JP2002072505A - フォトレジスト剥離剤組成物およびその使用方法 - Google Patents
フォトレジスト剥離剤組成物およびその使用方法Info
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- JP2002072505A JP2002072505A JP2000259854A JP2000259854A JP2002072505A JP 2002072505 A JP2002072505 A JP 2002072505A JP 2000259854 A JP2000259854 A JP 2000259854A JP 2000259854 A JP2000259854 A JP 2000259854A JP 2002072505 A JP2002072505 A JP 2002072505A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 取り扱いが容易で、レジストを良好に除去で
き、Ｃｕ膜に対し優れた防食効果を持つ剥離剤組成物を
提供すること。 【解決手段】 一級、二級もしくは三級のアルキルアミ
ンまたは一級、二級もしくは三級のアルカノールアミン
と、水と、２−メルカプトベンゾイミダゾールを主成分
とする、フォトレジスト剥離剤組成物。必要に応じて、
さらに極性有機溶剤を含有してもよい。
き、Ｃｕ膜に対し優れた防食効果を持つ剥離剤組成物を
提供すること。 【解決手段】 一級、二級もしくは三級のアルキルアミ
ンまたは一級、二級もしくは三級のアルカノールアミン
と、水と、２−メルカプトベンゾイミダゾールを主成分
とする、フォトレジスト剥離剤組成物。必要に応じて、
さらに極性有機溶剤を含有してもよい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路、
液晶パネルの半導体素子回路などの製造に用いられるフ
ォトレジスト剥離剤組成物およびその剥離剤組成物を用
いるフォトレジストの剥離方法に関するものである。さ
らに詳しくは、半導体素子回路の配線材料の一つである
銅の腐食を抑え、かつ、不要となったフォトレジストを
高性能で除去するフォトレジスト剥離剤組成物に関する
ものである。
液晶パネルの半導体素子回路などの製造に用いられるフ
ォトレジスト剥離剤組成物およびその剥離剤組成物を用
いるフォトレジストの剥離方法に関するものである。さ
らに詳しくは、半導体素子回路の配線材料の一つである
銅の腐食を抑え、かつ、不要となったフォトレジストを
高性能で除去するフォトレジスト剥離剤組成物に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＩＣ、ＬＳＩなどの半導体素子や
液晶パネル素子は、基板上に形成されたアルミニウム、
アルミニウムの合金などの導電性金属膜あるいはＳｉＯ
２膜などの絶縁膜上にレジストパターンを形成し、この
パターンをマスクとして前記導電性金属膜や絶縁膜を選
択的にエッチングし、微細回路を形成した後、不要のレ
ジストパターン屑を剥離剤で除去する工程で製造されて
いる。
液晶パネル素子は、基板上に形成されたアルミニウム、
アルミニウムの合金などの導電性金属膜あるいはＳｉＯ
２膜などの絶縁膜上にレジストパターンを形成し、この
パターンをマスクとして前記導電性金属膜や絶縁膜を選
択的にエッチングし、微細回路を形成した後、不要のレ
ジストパターン屑を剥離剤で除去する工程で製造されて
いる。
【０００３】上記レジストを除去するための剥離剤は種
々あるが、その中でもモノエタノールアミンなどの有機
アミン化合物を主成分とする有機アミン系剥離剤が汎用
されている。この有機アミン系剥離剤の特徴は、比較的
毒性が低く、廃液処理に煩雑な処理が必要でなく、ドラ
イエッチング、アッシング、イオン注入などの処理で形
成される変質したレジスト膜の剥離性に優れている点に
ある。
々あるが、その中でもモノエタノールアミンなどの有機
アミン化合物を主成分とする有機アミン系剥離剤が汎用
されている。この有機アミン系剥離剤の特徴は、比較的
毒性が低く、廃液処理に煩雑な処理が必要でなく、ドラ
イエッチング、アッシング、イオン注入などの処理で形
成される変質したレジスト膜の剥離性に優れている点に
ある。
【０００４】このような特徴を有する有機アミン系剥離
剤を剥離剤として基板を処理する場合、まず、有機アミ
ン系剥離剤でレジストパターン層を除去し、次に、この
有機アミン系剥離剤を、純水を用いて洗浄・除去処理を
行なうのが一般的である。しかし、純水による洗浄では
剥離剤を短時間で完全に除去することが難しく、また、
洗浄時間が長くなると、金属の腐食が発生し易くなる。
そのため、純水による洗浄処理に先立って、有機アミン
系剥離剤を有機溶剤で洗浄するリンス処理が一般的に行
われている。
剤を剥離剤として基板を処理する場合、まず、有機アミ
ン系剥離剤でレジストパターン層を除去し、次に、この
有機アミン系剥離剤を、純水を用いて洗浄・除去処理を
行なうのが一般的である。しかし、純水による洗浄では
剥離剤を短時間で完全に除去することが難しく、また、
洗浄時間が長くなると、金属の腐食が発生し易くなる。
そのため、純水による洗浄処理に先立って、有機アミン
系剥離剤を有機溶剤で洗浄するリンス処理が一般的に行
われている。
【０００５】他方、有機アミン系剥離剤の導電性金属膜
に対する防食効果を高めるために、有機アミン系剥離剤
に防食剤を含有させることが検討されている。例えば、
特開平１−８８５４８号公報には、ブチンジオールを防
食剤として含有し、モノエタノールアミン、グリコール
モノアルキルエーテル、ブチンジオール、および水から
成る剥離剤が提案されている。
に対する防食効果を高めるために、有機アミン系剥離剤
に防食剤を含有させることが検討されている。例えば、
特開平１−８８５４８号公報には、ブチンジオールを防
食剤として含有し、モノエタノールアミン、グリコール
モノアルキルエーテル、ブチンジオール、および水から
成る剥離剤が提案されている。
【０００６】ところで、近年、銅が高い導電性を有し、
配線遅延が解消されるという理由から、配線材料として
銅を使用した半導体素子、液晶パネル素子が開発されつ
つある。この特開平１−８８５４８号公報に記載された
防食剤はアルミニウムおよびアルミニウムの合金に対し
ては防食効果があるものの、アルミニウムまたはアルミ
ニウムの合金よりも導電性に優れた配線材料である銅に
対しては、防食効果が認められない。
配線遅延が解消されるという理由から、配線材料として
銅を使用した半導体素子、液晶パネル素子が開発されつ
つある。この特開平１−８８５４８号公報に記載された
防食剤はアルミニウムおよびアルミニウムの合金に対し
ては防食効果があるものの、アルミニウムまたはアルミ
ニウムの合金よりも導電性に優れた配線材料である銅に
対しては、防食効果が認められない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】そこで、レジストの溶
解性、さらにはドライエッチング、アッシング、イオン
注入などの処理で形成される変質したレジスト膜の剥離
性に優れ、銅に対し防食効果の高い剥離剤が望まれてい
る。
解性、さらにはドライエッチング、アッシング、イオン
注入などの処理で形成される変質したレジスト膜の剥離
性に優れ、銅に対し防食効果の高い剥離剤が望まれてい
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】こうした状況に鑑み、本
発明者などは鋭意研究を重ねた結果、一級、二級もしく
は三級のアルキルアミンまたは一級、二級もしくは三級
のアルカノールアミン、２−メルカプトベンゾイミダゾ
ールおよび水、さらに必要に応じ極性有機溶剤を主成分
とする剥離剤が、銅の腐食がなく、レジストの除去性に
も優れることを見出した。
発明者などは鋭意研究を重ねた結果、一級、二級もしく
は三級のアルキルアミンまたは一級、二級もしくは三級
のアルカノールアミン、２−メルカプトベンゾイミダゾ
ールおよび水、さらに必要に応じ極性有機溶剤を主成分
とする剥離剤が、銅の腐食がなく、レジストの除去性に
も優れることを見出した。
【０００９】すなわち、本発明は、レジスト除去性に優
れ、導電性金属膜である銅を腐食しない剥離剤組成物を
提供することを目的とする。また、本発明は、上記剥離
剤を用いる基板の処理方法を提供することを目的とす
る。
れ、導電性金属膜である銅を腐食しない剥離剤組成物を
提供することを目的とする。また、本発明は、上記剥離
剤を用いる基板の処理方法を提供することを目的とす
る。
【００１０】このような目的は、以下の本発明によって
達成される。すなわち、本発明は、一級、二級もしくは
三級のアルキルアミンまたは一級、二級もしくは三級の
アルカノールアミンと、水と、２−メルカプトベンゾイ
ミダゾールを主成分とする、フォトレジスト剥離剤組成
物に関する。
達成される。すなわち、本発明は、一級、二級もしくは
三級のアルキルアミンまたは一級、二級もしくは三級の
アルカノールアミンと、水と、２−メルカプトベンゾイ
ミダゾールを主成分とする、フォトレジスト剥離剤組成
物に関する。
【００１１】好ましい実施態様においては、このフォト
レジスト剥離剤組成物には、さらに極性有機溶剤が含有
される。
レジスト剥離剤組成物には、さらに極性有機溶剤が含有
される。
【００１２】また、好ましい実施態様においては、前記
アルキルアミンまたはアルカノールアミンの含有量が１
〜９０重量％、水の含有量が５〜６０重量％、２−メル
カプトベンゾイミダゾールの含有量が０．１〜１０重量
％および極性有機溶剤の含有量が０〜８５重量％であ
る。
アルキルアミンまたはアルカノールアミンの含有量が１
〜９０重量％、水の含有量が５〜６０重量％、２−メル
カプトベンゾイミダゾールの含有量が０．１〜１０重量
％および極性有機溶剤の含有量が０〜８５重量％であ
る。
【００１３】また、本発明は、フォトレジスト膜を使用
する電子回路の形成方法におけるフォトレジストを剥離
する方法であって、前記いずれかのフォトレジスト剥離
剤組成物を用いることを特徴とする、フォトレジストの
剥離方法に関する。
する電子回路の形成方法におけるフォトレジストを剥離
する方法であって、前記いずれかのフォトレジスト剥離
剤組成物を用いることを特徴とする、フォトレジストの
剥離方法に関する。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明のフォトレジスト剥離剤組
成物に用いられる一級、二級もしくは三級のアルキルア
ミンとしては、モノメチルアミン、モノエチルアミン、
プロピルアミン、ブチルアミン、２−エチルヘキシルア
ミン、２−エチルヘキシルオキシプロピルアミン、２−
エトキシプロピルアミン、ジメチルアミン、ジエチルア
ミン、ジプロピルアミン、ジブチルアミン、トリメチル
アミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリ
ブチルアミン、３−ジエチルアミノプロピルアミン、ジ
−２−エチルヘキシルアミン、ジブチルアミノプロピル
アミン、テトラメチルエチレンジアミン、トリ−n−オ
クチルアミン、t−ブチルアミン、sｅc−ブチルアミ
ン、メチルアミノプロピルアミン、ジメチルアミノプロ
ピルアミン、メチルイミノビスプロピルアミン、３−メ
トキシプロピルアミン、アリルアミン、ジアリルアミ
ン、トリアリルアミン、イソプロピルアミン、ジイソプ
ロピルアミン、イミノプロピルアミン、イミノビスプロ
ピルアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテト
ラミンなどが挙げられる。
成物に用いられる一級、二級もしくは三級のアルキルア
ミンとしては、モノメチルアミン、モノエチルアミン、
プロピルアミン、ブチルアミン、２−エチルヘキシルア
ミン、２−エチルヘキシルオキシプロピルアミン、２−
エトキシプロピルアミン、ジメチルアミン、ジエチルア
ミン、ジプロピルアミン、ジブチルアミン、トリメチル
アミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリ
ブチルアミン、３−ジエチルアミノプロピルアミン、ジ
−２−エチルヘキシルアミン、ジブチルアミノプロピル
アミン、テトラメチルエチレンジアミン、トリ−n−オ
クチルアミン、t−ブチルアミン、sｅc−ブチルアミ
ン、メチルアミノプロピルアミン、ジメチルアミノプロ
ピルアミン、メチルイミノビスプロピルアミン、３−メ
トキシプロピルアミン、アリルアミン、ジアリルアミ
ン、トリアリルアミン、イソプロピルアミン、ジイソプ
ロピルアミン、イミノプロピルアミン、イミノビスプロ
ピルアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテト
ラミンなどが挙げられる。
【００１５】本発明に用いられる一級、二級もしくは三
級のアルカノールアミンとしては、モノエタノールアミ
ン(ＭＥＡ)、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、アミ
ノエチルエタノールアミン、Ｎ−メチル−Ｎ，Ｎ−ジエ
タノールアミン(ＭＤＥＡ)、Ｎ，Ｎ−ジブチルエタノー
ルアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン(ＮＭＥＡ)、３
−アミノ−１−プロパノールアミン、Ｎ，Ｎ−ビス(２
−ヒドロキシエチル)シクロヘキシルアミンなどが挙げ
られる。
級のアルカノールアミンとしては、モノエタノールアミ
ン(ＭＥＡ)、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、アミ
ノエチルエタノールアミン、Ｎ−メチル−Ｎ，Ｎ−ジエ
タノールアミン(ＭＤＥＡ)、Ｎ，Ｎ−ジブチルエタノー
ルアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン(ＮＭＥＡ)、３
−アミノ−１−プロパノールアミン、Ｎ，Ｎ−ビス(２
−ヒドロキシエチル)シクロヘキシルアミンなどが挙げ
られる。
【００１６】なかでも、トリエチレンテトラミン、モノ
エタノールアミン(ＭＥＡ)、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノー
ルアミン(ＤＥＥＡ)、 Ｎ−メチルエタノールアミン(Ｎ
ＭＥＡ)が、入手が容易であり、好ましく用いられる。
エタノールアミン(ＭＥＡ)、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノー
ルアミン(ＤＥＥＡ)、 Ｎ−メチルエタノールアミン(Ｎ
ＭＥＡ)が、入手が容易であり、好ましく用いられる。
【００１７】本発明に用いられる極性有機溶剤として
は、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロ
ソルフ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソル
ブアセテート、メトキシメチルプロピオネート、エトキ
シエチルプロピオネート、プロピレングリコールメチル
エーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブ
チル、乳酸イソプロピル、ピルビン酸エチル、２−へプ
タノール、３−メチル−１−ブタノール、２−メチル−
１−ブタノール、２−メチル−２−ブタノール、メチル
ジグライム、メチルイソブチルケトン、メチルアミルケ
トン、シクロヘキサノン、ジエチレングリコールモノメ
チルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテ
ル(ＤＥＧＭＥＥ)、ジエチレングリコールモノプロピル
エーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル
(ブチルジグリコール、ＢＤＧ)、ピリジン、ジメチルス
ルホキサイド(ＤＭＳＯ)、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド(ＤＭＦ)、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド(ＤＭＡ
C)、Ｎ−メチル−２−ピロリドン(ＮＭP)、γ−ブチロ
ラクトン、スルホラン、１，２−エタンジオール(Ｅ
Ｇ)、１，２−プロパンジオール、３−メチル−１，３
−ブタンジオール、２−メチル１，３−プロパンジオー
ル、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオー
ル、グリセリンなどが挙げられる。中でも、ジエチレン
グリコールモノブチルエーテルがレジストの溶解性、安
全性に優れているところから好ましい。
は、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロ
ソルフ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソル
ブアセテート、メトキシメチルプロピオネート、エトキ
シエチルプロピオネート、プロピレングリコールメチル
エーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブ
チル、乳酸イソプロピル、ピルビン酸エチル、２−へプ
タノール、３−メチル−１−ブタノール、２−メチル−
１−ブタノール、２−メチル−２−ブタノール、メチル
ジグライム、メチルイソブチルケトン、メチルアミルケ
トン、シクロヘキサノン、ジエチレングリコールモノメ
チルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテ
ル(ＤＥＧＭＥＥ)、ジエチレングリコールモノプロピル
エーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル
(ブチルジグリコール、ＢＤＧ)、ピリジン、ジメチルス
ルホキサイド(ＤＭＳＯ)、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド(ＤＭＦ)、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド(ＤＭＡ
C)、Ｎ−メチル−２−ピロリドン(ＮＭP)、γ−ブチロ
ラクトン、スルホラン、１，２−エタンジオール(Ｅ
Ｇ)、１，２−プロパンジオール、３−メチル−１，３
−ブタンジオール、２−メチル１，３−プロパンジオー
ル、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオー
ル、グリセリンなどが挙げられる。中でも、ジエチレン
グリコールモノブチルエーテルがレジストの溶解性、安
全性に優れているところから好ましい。
【００１８】さらに、上記フォトレジスト剥離剤組成物
は、アルミニウムおよびアルミニウム合金などに対する
防食性を高めるために、さらに防食剤を含有することが
できる。このような防食剤としては、芳香族ヒドロキシ
化合物、アセチレンアルコール、カルボキシル基含有有
機化合物およびその無水物、トリアゾール化合物、糖
類、硼酸などが挙げられる。
は、アルミニウムおよびアルミニウム合金などに対する
防食性を高めるために、さらに防食剤を含有することが
できる。このような防食剤としては、芳香族ヒドロキシ
化合物、アセチレンアルコール、カルボキシル基含有有
機化合物およびその無水物、トリアゾール化合物、糖
類、硼酸などが挙げられる。
【００１９】芳香族ヒドロキシ化合物としては、具体的
には、例えば、フェノール、クレゾール、キシレノー
ル、ピロカテコール、レゾルシノール、ヒドロキノン、
ピロガロール、１，２，４−ベンゼントリオール、サリ
チルアルコール、p−ヒドロキシベンジルアルコール、o
−ヒドロキシベンジルアルコール、p−ヒドロキシフェ
ネチルアルコール、２，３，６−トリメチルフェノー
ル、２，４−ジ−tert−ブチルフェノール、p−アミノ
フェノール、m−アミノフエノ一ル、ジアミノフェノー
ル、アミノレゾルシノール、p−ヒドロキシ安息香酸、o
−ヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香
酸、２，５−ジヒドロキシ安息香酸、３，４−ジヒドロ
キシ安息香酸、３，５−ジヒドロキシ安息香酸、３，
４，５−トリヒドロキシ安息香酸(没食子酸)などを挙げ
ることができ、中でも、ピロカテコールが好適である。
には、例えば、フェノール、クレゾール、キシレノー
ル、ピロカテコール、レゾルシノール、ヒドロキノン、
ピロガロール、１，２，４−ベンゼントリオール、サリ
チルアルコール、p−ヒドロキシベンジルアルコール、o
−ヒドロキシベンジルアルコール、p−ヒドロキシフェ
ネチルアルコール、２，３，６−トリメチルフェノー
ル、２，４−ジ−tert−ブチルフェノール、p−アミノ
フェノール、m−アミノフエノ一ル、ジアミノフェノー
ル、アミノレゾルシノール、p−ヒドロキシ安息香酸、o
−ヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香
酸、２，５−ジヒドロキシ安息香酸、３，４−ジヒドロ
キシ安息香酸、３，５−ジヒドロキシ安息香酸、３，
４，５−トリヒドロキシ安息香酸(没食子酸)などを挙げ
ることができ、中でも、ピロカテコールが好適である。
【００２０】アセチレンアルコールとしては、具体的に
は、例えば、２−ブチン−１，４−ジオール、３，５−
ジメチル−１−ヘキシン−３−オール、２−メチル−３
−ブチン−２−オール、３−メチル−１−ペンチン−３
−オール、３，６−ジメチル−４−オクチン−３，６−
ジオール、２，４，７，９−テトラメチル−５−デシン
−４，７−ジオール、２，６−ジメチル−３−へキシン
−２，５−２，５−ジオールなどを挙げることができ、
中でも、２−ブチン−１，４−ジオールが好適である。
は、例えば、２−ブチン−１，４−ジオール、３，５−
ジメチル−１−ヘキシン−３−オール、２−メチル−３
−ブチン−２−オール、３−メチル−１−ペンチン−３
−オール、３，６−ジメチル−４−オクチン−３，６−
ジオール、２，４，７，９−テトラメチル−５−デシン
−４，７−ジオール、２，６−ジメチル−３−へキシン
−２，５−２，５−ジオールなどを挙げることができ、
中でも、２−ブチン−１，４−ジオールが好適である。
【００２１】カルボキシル基含有有機化合物およびその
無水物としては、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イ
ソ酪酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、
マレイン酸、フマル酸、安息香酸、フタル酸、１，２，
３−ベンゼントリカルボン酸、グリコール酸、乳酸、リ
ンゴ酸、クエン酸、無水酢酸、無水フタル酸、無水マレ
イン酸、無水コハク酸、サリチル酸、シトラコン酸など
を挙げることができる。好ましいカルボキシル基含有有
機化合物としては、蟻酸、安息香酸、フタル酸、無水フ
タル酸、サリチル酸およびシトラコン酸であり、特に、
フタル酸、無水フタル酸、サリチル酸およびシトラコン
酸が好適である。
無水物としては、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イ
ソ酪酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、
マレイン酸、フマル酸、安息香酸、フタル酸、１，２，
３−ベンゼントリカルボン酸、グリコール酸、乳酸、リ
ンゴ酸、クエン酸、無水酢酸、無水フタル酸、無水マレ
イン酸、無水コハク酸、サリチル酸、シトラコン酸など
を挙げることができる。好ましいカルボキシル基含有有
機化合物としては、蟻酸、安息香酸、フタル酸、無水フ
タル酸、サリチル酸およびシトラコン酸であり、特に、
フタル酸、無水フタル酸、サリチル酸およびシトラコン
酸が好適である。
【００２２】トリアゾール化合物としては、ベンゾトリ
アゾール、o−トリルトリアゾール、m−トリルトリアゾ
ール、p−トリルトリアゾール、カルボキシベンゾトリ
アゾール、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール、ニトロ
ベンゾトリアゾール、ジヒドロキシプロピルベンゾトリ
アゾールなどを挙げる事ができる。中でも、ベンゾトリ
アゾールが好適である。
アゾール、o−トリルトリアゾール、m−トリルトリアゾ
ール、p−トリルトリアゾール、カルボキシベンゾトリ
アゾール、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール、ニトロ
ベンゾトリアゾール、ジヒドロキシプロピルベンゾトリ
アゾールなどを挙げる事ができる。中でも、ベンゾトリ
アゾールが好適である。
【００２３】糖類としては、具体的には、Ｄ−ソルビト
ール、アラビトール、マンニトール、蔗糖、澱粉などを
挙げることができる。中でも、Ｄ−ソルビトールが好適
である。
ール、アラビトール、マンニトール、蔗糖、澱粉などを
挙げることができる。中でも、Ｄ−ソルビトールが好適
である。
【００２４】上記各防食剤は１種または２種以上を組み
合わせて使用できる。この防食剤を含有することで、Ｔ
ｉ、Ａｌ、Ａｌ−Ｓi、Ａｌ−Ｓi−Ｃｕ、Ａｌ−Ｎｄ、
Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏ、Ａｌ／Ｍｏ、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏなど
の基板のレジスト変質物の剥離性を低下することなく防
食性を一段と向上できる。
合わせて使用できる。この防食剤を含有することで、Ｔ
ｉ、Ａｌ、Ａｌ−Ｓi、Ａｌ−Ｓi−Ｃｕ、Ａｌ−Ｎｄ、
Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏ、Ａｌ／Ｍｏ、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏなど
の基板のレジスト変質物の剥離性を低下することなく防
食性を一段と向上できる。
【００２５】本発明のフォトレジスト剥離剤組成物は、
以下のように使用される。すなわち、基板上に所望のレ
ジストパターンを設け、エッチング処理したのち、レジ
ストパターンを剥離するときに本発明のフォトレジスト
剥離剤組成物で処理し、次いで極性有機溶剤でリンス処
理したのち、純水で洗浄処理する処理方法である。場合
によっては、極性有機溶剤によるリンス処理を省略し、
剥離剤処理ののち直接水洗浄をすることが可能である。
以下のように使用される。すなわち、基板上に所望のレ
ジストパターンを設け、エッチング処理したのち、レジ
ストパターンを剥離するときに本発明のフォトレジスト
剥離剤組成物で処理し、次いで極性有機溶剤でリンス処
理したのち、純水で洗浄処理する処理方法である。場合
によっては、極性有機溶剤によるリンス処理を省略し、
剥離剤処理ののち直接水洗浄をすることが可能である。
【００２６】上記リンス処理に使用される極性有機溶剤
としては、具体的には、メタノール、エタノール、イソ
プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ジエチ
レングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコ
ールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブ
チルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエー
テル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ
プロピレングリコールモノブチルエーテルなどのジアル
キレングリコールモノアルキルエーテル類、トリエチレ
ングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコ
ールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノ
ブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチル
エーテル、トリプロピレングリコールモノエチルエーテ
ル、トリプロピレングリコールモノブチルエーテルなど
のトリアルキレングリコールモノアルキルエーテル類、
ジメチルスルホキサイド(ＤＭＳＯ)、Ｎ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド(ＤＭＦ)、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド
(ＤＭＡＣ)、Ｎ−メチル−２−ピロリドン(ＮＭＰ)など
が挙げられる。これらの極性有機溶剤は１種または２種
以上を組み合わせて使用できる。また、リンス処理とし
て使用される上記極性有機溶剤には、前述の防食剤が添
加されてもよい。
としては、具体的には、メタノール、エタノール、イソ
プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ジエチ
レングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコ
ールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブ
チルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエー
テル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ
プロピレングリコールモノブチルエーテルなどのジアル
キレングリコールモノアルキルエーテル類、トリエチレ
ングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコ
ールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノ
ブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチル
エーテル、トリプロピレングリコールモノエチルエーテ
ル、トリプロピレングリコールモノブチルエーテルなど
のトリアルキレングリコールモノアルキルエーテル類、
ジメチルスルホキサイド(ＤＭＳＯ)、Ｎ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド(ＤＭＦ)、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド
(ＤＭＡＣ)、Ｎ−メチル−２−ピロリドン(ＮＭＰ)など
が挙げられる。これらの極性有機溶剤は１種または２種
以上を組み合わせて使用できる。また、リンス処理とし
て使用される上記極性有機溶剤には、前述の防食剤が添
加されてもよい。
【００２７】レジストパターンは、通常行われているパ
ターン形成方法で形成される。例えば、半導体素子ある
いは液晶パネル素子作成の際に使用されるシリコンウェ
ハーやガラス基板などの基板にポジ型またはネガ型のレ
ジスト組成物を回転塗布法、ロールコーター法、バーコ
ーター法などの塗布法を用いて、レジスト層を形成し、
次いで、マスクパターンを介して紫外線、エキシマレー
ザーを含む遠紫外線、電子線、Ｘ線などの放射線を照射
するか、これらを用いて描画することにより潜像を形成
し、アルカリ水溶液などの現像液を用いて現像し、レジ
ストパターンを形成する方法が挙げられる。
ターン形成方法で形成される。例えば、半導体素子ある
いは液晶パネル素子作成の際に使用されるシリコンウェ
ハーやガラス基板などの基板にポジ型またはネガ型のレ
ジスト組成物を回転塗布法、ロールコーター法、バーコ
ーター法などの塗布法を用いて、レジスト層を形成し、
次いで、マスクパターンを介して紫外線、エキシマレー
ザーを含む遠紫外線、電子線、Ｘ線などの放射線を照射
するか、これらを用いて描画することにより潜像を形成
し、アルカリ水溶液などの現像液を用いて現像し、レジ
ストパターンを形成する方法が挙げられる。
【００２８】このレジストの剥離処理においては、例え
ば、浸漬法、スプレー法、シャワー法などにより室温〜
８０℃で、０．５〜３０分間処理する方法が採用され
る。リンス処理においては、例えば、浸漬法、スプレー
法、シャワー法などにより室温で、１〜８０分間処理す
る方法が採用される。
ば、浸漬法、スプレー法、シャワー法などにより室温〜
８０℃で、０．５〜３０分間処理する方法が採用され
る。リンス処理においては、例えば、浸漬法、スプレー
法、シャワー法などにより室温で、１〜８０分間処理す
る方法が採用される。
【００２９】
【実施例】以下に実施例および比較例を示し、本発明の
特徴とするところをより一層明瞭にする。 (比較例１〜９、実施例１〜１０) １．銅の腐蝕性に関する検討 Ｃｕ膜をシリコンウェハー上にスパッタ法にて膜付けし
た。このウェハーを表１に示す組成の剥離剤に４０℃に
て１０分間浸漬し、次いで、イソプロピルアルコールに
室温にて５分間浸漬を行なったのち、純水にて１分間シ
ャワー洗浄を行なった。純水洗浄処理後のそれぞれのウ
ェハーを走査型電子顕微鏡(ＳＥＭ)でＣｕ膜の腐食状態
を観察した結果を表１に示す。
特徴とするところをより一層明瞭にする。 (比較例１〜９、実施例１〜１０) １．銅の腐蝕性に関する検討 Ｃｕ膜をシリコンウェハー上にスパッタ法にて膜付けし
た。このウェハーを表１に示す組成の剥離剤に４０℃に
て１０分間浸漬し、次いで、イソプロピルアルコールに
室温にて５分間浸漬を行なったのち、純水にて１分間シ
ャワー洗浄を行なった。純水洗浄処理後のそれぞれのウ
ェハーを走査型電子顕微鏡(ＳＥＭ)でＣｕ膜の腐食状態
を観察した結果を表１に示す。
【００３０】なお、表１中、Ｃｕ腐食状態の評価は、以
下の意味を表す。 ○：Ｃｕの表面状態が処理前と変わらず腐食が見られな
い。 △：Ｃｕの表面が少し腐食により荒れている。 ×：Ｃｕの表面は腐食によりかなり荒れている。
下の意味を表す。 ○：Ｃｕの表面状態が処理前と変わらず腐食が見られな
い。 △：Ｃｕの表面が少し腐食により荒れている。 ×：Ｃｕの表面は腐食によりかなり荒れている。
【００３１】また、表１における溶剤の略号は、以下の
通りである。 ＭＥＡ：モノエタノールアミン ＭＤＥＡ：Ｎ−メチル−Ｎ，Ｎ−ジエタノールアミン ＤＥＥＡ：Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン ＴＥＴＡ：トリエチレンテトラミン ＢＤＧ：ジエチレングリコールモノブチルエーテル(ブ
チルジグリコール) ＤＥＧＭＥＥ：ジエチレングリコールモノエチルエーテ
ル ＢＤＯ：２−ブチン−１，４−ジオール ＰＣ：ピロカテコール
通りである。 ＭＥＡ：モノエタノールアミン ＭＤＥＡ：Ｎ−メチル−Ｎ，Ｎ−ジエタノールアミン ＤＥＥＡ：Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン ＴＥＴＡ：トリエチレンテトラミン ＢＤＧ：ジエチレングリコールモノブチルエーテル(ブ
チルジグリコール) ＤＥＧＭＥＥ：ジエチレングリコールモノエチルエーテ
ル ＢＤＯ：２−ブチン−１，４−ジオール ＰＣ：ピロカテコール
【００３２】２．レジスト膜の剥離性についての検討 ガラス基板上にＡｌを膜付けし、その上にフォトレジス
トパターンを形成した。その後、このガラス基板をＰＡ
Ｎエッチャントで、４０℃で１分処理した。このガラス
基板を表１に示す組成の剥離剤に４０℃にて１分間浸漬
し、次いでイソプロピルアルコールに室温にて５分間浸
漬を行なったのち、純水にて１分間シャワー洗浄を行な
った。
トパターンを形成した。その後、このガラス基板をＰＡ
Ｎエッチャントで、４０℃で１分処理した。このガラス
基板を表１に示す組成の剥離剤に４０℃にて１分間浸漬
し、次いでイソプロピルアルコールに室温にて５分間浸
漬を行なったのち、純水にて１分間シャワー洗浄を行な
った。
【００３３】純水洗浄処理後のそれぞれのガラス基板を
走査型電子顕微鏡(ＳＥＭ)でフォトレジストの剥離状態
を観察した結果を表１に示す。
走査型電子顕微鏡(ＳＥＭ)でフォトレジストの剥離状態
を観察した結果を表１に示す。
【００３４】なお、表１中、レジスト剥離性の評価は、
以下の意味を表す。 ○：レジストが完全に除去されている。 △：レジストが少し表面に残っている。 ×：レジストがかなり表面に残っている。
以下の意味を表す。 ○：レジストが完全に除去されている。 △：レジストが少し表面に残っている。 ×：レジストがかなり表面に残っている。
【００３５】
【表１】
【００３６】表１の結果から、比較例の剥離剤組成物で
は、Ｃｕの防食性とレジスト剥離性を両立させることが
できず、一方、本発明に属する実施例の剥離剤組成物に
おいては、Ｃｕ防食性に優れ、かつ、レジスト剥離力を
有しているのがわかる。
は、Ｃｕの防食性とレジスト剥離性を両立させることが
できず、一方、本発明に属する実施例の剥離剤組成物に
おいては、Ｃｕ防食性に優れ、かつ、レジスト剥離力を
有しているのがわかる。
【００３７】
【発明の効果】本発明のフォトレジスト剥離剤組成物
は、取り扱いが容易で、レジストを良好に除去でき、Ｃ
ｕ膜に対し優れた防食効果を持つ剥離剤組成物である。
そしてこのフォトレジスト剥離剤組成物を使用すること
で、低コストで優れた半導体素子や液晶パネル素子を製
造できる。
は、取り扱いが容易で、レジストを良好に除去でき、Ｃ
ｕ膜に対し優れた防食効果を持つ剥離剤組成物である。
そしてこのフォトレジスト剥離剤組成物を使用すること
で、低コストで優れた半導体素子や液晶パネル素子を製
造できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宝山 隆博 兵庫県龍野市龍野町中井236番地 ナガセ 化成工業株式会社播磨工場内 Ｆターム(参考） 2H096 AA25 HA23 LA03 5F043 AA40 BB30 DD13 DD30 GG10 5F046 MA02
Claims (4)
- 【請求項１】 一級、二級もしくは三級のアルキルアミ
ンまたは一級、二級もしくは三級のアルカノールアミン
と、水と、２−メルカプトベンゾイミダゾールを主成分
とする、フォトレジスト剥離剤組成物。 - 【請求項２】 さらに極性有機溶剤を含有する、請求項
１に記載のフォトレジスト剥離剤組成物。 - 【請求項３】 前記アルキルアミンまたはアルカノール
アミンの含有量が１〜９０重量％、水の含有量が５〜６
０重量％、２−メルカプトベンゾイミダゾールの含有量
が０．１〜１０重量％および極性有機溶剤の含有量が０
〜８５重量％である、請求項１または２に記載のフォト
レジスト剥離剤組成物。 - 【請求項４】 フォトレジスト膜を使用する電子回路の
形成方法におけるフォトレジストを剥離する方法であっ
て、請求項１から３のいずれかの項に記載のフォトレジ
スト剥離剤組成物を用いることを特徴とする、フォトレ
ジストの剥離方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000259854A JP2002072505A (ja) | 2000-08-29 | 2000-08-29 | フォトレジスト剥離剤組成物およびその使用方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000259854A JP2002072505A (ja) | 2000-08-29 | 2000-08-29 | フォトレジスト剥離剤組成物およびその使用方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002072505A true JP2002072505A (ja) | 2002-03-12 |
Family
ID=18747967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000259854A Pending JP2002072505A (ja) | 2000-08-29 | 2000-08-29 | フォトレジスト剥離剤組成物およびその使用方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002072505A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002278091A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-09-27 | Nagase Kasei Kogyo Kk | フォトレジスト剥離剤組成物および該組成物を用いたフォトレジストの剥離方法 |
| JP2003015323A (ja) * | 2001-07-04 | 2003-01-17 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | レジスト剥離剤組成物 |
| WO2003083581A1 (fr) * | 2002-03-29 | 2003-10-09 | Meltex Inc. | Agent de liberation de reserve |
| JP2006251491A (ja) * | 2005-03-11 | 2006-09-21 | Kanto Chem Co Inc | フォトレジスト剥離液組成物及びフォトレジストの剥離方法 |
| US7384900B2 (en) | 2003-08-27 | 2008-06-10 | Lg Display Co., Ltd. | Composition and method for removing copper-compatible resist |
| JP2008527447A (ja) * | 2005-01-07 | 2008-07-24 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド | エッチング後のフォトレジスト及び底部反射防止膜の除去に有用な組成物 |
| KR101089211B1 (ko) * | 2010-12-02 | 2011-12-02 | 엘티씨 (주) | 1차 알칸올 아민을 포함하는 ｌｃｄ 제조용 포토레지스트 박리액 조성물 |
| CN111381458A (zh) * | 2018-12-27 | 2020-07-07 | 安集微电子科技（上海）股份有限公司 | 一种光刻胶清洗液 |
| US10859917B2 (en) | 2015-08-13 | 2020-12-08 | Ltc Co., Ltd. | Photoresist stripper composition for manufacturing liquid crystal display |
-
2000
- 2000-08-29 JP JP2000259854A patent/JP2002072505A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4608664B2 (ja) * | 2001-03-19 | 2011-01-12 | ナガセケムテックス株式会社 | フォトレジスト剥離剤組成物および該組成物を用いたフォトレジストの剥離方法 |
| JP2002278091A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-09-27 | Nagase Kasei Kogyo Kk | フォトレジスト剥離剤組成物および該組成物を用いたフォトレジストの剥離方法 |
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| JP2008527447A (ja) * | 2005-01-07 | 2008-07-24 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド | エッチング後のフォトレジスト及び底部反射防止膜の除去に有用な組成物 |
| JP2006251491A (ja) * | 2005-03-11 | 2006-09-21 | Kanto Chem Co Inc | フォトレジスト剥離液組成物及びフォトレジストの剥離方法 |
| KR101089211B1 (ko) * | 2010-12-02 | 2011-12-02 | 엘티씨 (주) | 1차 알칸올 아민을 포함하는 ｌｃｄ 제조용 포토레지스트 박리액 조성물 |
| JP2012118502A (ja) * | 2010-12-02 | 2012-06-21 | Ltc Co Ltd | １級アルカノールアミンを含むｌｃｄ製造用フォトレジスト剥離液組成物 |
| JP2017040928A (ja) * | 2010-12-02 | 2017-02-23 | エルティーシー カンパニー リミテッド | １級アルカノールアミンを含むｌｃｄ製造用フォトレジスト剥離液組成物 |
| US10859917B2 (en) | 2015-08-13 | 2020-12-08 | Ltc Co., Ltd. | Photoresist stripper composition for manufacturing liquid crystal display |
| CN111381458A (zh) * | 2018-12-27 | 2020-07-07 | 安集微电子科技（上海）股份有限公司 | 一种光刻胶清洗液 |
| CN111381458B (zh) * | 2018-12-27 | 2024-04-30 | 安集微电子科技（上海）股份有限公司 | 一种光刻胶清洗液 |
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