JP2001215735A - レジスト用剥離液組成物、剥離方法及び回路基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 フォトレジスト剥離液組成物であって、剥離
残さがなく、金属薄膜部分に腐食が生じない優れた剥離
液組成物、これを用いた剥離方法及びこの方法で製造さ
れる回路基板を提供すること。 【解決手段】 メトキシ基を有する１価のアルコール類
及び分子量３００以下のグリコール類からなる群から選
ばれる少なくとも１種の化合物０.０５〜２０重量％並
びに無機アルカリ水溶液８０〜９９.９５重量％を含有
するレジスト用剥離液組成物を用いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レジスト用剥離液
組成物に関し、詳しくは回路基板の製造及び半導体や電
子部品の回路基板への実装の際に行う配線、バンプ形成
等のフォトファブリケーションに好適なフォトレジスト
用の剥離液組成物、並びに該剥離液組成物を用いた剥離
方法及びこの方法で製造される回路基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】フォトファブリケーションとは、感放射
線性のフォトレジストを、シリコーンウェハーや銅貼り
積層板等の被加工物表面に塗布し、フォトリソグラフィ
ー技術によって塗膜をパターン化し、得られたパターン
をマスクにして被加工物を化学的エッチング、物理的エ
ッチング、電解エッチング、又は電気めっき等のエレク
トロフォーミング技術を単独で又はこれら技術を組み合
わせて使用することにより、各種精密部品を製造する技
術の総称であり、現在の精密加工技術の主流になってい
る。

【０００３】近年、電子機器の小型化に伴い、半導体素
子の高集積化、多層化が急激に進んでおり、半導体素子
を搭載する基板への実装も高密度化（高密度実装）が必
要になっている。高密度実装では、配線の微細化や導通
をとる接続用端子であるバンプと呼ばれる微小電極の高
精度化が必要になり、こうした要求は今後一層高まるこ
とが予測されている。

【０００４】高密度実装では、例えばバンプや微細配線
を有する回路基板を製造するが、そのバンプや微細配線
の製造には、フォトリソグラフィー用液状レジスト又は
ドライフィルムレジストが用いられる。通常、バンプや
微細配線を形成後に、使用目的を果たしたレジスト膜
は、化学的あるいは物理的に剥離して除去される。この
剥離工程でフォトレジストの剥離残さが生じると、配線
あるいはバンプを通じた導通が十分にとれなくなり不具
合が生じる。レジストの剥離は、現像で除去される部分
の幅に対して、残るパターン又はバンプの高さが高くな
ればなるほど難しく、フォトレジストの剥離残さが出や
すくなる。フォトレジストの剥離残さが生じる場合は、
酸素プラズマによるアッシング処理で剥離残さを除去す
る事もできるが、特殊な装置を必要とすることや工程が
長くなり製造コストが高くなることから工業的製造プロ
セスとしては実用的ではない。これまでに種々の剥離液
組成物が開発されているが、安価な無機アルカリ水溶液
を主成分とする剥離残さのない工業的に満足のいく剥離
液は見出されていなかった。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、微細
配線やバンプ形成等回路基板製造に必要なフォトレジス
ト、特にアルカリ現像が可能なネガ型液状フォトレジス
ト及びドライフィルムに極めて優れた剥離能を有するレ
ジスト用剥離液組成物を提供すること、さらに、新規な
レジスト用剥離液を用いることを特徴とする剥離方法並
びに剥離して製造される回路基板（本発明では、回路基
板は、バンプ及び微細配線のいずれか又は双方を有する
電子部品用基板の意味で使用する。）を提供するもので
ある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、メトキシ基を有する１価のアルコール類
及び分子量３００以下のグリコール類からなる群から選
ばれる少なくとも１種の化合物０.０５〜２０重量％並
びに無機アルカリ水溶液８０〜９９.９５重量％を含有
することを特徴とするレジスト用剥離液組成物を提供す
る。更に本発明は、該レジスト用剥離液組成物を用いた
剥離方法及び該レジスト用剥離液組成物を用いた剥離方
法で製造される回路基板、特にバンプ又は微細配線を有
する回路基板を提供する。

【０００７】

【発明の実施の形態】以下に、本発明を詳しく説明す
る。本発明に用いるメトキシ基を有する１価のアルコー
ル類としては、好ましくは全炭素数３〜１５、より好ま
しくは全炭素数４〜１０のものである。全炭素数が３未
満では剥離残さが見られることがあり、全炭素数が１５
を超えると本発明で使用する無機アルカリ水溶液に対す
る溶解性が低下し均一な剥離液が得られないことがあ
る。このメトキシ基を有する１価のアルコール類として
は、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、
３-メトキシ-１-プロパノール、２-メトキシ-１-プロパ
ノール、１-メトキシ-２-プロパノール、１-メトキシ-
２-ブタノール、３-メトキシ-１-ブタノール、３-メト
キシ-３-メチル-１-ブタノール、４-メトキシ-１-ブタ
ノール等を挙げることが出来る。これらの中、３-メト
キシ-３-メチル-１-ブタノール、１-メトキシ-２-ブタ
ノールが好ましく、特に３-メトキシ-３-メチル-１-ブ
タノールが好ましい。

【０００８】本発明に用いる分子量３００以下のグリコ
ール類としては、好ましくはグリコール類が一般式
（１）で表される化合物である。 ＨＯ（ＣＨＲ¹−ＣＨＲ²Ｏ）_nＨ （１） (ここでＲ¹及びＲ²は各々独立に水素又はメチル基（但
し、両方の基が同時にメチル基になる場合は除く）を表
し、ｎは１〜４から選ばれる整数を表す)分子量が３０
０を超えると、剥離残さが見られることがある。分子量
は好ましくは２５０以下である。前記一般式（１）で表
されるグリコール類としては、例えばエチレングリコー
ル、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、
テトラエチレングリコール、プロピレングリコールが挙
げられ、更にジプロピレングリコール、トリプロピレン
グリコール、テトラプロピレングリコール及びこれらの
異性体類を挙げることが出来る。これらの中、エチレン
グリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリ
コール、テトラエチレングリコールが好ましく、特にジ
エチレングリコールが好ましい。

【０００９】本発明に用いるメトキシ基を有する１価の
アルコール類及び分子量３００以下のグリコール類から
なる群から選ばれる少なくとも１種の化合物は、単独で
もあるいは２種以上併用してもよい。本発明に用いる分
子量３００以下のグリコール類及びメトキシ基を有する
アルコール類の使用量は、０.０５〜２０重量％で、好
ましくは０．１〜１５重量％、更に好ましくは０．５〜
１０重量％である。０.０５重量％未満では剥離残さが
見られることがあり、２０重量％を越えると剥離能力が
低下し剥離残さが生じることがある。

【００１０】本発明に用いる無機アルカリ水溶液中の無
機アルカリの具体例としては、水酸化ナトリウム、水酸
化カリウム、水酸化リチウム、水酸化アンモニウム等の
水酸化アルカリ、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸
リチウム、炭酸アンモニウム等の炭酸アルカリ、重炭酸
カリウム、重炭酸ナトリウム、重炭酸リチウム、重炭酸
アンモニウム等の重炭酸アルカリ、リン酸カリウム、リ
ン酸ナトリウム、リン酸リチウム等のアルカリ金属リン
酸塩、ピロリン酸カリウム、ピロリン酸ナトリウム等の
アルカリ金属ピロリン酸塩、メタケイ酸ナトリウム、メ
タケイ酸カリウム、メタケイ酸リチウム等のメタケイ酸
塩等を挙げることが出来る。これらの中、水酸化カリウ
ム、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム及び炭酸カリウ
ムが好ましく、特に水酸化ナトリウムが好ましい。

【００１１】メトキシ基を有する１価のアルコール類及
び分子量３００以下のグリコール類からなる群から選ば
れる少なくとも１種の化合物及び無機アルカリ水溶液の
合計量を１００重量％として、本発明に用いる無機アル
カリ水溶液の使用量は、８０〜９９.９５重量％であ
り、好ましくは８５〜９９．９重量％、更に好ましくは
９０〜９９.５重量％である。無機アルカリ水溶液の使
用量が、８０重量％より低いと剥離能力が低下し、９
９.９５％を越えると剥離残さが生じることがある。本
発明に用いる無機アルカリ水溶液の濃度は、好ましくは
０．００１〜２５重量％、更に好ましくは０．０１〜１
５重量％、特に好ましくは０．０５〜１０重量％であ
る。本発明の剥離液組成物のＰＨは、通常９〜１４、好
ましくは１０〜１３．８、より好ましくは１２〜１３．
５である。

【００１２】本発明の剥離液組成物は、分子量３００以
下のグリコール類及び／又はメトキシ基を有する１価の
アルコール類並びに無機アルカリ水溶液とからなるが、
剥離液のレジストに対する親和性を高めるために、有機
アルカリ、水溶性の極性溶媒及び界面活性剤等を添加し
て用いてもよい。前記の有機アルカリの具体例として
は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエ
チルアンモニウムヒドロキシド、テトラ（ｎ-プロピ
ル）アンモニウムヒドロキシド、テトラ（ｎ-ブチル）
アンモニウムヒドロキシド、ベンジルトリメチルアンモ
ニウムヒドロキシド、テトラ（２-ヒドロキシエチル）
アンモニウムヒドロキシド、トリメチル（２-ヒドロキ
シエチル）アンモニウムヒドロキシド、トリメチル｛２
-（２-ヒドロキシエトキシ）エチル｝アンモニウムヒド
ロキシド、ジメチルジエチルアンモニウムヒドロキシド
等のテトラアルキルアンモニウムヒドロキシド類、モノ
エタノールアミン、モルホリン、ヒドラジン、ピペラジ
ン、Ｎ-ヒドロキシエチル-２-ピロジノン、ピリジン、
２，２'-ビピリジン、キノリン、２，２'-ビキノリン、
ルチジン、２，４，６-コリジン、１，２，３-ベンゾト
リアゾール等の有機アミン類を挙げることができ、これ
らのなかでもテトラメチルアンモニウムヒドロキシドお
よびモノエタノールアミンが好ましい。

【００１３】これらテトラアルキルアンモニウムヒドロ
キシド及び有機アミンは単独で添加しても良く２種類以
上を混合して添加して用いても良い。これらテトラアル
キルアンモニウムヒドロキシド及び有機アミンの添加量
は、メトキシ基を有する１価のアルコール類及び分子量
３００以下のグリコール類からなる群から選ばれる少な
くとも１種の化合物及び無機アルカリ水溶液の合計量を
１００重量部として、１５重量部以下が好ましく、更に
好ましくは１０重量部以下である。この添加量が１５重
量部を越えると、金属基板の腐食が見られることがあ
る。

【００１４】前記の水溶性の極性溶媒の具体例として
は、ジメチルスルフォキシド、ジメチルホルムアミド、
ジメチルアセトアミド、１-メチル-２-ピロリジノン、
２，４-ジメチルスルホラン、ジメチルスルホン、１，
３-ジメチル-２-イミダゾリジノン、γ-ブチロラクト
ン、アセトン、１，４-ジオキサン、テトラヒドロフラ
ン、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール
等が挙げられる。これら水溶性の極性溶媒は単独で用い
てもよく２種類以上を混合して用いてもよい。水溶性の
極性溶媒の使用量は特に限定されるわけではないが、剥
離液のコストから、メトキシ基を有する１価のアルコー
ル類及び分子量３００以下のグリコール類からなる群か
ら選ばれる少なくとも１種の化合物及び無機アルカリ水
溶液の合計量を１００重量部として１００重量部以下が
好ましい。

【００１５】前記の界面活性剤の具体例としては、ステ
アリルアミンアセテート、ジメチルラウリルベンジルア
ンモニウムクロライド、トリメチルベンジルアンモニウ
ムクロライド、ラウリルジメチルアミンオキサイド等の
カチオン性界面活性剤、ラウリルベタイン、ステアリル
ベタイン、ラウリルカルボキシジメチルヒドロキシエチ
ルイミダゾリニウムベタイン等の両性界面活性剤、アル
キルナフタレンスルホン酸ナトリウム、ジアルキルスル
ホコハク酸ナトリウム、アルキルジフェニルエーテルジ
スルホン酸ナトリウム、ポリオキシエチレンアルキルエ
ーテル硫酸ナトリウム、ポリオキシエチレンアルキルフ
ェニルエーテル硫酸ナトリウム、アルカンスルホン酸ナ
トリウム、β-ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物
のナトリウム塩等のアニオン性界面活性剤、ポリオキシ
エチレンノニルフェニルエーテル、ポリオキシエチレン
オクチルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールモ
ノステアレート、ペンタエリスリトールの高級脂肪酸エ
ステル、トリメチロールプロパンの高級脂肪酸エステ
ル、ソルビタンオレエート、ポリオキシエチレンステア
リルアミンエーテル、ポリオキシエチレンアルキルエー
テル（例えば第一工業製薬（株）ノイゲンＥＴ-１０
７、同ＥＴ-１４０Ｅ、同ＥＴ-１４９）、グリセロール
トリステアレート、ポリオキシエチレンポリオキシプロ
ピレングリコールアルキルエーテル（例えば第一工業製
薬（株）製エバン４５０、同６８０、同７８５）等のノ
ニオン系界面活性剤、ＢＭ-１０００、ＢＭ-１１００
（ＢＭケミー社製）、メガファックＦ１４２Ｄ、同Ｆ１
７２、同Ｆ１７３、同Ｆ１８３（大日本インキ化学工業
（株）製）、フロラードＦＣ-１３５、同ＦＣ-１７０
Ｃ、同ＦＣ-４３０、同ＦＣ-４３１（住友スリーエム
（株）製）、サーフロンＳ-１１２、同Ｓ-１１３、同Ｓ
-１３１、同Ｓ-１４１、同Ｓ-１４５（旭硝子（株）
製）、ＳＨ-２８ＰＡ、ＳＨ-１９０、ＳＨ-１９３、Ｓ
Ｚ-６０３２、ＳＦ-８４２８（東レダウコーニングシリ
コーン（株）製）等のフッソ系界面活性剤を挙げること
ができる。これら界面活性剤を添加する場合、添加量は
メトキシ基を有する１価のアルコール類及び分子量３０
０以下のグリコール類からなる群から選ばれる少なくと
も１種の化合物及び無機アルカリ水溶液の合計量を１０
０重量部として、５重量部以下であることが好ましい。
５重量部を越えると剥離時に泡が発生し剥離が困難にな
ることがある。

【００１６】本発明の剥離液組成物は、必要に応じて、
公知の消泡剤を添加して使用することも出来る。消泡剤
としては、例えばポリアルキレングリコール類、シリコ
ン系化合物類、無機粒子混合シリコン系化合物類、ソル
ビタン脂肪酸エステル類、カルボン酸アルミニウム類、
炭素数６以上の高級アルコール、高級脂肪酸、パラフィ
ンワックス、流動パラフィン、鉱酸、軽油、酢酸ビニル
・エチレン系エマルジョン等挙げることが出来る。具体
的には、工業的に市販されている消泡剤、例えば第一工
業製薬（株）製アンチクロス、共栄社油脂化学工業
（株）製アクアレンＳＢ-５５１、同８００、同８０
５、同１４８８、同７４４７、同ＳＢ-５５１、同３０
６２、同ＳＢ-９０５、三洋化成工業（株）製カラリン
１０２、同１０４、同２０２、同３０２、同ＤＣ-５３
５、同ＤＦ等を挙げることができる。

【００１７】本発明のレジスト用剥離液を使用するレジ
ストは、特に限定するものではないが、アルカリ可溶性
ポリマー、例えば、アルカリ可溶性ポリ（メタ）アクリ
ル酸エステルを樹脂成分とし、これにラジカル発生型光
重合開始剤を用いたアルカリ可溶性ネガ型液状フォトレ
ジスト、或いは、アルカリ可溶性ポリ（メタ）アクリル
酸エステルを樹脂成分とし、ラジカル発生型光重合開始
剤を用いたドライフィルムレジスト、ノボラック樹脂と
ナフトキノンジアジド類を用いたポジ型フォトレジス
ト、更にポジ又はネガ型化学増幅型フォトレジスト並び
にネガ型及びポジ型ドライフィルムレジストの何れにも
用いることが出来る。本発明が好ましく適用できるフォ
トレジストは、アルカリ可溶性ネガ型液状レジスト及び
アルカリ可溶性ネガ型ドライフィルムレジストであり、
特に好ましくはアルカリ可溶性ネガ型ドライフィルムレ
ジストである。

【００１８】塗布するフォトレジストの膜厚は特に限定
されるものではないが、本発明が目的とする微細配線や
バンプ形成用には、通常２０〜１５０μｍの膜厚で使用
する。液状フォトレジストの塗布方法は特に限定される
ものではないが、スピンコート法、ディッピング法、ダ
イコーティング法、カーテンコート法、印刷等何れの方
法を用いても良い。

【００１９】また、ドライフィルムレジストを用いる時
はラミネート法で薄膜を形成するが、ラミネート方法
は、常圧下の熱圧着ラミネート及び真空下での真空ラミ
ネート何れを用いてもよく、熱圧着下でのラミネート時
のラミネートロールの温度は、好ましくは５０〜１５０
℃であり、より好ましくは７０〜１２０℃である。ラミ
ネート温度が５０℃より低いと基板との密着性が十分に
得られず現像時にレジストパターンが剥がれることがあ
り、また１５０℃より高いとラミネート時にレジストが
熱により変質し所望のレジストパターンが得られないこ
とがある。本発明の剥離液組成物は、ドライフィルムレ
ジストの剥離用として好適である。

【００２０】フォトレジストパターンを形成するための
露光方法は、アライナー、プロジェクション、ステッパ
ー等市販されている露光装置を目的に応じて任意に選択
することが出来、露光後の現像は、一般に市販されてい
るアルカリ現像液を用いることが出来る。フォトレジス
トパターン形成後は、現像で除去された部分にめっきを
施す。めっき方法としては、電解めっき、無電解めっき
の何れを用いてもよく、めっきの金属種は、金、銅、ニ
ッケル、ハンダ等必要に応じて選択して用いられる。め
っき終了後は、本発明の剥離液組成物を用いてフォトレ
ジストの剥離を行う。

【００２１】次に本発明の剥離液組成物を用いたことを
特徴とする剥離方法及びこの剥離方法で製造される回路
基板について説明する。本発明の剥離方法は、全面又は
部分的に金属薄膜を有する基板上に微細配線及び/又は
バンプ形成後に残存するレジストパターンを、前記本発
明の剥離液組成物を用いて剥離・除去することを特徴と
するレジストの剥離方法である。

【００２２】本発明の回路基板は、 ａ.シリコーンウエハーやガラスの基板上に全面又は部
分的に金属薄膜を形成する工程と、 ｂ.前記金属薄膜上にフォトレジスト膜を形成する工程
と、 ｃ.前記フォトレジスト膜に所定のマスクを介して露光
し、現像する工程と、 ｄ.露出した基板にめっきする工程と、 ｅ.残存するレジスト膜を本発明の剥離液組成物を用い
て剥離する工程、とを含む方法で製造される微細配線及
び/又はバンプを有する回路基板である。

【００２３】以下、詳細に説明する。全面又は部分的
に、銅、金、バナジウム、アルミニウム等の金属で覆わ
れた基板上に、フォトレジスト、例えばアルカリ現像可
能なネガ型液状レジストを基板上にスピンコートしてフ
ォトレジスト塗膜を形成した後、或いは、アルカリ現像
可能なドライフィルムレジストを基板上にラミネートし
フォトレジスト塗膜を形成した後、所定のマスクを介し
て露光し、現像を行い、所定のレジストパターンを得
る。

【００２４】剥離を行う時の剥離液の温度は、２０〜９
０℃、好ましくは２５〜８０℃、さらに好ましくは３０
〜７０℃である。剥離液の温度が２０℃未満では、剥離
速度が遅く実用的でなく、剥離残さが見られることがあ
る。また剥離温度が９０℃を越えると金属に対する腐食
が見られたり、剥離液組成物中の特定の成分、例えば水
等が蒸発して使用できなくなることがある。

【００２５】剥離方法としては、剥離液を入れた剥離槽
に、剥離する基板を浸漬し、剥離液を撹拌して剥離する
ディップ方式が挙げられる。ディップ方式で剥離する場
合は超音波を併用してもよい。また、剥離液をスプレー
ノズルを通して吹き付けるシャワー方式で剥離すること
も出来る。剥離時間は、フォトレジストパターンの形
状、膜厚、剥離液の温度、剥離方法等により適宜選択す
ることが出来るが、通常は１〜２０分程度である。フォ
トレジスト剥離後は、基板を水洗し、空気乾燥の吹き付
けやベーク等で乾燥させる。

【００２６】上記プロセスのめっきで形成される金属の
パターンがライン状であれば配線として、ドット状であ
ればバンプとして使用する。本発明の剥離液組成物とそ
れを用いて製造した配線やバンプは、従来にない微細な
配線やバンプを有する回路基板が製造できる。本発明の
剥離液組成物は、フォトレジスト剥離処理後に剥離残さ
が見られず、更にアルミニウムを始めとする金属に対す
る腐食性が極めて低い、或いは腐食性がないために、半
導体デバイスの高密度実装や、高密度配線に用いられる
回路基板の製造に有用である。

【００２７】

【実施例】以下に本発明を実施例により具体的に説明す
るが、本発明はこれに限定されるものではない。なお、
以下において％及び部は特にことわらない限り重量％及
び重量部である。 ＜剥離用フォトレジストの調製＞ 液状フォトレジスト例１（Ｌ１と略す） メタクリル酸／ジシクロペンタニルメタクリレート／ス
チレン／１，３-ブタジエン＝２５／４５／１５／１５
を重量比で共重合してなるアルカリ可溶性ポリマー（ポ
リマー１）１００重量部に対して、次の各成分を含む均
一な溶液を調製し、ろ過してアルカリ現像型のネガ型液
状フォトレジスト（Ｌ１）を調製した。 グリセリントリアクリレート ５０重量部 ２，２-ジメトキシ-２-フェニルアセトフェノン ２５重量部 フロラードＦＣ４３０（住友スリーエム（株）製） ０.５重量部 ３-メトキシプロピオン酸メチル １２０重量部

【００２８】液状フォトレジスト例２〜８（Ｌ２〜Ｌ８
と略す） 前記Ｌ１の調製におけるアルカリ可溶性ポリマーの代り
に次の（ポリマー２）〜（ポリマー８）を用いた以外は
Ｌ１と同様にしてアルカリ現像型のネガ型液状フォトレ
ジスト（Ｌ２〜Ｌ８）を調製した。

【００２９】（ポリマー２）メタクリル酸／ジシクロペ
ンタニルメタクリレート／スチレン／２-ヘキサヒドロ
フタロイルオキシエチルメタクリレート／イソプレン＝
１９／４６／１５／１５／５ （ポリマー３）メタクリル酸／ジシクロペンタニルメタ
クリレート／ｎ-ブチルアクリレート／メトキシジプロ
ピレングリコールアクリレート／イソプレン＝１９／４
６／２２.５／７.５／５ （ポリマー４）メタクリル酸／ジシクロペンタニルメタ
クリレート／ｎ-ブチルアクリレート／イソプレン＝１
９／４６／３０／５ （ポリマー５）メタクリル酸／ジシクロペンタニルメタ
クリレート／２-ヘキサヒドロフタロイルオキシエチル
メタクリレート／スチレン／イソプレン＝１４／４６／
１５／２０／５ （ポリマー６）メタクリル酸／ｎーブチルアクリレート
／ｐ-ヒドロキシ-α-メチルスチレン＝５／６０／３５ （ポリマー７）メタクリル酸／ｎ-ブチルアクリレート
／ジシクロペンタニルメタクリレート／ｐ-ヒドロキシ-
α-メチルスチレン＝２０／２０／４０／２０ （ポリマー８）メタクリル酸／ｎ-ブチルアクリレート
／ｐ-ヒドロキシ-α-メチルスチレン＝５／６０／３５

【００３０】フォトレジスト例９及び例１０は、市販さ
れているフォトレジストをそのまま用いた。 液状フォトレジスト例９（Ｌ９と略す） ＪＳＲ（株）製ネガ型厚膜用フォトレジストＴＨＢ-１
２０Ｎ 液状フォトレジスト例１０（Ｌ１０と略す） ＪＳＲ（株）製ポジ型厚膜用フォトレジストＴＨＢ-６
１１Ｐ

【００３１】ドライフィルムレジスト例１（Ｆ１と略
す） 厚さ２５μｍ、幅４００ｍｍのポリエチレンテレフタレ
ート（ＰＥＴ）フィルム上に、ダイコーターを用いて上
記液状フォトレジスト例３（Ｌ３）の感光性樹脂組成物
を、乾燥後の膜厚が２５±１μｍとなるように塗布し、
温度６０℃のオーブン中に通して乾燥させ、ドライフィ
ルムレジスト（Ｆ１）を製造した。このドライフィルム
レジストの表面に、厚さ２５μｍのポリエチレン（Ｐ
Ｅ）フィルムを積層して保護した。

【００３２】ドライフィルムレジスト例２は、市販され
ているネガ型ドライフィルムレジストをそのまま用い
た。 ドライフィルムレジスト例２（Ｆ２と略す） ＪＳＲ（株）製ＦＤＲ-４０００（レジスト膜厚４０μ
ｍ）

【００３３】＜剥離液の調製＞ [剥離液調製例１]（Ｈ１と略す） ３Ｌのセパラブルフラスコに、３％水酸化ナトリウム水
溶液２９１０ｇ及び３-メトキシ-３-メチル-１-ブタノ
ール９０ｇを入れ、３０分間室温で撹拌して剥離液（Ｈ
１）（ＰＨ１３．１）を調製した。Ｈ１は表１に示すよ
うに実施例１〜１０及び実施例１６、１７で使用した。 [剥離液調製例２〜１４］（Ｈ２〜Ｈ１４と略す） 表１及び表２に示したＨ２〜Ｈ１４の組成の剥離液を、
Ｈ１と同様に調製した。これらは実施例１１〜１５及び
実施例１８〜３０で使用した。 [剥離液調製の比較例１〜５］（ＣＨ１〜ＣＨ５と略
す）表２に示したＣＨ１〜ＣＨ５の組成の剥離液を、Ｈ
１と同様に調製した。これらは比較例１〜６で使用し
た。

【００３４】[実施例１]上記フォトレジスト例１（Ｌ
１）を、膜厚１５００オングストロームのスパッタリン
グ成膜アルミニウム付き４インチサイズシリコーンウェ
ハー上にスピンコーティングで塗布し、該塗布膜をホッ
トプレートで９０℃１０分間プレベークし、膜厚５０μ
ｍのフォトレジスト膜を形成した。次いで、抜きパター
ンサイズ１辺６０μｍの正方形パターンを有するフォト
マスクを介して５００ｍＪ／ｃｍ²（波長３６５ｎｍの
センサーを用いて換算）の光線照射量で露光し、次に露
光後のフォトレジスト膜を２．３８重量％のテトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシド水溶液で現像し、該フォト
レジストの所定のパターンを有する基板を作製した。該
基板を１００℃で１０分間ポストベークした後、めっき
を行った。めっきはシアン金めっき液（エヌ・イーケム
キャット（株）製 Ｎ４４）を用い、めっき浴温度６０
℃、めっきの電流密度０.６７Ａ／ｄｍ²でめっき液を撹
拌しながら行い、膜厚２０μｍの金めっきバンプ（１辺
６０μｍ、高さ２０μｍの直方体）を形成した。めっき
した基板は水洗した後、１０分間空気を吹き付けて乾燥
して、レジストを剥離していない回路基板を作製した。
次いで、本発明の剥離液組成物（Ｈ１）を温度４０℃に
調整した中に該回路基板を１０分間浸漬して剥離を実施
し、バンプを有する回路基板を製造した。レジスト剥離
後の回路基板の剥離残さの程度と基板表面のアルミニウ
ム膜の腐食状態を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）及び光学顕
微鏡を用いて観察した。実験条件と評価結果は表１に示
した。

【００３５】[実施例２〜１４]表１に示した液状フォト
レジストＬ２〜Ｌ１０を用いて、実施例１と同様な方法
でめっきした回路基板を作製し、表１に示したごとく剥
離液Ｈ１又はＨ４を用い、実施例１と同様に剥離した。
実験条件と評価結果は表１に記載した。実施例２〜１４
において、得られた回路基板のバンプ部には、いずれも
剥離残さは認められず、又剥離後の基板には腐食がなく
全て良好であった。

【００３６】[実施例１５]膜厚１５００オングストロー
ムのスパッタリング成膜アルミニウム付き４インチサイ
ズシリコーンウェハー上に、ドライフィルムレジスト
（Ｆ１；レジスト膜厚２５μｍ）を、温度９０℃でロー
ルラミネートし、フォトレジスト膜を形成した後、ライ
ン／スペース＝４０μｍ／４０μｍの配線パターンを有
するフォトマスクを介して３５０ｍJ／ｃｍ²の光照射量
で露光した。次に露光後のフォトレジストを濃度１重量
％の炭酸ナトリウム水溶液を用い温度３０℃、スプレー
圧１．５ｋｇｆ／ｃｍ² ２分で現像し、該フォトレジス
トの所定のパターンを有する配線基板を作製した。該基
板を１００℃で５分間ポストベークした後、めっきを行
った。めっきは、シアン金めっき液（エヌ・イーケムキ
ャット（株）製 Ｎ４４）を用い、めっき浴温度６０
℃、めっきの電流密度０．６７Ａ／ｄｍ²で、めっき液
を撹拌しながらめっきし、膜厚２０μｍの配線幅４０μ
ｍの金めっき配線を形成した。めっきした基板は水洗し
た後、１０分間空気を吹き付けて乾燥して、レジストを
剥離していない回路基板を作製した。次いで、６０℃に
調整した本発明の剥離液組成物（Ｈ４）中に該基板を５
分間浸漬して剥離を行ない、水洗、乾燥して微細配線を
有する回路基板を製造した。得られた回路基板は、実施
例１と同様にして評価した結果、剥離残さは全く認めら
れず、又剥離後の基板には腐食がなく良好であった。

【００３７】[実施例１６]剥離液組成物Ｈ１を用いた以
外は実施例１５と同様に実験した。結果は表１に示した
とおり、全て良好であった。 [実施例１７]ドライフィルムレジスト（Ｆ２；レジスト
膜厚４０μｍ）を用いた以外は実施例１６と同様に実験
した。結果は表１に示したとおり、全て良好であった。 [実施例１８〜３０]ドライフィルムレジスト（Ｆ２；レ
ジスト膜厚４０μｍ）を用い、剥離液組成物Ｈ２〜Ｈ１
４を表１、表２に記載のとおり変えて行った以外は実施
例１７と同様に実験した。条件と結果は表１、表２に示
した。得られた回路基板の配線部には、いずれも剥離残
さは認められず、又剥離後の基板には腐食がなく全て良
好であった。

【００３８】[比較例１]液状フォトレジストＬ１を使用
し、剥離液組成物は表２に示すＣＨ１（本発明の範囲外
である全量３％水酸化ナトリウム水溶液）を使用し、剥
離をより行い易くするために剥離液温度を高めの７０℃
に設定した以外は、実施例１と同様にして回路基板の製
造を行った。結果は表２に示したとおり、剥離残さが少
しあって、不完全な回路基板であった。 [比較例２]剥離液組成物は表２に示すＣＨ２（本発明の
範囲外の組成）を使用した以外は、比較例１と同様にし
て回路基板の製造を行った。結果は表２に示したとお
り、剥離残さがあり、不完全な回路基板であった。

【００３９】[比較例３]ドライフィルムレジスト（Ｆ
２）を使用して回路基板を製作し、剥離液組成物は前記
ＣＨ１（本発明の範囲外である全量３％水酸化ナトリウ
ム水溶液）を使用した以外は実施例１５と同様にして回
路基板を作製した。条件と評価結果は表２に示したとお
り、剥離残さが少しあり、基板の腐食が認められ、不完
全な回路基板であった。 [比較例４〜６]ドライフィルムレジスト（Ｆ２）を使用
して回路基板を製作し、剥離液組成物は前記ＣＨ１７〜
ＣＨ１９（本発明のメトキシ基を有する１価のアルコー
ル類及び分子量３００以下のグリコール類以外のこれら
に類似した化合物であるポリエチレングリコール（Ｍｗ
＝６００）、１，３-ブタンジオール、２-ブトキシ-１-
エタノールをそれぞれ使用した剥離液組成物）を使用し
た以外は、実施例１５と同様にして回路基板の製造を行
った。条件と評価結果は表２に示したとおりいずれも剥
離残さが有り、さらに基板にわずかに腐食が見られ、不
完全な回路基板であった。

【００４０】

【表１】

【００４１】

【表２】

【００４２】表１、表２に、「剥離処理後の残さの有
無」及び「剥離処理後の基板の腐食状態」の評価結果を
示す。表中の「無、少し、有、○、△及び×」は次の内
容を示す。 [剥離残さ]：無（剥離残りは無く良好）、少し（剥離残
りが少し見られる）、有（剥離残りが見られ不可） [腐食状態]：○（腐食が無く良好）、 △（僅かに変化
が見られる）、×（腐食が見られ不可）

【００４３】表中の略字は、それぞれ次の意味である。 Ｈ＝剥離液組成物 ＳＨ＝３％水酸化ナトリウム水溶液 ＰＨ＝３％水酸化カリウム水溶液 ＭＭＢ＝３-メトキシ-３-メチル-１-ブタノール ＭＢ＝１-メトキシ-２-ブタノール ＥＧ＝エチレングリコール ＤＥＧ＝ジエチレングリコール ＴＯＥＧ＝トリエチレングリコール ＴＥＥＧ＝テトラエチレングリコール ＰＧ＝プロピレングリコール ＤＰＧ＝ジプロピレングリコール ＴＯＰＧ＝トリプロピレングリコール ＴＥＰＧ＝テトラプロピレングリコール ＰＥＧ＝ポリエチレングリコール（分子量６００） ＢＤＯ＝１，３-ブタンジオール ＥＧＢ＝エチレングリコールモノ-ｎ-ブチルエーテル
（２-ブトキシ-１-エタノール）

【００４４】

【発明の効果】表１、表２に示した結果に見られるよう
に、本発明に係るレジスト剥離液組成物は、剥離時にフ
ォトレジストの剥離残さが見られず、且つ腐食され易い
アルミニウム膜基板での腐食もない優れた剥離液組成物
であり、しかも、レジストの種類は、ネガ型及びポジ型
の液状フォトレジスト並びにネガ型及びポジ型のドライ
フィルムレジストのいずれにも使用可能である。本発明
に係るレジスト剥離液組成物を使用して、バンプや微細
配線を有する回路基板製造の最終工程のレジスト剥離が
可能であり、バンプや微細配線を有する回路基板を製造
することが可能であった。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】メトキシ基を有する１価のアルコール類及
   び分子量３００以下のグリコール類からなる群から選ば
   れる少なくとも１種の化合物０.０５〜２０重量％並び
   に無機アルカリ水溶液８０〜９９.９５重量％を含有す
   ることを特徴とするレジスト用剥離液組成物。
2. 【請求項２】前記グリコール類が一般式（１）で表され
   る化合物であることを特徴とする請求項１記載の剥離液
   組成物。 ＨＯ（ＣＨＲ¹−ＣＨＲ²Ｏ）_nＨ （１） (ここでＲ¹及びＲ²は各々独立に水素又はメチル基（但
   し、両方の基が同時にメチル基になる場合は除く）を表
   し、ｎは１〜４から選ばれる整数を表す)
3. 【請求項３】メトキシ基を有する１価のアルコール類が
   ３-メトキシ-３-メチル-１-ブタノールであり、分子量
   ３００以下のグリコール類がジエチレングリコールであ
   ることを特徴とする請求項１記載のレジスト用剥離液組
   成物。
4. 【請求項４】ドライフィルムレジストの剥離に用いるこ
   とを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載されてい
   るレジスト用剥離液組成物。
5. 【請求項５】前記請求項１〜４のいずれかに記載されて
   いるレジスト用剥離液組成物を用いた剥離方法。
6. 【請求項６】前記請求項５記載の方法で剥離してなる回
   路基板。