TW542945B

TW542945B - Resist stripping solution composition and resist stripping method using the same

Info

Publication number: TW542945B
Application number: TW087116543A
Authority: TW
Inventors: Masahito Tanabe; Kazumasa Wakiya; Masakazu Kobayashi; Toshimasa Nakayama
Original assignee: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority date: 1997-10-16
Filing date: 1998-10-06
Publication date: 2003-07-21
Also published as: JP3773227B2; US6225034B1; KR19990037078A; JPH11119444A; KR100364885B1; US6291142B1

Description

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五、發明説明（1 ) 〔發明之詳細說明〕發明之技術領域本發明係關光阻蝕刻用剝離液組成物及使用其光阻蝕刻剝離方法。更詳細言之，係有關適合使用於I C或L S I等半導體元件或液晶嵌板元件之製造，且光阻蝕刻膜及變質膜兩者之剝離性優越，即使在高溫處理條件下，基片之防蝕性優越的光阻蝕刻用剝離液組成物及使用其光阻蝕刻剝離方法。關聯技術領域之說明 * 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) I C或L S I等半導元件或液晶嵌板元件，係將光阻蝕刻均勻塗布於利用蒸鍍等方式形成於基板上的透明導鼋膜（nesa )等導電性金屬膜或S i 〇2膜等的絕緣膜上，將此光阻蝕刻曝~光，進行顯影處理，進行光阻蝕刻圖型（ photoresist pattern),以此圖型爲掩膜（mask)選擇性的蝕刻上述導電性金屬膜或絕緣膜，形成微細電路後，以剝離液去除不需的光阻蝕刻層並予製造。在此除上述金屬膜-之外的例子，採用鋁（A1);鋁一矽（A1 — Si)、鋁一矽一銅（A1 - Si — Ca)等鋁合金（A1合金）·，純鈦（Ti);氮化鈦（TiN)、鎢化鈦（TiW)等鈦合金（Ti合金），此等係以單層〜多數層方式形成於基片上。至於去除上述光阻蝕刻層之剝離液組成物，近年有採用烷醇胺類之光阻蝕刻用剝離液組成物（日本特開昭6 2 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-4- 542945 B*7 五、發明説明¢2 ) 一 49355號公報，特開昭63 - 208843號公報等等）。然而，於今日之半導體裝置或液晶裝置之製造步驟，除上述的方法之外，光阻蝕刻層經予施以乾蝕刻，灰化（ ashing)離子植入等處理的光阻蝕刻膜需予剝離一事亦漸成必要的。藉由此等處理，處理後的光阻蝕刻膜即成爲變質膜。近年，此等的處理條件變成較嚴格的，變質膜由於由有機膜逐漸變成具有無機的性質之膜，故採用烷醇胺類之剝離液組成物，在此變質膜之剝離性方面即成爲不足夠的。 < 然而，最近，變質膜之剝離性較優越的光阻蝕刻用剝離液組成物，則有含羥基胺之光阻蝕刻用剝離液組成物被提出。例如於日本特開平4 一 2 8 9 8 6 6號公報記載有由含有羥基胺~及醇胺而成的光阻蝕刻用剝離液組成物。又於曰本特開平6 — 2 6 6 1 1 9號公報，記載有於羥基胺及烷醇胺內再使含有兒茶酚等螯合劑（防蝕劑）之光阻蝕刻剝離液組成物。 ~ 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此等含羥基胺類之剝離液組成物，係與上述採用烷醇胺類之剝離液相比，可提高變質膜之剝離性，惟對蒸鍍有 A1或A1 — Si、A1 — Si — Cu等的A1合金之基片，或對蒸鍍有純鈦（T i )的基片則有出現腐蝕之問題存在。實際，於上述日本特開平6 — 2 6 6 1 9 9號公報記載的剝離液，對鈦合金可防止腐蝕，惟對純鈦（T i ) 則未能防止，致有發生腐蝕的問題存在。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) 542945 五、發明説明（3 ) 對上述問題點，例如於日本特開平9 一 9 6 9 1 1號公報’揭示著由羥基胺類、水、具有指定的酸解離常數之胺類、水溶性有機溶劑及防蝕劑經特定量配合的光阻蝕刻用剝離液組成物，尤其在變質膜之剝離性方面優越，即使對已形成A 1或A 1合金、純鈦（T i )之基片亦有防蝕功效。然而，該公報記載的光阻蝕刻用剝離液組成物，在光阻蝕刻膜之剝離性方面並不足夠。又最近，由作業效率等方面，亦較以往更被要求能在高溫的剝離作業。通常，愈在較高溫下進行處理愈可提高剝離性，惟另一方面，對基片上之金屬膜有僅如此操作即有容易引起腐蝕之傾向。再者，在高溫的處理條件下，對光阻蝕刻膜，變質膜之任一者之剝離亦可對應的剝離液組成物之要求亦逐漸提高著。因此，對~光阻蝕刻膜，變質膜之任一者亦具有優越的剝離性，同時在較高溫處理條件下，對金屬膜，尤其形成 A 1或A 1合金、Ti而成的基片亦可有效的防止腐蝕之光阻蝕刻用剝離液的開發正被期待著。 ~ 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明人等，爲解決相關的課題，經多次銳意硏究的結果，發現藉由採用以特定比例配合羥基胺類、水、特定的胺類、二甲基亞硯、及芳香族羥基化合物而成的光阻蝕刻用剝離液組成物，可解決上述問題，基於此發現以至完成本發明。發明之槪要本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 542945 A7 B7 五、發明説明) 本發明之目的，係即使於較高溫處理條件下，亦提供對形成有金屬膜，尤指A 1或A 1合金之基片，或純鈦（ T i )之基片之兩者亦可有效的防止腐蝕，對光阻蝕刻膜 ’變質膜之任一者亦具有優越的剝離性之光阻蝕刻用剝離液組成物及採用此組成物之光阻蝕刻剝離方法。亦即，本發明，係有關（a )羥基胺類2〜3 0重量 %，（b)水2〜35重量％，（c)由單乙醇胺及二乙醇胺之中選出的任一者一種以上25〜40重量％，（d )二甲基亞碾2 0〜3 2重量％，及（e )芳香族羥基化合物2〜2 0重量％而成之光阻蝕刻用剝離液組成物者。經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 又，本發明，係有關以（i )於已形成金屬層之基片上設有光阻蝕刻層之步驟，（i i )選擇性的曝光該光阻蝕刻層之步驟，（i i i )將曝光後之光阻蝕刻層顯影並設置光阻蝕刻ή型之步驟，（i v )以該光阻蝕刻圖型爲掩膜（msk )並蝕刻基片之步驟，（v )再現所需要的將該蝕刻步驟後之光阻蝕刻圖型灰化的步驟，（v i )由基片剝離前述蝕刻步驟後或灰化步驟後之光阻蝕刻圖型之步驟而成的光阻蝕刻剝離方法，在溫度7 5〜8 5°C之範圍，採用上述光阻蝕刻用剝離液組成物，以將蝕刻步驟後或灰化步驟後的光阻蝕刻圖型予以剝離爲特徵之光阻蝕刻剝離方法有關者。發明之詳細說明於本發明，「T i」係意指「純鈦」，並非爲含有氮本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 542945 IT____ 五、發明説明（5 ) 化鈦「T i N」或鎢化鈦（T iW)等之鈦合金者。使用於本發明之（a )成分之羥基胺類，係以下述一般式（I )

(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (式內，R1，R2爲各自分別表示氫原子、碳數1〜6之低級院基）表示者。在此上述碳數1〜6之低級烷基，係各自例示有：甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、異戊基、新戊基、第三戊基、己基、異己基、3 —甲基戊基、2，2 —二甲基丁基或2，3 —二甲基丁基等，IT1，R2可爲相同亦可爲不同。至於上述羥基胺類，可具體的舉出有：羥基胺（ ΝΗ2〇Η)、Ν —甲基羥基胺、Ν，Ν —二甲基羥基胺、 Ν，Ν -二乙基羥基胺等。其中較宜採用羥基胺。此等羥基胺類可單獨使用，亦可組合二種以上使用。經濟部中央標隼局員工消费合作社印裝 (b )成分之水，係當然含於（a )成分內者’惟可再加入以調整其配合量。 (c)成分，則可採用由單乙醇胺、二乙醇胺之中選出的任一者之一種以上。 (d )成分，則採用一甲基亞硕。 (e )成分之芳香族羥基化合物，係主要爲得防蝕效本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X29?公釐）-8- 542945

IT 五 '發明説明（6 ) 果者’具體而言，可舉出有··酚、甲苯酚、二甲苯酚、兒茶s»(l，2 —二羥基苯）、第三丁基兒茶酚、間苯二酚、氫醌、兒茶酚、五倍子酚、1，2，4一苯三醇、鄰羥 #甲醇、對-羥基苄醇、鄰-羥基苄醇、對羥基苯乙基醇、對〜胺基酚、間一胺基酚、二胺基酚、胺基間苯二酚、對一羥基安息香酸、鄰一羥基安息香酸、2，4 一二羥基安息香酸、2，5 —二羥基安息香酸、3，4 一二羥基安息香酸、3，5 -二羥基安息香酸等。其中，以兒茶酚、第三丁基兒茶酚較宜使用，惟由作業上之安全性等方面，以第三丁基兒茶酚較宜採用。此等化合物可單獨使用，亦可合倂二種以上使用。上述（a)〜（e)成分之配合比例爲，（a)成分 2〜30重量％，宜爲5〜20重量％，（b)成分2〜 35重量％，¥:爲5〜25重量％，（c)成分25〜 40重量％，宜爲30〜35重量％，（d)成分20〜經濟部中央標隼局員工消费合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 32重量％宜爲25〜30重量％(e)成分2〜20重量％，宜爲3〜1 0重量％。於本發明，上述（a )〜（ e )成分之配合比例係重要的，藉由將各成分之配合量設成上述範圍內，對光阻蝕刻膜，變質膜之兩者均可有效的剝離，而且即使在7 5〜8 5°C程度之高溫進行剝離處理，亦不致腐蝕金屬膜。各成分之中，尤以（c )成分之配合量超過4 0重量％時，光阻蝕刻膜，變質膜均會提高剝離性者，而對形成有A 1或A 1合金之基片卻會引起腐餓。另一方面，（c)成分若未滿25重量％時，對形成有本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) 7〇Ζ 542945 五、發明説明（7 ) T i之基片會引起腐蝕。本發明之光阻蝕刻用剝離液組成物，係含有負片型及正片型光阻蝕刻，可有利的使用於用鹼溶液可顯影的光阻蝕刻。至於此種光阻蝕刻，可舉出有：（i )含有萘醌二疊氮化合物及酚醛淸漆樹脂之正片型光阻蝕刻，（i i ) 含有由曝光而發生酸之化合物，由酸分解對鹼水溶液之溶解性增大的化合物及鹼可溶性樹脂之正片型光阻蝕刻，（ i i i ).含有由曝光而發生酸之化合物，由酸分解對鹼水溶液之溶解性增大的基之鹼可溶性樹脂之正片型光阻蝕刻，及（i v)含有由光而發生酸之化合物、交聯劑及鹼可溶性樹脂之負片型光阻蝕刻等，惟並非受此等所限定者。本發明之光阻蝕刻剝離方法，係形成由微影（ lithographic )法而得的光阻蝕刻圖型，其次蝕刻基片後，分成剝離光阻&刻膜之情形，與前述蝕刻後，剝離灰化處理光阻蝕刻膜而成的變質膜之情形。經濟部中央標準局員工消费合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 至於剝離前者之蝕刻後的光阻蝕刻膜之情形的例子. 爲於（I )於已形成金屬層之基片上塗布，乾燥光阻餓刻組成物，設置光阻蝕刻層之步驟， (II) 介由掩膜圖型選擇型的曝光該光阻蝕刻層之步驟， (III) 顯影出曝光後的光阻蝕刻層，設置光阻圖型之步驟， (I V)以該光阻蝕刻圖型爲掩膜，蝕刻該基片之步驟，及本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) ·彳〇_ 542945 Λ" B*7 五、發明説明（8 ) (V)由基片剝離蝕刻步驟後的光阻蝕刻圖型之步驟而成的光阻蝕刻剝離方法，採用溫度7 5〜8 5°C之範圍蝕刻本發明之光阻蝕刻用剝離液組成物的步驟後，剝離光阻蝕刻圖型之方法。又，至於剝離後者之灰化後的變質膜之情形之例子，爲於（I )於已形成金屬層之基片上塗布，乾燥光阻蝕刻組成物，設置光阻蝕刻層之步驟。 (I I )介由掩膜圖型選擇性的曝光該光阻蝕刻層之步驟， (I I I )顯影出曝光後的光阻蝕刻層，設置光阻圖型之步驟， (I V )以該光阻蝕刻圖型爲掩膜，蝕刻該基片之步驟，及 (V)灰？匕光阻蝕刻圖型之步驟，及經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (V I )由基片剝離灰化後的光阻蝕刻圖型之步驟而成的光阻蝕刻剝離方法，採用溫度7 5〜8 5°C之範圍蝕刻本發明之光阻蝕刻用剝離液組成物的步驟後，剝離灰化後的光阻蝕刻圖型之方法。至於已形成金屬層之基片，爲成有鋁（A1);鋁一，砍（Al—S i)、銘一砂一銅（A1 — S i - Cu) 等鋁合金（A1合金）：純鈦（Ti);氮化鈦（TiN )、鎢化鈦（T iW)等鈦合金（T i合金）等金屬膜之基片。本發明之剝離方法，尤其於金屬層至少爲具有純欽 (T i )層之基片，例如基片上形成第1層之氮化鈦（本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210X297公釐）.-| 1 . 542945 Λ7 五、發明説明（9 ) T i N)層，其次於此第1層上以純鈦（T i )層爲第2 層’再於此第2層上以A 1 — S i — Cu層爲第3層，再於此第3層上以T i N層爲第4層而成的基片上，具有該純鈦（T i )之腐蝕防止效果極具優越的功效。塗布、乾燥、曝光、顯影、蝕刻及灰化處理，係任一者均係慣用的手段，並未予特別的限定。蝕刻爲濕蝕刻、乾蝕刻之任一者均可，又合倂採用兩者亦可。灰化原係去除光阻蝕刻之方法，惟大多藉由灰化使光阻蝕刻圖型殘留成部分變質膜，本發明則以此種情形之變質膜的完全去除係較有效的。 - 且，上述（III)之顯影步驟，（V)或（VI) 之剝離步驟之後，以施予採用慣用的純水或低級醇等的淸洗處理及乾燥處理亦可。又，依光la蝕刻之種類而異，對通常施加於化學增幅型光阻蝕刻之後曝光烘烤的曝光後進行加熱處理亦可。又，形成光阻蝕刻圖型後進行後烘烤亦可。經濟部中央標隼局員工消费合作社印聚 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 剝離處理，通常係利用浸漬法，噴布法予以施行。且，該時際之剝離液的溫度通常在5 0〜8 5°C進行，惟於採用本發明之剝離液組成物的剝離方法，即使在7 5〜 8 5 °C之高溫下對金屬膜之腐蝕防止效果亦較高，又於光阻蝕刻膜及變質膜之剝離性方面優越。又，剝離時間，係若經予剝離的足夠時間即可，並未予特別限定者，惟通常約1 0〜2 0分鐘。其次，以實施例再詳細說明本發明，惟本發明並非爲本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) .-|〇 - 542945

五、發明説明（1〇 ) 受此等實施例之任何限定者。實施例1〜5，比較例1〜5 於在矽晶圓上具有依序第1層T i N層，第2層純鈦 (Ti)層，第 3 層 Al—Si - Cu 銅、第 4 層 TiN 層之基片上，以旋塗器塗布由萘醌二疊氮化合物及酚醛淸漆樹脂而成的正片型光阻蝕刻之THMR — i P 3 3 0 0 (東京應化工業股份有限公司製造），在90 °C施行90 秒鐘之預烘烤，形成膜厚2 . 0 // m之光阻蝕刻層。採用 NSR—2005il0D( Nikon股份有限公司製）介由掩膜圖型曝光此光阻蝕刻層，用2.38重量氫氧化四甲基銨（TMAH)水溶液顯影，形成光阻蝕刻圖型。其次在1 2 0°C進行9 0秒鐘之後烘烤。〔光阻蝕刻膜之剝離性試驗〕經濟部中央標準局員工消費合作社印策 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其次，將具有以上述條件形成的光阻蝕刻圖型之矽晶圓予以乾蝕刻處理。將此矽晶圓於表1所示的各組成之剝離液組成物中在8 0°C，浸漬處理2 0分鐘，各自進行光阻蝕刻膜剝離處理。以純水充分淸洗處理剝離處理後的基片，利用S EM (掃瞄型電子顯微鐘）照相之觀察評估光阻蝕刻膜之剝離性，及由第1層至第4層之金屬膜層的腐蝕狀態。結果示於表1。且因第1層及第4層之T i NS 全未腐蝕，故省略表1中之記載。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210X297公釐）.- 542945

IT 五、發明説明（11 ) 〔變質膜之剝離性試驗〕以與上述光阻蝕刻膜剝離性試驗之情形同法操作，進行光阻蝕刻圖型之形成及矽晶圓之乾蝕刻處理。其次利用灰化裝置「TCA—3822」（東京應化工業股份有限公司製）在1 5 0°C，6 0秒鐘之條件下以氧氣對光阻蝕刻圖型進行電漿灰化處理，惟有灰化殘渣（變質膜）存在。接著，將上述處理完畢的矽晶圓於表1所示的各組成之剝離液組成物內，在8 0 °C，浸‘漬處理20分鐘，各自進行變質膜剝離處理。以純水充分淸洗處理剝離處理後的基片，利用S EM (掃瞄型電子顯微鐘）照相之觀察評估變質膜之剝離狀態，及由第1層至第4層之金屬膜層的腐蝕狀態。結果示於表1。且因第1層至第4層之T i N完全未腐蝕，故#略表1中之記載。經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 光阻蝕刻膜，變質膜之剝離性，係如下述般予以評估 ◎:剝離性良好 Ο :殘留少許殘渣 △:殘留多量殘渣 X :腐蝕之狀態，係以下述般予以評估 ◎:約略無腐蝕〇：發現有少許腐蝕 △:發現有相當量腐蝕由下述表1之結果顯而可知，實施例1〜5之任一者之光阻蝕刻用剝離液組成物，在光阻蝕刻膜及變質膜兩者本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-14- 542945 Λ7 B~ 五、發明説明（12 ) 之剝離性均優越，又基片之腐蝕防止效果亦係優越的。其中以採用實施例3之光阻蝕刻用剝離液組成物的情形，此等各優越的效果最可均衡性良好的達成。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消费合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-15 - 542945 五、發明説明（ι3 )表1 光阻用剝離液組成物（重量％) 光阻膜之變質膜腐蝕之狀態 ⑻成分 (b)成分 (C)成分 (d)成分 (e)成分剝離性之剝離 Al-Si-Cu Ti 實施例1 HA(15) 水(20) 單乙醇胺(30) DMSCK30) 第三丁基兒茶酚(5) ◎ ◎ ◎ ◎ 寅施例2 HA(15) 水(20) 二乙醇胺(35) DMSO(25) 第三丁基兒茶酚(5) ◎ ◎ ◎ ◎ 實施例3 HA(15) 水(15) 單乙醇胺(30) DMSO(30) 兒茶酚10) ◎ ◎ ◎ ◎ 實施例4 HA(15) 水(15) 二乙醇胺(35) DMSO(25) 兒茶酚(10) ◎ ◎ ◎ ◎ 實施例5 HA(15) 水(15) 單乙醇胺(25)+二乙醇胺(10) DMSO(25) 兒茶酚(10) ◎ ◎ ◎ ◎ 比較例1 HA(15) 水(15) 單乙醇胺(10) DMSO(55) 兒茶8&(5) ◎ ◎ ◎ 〇比較例2 HA(15) 水(20) 二伸乙三胺(10) DMSO(40) 兒茶献10) Δ ◎ ◎ ◎ 比較例3 HA(15) 水(20) 三伸乙四胺(10) DMSO(45) 兒茶89(10) Δ ◎ ◎ ◎ 比較例4 HA(17.5) 水(17.5) 2·(2·胺基乙氧基)乙醇(27) DMSO(33) 兒茶酚(5) ◎ ◎ Δ 〇比較例5 HA(15) 水(20) 單乙醇胺(50) DMSO(IO) 兒茶ffi(5) ◎ ◎ 〇 ◎ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Γ 註）HA:羥基胺；DMSO:二甲基亞硯；t-b —兒茶酚：第三丁基兒茶酚經濟部中央標準局員工消費合作社印製本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）

Claims

542945 A8 B8 C8 m 申請專利範圍

第871 1 6543號專利申請案 m: 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製中文申請專利範圍修正本民國91年2月修正 1 · 一種光阻鈾刻用剝離液組成物，係由（a )羥基胺類2〜30重量％、（b)水2〜35重量％、（c)由單乙醇胺、二乙醇胺之中選出的一種以上25〜40重量％、 (d)二甲基亞硕20〜32重量％、及（e)芳香族羥基化合物2〜2 0重量％而成者。其中（a)成分爲羥基胺（NH2〇H)。 2 ·如申請專利範圍第1項之光阻蝕刻用剝離液組成物，其中（e)成分爲甶兒茶酚、第三丁基兒茶酚之中選出的任一者一種以上。 3 . —種光阻飽刻剝離方法，係由： (I )於已形成金屬層之基片上，設置光阻鈾刻層之步驟， (I I )選擇性曝光該光阻蝕刻層之步驟， (I I I )顯影出曝光後的光阻蝕刻層，設置光阻圖型之步驟， (I V )以該光阻蝕刻圖型爲掩膜，蝕刻該基片之步驟，及 . ， (V )由基片剝離蝕刻步驟後的光阻鈾刻圖型之步驟而成的光阻蝕刻剝離方法，其特徵在於採用溫度7 5〜 8 5 °C之範圍蝕刻申請專利範圍第1項之光阻蝕刻用剝離液組成物後，剝離光阻蝕刻圖型。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） --------0-裝-------訂-----·線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ， V 542945 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 4 .如申請專利範圍第3項之光阻蝕刻剝離方法，其中基片上所形成的金屬層爲至少具有純鈦（T i )層者。· 5 · —種光阻鈾刻剝離方法，係由： (I )於已形成金屬層之基片上，設置光阻蝕刻層之步驟， (I I )選擇性曝光該光阻蝕刻層之步驟， (I I I )顯影出曝光後的光阻蝕刻層，設置光阻圖型之步驟， (I V)以該光阻鈾刻圖型爲掩膜，鈾刻該基片之步驟 (V)灰化光阻鈾刻圖型之步驟，及 (V I )由基片剝離灰化後的光阻鈾刻圖型之步驟成的光阻蝕刻剝離方法，其特徵在於採用溫度7 5〜8 5 °C之範圍蝕刻申請專利範圍第1項之光阻鈾刻用剝離液組成物後，剝離灰化後的光阻鈾刻圖型。 6 ·如申請專利範圍第5項之光阻鈾刻剝離方法，其中基片上所形成的金屬層爲至少具有純鈦（T i )層者。 . --------mp-裝— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂，線經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）