JPH09330981A

JPH09330981A - 半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH09330981A
Application number: JP15091596A
Authority: JP
Inventors: Tetsuo Aoyama; 哲男青山; Takashi Hasemi; 隆司長谷見; Hidetoshi Ikeda; 英俊池田; Hideto Goto; 日出人後藤; Koichi Mizobuchi; 孝一溝渕
Original assignee: Texas Instruments Japan Ltd; Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Current assignee: Texas Instruments Japan Ltd; Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Priority date: 1996-06-12
Filing date: 1996-06-12
Publication date: 1997-12-22

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体基板上に下層金属膜と上層金属膜の配線
接続のために層間絶縁膜となるＣＶＤ酸化膜を形成し、
そこに設けられたヴィアホールの洗浄工程に於いて、特
に下層金属膜およびＣＶＤ酸化膜を腐食、溶解すること
なく、ヴィアホールの如きホールを設定通り形成しつ
つ、ホール部のサイズの拡張を防止し、且つ低温、短時
間で側壁保護堆積膜を除去でき、信頼性の高い半導体装
置の製造方法を提供する【解決手段】半導体装置製造工程において、フォトレジ
ストによるマスク形成を行った後、ドライエッチングに
よりヴィアホールを形成させる。その際にヴィアホール
内部および周囲に生じる側壁保護堆積膜を、第四級アン
モニウム塩とフッ素化合物を含有する水溶液からなる半
導体装置洗浄剤を用いて除去する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はヴィアホールを有す
る半導体装置の製造方法に関し、詳しくは半導体装置製
造工程において、半導体基板上に形成された金属膜であ
る導電パターン層（以下、下層金属膜と称す）とその上
に形成される絶縁膜層上の所定箇所にフォトレジストに
よるマスク形成を行った後、該絶縁膜層上に形成される
上部金属膜導電パターン層（以下、上層金属膜と称す）
とを接続するためにドライエッチングによりヴィアホー
ルを形成する際、ヴィアホール内部および周辺に生成す
る堆積ポリマーを効率的に除去する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】超大規模集積回路（ＵＬＳＩ）などの半
導体装置を製造するに当たり、導電膜や絶縁膜パターン
加工時には、多くの場合ドライエッチング技術が採用さ
れている。ところがドライエッチング技術では、パター
ン加工後にパターン周辺にドライエッチングガスやフォ
トレジスト及び被加工膜により側壁保護堆積膜（以下、
「堆積ポリマー」と呼ぶ）が生成することが知られてい
る。このような堆積ポリマーが特に絶縁膜に形成される
ヴィアホール内部に残存すると、接合不良や高抵抗化、
即ちヴィア抵抗の増加を招いたり、著しく短絡を生じた
りすることになり、半導体装置としての信頼性を著しく
損なうこととなる。

【０００３】この堆積ポリマーを除去する方法として堆
積ポリマーの生成が微量な場合は、堆積ポリマーは、ア
ッシング及びレジスト剥離用有機溶剤（一般的にはアル
カリ性または酸性のものを使用）の併用で除去が可能で
あるが、レジスト剥離用有機溶剤は70℃以上の高温下で
使用しなければならず、さらにリンス液としてアルコー
ルを使用する等、頻雑な工程を必要とする欠点がある。

【０００４】また堆積ポリマーが多量に生成した場合に
は、フッ化水素酸やバッファードフッ酸（フッ化水素酸
とフッ化アンモニウムの混合液）を用いた洗浄液で処理
することで、除去することができる。しかしながら、洗
浄液にこのようなフッ素化合物等を用いた方法では、例
えば半導体基板上に形成された下層金属膜として、タン
グステンや窒化チタン若しくはそれらからなる合金のよ
うにフッ素化合物に対し比較的耐食性の高いものを使用
する場合は有効ではあるが、フッ素化合物に対し比較的
耐食性の低いアルミニウム、若しくはアルミニウムを含
む合金からなる金属膜を使用した場合は、前記フッ素化
合物がそれら金属を腐食、溶解、若しくは変質すること
により、ヴィアホールを介して上層金属膜との接続不良
をきたし、電気信頼性は全く得られなくなる。またタン
グステンや窒化チタン若しくはそれらからなる合金のよ
うにフッ素化合物に対し比較的耐食性の高いものを使用
する場合でも、該フッ素化合物を使用することにより、
下層金属膜の上層に形成される絶縁膜であるノンドープ
ＣＶＤ酸化膜を侵食、溶解し、ホール部のサイズが拡張
される欠点を有している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、半導
体基板上に、タングステン、チタン、もしくはそれらの
合金、チタン・タングステン合金、窒化チタン、または
アルミニウムもしくはその合金の単層膜、或いはこれら
のうち何れか２種以上の膜を用いた積層膜であるノンド
ープＣＶＤ酸化膜からなる絶縁膜層を形成した後、該絶
縁膜層にヴィアホールである貫通孔を形成するに際し、
前記金属膜およびＣＶＤ酸化膜を腐食、溶解することな
く、さらにヴィアホール部のサイズの拡張を防止し、且
つ低温、短時間で堆積ポリマーを除去でき、ヴイア抵抗
が小さく、信頼性の優れた半導体装置の製造方法を提供
することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、半導体基
板上に下層金属膜と上層金属膜の配線接続のために、層
間絶縁膜となるノンドープＣＶＤ酸化膜に設けられるヴ
ィアホールの洗浄工程に於いて、ドライエッチングによ
り、ヴィアホールを形成した後に、生成する堆積ポリマ
ーを、第四級アンモニウム塩とフッ素化合物を含有する
水溶液を用いることにより、下層金属膜の上層およびＣ
ＶＤ酸化膜を腐食することなく、且つ低温、短時間で除
去できることになり、上記した本発明の目的を達成でき
ることを見い出し、本発明に到達した。

【０００７】すなわち本発明は、半導体基板上に導電パ
ターン層を形成し、前記導電パターン層上に絶縁膜層を
形成した後、前記絶縁膜層上にヴィアホール形成用レジ
ストマスクを所定パターンに形成し、ドライエッチング
により前記絶縁膜層にヴィアホールを形成した後、レジ
ストマスクを除去した状態で、前記ヴィアホール内部お
よび周辺に残存する堆積ポリマーを、一般式［（Ｒ¹）
₃Ｎ−Ｒ］⁺Ｘ^-（Ｒは炭素数１〜４のアルキル基また
は炭素数１〜４のヒドロキシル置換アルキル基、Ｒ¹は
炭素数１〜４のアルキル基、Ｘは無機酸基または有機酸
基）で表される第四級アンモニウム塩とフッ素化合物を
含有する水溶液である半導体装置洗浄剤によって処理す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法である。

【０００８】本発明において半導体基板上に、タングス
テン、チタン、もしくはそれらの合金、チタン・タング
ステン合金、窒化チタン、またはアルミニウムもしくは
その合金の単層膜、或いはこれらのうち何れか２種以上
の膜を用いた積層膜が用いられる。また上層のＣＶＤ酸
化膜には、単層膜、若しくは積層膜であるノンドープＣ
ＶＤ酸化膜が用いられる。更に半導体装置洗浄剤には、
第四級アンモニウム塩とフッ素化合物に、さらにアミド
類、ラクトン類、アルコール類、エステル類、グリコー
ルエーテル類及びニトリル類から選ばれた一種以上の有
機溶剤を含有する水溶液が用いられる。

【０００９】

【発明の実施の形態】本発明に使用される第四級アンモ
ニウム塩は次式に表される。〔（Ｒ¹）₃Ｎ−Ｒ〕⁺Ｘ^- （Ｒは炭素数１〜４のアルキル基又は炭素数１〜４のヒ
ドロキシル置換アルキル基、Ｒ¹は炭素数１〜４のアル
キル基、Ｘは無機酸基又は有機酸基を示す。）このような一般式で表される第四級アンモニウム塩とし
ては、テトラメチルアンモニウムギ酸塩、テトラメチル
アンモニウム酢酸塩、テトラメチルアンモニウムプロピ
オン酸塩、テトラメチルアンモニウム酪酸塩、テトラメ
チルアンモニウムシュウ酸塩、テトラメチルアンモニウ
ムマロン酸塩、テトラメチルアンモニウムマレイン酸
塩、テトラメチルアンモニウムフマル酸塩、テトラメチ
ルアンモニウムシトラコン酸塩、テトラメチルアンモニ
ウム安息香酸塩、テトラメチルアンモニウムトルイル酸
塩、テトラメチルアンモニウムフタル酸塩、テトラメチ
ルアンモニウムアクリル酸塩、トリメチル（２−ヒドロ
キシエチル）アンモニウムギ酸塩、トリメチル（２−ヒ
ドロキシエチル）アンモニウム酢酸塩、トリメチル（２
−ヒドロキシエチル）アンモニウム安息香酸塩、トリメ
チル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムフタル酸
塩、テトラエチルアンモニウムギ酸塩、テトラエチルア
ンモニウム酢酸塩、テトラプロピルアンモニウムギ酸
塩、テトラプロピルアンモニウム酢酸塩、テトラブチル
アンモニウムギ酸塩、テトラブチルアンモニウム酢酸
塩、テトラメチルアンモニウムホウ酸塩、テトラメチル
アンモニウムリン酸塩、テトラメチルアンモニウム硫酸
塩、トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム
ホウ酸塩、トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモ
ニウムリン酸塩、トリメチル（２−ヒドロキシエチル）
アンモニウム硫酸塩等が挙げられる。本発明の半導体装
置洗浄剤における第四級アンモニウム塩の濃度は１〜５
０重量％、好ましくは３〜４０重量％の範囲で使用され
る。第四級アンモニウム塩の濃度が１重量％以下では配
線材料への腐食が激しく、５０重量％より高い場合には
堆積ポリマーの除去速度が遅くなり好ましくない。

【００１０】本発明の半導体装置洗浄剤におけるフッ素
化合物としては、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、
フッ化水素アンモニウム、ホウフッ化アンモニウム、フ
ッ化テトラメチルアンモニウム、フッ化水素テトラメチ
ルアンモニウム等が挙げられる。フッ素化合物の濃度は
０．１〜１５重量％、好ましくは０．５〜１０重量％で
ある。フッ素化合物の濃度が０．１重量％より低い濃度
では堆積ポリマーの除去速度が遅く、１５重量％より高
い濃度では配線材料への腐食が激しくなる。

【００１１】本発明でさらに添加される有機溶剤として
は、ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−
ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド類、γ−ブチロラ
クトン等のラクトン類、メタノール、エタノール、イソ
プロパノール、エチレングリコール等のアルコール類、
酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳
酸エチル等のエステル類エチレングリコールモノブチル
エーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、
ジエチレングリコールモノエチルエーテル等のグリコー
ルエーテル類、およびアセトニトリル、プロピオニトリ
ル、ブチロニトリル等のニトリル類が挙げられる。有機
溶剤の濃度は１〜５０重量％、好ましくは５〜４０重量
％である。有機溶剤が１重量％より低い濃度では配線材
料の腐食が激しくなり、また半導体装置洗浄剤の粘度が
高くなり、５０重量％より高い濃度では堆積ポリマーの
除去速度が遅くなる。

【００１２】本発明による半導体装置洗浄剤は、半導体
基板上に下層金属膜を形成し、その上層にＣＶＤ酸化膜
からなる絶縁膜層を形成した後、該絶縁膜層をレジスト
マスクにより所定パターンに形成後、ドライエッチング
で加工し、ヴィアホールを形成する際、ドライエッチン
グ後にレジストマスクを除去した状態で用いられる。特
にドライエッチング時に用いるエッチングガスとレジス
トマスクおよび被加工層とによりヴィアホール内部およ
び周辺に生じた堆積ポリマーを除去する場合に好適に用
いられる。

【００１３】堆積ポリマーを除去する際の本発明の半導
体装置洗浄剤の温度は、通常、常温、例えば１８〜２５
℃で充分であるが、堆積ポリマーの除去速度が著しく遅
い場合には、例えば３０〜６０℃に加熱して使用され
る。また洗浄温度及び洗浄時間は、堆積ポリマーの状
態、および配線材料の種類を考慮して、適宜選択され
る。堆積ポリマーを除去する洗浄方法としては、被処理
半導体基板を本発明による半導体装置洗浄剤に浸漬する
洗浄方法、または同基板に回転を加えながら本洗浄剤を
シャワー状に噴霧、吐出または、連続的あるいは間欠的
に滴下する洗浄方法を行い、乾燥を経て終了する。

【００１４】

【実施例】以下、実施例により本発明を更に具体的に説
明する。但し本発明はこれらの実施例により制限される
ものではない。実施例に用いる上層および下層金属膜の
構造を図４に示す。本発明に係わる実施例の説明は、特
にフッ化物に対して比較的耐食性の低い、アルミニウ
ム、若しくは少なくともアルミニウムを含む合金を使用
した場合の単層、若しくは積層からなる金属膜について
行うものとする。

【００１５】比較例１図１（ａ）に示すように、半導体基板上に図４（ａ）に
示す下層からの窒化チタン8 −アルミニウム合金(Al-Si
-Cu)9 −窒化チタン8 の積層構造を持つ下層金属膜３と
ＣＶＤ酸化膜２を形成し、次いでレジストマスク層１を
塗布し、通常のプロジェクション法により所定のパター
ンに露光し、通常の現像処理法によって開口部を形成し
た。次いで、図１（ｂ）に示すようにドライエッチン
グ法によりヴィアホールを形成し、レジストマスクをプ
ラズマアッシング及びアルカリ性有機溶剤、若しくは酸
性有機溶剤により剥離した。この結果、堆積ポリマー４
が残存することが認められ、この方法のみでは堆積ポリ
マーを除去することは困難であることが確認された。

【００１６】実施例１図１（ｃ）は、本発明の半導体装置洗浄剤を用いて図１
（ｂ）の半導体装置を洗浄した後の構造を示す。半導体
装置洗浄剤にはフッ化アンモニウム／テトラメチルアン
モニウムギ酸塩／ホルムアミド／水が５／１０／４０／
４５（重量％）の溶液を用いて２３℃で１０分間洗浄後
水洗した。図１（ｃ）から、本発明の半導体装置洗浄剤
を用いることにより、図１（ｂ）の堆積ポリマー４が完
全除去され、清浄化されたことが分かる。図１（ｄ）
は、ヴィアホールを介して、その上層に図４（ａ）に示
した構造の金属膜５（以下、「上層金属膜５」と呼ぶ）
と下層金属膜３との接合を行った後の構造を示す。本発
明の半導体装置洗浄剤を用いて堆積ポリマーが完全除去
され、清浄化されたので、上層金属膜５と下層金属膜３
が正常に接続されたことが分かる。

【００１７】実施例２実施例１に用いた図１（ｂ）と同一の半導体装置をフッ
化アンモニウム／テトラメチルアンモニウムギ酸塩／水
が３／４５／５２（重量％）の組成の溶液を用い、２３
℃で１５分間洗浄した後、水洗した。その結果、堆積ポ
リマー４は完全に除去できたが、下層金属膜３の浸食が
認められ、更にＣＶＤ酸化膜層（ノンドープＣＶＤ酸化
膜）２の著しい広がりが認められた。

【００１８】実施例３実施例１に用いた図１（ｂ）と同一の半導体装置を、フ
ッ化アンモニウム／テトラメチルアンモニウムギ酸塩／
ホルムアミド／水が１０／１０／４０／３５（重量％）
の組成の溶液を用い、２３℃で１０分間洗浄を行った。
その結果、下層金属膜３の浸食が認められ、更にＣＶＤ
酸化膜層（ノンドープＣＶＤ酸化膜）２を腐食すること
なく、堆積ポリマー４が完全に除去され清浄化された。

【００１９】比較例２実施例１に用いた図１（ｂ）と同一の半導体装置を用
い、フッ化アンモニウム１０重量％の水溶液を用い２３
℃で１０分間洗浄を行った。その結果、堆積ポリマー４
は完全に除去できたが下層金属膜３の腐食が認められ、
更にＣＶＤ酸化膜層（ノンドープＣＶＤ酸化膜）２の著
しい広がりが認められた。

【００２０】比較例３実施例１に用いた図１（ｂ）と同一の半導体装置を用
い、テトラメチルアンモニウムギ酸塩２０重量％水溶液
を用い、２３℃で２０分間洗浄を行った。その結果堆積
ポリマー４は除去できなかった。

【００２１】比較例４実施例１に用いた図１（ｂ）と同一の半導体装置を用い
テトラメチルアンモニウムギ酸塩２０重量％、Ｎ，Ｎ−
ジメチルホルムアミド２０重量％の水溶液を用い２３℃
で２０分間洗浄を行った。その結果、堆積ポリマー４は
除去できなかった。

【００２２】比較例５図３（ａ）に示すように、半導体基板上に下層金属膜３
とＣＶＤ酸化膜層（ノンドープＣＶＤ酸化膜）２を形成
し、次いでレジストマスク層１を塗布し、通常のプロジ
ェクション法により所定のパターンに露光し、通常の現
像処理法によって開口部を形成した。次いで、図３
（ｂ）に示すようにドライエッチング法によりヴィアホ
ールを形成した後、レジストマスクをプラズマアッシン
グ及びアルカリ性有機溶剤、若しくは酸性有機溶剤によ
り剥離し、その後堆積ポリマー４をバッファードフッ酸
を用いて除去した。この際、図３（ｃ）に示した如くヴ
ィアホールを形成するＣＶＤ酸化膜層（ノンドープＣＶ
Ｄ酸化膜）２がバッファードフッ酸により腐食、溶解
し、ヴィアホール径が拡張すると同時に、下層金属膜３
が、バッファードフッ酸により腐食、溶解し、矢印６で
示した如く徐々に後退した。このため上層金属膜５と下
層金属膜３を、ヴィアホールを介して、接続させようと
しても、図３（ｄ）に示すように下層金属膜３の後退に
より空洞部７が形成され、同部での接続が正常に行われ
ず、半導体装置の信頼性が著しく低下させることとなっ
た。

【００２３】実施例４実施例１の如き下層および上層金属膜の積層構造が図４
（ａ）とは異なる金属である、図４（ｂ）に示す下層か
らチタン10−窒化チタン8 −タングステン11の３層構造
や、図４（ｃ）に示す下層からチタン10−窒化チタン8
−タングステン11−窒化チタン8 の４層構造を持つ下層
金属膜3 を用いた場合でも本発明による半導体装置洗浄
剤の効果が得られることが認められた。従来アルミニウ
ムもしくはその合金を下層金属膜として用い、その上層
に酸化膜を形成して該酸化膜にヴィアホールをドライエ
ッチングにより形成した後、堆積ポリマーの除去し、上
層に形成する金属膜と接続する際には前述の如き重大な
欠陥である配線の接続不良が発生していた。しかし、前
記図４（ｂ）、図４（ｃ）に使用する金属膜層の場合
は、堆積ポリマーの除去を希釈されたフッ化水素酸、若
しくはバッファードフッ酸を用いて行い、その後上層に
形成する金属膜との接続を行っていた。本発明の半導体
装置洗浄剤は、前記図４（ｂ）、図４（ｃ）に使用する
金属膜層は勿論、アルミニウムもしくはその合金に対し
ても優れた信頼性をもって使用でき、効果があることが
認められた。図２は、上記の効果を明確化するために示
したデータである。図４（ｂ）に示すチタン10−窒化チ
タン8 −タングステン11の３層構造の金属膜層について
バッファードフッ酸を用いた場合と、実施例１に記載の
半導体装置洗浄剤を用いた場合のヴィア抵抗値を比較し
たものである。この図より、本発明の半導体装置洗浄剤
は市販のバッファードフッ酸と同等の効果が得られてい
ることが分かる。

【００２４】

【発明の効果】以上の如く本発明による半導体装置洗浄
剤は、従来の下層金属膜に、例えばタングステンやチタ
ン窒化物からなる金属膜のようにフッ素化合物に対し比
較的耐食性の高いものを使用した場合でも、またフッ素
化合物に対し比較的耐食性の低いアルミニウム、若しく
は少なくともアルミニウムを含む合金を用いた場合で
も、ヴィアホールを形成する際、前記金属膜およびヴィ
アホールを形成するＣＶＤ酸化膜を腐食することなく堆
積ポリマーのみを除去することができる。このことによ
り、高信頼性が要求される６４Meg ＤＲＡＭを中心とす
る超高集積半導体装置（ＵＬＳＩ）のヴィアホール部の
導電層の接合を、高信頼性、高品質に達成することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１および比較例１における半導体装置の
断面図を示す。（ａ）マスク形成工程まで終了した時点での構造を示
す。（ｂ）ドライエッチングの後、マスクになっていたレジ
ストをアッシングおよび有機溶剤による洗浄により除去
した後の構造を示す。（ｃ）本発明の半導体装置洗浄剤を用いて図１（ｂ）の
半導体装置を洗浄した後の構造を示す。（ｄ）本発明による半導体装置洗浄剤を用いて半導体装
置を洗浄した後、ヴィアホールを通して下層金属膜と上
層金属膜を接続した後の構造を示す。

【図２】比較例４における説明図であり、従来のバッフ
ァードフッ酸によりヴィアホールの堆積ポリマーを除去
した場合と、本発明の半導体装置洗浄剤を用いてヴィア
ホールの堆積ポリマーを除去した場合のヴィア抵抗値を
比較したものである。

【図３】比較例５における半導体装置の断面図を示す。（ａ）マスク形成工程まで終了した時点での構造を示
す。（ｂ）ドライエッチングの後、マスクになっていたレジ
ストをアッシングおよび有機溶剤により除去した後の構
造を示す。（ｃ）バッファードフッ酸を用いて半導体装置を洗浄し
た後の構造を示す。（ｄ）バッファードフッ酸を用いて半導体装置を洗浄し
た後、ヴィアホールを通して下層金属膜と上層金属膜の
接続（不完全接続した状態）を行った後の構造を示す。

【図４】実施例に用いる上層および下層金属膜の構造を
示す。（ａ）上層および下層金属膜の何れか一方、若しくは両
方に窒化チタンとアルミニウムを含む合金であるＡｌ−
Ｓｉ−ＣｕまたはＡｌ−Ｃｕを積層膜として使用した場
合の具体例を示す。（ｂ）上層および下層金属膜の何れか一方、若しくは両
方にチタン、窒化チタン、さらにタングステンを積層膜
として使用した場合の具体例を示す。（ｃ）（ｂ）に示した具体例の変形例を示す。

【符号の説明】

１フォトレジスト２ＣＶＤ酸化膜３下層金属膜４堆積ポリマー５上層金属膜７空洞部８窒化チタン９Ａｌ−Ｓｉ−ＣｕまたはＡｌ−Ｃｕ１０チタン１１タングステン

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者池田英俊新潟県新潟市太夫浜字新割182番地三菱瓦斯化学株式会社新潟研究所内 (72)発明者後藤日出人茨城県稲敷郡美浦村木原2350 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社内 (72)発明者溝渕孝一茨城県稲敷郡美浦村木原2350 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板上に導電パターン層を形成し、
前記導電パターン層上に絶縁膜層を形成した後、前記絶
縁膜層上にヴィアホール形成用レジストマスクを所定パ
ターンに形成し、ドライエッチングにより前記絶縁膜層
にヴィアホールを形成した後、レジストマスクを除去し
た状態で、前記ヴィアホール内部及び周辺に残存する側
壁保護堆積膜を、一般式［（Ｒ¹）₃Ｎ−Ｒ］⁺Ｘ
^-（Ｒは炭素数１〜４のアルキル基または炭素数１〜４
のヒドロキシル置換アルキル基、Ｒ¹は炭素数１〜４の
アルキル基、Ｘは無機酸基または有機酸基）で表される
第四級アンモニウム塩とフッ素化合物を含有する水溶液
である半導体装置洗浄剤によって除去することを特徴と
する半導体装置の製造方法。
【請求項２】半導体基板上の前記導電パターン層は、タ
ングステン、チタン、もしくはそれらの合金、チタン・
タングステン合金、窒化チタン、またはアルミニウムも
しくはその合金の単層膜、或いはこれらのうち何れか２
種以上の膜を用いた積層膜である請求項１記載の半導体
装置の製造方法。
【請求項３】前記絶縁膜層が実質的にノンドープＣＶＤ
酸化膜からなる単層膜、若しくは積層膜である請求項１
又は請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】半導体装置洗浄剤が、更にアミド類、ラク
トン類、アルコール類、エステル類およびニトリル類か
ら選ばれた一種以上の有機溶剤を含有する水溶液である
請求項１〜３何れか記載の半導体装置の製造方法。