JPH11119444A - レジスト用剥離液組成物およびこれを用いたレジスト剥離方法 - Google Patents
レジスト用剥離液組成物およびこれを用いたレジスト剥離方法Info
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- JPH11119444A JPH11119444A JP9299500A JP29950097A JPH11119444A JP H11119444 A JPH11119444 A JP H11119444A JP 9299500 A JP9299500 A JP 9299500A JP 29950097 A JP29950097 A JP 29950097A JP H11119444 A JPH11119444 A JP H11119444A
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- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 レジスト膜、変質膜のいずれに対しても優れ
た剥離性を有するとともに、高温処理条件下において
も、金属膜、とりわけＡｌまたはＡｌ合金が形成された
基板、あるいはＴｉが形成された基板の両者に対しても
腐食を有効に防止し得るレジスト用剥離液組成物、およ
びこれを用いたレジスト剥離方法を提供する。 【解決手段】 （ａ）ヒドロキシルアミン類２〜３０重
量％、（ｂ）水２〜３５重量％、（ｃ）モノエタノール
アミン、ジエタノールアミンの中から選ばれるいずれか
１種以上を２５〜４０重量％、（ｄ）ジメチルスルホキ
シド２０〜３２重量％、および（ｅ）芳香族ヒドロキシ
化合物２〜２０重量％からなるレジスト用剥離液組成
物、およびこれを用いたレジスト剥離方法。
た剥離性を有するとともに、高温処理条件下において
も、金属膜、とりわけＡｌまたはＡｌ合金が形成された
基板、あるいはＴｉが形成された基板の両者に対しても
腐食を有効に防止し得るレジスト用剥離液組成物、およ
びこれを用いたレジスト剥離方法を提供する。 【解決手段】 （ａ）ヒドロキシルアミン類２〜３０重
量％、（ｂ）水２〜３５重量％、（ｃ）モノエタノール
アミン、ジエタノールアミンの中から選ばれるいずれか
１種以上を２５〜４０重量％、（ｄ）ジメチルスルホキ
シド２０〜３２重量％、および（ｅ）芳香族ヒドロキシ
化合物２〜２０重量％からなるレジスト用剥離液組成
物、およびこれを用いたレジスト剥離方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はレジスト用剥離液組
成物およびこれを用いたレジスト剥離方法に関する。さ
らに詳しくは、ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子あるいは液
晶パネル素子の製造に好適に使用される、レジスト膜お
よび変質膜両者の剥離性に優れ、高温処理条件下におい
ても基板の防食性に優れるレジスト用剥離液組成物およ
びこれを用いたレジスト剥離方法に関する。
成物およびこれを用いたレジスト剥離方法に関する。さ
らに詳しくは、ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子あるいは液
晶パネル素子の製造に好適に使用される、レジスト膜お
よび変質膜両者の剥離性に優れ、高温処理条件下におい
ても基板の防食性に優れるレジスト用剥離液組成物およ
びこれを用いたレジスト剥離方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子や液晶パネ
ル素子は、基板上に蒸着等により形成されたネサ膜等の
導電性金属膜やＳｉＯ2膜等の絶縁膜上にホトレジスト
を均一に塗布し、これを露光、現像処理をしてレジスト
パターンを形成し、このパターンをマスクとして上記導
電性金属膜や絶縁膜を選択的にエッチングし、微細回路
を形成した後、不要のレジスト層を剥離液で除去して製
造される。ここで上記金属膜のほかの例としては、アル
ミニウム（Ａｌ）；アルミニウム−ケイ素（Ａｌ−Ｓ
ｉ）、アルミニウム−ケイ素−銅（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ）
等のアルミニウム合金（Ａｌ合金）；純チタン（Ｔ
ｉ）；チタンナイトライド（ＴｉＮ）、チタンタングス
テン（ＴｉＷ）等のチタン合金（Ｔｉ合金）が用いら
れ、これらは単層〜複数層にて基板上に形成される。
ル素子は、基板上に蒸着等により形成されたネサ膜等の
導電性金属膜やＳｉＯ2膜等の絶縁膜上にホトレジスト
を均一に塗布し、これを露光、現像処理をしてレジスト
パターンを形成し、このパターンをマスクとして上記導
電性金属膜や絶縁膜を選択的にエッチングし、微細回路
を形成した後、不要のレジスト層を剥離液で除去して製
造される。ここで上記金属膜のほかの例としては、アル
ミニウム（Ａｌ）；アルミニウム−ケイ素（Ａｌ−Ｓ
ｉ）、アルミニウム−ケイ素−銅（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ）
等のアルミニウム合金（Ａｌ合金）；純チタン（Ｔ
ｉ）；チタンナイトライド（ＴｉＮ）、チタンタングス
テン（ＴｉＷ）等のチタン合金（Ｔｉ合金）が用いら
れ、これらは単層〜複数層にて基板上に形成される。
【０００３】上記レジスト層を除去する剥離液組成物と
して、近年、アルカノールアミン類を用いたレジスト用
剥離液組成物が用いられてきた（特開昭６２−４９３５
５号公報、特開昭６３−２０８０４３号公報、等）。
して、近年、アルカノールアミン類を用いたレジスト用
剥離液組成物が用いられてきた（特開昭６２−４９３５
５号公報、特開昭６３−２０８０４３号公報、等）。
【０００４】しかしながら今日の半導体デバイスや液晶
デバイスの製造工程においては、上記方法のほかに、レ
ジスト層がドライエッチング、アッシング、イオン注入
等に供されたレジスト膜を剥離することも必要となって
きている。これらの処理により、処理後のレジスト膜は
変質膜となる。近年、これらの処理条件はより厳しくな
り、変質膜は有機膜から無機的性質を有する膜になって
きているため、アルカノールアミン類を用いた剥離液組
成物は、この変質膜の剥離性に不十分となっている。
デバイスの製造工程においては、上記方法のほかに、レ
ジスト層がドライエッチング、アッシング、イオン注入
等に供されたレジスト膜を剥離することも必要となって
きている。これらの処理により、処理後のレジスト膜は
変質膜となる。近年、これらの処理条件はより厳しくな
り、変質膜は有機膜から無機的性質を有する膜になって
きているため、アルカノールアミン類を用いた剥離液組
成物は、この変質膜の剥離性に不十分となっている。
【０００５】しかしながら、最近になって、より変質膜
の剥離性に優れたレジスト用剥離液組成物として、ヒド
ロキシルアミン類を含むレジスト用剥離液組成物が提案
された。例えば特開平４−２８９８６６号公報には、ヒ
ドロキシルアミンとアルカノールアミンを含んでなるレ
ジスト用剥離液組成物が記載されている。また特開平６
−２６６１１９号公報には、ヒドロキシルアミンとアル
カノールアミンにさらにカテコール等のキレート剤（防
食剤）を含有させたレジスト用剥離液組成物が記載され
ている。
の剥離性に優れたレジスト用剥離液組成物として、ヒド
ロキシルアミン類を含むレジスト用剥離液組成物が提案
された。例えば特開平４−２８９８６６号公報には、ヒ
ドロキシルアミンとアルカノールアミンを含んでなるレ
ジスト用剥離液組成物が記載されている。また特開平６
−２６６１１９号公報には、ヒドロキシルアミンとアル
カノールアミンにさらにカテコール等のキレート剤（防
食剤）を含有させたレジスト用剥離液組成物が記載され
ている。
【０００６】これらヒドロキシルアミン類を含む剥離液
組成物は、上記アルカノールアミン類を用いた剥離液に
比して変質膜の剥離性が向上するものの、ＡｌまたはＡ
ｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等のＡｌ合金が蒸着された
基板や、純チタン（Ｔｉ）が蒸着された基板に対して腐
食が現れるという問題がある。実際、上記特開平６−２
６６１９９号公報に記載の剥離液では、チタン合金に対
しては腐食を防止し得るが、純チタン（Ｔｉ）に対して
は防止し得ず、腐食が発生するという問題がある。
組成物は、上記アルカノールアミン類を用いた剥離液に
比して変質膜の剥離性が向上するものの、ＡｌまたはＡ
ｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等のＡｌ合金が蒸着された
基板や、純チタン（Ｔｉ）が蒸着された基板に対して腐
食が現れるという問題がある。実際、上記特開平６−２
６６１９９号公報に記載の剥離液では、チタン合金に対
しては腐食を防止し得るが、純チタン（Ｔｉ）に対して
は防止し得ず、腐食が発生するという問題がある。
【０００７】上記問題点に対し、例えば特開平９−９６
９１１号公報では、ヒドロキシルアミン類、水、所定の
酸解離定数を有するアミン類、水溶性有機溶媒、および
防食剤を特定量配合したレジスト用剥離液組成物を開示
し、特に変質膜の剥離性に優れ、ＡｌやＡｌ合金、純チ
タン（Ｔｉ）を形成した基板に対しても優れた防食効果
を挙げている。しかしながら、該公報に記載のレジスト
用剥離液組成物は、レジスト膜の剥離性については十分
でない。
９１１号公報では、ヒドロキシルアミン類、水、所定の
酸解離定数を有するアミン類、水溶性有機溶媒、および
防食剤を特定量配合したレジスト用剥離液組成物を開示
し、特に変質膜の剥離性に優れ、ＡｌやＡｌ合金、純チ
タン（Ｔｉ）を形成した基板に対しても優れた防食効果
を挙げている。しかしながら、該公報に記載のレジスト
用剥離液組成物は、レジスト膜の剥離性については十分
でない。
【０００８】また最近、作業効率などの点から、従来に
もましてより高温での剥離作業が求められるようになっ
てきた。一般に、より高温下で処理を行うほど剥離性が
向上するが、その一方、基板上の金属膜への腐食がそれ
だけ起こりやすくなる傾向がある。さらに、高温での処
理条件下で、レジスト膜、変質膜のいずれの剥離にも対
応し得る剥離液組成物の要求も高まってきている。
もましてより高温での剥離作業が求められるようになっ
てきた。一般に、より高温下で処理を行うほど剥離性が
向上するが、その一方、基板上の金属膜への腐食がそれ
だけ起こりやすくなる傾向がある。さらに、高温での処
理条件下で、レジスト膜、変質膜のいずれの剥離にも対
応し得る剥離液組成物の要求も高まってきている。
【０００９】したがって、レジスト膜、変質膜のいずれ
に対しても優れた剥離性を有するとともに、より高温処
理条件下において、金属膜、とりわけＡｌやＡｌ合金、
Ｔｉを形成してなる基板に対しても腐食を有効に防止し
得るレジスト用剥離液の開発が望まれていた。
に対しても優れた剥離性を有するとともに、より高温処
理条件下において、金属膜、とりわけＡｌやＡｌ合金、
Ｔｉを形成してなる基板に対しても腐食を有効に防止し
得るレジスト用剥離液の開発が望まれていた。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる事情
に鑑みてなされたもので、その課題とするところは、よ
り高温処理条件下においても、金属膜、とりわけＡｌま
たはＡｌ合金が形成された基板、あるいは純チタン（Ｔ
ｉ）が形成された基板の両者に対しても腐食を有効に防
止し得るとともに、レジスト膜、変質膜のいずれに対し
ても優れた剥離性を有するレジスト用剥離液組成物およ
びこれを用いたレジスト剥離方法を提供することにあ
る。
に鑑みてなされたもので、その課題とするところは、よ
り高温処理条件下においても、金属膜、とりわけＡｌま
たはＡｌ合金が形成された基板、あるいは純チタン（Ｔ
ｉ）が形成された基板の両者に対しても腐食を有効に防
止し得るとともに、レジスト膜、変質膜のいずれに対し
ても優れた剥離性を有するレジスト用剥離液組成物およ
びこれを用いたレジスト剥離方法を提供することにあ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、かかる課
題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、ヒドロキシ
ルアミン類、水、特定のアミン類、ジメチルスルホキシ
ド、および芳香族ヒドロキシ化合物を特定割合で配合し
たレジスト用剥離液組成物を用いることにより、上記課
題を解決し得ることを見出し、これに基づいて本発明を
完成するに至った。
題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、ヒドロキシ
ルアミン類、水、特定のアミン類、ジメチルスルホキシ
ド、および芳香族ヒドロキシ化合物を特定割合で配合し
たレジスト用剥離液組成物を用いることにより、上記課
題を解決し得ることを見出し、これに基づいて本発明を
完成するに至った。
【００１２】すなわち本発明は、（ａ）ヒドロキシルア
ミン類２〜３０重量％、（ｂ）水２〜３５重量％、
（ｃ）モノエタノールアミン、ジエタノールアミンの中
から選ばれるいずれか１種以上を２５〜４０重量％、
（ｄ）ジメチルスルホキシド２０〜３２重量％、および
（ｅ）芳香族ヒドロキシ化合物２〜２０重量％からなる
レジスト用剥離液組成物に関する。
ミン類２〜３０重量％、（ｂ）水２〜３５重量％、
（ｃ）モノエタノールアミン、ジエタノールアミンの中
から選ばれるいずれか１種以上を２５〜４０重量％、
（ｄ）ジメチルスルホキシド２０〜３２重量％、および
（ｅ）芳香族ヒドロキシ化合物２〜２０重量％からなる
レジスト用剥離液組成物に関する。
【００１３】また本発明は、金属層を形成した基板上
にレジスト層を設ける工程、該レジスト層を選択的に
露光する工程、露光後のレジスト層を現象してレジス
トパターンを設ける工程、該レジストパターンをマス
クとして基板をエッチングし、さらには所望により該エ
ッチング後のレジストパターンを基板より剥離する工
程、エッチング後あるいはアッシング後のレジストパ
ターンを基板より剥離する工程、からなるレジスト剥離
方法において、上記レジスト用剥離液組成物を温度７５
〜８５℃の範囲で用いて、エッチング後あるいはアッシ
ング後のレジストパターンを剥離することを特徴とする
レジスト剥離方法に関する。
にレジスト層を設ける工程、該レジスト層を選択的に
露光する工程、露光後のレジスト層を現象してレジス
トパターンを設ける工程、該レジストパターンをマス
クとして基板をエッチングし、さらには所望により該エ
ッチング後のレジストパターンを基板より剥離する工
程、エッチング後あるいはアッシング後のレジストパ
ターンを基板より剥離する工程、からなるレジスト剥離
方法において、上記レジスト用剥離液組成物を温度７５
〜８５℃の範囲で用いて、エッチング後あるいはアッシ
ング後のレジストパターンを剥離することを特徴とする
レジスト剥離方法に関する。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下に、本発明のレジスト用剥離
液組成物について詳述する。
液組成物について詳述する。
【００１５】なお、本発明において、「Ｔｉ」とは「純
チタン」を意味し、チタンナイトライド（ＴｉＮ）やチ
タンタングステン（ＴｉＷ）等のチタン合金を含むもの
でない。
チタン」を意味し、チタンナイトライド（ＴｉＮ）やチ
タンタングステン（ＴｉＷ）等のチタン合金を含むもの
でない。
【００１６】（ａ）成分としてのヒドロキシルアミン類
は、下記の一般式（Ｉ）
は、下記の一般式（Ｉ）
【００１７】
【化１】
【００１８】（式中、Ｒ1、Ｒ2は、それぞれ独立に水素
原子、炭素数１〜６の低級アルキル基を表す）で表され
る。
原子、炭素数１〜６の低級アルキル基を表す）で表され
る。
【００１９】ここで上記炭素数１〜６の低級アルキル基
としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロ
ピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、
ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネ
オペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ヘキシル基、イ
ソヘキシル基、３−メチルペンチル基、２，２−ジメチ
ルブチル基または２，３−ジメチルブチル基等がそれぞ
れ例示される。Ｒ1、Ｒ2は同一であっても異なってもよ
い。
としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロ
ピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、
ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネ
オペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ヘキシル基、イ
ソヘキシル基、３−メチルペンチル基、２，２−ジメチ
ルブチル基または２，３−ジメチルブチル基等がそれぞ
れ例示される。Ｒ1、Ｒ2は同一であっても異なってもよ
い。
【００２０】上記ヒドロキシルアミン類として、具体的
にはヒドロキシルアミン（ＮＨ2ＯＨ）、Ｎ−メチルヒ
ドロキシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルヒドロキシルアミ
ン、Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミン等が挙げられ
る。中でもヒドロキシルアミンが好適に用いられる。こ
れらヒドロキシルアミン類は単独で用いてもよく、ある
いは２種以上を組み合わせて用いてもよい。
にはヒドロキシルアミン（ＮＨ2ＯＨ）、Ｎ−メチルヒ
ドロキシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルヒドロキシルアミ
ン、Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミン等が挙げられ
る。中でもヒドロキシルアミンが好適に用いられる。こ
れらヒドロキシルアミン類は単独で用いてもよく、ある
いは２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００２１】（ｂ）成分としての水は、（ａ）成分に必
然的に含まれているものであるが、さらに加えてその配
合量を調整してもよい。
然的に含まれているものであるが、さらに加えてその配
合量を調整してもよい。
【００２２】（ｃ）成分としては、モノエタノールアミ
ン、ジエタノールアミンの中から選ばれるいずれか１種
以上が用いられる。
ン、ジエタノールアミンの中から選ばれるいずれか１種
以上が用いられる。
【００２３】（ｄ）成分としては、ジメチルスルホキシ
ドが用いられる。
ドが用いられる。
【００２４】（ｅ）成分の芳香族ヒドロキシ化合物と
は、おもに防食効果を得るためのものであり、具体的に
はフェノール、クレゾール、キシレノール、カテコール
（＝１，２−ジヒドロキシベンゼン）、ｔｅｒｔ−ブチ
ルカテコール、レゾルシノール、ヒドロキノン、ピロガ
ロール、１，２，４−ベンゼントリオール、サリチルア
ルコール、ｐ−ヒドロキシベンジルアルコール、ｏ−ヒ
ドロキシベンジルアルコール、ｐ−ヒドロキシフェネチ
ルアルコール、ｐ−アミノフェノール、ｍ−アミノフェ
ノール、ジアミノフェノール、アミノレゾルシノール、
ｐ−ヒドロキシ安息香酸、ｏ−ヒドロキシ安息香酸、
２，４−ジヒドロキシ安息香酸、２，５−ジヒドロキシ
安息香酸、３，４−ジヒドロキシ安息香酸、３，５−ジ
ヒドロキシ安息香酸等を挙げることができる。中でもカ
テコール、ｔｅｒｔ−ブチルカテコールが好適に用いら
れるが、作業上の安全性等の点から、ｔｅｒｔ−ブチル
カテコールがより好ましく用いられる。これら化合物は
単独で用いてもよく、あるいは２種以上を組み合わせて
用いてもよい。
は、おもに防食効果を得るためのものであり、具体的に
はフェノール、クレゾール、キシレノール、カテコール
（＝１，２−ジヒドロキシベンゼン）、ｔｅｒｔ−ブチ
ルカテコール、レゾルシノール、ヒドロキノン、ピロガ
ロール、１，２，４−ベンゼントリオール、サリチルア
ルコール、ｐ−ヒドロキシベンジルアルコール、ｏ−ヒ
ドロキシベンジルアルコール、ｐ−ヒドロキシフェネチ
ルアルコール、ｐ−アミノフェノール、ｍ−アミノフェ
ノール、ジアミノフェノール、アミノレゾルシノール、
ｐ−ヒドロキシ安息香酸、ｏ−ヒドロキシ安息香酸、
２，４−ジヒドロキシ安息香酸、２，５−ジヒドロキシ
安息香酸、３，４−ジヒドロキシ安息香酸、３，５−ジ
ヒドロキシ安息香酸等を挙げることができる。中でもカ
テコール、ｔｅｒｔ−ブチルカテコールが好適に用いら
れるが、作業上の安全性等の点から、ｔｅｒｔ−ブチル
カテコールがより好ましく用いられる。これら化合物は
単独で用いてもよく、あるいは２種以上を組み合わせて
用いてもよい。
【００２５】上記（ａ）〜（ｅ）成分の配合割合は、
（ａ）成分が２〜３０重量％、好ましくは５〜２０重量
％、（ｂ）成分が２〜３５重量％、好ましくは５〜２５
重量％、（ｃ）成分が２５〜４０重量％、好ましくは３
０〜３５重量％、（ｄ）成分が２０〜３２重量％、好ま
しくは２５〜３０重量％、（ｅ）成分が２〜２０重量
％、好ましくは３〜１０重量％である。本発明において
は、上記（ａ）〜（ｅ）成分の配合割合が重要であり、
各成分の配合量を上記範囲内とすることにより、レジス
ト膜、変質膜の両者ともに効果的に剥離することがで
き、しかも、剥離処理を７５〜８５℃程度の高温で処理
しても、金属膜を腐食することがない。各成分の中で
も、特に、（ｃ）成分の配合量が４０重量％超ではレジ
スト膜、変質膜ともに剥離性が向上するものの、Ａｌま
たはＡｌ合金が形成された基板に対して腐食が起こり、
一方、（ｃ）成分が２５重量％未満では、Ｔｉが形成さ
れた基板に対して腐食が起こる。
（ａ）成分が２〜３０重量％、好ましくは５〜２０重量
％、（ｂ）成分が２〜３５重量％、好ましくは５〜２５
重量％、（ｃ）成分が２５〜４０重量％、好ましくは３
０〜３５重量％、（ｄ）成分が２０〜３２重量％、好ま
しくは２５〜３０重量％、（ｅ）成分が２〜２０重量
％、好ましくは３〜１０重量％である。本発明において
は、上記（ａ）〜（ｅ）成分の配合割合が重要であり、
各成分の配合量を上記範囲内とすることにより、レジス
ト膜、変質膜の両者ともに効果的に剥離することがで
き、しかも、剥離処理を７５〜８５℃程度の高温で処理
しても、金属膜を腐食することがない。各成分の中で
も、特に、（ｃ）成分の配合量が４０重量％超ではレジ
スト膜、変質膜ともに剥離性が向上するものの、Ａｌま
たはＡｌ合金が形成された基板に対して腐食が起こり、
一方、（ｃ）成分が２５重量％未満では、Ｔｉが形成さ
れた基板に対して腐食が起こる。
【００２６】本発明のレジスト用剥離液組成物は、ネガ
型およびポジ型レジストを含めてアルカリ水溶液で現像
可能なレジストに有利に使用できる。このようなレジス
トとしては、（ｉ）ナフトキノンジアジド化合物とノボ
ラック樹脂を含有するポジ型レジスト、（ｉｉ）露光に
より酸を発生する化合物、酸により分解しアルカリ水溶
液に対する溶解性が増大する化合物およびアルカリ可溶
性樹脂を含有するポジ型レジスト、（ｉｉｉ）露光によ
り酸を発生する化合物、酸により分解しアルカリ水溶液
に対する溶解性が増大する基を有するアルカリ可溶性樹
脂を含有するポジ型レジスト、および（ｉｖ）光により
酸を発生する化合物、架橋剤およびアルカリ可溶性樹脂
を含有するネガ型レジスト等が挙げられるが、これらに
限定されるものではない。
型およびポジ型レジストを含めてアルカリ水溶液で現像
可能なレジストに有利に使用できる。このようなレジス
トとしては、（ｉ）ナフトキノンジアジド化合物とノボ
ラック樹脂を含有するポジ型レジスト、（ｉｉ）露光に
より酸を発生する化合物、酸により分解しアルカリ水溶
液に対する溶解性が増大する化合物およびアルカリ可溶
性樹脂を含有するポジ型レジスト、（ｉｉｉ）露光によ
り酸を発生する化合物、酸により分解しアルカリ水溶液
に対する溶解性が増大する基を有するアルカリ可溶性樹
脂を含有するポジ型レジスト、および（ｉｖ）光により
酸を発生する化合物、架橋剤およびアルカリ可溶性樹脂
を含有するネガ型レジスト等が挙げられるが、これらに
限定されるものではない。
【００２７】本発明のレジスト剥離方法は、リソグラフ
ィー法により得られたレジストパターンを形成し、次い
でエッチング後のレジスト膜を剥離する場合と、アッシ
ング後の変質膜を剥離する場合とに分けられる。
ィー法により得られたレジストパターンを形成し、次い
でエッチング後のレジスト膜を剥離する場合と、アッシ
ング後の変質膜を剥離する場合とに分けられる。
【００２８】前者のエッチング後のレジスト膜を剥離す
る場合の例として、（Ｉ）金属層を形成した基板上にレ
ジスト組成物を塗布、乾燥しレジスト層を設ける工程、
（ＩＩ）該レジスト層をマスクパターンを介して選択的
に露光する工程、（ＩＩＩ）露光後のレジスト層を現象
してレジストパターンを設ける工程、（ＩＶ）該レジス
トパターンをマスクとして該基板をエッチングする工
程、および（Ｖ）エッチング後のレジストパターンを基
板より剥離する工程からなるレジスト剥離方法におい
て、本発明のレジスト用剥離液組成物を温度７５〜８５
℃の範囲で用いて、エッチング後のレジストパターンを
剥離する方法が挙げられる。
る場合の例として、（Ｉ）金属層を形成した基板上にレ
ジスト組成物を塗布、乾燥しレジスト層を設ける工程、
（ＩＩ）該レジスト層をマスクパターンを介して選択的
に露光する工程、（ＩＩＩ）露光後のレジスト層を現象
してレジストパターンを設ける工程、（ＩＶ）該レジス
トパターンをマスクとして該基板をエッチングする工
程、および（Ｖ）エッチング後のレジストパターンを基
板より剥離する工程からなるレジスト剥離方法におい
て、本発明のレジスト用剥離液組成物を温度７５〜８５
℃の範囲で用いて、エッチング後のレジストパターンを
剥離する方法が挙げられる。
【００２９】また、後者のアッシング後の変質膜を剥離
する場合の例として、（Ｉ）金属層を形成した基板上に
レジスト組成物を塗布、乾燥しレジスト層を設ける工
程、（ＩＩ）該レジスト層をマスクパターンを介して選
択的に露光する工程、（ＩＩＩ）露光後のレジスト層を
現象してレジストパターンを設ける工程、（ＩＶ）該レ
ジストパターンをマスクとして該基板をエッチングする
工程、（Ｖ）レジストパターンをアッシングする工程、
および（ＶＩ）アッシング後のレジストパターンを基板
より剥離する工程からなるレジスト剥離方法において、
本発明のレジスト用剥離液組成物を温度７５〜８５℃の
範囲で用いて、アッシング後のレジストパターンを剥離
する方法が挙げられる。
する場合の例として、（Ｉ）金属層を形成した基板上に
レジスト組成物を塗布、乾燥しレジスト層を設ける工
程、（ＩＩ）該レジスト層をマスクパターンを介して選
択的に露光する工程、（ＩＩＩ）露光後のレジスト層を
現象してレジストパターンを設ける工程、（ＩＶ）該レ
ジストパターンをマスクとして該基板をエッチングする
工程、（Ｖ）レジストパターンをアッシングする工程、
および（ＶＩ）アッシング後のレジストパターンを基板
より剥離する工程からなるレジスト剥離方法において、
本発明のレジスト用剥離液組成物を温度７５〜８５℃の
範囲で用いて、アッシング後のレジストパターンを剥離
する方法が挙げられる。
【００３０】金属層を形成した基板としては、アルミニ
ウム（Ａｌ）；アルミニウム−ケイ素（Ａｌ−Ｓｉ）、
アルミニウム−ケイ素−銅（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ）等のア
ルミニウム合金（Ａｌ合金）；純チタン（Ｔｉ）；チタ
ンナイトライド（ＴｉＮ）、チタンタングステン（Ｔｉ
Ｗ）等のチタン合金（Ｔｉ合金）等の金属膜が形成され
た基板である。本発明の剥離方法は、特に、金属層とし
て少なくとも純チタン（Ｔｉ）層を有する基板、例えば
基板上に第１層のチタンナイトライド（ＴｉＮ）層を、
次いでこの第１層上に第２層として純チタン（Ｔｉ）層
を、さらにこの第２層上に第３層としてＡｌ−Ｓｉ−Ｃ
ｕ層を、さらにこの第３層上に第４層としてＴｉＮ層を
形成してなる基板において、該純チタン（Ｔｉ）の腐食
防止効果に極めて優れるという効果を有する。
ウム（Ａｌ）；アルミニウム−ケイ素（Ａｌ−Ｓｉ）、
アルミニウム−ケイ素−銅（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ）等のア
ルミニウム合金（Ａｌ合金）；純チタン（Ｔｉ）；チタ
ンナイトライド（ＴｉＮ）、チタンタングステン（Ｔｉ
Ｗ）等のチタン合金（Ｔｉ合金）等の金属膜が形成され
た基板である。本発明の剥離方法は、特に、金属層とし
て少なくとも純チタン（Ｔｉ）層を有する基板、例えば
基板上に第１層のチタンナイトライド（ＴｉＮ）層を、
次いでこの第１層上に第２層として純チタン（Ｔｉ）層
を、さらにこの第２層上に第３層としてＡｌ−Ｓｉ−Ｃ
ｕ層を、さらにこの第３層上に第４層としてＴｉＮ層を
形成してなる基板において、該純チタン（Ｔｉ）の腐食
防止効果に極めて優れるという効果を有する。
【００３１】塗布、乾燥、露光、現像、エッチングおよ
びアッシング処理は、いずれも慣用的な手段であり、特
に限定されない。エッチングはウェットエッチング、ド
ライエッチングのいずれでもよく、また両者を組み合わ
せて用いてもよい。アッシングは本来、レジストパター
ンを除去する方法であるが、アッシングによりレジスト
パターンが一部変質膜として残ることが多々あり、この
ような場合の変質膜の完全な除去に本発明は有効であ
る。
びアッシング処理は、いずれも慣用的な手段であり、特
に限定されない。エッチングはウェットエッチング、ド
ライエッチングのいずれでもよく、また両者を組み合わ
せて用いてもよい。アッシングは本来、レジストパター
ンを除去する方法であるが、アッシングによりレジスト
パターンが一部変質膜として残ることが多々あり、この
ような場合の変質膜の完全な除去に本発明は有効であ
る。
【００３２】なお、上記（ＩＩＩ）の現像工程、（Ｖ）
または（ＶＩ）の剥離工程の後、慣用的に施されている
純水や低級アルコール等を用いたリンス処理および乾燥
処理を施してもよい。
または（ＶＩ）の剥離工程の後、慣用的に施されている
純水や低級アルコール等を用いたリンス処理および乾燥
処理を施してもよい。
【００３３】また、レジストの種類によっては、化学増
幅型レジストに通常施されるポストエクスポージャベイ
クである露光後の加熱処理を行ってもよい。また、レジ
ストパターンを形成した後のポストベークを行ってもよ
い。
幅型レジストに通常施されるポストエクスポージャベイ
クである露光後の加熱処理を行ってもよい。また、レジ
ストパターンを形成した後のポストベークを行ってもよ
い。
【００３４】剥離処理は通常、浸漬法、スプレー法によ
り施される。なお、その際の剥離液の温度は通常５０〜
８５℃で行われるが、本発明の剥離液組成物を用いた剥
離方法においては、７５〜８５℃の高温でも金属膜に対
する腐食防止効果が高く、またレジスト膜および変質膜
の剥離性に優れる。また、剥離時間は、剥離される十分
な時間であればよく、特に限定されるものではないが、
通常、１０〜２０分間程度である。
り施される。なお、その際の剥離液の温度は通常５０〜
８５℃で行われるが、本発明の剥離液組成物を用いた剥
離方法においては、７５〜８５℃の高温でも金属膜に対
する腐食防止効果が高く、またレジスト膜および変質膜
の剥離性に優れる。また、剥離時間は、剥離される十分
な時間であればよく、特に限定されるものではないが、
通常、１０〜２０分間程度である。
【００３５】
【実施例】次に、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定され
るものではない。
明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定され
るものではない。
【００３６】（実施例１〜５、比較例１〜５）シリコン
ウェーハ上に順次第１層としてＴｉＮ層を、第２層とし
て純チタン（Ｔｉ）層を、第３層としてＡｌ−Ｓｉ−Ｃ
ｕ層を、第４層としてＴｉＮ層を有する基板上に、ナフ
トキノンジアジド化合物とノボラック樹脂からなるポジ
型ホトレジストであるＴＨＭＲ−ｉＰ３３００（東京応
化工業（株）製）をスピンナーで塗布し、９０℃にて９
０秒間のプリベークを施し、膜厚２．０μｍのレジスト
層を形成した。このレジスト層をＮＳＲ−２００５ｉ１
０Ｄ（ニコン（株）製）を用いてマスクパターンを介し
て露光し、２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒ
ドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液にて現像し、レジストパ
ターンを形成した。次いで１２０℃で９０秒間のポスト
ベークを行った。
ウェーハ上に順次第１層としてＴｉＮ層を、第２層とし
て純チタン（Ｔｉ）層を、第３層としてＡｌ−Ｓｉ−Ｃ
ｕ層を、第４層としてＴｉＮ層を有する基板上に、ナフ
トキノンジアジド化合物とノボラック樹脂からなるポジ
型ホトレジストであるＴＨＭＲ−ｉＰ３３００（東京応
化工業（株）製）をスピンナーで塗布し、９０℃にて９
０秒間のプリベークを施し、膜厚２．０μｍのレジスト
層を形成した。このレジスト層をＮＳＲ−２００５ｉ１
０Ｄ（ニコン（株）製）を用いてマスクパターンを介し
て露光し、２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒ
ドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液にて現像し、レジストパ
ターンを形成した。次いで１２０℃で９０秒間のポスト
ベークを行った。
【００３７】［レジスト膜の剥離性試験］次に、上記の
条件で形成したレジストパターンを有するシリコンウェ
ーハをドライエッチング処理した。これを表１に示す各
組成の剥離液組成物に８０℃、２０分間浸漬処理し、そ
れぞれレジスト膜剥離処理を行った。剥離処理後の基板
を純水で十分にリンス処理し、レジスト膜の剥離性、お
よび第１層から第４層の金属膜層の腐食の状態をＳＥＭ
（走査型電子顕微鏡）写真の観察により評価した。結果
を表１に示す。なお、第１層と第４層のＴｉＮについて
はすべて腐食はなかったので、表１中の記載は省略し
た。
条件で形成したレジストパターンを有するシリコンウェ
ーハをドライエッチング処理した。これを表１に示す各
組成の剥離液組成物に８０℃、２０分間浸漬処理し、そ
れぞれレジスト膜剥離処理を行った。剥離処理後の基板
を純水で十分にリンス処理し、レジスト膜の剥離性、お
よび第１層から第４層の金属膜層の腐食の状態をＳＥＭ
（走査型電子顕微鏡）写真の観察により評価した。結果
を表１に示す。なお、第１層と第４層のＴｉＮについて
はすべて腐食はなかったので、表１中の記載は省略し
た。
【００３８】［変質膜の剥離性試験］上記レジスト膜剥
離性試験の場合と同様の操作でレジストパターンの形成
およびシリコンウェーハのドライエッチング処理を行っ
た。
離性試験の場合と同様の操作でレジストパターンの形成
およびシリコンウェーハのドライエッチング処理を行っ
た。
【００３９】次いでレジストパターンをアッシング装置
「ＴＣＡ−３８２２」（東京応化工業（株）製）によ
り、１５０℃、６０秒間の条件で酸素ガスによりプラズ
マアッシング処理したが、アッシング残渣（変質膜）が
あった。
「ＴＣＡ−３８２２」（東京応化工業（株）製）によ
り、１５０℃、６０秒間の条件で酸素ガスによりプラズ
マアッシング処理したが、アッシング残渣（変質膜）が
あった。
【００４０】続いて、上記処理済みシリコンウェーハ
を、表１に示す各組成の剥離液組成物に８０℃、２０分
間浸漬処理し、それぞれ変質膜剥離処理を行った。剥離
処理後の基板を純水で十分にリンス処理し、変質膜の剥
離状態、および第１層から第４層の金属膜層の腐食の状
態をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真の観察により評価
した。結果を表１に示す。なお、第１層と第４層のＴｉ
Ｎについては、すべて腐食はなかったので表１中の記載
は省略した。
を、表１に示す各組成の剥離液組成物に８０℃、２０分
間浸漬処理し、それぞれ変質膜剥離処理を行った。剥離
処理後の基板を純水で十分にリンス処理し、変質膜の剥
離状態、および第１層から第４層の金属膜層の腐食の状
態をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真の観察により評価
した。結果を表１に示す。なお、第１層と第４層のＴｉ
Ｎについては、すべて腐食はなかったので表１中の記載
は省略した。
【００４１】レジスト膜、変質膜の剥離性は、以下のよ
うに評価した。
うに評価した。
【００４２】 ◎： 剥離性良好 ○： やや残渣が残った △： 多くの残渣が残った また、腐食の状態は、以下のように評価した。
【００４３】 ◎： ほぼ腐食なし ○： わずかに腐食がみられた △： かなり腐食がみられた
【００４４】
【表１】
【００４５】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、高
温の剥離条件下においても、レジスト膜並びにより過酷
な条件のドライエッチング、アッシング、イオン注入な
どの処理により形成された変質膜のいずれの剥離性にも
優れ、ＡｌまたはＡｌ合金が形成された基板、あるいは
Ｔｉが形成された基板の両者に対する腐食防止効果に優
れたレジスト用剥離液組成物およびこれを用いたレジス
ト剥離方法を提供することができるという効果を奏す
る。
温の剥離条件下においても、レジスト膜並びにより過酷
な条件のドライエッチング、アッシング、イオン注入な
どの処理により形成された変質膜のいずれの剥離性にも
優れ、ＡｌまたはＡｌ合金が形成された基板、あるいは
Ｔｉが形成された基板の両者に対する腐食防止効果に優
れたレジスト用剥離液組成物およびこれを用いたレジス
ト剥離方法を提供することができるという効果を奏す
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中山 寿昌 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 （ａ）ヒドロキシルアミン類２〜３０重
量％、（ｂ）水２〜３５重量％、（ｃ）モノエタノール
アミン、ジエタノールアミンの中から選ばれるいずれか
１種以上を２５〜４０重量％、（ｄ）ジメチルスルホキ
シド２０〜３２重量％、および（ｅ）芳香族ヒドロキシ
化合物２〜２０重量％からなる、レジスト用剥離液組成
物。 - 【請求項２】 （ａ）成分がヒドロキシルアミン（ＮＨ
2ＯＨ）である、請求項１記載のレジスト用剥離液組成
物。 - 【請求項３】 （ｅ）成分がカテコール、ｔｅｒｔ−ブ
チルカテコールの中から選ばれるいずれか１種以上であ
る、請求項１または２記載のレジスト用剥離液組成物。 - 【請求項４】 （Ｉ）金属層を形成した基板上にレジス
ト層を設ける工程、（ＩＩ）該レジスト層を選択的に露
光する工程、（ＩＩＩ）露光後のレジスト層を現象して
レジストパターンを設ける工程、（ＩＶ）該レジストパ
ターンをマスクとして該基板をエッチングする工程、お
よび（Ｖ）エッチング後のレジストパターンを基板より
剥離する工程からなるレジスト剥離方法において、請求
項１〜３のいずれかに記載のレジスト用剥離液組成物を
温度７５〜８５℃の範囲で用いて、エッチング後のレジ
ストパターンを剥離することを特徴とする、レジスト剥
離方法。 - 【請求項５】 （Ｉ）金属層を形成した基板上にレジス
ト層を設ける工程、（ＩＩ）該レジスト層を選択的に露
光する工程、（ＩＩＩ）露光後のレジスト層を現象して
レジストパターンを設ける工程、（ＩＶ）該レジストパ
ターンをマスクとして該基板をエッチングする工程、
（Ｖ）レジストパターンをアッシングする工程、および
（ＶＩ）アッシング後のレジストパターンを基板より剥
離する工程からなるレジスト剥離方法において、請求項
１〜３のいずれかに記載のレジスト用剥離液組成物を温
度７５〜８５℃の範囲で用いて、アッシング後のレジス
トパターンを剥離することを特徴とする、レジスト剥離
方法。 - 【請求項６】 請求項４または５記載のレジスト剥離方
法において、基板上に形成された金属層が少なくとも純
チタン（Ｔｉ）層を有するものである、レジスト剥離方
法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29950097A JP3773227B2 (ja) | 1997-10-16 | 1997-10-16 | レジスト用剥離液組成物およびこれを用いたレジスト剥離方法 |
| TW087116543A TW542945B (en) | 1997-10-16 | 1998-10-06 | Resist stripping solution composition and resist stripping method using the same |
| KR10-1998-0042981A KR100364885B1 (ko) | 1997-10-16 | 1998-10-14 | 포토레지스트용박리액조성물및이를이용한포토레지스트박리방법 |
| US09/173,005 US6225034B1 (en) | 1997-10-16 | 1998-10-15 | Photoresist stripping liquid compositions and a method of stripping photoresists using the same |
| US09/599,729 US6291142B1 (en) | 1997-10-16 | 2000-06-23 | Photoresist stripping liquid compositions and a method of stripping photoresists using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29950097A JP3773227B2 (ja) | 1997-10-16 | 1997-10-16 | レジスト用剥離液組成物およびこれを用いたレジスト剥離方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11119444A true JPH11119444A (ja) | 1999-04-30 |
| JP3773227B2 JP3773227B2 (ja) | 2006-05-10 |
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ID=17873391
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29950097A Expired - Fee Related JP3773227B2 (ja) | 1997-10-16 | 1997-10-16 | レジスト用剥離液組成物およびこれを用いたレジスト剥離方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6225034B1 (ja) |
| JP (1) | JP3773227B2 (ja) |
| KR (1) | KR100364885B1 (ja) |
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| TWI362571B (en) * | 2006-05-26 | 2012-04-21 | Lg Chemical Ltd | Stripper composition for photoresist |
| FR2976290B1 (fr) | 2011-06-09 | 2014-08-15 | Jerome Daviot | Composition de solutions et conditions d'utilisation permettant le retrait et la dissolution complete de resines photo-lithographiques |
| KR102224907B1 (ko) | 2018-04-17 | 2021-03-09 | 엘티씨 (주) | 드라이필름 레지스트 박리액 조성물 |
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| US5556482A (en) | 1991-01-25 | 1996-09-17 | Ashland, Inc. | Method of stripping photoresist with composition containing inhibitor |
| JP3160344B2 (ja) | 1991-01-25 | 2001-04-25 | アシュランド インコーポレーテッド | 有機ストリッピング組成物 |
| US5753601A (en) | 1991-01-25 | 1998-05-19 | Ashland Inc | Organic stripping composition |
| EP0578507B1 (en) | 1992-07-09 | 2005-09-28 | Ekc Technology, Inc. | Cleaning solutions including nucleophilic amine compound having reduction and oxidation potentials |
| JP2911792B2 (ja) | 1995-09-29 | 1999-06-23 | 東京応化工業株式会社 | レジスト用剥離液組成物 |
| US5798323A (en) * | 1997-05-05 | 1998-08-25 | Olin Microelectronic Chemicals, Inc. | Non-corrosive stripping and cleaning composition |
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1997
- 1997-10-16 JP JP29950097A patent/JP3773227B2/ja not_active Expired - Fee Related
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- 1998-10-06 TW TW087116543A patent/TW542945B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-10-14 KR KR10-1998-0042981A patent/KR100364885B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-10-15 US US09/173,005 patent/US6225034B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-06-23 US US09/599,729 patent/US6291142B1/en not_active Expired - Lifetime
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