JPH1026832A - リソグラフィー用リンス液組成物及びそれを用いた基板の処理方法 - Google Patents
リソグラフィー用リンス液組成物及びそれを用いた基板の処理方法Info
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- JPH1026832A JPH1026832A JP8199574A JP19957496A JPH1026832A JP H1026832 A JPH1026832 A JP H1026832A JP 8199574 A JP8199574 A JP 8199574A JP 19957496 A JP19957496 A JP 19957496A JP H1026832 A JPH1026832 A JP H1026832A
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】Ａｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕなどの金
属薄膜に腐食を起こすことのないリソグラフィー用リン
ス液組成物及びそれを用いた基板の処理方法を提供する
こと。 【解決手段】フッ化水素酸と金属を含まない塩基との塩
を主要成分とする剥離液組成物で処理した基板をリンス
処理するためのリンス液組成物において、前記リンス液
組成物が水溶性有機溶媒と水とを含有することを特徴と
するリソグラフィー用リンス液組成物、及び前記リソグ
ラフィー用リンス液組成物で剥離処理後の基板をリンス
処理する方法。
属薄膜に腐食を起こすことのないリソグラフィー用リン
ス液組成物及びそれを用いた基板の処理方法を提供する
こと。 【解決手段】フッ化水素酸と金属を含まない塩基との塩
を主要成分とする剥離液組成物で処理した基板をリンス
処理するためのリンス液組成物において、前記リンス液
組成物が水溶性有機溶媒と水とを含有することを特徴と
するリソグラフィー用リンス液組成物、及び前記リソグ
ラフィー用リンス液組成物で剥離処理後の基板をリンス
処理する方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リソグラフィー用リン
ス液組成物、さらに詳しくは、ＩＣやＬＳＩ等の半導体
素子或いは液晶パネル素子作成の際に使用する基板を剥
離処理したのちリンス処理するためのリソグラフィー用
リンス液組成物、及び該リソグラフィー用リンス液組成
物を用いた基板の処理方法に関する。
ス液組成物、さらに詳しくは、ＩＣやＬＳＩ等の半導体
素子或いは液晶パネル素子作成の際に使用する基板を剥
離処理したのちリンス処理するためのリソグラフィー用
リンス液組成物、及び該リソグラフィー用リンス液組成
物を用いた基板の処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子や液
晶パネル素子は、基板上に形成されたアルミニウム、
銅、アルミニウム合金等の導電性金属膜やＳｉＯ2膜等
の絶縁膜上にホトレジストを均一に塗布し、それを露光
又は電子線により描画したのち、現像してレジストパタ
ーンを形成し、このパターンをマスクとして前記導電性
金属膜や絶縁膜を選択的にエッチングし、微細回路を形
成したのち、不要のレジスト層を剥離液で除去して製造
されている。
晶パネル素子は、基板上に形成されたアルミニウム、
銅、アルミニウム合金等の導電性金属膜やＳｉＯ2膜等
の絶縁膜上にホトレジストを均一に塗布し、それを露光
又は電子線により描画したのち、現像してレジストパタ
ーンを形成し、このパターンをマスクとして前記導電性
金属膜や絶縁膜を選択的にエッチングし、微細回路を形
成したのち、不要のレジスト層を剥離液で除去して製造
されている。
【０００３】上記レジストを除去する剥離液としては、
アルキルベンゼンスルホン酸を主要成分とした有機スル
ホン酸系剥離液、モノエタノールアミン等の有機アミン
を主要成分とした有機アミン系剥離液、フッ化水素酸を
主要成分としたフッ酸系剥離液などが挙げられる。前記
有機スルホン酸系剥離液は、毒性が高いフェノール化合
物やクロロベンゼン等の有機溶剤が併用されるところか
ら作業性が悪く、また環境問題が発生する上に、基板の
導電性金属膜等が腐食され易いという欠点を有する。ま
た、有機アミン系剥離液は有機スルホン酸系剥離液に比
べ毒性が低く、廃液処理に煩雑な処理が必要でなく、ま
たドライエチング、アッシング、イオン注入などの処理
で形成される変質膜の剥離性が良い上に、ＡｌやＣｕな
どを含む基板の腐食防止効果が優れているが、無機的性
質にまで変質したレジスト膜の剥離性が充分でなく、ま
た処理温度が６０〜１３０℃と比較的高温のため、剥離
液中の可燃性有機化合物が揮発し、それに引火する危険
性があるため、多額の防災施設を必要としコスト高とな
るなどの欠点を有する。さらにフッ化水素酸を主要成分
とするフッ酸系剥離液は前記無機的変質膜の剥離性には
優れているが、人体に対する安全性に問題があり取り扱
い難い上に、組成物が酸性となるところから剥離槽と剥
離液が入ったコンテナを結ぶ薬液供給装置等の周辺装置
を腐食し易く、さらに煩雑な排気処理、廃液処理が必要
であるなどの問題点がある。
アルキルベンゼンスルホン酸を主要成分とした有機スル
ホン酸系剥離液、モノエタノールアミン等の有機アミン
を主要成分とした有機アミン系剥離液、フッ化水素酸を
主要成分としたフッ酸系剥離液などが挙げられる。前記
有機スルホン酸系剥離液は、毒性が高いフェノール化合
物やクロロベンゼン等の有機溶剤が併用されるところか
ら作業性が悪く、また環境問題が発生する上に、基板の
導電性金属膜等が腐食され易いという欠点を有する。ま
た、有機アミン系剥離液は有機スルホン酸系剥離液に比
べ毒性が低く、廃液処理に煩雑な処理が必要でなく、ま
たドライエチング、アッシング、イオン注入などの処理
で形成される変質膜の剥離性が良い上に、ＡｌやＣｕな
どを含む基板の腐食防止効果が優れているが、無機的性
質にまで変質したレジスト膜の剥離性が充分でなく、ま
た処理温度が６０〜１３０℃と比較的高温のため、剥離
液中の可燃性有機化合物が揮発し、それに引火する危険
性があるため、多額の防災施設を必要としコスト高とな
るなどの欠点を有する。さらにフッ化水素酸を主要成分
とするフッ酸系剥離液は前記無機的変質膜の剥離性には
優れているが、人体に対する安全性に問題があり取り扱
い難い上に、組成物が酸性となるところから剥離槽と剥
離液が入ったコンテナを結ぶ薬液供給装置等の周辺装置
を腐食し易く、さらに煩雑な排気処理、廃液処理が必要
であるなどの問題点がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記諸問題点を解決す
る剥離液として、本発明者等はフッ化水素酸と金属を含
まない塩基との塩を主要成分とした剥離液（以下フッ化
水素酸塩系剥離液という）を既に提案している。前記フ
ッ化水素酸塩系剥離液は低温での剥離処理が短時間で行
える上に、基板上の金属薄膜や周辺装置等の腐食が防止
でき、かつ毒性が低く、排気処理、廃液処理が容易に行
える利点を有するが、剥離処理後の純水洗浄工程での洗
浄時間が約１０分間を超えると、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｌ−Ｓ
ｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕなどの金属薄膜を腐食する難点が
ある。前記腐食はフッ化水素酸塩が水と接触することで
フッ化水素酸が生じることに起因すると考え、純水をメ
タノール、エタノール、イソプロピルアルコール、アセ
トン等の有機溶媒に代えてリンス処理を行ったが、逆に
基板上にフッ化水素酸塩の結晶が析出し好ましいもので
はなかった。
る剥離液として、本発明者等はフッ化水素酸と金属を含
まない塩基との塩を主要成分とした剥離液（以下フッ化
水素酸塩系剥離液という）を既に提案している。前記フ
ッ化水素酸塩系剥離液は低温での剥離処理が短時間で行
える上に、基板上の金属薄膜や周辺装置等の腐食が防止
でき、かつ毒性が低く、排気処理、廃液処理が容易に行
える利点を有するが、剥離処理後の純水洗浄工程での洗
浄時間が約１０分間を超えると、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｌ−Ｓ
ｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕなどの金属薄膜を腐食する難点が
ある。前記腐食はフッ化水素酸塩が水と接触することで
フッ化水素酸が生じることに起因すると考え、純水をメ
タノール、エタノール、イソプロピルアルコール、アセ
トン等の有機溶媒に代えてリンス処理を行ったが、逆に
基板上にフッ化水素酸塩の結晶が析出し好ましいもので
はなかった。
【０００５】こうした現状に鑑み、本発明者等は鋭意研
究を重ねた結果、フッ化水素酸塩系剥離液で剥離処理し
た基板をリンス処理するためのリンス液組成物を水溶性
有機溶媒と水とを含有する組成物とすることで金属薄膜
の腐食が防げる上に、リンス処理後の純水洗浄液の廃液
処理にかかる負担が軽減できることを見出し、本発明を
完成したものである。すなわち、
究を重ねた結果、フッ化水素酸塩系剥離液で剥離処理し
た基板をリンス処理するためのリンス液組成物を水溶性
有機溶媒と水とを含有する組成物とすることで金属薄膜
の腐食が防げる上に、リンス処理後の純水洗浄液の廃液
処理にかかる負担が軽減できることを見出し、本発明を
完成したものである。すなわち、
【０００６】本発明は、基板の金属薄膜を腐食すること
のないリソグラフィー用リンス液組成物を提供すること
を目的とする。
のないリソグラフィー用リンス液組成物を提供すること
を目的とする。
【０００７】また、本発明は、該リソグラフィー用リン
ス液組成物を用いる基板の処理方法を提供することを目
的とする。
ス液組成物を用いる基板の処理方法を提供することを目
的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、フッ化水素酸と金属を含まない塩基との塩を主要
成分とする剥離液で処理した基板をリンス処理するため
のリンス液組成物であって、前記リンス液組成物が水溶
性有機溶媒と水とを含有する組成物であることを特徴と
するリソグラフィー用リンス液組成物、及び該リソグラ
フィー用リンス液組成物を用いた基板の処理方法に係
る。
明は、フッ化水素酸と金属を含まない塩基との塩を主要
成分とする剥離液で処理した基板をリンス処理するため
のリンス液組成物であって、前記リンス液組成物が水溶
性有機溶媒と水とを含有する組成物であることを特徴と
するリソグラフィー用リンス液組成物、及び該リソグラ
フィー用リンス液組成物を用いた基板の処理方法に係
る。
【０００９】本発明のリソグラフィー用リンス液組成物
は、フッ化水素酸塩系剥離液で剥離処理した半導体素子
や液晶パネル素子製造用の基板をリンス処理するための
リンス液であって、水溶性有機溶媒と水とを含有する組
成物である。前記水溶性有機溶媒としては、メチルアル
コール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール等
の一価のアルコール類、ジメチルスルホキシド等のスル
ホキシド類、ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ビ
ス（２−ヒドロキシエチル）スルホン、テトラメチレン
スルホン等のスルホン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセト
アミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルア
セトアミド等のアミド類、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン、Ｎ−プロピル−２−
ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシメチル−２−ピロリドン、
Ｎ−ヒドロキシエチル−２−ピロリドン等のラクタム
類、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，３
−ジエチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジイソプ
ロピル−２−イミダゾリジノン等のイミダゾリジノン
類、γ−ブチロラクトン、δ−バレロラクトン等のラク
トン類、エチレングリコール、エチレングリコールモノ
メチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテ
ル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレン
グリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレング
リコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレング
リコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、
ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレン
グリコールモノブチルエーテル等の多価アルコール類及
びその誘導体が挙げられる。これらの中で、メチルアル
コール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、
ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−
ピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノ
ン、エチレングリコール及びジエチレングリコールモノ
ブチルエーテルが好ましいが、特にメチルアルコール、
エチルアルコール、イソプロピルアルコールなどの一価
のアルコールがリンス液の廃液処理時に複雑な処理が不
要で安価に処理できて好ましい。
は、フッ化水素酸塩系剥離液で剥離処理した半導体素子
や液晶パネル素子製造用の基板をリンス処理するための
リンス液であって、水溶性有機溶媒と水とを含有する組
成物である。前記水溶性有機溶媒としては、メチルアル
コール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール等
の一価のアルコール類、ジメチルスルホキシド等のスル
ホキシド類、ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ビ
ス（２−ヒドロキシエチル）スルホン、テトラメチレン
スルホン等のスルホン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセト
アミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルア
セトアミド等のアミド類、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン、Ｎ−プロピル−２−
ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシメチル−２−ピロリドン、
Ｎ−ヒドロキシエチル−２−ピロリドン等のラクタム
類、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，３
−ジエチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジイソプ
ロピル−２−イミダゾリジノン等のイミダゾリジノン
類、γ−ブチロラクトン、δ−バレロラクトン等のラク
トン類、エチレングリコール、エチレングリコールモノ
メチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテ
ル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレン
グリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレング
リコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレング
リコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、
ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレン
グリコールモノブチルエーテル等の多価アルコール類及
びその誘導体が挙げられる。これらの中で、メチルアル
コール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、
ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−
ピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノ
ン、エチレングリコール及びジエチレングリコールモノ
ブチルエーテルが好ましいが、特にメチルアルコール、
エチルアルコール、イソプロピルアルコールなどの一価
のアルコールがリンス液の廃液処理時に複雑な処理が不
要で安価に処理できて好ましい。
【００１０】本発明のリソグラフィー用リンス液組成物
は、上記水溶性有機溶媒を２０〜９０重量％、好ましく
は４０〜８０重量％、水１０〜８０重量％、好ましくは
２０〜６０重量％の範囲で含有する。水溶性有機溶媒が
前記範囲より多いと基板上にフッ化水素酸塩の結晶が析
出し易く、また少ないと金属薄膜の腐食が起こり好まし
くない。
は、上記水溶性有機溶媒を２０〜９０重量％、好ましく
は４０〜８０重量％、水１０〜８０重量％、好ましくは
２０〜６０重量％の範囲で含有する。水溶性有機溶媒が
前記範囲より多いと基板上にフッ化水素酸塩の結晶が析
出し易く、また少ないと金属薄膜の腐食が起こり好まし
くない。
【００１１】本発明のリソグラフィー用リンス液組成物
は上記成分に加えて防食剤を含有することができる。前
記防食剤としては、芳香族ヒドロキシ化合物、アセチレ
ンアルコール、カルボキシル基含有有機化合物及びその
無水物、トリアゾール化合物及び糖類が挙げられる。芳
香族ヒドロキシ化合物としては、具体的にフェノール、
クレゾール、キシレノール、ピロカテコール、レゾルシ
ノール、ヒドロキノン、ピロガロール、１，２，４−ベ
ンゼントリオール、サリチルアルコール、ｐ−ヒドロキ
シベンジルアルコール、ｏ−ヒドロキシベンジルアルコ
ール、ｐ−ヒドロキシフェネチルアルコール、ｐ−アミ
ノフェノール、ｍ−アミノフェノール、ジアミノフェノ
ール、アミノレゾルシノール、ｐ−ヒドロキシ安息香
酸、ｏ−ヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安
息香酸、２，５−ジヒドロキシ安息香酸、３，４−ジヒ
ドロキシ安息香酸、３，５−ジヒドロキシ安息香酸等を
挙げることができ、中でもピロカテコールが好適であ
る。
は上記成分に加えて防食剤を含有することができる。前
記防食剤としては、芳香族ヒドロキシ化合物、アセチレ
ンアルコール、カルボキシル基含有有機化合物及びその
無水物、トリアゾール化合物及び糖類が挙げられる。芳
香族ヒドロキシ化合物としては、具体的にフェノール、
クレゾール、キシレノール、ピロカテコール、レゾルシ
ノール、ヒドロキノン、ピロガロール、１，２，４−ベ
ンゼントリオール、サリチルアルコール、ｐ−ヒドロキ
シベンジルアルコール、ｏ−ヒドロキシベンジルアルコ
ール、ｐ−ヒドロキシフェネチルアルコール、ｐ−アミ
ノフェノール、ｍ−アミノフェノール、ジアミノフェノ
ール、アミノレゾルシノール、ｐ−ヒドロキシ安息香
酸、ｏ−ヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安
息香酸、２，５−ジヒドロキシ安息香酸、３，４−ジヒ
ドロキシ安息香酸、３，５−ジヒドロキシ安息香酸等を
挙げることができ、中でもピロカテコールが好適であ
る。
【００１２】アセチレンアルコールとしては、具体的に
２−ブチン−１，４−ジオール、３，５−ジメチル−１
−ヘキシン−３−オール、２−メチル−３−ブチン−２
−オール、３−メチル−１−ペンチン−３−オール、
３，６−ジメチル−４−オクチン−３，６−ジオール、
２，４，７，９−テトラメチル−５−デシン−４，７−
ジオール、２，５−ジメチル−３−ヘキシン−２，５−
ジオール等を挙げることができる。中でも２−ブチン−
１，４−ジオールが好適である。
２−ブチン−１，４−ジオール、３，５−ジメチル−１
−ヘキシン−３−オール、２−メチル−３−ブチン−２
−オール、３−メチル−１−ペンチン−３−オール、
３，６−ジメチル−４−オクチン−３，６−ジオール、
２，４，７，９−テトラメチル−５−デシン−４，７−
ジオール、２，５−ジメチル−３−ヘキシン−２，５−
ジオール等を挙げることができる。中でも２−ブチン−
１，４−ジオールが好適である。
【００１３】カルボキシル基含有有機化合物及びその無
水物としては、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ
酪酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、マ
レイン酸、フマル酸、安息香酸、フタル酸、１，２，３
−ベンゼントリカルボン酸、グリコール酸、乳酸、リン
ゴ酸、クエン酸 、無水酢酸、無水フタル酸、無水マレ
イン酸、無水コハク酸、サリチル酸等を挙げることがで
きる。好ましいカルボキシル基含有有機化合物として
は、蟻酸、フタル酸、安息香酸、無水フタル酸、及びサ
リチル酸があり、特にフタル酸、無水フタル酸及びサリ
チル酸が好適である。
水物としては、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ
酪酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、マ
レイン酸、フマル酸、安息香酸、フタル酸、１，２，３
−ベンゼントリカルボン酸、グリコール酸、乳酸、リン
ゴ酸、クエン酸 、無水酢酸、無水フタル酸、無水マレ
イン酸、無水コハク酸、サリチル酸等を挙げることがで
きる。好ましいカルボキシル基含有有機化合物として
は、蟻酸、フタル酸、安息香酸、無水フタル酸、及びサ
リチル酸があり、特にフタル酸、無水フタル酸及びサリ
チル酸が好適である。
【００１４】トリアゾール化合物としては、ベンゾトリ
アゾール、ｏ−トリルトリアゾール、ｍ−トリルトリア
ゾール、ｐ−トリルトリアゾール、カルボキシベンゾト
リアゾール、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール、ニト
ロベンゾトリアゾール、ジヒドロキシプロピルベンゾト
リアゾール等を挙げることができ、中でもベンゾトリア
ゾールが好適である。
アゾール、ｏ−トリルトリアゾール、ｍ−トリルトリア
ゾール、ｐ−トリルトリアゾール、カルボキシベンゾト
リアゾール、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール、ニト
ロベンゾトリアゾール、ジヒドロキシプロピルベンゾト
リアゾール等を挙げることができ、中でもベンゾトリア
ゾールが好適である。
【００１５】糖類としては、具体的にＤ−ソルビトー
ル、アラビトール、マンニトール、蔗糖、澱粉等を挙げ
ることができ、中でもＤ−ソルビトールが好適である。
ル、アラビトール、マンニトール、蔗糖、澱粉等を挙げ
ることができ、中でもＤ−ソルビトールが好適である。
【００１６】上記各防食剤は単独でも、又２種以上を組
み合わせても使用できる。
み合わせても使用できる。
【００１７】上記防食剤を含有する本発明のリソグラフ
ィー用リンス液組成物は、水溶性有機溶媒５５〜８５重
量％、水１０〜４０重量％、防食剤０．５〜１５重量％
の範囲がよい。前記範囲の防食剤を含有することで金属
薄膜の腐食が一段と抑制できて好適である。
ィー用リンス液組成物は、水溶性有機溶媒５５〜８５重
量％、水１０〜４０重量％、防食剤０．５〜１５重量％
の範囲がよい。前記範囲の防食剤を含有することで金属
薄膜の腐食が一段と抑制できて好適である。
【００１８】上記フッ化水素酸塩系剥離液は、（ａ）フ
ッ化水素酸と金属を含まない塩基との塩基を主要成分と
する剥離液であり、該（ａ）成分を主要な成分とする剥
離液であればとくに限定されないが、前記（ａ）成分、
（ｂ）水溶性有機溶媒及び（ｃ）水を含有し、かつ水素
イオン濃度（ｐＨ）が５〜８の範囲にあるほぼ中性のレ
ジスト用剥離液が好適である。前記金属を含まない塩基
としては、ヒドロキシルアミン類、第１級、第２級又は
第３級の脂肪族アミン、脂環式アミン、芳香族アミン、
複素環式アミンなどの有機アミン、アンモニア水又は低
級アルキル第４級アンモニウム塩基のように分子中に金
属を含有しない塩基をいう。前記ヒドロキシルアミン類
としては、具体的にヒドロキシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジエ
チルヒドロキシルアミンなどが、第１級脂肪族アミンと
しては、具体的にモノエタノールアミン、エチレンジア
ミン、２−（２−アミノエチルアミノ）エタノールなど
が、第２級脂肪族アミンとしては、具体的にジエタノー
ルアミン、ジプロピルアミン、２−エチルアミノエタノ
ールなどが、第３級の脂肪族アミンとしては、具体的に
ジメチルアミノエタノール、エチルジエタノールアミン
などが、脂環式アミンとしては、具体的にシクロヘキシ
ルアミン、ジシクロヘキシルアミンなどが、芳香族アミ
ンとしては、具体的にベンジルアミン、ジベンジルアミ
ン、Ｎ−メチルベンジルアミンなどが、複素環式アミン
としては、具体的にピロール、ピロリジン、ピロリド
ン、ピリジン、モルホリン、ピラジン、ピペリジン、Ｎ
−ヒドロキシエチルピペリジン、オキサゾール、チアゾ
ールなどが挙げられる。さらに低級アルキル第４級アン
モニウム塩基としては、具体的にテトラメチルアンモニ
ウムヒドロキシド、トリメチル（２−ヒドロキシエチ
ル）アンモニウムヒドロキシド（コリン）などが挙げら
れる。中でもアンモニア水、モノエタノールアミン、テ
トラメチルアンモニウムヒドロキシドは入手が容易であ
る上に安全性に優れているところから好ましい。前記金
属を含まない塩基とフッ化水素酸との塩は、市販のフッ
化水素５０〜６０％濃度のフッ化水素酸に金属を含まな
い塩基をｐＨが５〜８となるように添加することで製造
できる。前記塩として市販のフッ化アンモニウムが使用
できることはいうまでもない。前記フッ化水素酸塩系剥
離液組成物のｐＨを５〜８のほぼ中性にするには（ａ）
成分をほぼ中性に調製すればよいが、フッ化水素酸に添
加する金属を含まない塩基の種類により中性にするため
の含有量が異なるところから一義的に規定することがで
きない。例えば、アンモニア水の場合、等モル濃度のフ
ッ化水素酸とアンモニア水を等容積混合すれば目的とす
るｐＨの（ａ）成分が調製できる。また、エタノールア
ミンの場合、１モル／ｌのフッ化水素酸１０００ｍｌと
モノエタノールアミン１モルとを混合すれば同じように
（ａ）成分が調製できる。（ａ）成分のｐＨ値が前記範
囲にあることにより変質膜の剥離性の低下がなく、基板
上の金属膜や薬液供給装置などの周辺装置の腐食を抑制
でき、安全に取り扱うことができる。さらに、フッ化水
素の含有量が少ないところから前記フッ化水素の発生に
起因する煩雑な排気処理、廃液処理を必要とせず好適で
ある。
ッ化水素酸と金属を含まない塩基との塩基を主要成分と
する剥離液であり、該（ａ）成分を主要な成分とする剥
離液であればとくに限定されないが、前記（ａ）成分、
（ｂ）水溶性有機溶媒及び（ｃ）水を含有し、かつ水素
イオン濃度（ｐＨ）が５〜８の範囲にあるほぼ中性のレ
ジスト用剥離液が好適である。前記金属を含まない塩基
としては、ヒドロキシルアミン類、第１級、第２級又は
第３級の脂肪族アミン、脂環式アミン、芳香族アミン、
複素環式アミンなどの有機アミン、アンモニア水又は低
級アルキル第４級アンモニウム塩基のように分子中に金
属を含有しない塩基をいう。前記ヒドロキシルアミン類
としては、具体的にヒドロキシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジエ
チルヒドロキシルアミンなどが、第１級脂肪族アミンと
しては、具体的にモノエタノールアミン、エチレンジア
ミン、２−（２−アミノエチルアミノ）エタノールなど
が、第２級脂肪族アミンとしては、具体的にジエタノー
ルアミン、ジプロピルアミン、２−エチルアミノエタノ
ールなどが、第３級の脂肪族アミンとしては、具体的に
ジメチルアミノエタノール、エチルジエタノールアミン
などが、脂環式アミンとしては、具体的にシクロヘキシ
ルアミン、ジシクロヘキシルアミンなどが、芳香族アミ
ンとしては、具体的にベンジルアミン、ジベンジルアミ
ン、Ｎ−メチルベンジルアミンなどが、複素環式アミン
としては、具体的にピロール、ピロリジン、ピロリド
ン、ピリジン、モルホリン、ピラジン、ピペリジン、Ｎ
−ヒドロキシエチルピペリジン、オキサゾール、チアゾ
ールなどが挙げられる。さらに低級アルキル第４級アン
モニウム塩基としては、具体的にテトラメチルアンモニ
ウムヒドロキシド、トリメチル（２−ヒドロキシエチ
ル）アンモニウムヒドロキシド（コリン）などが挙げら
れる。中でもアンモニア水、モノエタノールアミン、テ
トラメチルアンモニウムヒドロキシドは入手が容易であ
る上に安全性に優れているところから好ましい。前記金
属を含まない塩基とフッ化水素酸との塩は、市販のフッ
化水素５０〜６０％濃度のフッ化水素酸に金属を含まな
い塩基をｐＨが５〜８となるように添加することで製造
できる。前記塩として市販のフッ化アンモニウムが使用
できることはいうまでもない。前記フッ化水素酸塩系剥
離液組成物のｐＨを５〜８のほぼ中性にするには（ａ）
成分をほぼ中性に調製すればよいが、フッ化水素酸に添
加する金属を含まない塩基の種類により中性にするため
の含有量が異なるところから一義的に規定することがで
きない。例えば、アンモニア水の場合、等モル濃度のフ
ッ化水素酸とアンモニア水を等容積混合すれば目的とす
るｐＨの（ａ）成分が調製できる。また、エタノールア
ミンの場合、１モル／ｌのフッ化水素酸１０００ｍｌと
モノエタノールアミン１モルとを混合すれば同じように
（ａ）成分が調製できる。（ａ）成分のｐＨ値が前記範
囲にあることにより変質膜の剥離性の低下がなく、基板
上の金属膜や薬液供給装置などの周辺装置の腐食を抑制
でき、安全に取り扱うことができる。さらに、フッ化水
素の含有量が少ないところから前記フッ化水素の発生に
起因する煩雑な排気処理、廃液処理を必要とせず好適で
ある。
【００１９】上記フッ化水素酸塩系剥離液組成物の
（ｂ）成分としては、前述のリソグラフィー用リンス液
組成物の水溶性有機溶媒と同様の水溶性有機溶媒が使用
できる。この水溶性有機溶媒の中でもジメチルスルホキ
シド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１，３
−ジメチル−２−イミダゾリジノン、エチレングリコー
ル及びジエチレングリコールモノブチルエーテルがレジ
スト変質膜の剥離性に優れ好ましい。特に、ジメチルス
ルホキシドが好ましい。また、（ｂ）成分を少なくとも
１０重量％のエチレングリコールを含む水溶性有機溶媒
とするとホール状のレジストパターンの剥離処理時に、
金属蒸着板の腐食防止効果が高く、好ましい。この際、
エチレングリコールの含有量が多い程腐食防止効果が向
上するのでエチレングリコール単独で（ｂ）成分として
もよいし、またジメチルスルホキシドと等重量の混合物
としてもよい。
（ｂ）成分としては、前述のリソグラフィー用リンス液
組成物の水溶性有機溶媒と同様の水溶性有機溶媒が使用
できる。この水溶性有機溶媒の中でもジメチルスルホキ
シド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１，３
−ジメチル−２−イミダゾリジノン、エチレングリコー
ル及びジエチレングリコールモノブチルエーテルがレジ
スト変質膜の剥離性に優れ好ましい。特に、ジメチルス
ルホキシドが好ましい。また、（ｂ）成分を少なくとも
１０重量％のエチレングリコールを含む水溶性有機溶媒
とするとホール状のレジストパターンの剥離処理時に、
金属蒸着板の腐食防止効果が高く、好ましい。この際、
エチレングリコールの含有量が多い程腐食防止効果が向
上するのでエチレングリコール単独で（ｂ）成分として
もよいし、またジメチルスルホキシドと等重量の混合物
としてもよい。
【００２０】上記フッ化水素酸塩系剥離液の成分割合
は、（ａ）成分が０．２〜１０重量％、好ましくは０．
５〜１０重量％、（ｂ）成分が３０〜９０重量％、好ま
しくは４０〜９０重量％及び（ｃ）成分５〜５０重量
％、好ましくは２０〜４０重量％の範囲がよい。前記範
囲で各成分が含有されることにより変質膜の剥離性、室
温での剥離性、及び基板の腐食防止効果が向上する。特
に剥離される基板が腐食され易い金属蒸着の基板、例え
ばＡｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕなどの基板の場
合には前記範囲とすることを必須とする。（ａ）成分が
前記範囲より少ない場合には、変質膜の剥離性が低下
し、多い場合には基板が腐食し易くなる。
は、（ａ）成分が０．２〜１０重量％、好ましくは０．
５〜１０重量％、（ｂ）成分が３０〜９０重量％、好ま
しくは４０〜９０重量％及び（ｃ）成分５〜５０重量
％、好ましくは２０〜４０重量％の範囲がよい。前記範
囲で各成分が含有されることにより変質膜の剥離性、室
温での剥離性、及び基板の腐食防止効果が向上する。特
に剥離される基板が腐食され易い金属蒸着の基板、例え
ばＡｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕなどの基板の場
合には前記範囲とすることを必須とする。（ａ）成分が
前記範囲より少ない場合には、変質膜の剥離性が低下
し、多い場合には基板が腐食し易くなる。
【００２１】さらに、上記フッ化水素酸塩系剥離液は
（ｄ）防食剤を含有することができる。（ｄ）成分とし
ては、前述のリソグラフィー用リンス液組成物の防食剤
と同様のものが使用できる。前記（ｄ）成分を含有する
ことでＡｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等の基板の
変質膜の剥離性を低下することなく防食性を一段と向上
できる。
（ｄ）防食剤を含有することができる。（ｄ）成分とし
ては、前述のリソグラフィー用リンス液組成物の防食剤
と同様のものが使用できる。前記（ｄ）成分を含有する
ことでＡｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等の基板の
変質膜の剥離性を低下することなく防食性を一段と向上
できる。
【００２２】上記（ｄ）成分を含有するフッ化水素酸塩
系剥離液の成分割合は、（ａ）成分が０．２〜１０重
量、好ましくは０．５〜１０重量％、（ｂ）成分が３０
〜８０重量％、好ましくは４０〜７０重量％、（ｃ）成
分が５〜５０重量％、好ましくは２０〜４０重量％、
（ｄ）成分が０．５〜４０重量％、好ましくは、１〜３
０重量％の範囲が好適である。各成分が前記範囲を逸脱
すると、変質膜の剥離性、防食性に劣る。
系剥離液の成分割合は、（ａ）成分が０．２〜１０重
量、好ましくは０．５〜１０重量％、（ｂ）成分が３０
〜８０重量％、好ましくは４０〜７０重量％、（ｃ）成
分が５〜５０重量％、好ましくは２０〜４０重量％、
（ｄ）成分が０．５〜４０重量％、好ましくは、１〜３
０重量％の範囲が好適である。各成分が前記範囲を逸脱
すると、変質膜の剥離性、防食性に劣る。
【００２３】本発明の基板の処理方法は、基板上に所望
のレジストパターンを設けエッチング処理したのち、
（Ｉ）レジストパターンをフッ化水素酸と金属を含まな
い塩基との塩を主要成分とする剥離液組成物で処理する
工程、（ＩＩ）基板を水溶性有機溶媒と水を含有するリ
ソグラフィー用リンス液組成物でリンス処理する工程、
および（ＩＩＩ）水で洗浄処理する工程からなる。前記
レジストパターンを設ける工程は、通常行われているパ
ターン形成方法でよい。例えば、半導体素子や液晶パネ
ル素子作成の際に使用されるシリコンウェーハやガラス
基板などの基板にポジ型又はネガ型のレジスト組成物を
回転塗布法、ロールコーター法、バーコーター法などの
塗布法を用いて、レジスト層を形成し、次いでマスクパ
ターンを介して紫外線、エキシマレーザーを含む遠紫外
線、電子線、Ｘ線などの放射線を照射又は描画すること
により潜像を形成し、アルカリ水溶液で現像し、レジス
トパターンを形成する方法等がある。前記剥離処理にお
いては、浸漬法などにより室温で、１〜２０分間処理す
ればよい。また、リンス処理においては、浸漬法などに
より室温で、３〜２０分間処理すればよい。従来の剥離
処理法ではリンス処理なしで直接洗浄処理を行っていた
が、繰り返し大量の水で洗浄する工程で、洗浄槽にフッ
素イオンやフッ化物が増大し、廃液処理に複雑な処理を
必要としたが、本発明の基板の処理方法では洗浄処理前
にリンス処理をするため洗浄槽にフッ素イオンやフッ化
物が残存しないので、洗浄槽中の廃液処理にかかる負担
が軽減でいる上に、剥離処理、リンス処理、洗浄処理を
連続して効率よく行える利点がある。
のレジストパターンを設けエッチング処理したのち、
（Ｉ）レジストパターンをフッ化水素酸と金属を含まな
い塩基との塩を主要成分とする剥離液組成物で処理する
工程、（ＩＩ）基板を水溶性有機溶媒と水を含有するリ
ソグラフィー用リンス液組成物でリンス処理する工程、
および（ＩＩＩ）水で洗浄処理する工程からなる。前記
レジストパターンを設ける工程は、通常行われているパ
ターン形成方法でよい。例えば、半導体素子や液晶パネ
ル素子作成の際に使用されるシリコンウェーハやガラス
基板などの基板にポジ型又はネガ型のレジスト組成物を
回転塗布法、ロールコーター法、バーコーター法などの
塗布法を用いて、レジスト層を形成し、次いでマスクパ
ターンを介して紫外線、エキシマレーザーを含む遠紫外
線、電子線、Ｘ線などの放射線を照射又は描画すること
により潜像を形成し、アルカリ水溶液で現像し、レジス
トパターンを形成する方法等がある。前記剥離処理にお
いては、浸漬法などにより室温で、１〜２０分間処理す
ればよい。また、リンス処理においては、浸漬法などに
より室温で、３〜２０分間処理すればよい。従来の剥離
処理法ではリンス処理なしで直接洗浄処理を行っていた
が、繰り返し大量の水で洗浄する工程で、洗浄槽にフッ
素イオンやフッ化物が増大し、廃液処理に複雑な処理を
必要としたが、本発明の基板の処理方法では洗浄処理前
にリンス処理をするため洗浄槽にフッ素イオンやフッ化
物が残存しないので、洗浄槽中の廃液処理にかかる負担
が軽減でいる上に、剥離処理、リンス処理、洗浄処理を
連続して効率よく行える利点がある。
【００２４】
【発明の実施の態様】次に、実施例により本発明をさら
に詳細に説明するが、本発明はこれらの例によってなん
ら限定されるものではない。
に詳細に説明するが、本発明はこれらの例によってなん
ら限定されるものではない。
【００２５】
実施例１〜６ 約１．０μｍのＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜を蒸着したシリコン
ウエーハ上にナフトキノンジアジド化合物とノボラック
樹脂からなるポジ型ホトレジストであるＴＨＭＲ−ｉＰ
３３００（東京応化工業社製）をスピンナー塗布して、
９０℃で、９０秒間のプレベークを施し、膜厚２．０μ
ｍのレジスト層を形成した。このレジスト層をＮＳＲー
２００５ｉ１０Ｄ（ニコン社製）を用いてマスクパター
ンを介して、露光し、２．３８重量％のテトラメチルア
ンモニウムヒドロキシド水溶液で現像し、レジストパタ
ーンを形成した。次いで、１２０℃で９０秒間のポスト
ベークを行った。
ウエーハ上にナフトキノンジアジド化合物とノボラック
樹脂からなるポジ型ホトレジストであるＴＨＭＲ−ｉＰ
３３００（東京応化工業社製）をスピンナー塗布して、
９０℃で、９０秒間のプレベークを施し、膜厚２．０μ
ｍのレジスト層を形成した。このレジスト層をＮＳＲー
２００５ｉ１０Ｄ（ニコン社製）を用いてマスクパター
ンを介して、露光し、２．３８重量％のテトラメチルア
ンモニウムヒドロキシド水溶液で現像し、レジストパタ
ーンを形成した。次いで、１２０℃で９０秒間のポスト
ベークを行った。
【００２６】次に、上記レジストパターンを有する約
１．０μｍのＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜を蒸着したシリコンウ
エーハをエッチング装置ＴＳＳ−６０００（東京応化工
業社製）を用い、塩素と三塩化硼素の混合ガスをエッチ
ャントとして、圧力５ｍｍＴｏｒｒ、ステージ温度２０
℃で１６８秒間エッチング処理し、次いで、酸素とトリ
フルオロメタンの混合ガスを用い、圧力２０ｍｍＴｏｒ
ｒ、ステージ温度２０℃で３０秒間アフターコロージョ
ン処理をした。前記処理後更にアッシング装置ＴＣＡ−
２４００（東京応化工業社製）で、酸素ガスを用いて圧
力０．３ｍｍＴｏｒｒ、ステージ温度６０℃の条件で１
５０秒間のアッシング処理を行った。
１．０μｍのＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜を蒸着したシリコンウ
エーハをエッチング装置ＴＳＳ−６０００（東京応化工
業社製）を用い、塩素と三塩化硼素の混合ガスをエッチ
ャントとして、圧力５ｍｍＴｏｒｒ、ステージ温度２０
℃で１６８秒間エッチング処理し、次いで、酸素とトリ
フルオロメタンの混合ガスを用い、圧力２０ｍｍＴｏｒ
ｒ、ステージ温度２０℃で３０秒間アフターコロージョ
ン処理をした。前記処理後更にアッシング装置ＴＣＡ−
２４００（東京応化工業社製）で、酸素ガスを用いて圧
力０．３ｍｍＴｏｒｒ、ステージ温度６０℃の条件で１
５０秒間のアッシング処理を行った。
【００２７】上記処理済シリコンウエーハを、フッ化ア
ンモニウム塩１．０重量％、ジメチルスルホキシド６
９．０重量％、水３０重量％の剥離液に２３℃で５分間
浸漬し剥離処理を行った。処理した基板を表１に示す組
成のリンス液でリンス処理し、さらに純水洗浄したのち
の基板の腐食状態を観察した。その結果を表１に示す。
ンモニウム塩１．０重量％、ジメチルスルホキシド６
９．０重量％、水３０重量％の剥離液に２３℃で５分間
浸漬し剥離処理を行った。処理した基板を表１に示す組
成のリンス液でリンス処理し、さらに純水洗浄したのち
の基板の腐食状態を観察した。その結果を表１に示す。
【００２８】比較例１ 実施例１において、リンス液の組成を水のみに代えた以
外は、実施例と同様にして腐食性の評価を行った。その
結果を表１に示す。
外は、実施例と同様にして腐食性の評価を行った。その
結果を表１に示す。
【００２９】
【表 １】 注）腐食状態 ○：腐食なし ×：腐食あり
【００３０】
【発明の効果】本発明のリソグラフィー用リンス液組成
物を使用することにより腐食され易いＡｌ、Ａｌ−Ｓ
ｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕなどの金属薄膜に腐食が起こらな
い。また、本発明のリソグラフィー用リンス液組成物を
用いた基板の処理方法にあっては、リンス処理後の純水
洗浄液にフッ素イオンが極めて少量含有するにとどまる
ところから純水洗浄処理後の廃水処理が不要で、剥離処
理、リンス処理及び洗浄処理を連続して効率よく行うこ
とができる。
物を使用することにより腐食され易いＡｌ、Ａｌ−Ｓ
ｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕなどの金属薄膜に腐食が起こらな
い。また、本発明のリソグラフィー用リンス液組成物を
用いた基板の処理方法にあっては、リンス処理後の純水
洗浄液にフッ素イオンが極めて少量含有するにとどまる
ところから純水洗浄処理後の廃水処理が不要で、剥離処
理、リンス処理及び洗浄処理を連続して効率よく行うこ
とができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/308 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６９Ｅ ５７２Ｂ (72)発明者 中山 寿昌 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内
Claims (15)
- 【請求項１】フッ化水素酸と金属を含まない塩基との塩
を主要成分とする剥離液で処理した基板をリンス処理す
るためのリンス液組成物であって、前記リンス液組成物
が水溶性有機溶媒と水とを含有する組成物であることを
特徴とするリソグラフィー用リンス液組成物。 - 【請求項２】水溶性有機溶媒がアルコール類、グリコー
ルモノエーテル類及び非プロトン性極性溶媒から選ばれ
る少なくとも１種であることを特徴とする請求項１記載
のリソグラフィー用リンス液組成物。 - 【請求項３】アルコール類がメチルアルコール、エチル
アルコール、イソプロピルアルコール及びエチレングリ
コールであることを特徴とする請求項２記載のリソグラ
フィー用リンス液組成物。 - 【請求項４】グリコールモノエーテル類がジエチレング
リコールモノブチルエーテルであることを特徴とする請
求項２記載のリソグラフィー用リンス液組成物。 - 【請求項５】非プロトン性極性溶媒がジメチルスルホキ
シド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン及び１，
３−ジメチル−２−イミダゾリジノンであることを特徴
とする請求項２記載のリソグラフィー用リンス液組成
物。 - 【請求項６】請求項１記載のフッ化水素酸と金属を含ま
ない塩基との塩を主要成分とする剥離液が、（ａ）フッ
化水素酸と金属を含まない塩基との塩、（ｂ）ジメチル
スルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ
−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、エチレ
ングリコール及びジエチレングリコールモノブチルエー
テルから選ばれる少なくとも１種、並びに（ｃ）水を含
有し、かつその水素イオン濃度（ｐＨ）が５〜８の範囲
にあるレジスト用剥離液であることを特徴とする請求項
１記載のリソグラフィー用リンス液組成物。 - 【請求項７】請求項１記載のフッ化水素酸と金属を含ま
ない塩基との塩を主要成分とする剥離液が、フッ化アン
モニウム０．２〜１０重量％、ジメチルスルホキシド３
０〜９０重量％及び水５〜５０重量％を含有するレジス
ト用剥離液であることを特徴とする請求項１記載のリソ
グラフィー用リンス液組成物。 - 【請求項８】リンス液組成物が水溶性有機溶媒２０〜９
０重量％及び水１０〜８０重量％を含有することを特徴
とする請求項１乃至７のいずれかに記載のリソグラフィ
ー用リンス液組成物。 - 【請求項９】請求項１記載のリンス液組成物がさらに防
食剤を含有することを特徴とするリソグラフィー用リン
ス液組成物。 - 【請求項１０】防食剤がカテコール、２−ブチン−１，
４−ジオール、、ベンゾトリアゾール及びＤ−ソルビト
ールから選ばれる少なくとも１種であることを特徴とす
る請求項９記載のリソグラフィー用リンス液組成物。 - 【請求項１１】請求項９記載のリンス液組成物が水溶性
有機溶媒５５〜８５重量％、水１０〜４０重量％及び防
食剤０．５〜１５重量％を含有することを特徴とするリ
ソグラフィー用リンス液組成物。 - 【請求項１２】基板上に所望のレジストパターンを設け
エッチング処理したのち、次の各工程で処理することを
特徴とする基板の処理方法。 （Ｉ）レジストパターンをフッ化水素酸と金属を含まな
い塩基との塩を主要成分とする剥離液で処理する工程 （ＩＩ）基板を水溶性有機溶媒と水を含有するリソグラ
フィー用リンス液組成物でリンス処理する工程 （ＩＩＩ）水で洗浄処理する工程 - 【請求項１３】請求項１２記載の処理方法における
（Ｉ）工程の剥離液が（ａ）フッ化水素酸と金属を含ま
ない塩基との塩、（ｂ）ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ
−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１，３−ジメチル−
２−イミダゾリジノン、エチレングリコール及びジエチ
レングリコールモノブチルエーテルから選ばれる少なく
とも１種、及び（ｃ）水を含有し、かつその水素イオン
濃度（ｐＨ）が５〜８の範囲にあるレジスト用剥離液で
あることを特徴とする基板の処理方法。 - 【請求項１４】（Ｉ）工程の剥離液が（ａ）成分０．２
〜１０重量％、（ｂ）成分３０〜９０重量％及び（ｃ）
成分５〜５０重量％を含有するレジスト用剥離液である
ことを特徴とする請求項１３記載の基板の処理方法。 - 【請求項１５】（Ｉ）工程の剥離液における（ａ）成分
がフッ化アンモニウム、（ｂ）成分がジメチルスルホキ
シドであることを特徴とする請求項１３又は１４記載の
基板の処理方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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