JP3255551B2 - レジスト用剥離液組成物 - Google Patents
レジスト用剥離液組成物Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レジスト用剥離液組成
物、さらに詳しくは、ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子或は
液晶パネル素子の製造に好適に使用される、低温（室
温）での剥離性が高く、導電性金属膜を腐食することの
少ないレジスト用剥離液組成物に関する。
物、さらに詳しくは、ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子或は
液晶パネル素子の製造に好適に使用される、低温（室
温）での剥離性が高く、導電性金属膜を腐食することの
少ないレジスト用剥離液組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子や液晶パネ
ル素子は、基板上に形成されたアルミニウム、銅、アル
ミニウム合金等の導電性金属膜やＳｉＯ2膜等の絶縁膜
上にホトレジストを均一に塗布し、それを露光および現
像処理をしてレジストパターンを形成し、このパターン
をマスクとして前記導電性金属膜や絶縁膜を選択的にエ
ッチングし、微細回路を形成したのち、不要のレジスト
層を剥離液で除去して製造されている。
ル素子は、基板上に形成されたアルミニウム、銅、アル
ミニウム合金等の導電性金属膜やＳｉＯ2膜等の絶縁膜
上にホトレジストを均一に塗布し、それを露光および現
像処理をしてレジストパターンを形成し、このパターン
をマスクとして前記導電性金属膜や絶縁膜を選択的にエ
ッチングし、微細回路を形成したのち、不要のレジスト
層を剥離液で除去して製造されている。
【０００３】上記レジストを除去する剥離液として、従
来、アルキルベンゼンスルホン酸を必須成分とした有機
スルホン酸系剥離液やエタノールアミン等の有機アミン
を必須成分とした有機アミン系剥離液が使用されてき
た。前記有機スルホン酸系剥離液は、毒性の高いフェノ
ール化合物やクロロベンゼン等の有機溶剤が併用される
ところから作業性が悪く、また環境問題が発生する上
に、基板の導電性金属膜等が腐食され易いという欠点を
有している。これに対し、有機アミン系剥離液は有機ス
ルホン酸系剥離液に比べ毒性が低く、廃液処理に煩雑な
処理が必要でなく、またドライエチング、アッシング、
イオン注入などの処理で形成される変質膜の剥離性が良
い上に、ＡｌやＣｕなどを含む基板の腐食防止効果が優
れているところから今日広く使用されている。
来、アルキルベンゼンスルホン酸を必須成分とした有機
スルホン酸系剥離液やエタノールアミン等の有機アミン
を必須成分とした有機アミン系剥離液が使用されてき
た。前記有機スルホン酸系剥離液は、毒性の高いフェノ
ール化合物やクロロベンゼン等の有機溶剤が併用される
ところから作業性が悪く、また環境問題が発生する上
に、基板の導電性金属膜等が腐食され易いという欠点を
有している。これに対し、有機アミン系剥離液は有機ス
ルホン酸系剥離液に比べ毒性が低く、廃液処理に煩雑な
処理が必要でなく、またドライエチング、アッシング、
イオン注入などの処理で形成される変質膜の剥離性が良
い上に、ＡｌやＣｕなどを含む基板の腐食防止効果が優
れているところから今日広く使用されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年、
半導体素子や液晶パネル素子の製造工程において採られ
るドライエッチング、アッシング、イオン注入等の処理
条件が厳しくなり、処理後のレジスト膜等は有機膜から
無機的性質を有する膜に変質するようになった。そのた
め有機アミン系剥離液で処理しても、変質膜を十分に剥
離できない上に、有機アミン系剥離液処理は、処理温度
が６０〜１３０℃と比較的高温のため、剥離液中の可燃
性有機化合物が揮発し、それに引火するという危険性が
ある。そのため前記剥離処理は引火防止設備の中で行わ
れるのが一般的であり、そのための設備に多額の費用を
要するばかりでなく、処理時間が長く高スループット
（単位時間当りのウェーハ処理枚数）の要求される半導
体素子や液晶パネル素子の剥離液としては満足のいくも
のではなくなってきている。一方、多層レジスト法にお
いて、酸素プラズマ処理によりシリコーン系レジストの
表面に形成された酸化シリコン層を剥離する目的でフッ
酸を用いた剥離液が、例えば特開平３ー２０５４６５号
公報で提案された。しかしながら、前記剥離液は極性有
機溶媒、弗酸水溶液、界面活性剤からなるため、腐食性
が強く、基板上の金属薄膜を腐食し易いという欠点を有
していた。
半導体素子や液晶パネル素子の製造工程において採られ
るドライエッチング、アッシング、イオン注入等の処理
条件が厳しくなり、処理後のレジスト膜等は有機膜から
無機的性質を有する膜に変質するようになった。そのた
め有機アミン系剥離液で処理しても、変質膜を十分に剥
離できない上に、有機アミン系剥離液処理は、処理温度
が６０〜１３０℃と比較的高温のため、剥離液中の可燃
性有機化合物が揮発し、それに引火するという危険性が
ある。そのため前記剥離処理は引火防止設備の中で行わ
れるのが一般的であり、そのための設備に多額の費用を
要するばかりでなく、処理時間が長く高スループット
（単位時間当りのウェーハ処理枚数）の要求される半導
体素子や液晶パネル素子の剥離液としては満足のいくも
のではなくなってきている。一方、多層レジスト法にお
いて、酸素プラズマ処理によりシリコーン系レジストの
表面に形成された酸化シリコン層を剥離する目的でフッ
酸を用いた剥離液が、例えば特開平３ー２０５４６５号
公報で提案された。しかしながら、前記剥離液は極性有
機溶媒、弗酸水溶液、界面活性剤からなるため、腐食性
が強く、基板上の金属薄膜を腐食し易いという欠点を有
していた。
【０００５】また、低温（室温）での剥離処理が可能な
剥離液が特開昭６４ー８８５４８号公報、特開平５ー２
５９０６６号公報に提案されているが、これら公報記載
の剥離液はいずれも有機アミンと水を含むため、剥離性
が十分でない上、基板に対する腐食も大きいという欠点
を有していた。
剥離液が特開昭６４ー８８５４８号公報、特開平５ー２
５９０６６号公報に提案されているが、これら公報記載
の剥離液はいずれも有機アミンと水を含むため、剥離性
が十分でない上、基板に対する腐食も大きいという欠点
を有していた。
【０００６】そこで、本発明者等は、上記欠点を解決す
るため鋭意研究を重ねた結果、剥離液組成物をフッ化水
素酸、水溶性有機溶媒、及び腐食剤で構成させると、低
温での剥離処理が短時間で良好に行える上に、基板上の
金属薄膜の腐食が良好に防止できることを見出し、本発
明を完成したものである。すなわち、
るため鋭意研究を重ねた結果、剥離液組成物をフッ化水
素酸、水溶性有機溶媒、及び腐食剤で構成させると、低
温での剥離処理が短時間で良好に行える上に、基板上の
金属薄膜の腐食が良好に防止できることを見出し、本発
明を完成したものである。すなわち、
【０００７】本発明は、ドライエッチング、アッシン
グ、イオン注入等の処理で変質した膜の剥離性が低温
（室温）でも優れ、剥離処理時間も短縮できるととも
に、ＡｌやＣｕを含む基板の腐食を防止できるレジスト
用剥離液組成物を提供することを目的とする。
グ、イオン注入等の処理で変質した膜の剥離性が低温
（室温）でも優れ、剥離処理時間も短縮できるととも
に、ＡｌやＣｕを含む基板の腐食を防止できるレジスト
用剥離液組成物を提供することを目的とする。
【０００８】
【発明が解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、フッ化水素酸、水溶性有機溶媒、及び芳香族ヒド
ロキシ化合物、アセチレンアルコール、カルボキシル基
含有有機化合物及びその無水物、並びにトリアゾール化
合物からなる群から選ばれる少なくとも１種の防食剤を
含有することを特徴とするレジスト用剥離液組成物に係
る。
明は、フッ化水素酸、水溶性有機溶媒、及び芳香族ヒド
ロキシ化合物、アセチレンアルコール、カルボキシル基
含有有機化合物及びその無水物、並びにトリアゾール化
合物からなる群から選ばれる少なくとも１種の防食剤を
含有することを特徴とするレジスト用剥離液組成物に係
る。
【０００９】上記本発明の剥離液組成物は、フッ化水素
酸を含有し、該フッ化水素酸は、フッ化水素５０〜６０
重量％の水溶液であり、市販品を用いることができる。
また、必要に応じフッ化アンモニウムをフッ化水素酸に
対し重量比で１：１〜１：５０の割合で含有させたもの
も好ましく使用することができる。前記フッ化水素酸及
びフッ化アンモニウムの混合物は、市販の「バッファー
ドフッ酸」（橋本化成社製）等の混合液を使用すること
ができる。このように剥離液組成物中にはフッ化水素酸
とともにフッ化アンモニウムが含有されることで、剥離
液組成物中の水素イオン濃度が安定化し、剥離工程での
濃度変化が少なく、良好な剥離作用を持続することがで
きる。
酸を含有し、該フッ化水素酸は、フッ化水素５０〜６０
重量％の水溶液であり、市販品を用いることができる。
また、必要に応じフッ化アンモニウムをフッ化水素酸に
対し重量比で１：１〜１：５０の割合で含有させたもの
も好ましく使用することができる。前記フッ化水素酸及
びフッ化アンモニウムの混合物は、市販の「バッファー
ドフッ酸」（橋本化成社製）等の混合液を使用すること
ができる。このように剥離液組成物中にはフッ化水素酸
とともにフッ化アンモニウムが含有されることで、剥離
液組成物中の水素イオン濃度が安定化し、剥離工程での
濃度変化が少なく、良好な剥離作用を持続することがで
きる。
【００１０】本発明の剥離液組成物に使用する水溶性有
機溶媒は前記フッ化水素酸と混和性のある有機溶媒であ
ればよく、従来の有機アミン系剥離液に使用された水溶
性有機溶媒が使用できる。前記水溶性有機溶媒として
は、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類、ジメチ
ルスルホン、ジエチルスルホン、ビス（２−ヒドロキシ
エチル）スルホン、テトラメチレンスルホン等のスルホ
ン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホル
ムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル
アセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド等のアミ
ド類、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−
ピロリドン、Ｎ−プロピル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒド
ロキシメチル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシエチル
−２−ピロリドン等のラクタム類、１，３−ジメチル−
２−イミダゾリジノン、１，３−ジエチル−２−イミダ
ゾリジノン、１，３−ジイソプロピル−２−イミダゾリ
ジノン等のイミダゾリジノン類、γ−ブチロラクトン、
δ−バレロラクトン等のラクトン類、エチレングリコー
ル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレン
グリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモ
ノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエー
テルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテ
ルアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレングリ
コールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノ
エチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエー
テル等の多価アルコール類及びその誘導体が挙げられ
る。これらの中で、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、
Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１，３−ジメチル−２−
イミダゾリジノン、ジエチレングリコールモノブチルエ
ーテルがレジストの剥離性に優れ好ましい。
機溶媒は前記フッ化水素酸と混和性のある有機溶媒であ
ればよく、従来の有機アミン系剥離液に使用された水溶
性有機溶媒が使用できる。前記水溶性有機溶媒として
は、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類、ジメチ
ルスルホン、ジエチルスルホン、ビス（２−ヒドロキシ
エチル）スルホン、テトラメチレンスルホン等のスルホ
ン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホル
ムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル
アセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド等のアミ
ド類、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−
ピロリドン、Ｎ−プロピル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒド
ロキシメチル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシエチル
−２−ピロリドン等のラクタム類、１，３−ジメチル−
２−イミダゾリジノン、１，３−ジエチル−２−イミダ
ゾリジノン、１，３−ジイソプロピル−２−イミダゾリ
ジノン等のイミダゾリジノン類、γ−ブチロラクトン、
δ−バレロラクトン等のラクトン類、エチレングリコー
ル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレン
グリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモ
ノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエー
テルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテ
ルアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレングリ
コールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノ
エチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエー
テル等の多価アルコール類及びその誘導体が挙げられ
る。これらの中で、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、
Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１，３−ジメチル−２−
イミダゾリジノン、ジエチレングリコールモノブチルエ
ーテルがレジストの剥離性に優れ好ましい。
【００１１】本発明の剥離液に使用する防食剤として
は、芳香族ヒドロキシ化合物、アセチレンアルコール、
カルボキシル基含有有機化合物及びその無水物、並びに
トリアゾール化合物からなる群から選ばれた少なくとも
１種の防食剤を配合することが必要である。前記防食剤
を配合することにより腐食され易いＡｌ、Ａｌ−Ｓｉ、
Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等の基板が腐食されず、剥離性が一段
と向上する。
は、芳香族ヒドロキシ化合物、アセチレンアルコール、
カルボキシル基含有有機化合物及びその無水物、並びに
トリアゾール化合物からなる群から選ばれた少なくとも
１種の防食剤を配合することが必要である。前記防食剤
を配合することにより腐食され易いＡｌ、Ａｌ−Ｓｉ、
Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等の基板が腐食されず、剥離性が一段
と向上する。
【００１２】上記防食剤のうち、芳香族ヒドロキシ化合
物としては、フェノール、クレゾール、キシレノール、
ピロカテコール、レゾルシノール、ヒドロキノン、ピロ
ガロール、１，２，４−ベンゼントリオール、サリチル
アルコール、ｐ−ヒドロキシベンジルアルコール、ｏ−
ヒドロキシベンジルアルコール、ｐ−ヒドロキシフェネ
チルアルコール、ｐ−アミノフェノール、ｍ−アミノフ
ェノール、ジアミノフェノール、アミノレゾルシノー
ル、ｐ−ヒドロキシ安息香酸、ｏ−ヒドロキシ安息香
酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、２，５−ジヒドロ
キシ安息香酸、３，４−ジヒドロキシ安息香酸、３，５
−ジヒドロキシ安息香酸等を挙げることができ、中でも
ピロカテコールが好適である。これらの化合物の単独、
又は２種以上を組み合わせて配合できる。
物としては、フェノール、クレゾール、キシレノール、
ピロカテコール、レゾルシノール、ヒドロキノン、ピロ
ガロール、１，２，４−ベンゼントリオール、サリチル
アルコール、ｐ−ヒドロキシベンジルアルコール、ｏ−
ヒドロキシベンジルアルコール、ｐ−ヒドロキシフェネ
チルアルコール、ｐ−アミノフェノール、ｍ−アミノフ
ェノール、ジアミノフェノール、アミノレゾルシノー
ル、ｐ−ヒドロキシ安息香酸、ｏ−ヒドロキシ安息香
酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、２，５−ジヒドロ
キシ安息香酸、３，４−ジヒドロキシ安息香酸、３，５
−ジヒドロキシ安息香酸等を挙げることができ、中でも
ピロカテコールが好適である。これらの化合物の単独、
又は２種以上を組み合わせて配合できる。
【００１３】アセチレンアルコールとしては、２−ブチ
ン−１，４−ジオール、３，５−ジメチル−１−ヘキシ
ン−３−オール、２−メチル−３−ブチン−２−オー
ル、３−メチル−１−ペンチン−３−オール、３，６−
ジメチル−４−オクチン−３，６−ジオール、２，４，
７，９−テトラメチル−５−デシン−４，７−ジオー
ル、２，５−ジメチル−３−ヘキシン−２，５−ジオー
ル等を挙げることができる。中でも２−ブチン−１，４
−ジオール が好適である。これらのアセチレンアルコ
ールは単独、又は２種以上を組み合わせて配合できる。
ン−１，４−ジオール、３，５−ジメチル−１−ヘキシ
ン−３−オール、２−メチル−３−ブチン−２−オー
ル、３−メチル−１−ペンチン−３−オール、３，６−
ジメチル−４−オクチン−３，６−ジオール、２，４，
７，９−テトラメチル−５−デシン−４，７−ジオー
ル、２，５−ジメチル−３−ヘキシン−２，５−ジオー
ル等を挙げることができる。中でも２−ブチン−１，４
−ジオール が好適である。これらのアセチレンアルコ
ールは単独、又は２種以上を組み合わせて配合できる。
【００１４】また、カルボキシル基含有有機化合物及び
その無水物としては、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪
酸、イソ酪酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタ
ル酸、マレイン酸、フマル酸、安息香酸、フタル酸、
１，２，３−ベンゼントリカルボン酸、グリコール酸、
乳酸、リンゴ酸、クエン酸 、無水酢酸、無水フタル
酸、無水マレイン酸、無水コハク酸、サリチル酸等を挙
げることができる。好ましいカルボキシル基含有有機化
合物としては、蟻酸、フタル酸、安息香酸、無水フタル
酸、及びサリチル酸があり、特にフタル酸、無水フタル
酸及びサリチル酸が好適である。これらの化合物の単
独、又は２種以上を組み合わせて配合できる。
その無水物としては、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪
酸、イソ酪酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタ
ル酸、マレイン酸、フマル酸、安息香酸、フタル酸、
１，２，３−ベンゼントリカルボン酸、グリコール酸、
乳酸、リンゴ酸、クエン酸 、無水酢酸、無水フタル
酸、無水マレイン酸、無水コハク酸、サリチル酸等を挙
げることができる。好ましいカルボキシル基含有有機化
合物としては、蟻酸、フタル酸、安息香酸、無水フタル
酸、及びサリチル酸があり、特にフタル酸、無水フタル
酸及びサリチル酸が好適である。これらの化合物の単
独、又は２種以上を組み合わせて配合できる。
【００１５】さらに、トリアゾール化合物としては、ベ
ンゾトリアゾール、ｏ−トリルトリアゾール、ｍ−トリ
ルトリアゾール、ｐ−トリルトリアゾール、カルボキシ
ベンゾトリアゾール、１−ヒドロキシベンゾトリアゾー
ル、ニトロベンゾトリアゾール、ジヒドロキシプロピル
ベンゾトリアゾール等を挙げることができ、中でもベン
ゾトリアゾールが好適である。これらの化合物の単独、
又は２種以上を組み合わせて配合できる。
ンゾトリアゾール、ｏ−トリルトリアゾール、ｍ−トリ
ルトリアゾール、ｐ−トリルトリアゾール、カルボキシ
ベンゾトリアゾール、１−ヒドロキシベンゾトリアゾー
ル、ニトロベンゾトリアゾール、ジヒドロキシプロピル
ベンゾトリアゾール等を挙げることができ、中でもベン
ゾトリアゾールが好適である。これらの化合物の単独、
又は２種以上を組み合わせて配合できる。
【００１６】上記防食剤は、用いるレジスト組成物、剥
離条件、アッシング、イオン注入、プラズマ処理等によ
るレジスト変質膜の生成条件、又はのちのリンス処理条
件等に応じて適宜組み合わせて用いることができる。
離条件、アッシング、イオン注入、プラズマ処理等によ
るレジスト変質膜の生成条件、又はのちのリンス処理条
件等に応じて適宜組み合わせて用いることができる。
【００１７】本発明の剥離組成物の配合割合は、（ａ）
フッ化水素酸成分が０．５〜４０重量、好ましくは０．
５〜２０重量％、（ｂ）水溶性有機溶媒成分が４０〜９
９．５重量％、好ましくは、６０〜９０重量％、及び
（ｃ）防食剤成分が０．５〜４０重量％、好ましくは、
５〜２５重量％である。フッ化水素酸成分が前記範囲未
満では変質膜の剥離性が低下し、前記範囲を超えると基
板、特に腐食され易いＡｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−
Ｃｕ等の基板を腐食して好ましくない。また、水溶性有
機溶媒成分が前記範囲未満では有機膜の剥離が不十分で
あり、前記範囲を超えると変質膜の剥離性が低下する。
また、腐食剤成分が前記範囲未満では、上記腐食され易
い基板の腐食が起るし、前記範囲を超えると剥離性が低
下する。
フッ化水素酸成分が０．５〜４０重量、好ましくは０．
５〜２０重量％、（ｂ）水溶性有機溶媒成分が４０〜９
９．５重量％、好ましくは、６０〜９０重量％、及び
（ｃ）防食剤成分が０．５〜４０重量％、好ましくは、
５〜２５重量％である。フッ化水素酸成分が前記範囲未
満では変質膜の剥離性が低下し、前記範囲を超えると基
板、特に腐食され易いＡｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−
Ｃｕ等の基板を腐食して好ましくない。また、水溶性有
機溶媒成分が前記範囲未満では有機膜の剥離が不十分で
あり、前記範囲を超えると変質膜の剥離性が低下する。
また、腐食剤成分が前記範囲未満では、上記腐食され易
い基板の腐食が起るし、前記範囲を超えると剥離性が低
下する。
【００１８】本発明のレジスト剥離液組成物は、ネガ型
及びポジ型レジストを含めてアルカリ水溶液を用いて現
像できるレジストに有利に使用できる。前記レジストと
しては、（ｉ）ナフトキノンジアジド化合物とノボラッ
ク樹脂を含有するポジ型レジスト、（ｉｉ）露光により
酸を発生する化合物、酸により分解しアルカリ水溶液に
対する溶解性が増大する化合物及びアルカリ可溶性樹脂
を含有するポジ型レジスト、（ｉｉｉ）露光により酸を
発生する化合物、酸により分解しアルカリ水溶液に対す
る溶解性が増大する基を有するアルカリ可溶性樹脂を含
有するポジ型レジスト、及び（ｉｖ）光により酸を発生
する化合物、架橋剤及びアルカリ可溶性樹脂を含有する
ネガ型レジスト等が挙げられるが、これに限定されるも
のではない。
及びポジ型レジストを含めてアルカリ水溶液を用いて現
像できるレジストに有利に使用できる。前記レジストと
しては、（ｉ）ナフトキノンジアジド化合物とノボラッ
ク樹脂を含有するポジ型レジスト、（ｉｉ）露光により
酸を発生する化合物、酸により分解しアルカリ水溶液に
対する溶解性が増大する化合物及びアルカリ可溶性樹脂
を含有するポジ型レジスト、（ｉｉｉ）露光により酸を
発生する化合物、酸により分解しアルカリ水溶液に対す
る溶解性が増大する基を有するアルカリ可溶性樹脂を含
有するポジ型レジスト、及び（ｉｖ）光により酸を発生
する化合物、架橋剤及びアルカリ可溶性樹脂を含有する
ネガ型レジスト等が挙げられるが、これに限定されるも
のではない。
【００１９】次に、実施例により本発明をさらに詳細に
説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定さ
れるものではない。
説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定さ
れるものではない。
【００２０】
実施例１〜６ 約１．０μｍのＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜を蒸着したシリコン
ウエーハ上にナフトキノンジアジド化合物とノボラック
樹脂からなるポジ型レジストであるＴＨＭＲ−ｉＰ３３
００（東京応化工業社製）をスピンナー塗布して、９０
℃にて、９０秒間のプレベークを施し、膜厚２．０μｍ
のレジスト層を形成した。このレジスト層をＮＳＲー２
００５ｉ１０Ｄ（ニコン社製）を用いてマスクパターン
を介して、露光し、２．３８重量％のテトラメチルアン
モニウムヒドロキシド水溶液で現像し、レジストパター
ンを形成した。次いで、１２０℃で９０秒間のポストベ
ークを行った。
ウエーハ上にナフトキノンジアジド化合物とノボラック
樹脂からなるポジ型レジストであるＴＨＭＲ−ｉＰ３３
００（東京応化工業社製）をスピンナー塗布して、９０
℃にて、９０秒間のプレベークを施し、膜厚２．０μｍ
のレジスト層を形成した。このレジスト層をＮＳＲー２
００５ｉ１０Ｄ（ニコン社製）を用いてマスクパターン
を介して、露光し、２．３８重量％のテトラメチルアン
モニウムヒドロキシド水溶液で現像し、レジストパター
ンを形成した。次いで、１２０℃で９０秒間のポストベ
ークを行った。
【００２１】次に、上記の条件で形成したレジストパタ
ーンを有する約１．０μｍのＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜を蒸着
したシリコンウエーハをエッチング装置ＴＳＳ−６００
０（東京応化工業社製）を用い、塩素と三塩化硼素の混
合ガスをエッチャントとして、圧力５ｍｍＴｏｒｒ、ス
テージ温度２０℃で１６８秒間エッチング処理し、次い
で、酸素とトリフルオロメタンの混合ガスを用い、圧力
２０ｍｍＴｏｒｒ、ステージ温度２０℃で３０秒間、塩
素原子を除く処理のアフターコロージョン処理を行っ
た。前記処理後更にアッシング装置ＴＣＡ−２４００
（東京応化工業社製）で、酸素ガスを用いて圧力０．３
ｍｍＴｏｒｒ、ステージ温度６０℃の条件で１５０秒間
のアッシング処理を行った。
ーンを有する約１．０μｍのＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜を蒸着
したシリコンウエーハをエッチング装置ＴＳＳ−６００
０（東京応化工業社製）を用い、塩素と三塩化硼素の混
合ガスをエッチャントとして、圧力５ｍｍＴｏｒｒ、ス
テージ温度２０℃で１６８秒間エッチング処理し、次い
で、酸素とトリフルオロメタンの混合ガスを用い、圧力
２０ｍｍＴｏｒｒ、ステージ温度２０℃で３０秒間、塩
素原子を除く処理のアフターコロージョン処理を行っ
た。前記処理後更にアッシング装置ＴＣＡ−２４００
（東京応化工業社製）で、酸素ガスを用いて圧力０．３
ｍｍＴｏｒｒ、ステージ温度６０℃の条件で１５０秒間
のアッシング処理を行った。
【００２２】上記処理済シリコンウエーハを、表１に示
す組成の剥離液に２３℃で６０秒間浸漬し剥離処理を行
った。処理した基板を純水でリンス処理し、シリコンウ
ェーハのアッシング残渣の剥離状態（変質膜の剥離
性）、及びＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜の腐食状態をＳＥＭ（走
査型電子顕微鏡）の写真観察により評価した。その結果
を表１に示す。
す組成の剥離液に２３℃で６０秒間浸漬し剥離処理を行
った。処理した基板を純水でリンス処理し、シリコンウ
ェーハのアッシング残渣の剥離状態（変質膜の剥離
性）、及びＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜の腐食状態をＳＥＭ（走
査型電子顕微鏡）の写真観察により評価した。その結果
を表１に示す。
【００２３】表１において、（ａ）成分はフッ化水素酸
又はこれとフッ化アンモニウム成分、（ｂ）成分は水溶
性有機溶媒、及び（ｃ）成分は防食剤である。変質膜の
剥離性及びＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜の腐食性の評価は、以下
のとおりである。 Ａ：剥離性良好、 Ｘ：腐食なし Ｂ：不完全な剥離、 Ｙ：腐食あり
又はこれとフッ化アンモニウム成分、（ｂ）成分は水溶
性有機溶媒、及び（ｃ）成分は防食剤である。変質膜の
剥離性及びＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜の腐食性の評価は、以下
のとおりである。 Ａ：剥離性良好、 Ｘ：腐食なし Ｂ：不完全な剥離、 Ｙ：腐食あり
【００２４】
【表 １】 注）ＨＦＡ：フッ化水素５０％水溶液 ＡＨＦ：フッ化アンモニウム５０重量％水溶液 ＤＥＭＢ：ジエチレングリコールモノブチルエーテル ＤＭＩ：１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン ＮＭＰ：Ｎ−メチル−２−ピロリドン ＤＭＳＯ：ジメチルスルホキシド ＢＴ：ベンゾトリアゾール
【００２５】比較例１〜４ 実施例１において、表２の剥離液組成を用いた以外は、
実施例１と同様にして変質膜の剥離性及び腐食性の評価
を行った。その結果を表２に示す。
実施例１と同様にして変質膜の剥離性及び腐食性の評価
を行った。その結果を表２に示す。
【００２６】
【表 ２】 注）ＤＥＭＢ：ジエチレングリコールモノブチルエーテ
ル ＤＭＩ：１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン ＤＭＡｃ：ジメチルアセトアミド ＢＴ：ベンソトリアゾール ＭＥＡ：モノエタノールアミン ＨＦＡ：フッ化水素５０％水溶液 ＤＭＳＯ：ジメチルスルホキシド
ル ＤＭＩ：１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン ＤＭＡｃ：ジメチルアセトアミド ＢＴ：ベンソトリアゾール ＭＥＡ：モノエタノールアミン ＨＦＡ：フッ化水素５０％水溶液 ＤＭＳＯ：ジメチルスルホキシド
【００２７】上記表１、２から明らかなように本発明の
レジスト用剥離液組成物は基板を腐食することなく、低
温（室温）、短時間で変質膜を良好に剥離する。
レジスト用剥離液組成物は基板を腐食することなく、低
温（室温）、短時間で変質膜を良好に剥離する。
【００２８】
【発明の効果】本発明のレジスト剥離液組成物は、過酷
な処理条件で変質したレジスト膜であっても低温（室
温）、短時間で良好に剥離することができるとともに、
腐食され易いＡｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等の
基板を腐食することがない。
な処理条件で変質したレジスト膜であっても低温（室
温）、短時間で良好に剥離することができるとともに、
腐食され易いＡｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等の
基板を腐食することがない。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平７−271056（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03F 7/42 H01L 21/027
Claims (5)
- 【請求項１】フッ化水素酸、水溶性有機溶媒、及び芳香
族ヒドロキシ化合物、アセチレンアルコール、カルボキ
シル基含有有機化合物及びその無水物、並びにトリアゾ
ール化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種の防
食剤を含有することを特徴とするレジスト用剥離液組成
物。 - 【請求項２】フッ化水素酸成分が０．５〜４０重量％、
水溶性有機溶媒成分が４０〜９９．５重量％、及び芳香
族ヒドロキシ化合物、アセチレンアルコール、カルボキ
シル基含有有機化合物及びその無水物、並びにトリアゾ
ール化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種の防
食剤成分が０．５〜４０重量％であることを特徴とする
請求項１記載のレジスト用剥離液組成物。 - 【請求項３】フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、水溶
性有機溶媒、及び芳香族ヒドロキシ化合物、アセチレン
アルコール、カルボキシル基含有有機化合物及びその無
水物、並びにトリアゾール化合物からなる群から選ばれ
る少なくとも１種の防食剤を含有することを特徴とする
レジスト用剥離液組成物。 - 【請求項４】フッ化水素酸及びフッ化アンモニウム成分
が０．５〜４０重量％、水溶性有機溶媒成分が４０〜９
９．５重量％、及び芳香族ヒドロキシ化合物、アセチレ
ンアルコール、カルボキシル基含有有機化合物及びその
無水物、並びにトリアゾール化合物からなる群から選ば
れる少なくとも１種の防食剤成分が０．５〜４０重量％
であることを特徴とする請求項３記載のレジスト用剥離
液組成物。 - 【請求項５】水溶性有機溶媒がジメチルスルホキシド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセ
トアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１，３−ジメ
チル−２−イミダゾリジノン、ジエチレングリコールモ
ノブチルエーテルからなる群から選ばれる少なくとも１
種であることを特徴とする請求項１又は３記載のレジス
ト用剥離液組成物。
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| JP3281795A JP3255551B2 (ja) | 1995-01-31 | 1995-01-31 | レジスト用剥離液組成物 |
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|---|---|---|---|
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08202052A JPH08202052A (ja) | 1996-08-09 |
| JP3255551B2 true JP3255551B2 (ja) | 2002-02-12 |
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| JP3281795A Expired - Fee Related JP3255551B2 (ja) | 1995-01-31 | 1995-01-31 | レジスト用剥離液組成物 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3255551B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7833957B2 (en) | 2002-08-22 | 2010-11-16 | Daikin Industries, Ltd. | Removing solution |
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|---|---|---|---|---|
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| US5968848A (en) * | 1996-12-27 | 1999-10-19 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Process for treating a lithographic substrate and a rinse solution for the treatment |
| JP3606738B2 (ja) | 1998-06-05 | 2005-01-05 | 東京応化工業株式会社 | アッシング後の処理液およびこれを用いた処理方法 |
| TW467953B (en) | 1998-11-12 | 2001-12-11 | Mitsubishi Gas Chemical Co | New detergent and cleaning method of using it |
| JP4224652B2 (ja) | 1999-03-08 | 2009-02-18 | 三菱瓦斯化学株式会社 | レジスト剥離液およびそれを用いたレジストの剥離方法 |
| JP3287406B2 (ja) | 1999-06-11 | 2002-06-04 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| KR100335011B1 (ko) * | 1999-08-19 | 2002-05-02 | 주식회사 동진쎄미켐 | 레지스트 제거용 조성물 |
| JP3410403B2 (ja) | 1999-09-10 | 2003-05-26 | 東京応化工業株式会社 | ホトレジスト用剥離液およびこれを用いたホトレジスト剥離方法 |
| JP2001100436A (ja) * | 1999-09-28 | 2001-04-13 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | レジスト剥離液組成物 |
| KR20020019813A (ko) * | 2000-09-07 | 2002-03-13 | 주식회사 동진쎄미켐 | 암모늄 플로라이드를 함유하는 포토레지스트 리무버조성물 |
| JP3403187B2 (ja) * | 2001-08-03 | 2003-05-06 | 東京応化工業株式会社 | ホトレジスト用剥離液 |
| JP4443864B2 (ja) | 2002-07-12 | 2010-03-31 | 株式会社ルネサステクノロジ | レジストまたはエッチング残さ物除去用洗浄液および半導体装置の製造方法 |
| DE102004037089A1 (de) | 2004-07-30 | 2006-03-16 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Technik zur Herstellung einer Passivierungsschicht vor dem Abscheiden einer Barrierenschicht in einer Kupfermetallisierungsschicht |
| WO2006081406A1 (en) | 2005-01-27 | 2006-08-03 | Advanced Technology Materials, Inc. | Compositions for processing of semiconductor substrates |
| US7923423B2 (en) | 2005-01-27 | 2011-04-12 | Advanced Technology Materials, Inc. | Compositions for processing of semiconductor substrates |
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| US8685909B2 (en) | 2006-09-21 | 2014-04-01 | Advanced Technology Materials, Inc. | Antioxidants for post-CMP cleaning formulations |
| KR101082515B1 (ko) * | 2008-04-07 | 2011-11-10 | 주식회사 엘지화학 | 포토레지스트 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 박리방법 |
| JP5206177B2 (ja) * | 2008-07-09 | 2013-06-12 | 三菱瓦斯化学株式会社 | レジスト剥離液組成物およびそれを用いた半導体素子の製造方法 |
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1995
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