JPH07120937A - ポジ型レジスト用剥離液 - Google Patents
ポジ型レジスト用剥離液Info
- Publication number
- JPH07120937A JPH07120937A JP26744893A JP26744893A JPH07120937A JP H07120937 A JPH07120937 A JP H07120937A JP 26744893 A JP26744893 A JP 26744893A JP 26744893 A JP26744893 A JP 26744893A JP H07120937 A JPH07120937 A JP H07120937A
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- JP
- Japan
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- group
- hydrogen atom
- nitrogen
- stripping solution
- component
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【構成】 含窒素有機ヒドロキシ化合物と、下記式
(R1は水素原子、水酸基又はアミノ基、R2は水素原
子、水酸基、アミノ基、カルボキシル基、アルキル基又
はヒドロキシアルキル基)の芳香族ヒドロキシ化合物と
を含有するか、あるいはさらに加えてトリアゾール化合
物及び/又は水溶性有機溶剤を含有するポジ型レジスト
用剥離液である。 【効果】 比較的低温でも剥離性に優れ、特に過酷な化
学的環境に曝され、変質したレジストも容易に剥離する
ことができ、かつアルミニウムや銅などの金属材料を腐
食しないという顕著な効果を奏し、半導体素子の製造用
などに好適。
子、水酸基、アミノ基、カルボキシル基、アルキル基又
はヒドロキシアルキル基)の芳香族ヒドロキシ化合物と
を含有するか、あるいはさらに加えてトリアゾール化合
物及び/又は水溶性有機溶剤を含有するポジ型レジスト
用剥離液である。 【効果】 比較的低温でも剥離性に優れ、特に過酷な化
学的環境に曝され、変質したレジストも容易に剥離する
ことができ、かつアルミニウムや銅などの金属材料を腐
食しないという顕著な効果を奏し、半導体素子の製造用
などに好適。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は新規なポジ型レジスト用
剥離液、さらに詳しくは、ICやLSIなどの半導体素
子の製造に好適な、剥離性に優れる上、アルミニウムや
銅などの金属材料に対する腐食性の少ないポジ型レジス
ト用剥離液に関するものである。
剥離液、さらに詳しくは、ICやLSIなどの半導体素
子の製造に好適な、剥離性に優れる上、アルミニウムや
銅などの金属材料に対する腐食性の少ないポジ型レジス
ト用剥離液に関するものである。
【0002】
【従来の技術】ICやLSIなどの半導体素子の製造に
おいては、通常、まずシリコンウエーハなどの基板上に
酸化膜などの薄膜を形成し、次いでその表面にレジスト
を均一に塗布して感光層を設けたのち、露光及び現像処
理してレジストパターンを形成し、続いてこのレジスト
パターンをマスクとして下層部の酸化膜などの薄膜を選
択的にエッチングしたのち、レジストを完全に除去する
工程がとられている。
おいては、通常、まずシリコンウエーハなどの基板上に
酸化膜などの薄膜を形成し、次いでその表面にレジスト
を均一に塗布して感光層を設けたのち、露光及び現像処
理してレジストパターンを形成し、続いてこのレジスト
パターンをマスクとして下層部の酸化膜などの薄膜を選
択的にエッチングしたのち、レジストを完全に除去する
工程がとられている。
【0003】従来、このレジストの除去に使用される剥
離液としては、全炭素数10〜20のアルキルベンゼン
スルホン酸と沸点150℃以上の非ハロゲン化芳香族炭
化水素系溶剤との混合液(特開昭51−72503号公
報)、ジメチル又はジエチルスルホキシドと有機スルホ
ンとから成る混合液(特開昭57−84456号公
報)、全炭素数10〜20の表面活性アルキルアリール
スルホン酸と全炭素数6〜9の向水性芳香族スルホンと
沸点150℃以上の非ハロゲン化芳香族炭化水素系溶剤
との混合液(米国特許第4165294号明細書)、有
機スルホン酸及び1,2‐ジヒドロキシベンゼンに極性
又は非極性有機溶剤を添加したもの(ヨーロッパ公開特
許第0119337号明細書)などが提案されている。
離液としては、全炭素数10〜20のアルキルベンゼン
スルホン酸と沸点150℃以上の非ハロゲン化芳香族炭
化水素系溶剤との混合液(特開昭51−72503号公
報)、ジメチル又はジエチルスルホキシドと有機スルホ
ンとから成る混合液(特開昭57−84456号公
報)、全炭素数10〜20の表面活性アルキルアリール
スルホン酸と全炭素数6〜9の向水性芳香族スルホンと
沸点150℃以上の非ハロゲン化芳香族炭化水素系溶剤
との混合液(米国特許第4165294号明細書)、有
機スルホン酸及び1,2‐ジヒドロキシベンゼンに極性
又は非極性有機溶剤を添加したもの(ヨーロッパ公開特
許第0119337号明細書)などが提案されている。
【0004】しかしながら、これらの剥離液はレジスト
に対する剥離能力について十分ではなく、特に半導体素
子の製造過程で例えば高温に曝されたり、エッチング処
理の際に強い酸溶液や、プラズマのような過酷な化学的
環境に曝されて、変質したレジストに対しては剥離性が
低いため、実用性を欠き、また半導体素子の製造工程で
使用されるアルミニウムや銅などの金属層に対して腐食
をもたらすおそれがあるなどの欠点を有している。さら
に、従来の剥離液においては、通常レジストを剥離処理
する際に温度が100℃以上でないと実用的な剥離性を
示さないため、剥離液の揮発量が多くて、経時的に組成
変化を生じるのを免れず、剥離液を安定に使用できない
という欠点がある。
に対する剥離能力について十分ではなく、特に半導体素
子の製造過程で例えば高温に曝されたり、エッチング処
理の際に強い酸溶液や、プラズマのような過酷な化学的
環境に曝されて、変質したレジストに対しては剥離性が
低いため、実用性を欠き、また半導体素子の製造工程で
使用されるアルミニウムや銅などの金属層に対して腐食
をもたらすおそれがあるなどの欠点を有している。さら
に、従来の剥離液においては、通常レジストを剥離処理
する際に温度が100℃以上でないと実用的な剥離性を
示さないため、剥離液の揮発量が多くて、経時的に組成
変化を生じるのを免れず、剥離液を安定に使用できない
という欠点がある。
【0005】最近、この腐食の問題をクリアーし、高い
剥離性を有する剥離液として、1,3‐ジメチル‐2‐
イミダゾリジノンとジメチルスルホキシドと所定量の水
溶性有機アミンから成るものが提案された(特開平4−
350660号公報)。しかしながら、この剥離液は従
来の剥離液と比べて、防食性や剥離性は向上したが、実
用的なレベルに達しておらず、例えば近年、高密度集積
回路の配線材料として多用されているアルミニウムを9
5重量%以上含有するアルミニウムとケイ素と銅との合
金からなる基板(Al−Si−Cu基板)に対しては、
銅の腐食から生じるエッチピットの発生を完全に防止す
ることができないという欠点がある。
剥離性を有する剥離液として、1,3‐ジメチル‐2‐
イミダゾリジノンとジメチルスルホキシドと所定量の水
溶性有機アミンから成るものが提案された(特開平4−
350660号公報)。しかしながら、この剥離液は従
来の剥離液と比べて、防食性や剥離性は向上したが、実
用的なレベルに達しておらず、例えば近年、高密度集積
回路の配線材料として多用されているアルミニウムを9
5重量%以上含有するアルミニウムとケイ素と銅との合
金からなる基板(Al−Si−Cu基板)に対しては、
銅の腐食から生じるエッチピットの発生を完全に防止す
ることができないという欠点がある。
【0006】
【発明が解決しよとする課題】本発明は、このような従
来の多くの剥離液が有する欠点を克服し、剥離性に優
れ、しかもアルミニウムや銅などの金属材料を腐食する
ことのない新規なポジ型レジスト用剥離液を提供するこ
とを目的としてなされたものである。
来の多くの剥離液が有する欠点を克服し、剥離性に優
れ、しかもアルミニウムや銅などの金属材料を腐食する
ことのない新規なポジ型レジスト用剥離液を提供するこ
とを目的としてなされたものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記の好
ましい性質を有する新規なポジ型レジスト用剥離液を開
発すべく鋭意研究を重ねた結果、含窒素有機ヒドロキシ
化合物と水酸基を有する特定の芳香族化合物とを含有す
るか、あるいはこれに加えて、特定のトリアゾール化合
物を含有するか、あるいはこれに加えて水溶性有機溶剤
を含有したものが、その目的を達成できることを見出
し、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
ましい性質を有する新規なポジ型レジスト用剥離液を開
発すべく鋭意研究を重ねた結果、含窒素有機ヒドロキシ
化合物と水酸基を有する特定の芳香族化合物とを含有す
るか、あるいはこれに加えて、特定のトリアゾール化合
物を含有するか、あるいはこれに加えて水溶性有機溶剤
を含有したものが、その目的を達成できることを見出
し、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
【0008】すなわち、本発明は、(A)含窒素有機ヒ
ドロキシ化合物及び(B)一般式(I)
ドロキシ化合物及び(B)一般式(I)
【化6】 (式中のR1は水素原子、水酸基又はアミノ基、R2は水
素原子、水酸基、アミノ基、カルボキシル基、アルキル
基又はヒドロキシアルキル基である)で表わされる芳香
族ヒドロキシ化合物を含有するか、あるいはさらにこれ
に加えて(C)トリアゾール化合物及び(D)水溶性有
機溶剤の一方又は両方を含有してなるポジ型レジスト用
剥離液を提供するものである。
素原子、水酸基、アミノ基、カルボキシル基、アルキル
基又はヒドロキシアルキル基である)で表わされる芳香
族ヒドロキシ化合物を含有するか、あるいはさらにこれ
に加えて(C)トリアゾール化合物及び(D)水溶性有
機溶剤の一方又は両方を含有してなるポジ型レジスト用
剥離液を提供するものである。
【0009】本発明剥離液としては、(A)成分と
(B)成分からなる二成分系、(A)成分と(B)成分
と(C)成分からなる三成分系、(A)成分と(B)成
分と(D)成分からなる三成分系、(A)成分と(B)
成分と(C)成分と(D)成分からなる四成分系などが
挙げられる。本発明剥離液において(A)成分として用
いる含窒素有機ヒドロキシ化合物については、分子中に
窒素原子を有する有機ヒドロキシ化合物であればよく特
に制限されず、各種のものを用いることができる。
(B)成分からなる二成分系、(A)成分と(B)成分
と(C)成分からなる三成分系、(A)成分と(B)成
分と(D)成分からなる三成分系、(A)成分と(B)
成分と(C)成分と(D)成分からなる四成分系などが
挙げられる。本発明剥離液において(A)成分として用
いる含窒素有機ヒドロキシ化合物については、分子中に
窒素原子を有する有機ヒドロキシ化合物であればよく特
に制限されず、各種のものを用いることができる。
【0010】このような化合物としては、例えばモノエ
タノールアミン、N‐ヒドロキシエチルピペラジン、1
‐(2‐ヒドロキシエチル)‐2‐ピロリドン、1‐
(3‐ヒドロキシプロピル)‐2‐ピロリドン、4‐
(2‐ヒドロキシエチル)モルホリン、N‐(2‐ヒド
ロキシエチル)フタルイミド、2‐(2‐ヒドロキシエ
チル)ピリジン、ヒドロキシルアミン、3‐(1‐ピロ
リジル)‐1,2‐プロパンジオール、2‐ピペリジン
メタノール、N‐メチル‐3‐ピペリジンメタノール、
2‐ピペリジンエタノール、N‐メチル‐3‐ヒドロキ
シピペリジン、N‐メチル‐4‐ピペリジノール、1‐
ピペリジンエタノール、エチルアミノエタノール、ジメ
チルアミノエタノール、ジエチルアミノエタノール、2
‐(2‐アミノエトキシ)エタノールなどを挙げること
ができる。これらの含窒素有機ヒドロキシ化合物は1種
用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよ
い。これらの含窒素有機ヒドロキシ化合物においてN‐
ヒドロキシアルキル置換のアミン及び含窒素複素環式化
合物が好適であり、その中でも特にモノエタノールアミ
ンが好ましく用いられる。
タノールアミン、N‐ヒドロキシエチルピペラジン、1
‐(2‐ヒドロキシエチル)‐2‐ピロリドン、1‐
(3‐ヒドロキシプロピル)‐2‐ピロリドン、4‐
(2‐ヒドロキシエチル)モルホリン、N‐(2‐ヒド
ロキシエチル)フタルイミド、2‐(2‐ヒドロキシエ
チル)ピリジン、ヒドロキシルアミン、3‐(1‐ピロ
リジル)‐1,2‐プロパンジオール、2‐ピペリジン
メタノール、N‐メチル‐3‐ピペリジンメタノール、
2‐ピペリジンエタノール、N‐メチル‐3‐ヒドロキ
シピペリジン、N‐メチル‐4‐ピペリジノール、1‐
ピペリジンエタノール、エチルアミノエタノール、ジメ
チルアミノエタノール、ジエチルアミノエタノール、2
‐(2‐アミノエトキシ)エタノールなどを挙げること
ができる。これらの含窒素有機ヒドロキシ化合物は1種
用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよ
い。これらの含窒素有機ヒドロキシ化合物においてN‐
ヒドロキシアルキル置換のアミン及び含窒素複素環式化
合物が好適であり、その中でも特にモノエタノールアミ
ンが好ましく用いられる。
【0011】また、前記一般式(I)で表わされる
(B)成分の芳香族ヒドロキシ化合物としては、例えば
クレゾール、キシレノール、ピロカテコール、レゾルシ
ノール、ヒドロキノン、ピロガロール、1,2,4‐ベ
ンゼントリオール、サリチルアルコール、p‐ヒドロキ
シベンジルアルコール、o‐ヒドロキシベンジルアルコ
ール、p‐ヒドロキシフェネチルアルコール、p‐アミ
ノフェノール、m‐アミノフェノール、ジアミノフェノ
ール、アミノレゾルシノール、p‐ヒドロキシ安息香
酸、o‐ヒドロキシ安息香酸、2,4‐ジヒドロキシ安
息香酸、2,5‐ジヒドロキシ安息香酸、2,6‐ジヒ
ドロキシ安息香酸、3,4‐ジヒドロキシ安息香酸、
3,5‐ジヒドロキシ安息香酸などを挙げることができ
る。これらの化合物は1種用いてもよいし、2種以上組
み合わせて用いてもよい。これらの化合物の中でも特に
剥離性の向上作用に優れるピロカテコールが好適に使用
される。
(B)成分の芳香族ヒドロキシ化合物としては、例えば
クレゾール、キシレノール、ピロカテコール、レゾルシ
ノール、ヒドロキノン、ピロガロール、1,2,4‐ベ
ンゼントリオール、サリチルアルコール、p‐ヒドロキ
シベンジルアルコール、o‐ヒドロキシベンジルアルコ
ール、p‐ヒドロキシフェネチルアルコール、p‐アミ
ノフェノール、m‐アミノフェノール、ジアミノフェノ
ール、アミノレゾルシノール、p‐ヒドロキシ安息香
酸、o‐ヒドロキシ安息香酸、2,4‐ジヒドロキシ安
息香酸、2,5‐ジヒドロキシ安息香酸、2,6‐ジヒ
ドロキシ安息香酸、3,4‐ジヒドロキシ安息香酸、
3,5‐ジヒドロキシ安息香酸などを挙げることができ
る。これらの化合物は1種用いてもよいし、2種以上組
み合わせて用いてもよい。これらの化合物の中でも特に
剥離性の向上作用に優れるピロカテコールが好適に使用
される。
【0012】また、(C)成分のトリアゾール化合物と
しては、特に一般式(II)
しては、特に一般式(II)
【化7】 (式中のR4及びR5はそれぞれ独立して水素原子、水酸
基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキシアルキル基
又はアルキル基である)で表わされるトリアゾール化合
物が好ましく、このようなものとしては、例えばベンゾ
トリアゾール、o‐トリルトリアゾール、m‐トリルト
リアゾール、p‐トリルトリアゾール、カルボキシベン
ゾトリアゾール、1‐ヒドロキシベンゾトリアゾール、
ニトロベンゾトリアゾール、ジヒドロキシプロピルベン
ゾトリアゾールなどを挙げることができる。これらの化
合物は1種用いてもよいし、2種以上組み合わせて用い
てもよい。
基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキシアルキル基
又はアルキル基である)で表わされるトリアゾール化合
物が好ましく、このようなものとしては、例えばベンゾ
トリアゾール、o‐トリルトリアゾール、m‐トリルト
リアゾール、p‐トリルトリアゾール、カルボキシベン
ゾトリアゾール、1‐ヒドロキシベンゾトリアゾール、
ニトロベンゾトリアゾール、ジヒドロキシプロピルベン
ゾトリアゾールなどを挙げることができる。これらの化
合物は1種用いてもよいし、2種以上組み合わせて用い
てもよい。
【0013】また、(D)成分の水溶性有機溶剤として
は、水溶性を有する有機溶剤であれば特に限定されない
が、特にN‐メチル‐2‐ピロリドン、ジメチルイミダ
ゾリジノン及び一般式 HO−(C2H4O)n−R3 (III) (式中のR3は炭素数1〜4のアルキル基、nは1〜3
の整数である)で表わされるグリコールエーテル系化合
物から選択される少なくとも1種が好ましい。一般式
(III)で表わされるグリコールエーテル系化合物と
しては、例えばエチレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレン
グリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコール
モノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチル
エーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、
ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレ
ングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコー
ルモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチ
ルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテ
ル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロ
ピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレング
リコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコール
モノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブ
チルエーテルなどを挙げることができる。これらのグリ
コール化合物は1種用いてもよいし、2種以上混合して
用いてもよい。
は、水溶性を有する有機溶剤であれば特に限定されない
が、特にN‐メチル‐2‐ピロリドン、ジメチルイミダ
ゾリジノン及び一般式 HO−(C2H4O)n−R3 (III) (式中のR3は炭素数1〜4のアルキル基、nは1〜3
の整数である)で表わされるグリコールエーテル系化合
物から選択される少なくとも1種が好ましい。一般式
(III)で表わされるグリコールエーテル系化合物と
しては、例えばエチレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレン
グリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコール
モノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチル
エーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、
ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレ
ングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコー
ルモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチ
ルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテ
ル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロ
ピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレング
リコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコール
モノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブ
チルエーテルなどを挙げることができる。これらのグリ
コール化合物は1種用いてもよいし、2種以上混合して
用いてもよい。
【0014】本発明剥離液に用いる各成分の配合比につ
いては、(A)成分と(B)成分からなる二成分系の場
合、剥離液全量に対して(A)成分50〜98重量%と
(B)成分2〜50重量%の割合で配合され、(A)成
分と(B)成分と(C)成分からなる三成分系の場合、
(A)成分50〜97.8重量%と(B)成分2〜40
重量%と(C)成分0.2〜10重量%の割合で配合さ
れ、(A)成分と(B)成分と(D)成分からなる三成
分系の場合、(A)成分50〜93重量%と(B)成分
2〜40重量%と(D)成分5〜30重量%の割合で配
合され、(A)成分と(B)成分と(C)成分と(D)
成分からなる四成分系の場合、(A)成分50〜92.
8重量%と(B)成分2〜40重量%と(C)成分0.
2〜10重量%と(D)成分5〜30重量%の割合で配
合されるのが好ましい。これらの配合割合を逸脱すると
剥離性及び金属層に対する腐食性において実用的なもの
を得ることができず好ましくない。
いては、(A)成分と(B)成分からなる二成分系の場
合、剥離液全量に対して(A)成分50〜98重量%と
(B)成分2〜50重量%の割合で配合され、(A)成
分と(B)成分と(C)成分からなる三成分系の場合、
(A)成分50〜97.8重量%と(B)成分2〜40
重量%と(C)成分0.2〜10重量%の割合で配合さ
れ、(A)成分と(B)成分と(D)成分からなる三成
分系の場合、(A)成分50〜93重量%と(B)成分
2〜40重量%と(D)成分5〜30重量%の割合で配
合され、(A)成分と(B)成分と(C)成分と(D)
成分からなる四成分系の場合、(A)成分50〜92.
8重量%と(B)成分2〜40重量%と(C)成分0.
2〜10重量%と(D)成分5〜30重量%の割合で配
合されるのが好ましい。これらの配合割合を逸脱すると
剥離性及び金属層に対する腐食性において実用的なもの
を得ることができず好ましくない。
【0015】また、本発明剥離液は必要に応じ水を配合
すると、剥離性をより向上させることができるため好ま
しい。この場合の水の配合量は、剥離液全量に対して1
〜15重量%の範囲で選ぶのが好ましい。この配合量が
1重量%未満では剥離性を向上させる効果が乏しく、1
5重量%を超えると剥離性が低下するため好ましくな
い。さらに、本発明剥離液には、混和性を有する有機溶
剤、例えばジメチルスルホキシドなどを10重量%未満
の割合で配合させてもよい。
すると、剥離性をより向上させることができるため好ま
しい。この場合の水の配合量は、剥離液全量に対して1
〜15重量%の範囲で選ぶのが好ましい。この配合量が
1重量%未満では剥離性を向上させる効果が乏しく、1
5重量%を超えると剥離性が低下するため好ましくな
い。さらに、本発明剥離液には、混和性を有する有機溶
剤、例えばジメチルスルホキシドなどを10重量%未満
の割合で配合させてもよい。
【0016】本発明のポジ型レジスト用剥離液は、シリ
コンウエーハやAl−Si−Cuなどの基板上に形成さ
れたレジスト膜に60〜100℃の温度で接触させるこ
とで、レジスト膜を容易に剥離することができ、従来の
剥離液の処理温度である90〜130℃に比べ低い温度
で処理することができる。
コンウエーハやAl−Si−Cuなどの基板上に形成さ
れたレジスト膜に60〜100℃の温度で接触させるこ
とで、レジスト膜を容易に剥離することができ、従来の
剥離液の処理温度である90〜130℃に比べ低い温度
で処理することができる。
【0017】
【発明の効果】本発明のポジ型レジスト用剥離液は、比
較的低温でも剥離性に優れ、特に過酷な化学的環境に曝
され、変質したレジストも容易に剥離することができ、
かつアルミニウムや銅などの金属材料を腐食しないとい
う、顕著な効果を奏し、半導体素子の製造などに好適に
用いられる。
較的低温でも剥離性に優れ、特に過酷な化学的環境に曝
され、変質したレジストも容易に剥離することができ、
かつアルミニウムや銅などの金属材料を腐食しないとい
う、顕著な効果を奏し、半導体素子の製造などに好適に
用いられる。
【0018】
【実施例】次に、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定され
るものではない。なお、各例中の剥離性及び耐食性は次
のようにして試験し、評価した。 (1)剥離性 シリコンウエーハ上にポジ型レジストOFPR‐800
(東京応化工業社製)を乾燥膜厚1.35μmになるよ
うに塗布し、次いでこれを露光し、現像したのち、15
0℃で5分間ポストベークしてレジスト膜を得た。次に
液温80℃に保持した剥離液中にレジスト膜を形成した
シリコンウエーハを浸漬し、2分後、5分後、10分後
及び15分後にこれらを取り出して、その剥離性を以下
の基準に従って評価した。 ◎…2分未満で剥離する ○…2〜5分未満で剥離する △…5〜10分で剥離する ×…10分経過後も剥離しない
明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定され
るものではない。なお、各例中の剥離性及び耐食性は次
のようにして試験し、評価した。 (1)剥離性 シリコンウエーハ上にポジ型レジストOFPR‐800
(東京応化工業社製)を乾燥膜厚1.35μmになるよ
うに塗布し、次いでこれを露光し、現像したのち、15
0℃で5分間ポストベークしてレジスト膜を得た。次に
液温80℃に保持した剥離液中にレジスト膜を形成した
シリコンウエーハを浸漬し、2分後、5分後、10分後
及び15分後にこれらを取り出して、その剥離性を以下
の基準に従って評価した。 ◎…2分未満で剥離する ○…2〜5分未満で剥離する △…5〜10分で剥離する ×…10分経過後も剥離しない
【0019】(2)耐食性 各剥離液にAl−Si−Cu基板を20分間浸漬したの
ち、水洗し、腐食作用によるエッチピットの有無を光学
顕微鏡により観察した。 ○…エッチピットが全くないもの。 △…エッチピットが多少観察されたが実用上問題がない
もの。 ×…エッチピットが多数観察され実用上使用できないも
の。
ち、水洗し、腐食作用によるエッチピットの有無を光学
顕微鏡により観察した。 ○…エッチピットが全くないもの。 △…エッチピットが多少観察されたが実用上問題がない
もの。 ×…エッチピットが多数観察され実用上使用できないも
の。
【0020】実施例1〜14、比較例1〜5 含窒素有機ヒドロキシ化合物、芳香族ヒドロキシ化合
物、トリアゾール化合物、水溶性有機溶剤、水を表1に
示す割合で配合して剥離液を調製し、それぞれの剥離液
について剥離性及び耐食性を評価した。その結果を表1
に示す。
物、トリアゾール化合物、水溶性有機溶剤、水を表1に
示す割合で配合して剥離液を調製し、それぞれの剥離液
について剥離性及び耐食性を評価した。その結果を表1
に示す。
【0021】
【表1】
【0022】A:ベンゾトリアゾール B:o‐トリルトリアゾール C:ピロカテコール D:カルボキシベンゾトリアゾール E:ヒドロキシベンゾトリアゾール MEA:モノエタノールアミン AEE:2‐(2‐アミノエトキシ)エタノール EAE:エチルアミノエタノール DMSO:ジメチルスルホキシド NMP:N‐メチル‐2‐ピロリドン DGMB:ジエチレングリコールモノブチルエーテル DMI:ジメチルイミダゾリジノン
フロントページの続き (72)発明者 田中 初幸 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内 (72)発明者 中山 寿昌 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内
Claims (6)
- 【請求項1】 (A)含窒素有機ヒドロキシ化合物及び
(B)一般式 【化1】 (式中のR1は水素原子、水酸基又はアミノ基、R2は水
素原子、水酸基、アミノ基、カルボキシル基、アルキル
基又はヒドロキシアルキル基である)で表わされる芳香
族ヒドロキシ化合物を含有してなるポジ型レジスト用剥
離液。 - 【請求項2】 (A)含窒素有機ヒドロキシ化合物、
(B)一般式 【化2】 (式中のR1は水素原子、水酸基又はアミノ基、R2は水
素原子、水酸基、アミノ基、カルボキシル基、アルキル
基又はヒドロキシアルキル基である)で表わされる芳香
族ヒドロキシ化合物、及び(C)トリアゾール化合物を
含有してなるポジ型レジスト用剥離液。 - 【請求項3】 (A)含窒素有機ヒドロキシ化合物、
(B)一般式 【化3】 (式中のR1は水素原子、水酸基又はアミノ基、R2は水
素原子、水酸基、アミノ基、カルボキシル基、アルキル
基又はヒドロキシアルキル基である)で表わされる芳香
族ヒドロキシ化合物、及び(D)水溶性有機溶剤を含有
してなるポジ型レジスト用剥離液。 - 【請求項4】 (A)含窒素有機ヒドロキシ化合物、
(B)一般式 【化4】 (式中のR1は水素原子、水酸基又はアミノ基、R2は水
素原子、水酸基、アミノ基、カルボキシル基、アルキル
基又はヒドロキシアルキル基である)で表わされる芳香
族ヒドロキシ化合物、(C)トリアゾール化合物、及び
(D)水溶性有機溶剤を含有してなるポジ型レジスト用
剥離液。 - 【請求項5】 トリアゾール化合物が一般式 【化5】 (式中のR4及びR5はそれぞれ独立して水素原子、水酸
基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキシアルキル基
又はアルキル基である)で表わされる化合物である請求
項2又は4記載のポジ型レジスト用剥離液。 - 【請求項6】 水溶性有機溶剤がN‐メチル‐2‐ピロ
リドン、ジメチルイミダゾリジノン及び一般式 HO−(C2H4O)n−R3 (式中のR3は炭素数1〜4のアルキル基、nは1〜3
の整数である)で表わされるグリコールエーテル系化合
物から選択される少なくとも1種である請求項3又は4
記載のポジ型レジスト用剥離液。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
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- 1993-10-26 JP JP26744893A patent/JP3121185B2/ja not_active Expired - Fee Related
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WO2016163384A1 (ja) * | 2015-04-10 | 2016-10-13 | 富士フイルム株式会社 | レジスト除去液、レジスト除去方法、再生半導体基板の製造方法 |
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