ｃn Ｈ2n＝１- ＮＨ3 ）
とグライコエーテル（Ｒ- （ＯＣＨ2 ＣＨ2 ）2 -Ｏ
Ｈ）とを純水で希釈したものを用いることにより、液抵
抗を増加させて分極抵抗を増大させ、アルミニウムのア
ノード分極曲線と高融点金属のカソード分極曲線との交
点によって決定される腐蝕速度を抑制し、アルミニウム
の電蝕を小さくできるとともに、希釈して使用すること
による経済性が得られるとともに、液管理を容易にでき
る。
【００４７】請求項２記載の液晶表示装置用レジスト剥
離液によれば、請求項１記載の液晶表示装置用レジスト
剥離液に加え、電導度が１０μＳ／ｃｍ以下であるた
め、電蝕を抑えるに十分な液抵抗を得ることができる。
離液によれば、請求項１記載の液晶表示装置用レジスト
剥離液に加え、電導度が１０μＳ／ｃｍ以下であるた
め、電蝕を抑えるに十分な液抵抗を得ることができる。
【００４８】請求項３記載の液晶表示装置用レジスト剥
離液によれば、請求項１または２記載の液晶表示装置用
レジスト剥離液に加え、濃度が５０％以上であるため、
導電率を低下でき、電蝕を抑えるに十分な液抵抗を得る
ことができる。
離液によれば、請求項１または２記載の液晶表示装置用
レジスト剥離液に加え、濃度が５０％以上であるため、
導電率を低下でき、電蝕を抑えるに十分な液抵抗を得る
ことができる。
【図１】本発明の液晶表示装置用レジスト剥離液を適用
するアレイ基板のレジスト形成状態の断面図である。
するアレイ基板のレジスト形成状態の断面図である。
【図２】同上実施例のアレイ基板の断面図である。
【図３】液濃度による腐蝕速度の違いを示すグラフであ
る。
る。
【図４】剥離液の導電率と液濃度との関係を示すグラフ
である。
である。
【図５】剥離液を使った場合の信号線の断面図であり、
(a) は６０％に希釈した剥離液で剥離処理した場合の断
面図、(b) は８４％に希釈した剥離液で剥離処理した場
合の断面図である。
(a) は６０％に希釈した剥離液で剥離処理した場合の断
面図、(b) は８４％に希釈した剥離液で剥離処理した場
合の断面図である。
11 基板としてのガラス基板 12 ゲート電極 13 ゲート絶縁膜 14 活性層としての半導体層 16 オーミックコンタクト層 17 透明画素電極 18 ドレイン電極 19 ソース電極 22 薄膜トランジスタ 31 レジスト
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に走査電極線および信号電極線を
マトリクス状に形成し、これら走査電極線および信号電
極線の交点にゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、オー
ミックコンタクト層、ソース電極およびドレイン電極を
有する薄膜トランジスタと画素電極とを配置したアレイ
基板を備え、前記ソース電極およびドレイン電極はアル
ミニウムおよび高融点金属の積層膜からなる液晶表示装
置の前記ソース電極およびドレイン電極に設けられたレ
ジストを剥離する液晶表示装置用レジスト剥離液におい
て、 アルカノールアミン（Ｃn Ｈ2n＝１- ＮＨ3 ）とグライ
コエーテル（Ｒ- （ＯＣＨ2 ＣＨ2 ）2 -ＯＨ）とを純
水で希釈したものであることを特徴とした液晶表示装置
用レジスト剥離液。 - 【請求項２】 電導度が１０μＳ／ｃｍ以下であること
を特徴とした請求項１記載の液晶表示装置用レジスト剥
離液。 - 【請求項３】 濃度が５０％以上であることを特徴とし
た請求項１または２記載の液晶表示装置用レジスト剥離
液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19264494A JPH0862610A (ja) | 1994-08-16 | 1994-08-16 | 液晶表示装置用レジスト剥離液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19264494A JPH0862610A (ja) | 1994-08-16 | 1994-08-16 | 液晶表示装置用レジスト剥離液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0862610A true JPH0862610A (ja) | 1996-03-08 |
Family
ID=16294684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19264494A Pending JPH0862610A (ja) | 1994-08-16 | 1994-08-16 | 液晶表示装置用レジスト剥離液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0862610A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006086514A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| JP2018534608A (ja) * | 2015-09-24 | 2018-11-22 | ズース マイクロテク フォトマスク エクイップメント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフトＳｕｓｓ ＭｉｃｒｏＴｅｃ Ｐｈｏｔｏｍａｓｋ Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ ＧｍｂＨ ＆ Ｃｏ． ＫＧ | 紫外線に暴露された水性液体媒体で基板を処理する方法 |
| WO2020022491A1 (ja) * | 2018-07-27 | 2020-01-30 | 花王株式会社 | 洗浄方法 |
-
1994
- 1994-08-16 JP JP19264494A patent/JPH0862610A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006086514A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| JP2018534608A (ja) * | 2015-09-24 | 2018-11-22 | ズース マイクロテク フォトマスク エクイップメント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフトＳｕｓｓ ＭｉｃｒｏＴｅｃ Ｐｈｏｔｏｍａｓｋ Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ ＧｍｂＨ ＆ Ｃｏ． ＫＧ | 紫外線に暴露された水性液体媒体で基板を処理する方法 |
| WO2020022491A1 (ja) * | 2018-07-27 | 2020-01-30 | 花王株式会社 | 洗浄方法 |
| JPWO2020022491A1 (ja) * | 2018-07-27 | 2021-08-19 | 花王株式会社 | 洗浄方法 |
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