RU2011149552A - Композиции для удаления резиста и способы изготовления электрических устройств - Google Patents
Композиции для удаления резиста и способы изготовления электрических устройств Download PDFInfo
- Publication number
- RU2011149552A RU2011149552A RU2011149552/02A RU2011149552A RU2011149552A RU 2011149552 A RU2011149552 A RU 2011149552A RU 2011149552/02 A RU2011149552/02 A RU 2011149552/02A RU 2011149552 A RU2011149552 A RU 2011149552A RU 2011149552 A RU2011149552 A RU 2011149552A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- liquid composition
- total weight
- composition according
- layer
- group
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract 41
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract 24
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract 14
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract 14
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract 13
- 239000003495 polar organic solvent Substances 0.000 claims abstract 9
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract 8
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 claims abstract 7
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 claims abstract 7
- AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine Chemical compound ON AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 6
- 150000002443 hydroxylamines Chemical class 0.000 claims abstract 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract 6
- 239000012085 test solution Substances 0.000 claims abstract 6
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims abstract 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 5
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims abstract 4
- 238000000196 viscometry Methods 0.000 claims abstract 4
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims abstract 3
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims abstract 2
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 claims abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 27
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 4
- -1 aliphatic sulfoxides Chemical class 0.000 claims 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims 3
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 3
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
- HXKKHQJGJAFBHI-UHFFFAOYSA-N 1-aminopropan-2-ol Chemical compound CC(O)CN HXKKHQJGJAFBHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- MCTWTZJPVLRJOU-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-1H-imidazole Chemical compound CN1C=CN=C1 MCTWTZJPVLRJOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 2-(2-aminoethoxy)ethanol Chemical compound NCCOCCO GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- MIJDSYMOBYNHOT-UHFFFAOYSA-N 2-(ethylamino)ethanol Chemical compound CCNCCO MIJDSYMOBYNHOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- KZTWONRVIPPDKH-UHFFFAOYSA-N 2-(piperidin-1-yl)ethanol Chemical compound OCCN1CCCCC1 KZTWONRVIPPDKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- JZQLRTAGAUZWRH-UHFFFAOYSA-N 2-aminoethanol;hydrate Chemical class [OH-].[NH3+]CCO JZQLRTAGAUZWRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- KDHWOCLBMVSZPG-UHFFFAOYSA-N 3-imidazol-1-ylpropan-1-amine Chemical compound NCCCN1C=CN=C1 KDHWOCLBMVSZPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- LQGKDMHENBFVRC-UHFFFAOYSA-N 5-aminopentan-1-ol Chemical compound NCCCCCO LQGKDMHENBFVRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000000018 DNA microarray Methods 0.000 claims 1
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N N-methylethanolamine Chemical compound CNCCO OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- WUGQZFFCHPXWKQ-UHFFFAOYSA-N Propanolamine Chemical compound NCCCO WUGQZFFCHPXWKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229920000297 Rayon Polymers 0.000 claims 1
- LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N aminoethylethanolamine Chemical compound NCCNCCO LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 claims 1
- YOUGRGFIHBUKRS-UHFFFAOYSA-N benzyl(trimethyl)azanium Chemical compound C[N+](C)(C)CC1=CC=CC=C1 YOUGRGFIHBUKRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 claims 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 claims 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 claims 1
- GUVUOGQBMYCBQP-UHFFFAOYSA-N dmpu Chemical compound CN1CCCN(C)C1=O GUVUOGQBMYCBQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims 1
- 150000004673 fluoride salts Chemical class 0.000 claims 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims 1
- 229940102253 isopropanolamine Drugs 0.000 claims 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims 1
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 1
- 238000005554 pickling Methods 0.000 claims 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 239000010802 sludge Substances 0.000 claims 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims 1
- DZLFLBLQUQXARW-UHFFFAOYSA-N tetrabutylammonium Chemical compound CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC DZLFLBLQUQXARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- CBXCPBUEXACCNR-UHFFFAOYSA-N tetraethylammonium Chemical compound CC[N+](CC)(CC)CC CBXCPBUEXACCNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N tetramethylammonium Chemical compound C[N+](C)(C)C QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- OSBSFAARYOCBHB-UHFFFAOYSA-N tetrapropylammonium Chemical compound CCC[N+](CCC)(CCC)CCC OSBSFAARYOCBHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
- H01L21/02063—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers the processing being the formation of vias or contact holes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31127—Etching organic layers
- H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Abstract
1. Жидкая композиция, не содержащая N-алкилпирролидонов и гидроксиламина и производных гидроксиламина, обладающая динамической сдвиговой вязкостью при 50°С от 1 до 10 мПа·с, измеренной методом ротационной вискозиметрии, и содержащая, исходя из полного веса композиции,(A) от 40 до 99.95 мас.% по меньшей мере одного полярного органического растворителя, выбранного из группы, состоящей из растворителей, проявляющих в присутствии от 0.06 до 4 мас.% растворенного гидроксида тетраметиламмония (В), массовая доля которого взята, исходя из полного веса соответствующего тестируемого раствора, постоянную интенсивность удаления при 50°С для полимерного барьерного просветляющего слоя толщиной 30 нм, содержащего хромофорные группы, поглощающие дальнее УФ-излучение,(B) от 0.05 до <0.5 мас.% по меньшей мере одного гидроксида четвертичного аммония, и(C) <5 мас.%, исходя из полного веса композиции, воды.2. Жидкая композиция по п.1, характеризующаяся тем, что динамическая сдвиговая вязкость при 50°С составляет от 1.5 до 7 мПа·с.3. Жидкая композиция по п.1, характеризующаяся тем, что растворитель (А) выбирается таким образом, что барьерный просветляющий слой удаляется в течение 180 с.4. Жидкая композиция по п.1, характеризующаяся тем, что растворители (А) демонстрируют точку кипения выше 100°С.5. Жидкая композиция по п.4, характеризующаяся тем, что растворители (А) демонстрируют точки воспламенения, измеренные в закрытом тигле, выше 50°С.6. Жидкая композиция по п.1, характеризующаяся тем, что растворитель (А) выбирается из группы, состоящей из алифатических полиаминов, содержащих по меньшей мере две простейшие аминогруппы, алифатических алканоламинов, имеющих по мен�
Claims (24)
1. Жидкая композиция, не содержащая N-алкилпирролидонов и гидроксиламина и производных гидроксиламина, обладающая динамической сдвиговой вязкостью при 50°С от 1 до 10 мПа·с, измеренной методом ротационной вискозиметрии, и содержащая, исходя из полного веса композиции,
(A) от 40 до 99.95 мас.% по меньшей мере одного полярного органического растворителя, выбранного из группы, состоящей из растворителей, проявляющих в присутствии от 0.06 до 4 мас.% растворенного гидроксида тетраметиламмония (В), массовая доля которого взята, исходя из полного веса соответствующего тестируемого раствора, постоянную интенсивность удаления при 50°С для полимерного барьерного просветляющего слоя толщиной 30 нм, содержащего хромофорные группы, поглощающие дальнее УФ-излучение,
(B) от 0.05 до <0.5 мас.% по меньшей мере одного гидроксида четвертичного аммония, и
(C) <5 мас.%, исходя из полного веса композиции, воды.
2. Жидкая композиция по п.1, характеризующаяся тем, что динамическая сдвиговая вязкость при 50°С составляет от 1.5 до 7 мПа·с.
3. Жидкая композиция по п.1, характеризующаяся тем, что растворитель (А) выбирается таким образом, что барьерный просветляющий слой удаляется в течение 180 с.
4. Жидкая композиция по п.1, характеризующаяся тем, что растворители (А) демонстрируют точку кипения выше 100°С.
5. Жидкая композиция по п.4, характеризующаяся тем, что растворители (А) демонстрируют точки воспламенения, измеренные в закрытом тигле, выше 50°С.
6. Жидкая композиция по п.1, характеризующаяся тем, что растворитель (А) выбирается из группы, состоящей из алифатических полиаминов, содержащих по меньшей мере две простейшие аминогруппы, алифатических алканоламинов, имеющих по меньшей мере одну углеродную цепь по меньшей мере из 3 атомов углерода между одной простейшей аминогруппой и одной гидроксильной группой, алифатических сульфоксидов и N-замещенных имидазолов.
7. Жидкая композиция по п.6, характеризующаяся тем, что растворитель (А) выбирается из группы, состоящей из диэтилентриамина, N-метил имидазола, 3-амино-1-пропанола, 5-амино-1-пентанола и диметил-сульфоксида.
8. Жидкая композиция по п.1, характеризующаяся тем, что гидроксид четвертичного аммония (В) выбирается из группы, состоящей из гидроксидов тетраметиламмония, тетраэтиламмония, тетрапропиламмония, тетрабутиламмония, бензилтриметиламмония и (2-гидроксиэтил)аммония.
9. Жидкая композиция по п.8, характеризующаяся тем, что гидроксидом четвертичного аммония (В) является гидроксид тетраметиламмония.
10. Жидкая композиция по п.1, характеризующаяся тем, что содержит по меньшей мере один дополнительный компонент, выбранный из группы, состоящей из полярных органических растворителей (D), отличных от растворителей (А), ингибиторов коррозии (Е), хелатообразующих веществ (F), фторидных солей (G) и поверхностно-активных веществ (Н).
11. Жидкая композиция по п.8, характеризующаяся тем, что полярный органический растворитель (D) выбирается из группы растворителей, проявляющих в присутствии от 0.06 до 4 мас.% растворенного гидроксида тетраметиламмония (В), массовая доля которого взята, исходя из полного веса соответствующего тестируемого раствора, интенсивность удаления при 50°С для полимерного барьерного просветляющего слоя толщиной 30 нм, содержащего хромофорные группы, поглощающие дальнее УФ-излучение, которая увеличивается с повышением концентрации гидроксида тетраметиламмония (В).
12. Жидкая композиция по п.11, характеризующаяся тем, что полярный растворитель (D) выбирается из группы, состоящей из этаноламина, N-метилэтаноламина, N-этилэтаноламина, изопропаноламина, 2-(2-аминоэтиламино)этанола, 2-(2-аминоэтокси)этанола, диэтиленгликоля моноэтилового эфира, диэтиленгликоля монобутилового эфира, N-(2-гидроксиэтил)пиперидина, 1,3-диметил-3,4,5,6-тетрагидро-2-(1Н)-пиримидинона и N-(3-аминопропил)имидазола.
13. Жидкая композиция по п.10, характеризующаяся тем, что ингибитор коррозии (Е) выбирается из группы, состоящей из медных ингибиторов коррозии.
14. Способ получения жидкой композиции, не содержащей N-алкилпирролидона и гидроксиламина и производных гидроксиламина, при этом способ содержит стадии:
(I) выбор по меньшей мере одного полярного органического растворителя (А), проявляющего в присутствии от 0.06 до 4 мас.% растворенного гидроксида тетраметиламмония (В), массовая доля которого взята, исходя из полного веса соответствующего тестируемого раствора, постоянную интенсивность удаления при 50°С полимерного барьерного просветляющего слоя толщиной 30 нм, содержащего хромофорные группы, поглощающие дальнее УФ-излучение,
(II) смешивание, исходя из полного веса полученной смеси,
(A) от 40 до 99.95 мас.% по меньшей мере одного из выбранных полярных органических растворителей,
(B) от 0.05 до <0.5 мас.% по меньшей мере одного гидроксида четвертичного аммония, и
(C) <5 мас.% воды,
при отсутствии N-алкилпирролидонов и гидроксиламина и производных гидроксиламина, и
(III) доведение динамической сдвиговой вязкости при 50°С смеси, полученной на стадии (II) процесса, до значения от 1 до 10 мПа·с, измеренного методом ротационной вискозиметрии.
15. Способ по п.14, характеризующийся тем, что получается жидкая композиция по любому из пп.1-11.
16. Способ изготовления электрических устройств, который содержит стадии:
1) нанесение изоляционного диэлектрического слоя, состоящего из по меньшей мере одного материала с низкой или ультранизкой диэлектрической проницаемостью, на поверхность подложки,
2) нанесение позитивного или негативного слоя резиста на поверхность изоляционного диэлектрического слоя (1),
3) подвергание слоя резиста (2) селективному воздействию электромагнитного излучения или корпускулярного излучения,
4) проявление селективно подвергнутого излучению слоя резиста (3) для образования рисунка в резисте,
5) сухое травление изоляционного диэлектрического слоя (1) с использованием рисунка в резисте (4) в качестве маски для образования проводных канавок и/или сквозных отверстий, сообщающихся с поверхностью подложки,
6) выбор по меньшей мере одного полярного органического растворителя (А), проявляющего в присутствии от 0.06 до 4 мас.% растворенного гидроксида тетраметиламмония (В), массовая доля которого взята, исходя из полного веса соответствующего тестируемого раствора, постоянную интенсивность удаления при 50°С для полимерного барьерного просветляющего слоя толщиной 30 нм, содержащего хромофорные группы, поглощающие дальнее УФ-излучение,
7) обеспечение по меньшей мере одной композиции для удаления резиста, не содержащей N-алкилпирролидона и гидроксиламина и производных гидроксиламина и обладающей динамической сдвиговой вязкостью при 50°С от 1 до 10 мПа·с, измеренной методом ротационной вискозиметрии, и содержащей, исходя из полного веса композиции,
(A) от 40 до 99.95 мас.% по меньшей мере одного полярного органического растворителя, выбранного в соответствии со стадией (6) процесса,
(B) от 0.05 до <0.5 мас.%, исходя из полного веса композиции, по меньшей мере одного гидроксида четвертичного аммония, и
(C) <5 мас.%, исходя из полного веса композиции, воды,
8) удаление рисунка в резисте и травильных шламов с помощью влажного процесса, используя по меньшей мере одну композицию для удаления резиста (7), полученную в соответствии со стадией (7) процесса, и
9) заполнение проводных канавок (5) и сквозных отверстий (5) по меньшей мере одним материалом, обладающим низким электрическим сопротивлением.
17. Способ по п.16, характеризующийся тем, что слой жесткой маски (10) располагается между слоем резиста (2) и изоляционным диэлектрическим слоем (1), причем указанный слой жесткой маски (10) селективно травится, используя рисунок в слое резиста (4) в качестве маски на стадии (5) процесса.
18. Способ по п.16, характеризующийся тем, что барьерный просветляющий слой (11) располагается между слоем резиста (2) и изоляционным диэлектрическим слоем (1), причем указанный барьерный просветляющий слой (11) селективно травится, используя рисунок в слое резиста (4) в качестве маски на стадии (5) процесса.
19. Способ по п.17, характеризующийся тем, что барьерный просветляющий слой (11) располагается между слоем жесткой маски (10) и слоем резиста (2), причем указанный барьерный просветляющий слой (11) и слой жесткой маски (10) селективно травятся на стадии (5) процесса.
20. Способ по п.16 или 17, характеризующийся тем, что селективно протравленный барьерный просветляющий слой (11) удаляется на стадии (8) процесса.
21. Способ по п.16, характеризующийся тем, что жидкая композиция по любому из пп.1-13 применяется в качестве композиции для удаления резиста (7).
22. Способ по п.16, характеризующийся тем, что медь применяется в качестве материала (9), обладающего низким электрическим сопротивлением.
23. Способ по п.16, характеризующийся тем, что изготовленные электрические устройства представляют собой полупроводниковые интегральные схемы, жидкокристаллические индикаторные панели, органические электролюминесцентные индикаторные панели, печатные платы, микромашины, ДНК-чипы и микрозаводы.
24. Применение жидкой композиции для удаления негативных и позитивных фоторезистов и травильных шламов при изготовлении 3D пакетированных интегральных схем и 3D корпусирования на уровне пластин путем формирования рельефа сквозных соединений через кремний (TSV) и/или путем осаждения и путем формирования столбиковых выводов, причем указанная жидкая композиция не содержит N-алкилпирролидонов и гидроксиламина и производных гидроксиламина, обладает динамической сдвиговой вязкостью при 50°С от 1 до 10 мПа·с, измеренной методом ротационной вискозиметрии, и содержит, исходя из полного веса композиции,
(A) от 40 до 99.95 мас.%, исходя из полного веса композиции, по меньшей мере одного полярного органического растворителя, выбранного из группы, состоящей из растворителей, проявляющих в присутствии от 0.06 до 4 мас.% растворенного гидроксида тетраметиламмония (В), массовая доля которого взята, исходя из полного веса соответствующего тестируемого раствора (АВ), постоянную интенсивность удаления при 50°С для полимерного барьерного просветляющего слоя толщиной 30 нм, содержащего хромофорные группы, поглощающие дальнее УФ-излучение,
(B) от 0.05 до <0.5 мас.%, исходя из полного веса композиции, по меньшей мере одного гидроксида четвертичного аммония, и
(C) <5 мас.%, исходя из полного веса композиции, воды.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US17617909P | 2009-05-07 | 2009-05-07 | |
| US61/176,179 | 2009-05-07 | ||
| PCT/EP2010/055205 WO2010127943A1 (en) | 2009-05-07 | 2010-04-20 | Resist stripping compositions and methods for manufacturing electrical devices |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2011149552A true RU2011149552A (ru) | 2013-06-20 |
| RU2551841C2 RU2551841C2 (ru) | 2015-05-27 |
Family
ID=42271987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2011149552/04A RU2551841C2 (ru) | 2009-05-07 | 2010-04-20 | Композиции для удаления резиста и способы изготовления электрических устройств |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9146471B2 (ru) |
| EP (1) | EP2427804B1 (ru) |
| JP (1) | JP5836932B2 (ru) |
| KR (1) | KR101799602B1 (ru) |
| CN (1) | CN102804074B (ru) |
| IL (1) | IL215954A (ru) |
| MY (1) | MY158776A (ru) |
| RU (1) | RU2551841C2 (ru) |
| SG (2) | SG175820A1 (ru) |
| TW (1) | TWI492001B (ru) |
| WO (1) | WO2010127943A1 (ru) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6063879B2 (ja) | 2011-03-18 | 2017-01-18 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ | 集積回路デバイス、光デバイス、マイクロマシン及び線幅５０ｎｍ以下のパターニングされた材料層を有する機械的精密デバイスの製造方法 |
| TWI588253B (zh) * | 2012-03-16 | 2017-06-21 | 巴地斯顏料化工廠 | 光阻剝除與清潔組合物及其製備方法與用途 |
| RU2015104902A (ru) * | 2012-07-16 | 2016-09-10 | Басф Се | Композиция, используемая в изготовлении интегральных схем, оптических устройств, микромашин и механических прецизионных устройств |
| KR101548420B1 (ko) * | 2012-07-24 | 2015-08-28 | 주식회사 엘지화학 | 금속입자층 형성 방법 및 이를 이용하여 제조된 발광소자 |
| JP6165665B2 (ja) * | 2013-05-30 | 2017-07-19 | 信越化学工業株式会社 | 基板の洗浄方法 |
| US9472420B2 (en) | 2013-12-20 | 2016-10-18 | Air Products And Chemicals, Inc. | Composition for titanium nitride hard mask and etch residue removal |
| CN104774697A (zh) * | 2015-04-28 | 2015-07-15 | 苏州永创达电子有限公司 | 一种液晶清洗剂 |
| US9976111B2 (en) | 2015-05-01 | 2018-05-22 | Versum Materials Us, Llc | TiN hard mask and etch residual removal |
| KR102384908B1 (ko) * | 2015-11-25 | 2022-04-08 | 삼성전자주식회사 | 자성 패턴 세정 조성물, 자성 패턴 형성 방법 및 자기 메모리 장치의 제조 방법 |
| KR20180087624A (ko) | 2017-01-25 | 2018-08-02 | 동우 화인켐 주식회사 | 레지스트 박리액 조성물 |
| US11175587B2 (en) * | 2017-09-29 | 2021-11-16 | Versum Materials Us, Llc | Stripper solutions and methods of using stripper solutions |
| US10948826B2 (en) * | 2018-03-07 | 2021-03-16 | Versum Materials Us, Llc | Photoresist stripper |
| KR20200076778A (ko) | 2018-12-19 | 2020-06-30 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지의 제조방법 |
| JP7273660B2 (ja) * | 2019-08-30 | 2023-05-15 | キオクシア株式会社 | 半導体製造装置、および半導体装置の製造方法 |
| KR20220058094A (ko) | 2020-10-30 | 2022-05-09 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 포토레지스트 제거용 박리액 조성물 |
| KR20220150134A (ko) * | 2021-05-03 | 2022-11-10 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트 박리 조성물과 이를 이용하는 반도체 소자 및 반도체 패키지의 제조 방법 |
Family Cites Families (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1834588A1 (ru) * | 1989-12-07 | 1996-07-10 | Научно-исследовательский институт точного машиностроения | Способ формирования рельефа интегральных микросхем |
| CA2193905A1 (en) | 1996-12-24 | 1998-06-24 | Luc Ouellet | Integrated processing for an etch module |
| JPH10239865A (ja) | 1997-02-24 | 1998-09-11 | Jsr Corp | ネガ型フォトレジスト用剥離液組成物 |
| US6218078B1 (en) | 1997-09-24 | 2001-04-17 | Advanced Micro Devices, Inc. | Creation of an etch hardmask by spin-on technique |
| US5919599A (en) | 1997-09-30 | 1999-07-06 | Brewer Science, Inc. | Thermosetting anti-reflective coatings at deep ultraviolet |
| US7547669B2 (en) | 1998-07-06 | 2009-06-16 | Ekc Technology, Inc. | Remover compositions for dual damascene system |
| US7579308B2 (en) * | 1998-07-06 | 2009-08-25 | Ekc/Dupont Electronics Technologies | Compositions and processes for photoresist stripping and residue removal in wafer level packaging |
| RU2145156C1 (ru) * | 1999-02-09 | 2000-01-27 | Нижегородский государственный технический университет | Способ формирования структур в микроэлектронике |
| GB0009112D0 (en) * | 2000-04-12 | 2000-05-31 | Ekc Technology Ltd | Inhibition of titanium corrosion |
| JP3738996B2 (ja) * | 2002-10-10 | 2006-01-25 | 東京応化工業株式会社 | ホトリソグラフィー用洗浄液および基板の処理方法 |
| TW575783B (en) | 2001-07-13 | 2004-02-11 | Ekc Technology Inc | Sulfoxide pyrolid(in)one alkanolamine cleaner composition |
| US20040256358A1 (en) | 2001-11-02 | 2004-12-23 | Hidetaka Shimizu | Method for releasing resist |
| US20030148624A1 (en) | 2002-01-31 | 2003-08-07 | Kazuto Ikemoto | Method for removing resists |
| KR101017738B1 (ko) * | 2002-03-12 | 2011-02-28 | 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 | 포토레지스트 박리제 조성물 및 세정 조성물 |
| EP1501916B1 (en) * | 2002-04-25 | 2009-06-17 | FujiFilm Electronic Materials USA, Inc. | Non-corrosive cleaning compositions for removing etch residues |
| JP3516446B2 (ja) | 2002-04-26 | 2004-04-05 | 東京応化工業株式会社 | ホトレジスト剥離方法 |
| JP4443864B2 (ja) | 2002-07-12 | 2010-03-31 | 株式会社ルネサステクノロジ | レジストまたはエッチング残さ物除去用洗浄液および半導体装置の製造方法 |
| TW200505975A (en) | 2003-04-18 | 2005-02-16 | Ekc Technology Inc | Aqueous fluoride compositions for cleaning semiconductor devices |
| CN100442449C (zh) | 2003-05-02 | 2008-12-10 | Ekc技术公司 | 半导体工艺中后蚀刻残留物的去除 |
| RU2263998C2 (ru) * | 2003-06-05 | 2005-11-10 | Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" | Способ изготовления тонкопленочной структуры межсоединений принтерной головки с тонкопленочным резистором |
| KR101043397B1 (ko) * | 2003-07-10 | 2011-06-22 | 주식회사 동진쎄미켐 | 티에프티 엘시디 제조 공정의 칼라 레지스트 제거용박리액 조성물 |
| US7384900B2 (en) * | 2003-08-27 | 2008-06-10 | Lg Display Co., Ltd. | Composition and method for removing copper-compatible resist |
| JP2005181802A (ja) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | レジスト剥離液組成物 |
| US9217929B2 (en) | 2004-07-22 | 2015-12-22 | Air Products And Chemicals, Inc. | Composition for removing photoresist and/or etching residue from a substrate and use thereof |
| US20060213780A1 (en) | 2005-03-24 | 2006-09-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Electroplating composition and method |
| US7432210B2 (en) | 2005-10-05 | 2008-10-07 | Applied Materials, Inc. | Process to open carbon based hardmask |
| KR100908601B1 (ko) | 2007-06-05 | 2009-07-21 | 제일모직주식회사 | 반사방지 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 기판상 재료의패턴화 방법 |
| US7884019B2 (en) | 2007-06-07 | 2011-02-08 | Texas Instruments Incorporated | Poison-free and low ULK damage integration scheme for damascene interconnects |
| US7981812B2 (en) | 2007-07-08 | 2011-07-19 | Applied Materials, Inc. | Methods for forming ultra thin structures on a substrate |
| CN101398638A (zh) * | 2007-09-29 | 2009-04-01 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种光刻胶清洗剂 |
| US20090121353A1 (en) * | 2007-11-13 | 2009-05-14 | Ramappa Deepak A | Dual damascene beol integration without dummy fill structures to reduce parasitic capacitance |
| CN101578341A (zh) * | 2008-01-07 | 2009-11-11 | 巴斯夫欧洲公司 | 有机涂膜剥离用组合物及剥离有机涂膜的方法 |
| CN102017015B (zh) | 2008-04-28 | 2013-01-16 | 巴斯夫欧洲公司 | 可由双聚合获得的低k电介质 |
| KR20110021951A (ko) | 2008-05-26 | 2011-03-04 | 바스프 에스이 | 다공성 물질의 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 다공성 물질 |
| US8444768B2 (en) * | 2009-03-27 | 2013-05-21 | Eastman Chemical Company | Compositions and methods for removing organic substances |
| WO2010127941A1 (en) | 2009-05-07 | 2010-11-11 | Basf Se | Resist stripping compositions and methods for manufacturing electrical devices |
-
2010
- 2010-04-20 RU RU2011149552/04A patent/RU2551841C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2010-04-20 SG SG2011079381A patent/SG175820A1/en unknown
- 2010-04-20 US US13/319,187 patent/US9146471B2/en active Active
- 2010-04-20 JP JP2012508978A patent/JP5836932B2/ja active Active
- 2010-04-20 KR KR1020117029143A patent/KR101799602B1/ko active IP Right Grant
- 2010-04-20 EP EP10715225.8A patent/EP2427804B1/en active Active
- 2010-04-20 SG SG10201402081TA patent/SG10201402081TA/en unknown
- 2010-04-20 CN CN201080030190.1A patent/CN102804074B/zh active Active
- 2010-04-20 MY MYPI2011005271A patent/MY158776A/en unknown
- 2010-04-20 WO PCT/EP2010/055205 patent/WO2010127943A1/en active Application Filing
- 2010-05-06 TW TW099114548A patent/TWI492001B/zh active
-
2011
- 2011-10-26 IL IL215954A patent/IL215954A/en active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20120058644A1 (en) | 2012-03-08 |
| SG10201402081TA (en) | 2014-07-30 |
| JP2012526295A (ja) | 2012-10-25 |
| EP2427804B1 (en) | 2019-10-02 |
| CN102804074B (zh) | 2015-03-04 |
| JP5836932B2 (ja) | 2015-12-24 |
| RU2551841C2 (ru) | 2015-05-27 |
| SG175820A1 (en) | 2011-12-29 |
| TWI492001B (zh) | 2015-07-11 |
| WO2010127943A1 (en) | 2010-11-11 |
| IL215954A (en) | 2017-01-31 |
| MY158776A (en) | 2016-11-15 |
| KR20120024714A (ko) | 2012-03-14 |
| IL215954A0 (en) | 2012-01-31 |
| CN102804074A (zh) | 2012-11-28 |
| TW201044124A (en) | 2010-12-16 |
| EP2427804A1 (en) | 2012-03-14 |
| KR101799602B1 (ko) | 2017-11-20 |
| US9146471B2 (en) | 2015-09-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2011149552A (ru) | Композиции для удаления резиста и способы изготовления электрических устройств | |
| RU2011149551A (ru) | Композиции для удаления резиста и способы изготовления электрических устройств | |
| TWI304525B (ru) | ||
| CN103676505B (zh) | 一种用于芯片的光刻胶剥离液、制备方法及去胶工艺 | |
| CN107850859A (zh) | 用于去除半导体基板上光阻剂的剥离组合物 | |
| JP2013527992A (ja) | フォトレジスト剥離液組成物 | |
| TWI500762B (zh) | 用於電子裝置之清潔液組成物 | |
| TW201100980A (en) | Resist stripping compositions and methods for manufacturing electrical devices | |
| TWI795433B (zh) | 用於移除乾膜光阻的剝離組成物及使用所述組成物的剝離方法 | |
| CN101373340B (zh) | 一种光刻胶清洗剂 | |
| JP7291704B2 (ja) | 洗浄方法 | |
| TW201635052A (zh) | 用於自基板移除物質之溶液及方法 | |
| CN112711176A (zh) | 一种适用半导体领域的光刻胶剥离液及制备方法 | |
| CN102981376A (zh) | 一种光刻胶清洗液 | |
| TWI665177B (zh) | 用於製造積體電路裝置、光學裝置、微機械及機械精密裝置之組成物 | |
| JP2002214805A (ja) | レジスト剥離剤 | |
| TWI431112B (zh) | Hydroxylamine - containing cleaning solution and its application | |
| CN102955380A (zh) | 一种低蚀刻光刻胶清洗液 | |
| JP7132214B2 (ja) | 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物 | |
| CN104345582A (zh) | 一种用于去除光阻残留物的清洗液 | |
| TW202338075A (zh) | 光阻用剝離液及使用其之基板的處理方法 | |
| CN114008539A (zh) | 清洗方法 | |
| KR20080085274A (ko) | 포토레지스트 제거용 박리액 조성물 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20190421 |