JPH0764297A - レジスト用剥離液組成物 - Google Patents
レジスト用剥離液組成物Info
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- JPH0764297A JPH0764297A JP21152593A JP21152593A JPH0764297A JP H0764297 A JPH0764297 A JP H0764297A JP 21152593 A JP21152593 A JP 21152593A JP 21152593 A JP21152593 A JP 21152593A JP H0764297 A JPH0764297 A JP H0764297A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 （Ａ）有機アミン類、（Ｂ）一般式
【化１】
（式中のＲ１は水素原子又は低級アルキル基、Ｒ２は水
素原子、低級アルキル基又は低級ヒドロキシアルキル基
である）で表わされるアセチレンアルコール及びそのエ
チレンオキシド付加物の中から選ばれた少なくとも１種
の界面活性剤、（Ｃ）非プロトン性極性溶剤及び（Ｄ）
水から成るレジスト用剥離液である。 【効果】 この剥離液は、不燃性であり、低温において
ホトレジスト膜特に変質された膜に対して優れた剥離作
用を示し、しかも腐食性が低く水洗のみにより容易に除
去できるという利点を有する。
素原子、低級アルキル基又は低級ヒドロキシアルキル基
である）で表わされるアセチレンアルコール及びそのエ
チレンオキシド付加物の中から選ばれた少なくとも１種
の界面活性剤、（Ｃ）非プロトン性極性溶剤及び（Ｄ）
水から成るレジスト用剥離液である。 【効果】 この剥離液は、不燃性であり、低温において
ホトレジスト膜特に変質された膜に対して優れた剥離作
用を示し、しかも腐食性が低く水洗のみにより容易に除
去できるという利点を有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、新規なレジスト用剥離
液組成物、さらに詳しくは、エッチング処理などで変質
したレジストパターンに対しても十分な剥離性を有する
とともに、水洗時や吸湿によるアルミニウムや銅基体な
どに対する腐食性が低く、かつ作業環境に悪影響をもた
らすことがなく、安全性が高い上、リンス処理も水洗の
みでよく、特に低温（２０〜５０℃）での剥離性が優れ
た極めて実用性の高いレジスト用剥離液組成物に関する
ものである。
液組成物、さらに詳しくは、エッチング処理などで変質
したレジストパターンに対しても十分な剥離性を有する
とともに、水洗時や吸湿によるアルミニウムや銅基体な
どに対する腐食性が低く、かつ作業環境に悪影響をもた
らすことがなく、安全性が高い上、リンス処理も水洗の
みでよく、特に低温（２０〜５０℃）での剥離性が優れ
た極めて実用性の高いレジスト用剥離液組成物に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、トランジスタ、ＩＣ、ＬＳＩなど
の半導体デバイスはホトエッチング法によって製造され
ている。このホトエッチング法によると、半導体デバイ
スは、例えばシリコーンウエハーなどの無機質基体上
に、ホトレジスト層を形成し、その上に所望のパターン
を有するマスクを重ねて露光し、現像処理を施すことで
レジストパターンを形成させたのち、このレジストパタ
ーンをマスクとして、露出した無機質基体に対してエッ
チング処理や拡散処理を行い、次いでこのレジストパタ
ーンを無機質基体から剥離除去することにより得られ
る。
の半導体デバイスはホトエッチング法によって製造され
ている。このホトエッチング法によると、半導体デバイ
スは、例えばシリコーンウエハーなどの無機質基体上
に、ホトレジスト層を形成し、その上に所望のパターン
を有するマスクを重ねて露光し、現像処理を施すことで
レジストパターンを形成させたのち、このレジストパタ
ーンをマスクとして、露出した無機質基体に対してエッ
チング処理や拡散処理を行い、次いでこのレジストパタ
ーンを無機質基体から剥離除去することにより得られ
る。
【０００３】この際用いられるホトレジストには、ネガ
型とポジ型とがあるが、主として微細パターンの形成に
有利なポジ型ホトレジストが用いられている。このポジ
型ホトレジストは、一般にフェノール‐アルデヒド樹脂
と感光剤とから成るものであって、このようなポジ型ホ
トレジストから形成されるレジストパターンを剥離除去
するための剥離剤としては、従来、フェノール又はその
誘導体とアルキルベンゼンスルホン酸及び塩素系有機溶
剤から成る溶液が用いられてきた。
型とポジ型とがあるが、主として微細パターンの形成に
有利なポジ型ホトレジストが用いられている。このポジ
型ホトレジストは、一般にフェノール‐アルデヒド樹脂
と感光剤とから成るものであって、このようなポジ型ホ
トレジストから形成されるレジストパターンを剥離除去
するための剥離剤としては、従来、フェノール又はその
誘導体とアルキルベンゼンスルホン酸及び塩素系有機溶
剤から成る溶液が用いられてきた。
【０００４】しかしながら、このような剥離剤において
は、フェノール系化合物や塩素系有機溶剤を含有してい
るため、毒性があり、廃液処理の点で問題がある上、非
水溶性であるために剥離処理後のリンス工程が煩雑にな
るのを免れず、さらに使用するアルキルベンゼンスルホ
ン酸が高吸湿性のため酸性を呈し、下地配線層を腐食し
やすいなどの欠点があった。
は、フェノール系化合物や塩素系有機溶剤を含有してい
るため、毒性があり、廃液処理の点で問題がある上、非
水溶性であるために剥離処理後のリンス工程が煩雑にな
るのを免れず、さらに使用するアルキルベンゼンスルホ
ン酸が高吸湿性のため酸性を呈し、下地配線層を腐食し
やすいなどの欠点があった。
【０００５】したがって、このような欠点を改良するた
めに有機アミンと、グリコールモノアルキルエーテル又
は非プロトン性極性溶剤、例えばジメチルスルホキシ
ド、Ｎ，Ｎ‐ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ‐ジメチル
ホルムアミド、Ｎ‐メチル‐２‐ピロリドン及びＮ，Ｎ
‐ジメチルイミダゾリジノンなどとから成る水溶性の剥
離剤が開発され、市販されている。
めに有機アミンと、グリコールモノアルキルエーテル又
は非プロトン性極性溶剤、例えばジメチルスルホキシ
ド、Ｎ，Ｎ‐ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ‐ジメチル
ホルムアミド、Ｎ‐メチル‐２‐ピロリドン及びＮ，Ｎ
‐ジメチルイミダゾリジノンなどとから成る水溶性の剥
離剤が開発され、市販されている。
【０００６】しかしながら、このような水溶性の剥離剤
においては、水洗時、特に浸せき法による水洗時に、成
分の有機アミンが解離してアルカリ性を呈し、アルミニ
ウムや銅などに対して腐食性を有するため、アルミニウ
ムや銅から成る基体上に設けられたレジストパターンの
剥離には、アルコール系の有機溶剤によるリンス処理を
必要である上に、剥離液の吸湿により、有機アミンが解
離して、微細化の進む半導体デバイスの製造において絶
対的に避けなければならないアルミニウムや銅基体の腐
食をもたらすなどの欠点を有している。
においては、水洗時、特に浸せき法による水洗時に、成
分の有機アミンが解離してアルカリ性を呈し、アルミニ
ウムや銅などに対して腐食性を有するため、アルミニウ
ムや銅から成る基体上に設けられたレジストパターンの
剥離には、アルコール系の有機溶剤によるリンス処理を
必要である上に、剥離液の吸湿により、有機アミンが解
離して、微細化の進む半導体デバイスの製造において絶
対的に避けなければならないアルミニウムや銅基体の腐
食をもたらすなどの欠点を有している。
【０００７】このような作業性、安全性、基板に対する
腐食性及び反応性イオンエッチング処理などによる変質
膜の剥離性を改善するために、これまで各種の剥離剤組
成物、例えばモノエタノールアミン、グリコールモノア
ルキルエーテル、ブチンジオール及び水から成る剥離剤
組成物（特開昭６４−８８５４８号公報）、各種の特定
な界面活性剤を含有させたレジスト用剥離剤（特開昭６
３−２３１３４３号公報、特開昭６４−８１９４９号公
報、特開昭６４−８１９５０号公報）などが提案されて
いる。
腐食性及び反応性イオンエッチング処理などによる変質
膜の剥離性を改善するために、これまで各種の剥離剤組
成物、例えばモノエタノールアミン、グリコールモノア
ルキルエーテル、ブチンジオール及び水から成る剥離剤
組成物（特開昭６４−８８５４８号公報）、各種の特定
な界面活性剤を含有させたレジスト用剥離剤（特開昭６
３−２３１３４３号公報、特開昭６４−８１９４９号公
報、特開昭６４−８１９５０号公報）などが提案されて
いる。
【０００８】しかしながら、モノエタノールアミン、グ
リコールモノアルキルエーテル、ブチンジオール及び水
から成る剥離剤組成物は、変質膜に対する剥離性が不十
分であり、またフェノールやその誘導体とアルキルベン
ゼンスルホン酸と塩素系有機溶剤とから成る有機系剥離
液に比べて、毒性がかなり低く扱いやすいなっているも
のの、ブチンジオールの生体毒性の指標であるＬＤ５０
は経口ラット、経口マウスでそれぞれ１０４ｍｇ／ｋ
ｇ、１０５ｍｇ／ｋｇと低く、今日の環境濃度規制の叫
ばれる半導体製造プロセスにおいて十分なものではな
い。
リコールモノアルキルエーテル、ブチンジオール及び水
から成る剥離剤組成物は、変質膜に対する剥離性が不十
分であり、またフェノールやその誘導体とアルキルベン
ゼンスルホン酸と塩素系有機溶剤とから成る有機系剥離
液に比べて、毒性がかなり低く扱いやすいなっているも
のの、ブチンジオールの生体毒性の指標であるＬＤ５０
は経口ラット、経口マウスでそれぞれ１０４ｍｇ／ｋ
ｇ、１０５ｍｇ／ｋｇと低く、今日の環境濃度規制の叫
ばれる半導体製造プロセスにおいて十分なものではな
い。
【０００９】他方、各種の特定な界面活性剤を含む剥離
剤の場合は、基板に対する腐食性の改善が不十分であ
り、実用上問題がある。
剤の場合は、基板に対する腐食性の改善が不十分であ
り、実用上問題がある。
【００１０】ところで、本発明者らは、先に、有機アミ
ンと特定のリン酸エステル系界面活性剤と２‐ブチン‐
１，４‐ジオールとグリコールモノアルキルエーテルや
非プロトン性極性溶剤とから成るレジスト用剥離剤組成
物を提案した。この剥離剤組成物は基板に対する腐食性
及び反応性イオンエッチング処理などによる変質膜の剥
離性については優れているものの、有毒な２‐ブチン‐
１，４‐ジオールを用いる点、リン酸エステル系界面活
性剤のリン酸が基板上に微量ではあるが残存し、製品化
された半導体素子などの特性に悪影響を与えるなど解決
しなければならない多くの問題を有している。
ンと特定のリン酸エステル系界面活性剤と２‐ブチン‐
１，４‐ジオールとグリコールモノアルキルエーテルや
非プロトン性極性溶剤とから成るレジスト用剥離剤組成
物を提案した。この剥離剤組成物は基板に対する腐食性
及び反応性イオンエッチング処理などによる変質膜の剥
離性については優れているものの、有毒な２‐ブチン‐
１，４‐ジオールを用いる点、リン酸エステル系界面活
性剤のリン酸が基板上に微量ではあるが残存し、製品化
された半導体素子などの特性に悪影響を与えるなど解決
しなければならない多くの問題を有している。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
従来のレジスト用剥離剤が有する欠点を克服し、エッチ
ング処理などで変質したレジストパターンに対しても十
分な剥離性を有するとともに、水洗時や吸湿によるアル
ミニウムや銅基体などに対する腐食性が低く、かつ作業
環境に悪影響をもたらすことがなく、安全性が高い上、
リンス処理も水洗のみでよい。特に低温（２０〜５０
℃）での剥離性が優れた極めて実用性の高いレジスト用
剥離液組成物を提供することを目的としてなされたもの
である。
従来のレジスト用剥離剤が有する欠点を克服し、エッチ
ング処理などで変質したレジストパターンに対しても十
分な剥離性を有するとともに、水洗時や吸湿によるアル
ミニウムや銅基体などに対する腐食性が低く、かつ作業
環境に悪影響をもたらすことがなく、安全性が高い上、
リンス処理も水洗のみでよい。特に低温（２０〜５０
℃）での剥離性が優れた極めて実用性の高いレジスト用
剥離液組成物を提供することを目的としてなされたもの
である。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、従来のレ
ジスト用剥離液のもつ欠点を改善することについて鋭意
研究を重ねた結果、特定のアセチレンアルコール系界面
活性剤とともに有機アミン類、非プロトン性極性溶剤を
配合することにより、その目的を達成しうることを見出
し、この知見に基づいて本発明をなすに至った。
ジスト用剥離液のもつ欠点を改善することについて鋭意
研究を重ねた結果、特定のアセチレンアルコール系界面
活性剤とともに有機アミン類、非プロトン性極性溶剤を
配合することにより、その目的を達成しうることを見出
し、この知見に基づいて本発明をなすに至った。
【００１３】すなわち、本発明は、（Ａ）有機アミン
類、（Ｂ）一般式
類、（Ｂ）一般式
【化４】 （式中のＲ１は水素原子又は低級アルキル基、Ｒ2は水
素原子、低級アルキル基又は低級ヒドロキシアルキル基
である）で表わされるアセチレンアルコール及びそのエ
チレンオキシド付加物の中から選ばれた少なくとも１種
の界面活性剤、（Ｃ）非プロトン性極性溶剤及び（Ｄ）
水から成るレジスト用剥離液組成物を提供するものであ
る。
素原子、低級アルキル基又は低級ヒドロキシアルキル基
である）で表わされるアセチレンアルコール及びそのエ
チレンオキシド付加物の中から選ばれた少なくとも１種
の界面活性剤、（Ｃ）非プロトン性極性溶剤及び（Ｄ）
水から成るレジスト用剥離液組成物を提供するものであ
る。
【００１４】本発明組成物における（Ａ）成分の有機ア
ミン類としては、第一級、第二級、第三級の脂肪族アミ
ン、脂環式アミン、芳香族アミン、複素環式アミンのい
ずれも用いることができる。第一級脂肪族アミンとして
は、例えばモノエタノールアミン、エチレンジアミン、
２‐（２‐アミノエトキシ）エタノール、２‐（２‐ア
ミノエチルアミノ）エタノールなどが、第二級脂肪族ア
ミンとしては、例えばジエタノールアミン、イミノビス
プロピルアミン、２‐エチルアミノエタノールなどが、
第三級脂肪族アミンとしては、例えばジエチルアミノエ
タノールなどを挙げることができる。
ミン類としては、第一級、第二級、第三級の脂肪族アミ
ン、脂環式アミン、芳香族アミン、複素環式アミンのい
ずれも用いることができる。第一級脂肪族アミンとして
は、例えばモノエタノールアミン、エチレンジアミン、
２‐（２‐アミノエトキシ）エタノール、２‐（２‐ア
ミノエチルアミノ）エタノールなどが、第二級脂肪族ア
ミンとしては、例えばジエタノールアミン、イミノビス
プロピルアミン、２‐エチルアミノエタノールなどが、
第三級脂肪族アミンとしては、例えばジエチルアミノエ
タノールなどを挙げることができる。
【００１５】また、脂環式アミンとしては、例えばシク
ロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミンなどが、芳
香族アミンとしては、例えばベンジルアミン、ジベンジ
ルアミン、Ｎ‐メチルベンジルアミンなどが、複素環式
アミンとしては、例えばＮ‐ヒドロキシエチルピペリジ
ン、１，８‐ジアザビシクロ［５，４，０］‐７‐ウン
デセンなどが挙げられる。これらの有機アミン類の中
で、特にモノエタノールアミン、２‐（２‐アミノエト
キシ）エタノール及び２‐エチルアミノエタノールが好
適である。
ロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミンなどが、芳
香族アミンとしては、例えばベンジルアミン、ジベンジ
ルアミン、Ｎ‐メチルベンジルアミンなどが、複素環式
アミンとしては、例えばＮ‐ヒドロキシエチルピペリジ
ン、１，８‐ジアザビシクロ［５，４，０］‐７‐ウン
デセンなどが挙げられる。これらの有機アミン類の中
で、特にモノエタノールアミン、２‐（２‐アミノエト
キシ）エタノール及び２‐エチルアミノエタノールが好
適である。
【００１６】前記（Ａ）成分の有機アミン類は単独で用
いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
その含有量は組成物全重量に基づき１０〜４０重量％の
範囲内で選ばれる。この量が１０重量％未満では剥離性
が不十分になるし、４０重量％よりも多くなると保存安
定性が低下する。
いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
その含有量は組成物全重量に基づき１０〜４０重量％の
範囲内で選ばれる。この量が１０重量％未満では剥離性
が不十分になるし、４０重量％よりも多くなると保存安
定性が低下する。
【００１７】本発明組成物の（Ｂ）成分として用いるア
セチレンアルコール系界面活性剤は、前記一般式（Ｉ）
で示される化学構造を有するが、この中の低級アルキル
基としては、炭素数１〜６の直鎖状又は枝分れ状のもの
が好ましく、また低級ヒドロキシアルキル基としては、
１位にヒドロキシ基をもつ炭素数１〜５の直鎖状又は枝
分れ状のものが好ましい。
セチレンアルコール系界面活性剤は、前記一般式（Ｉ）
で示される化学構造を有するが、この中の低級アルキル
基としては、炭素数１〜６の直鎖状又は枝分れ状のもの
が好ましく、また低級ヒドロキシアルキル基としては、
１位にヒドロキシ基をもつ炭素数１〜５の直鎖状又は枝
分れ状のものが好ましい。
【００１８】特に好ましいのは、一般式
【化５】 （式中のＲ３は水素原子又は低級アルキル基である）で
表わされるアセチレンアルコール又は一般式
表わされるアセチレンアルコール又は一般式
【化６】 （式中のＲ４及びＲ５はそれぞれ水素原子又は低級アル
キル基、ｎ及びｍはそれぞれ０又は１〜２０の整数であ
る）で表わされるアセチレンアルコール又はそのエチレ
ンオキシド付加物である。
キル基、ｎ及びｍはそれぞれ０又は１〜２０の整数であ
る）で表わされるアセチレンアルコール又はそのエチレ
ンオキシド付加物である。
【００１９】前記一般式（ＩＩ）で表わされるアセチレ
ンアルコール系界面活性剤としては、例えばエア・プロ
ダクツ・アンド・ケミカル社や川研ケミカル社から市販
されている、サーフィノール６１：
ンアルコール系界面活性剤としては、例えばエア・プロ
ダクツ・アンド・ケミカル社や川研ケミカル社から市販
されている、サーフィノール６１：
【化７】 オルフィンＢ［ＬＤ５０＝１９５０ｍｇ／ｋｇ（ラット
経口）］：
経口）］：
【化８】 オルフィンＰ［ＬＤ５０＝３００ｍｇ／ｋｇ（ラット経
口）］：
口）］：
【化９】 などがあり、また一般式（ＩＩＩ）で表わされるアセチ
レンアルコール系界面活性剤としては、例えばトーケム
プロダクツ社から市販されている、サーフィノール８２
［ＬＤ５０＝８２５ｍｇ／ｋｇ（マウス径口）］：
レンアルコール系界面活性剤としては、例えばトーケム
プロダクツ社から市販されている、サーフィノール８２
［ＬＤ５０＝８２５ｍｇ／ｋｇ（マウス径口）］：
【化１０】 サーフィノール１０４［ＬＤ５０＝４６００ｍｇ／ｋｇ
（ラット経口）］：
（ラット経口）］：
【化１１】 オルフィンＹ［ＬＤ５０＝３１２ｍｇ／ｋｇ（ラット経
口）］：
口）］：
【化１２】
【化１３】 で表わされるもの、具体的にはトーケムプロダクツ社か
ら市販されているサーフィノール４４０（ｎ＋ｍ＝３．
５）、サーフィノール４６５（ｎ＋ｍ＝１０）、サーフ
ィノール４８５（ｎ＋ｍ＝３０）などがある。これらの
中で、サーフィノール６１、サーフィノール８２、サー
フィノール４８５、オルフィンＢ及びオルフィンＰが好
ましい。これらのアセチレンアルコール系界面活性剤
は、ＬＤ５０／値がブチンジオールに比べて高く、安全
性が優れている上、剥離性に添加した場合、その剥離
性、基板に対する腐食性に優れた特性を引き出すことが
できる。
ら市販されているサーフィノール４４０（ｎ＋ｍ＝３．
５）、サーフィノール４６５（ｎ＋ｍ＝１０）、サーフ
ィノール４８５（ｎ＋ｍ＝３０）などがある。これらの
中で、サーフィノール６１、サーフィノール８２、サー
フィノール４８５、オルフィンＢ及びオルフィンＰが好
ましい。これらのアセチレンアルコール系界面活性剤
は、ＬＤ５０／値がブチンジオールに比べて高く、安全
性が優れている上、剥離性に添加した場合、その剥離
性、基板に対する腐食性に優れた特性を引き出すことが
できる。
【００２０】本発明組成物においては、（Ｂ）成分のア
セチレンアルコール系界面活性剤は単独で用いてもよい
し、２種以上を組み合わせて用いてもよい。その含有量
は組成物の全重量に基づき、１〜２０重量％の範囲内で
選ばれる。この含有量が１重量％未満では吸湿による有
機アミンの解離によって生じるアルミニウムや銅基体に
対する腐食を低減させる効果が十分に発揮されないし、
２０重量％を越えると剥離性が低下する。
セチレンアルコール系界面活性剤は単独で用いてもよい
し、２種以上を組み合わせて用いてもよい。その含有量
は組成物の全重量に基づき、１〜２０重量％の範囲内で
選ばれる。この含有量が１重量％未満では吸湿による有
機アミンの解離によって生じるアルミニウムや銅基体に
対する腐食を低減させる効果が十分に発揮されないし、
２０重量％を越えると剥離性が低下する。
【００２１】本発明組成物において、（Ｃ）成分として
用いられる非プロトン性極性溶剤としては、例えばジメ
チルスルホキシド、Ｎ‐メチル‐２‐ピロリドン、Ｎ，
Ｎ‐ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ‐ジメチルホルムア
ミド、Ｎ，Ｎ‐ジメチルイミダゾリジノンなどを好まし
く挙げることができる。これらの極性非プロトン溶剤は
単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いて
もよい。その含有量は組成物全重量に基づき、１０〜３
０重量％の範囲内で選ばれる。この含有量が前記範囲を
逸脱すると剥離剤としての作用が不十分になる。
用いられる非プロトン性極性溶剤としては、例えばジメ
チルスルホキシド、Ｎ‐メチル‐２‐ピロリドン、Ｎ，
Ｎ‐ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ‐ジメチルホルムア
ミド、Ｎ，Ｎ‐ジメチルイミダゾリジノンなどを好まし
く挙げることができる。これらの極性非プロトン溶剤は
単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いて
もよい。その含有量は組成物全重量に基づき、１０〜３
０重量％の範囲内で選ばれる。この含有量が前記範囲を
逸脱すると剥離剤としての作用が不十分になる。
【００２２】本発明組成物においては、２０〜５０℃程
度の低い温度での剥離を目的としているため、（Ｄ）成
分として水を含有させることが必要である。その含有量
は組成物全重量に基づき、１０〜７０重量％、好ましく
は４０〜６０重量％の範囲で選ばれる。この含有量が１
０重量％未満や７０重量％を超えると低温での剥離性が
不十分となる。
度の低い温度での剥離を目的としているため、（Ｄ）成
分として水を含有させることが必要である。その含有量
は組成物全重量に基づき、１０〜７０重量％、好ましく
は４０〜６０重量％の範囲で選ばれる。この含有量が１
０重量％未満や７０重量％を超えると低温での剥離性が
不十分となる。
【００２３】本発明のレジスト用剥離液組成物を適用し
うるホトレジストとしては、例えばノボラック樹脂とキ
ノンジアジド系の光分解剤とを含有して成るものを好ま
しく挙げることができるが、特にクレゾールノボラック
樹脂とナフトキノンジアジド系の光分解剤との組合せか
ら成るポジ型ホトレジストが好適である。
うるホトレジストとしては、例えばノボラック樹脂とキ
ノンジアジド系の光分解剤とを含有して成るものを好ま
しく挙げることができるが、特にクレゾールノボラック
樹脂とナフトキノンジアジド系の光分解剤との組合せか
ら成るポジ型ホトレジストが好適である。
【００２４】次に、本発明のレジスト用剥離液組成物の
使用方法の１例について説明すると、まず基体上に設け
られたホトレジスト層に、活性光線を用いて画像形成露
光を施したのち、現像処理して基体上にレジストパター
ンを形成し、次いでこのレジストパターンをマスクとし
て基体をエッチング処理したのち、基体上に残存するレ
ジストパターンを該剥離液組成物を用いて除去処理す
る。この除去処理には、通常従来慣用されている浸せき
法が用いられる。除去処理後、水洗いによるリンス処理
を施すことで、レジストパターンが完全に除去された高
品質の基体を得ることができる。該リンス処理において
は、必要に応じ、まずアルコールやケトンなどを用いて
洗浄したのち、水洗してもよい。
使用方法の１例について説明すると、まず基体上に設け
られたホトレジスト層に、活性光線を用いて画像形成露
光を施したのち、現像処理して基体上にレジストパター
ンを形成し、次いでこのレジストパターンをマスクとし
て基体をエッチング処理したのち、基体上に残存するレ
ジストパターンを該剥離液組成物を用いて除去処理す
る。この除去処理には、通常従来慣用されている浸せき
法が用いられる。除去処理後、水洗いによるリンス処理
を施すことで、レジストパターンが完全に除去された高
品質の基体を得ることができる。該リンス処理において
は、必要に応じ、まずアルコールやケトンなどを用いて
洗浄したのち、水洗してもよい。
【００２５】また、基体としては、例えばシリコーンウ
エハーの他に、窒化ケイ素、ガリウム‐ヒ素、銅、酸化
クロム、ニッケル、クロム、アルミニウム、インジウ
ム、チタン酸化膜などの被膜を有するものが挙げられ
る。
エハーの他に、窒化ケイ素、ガリウム‐ヒ素、銅、酸化
クロム、ニッケル、クロム、アルミニウム、インジウ
ム、チタン酸化膜などの被膜を有するものが挙げられ
る。
【００２６】
【発明の効果】本発明のレジスト用剥離液組成物は、フ
ェノール化合物や塩素系溶剤を含む有機系剥離液に比べ
て、不燃性であり、かつ作業性、安全性に優れる上、ホ
トレジスト膜の剥離性、特に高温でのベーク、紫外線照
射、反応性イオンエッチング、イオン注入あるいはアッ
シングなどで処理されたレジストの変質膜の剥離性にも
優れている。さらに、アルミニウムや銅基体等に対する
腐食性が低く、剥離工程後のリンス工程においても水洗
処理のみでよいので、作業環境に悪影響をもたらすこと
がなく、特に２０〜５０℃という低温での剥離性に優
れ、実用的価値が極めて高い。
ェノール化合物や塩素系溶剤を含む有機系剥離液に比べ
て、不燃性であり、かつ作業性、安全性に優れる上、ホ
トレジスト膜の剥離性、特に高温でのベーク、紫外線照
射、反応性イオンエッチング、イオン注入あるいはアッ
シングなどで処理されたレジストの変質膜の剥離性にも
優れている。さらに、アルミニウムや銅基体等に対する
腐食性が低く、剥離工程後のリンス工程においても水洗
処理のみでよいので、作業環境に悪影響をもたらすこと
がなく、特に２０〜５０℃という低温での剥離性に優
れ、実用的価値が極めて高い。
【００２７】
【実施例】次に実施例により本発明をさらに詳細に説明
するが、本発明はこれらの例によってなんら限定される
ものではない。
するが、本発明はこれらの例によってなんら限定される
ものではない。
【００２８】実施例１〜１３ シリコンウエハー上に約１．０μｍのＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ
膜を蒸着した基板に、クレゾールノボラック樹脂とナフ
トキノンジアジド基含有化合物とを含有して成るポジ型
ホトレジストＴＳＭＲ‐ｉＰ１８００（東京応化工業社
製）をスピンコーターで塗布し、９０℃９０秒間ホット
プレート上でプリベーク処理して、厚さ１．９８μｍの
ホトレジスト膜を形成した。このホトレジスト膜にマス
クを介して紫外線を選択的にに照射し、次いで２．３８
重量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液
で２３℃、６０秒間パドル現像し、レジストパターンを
得た。さらに、８０℃にて２分間紫外線を照射し、ＵＶ
キュアーを行った。
膜を蒸着した基板に、クレゾールノボラック樹脂とナフ
トキノンジアジド基含有化合物とを含有して成るポジ型
ホトレジストＴＳＭＲ‐ｉＰ１８００（東京応化工業社
製）をスピンコーターで塗布し、９０℃９０秒間ホット
プレート上でプリベーク処理して、厚さ１．９８μｍの
ホトレジスト膜を形成した。このホトレジスト膜にマス
クを介して紫外線を選択的にに照射し、次いで２．３８
重量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液
で２３℃、６０秒間パドル現像し、レジストパターンを
得た。さらに、８０℃にて２分間紫外線を照射し、ＵＶ
キュアーを行った。
【００２９】次に、ＴＳＳ‐６０００（東京応化工業社
製）を用いて、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜を蒸着したシリコン
基板のエッチング処理を行い、さらにＴＣＡ‐２４００
（東京応化工業社製）を用いてアッシング処理を行っ
た。
製）を用いて、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜を蒸着したシリコン
基板のエッチング処理を行い、さらにＴＣＡ‐２４００
（東京応化工業社製）を用いてアッシング処理を行っ
た。
【００３０】次いで、この基板を表１に示す組成の剥離
液に表１に示す条件にて浸せきしたのち、純水でリンス
処理した。その際のアッシング残渣の剥離状態及びＡｌ
−Ｓｉ−Ｃｕ膜の腐食の状態をＳＥＭ（走査型電子顕微
鏡）写真の観察により評価した。その結果を表１に示
す。
液に表１に示す条件にて浸せきしたのち、純水でリンス
処理した。その際のアッシング残渣の剥離状態及びＡｌ
−Ｓｉ−Ｃｕ膜の腐食の状態をＳＥＭ（走査型電子顕微
鏡）写真の観察により評価した。その結果を表１に示
す。
【００３１】
【表１】
【００３２】なお、表１の中で用いている略号は以下の
意味をもつ。 ＤＭＳＯ：ジメチルスルホキシド ＮＭＰ：Ｎ‐メチル‐２‐ピロリドン ＤＭＩ：Ｎ，Ｎ‐ジメチルイミダゾリジノン ＤＭＦ：Ｎ，Ｎ‐ジメチルホルムアミド ＤＭＡｃ：Ｎ，Ｎ‐ジメチルアセトアミド
意味をもつ。 ＤＭＳＯ：ジメチルスルホキシド ＮＭＰ：Ｎ‐メチル‐２‐ピロリドン ＤＭＩ：Ｎ，Ｎ‐ジメチルイミダゾリジノン ＤＭＦ：Ｎ，Ｎ‐ジメチルホルムアミド ＤＭＡｃ：Ｎ，Ｎ‐ジメチルアセトアミド
【００３３】比較例１〜１０ 実施例と同様な操作にて、表２に示す組成の剥離液を用
いて、剥離状態及び腐食状態をＳＥＭ写真により評価し
た。その結果を表２に示す。
いて、剥離状態及び腐食状態をＳＥＭ写真により評価し
た。その結果を表２に示す。
【００３４】
【表２】
【００３５】なお、表２の中で用いている略号は以下の
意味をもつ。 ノニポール７０：ノニルフェノールのエチレンオキシド
付加物 ニューポールＰＥ‐７５：プロピレンオキシド・エチレ
ンオキシド縮合物 イオネットＭＯ‐２００：脂肪酸とポリエチレングリコ
ールとのモノエステル イオネットＭＯ‐６００：脂肪酸とポリエチレングリコ
ールとのジエステル エマルミン７０：脂肪酸アルコールのエチレンオキシド
付加物 （これらの界面活性剤はすべて三洋化成社製である）
意味をもつ。 ノニポール７０：ノニルフェノールのエチレンオキシド
付加物 ニューポールＰＥ‐７５：プロピレンオキシド・エチレ
ンオキシド縮合物 イオネットＭＯ‐２００：脂肪酸とポリエチレングリコ
ールとのモノエステル イオネットＭＯ‐６００：脂肪酸とポリエチレングリコ
ールとのジエステル エマルミン７０：脂肪酸アルコールのエチレンオキシド
付加物 （これらの界面活性剤はすべて三洋化成社製である）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 初幸 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内 (72)発明者 中山 寿昌 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 （Ａ）有機アミン類、（Ｂ）一般式 【化１】 （式中のＲ１は水素原子又は低級アルキル基、Ｒ２は水
素原子、低級アルキル基又は低級ヒドロキシアルキル基
である）で表わされるアセチレンアルコール及びそのエ
チレンオキシド付加物の中から選ばれた少なくとも１種
の界面活性剤、（Ｃ）非プロトン性極性溶剤及び（Ｄ）
水から成るレジスト用剥離液組成物。 - 【請求項２】 （Ｂ）成分が一般式 【化２】 （式中のＲ３は水素原子又は低級アルキル基である）で
表わされるアセチレンアルコールの中から選ばれる少な
くとも１種である請求項１記載のレジスト用剥離液組成
物。 - 【請求項３】 （Ｂ）成分が一般式 【化３】 （式中のＲ４及びＲ５はそれぞれ水素原子又は低級アル
キル基、ｎ及びｍはそれぞれ０又は１〜２０の整数であ
る）で表わされるアセチレンアルコール及びそのエチレ
ンオキシド付加物の中から選ばれる少なくとも１種であ
る請求項１記載のレジスト用剥離液組成物。 - 【請求項４】 （Ａ）成分の有機アミン類がモノエタノ
ールアミン、２‐（２‐アミノエトキシ）エタノール及
び２‐エチルアミノエタノールの中から選ばれた少なく
とも１種である請求項１、２又は３記載のレジスト用剥
離液組成物。 - 【請求項５】 （Ｃ）成分の極性非プロトン溶剤がジメ
チルスルホキシド、Ｎ‐メチル‐２‐ピロリドン、Ｎ，
Ｎ‐ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ‐ジメチルホルムア
ミド及びＮ，Ｎ‐ジメチルイミダゾリジノンの中から選
ばれた少なくとも１種である請求項１、２、３又は４記
載のレジスト用剥離液組成物。 - 【請求項６】 （Ａ）成分１０〜４０重量％、（Ｂ）成
分１〜２０重量％、（Ｃ）成分１０〜３０重量％及び
（Ｄ）成分１０〜７０重量％から成る請求項１記載のレ
ジスト用剥離液組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21152593A JP3233379B2 (ja) | 1993-08-26 | 1993-08-26 | レジスト用剥離液組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21152593A JP3233379B2 (ja) | 1993-08-26 | 1993-08-26 | レジスト用剥離液組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0764297A true JPH0764297A (ja) | 1995-03-10 |
| JP3233379B2 JP3233379B2 (ja) | 2001-11-26 |
Family
ID=16607343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21152593A Expired - Lifetime JP3233379B2 (ja) | 1993-08-26 | 1993-08-26 | レジスト用剥離液組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3233379B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07219241A (ja) * | 1993-10-07 | 1995-08-18 | J T Baker Inc | 金属腐食を減少させるための還元剤を含有しているフォトレジストストリッパー |
| US6261745B1 (en) | 1998-06-05 | 2001-07-17 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Post-ashing treating liquid compositions and a process for treatment therewith |
| US6368421B1 (en) | 1998-07-10 | 2002-04-09 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Composition for stripping photoresist and organic materials from substrate surfaces |
| JP2004363555A (ja) * | 2003-06-02 | 2004-12-24 | Samsung Electronics Co Ltd | フォトレジスト除去液及びこれを利用した半導体素子のバンプ形成方法 |
| EP1701217A2 (en) | 2005-03-11 | 2006-09-13 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Composition for photoresist stripping solution and process of photoresist stripping |
| JP2008181137A (ja) * | 2002-08-12 | 2008-08-07 | Air Products & Chemicals Inc | 半導体デバイス製造の際のパターンつぶれ欠陥数の低減方法及びリンス処理溶液 |
| JP2010229616A (ja) * | 2010-04-05 | 2010-10-14 | Nisshin Chem Ind Co Ltd | レジスト用洗浄剤 |
| EP2441744A1 (en) * | 2000-01-04 | 2012-04-18 | Air Products and Chemicals, Inc. | Acetylenic diol ethylene oxide/propylene oxide adducts and their use |
-
1993
- 1993-08-26 JP JP21152593A patent/JP3233379B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07219241A (ja) * | 1993-10-07 | 1995-08-18 | J T Baker Inc | 金属腐食を減少させるための還元剤を含有しているフォトレジストストリッパー |
| US6261745B1 (en) | 1998-06-05 | 2001-07-17 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Post-ashing treating liquid compositions and a process for treatment therewith |
| US6368421B1 (en) | 1998-07-10 | 2002-04-09 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Composition for stripping photoresist and organic materials from substrate surfaces |
| EP2441744A1 (en) * | 2000-01-04 | 2012-04-18 | Air Products and Chemicals, Inc. | Acetylenic diol ethylene oxide/propylene oxide adducts and their use |
| JP2008181137A (ja) * | 2002-08-12 | 2008-08-07 | Air Products & Chemicals Inc | 半導体デバイス製造の際のパターンつぶれ欠陥数の低減方法及びリンス処理溶液 |
| JP2009181145A (ja) * | 2002-08-12 | 2009-08-13 | Air Products & Chemicals Inc | 半導体デバイス製造の際のパターンつぶれ欠陥数の低減方法 |
| JP2004363555A (ja) * | 2003-06-02 | 2004-12-24 | Samsung Electronics Co Ltd | フォトレジスト除去液及びこれを利用した半導体素子のバンプ形成方法 |
| EP1701217A2 (en) | 2005-03-11 | 2006-09-13 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Composition for photoresist stripping solution and process of photoresist stripping |
| US7816312B2 (en) | 2005-03-11 | 2010-10-19 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Composition for photoresist stripping solution and process of photoresist stripping |
| JP2010229616A (ja) * | 2010-04-05 | 2010-10-14 | Nisshin Chem Ind Co Ltd | レジスト用洗浄剤 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3233379B2 (ja) | 2001-11-26 |
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