JP2001332526A - メタルゲート、コンタクトホール及びキャパシタ洗浄液組成物 - Google Patents
メタルゲート、コンタクトホール及びキャパシタ洗浄液組成物Info
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- JP2001332526A JP2001332526A JP2000152072A JP2000152072A JP2001332526A JP 2001332526 A JP2001332526 A JP 2001332526A JP 2000152072 A JP2000152072 A JP 2000152072A JP 2000152072 A JP2000152072 A JP 2000152072A JP 2001332526 A JP2001332526 A JP 2001332526A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】金属に対する低腐食性とポリマーなどの洗浄性
を兼ね備えた洗浄液を提供する。 【解決手段】(1) フッ化物塩及び重フッ化物塩の少な
くとも１種；(2)ヘテロ原子を有する有機溶媒；及び(3)
水を含むことを特徴とするメタルゲート、コンタクトホ
ール及びキャパシタ洗浄液組成物。
を兼ね備えた洗浄液を提供する。 【解決手段】(1) フッ化物塩及び重フッ化物塩の少な
くとも１種；(2)ヘテロ原子を有する有機溶媒；及び(3)
水を含むことを特徴とするメタルゲート、コンタクトホ
ール及びキャパシタ洗浄液組成物。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、洗浄液組成物に関
する。
する。
【０００２】
【従来の技術及びその課題】従来、半導体素子における
ゲート電極の材料としてはpoly-Siが使用されていた
が、微細化に伴い、ゲート電極の材料がタングステン、
銅、アルミニウムなどの金属となる可能性がある。しか
し、ゲート、コンタクトホール及びキャパシタ洗浄液と
して現在使用しているＳＰＭ（Ｈ2ＳＯ4−Ｈ2Ｏ2−Ｈ2
Ｏ）、ＡＰＭ（ＮＨ4ＯＨ−Ｈ2Ｏ2−Ｈ2Ｏ）、ＨＰＭ
（ＨＣｌ−Ｈ2Ｏ2−Ｈ2Ｏ）、ＤＨＦ（ＨＦ−Ｈ2Ｏ）等
は金属を腐食しやすいので、金属を腐食しにくい洗浄液
が求められている。
ゲート電極の材料としてはpoly-Siが使用されていた
が、微細化に伴い、ゲート電極の材料がタングステン、
銅、アルミニウムなどの金属となる可能性がある。しか
し、ゲート、コンタクトホール及びキャパシタ洗浄液と
して現在使用しているＳＰＭ（Ｈ2ＳＯ4−Ｈ2Ｏ2−Ｈ2
Ｏ）、ＡＰＭ（ＮＨ4ＯＨ−Ｈ2Ｏ2−Ｈ2Ｏ）、ＨＰＭ
（ＨＣｌ−Ｈ2Ｏ2−Ｈ2Ｏ）、ＤＨＦ（ＨＦ−Ｈ2Ｏ）等
は金属を腐食しやすいので、金属を腐食しにくい洗浄液
が求められている。
【０００３】
【課題を解決するための手段】本発明は、下記の洗浄液
を提供するものである。
を提供するものである。
【０００４】項１ (1) フッ化物塩及び重フッ化物塩
の少なくとも１種；(2)ヘテロ原子を有する有機溶媒；
及び(3)水を含むことを特徴とするメタルゲート、コン
タクトホール及びキャパシタ洗浄液組成物。
の少なくとも１種；(2)ヘテロ原子を有する有機溶媒；
及び(3)水を含むことを特徴とするメタルゲート、コン
タクトホール及びキャパシタ洗浄液組成物。
【０００５】項２ (1)フッ化物塩及び重フッ化物塩の
少なくとも１種が、フッ化水素酸とアンモニア、ヒドロ
キシルアミン類、脂肪族アミン類及び芳香族アミン類と
の塩、並びに、脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウム
塩のフッ化水素酸塩からなる群から選ばれるフッ化物塩
及び重フッ化物塩の少なくとも１種であり、(2) ヘテロ
原子を有する有機溶媒が、アルコール類及びケトン類か
らなる少なくとも１種の含酸素有機溶媒であることを特
徴とする項１に記載の洗浄液組成物。
少なくとも１種が、フッ化水素酸とアンモニア、ヒドロ
キシルアミン類、脂肪族アミン類及び芳香族アミン類と
の塩、並びに、脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウム
塩のフッ化水素酸塩からなる群から選ばれるフッ化物塩
及び重フッ化物塩の少なくとも１種であり、(2) ヘテロ
原子を有する有機溶媒が、アルコール類及びケトン類か
らなる少なくとも１種の含酸素有機溶媒であることを特
徴とする項１に記載の洗浄液組成物。
【０００６】項３ 含酸素有機溶媒がイソプロピルアル
コール、エタノール及びメタノールからなる群から選ば
れる少なくとも１種であり、水の濃度が１０重量％以下
である項２に記載の洗浄液組成物。
コール、エタノール及びメタノールからなる群から選ば
れる少なくとも１種であり、水の濃度が１０重量％以下
である項２に記載の洗浄液組成物。
【０００７】項４ 含酸素有機溶媒がアセトンであり、
水の濃度が２０〜４０重量％である項２に記載の洗浄液
組成物。
水の濃度が２０〜４０重量％である項２に記載の洗浄液
組成物。
【０００８】項５ ＮＲ4Ｆ（Ｒは水素原子又はＲはフ
ッ素原子で置換されていても良い直鎖若しくは分枝を有
する炭素数１〜１２のアルキル基、フッ素原子で置換さ
れていても良いフェニル基を示す）で表されるフッ化物
塩の濃度が１質量％以下、及び／又は、ＮＲ4ＨＦ2（Ｒ
は前記に定義されたとおりである）で表される重フッ化
物塩の濃度が0.001〜１質量％、水濃度が１０質量％以
下、残部がイソプロピルアルコール、エタノール及びメ
タノールからなる群から選ばれる少なくとも１種である
項２に記載の洗浄液組成物。
ッ素原子で置換されていても良い直鎖若しくは分枝を有
する炭素数１〜１２のアルキル基、フッ素原子で置換さ
れていても良いフェニル基を示す）で表されるフッ化物
塩の濃度が１質量％以下、及び／又は、ＮＲ4ＨＦ2（Ｒ
は前記に定義されたとおりである）で表される重フッ化
物塩の濃度が0.001〜１質量％、水濃度が１０質量％以
下、残部がイソプロピルアルコール、エタノール及びメ
タノールからなる群から選ばれる少なくとも１種である
項２に記載の洗浄液組成物。
【０００９】項６ ＮＲ4Ｆ（Ｒは水素又はフッ素原子
で置換されていても良い直鎖若しくは分枝を有する炭素
数１〜１２のアルキル基、フッ素原子で置換されていて
も良いフェニル基を示す）で表されるフッ化物塩の濃度
が１質量％以下、及び／又は、ＮＲ4ＨＦ2（Ｒは前記に
定義されたとおりである）で表される重フッ化物塩の濃
度が0.001〜１質量％、水濃度が２０〜４０質量％、残
部がアセトンである項２に記載の洗浄液組成物。
で置換されていても良い直鎖若しくは分枝を有する炭素
数１〜１２のアルキル基、フッ素原子で置換されていて
も良いフェニル基を示す）で表されるフッ化物塩の濃度
が１質量％以下、及び／又は、ＮＲ4ＨＦ2（Ｒは前記に
定義されたとおりである）で表される重フッ化物塩の濃
度が0.001〜１質量％、水濃度が２０〜４０質量％、残
部がアセトンである項２に記載の洗浄液組成物。
【００１０】項７ さらに(4)界面活性剤を含有する項
１〜６のいずれかに記載の洗浄液組成物。
１〜６のいずれかに記載の洗浄液組成物。
【００１１】項８ 項１〜７のいずれかに記載された洗
浄液組成物を用いて、メタルゲート、コンタクトホール
及びキャパシタを洗浄する方法。
浄液組成物を用いて、メタルゲート、コンタクトホール
及びキャパシタを洗浄する方法。
【００１２】項９ 半導体基板のシリコン基板上の絶縁
層膜及びその上に形成された導電層からなる被加工層上
にレジストのパターンを形成し、該レジストをマスクに
して、ドライエッチングにより前記被加工層を所定パタ
ーンに形成した後、項１〜７のいずれかに記載された洗
浄液組成物を用いて洗浄する工程を含む半導体装置の製
造方法。
層膜及びその上に形成された導電層からなる被加工層上
にレジストのパターンを形成し、該レジストをマスクに
して、ドライエッチングにより前記被加工層を所定パタ
ーンに形成した後、項１〜７のいずれかに記載された洗
浄液組成物を用いて洗浄する工程を含む半導体装置の製
造方法。
【００１３】項１０ 半導体基板のシリコン基板上の所
定パターンに導電層を形成した後絶縁層を形成し、該絶
縁層からなる被加工層上にレジストのパターンを形成
し、該レジストをマスクにして、ドライエッチングによ
り前記被加工層を所定パターンに形成した後、項１〜７
のいずれかに記載された洗浄液組成物を用いて洗浄する
工程を含む半導体装置の製造方法。
定パターンに導電層を形成した後絶縁層を形成し、該絶
縁層からなる被加工層上にレジストのパターンを形成
し、該レジストをマスクにして、ドライエッチングによ
り前記被加工層を所定パターンに形成した後、項１〜７
のいずれかに記載された洗浄液組成物を用いて洗浄する
工程を含む半導体装置の製造方法。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明のフッ化物塩は、例えば、
フッ化水素酸（ＨＦ）とアンモニア、ヒドロキシルアミ
ン類、脂肪族アミン類または芳香族アミン類の１対１の
塩、または、脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウムの
フッ化水素酸塩である。また、本発明の重フッ化物塩
は、例えば、フッ化水素酸（ＨＦ）とアンモニア、ヒド
ロキシルアミン類、脂肪族アミン類または芳香族アミン
類の１対２の塩、または、脂肪族ないし芳香族第４級ア
ンモニウムのフッ化水素酸塩である。
フッ化水素酸（ＨＦ）とアンモニア、ヒドロキシルアミ
ン類、脂肪族アミン類または芳香族アミン類の１対１の
塩、または、脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウムの
フッ化水素酸塩である。また、本発明の重フッ化物塩
は、例えば、フッ化水素酸（ＨＦ）とアンモニア、ヒド
ロキシルアミン類、脂肪族アミン類または芳香族アミン
類の１対２の塩、または、脂肪族ないし芳香族第４級ア
ンモニウムのフッ化水素酸塩である。
【００１５】本発明において、フッ化水素酸と塩形成す
るヒドロキシルアミン類としては、ヒドロキシルアミ
ン、N-メチルヒドロキシルアミン、N,N-ジメチルヒドロ
キシルアミン、N-エチルヒドロキシルアミン、N,N-ジエ
チルヒドロキシルアミン、N-プロピルヒドロキシルアミ
ン、N-フェニルヒドロキシルアミンなどの直鎖若しくは
分枝を有する炭素数１〜４のアルキル基又はフェニル基
で１又は２置換されたヒドロキシルアミンが挙げられ
る。
るヒドロキシルアミン類としては、ヒドロキシルアミ
ン、N-メチルヒドロキシルアミン、N,N-ジメチルヒドロ
キシルアミン、N-エチルヒドロキシルアミン、N,N-ジエ
チルヒドロキシルアミン、N-プロピルヒドロキシルアミ
ン、N-フェニルヒドロキシルアミンなどの直鎖若しくは
分枝を有する炭素数１〜４のアルキル基又はフェニル基
で１又は２置換されたヒドロキシルアミンが挙げられ
る。
【００１６】脂肪族アミン類としては、メチルアミン、
エチルアミン、プロピルアミン、イソプロピルアミン、
ブチルアミン、ヘキシルアミン、オクチルアミン、ジメ
チルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジイ
ソプロピルアミン、ジブチルアミン、トリメチルアミ
ン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリイソ
プロピルアミン、トリブチルアミンなどの、直鎖又は分
枝を有する炭素数１〜８のアルキル基で１、２または３
置換された脂肪族アミン；モノフルオロメチルアミン、
ジフルオロメチルアミン、トリフルオロメチルアミン、
パーフルオロエチルアミン、パーフルオロプロピルアミ
ン、パーフルオロイソプロピルアミン、パーフルオロブ
チルアミン、パーフルオロヘキシルアミン、パーフルオ
ロオクチルアミン、ジ（パーフルオロメチル）アミン、
ジ（パーフルオロエチル）アミン、ジ（パーフルオロプ
ロピル）アミン、ジ（パーフルオロイソプロピル）アミ
ン、ジ（パーフルオロブチル）アミン、トリ（パーフル
オロメチル）アミン、トリ（パーフルオロエチル）アミ
ン、トリ（パーフルオロプロピル）アミン、トリ（パー
フルオロイソプロピル）アミン、トリ（パーフルオロブ
チル）アミンなどの直鎖又は分枝を有する少なくとも１
つのフッ素原子含有Ｃ1〜8アルキル基で１、２または３
置換された脂肪族アミン；モノエタノールアミン、エチ
レンジアミン、２−（２−アミノエチルアミノ）エタノ
ール、ジエタノールアミン、ジプロピルアミン、２−エ
チルアミノエタノール、ジメチルアミノエタノール、エ
チルジエタノールアミンなどが、シクロヘキシルアミ
ン、ジシクロヘキシルアミンが挙げられる。
エチルアミン、プロピルアミン、イソプロピルアミン、
ブチルアミン、ヘキシルアミン、オクチルアミン、ジメ
チルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジイ
ソプロピルアミン、ジブチルアミン、トリメチルアミ
ン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリイソ
プロピルアミン、トリブチルアミンなどの、直鎖又は分
枝を有する炭素数１〜８のアルキル基で１、２または３
置換された脂肪族アミン；モノフルオロメチルアミン、
ジフルオロメチルアミン、トリフルオロメチルアミン、
パーフルオロエチルアミン、パーフルオロプロピルアミ
ン、パーフルオロイソプロピルアミン、パーフルオロブ
チルアミン、パーフルオロヘキシルアミン、パーフルオ
ロオクチルアミン、ジ（パーフルオロメチル）アミン、
ジ（パーフルオロエチル）アミン、ジ（パーフルオロプ
ロピル）アミン、ジ（パーフルオロイソプロピル）アミ
ン、ジ（パーフルオロブチル）アミン、トリ（パーフル
オロメチル）アミン、トリ（パーフルオロエチル）アミ
ン、トリ（パーフルオロプロピル）アミン、トリ（パー
フルオロイソプロピル）アミン、トリ（パーフルオロブ
チル）アミンなどの直鎖又は分枝を有する少なくとも１
つのフッ素原子含有Ｃ1〜8アルキル基で１、２または３
置換された脂肪族アミン；モノエタノールアミン、エチ
レンジアミン、２−（２−アミノエチルアミノ）エタノ
ール、ジエタノールアミン、ジプロピルアミン、２−エ
チルアミノエタノール、ジメチルアミノエタノール、エ
チルジエタノールアミンなどが、シクロヘキシルアミ
ン、ジシクロヘキシルアミンが挙げられる。
【００１７】芳香族アミン類としては、アニリン、N-メ
チルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、ベンジルアミ
ン、ジベンジルアミン、Ｎ−メチルベンジルアミンなど
が挙げられる。
チルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、ベンジルアミ
ン、ジベンジルアミン、Ｎ−メチルベンジルアミンなど
が挙げられる。
【００１８】脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウム塩
としては、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルア
ンモニウム、テトラプロピルアンモニウム、テトライソ
プロピルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム、ト
リメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム、テト
ラフェニルアンモニウムなどの脂肪族ないし芳香族第４
級アンモニウムの塩酸塩、臭化水素酸塩、硫酸塩、硝酸
塩などの鉱酸塩が挙げられる。
としては、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルア
ンモニウム、テトラプロピルアンモニウム、テトライソ
プロピルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム、ト
リメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム、テト
ラフェニルアンモニウムなどの脂肪族ないし芳香族第４
級アンモニウムの塩酸塩、臭化水素酸塩、硫酸塩、硝酸
塩などの鉱酸塩が挙げられる。
【００１９】本発明のフッ化物塩としては、より具体的
には、ＮＲ4Ｆ（Ｒは水素原子又はＲはフッ素原子で置
換されていても良い直鎖若しくは分枝を有する炭素数１
〜１２のアルキル基、フッ素原子で置換されていても良
いフェニル基を示す）で表されるフッ化物塩が好ましく
用いられる。本発明の重フッ化物塩としては、ＮＲ4Ｈ
Ｆ2（Ｒは水素原子又はＲはフッ素原子で置換されてい
ても良い直鎖若しくは分枝を有する炭素数１〜１２のア
ルキル基、フッ素原子で置換されていても良いフェニル
基を示す）で表される重フッ化物塩が好ましく用いられ
る。
には、ＮＲ4Ｆ（Ｒは水素原子又はＲはフッ素原子で置
換されていても良い直鎖若しくは分枝を有する炭素数１
〜１２のアルキル基、フッ素原子で置換されていても良
いフェニル基を示す）で表されるフッ化物塩が好ましく
用いられる。本発明の重フッ化物塩としては、ＮＲ4Ｈ
Ｆ2（Ｒは水素原子又はＲはフッ素原子で置換されてい
ても良い直鎖若しくは分枝を有する炭素数１〜１２のア
ルキル基、フッ素原子で置換されていても良いフェニル
基を示す）で表される重フッ化物塩が好ましく用いられ
る。
【００２０】本発明において、ヘテロ原子を有する有機
溶媒としては、アルコール類、ケトン類などの含酸素有
機溶媒が例示される。
溶媒としては、アルコール類、ケトン類などの含酸素有
機溶媒が例示される。
【００２１】アルコール類としては、メタノール、エタ
ノール、n-プロパノール、イソプロパノール(IPA)が挙
げられる。
ノール、n-プロパノール、イソプロパノール(IPA)が挙
げられる。
【００２２】ケトン類としては、アセトン、メチルエチ
ルケトン、1,3-ジヒドロキシアセトンなどが挙げられ
る。
ルケトン、1,3-ジヒドロキシアセトンなどが挙げられ
る。
【００２３】アルコール類及びケトン類以外にも、本発
明の有機溶媒としては、エチレングリコール、１，２−
プロパンジオール、プロピレングリコール、２，３−ブ
タンジオール、グリセリンなどのポリオール類；アセト
ニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、イソブ
チロニトリル、ベンゾニトリルなどのニトリル類；ホル
ムアルデヒド、アセトアルデヒドなどのアルデヒド類；
エチレングリコールモノメチルエーテルなどのエーテル
類が挙げられる。
明の有機溶媒としては、エチレングリコール、１，２−
プロパンジオール、プロピレングリコール、２，３−ブ
タンジオール、グリセリンなどのポリオール類；アセト
ニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、イソブ
チロニトリル、ベンゾニトリルなどのニトリル類；ホル
ムアルデヒド、アセトアルデヒドなどのアルデヒド類；
エチレングリコールモノメチルエーテルなどのエーテル
類が挙げられる。
【００２４】本発明の洗浄液に含まれる一水素二フッ化
アンモニウムは、一水素二フッ化アンモニウムの結晶又
は水溶液を加えてもよく、理論量のフッ化アンモニウム
とＨＦを加えて、エッチング液中で一水素二フッ化アン
モニウムを形成させてもよい。
アンモニウムは、一水素二フッ化アンモニウムの結晶又
は水溶液を加えてもよく、理論量のフッ化アンモニウム
とＨＦを加えて、エッチング液中で一水素二フッ化アン
モニウムを形成させてもよい。
【００２５】本発明の洗浄液に含まれるフッ化アンモニ
ウムは、フッ化アンモニウムの結晶又は水溶液が利用で
きる。
ウムは、フッ化アンモニウムの結晶又は水溶液が利用で
きる。
【００２６】本発明の洗浄液組成物は、アニオン系、カ
チオン系及び非イオン系界面活性剤の少なくとも１種の
界面活性剤を含有していてもよい。
チオン系及び非イオン系界面活性剤の少なくとも１種の
界面活性剤を含有していてもよい。
【００２７】アニオン系界面活性剤としては、親水基が
一般式 −ＣＯＯＭ、−ＳＯ3Ｍ、−ＯＳＯ3Ｍ（Ｍは水
素原子、金属原子、アンモニウム基を示す）であるそれ
ぞれカルボン酸型、スルホン酸型、硫酸エステル型の界
面活性剤が好ましい。具体的には下記のものが挙げられ
る。
一般式 −ＣＯＯＭ、−ＳＯ3Ｍ、−ＯＳＯ3Ｍ（Ｍは水
素原子、金属原子、アンモニウム基を示す）であるそれ
ぞれカルボン酸型、スルホン酸型、硫酸エステル型の界
面活性剤が好ましい。具体的には下記のものが挙げられ
る。
【００２８】ＣＦ3（ＣＦ2）nＣＯＯＨ、（ＣＦ3）2Ｃ
Ｆ（ＣＦ2）nＣＯＯＨ、ＨＣＦ2（ＣＦ2）nＣＯＯＨ、
ＣＦ3（ＣＦ2）n（ＣＨ2）mＣＯＯＨ、ＣＦ3（ＣＦ2）n
ＣＦ＝ＣＨ（ＣＨ2）mＣＯＯＨ、Ｃl（ＣＦ2ＣＦＣl）p
ＣＦ2ＣＯＯＨ［ただし、前記式中、ｎは２〜17、ｍは
１〜２、ｐは１〜９の整数である。］ 及び、これらの
アルカリ金属塩、アンモニウム塩、第一、第二又は第三
アミン塩。
Ｆ（ＣＦ2）nＣＯＯＨ、ＨＣＦ2（ＣＦ2）nＣＯＯＨ、
ＣＦ3（ＣＦ2）n（ＣＨ2）mＣＯＯＨ、ＣＦ3（ＣＦ2）n
ＣＦ＝ＣＨ（ＣＨ2）mＣＯＯＨ、Ｃl（ＣＦ2ＣＦＣl）p
ＣＦ2ＣＯＯＨ［ただし、前記式中、ｎは２〜17、ｍは
１〜２、ｐは１〜９の整数である。］ 及び、これらの
アルカリ金属塩、アンモニウム塩、第一、第二又は第三
アミン塩。
【００２９】ＣnＨ2n+1ＳＯ3Ｍ、ＣnＨ2n+1Ｏ（ＣＨ2Ｃ
Ｈ2Ｏ）mＳＯ3Ｍ又はＣnＨ2n+1−Ｐｈ−ＳＯ3Ｍ（ただ
し、前記式中、Ｍは水素原子、金属原子、アンモニウム
基を示し、Ｐｈはフェニレン基、ｎは５〜20、ｍは０〜
20の整数である。）。これらの具体例としてはＣ12Ｈ25
Ｏ(ＣＨ2ＣＨ2Ｏ)2ＳＯ3Ｎa、Ｃ9Ｈ19ＰｈＯ（ＣＨ2Ｃ
Ｈ2Ｏ）4ＳＯ3Ｎａ、Ｃ12Ｈ25Ｏ（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）4ＳＯ
3Ｎａ、Ｃ6Ｆ11ＰｈＳＯ3Ｎａ、Ｃ9Ｆ19ＯＰｈＳＯ3Ｎ
ａ、ＲＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）nＳＯ3Ｎａ、Ｃ12Ｈ 25ＯＳ
Ｏ3Ｎａが挙げられる。
Ｈ2Ｏ）mＳＯ3Ｍ又はＣnＨ2n+1−Ｐｈ−ＳＯ3Ｍ（ただ
し、前記式中、Ｍは水素原子、金属原子、アンモニウム
基を示し、Ｐｈはフェニレン基、ｎは５〜20、ｍは０〜
20の整数である。）。これらの具体例としてはＣ12Ｈ25
Ｏ(ＣＨ2ＣＨ2Ｏ)2ＳＯ3Ｎa、Ｃ9Ｈ19ＰｈＯ（ＣＨ2Ｃ
Ｈ2Ｏ）4ＳＯ3Ｎａ、Ｃ12Ｈ25Ｏ（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）4ＳＯ
3Ｎａ、Ｃ6Ｆ11ＰｈＳＯ3Ｎａ、Ｃ9Ｆ19ＯＰｈＳＯ3Ｎ
ａ、ＲＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）nＳＯ3Ｎａ、Ｃ12Ｈ 25ＯＳ
Ｏ3Ｎａが挙げられる。
【００３０】カチオン系界面活性剤としてはRNH2で表さ
れる１級アミン、R2NHで表される２級アミン、R3Nで表
される３級アミン、[R4N]Mで表される４級アミンが挙げ
られる（ここでRは水素原子またはRはフッ素原子もしく
はOH基で置換されても良い直鎖または分岐を有する炭素
数１〜１２のアルキル基、フッ素原子もしくはOH基で置
換されても良いフェニル基を示す。また、Mは一価の陰
イオンを示す。)。具体的には下記のような化合物が挙
げられる。
れる１級アミン、R2NHで表される２級アミン、R3Nで表
される３級アミン、[R4N]Mで表される４級アミンが挙げ
られる（ここでRは水素原子またはRはフッ素原子もしく
はOH基で置換されても良い直鎖または分岐を有する炭素
数１〜１２のアルキル基、フッ素原子もしくはOH基で置
換されても良いフェニル基を示す。また、Mは一価の陰
イオンを示す。)。具体的には下記のような化合物が挙
げられる。
【００３１】CH3(CH2)nNH2, (CH3(CH2)n)2NH, (CH3(C
H2)n)3N, (CH3(CH2)n)4NCl, CH3(CH2)nN((CH2)nOH)2, C
F3(CF2)nNH2, (CF3(CF2)n)2NH, (CF3(CF2)n)3N, (CF3(C
F2)n)4NCl, CF3(CF2)nN((CH2)nOH)2, C6H5NH2, (CH3)
2(CH2)nNH2（ただし、前記式中、ｎは１〜３０の整数で
ある。）。
H2)n)3N, (CH3(CH2)n)4NCl, CH3(CH2)nN((CH2)nOH)2, C
F3(CF2)nNH2, (CF3(CF2)n)2NH, (CF3(CF2)n)3N, (CF3(C
F2)n)4NCl, CF3(CF2)nN((CH2)nOH)2, C6H5NH2, (CH3)
2(CH2)nNH2（ただし、前記式中、ｎは１〜３０の整数で
ある。）。
【００３２】非イオン系界面活性剤としては、親水基が
一般式 −Ｒ'（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）qＲ''又は−Ｒ'Ｏ（ＣＨ
2ＣＨ2Ｏ）qＲ''（ただし、前記式中、Ｒ''は水素原
子、炭素数１〜10のアルキル基、Ｒ'は水素原子がフッ
素原子で置換されていることのある炭素数１〜20の炭化
水素基、ｑは０〜20の整数を示す。）であるポリエチレ
ングリコール型の界面活性剤が好ましい。具体的には下
記のものが挙げられる。
一般式 −Ｒ'（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）qＲ''又は−Ｒ'Ｏ（ＣＨ
2ＣＨ2Ｏ）qＲ''（ただし、前記式中、Ｒ''は水素原
子、炭素数１〜10のアルキル基、Ｒ'は水素原子がフッ
素原子で置換されていることのある炭素数１〜20の炭化
水素基、ｑは０〜20の整数を示す。）であるポリエチレ
ングリコール型の界面活性剤が好ましい。具体的には下
記のものが挙げられる。
【００３３】Ｃ9Ｆ17Ｏ（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）rＣＨ3（ｒ＝
２〜30の整数を示す。）、Ｃ9Ｈ19Ｐｈ（ＣＨ2ＣＨ
2Ｏ）10Ｈ、Ｃ12Ｈ25Ｏ（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）9Ｈ、Ｃ9Ｈ19
ＰｈＯ（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）10Ｈ、Ｃ9Ｈ19ＰｈＯ（ＣＨ2Ｃ
Ｈ2Ｏ）5Ｈ、Ｃ8Ｈ17ＰｈＯ（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）3Ｈ、Ｃ8
Ｈ17Ｐｈ（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）10Ｈ（Ｐｈはフェニレン基を
示す。）。
２〜30の整数を示す。）、Ｃ9Ｈ19Ｐｈ（ＣＨ2ＣＨ
2Ｏ）10Ｈ、Ｃ12Ｈ25Ｏ（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）9Ｈ、Ｃ9Ｈ19
ＰｈＯ（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）10Ｈ、Ｃ9Ｈ19ＰｈＯ（ＣＨ2Ｃ
Ｈ2Ｏ）5Ｈ、Ｃ8Ｈ17ＰｈＯ（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）3Ｈ、Ｃ8
Ｈ17Ｐｈ（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）10Ｈ（Ｐｈはフェニレン基を
示す。）。
【００３４】界面活性剤の含有量は、本発明所期の効果
が発揮される限り特に限定されるものではないが、通
常、0.0001〜10重量％程度であり、0.001〜5重量％程度
が好ましく、特に0.01〜1重量％程度が好ましい。
が発揮される限り特に限定されるものではないが、通
常、0.0001〜10重量％程度であり、0.001〜5重量％程度
が好ましく、特に0.01〜1重量％程度が好ましい。
【００３５】本発明の洗浄液組成物は、アルコール類を
溶媒とした場合、通常(1)フッ化物塩及び重フッ化物塩
の少なくとも１種を０．００１〜１質量％、(2)含酸素
有機溶媒８９〜９９．９８９質量％、及び(3)水０．０
１〜１０質量％含み；好ましくは(1)フッ化物塩及び重
フッ化物塩の少なくとも１種を０．００５〜０．１質量
％、(2)含酸素有機溶媒８９．９．９〜９９．９８５質
量％、及び(3)水を０．０１〜１０質量％含む。
溶媒とした場合、通常(1)フッ化物塩及び重フッ化物塩
の少なくとも１種を０．００１〜１質量％、(2)含酸素
有機溶媒８９〜９９．９８９質量％、及び(3)水０．０
１〜１０質量％含み；好ましくは(1)フッ化物塩及び重
フッ化物塩の少なくとも１種を０．００５〜０．１質量
％、(2)含酸素有機溶媒８９．９．９〜９９．９８５質
量％、及び(3)水を０．０１〜１０質量％含む。
【００３６】ケトン類を溶媒とした場合、通常(1)フッ
化物塩及び重フッ化物塩の少なくとも１種を０．００１
〜１質量％、(2)含酸素有機溶媒５９〜７９．９９９質
量％、及び(3)水を２０〜４０質量％含み；好ましくは
(1)フッ化物塩及び重フッ化物塩の少なくとも１種を
０．００５〜０．１質量％、(2)含酸素有機溶媒５９．
９〜７９．９９５質量％、及び(3)水を２０〜４０質量
％含む。
化物塩及び重フッ化物塩の少なくとも１種を０．００１
〜１質量％、(2)含酸素有機溶媒５９〜７９．９９９質
量％、及び(3)水を２０〜４０質量％含み；好ましくは
(1)フッ化物塩及び重フッ化物塩の少なくとも１種を
０．００５〜０．１質量％、(2)含酸素有機溶媒５９．
９〜７９．９９５質量％、及び(3)水を２０〜４０質量
％含む。
【００３７】本発明の洗浄液組成物を用いた洗浄は、被
処理物（例えば、メタルゲート及び/又はキャパシタを
形成した半導体基板、コンタクトホールを有する半導体
基板）を該組成物溶液に浸漬し、例えば１５〜４０℃程
度で０．５〜３０分間程度処理することにより行うこと
ができる。
処理物（例えば、メタルゲート及び/又はキャパシタを
形成した半導体基板、コンタクトホールを有する半導体
基板）を該組成物溶液に浸漬し、例えば１５〜４０℃程
度で０．５〜３０分間程度処理することにより行うこと
ができる。
【００３８】
【発明の効果】本発明によれば、腐食され易いＡｌ、Ａ
ｌ−Ｃｕ、Ｃｕ、Ｗ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等
の基板や金属に対する低腐食性を有し、さらに、レジス
ト等に由来するポリマー、自然酸化膜、製造工程で発生
する有機物、粒子などの汚染物を低温且つ短時間の処理
で高い洗浄性を備えた洗浄液を提供することができる。
ｌ−Ｃｕ、Ｃｕ、Ｗ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等
の基板や金属に対する低腐食性を有し、さらに、レジス
ト等に由来するポリマー、自然酸化膜、製造工程で発生
する有機物、粒子などの汚染物を低温且つ短時間の処理
で高い洗浄性を備えた洗浄液を提供することができる。
【００３９】従って、本発明の洗浄液は、ゲート電極の
材料に金属が含まれる場合であっても、半導体の製造工
程において、メタルゲート、コンタクトホール、キャパ
シタの洗浄液として用いることができる。
材料に金属が含まれる場合であっても、半導体の製造工
程において、メタルゲート、コンタクトホール、キャパ
シタの洗浄液として用いることができる。
【００４０】
【実施例】以下、本発明を実施例および比較例を用いて
より詳細に説明する。
より詳細に説明する。
【００４１】なお、以下において、酸化膜のエッチング
レートはＲｕｄｏｌｆ Ｒｅａｓｅａｃｈ社 Ａｕｔｏ
ＥＬ−ＩＩＩエリプソメーターを用いてエッチング前
後の膜厚を測定することで行った。
レートはＲｕｄｏｌｆ Ｒｅａｓｅａｃｈ社 Ａｕｔｏ
ＥＬ−ＩＩＩエリプソメーターを用いてエッチング前
後の膜厚を測定することで行った。
【００４２】洗浄液のエッチングレートは、各洗浄液を
用いて２５℃で各膜をエッチングし、エッチング処理前
の膜厚とエッチング処理後の膜厚の差をエッチング時間
で割って算出したものである。
用いて２５℃で各膜をエッチングし、エッチング処理前
の膜厚とエッチング処理後の膜厚の差をエッチング時間
で割って算出したものである。
【００４３】実施例１〜８及び比較例１〜５ 以下に示される組成の洗浄液を、常法に従い製造した。 実施例１：NH4・HF2(0.01wt%)、水(0.3wt%)、残りIPA； 実施例２：NH4・HF2(0.085wt%)、水(0.3wt%)、残りIP
A； 実施例３：NH4・HF2(0.01wt%)、NH4F(0.065wt%)、水(7.
5wt%)、残りIPA； 実施例４：(CH3)4N・HF2(0.3wt%)、水(7.5wt%)、残りIP
A； 実施例５：C8H17NH3・HF2(0.5wt%)、水(7.5wt%)、残りI
PA； 実施例６：NH4・HF2(0.085wt%)、NH4F(0.11wt%)、水(7.
5wt%)、残りMeOH； 実施例７：NH4・HF2(0.085wt%)、NH4F(0.11wt%)、水(7.
5wt%)、残りEtOH； 実施例８：NH4・HF2(0.04wt%)、NH4F(0.10wt%)、水(35w
t%)、残りアセトン； 比較例１：HF(5wt%)、水(5wt%)、残りアセトン； 比較例２：HF(5wt%)、水(5wt%)、残りＩＰＡ； 比較例３：0.29wt%アンモニア水； 比較例４：0.5wt%フッ酸； 比較例５：HF(0.125wt%)、NH4F(40wt%)、残り水。
A； 実施例３：NH4・HF2(0.01wt%)、NH4F(0.065wt%)、水(7.
5wt%)、残りIPA； 実施例４：(CH3)4N・HF2(0.3wt%)、水(7.5wt%)、残りIP
A； 実施例５：C8H17NH3・HF2(0.5wt%)、水(7.5wt%)、残りI
PA； 実施例６：NH4・HF2(0.085wt%)、NH4F(0.11wt%)、水(7.
5wt%)、残りMeOH； 実施例７：NH4・HF2(0.085wt%)、NH4F(0.11wt%)、水(7.
5wt%)、残りEtOH； 実施例８：NH4・HF2(0.04wt%)、NH4F(0.10wt%)、水(35w
t%)、残りアセトン； 比較例１：HF(5wt%)、水(5wt%)、残りアセトン； 比較例２：HF(5wt%)、水(5wt%)、残りＩＰＡ； 比較例３：0.29wt%アンモニア水； 比較例４：0.5wt%フッ酸； 比較例５：HF(0.125wt%)、NH4F(40wt%)、残り水。
【００４４】試験例１：メタル腐食試験Ｉ ２２℃の洗浄液２２０ｇに、3cm×3cmのCuテストピー
ス、Al、Ｗウェハを別々に１０分間浸漬し、薬液中に溶
出したＣｕ、Ａｌ、Ｗ濃度をＩＣＰ−ＭＳで測定し、エ
ッチングレートを算出した。結果を表１に示す。
ス、Al、Ｗウェハを別々に１０分間浸漬し、薬液中に溶
出したＣｕ、Ａｌ、Ｗ濃度をＩＣＰ−ＭＳで測定し、エ
ッチングレートを算出した。結果を表１に示す。
【００４５】
【表１】
【００４６】試験例２：メタル腐食試験II 実施例１の洗浄液（NH4・HF2(0.01wt%)、水(0.3wt%)、
残りIPA）において、NH 4・HF2の濃度を0.01wt%で固定
し、水及びＩＰＡの比率を以下の表２（水の量のみを示
し、残部はＩＰＡ）に示されるように変えて、試験例１
と同一の条件下で薬液中に溶出したＣｕ、Ａｌ、Ｗ濃度
をＩＣＰ−ＭＳで測定し、エッチングレートを算出し
た。結果を表２に示す。
残りIPA）において、NH 4・HF2の濃度を0.01wt%で固定
し、水及びＩＰＡの比率を以下の表２（水の量のみを示
し、残部はＩＰＡ）に示されるように変えて、試験例１
と同一の条件下で薬液中に溶出したＣｕ、Ａｌ、Ｗ濃度
をＩＣＰ−ＭＳで測定し、エッチングレートを算出し
た。結果を表２に示す。
【００４７】
【表２】
【００４８】試験例３：メタル腐食試験III アセトンを溶媒とした洗浄液（NH4・HF2(0.04wt%)、
水、残りアセトン）において、NH4HF2の濃度を0.04wt%
で固定し、水及びＩＰＡの比率を以下の表２（水の量の
みを示し、残部はＩＰＡ）に示されるように変えて、試
験例１と同一の条件下で薬液中に溶出したＣｕ、Ａｌ、
Ｗ濃度をＩＣＰ−ＭＳで測定し、エッチングレートを算
出した。結果を表３に示す。
水、残りアセトン）において、NH4HF2の濃度を0.04wt%
で固定し、水及びＩＰＡの比率を以下の表２（水の量の
みを示し、残部はＩＰＡ）に示されるように変えて、試
験例１と同一の条件下で薬液中に溶出したＣｕ、Ａｌ、
Ｗ濃度をＩＣＰ−ＭＳで測定し、エッチングレートを算
出した。結果を表３に示す。
【００４９】
【表３】
【００５０】試験例４：メタル腐食試験IV 実施例１及び比較例５の洗浄液を用い、3cm×3cmのTiN
ウエハ、CoSiウエハ、Ｗウェハ及びTiSiウエハについて
試験例１と同様にして腐食試験を行った。結果を表４に
示す。
ウエハ、CoSiウエハ、Ｗウェハ及びTiSiウエハについて
試験例１と同様にして腐食試験を行った。結果を表４に
示す。
【００５１】
【表４】
【００５２】試験例５：ポリマー洗浄性能試験Ｉ 表面にＡｌを蒸着したシリコンウェハ上に、常法に従い
ナフトキノン／ノボラック樹脂系のポジ型フォトレジス
トからなるレジストパターンを形成した。得られたレジ
ストパターンを有するシリコンウェハを、常法に従いメ
タルドライエッチング処理し、次いで、酸素ガスでアッ
シング処理して残存するレジストを除去した。
ナフトキノン／ノボラック樹脂系のポジ型フォトレジス
トからなるレジストパターンを形成した。得られたレジ
ストパターンを有するシリコンウェハを、常法に従いメ
タルドライエッチング処理し、次いで、酸素ガスでアッ
シング処理して残存するレジストを除去した。
【００５３】得られた表面に金属配線を有するシリコン
ウェハを、実施例１〜８及び比較例１〜４のいずれかの
洗浄液に２５℃で１０分間浸漬しポリマーの洗浄処理を
行った。処理したウェハを純水でリンス処理し、シリコ
ンウェハのアッシング残渣（ポリマー性デポ物）の洗浄
状況及び配線メタルの腐食の有無をＳＥＭ（走査型電子
顕微鏡）の写真観察により評価した。ポリマー性デポ物
の洗浄状況は、「良好」、「不完全」の２段階評価、配
線メタル腐食の有無は腐食の「有り」、「無し」の２段
階評価とした。結果を表５に示す。
ウェハを、実施例１〜８及び比較例１〜４のいずれかの
洗浄液に２５℃で１０分間浸漬しポリマーの洗浄処理を
行った。処理したウェハを純水でリンス処理し、シリコ
ンウェハのアッシング残渣（ポリマー性デポ物）の洗浄
状況及び配線メタルの腐食の有無をＳＥＭ（走査型電子
顕微鏡）の写真観察により評価した。ポリマー性デポ物
の洗浄状況は、「良好」、「不完全」の２段階評価、配
線メタル腐食の有無は腐食の「有り」、「無し」の２段
階評価とした。結果を表５に示す。
【００５４】
【表５】
【００５５】試験例５ではＡｌの配線を形成して試験を
行っているが、Ａｌ配線の洗浄が可能であれば、その他
金属材料の洗浄にも使用できる。
行っているが、Ａｌ配線の洗浄が可能であれば、その他
金属材料の洗浄にも使用できる。
【００５６】試験例６：ポリマー洗浄性能試験II 表面に層間絶縁膜、その下層にＡｌ配線層(Ti/TiN層−
Ａｌ層−Ti/TiN層の３層構成)を有するシリコンウェハ
上に、常法に従いナフトキノン／ノボラック樹脂系のポ
ジ型フォトレジストからなるレジストパターンを形成し
た。得られたレジストパターンを有するシリコンウェハ
を、常法に従い酸化膜ドライエッチング処理し、ビアホ
ールを形成した。次いで、酸素ガスでアッシング処理を
行い、残存するレジストを除去した。
Ａｌ層−Ti/TiN層の３層構成)を有するシリコンウェハ
上に、常法に従いナフトキノン／ノボラック樹脂系のポ
ジ型フォトレジストからなるレジストパターンを形成し
た。得られたレジストパターンを有するシリコンウェハ
を、常法に従い酸化膜ドライエッチング処理し、ビアホ
ールを形成した。次いで、酸素ガスでアッシング処理を
行い、残存するレジストを除去した。
【００５７】得られたビアホールを有するシリコンウェ
ハを、実施例１〜８及び比較例１〜４のいずれかの洗浄
液に２５℃で１０分間浸漬しポリマーデポ物の剥離処理
を行った。処理したウェハを純水でリンス処理し、シリ
コンウェハのアッシング残渣（ポリマー性デポ物）の洗
浄状況及び配線メタルの腐食の有無をＳＥＭ（走査型電
子顕微鏡）の写真観察により評価した。前記ポリマー性
デポ物の洗浄状況は、「良好」、「不完全」の２段階評
価、配線メタル腐食の有無は腐食の「有り」、「無し」
の２段階評価とした。結果を表６に示す。
ハを、実施例１〜８及び比較例１〜４のいずれかの洗浄
液に２５℃で１０分間浸漬しポリマーデポ物の剥離処理
を行った。処理したウェハを純水でリンス処理し、シリ
コンウェハのアッシング残渣（ポリマー性デポ物）の洗
浄状況及び配線メタルの腐食の有無をＳＥＭ（走査型電
子顕微鏡）の写真観察により評価した。前記ポリマー性
デポ物の洗浄状況は、「良好」、「不完全」の２段階評
価、配線メタル腐食の有無は腐食の「有り」、「無し」
の２段階評価とした。結果を表６に示す。
【００５８】
【表６】
【００５９】試験例６ではビアホールを形成して試験を
行っているが、ビアホールの洗浄が可能であれば、コン
タクトホールの洗浄にも使用できる。
行っているが、ビアホールの洗浄が可能であれば、コン
タクトホールの洗浄にも使用できる。
【００６０】試験例７：絶縁膜のエッチングレート 実施例１〜８，比較例１〜４の洗浄液に、シリコン基板
表面に熱酸化膜、ＢＰＳＧ膜、ＮＳＧ膜を各々形成した
試験基板を２５℃でエッチングし、それぞれの膜に対す
るエッチングレートを求めた。結果を表７に示す。な
お、表中のエッチングレートは、いずれも（Å／ｍｉ
ｎ）である。
表面に熱酸化膜、ＢＰＳＧ膜、ＮＳＧ膜を各々形成した
試験基板を２５℃でエッチングし、それぞれの膜に対す
るエッチングレートを求めた。結果を表７に示す。な
お、表中のエッチングレートは、いずれも（Å／ｍｉ
ｎ）である。
【００６１】
【表７】
【００６２】自然酸化膜は非常に薄いので、それ自体の
エッチレートを測定することは困難であるが、自然酸化
膜より厚い熱酸化膜、ＢＰＳＧ及びＮＳＧ膜などの酸化
膜をエッチングできることが上記試験例５より明らかで
ある。従って、それより薄い自然酸化膜をエッチング
し、除去（洗浄）できることがわかる。
エッチレートを測定することは困難であるが、自然酸化
膜より厚い熱酸化膜、ＢＰＳＧ及びＮＳＧ膜などの酸化
膜をエッチングできることが上記試験例５より明らかで
ある。従って、それより薄い自然酸化膜をエッチング
し、除去（洗浄）できることがわかる。
【００６３】試験例１〜７より、本発明の洗浄液は、従
来用いられていた洗浄液と比べ低腐食性であり、且つ、
自然酸化膜やポリマー性デポ物などを洗浄できることが
わかる。
来用いられていた洗浄液と比べ低腐食性であり、且つ、
自然酸化膜やポリマー性デポ物などを洗浄できることが
わかる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ１１Ｄ 7/26 Ｃ１１Ｄ 7/26 17/08 17/08 Ｇ０３Ｆ 7/42 Ｇ０３Ｆ 7/42 Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７２Ｂ Ｆターム(参考） 2H096 AA25 AA27 HA23 HA30 3B201 AA03 BB02 BB82 BB92 BB94 BB95 CC21 4H003 BA12 DA15 EA05 EB13 ED02 ED28 ED30 FA15 5F046 MA02 MA12 MA17
Claims (10)
- 【請求項１】(1) フッ化物塩及び重フッ化物塩の少な
くとも１種；(2)ヘテロ原子を有する有機溶媒；及び(3)
水を含むことを特徴とするメタルゲート、コンタクトホ
ール及びキャパシタ洗浄液組成物。 - 【請求項２】(1)フッ化物塩及び重フッ化物塩の少なく
とも１種が、フッ化水素酸とアンモニア、ヒドロキシル
アミン類、脂肪族アミン類及び芳香族アミン類との塩、
並びに、脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウム塩のフ
ッ化水素酸塩からなる群から選ばれるフッ化物塩及び重
フッ化物塩の少なくとも１種であり、(2) ヘテロ原子を
有する有機溶媒が、アルコール類及びケトン類からなる
少なくとも１種の含酸素有機溶媒であることを特徴とす
る請求項１に記載の洗浄液組成物。 - 【請求項３】含酸素有機溶媒がイソプロピルアルコー
ル、エタノール及びメタノールからなる群から選ばれる
少なくとも１種であり、水の濃度が１０重量％以下であ
る請求項２に記載の洗浄液組成物。 - 【請求項４】含酸素有機溶媒がアセトンであり、水の濃
度が２０〜４０重量％である請求項２に記載の洗浄液組
成物。 - 【請求項５】ＮＲ4Ｆ（Ｒは水素原子又はＲはフッ素原
子で置換されていても良い直鎖若しくは分枝を有する炭
素数１〜１２のアルキル基、フッ素原子で置換されてい
ても良いフェニル基を示す）で表されるフッ化物塩の濃
度が１質量％以下、及び／又は、ＮＲ4ＨＦ2（Ｒは前記
に定義されたとおりである）で表される重フッ化物塩の
濃度が0.001〜１質量％、水濃度が１０質量％以下、残
部がイソプロピルアルコール、エタノール及びメタノー
ルからなる群から選ばれる少なくとも１種である請求項
２に記載の洗浄液組成物。 - 【請求項６】ＮＲ4Ｆ（Ｒは水素又はフッ素原子で置換
されていても良い直鎖若しくは分枝を有する炭素数１〜
１２のアルキル基、フッ素原子で置換されていても良い
フェニル基を示す）で表されるフッ化物塩の濃度が１質
量％以下、及び／又は、ＮＲ4ＨＦ2（Ｒは前記に定義さ
れたとおりである）で表される重フッ化物塩の濃度が0.
001〜１質量％、水濃度が２０〜４０質量％、残部がア
セトンである請求項２に記載の洗浄液組成物。 - 【請求項７】 さらに(4)界面活性剤を含有する請求項
１〜６のいずれかに記載の洗浄液組成物。 - 【請求項８】 請求項１〜７のいずれかに記載された洗
浄液組成物を用いて、メタルゲート、コンタクトホール
及びキャパシタを洗浄する方法。 - 【請求項９】 半導体基板のシリコン基板上の絶縁層膜
及びその上に形成された導電層からなる被加工層上にレ
ジストのパターンを形成し、該レジストをマスクにし
て、ドライエッチングにより前記被加工層を所定パター
ンに形成した後、請求項１〜７のいずれかに記載された
洗浄液組成物を用いて洗浄する工程を含む半導体装置の
製造方法。 - 【請求項１０】半導体基板のシリコン基板上の所定パタ
ーンに導電層を形成した後絶縁層を形成し、該絶縁層か
らなる被加工層上にレジストのパターンを形成し、該レ
ジストをマスクにして、ドライエッチングにより前記被
加工層を所定パターンに形成した後、請求項１〜７のい
ずれかに記載された洗浄液組成物を用いて洗浄する工程
を含む半導体装置の製造方法。
Priority Applications (8)
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|---|---|---|---|
| JP2000152072A JP2001332526A (ja) | 2000-05-23 | 2000-05-23 | メタルゲート、コンタクトホール及びキャパシタ洗浄液組成物 |
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