JPH0917796A - 配線形成方法 - Google Patents
配線形成方法Info
- Publication number
- JPH0917796A JPH0917796A JP18466795A JP18466795A JPH0917796A JP H0917796 A JPH0917796 A JP H0917796A JP 18466795 A JP18466795 A JP 18466795A JP 18466795 A JP18466795 A JP 18466795A JP H0917796 A JPH0917796 A JP H0917796A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring layer
- film
- photoresist film
- oxygen plasma
- plasma treatment
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 アルミニム・銅合金の配線層からＣｕグレイ
ンが抜け出ることなく、また配線層の側壁にポリマー膜
が残らないようにできる配線形成方法を提供する。 【構成】 本発明方法は、絶縁膜１２上に形成されたア
ルミニム・銅合金からなる配線層１４上にホトレジスト
膜のマスクパターン１６を形成する工程と、マスクパタ
ーンをマスクにして配線層を塩素系反応ガスを使用して
エッチングする工程と、第１次酸素プラズマ処理により
ホトレジスト膜の表面から所定深さまでホトレジスト膜
を除去する工程と、アミン系有機溶剤を使用してウエハ
を洗浄し、ホトレジスト膜残部を除去する工程と、配線
層側壁に付着している有機ポリマー成分を第２次酸素プ
ラズマ処理により除去する工程とを有する。
ンが抜け出ることなく、また配線層の側壁にポリマー膜
が残らないようにできる配線形成方法を提供する。 【構成】 本発明方法は、絶縁膜１２上に形成されたア
ルミニム・銅合金からなる配線層１４上にホトレジスト
膜のマスクパターン１６を形成する工程と、マスクパタ
ーンをマスクにして配線層を塩素系反応ガスを使用して
エッチングする工程と、第１次酸素プラズマ処理により
ホトレジスト膜の表面から所定深さまでホトレジスト膜
を除去する工程と、アミン系有機溶剤を使用してウエハ
を洗浄し、ホトレジスト膜残部を除去する工程と、配線
層側壁に付着している有機ポリマー成分を第２次酸素プ
ラズマ処理により除去する工程とを有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、配線形成方法に関し、
更に詳細には配線層上に成膜する層間絶縁膜のカバレー
ジを良好にするように配線層を形成する方法に関するも
のである。
更に詳細には配線層上に成膜する層間絶縁膜のカバレー
ジを良好にするように配線層を形成する方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の微細化及び高集積化に伴
い、配線層の微細化及び積層化が、益々進んでいる。そ
のため、従来は、配線層はアルミニウム単味、アルミニ
ウム・シリコン合金で形成されていたが、配線層の微細
化及び積層化の要求を満足するために、配線層はアルミ
ニウム・銅合金で形成されるようになった来た。以下
に、従来のアルミニウム・銅合金による配線形成方法を
説明する。先ず、図３（ａ）に示すように、層間絶縁膜
１２上にスパッタリング法によりアルミニム・銅合金か
らなる配線層１４を堆積する。次いで、図３（ｂ）に示
すように、ホトレジスト膜を成膜し、ホトリソグラフィ
法によりマスクパターン１６を形成する。図３（ａ）
中、１０は半導体基板である。
い、配線層の微細化及び積層化が、益々進んでいる。そ
のため、従来は、配線層はアルミニウム単味、アルミニ
ウム・シリコン合金で形成されていたが、配線層の微細
化及び積層化の要求を満足するために、配線層はアルミ
ニウム・銅合金で形成されるようになった来た。以下
に、従来のアルミニウム・銅合金による配線形成方法を
説明する。先ず、図３（ａ）に示すように、層間絶縁膜
１２上にスパッタリング法によりアルミニム・銅合金か
らなる配線層１４を堆積する。次いで、図３（ｂ）に示
すように、ホトレジスト膜を成膜し、ホトリソグラフィ
法によりマスクパターン１６を形成する。図３（ａ）
中、１０は半導体基板である。
【０００３】次いで、塩素系反応ガスによりエッチング
してパターンに従った配線１２を形成する。エッチング
の際、図４（ｃ）に示すように、配線層１４を垂直にエ
ッチングするために、エッチング進行中の配線層１４の
側壁にポリマー膜２２を形成し、異方性エッチングを行
う技術が採用されている。ここで言うポリマー膜２２と
は、反応ガス、アルミニム・銅合金、ホトレジスト材、
層間絶縁膜の構成材料間での反応により生成した反応生
成物である。生成されたポリマーの組成により、アルミ
ニム、銅等の金属を多く含むメタルポリマーと、ホトレ
ジスト材、層間絶縁膜等の有機成分を多く含む有機系ポ
リマーとに大別される。図４（ｃ）に示すように、エッ
チング初期の段階では、アルミニム、銅、ホトレジスト
材を主成分とするメタルポリマー膜１８が形成される。
してパターンに従った配線１２を形成する。エッチング
の際、図４（ｃ）に示すように、配線層１４を垂直にエ
ッチングするために、エッチング進行中の配線層１４の
側壁にポリマー膜２２を形成し、異方性エッチングを行
う技術が採用されている。ここで言うポリマー膜２２と
は、反応ガス、アルミニム・銅合金、ホトレジスト材、
層間絶縁膜の構成材料間での反応により生成した反応生
成物である。生成されたポリマーの組成により、アルミ
ニム、銅等の金属を多く含むメタルポリマーと、ホトレ
ジスト材、層間絶縁膜等の有機成分を多く含む有機系ポ
リマーとに大別される。図４（ｃ）に示すように、エッ
チング初期の段階では、アルミニム、銅、ホトレジスト
材を主成分とするメタルポリマー膜１８が形成される。
【０００４】一方、図４（ｄ）に示すように、エッチン
グ後期の段階では、層間絶縁膜の材料、ホトレジスト材
を主成分とする有機系ポリマーが形成される。ポリマー
膜が形成された状態で、図４（ｅ）に示すように、溶剤
洗浄でホトレジスト膜を除去すると、ポリマー膜はその
まま残存する。この状態で、次に、配線層１４上に層間
絶縁膜を成膜すると、層間絶縁膜のカバレージが悪くな
るので、ポリマー膜を除去することが必要である。そこ
で、基板に対して損傷を与えず、しかもポリマー膜を確
実に除去するために、従来、アミン系有機溶剤で洗浄す
る方法が採用されている。
グ後期の段階では、層間絶縁膜の材料、ホトレジスト材
を主成分とする有機系ポリマーが形成される。ポリマー
膜が形成された状態で、図４（ｅ）に示すように、溶剤
洗浄でホトレジスト膜を除去すると、ポリマー膜はその
まま残存する。この状態で、次に、配線層１４上に層間
絶縁膜を成膜すると、層間絶縁膜のカバレージが悪くな
るので、ポリマー膜を除去することが必要である。そこ
で、基板に対して損傷を与えず、しかもポリマー膜を確
実に除去するために、従来、アミン系有機溶剤で洗浄す
る方法が採用されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のアルミ
ニウム・銅合金による配線層の形成方法では、ホトレジ
スト膜及び配線層に付着したポリマー膜の双方をアミン
系有機溶剤により洗浄、除去しようとしているために二
つの問題があった。第１には、アミノ基（ＮＨ2 −）は
メタル系ポリマー膜を溶解、除去するために溶剤に含ま
れているが、配線層を構成する金属に対しても活性が高
く、そこで、アミン系有機溶剤には、メタル保護膜を生
成して金属を保護する保護薬剤が添加されている。しか
し、アルミニム・銅合金配線層では、アルミニムと銅と
の界面に保護薬剤が進入し難く、イオン化傾向の高いア
ルミニムが溶出し、アルミニムの溶出の進行と共に銅の
グレインが抜け出ると言う問題があった。かかる現象が
発生すると、配線層の断面積が小さくなってエレクトロ
マイグレーション或いはストレスマイグレーションが発
生し、配線層の信頼性が低下する。第２には、アミン系
有機溶剤は、配線層側壁のメタル系ポリマー膜を除去で
きるが、配線層側壁下部の有機系ポリマー膜を除去でき
ないと言う問題があった。ポリマー膜が残留すると、そ
の上に成膜する層間絶縁膜のカバレージが悪くなり、絶
縁不良等の配線層の信頼性が低下すると共に、層間絶縁
膜の平坦性が阻害される。
ニウム・銅合金による配線層の形成方法では、ホトレジ
スト膜及び配線層に付着したポリマー膜の双方をアミン
系有機溶剤により洗浄、除去しようとしているために二
つの問題があった。第１には、アミノ基（ＮＨ2 −）は
メタル系ポリマー膜を溶解、除去するために溶剤に含ま
れているが、配線層を構成する金属に対しても活性が高
く、そこで、アミン系有機溶剤には、メタル保護膜を生
成して金属を保護する保護薬剤が添加されている。しか
し、アルミニム・銅合金配線層では、アルミニムと銅と
の界面に保護薬剤が進入し難く、イオン化傾向の高いア
ルミニムが溶出し、アルミニムの溶出の進行と共に銅の
グレインが抜け出ると言う問題があった。かかる現象が
発生すると、配線層の断面積が小さくなってエレクトロ
マイグレーション或いはストレスマイグレーションが発
生し、配線層の信頼性が低下する。第２には、アミン系
有機溶剤は、配線層側壁のメタル系ポリマー膜を除去で
きるが、配線層側壁下部の有機系ポリマー膜を除去でき
ないと言う問題があった。ポリマー膜が残留すると、そ
の上に成膜する層間絶縁膜のカバレージが悪くなり、絶
縁不良等の配線層の信頼性が低下すると共に、層間絶縁
膜の平坦性が阻害される。
【０００６】そこで、本発明の目的は、アルミニム・銅
合金の配線層からＣｕグレインが抜け出ることなく、ま
た配線層の側壁にポリマー膜が残らないようにできる配
線形成方法を提供することである。
合金の配線層からＣｕグレインが抜け出ることなく、ま
た配線層の側壁にポリマー膜が残らないようにできる配
線形成方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る配線形成方法は、絶縁膜上に形成され
たアルミニム・銅合金からなる配線層上にホトレジスト
膜のマスクパターンを形成する工程と、マスクパターン
をマスクにして配線層をエッチングする工程と、第１次
酸素プラズマ処理によりホトレジスト膜の表面から所定
深さまでホトレジスト膜を除去する工程と、アミン系有
機溶剤を使用してウエハを洗浄し、ホトレジスト膜残部
及び配線層側壁に付着しているメタル系ポリマー膜を除
去する工程と、配線層側壁に付着している有機ポリマー
成分を第２次酸素プラズマ処理により除去する工程とを
有することを特徴としている。
に、本発明に係る配線形成方法は、絶縁膜上に形成され
たアルミニム・銅合金からなる配線層上にホトレジスト
膜のマスクパターンを形成する工程と、マスクパターン
をマスクにして配線層をエッチングする工程と、第１次
酸素プラズマ処理によりホトレジスト膜の表面から所定
深さまでホトレジスト膜を除去する工程と、アミン系有
機溶剤を使用してウエハを洗浄し、ホトレジスト膜残部
及び配線層側壁に付着しているメタル系ポリマー膜を除
去する工程と、配線層側壁に付着している有機ポリマー
成分を第２次酸素プラズマ処理により除去する工程とを
有することを特徴としている。
【０００８】配線層をエッチングする条件は、反応ガス
に塩素系ガスを使用した通常の条件でよい。本発明方法
で使用するアミン系有機溶剤は、ホトレジスト膜を溶
解、除去できる有機溶剤成分と、配線層側壁に付着して
いるメタル系ポリマー膜を除去できるアミノ基（ＮＨ2
−）成分とを含有する溶剤である限り、特に限定はな
い。また、第１次酸素プラズマ処理の工程で残すホトレ
ジスト膜は、配線層上に少なくとも０．５ｎｍ残ってお
れば良い。第２次酸素プラズマ処理工程は、第１次酸素
プラズマ処理工程と同じで条件で処理時間を長くする。
に塩素系ガスを使用した通常の条件でよい。本発明方法
で使用するアミン系有機溶剤は、ホトレジスト膜を溶
解、除去できる有機溶剤成分と、配線層側壁に付着して
いるメタル系ポリマー膜を除去できるアミノ基（ＮＨ2
−）成分とを含有する溶剤である限り、特に限定はな
い。また、第１次酸素プラズマ処理の工程で残すホトレ
ジスト膜は、配線層上に少なくとも０．５ｎｍ残ってお
れば良い。第２次酸素プラズマ処理工程は、第１次酸素
プラズマ処理工程と同じで条件で処理時間を長くする。
【０００９】
【実施例】以下、添付図面を参照し、実施例に基づいて
本発明をより詳細に説明する。図１（ａ）から（ｃ）及
び図２（ｄ）から（ｆ）は、本発明方法を実施する際の
各工程毎の層構造を示す基板断面図である。本発明方法
では、先ず、図１（ａ）に示すように、膜厚６００ｎｍ
のＢＰＳＧ膜とその上の膜厚３０ｎｍのＴＥＯＳＣＶＤ
膜からなる絶縁膜１２上にＡl ：Ｃｕが９９．５％：
０．５％のアルミニム・銅合金からなる膜厚５００ｎｍ
の配線層１４を形成した。図１（ａ）中、１０は半導体
基板である。次いで、図１（ｂ）に示すように、次い
で、配線層１４上に膜厚１．１９μmのホトレジスト膜
１６のマスクパターンを形成した。
本発明をより詳細に説明する。図１（ａ）から（ｃ）及
び図２（ｄ）から（ｆ）は、本発明方法を実施する際の
各工程毎の層構造を示す基板断面図である。本発明方法
では、先ず、図１（ａ）に示すように、膜厚６００ｎｍ
のＢＰＳＧ膜とその上の膜厚３０ｎｍのＴＥＯＳＣＶＤ
膜からなる絶縁膜１２上にＡl ：Ｃｕが９９．５％：
０．５％のアルミニム・銅合金からなる膜厚５００ｎｍ
の配線層１４を形成した。図１（ａ）中、１０は半導体
基板である。次いで、図１（ｂ）に示すように、次い
で、配線層１４上に膜厚１．１９μmのホトレジスト膜
１６のマスクパターンを形成した。
【００１０】続いて、図１（ｃ）に示すように、マスク
パターン１６をマスクにして配線層１４を塩素系反応ガ
スを使用して次の条件でエッチングした。この段階で、
メタル系ポリマー膜１８と、有機系ポリマー膜２０とか
らなるポリマー膜２２が配線層１４の側壁に形成され
る。 エッチング条件 エッチャー ：日立製作所製のＭ３０８ＡＴ ガス ：ＢＣｌ3 ／Ｃｌ2 ：６０sccm／９０sccm 圧力 ：１０６４Pa（８m torr） ＲＦ出力 ：６０ｗ マイクロ波 ：３００ｍＡ 処理時間 ：計６０秒（正味３５秒＋オーバーエッチ
ング２５秒）
パターン１６をマスクにして配線層１４を塩素系反応ガ
スを使用して次の条件でエッチングした。この段階で、
メタル系ポリマー膜１８と、有機系ポリマー膜２０とか
らなるポリマー膜２２が配線層１４の側壁に形成され
る。 エッチング条件 エッチャー ：日立製作所製のＭ３０８ＡＴ ガス ：ＢＣｌ3 ／Ｃｌ2 ：６０sccm／９０sccm 圧力 ：１０６４Pa（８m torr） ＲＦ出力 ：６０ｗ マイクロ波 ：３００ｍＡ 処理時間 ：計６０秒（正味３５秒＋オーバーエッチ
ング２５秒）
【００１１】次に、第１次酸素プラズマ処理を施し、図
２（ｄ）に示すように、マスクパターンのホトレジスト
膜１６の表面から所定深さ、表面から約０．３μm の深
さまでホトレジスト膜を除去した。 アッシャー ：Ｒａｍｃｏ製の平行平板型プラズマアッ
シャ−ＲＡＭ２５０ ガス ：Ｏ2 ／８００sccm 圧力 ：１０６．４ｋPa ＲＦ出力 ：１０００Ｗ 処理時間 ：１０分 これにより、配線層１４上に保護膜を形成することがで
きた。また、ホトレジスト膜１６は、配線層１４上に約
０．９μm の膜厚で残っていた。尚、ホトレジスト膜１
６は、少なくとも０．５μm 残っておれば良い。
２（ｄ）に示すように、マスクパターンのホトレジスト
膜１６の表面から所定深さ、表面から約０．３μm の深
さまでホトレジスト膜を除去した。 アッシャー ：Ｒａｍｃｏ製の平行平板型プラズマアッ
シャ−ＲＡＭ２５０ ガス ：Ｏ2 ／８００sccm 圧力 ：１０６．４ｋPa ＲＦ出力 ：１０００Ｗ 処理時間 ：１０分 これにより、配線層１４上に保護膜を形成することがで
きた。また、ホトレジスト膜１６は、配線層１４上に約
０．９μm の膜厚で残っていた。尚、ホトレジスト膜１
６は、少なくとも０．５μm 残っておれば良い。
【００１２】次いで、次の条件で、図２（ｅ）に示すよ
うに、アミン系有機溶剤を使用してホトレジスト膜１６
を洗浄、除去した。 洗浄装置 ：セミツール製のＷＳＳＴ 洗浄液 ：ＥＫＣ製の商品名ＥＫＣ−２６５ 温度 ：６５°Ｃ 処理時間 ：１５分 洗浄、除去の際には、まず上述の工程を経たウエハをイ
ソプロピルアルコールに約１０秒間浸漬して濡れ性を確
保し、ＥＫＣ−２６５により１５分間洗浄し、イソプロ
ピルアルコールで６分間リンスし、更に純水で８分間洗
浄し、イソプロピルアルコールを純水で置換した。これ
により、ホトレジスト膜１６の残部及びメタル系ポリマ
ー膜１８を除去することができた。
うに、アミン系有機溶剤を使用してホトレジスト膜１６
を洗浄、除去した。 洗浄装置 ：セミツール製のＷＳＳＴ 洗浄液 ：ＥＫＣ製の商品名ＥＫＣ−２６５ 温度 ：６５°Ｃ 処理時間 ：１５分 洗浄、除去の際には、まず上述の工程を経たウエハをイ
ソプロピルアルコールに約１０秒間浸漬して濡れ性を確
保し、ＥＫＣ−２６５により１５分間洗浄し、イソプロ
ピルアルコールで６分間リンスし、更に純水で８分間洗
浄し、イソプロピルアルコールを純水で置換した。これ
により、ホトレジスト膜１６の残部及びメタル系ポリマ
ー膜１８を除去することができた。
【００１３】 ＥＫＣ−２６５の組成（ＥＫＣ社製） ２−（２アミノエトキシ）エタノール（OC2H2NH2)2CHCH2OH)：約５５％ ヒドロキシアミン（NH2OH) ：約２０％ カテコール（HO(C6H6)OH) ：約５％ 水（H2O) ：約２０％ ＥＫＣ−２６５のうち、２−（２アミノエトキシ）エタ
ノールはホトレジスト材料を、ヒドロキシアミンはメタ
ル系ポリマーをそれぞれ溶解、除去し、カテコールは防
腐食剤である。
ノールはホトレジスト材料を、ヒドロキシアミンはメタ
ル系ポリマーをそれぞれ溶解、除去し、カテコールは防
腐食剤である。
【００１４】次に、以下の条件で、第２次酸素プラズマ
処理を施し、図２（ｆ）に示すように、配線層１４の側
壁に残留している有機系ポリマーを除去した。 アッシャー ：Ｒａｍｃｏ製の平行平板型プラズマアッ
シャ−ＲＡＭ２５０ ガス ：Ｏ2 ／８００sccm 圧力 ：１０６．４ｋPa ＲＦ出力 ：１０００Ｗ 処理時間 ：９０分
処理を施し、図２（ｆ）に示すように、配線層１４の側
壁に残留している有機系ポリマーを除去した。 アッシャー ：Ｒａｍｃｏ製の平行平板型プラズマアッ
シャ−ＲＡＭ２５０ ガス ：Ｏ2 ／８００sccm 圧力 ：１０６．４ｋPa ＲＦ出力 ：１０００Ｗ 処理時間 ：９０分
【００１５】以上の実施例方法により得た配線層１４を
観察すると、メタル系ポリマー及び有機系ポリマーが完
全に除去されており、しかも配線層１４からＣｕグレイ
ンが抜け落ちる現象も発生しなかった。また、第２次酸
素プラズマ処理は、下地絶縁膜１２の表面荒れの改善に
も寄与することを確認できた。本実施例は、本発明方法
を具体的に説明するための例であって、本実施例で挙げ
た配線層成膜工程、エッチング工程、第１次酸素プラズ
マ工程、アミン系有機溶剤によるホトレジスト膜除去工
程、及び第２次酸素プラズマ工程等の条件、処理時間、
使用反応ガス及び薬剤等は、本発明方法の要旨を逸脱し
ない限り、改変できる。
観察すると、メタル系ポリマー及び有機系ポリマーが完
全に除去されており、しかも配線層１４からＣｕグレイ
ンが抜け落ちる現象も発生しなかった。また、第２次酸
素プラズマ処理は、下地絶縁膜１２の表面荒れの改善に
も寄与することを確認できた。本実施例は、本発明方法
を具体的に説明するための例であって、本実施例で挙げ
た配線層成膜工程、エッチング工程、第１次酸素プラズ
マ工程、アミン系有機溶剤によるホトレジスト膜除去工
程、及び第２次酸素プラズマ工程等の条件、処理時間、
使用反応ガス及び薬剤等は、本発明方法の要旨を逸脱し
ない限り、改変できる。
【００１６】
【発明の効果】本発明方法の構成によれば、ホトレジス
ト膜を除去するためのアミン系有機溶剤処理の前後に第
１次及び第２次酸素プラズマ処理を施すことにより、配
線層のＣｕグレインの離脱を防止しつつ従来の配線形成
方法では配線層のパターニングの後に配線層側壁に残留
し勝ちであったメタル系ポリマー及び有機系ポリマーを
完全に除去できる。本発明方法を使用することにより、
従来、配線層上に層間絶縁膜を成膜する際に生じていた
カバレージの悪さを大幅に改善することができ、従って
配線層間の絶縁不良等の発生を防止できる。
ト膜を除去するためのアミン系有機溶剤処理の前後に第
１次及び第２次酸素プラズマ処理を施すことにより、配
線層のＣｕグレインの離脱を防止しつつ従来の配線形成
方法では配線層のパターニングの後に配線層側壁に残留
し勝ちであったメタル系ポリマー及び有機系ポリマーを
完全に除去できる。本発明方法を使用することにより、
従来、配線層上に層間絶縁膜を成膜する際に生じていた
カバレージの悪さを大幅に改善することができ、従って
配線層間の絶縁不良等の発生を防止できる。
【図１】図１（ａ）から（ｃ）は、本発明方法を実施す
る際の各工程毎の層構造を示す基板断面図である。
る際の各工程毎の層構造を示す基板断面図である。
【図２】図２（ｄ）から（ｆ）は、図１（ｃ）に引き続
いて、本発明方法を実施する際の各工程毎の層構造を示
す基板断面図である。
いて、本発明方法を実施する際の各工程毎の層構造を示
す基板断面図である。
【図３】図３（ａ）及び（ｂ）は、従来の配線形成方法
を実施する際の各工程毎の層構造を示す基板断面図であ
る。
を実施する際の各工程毎の層構造を示す基板断面図であ
る。
【図４】図４（ｃ）から（ｅ）は、従来の配線形成方法
を実施する際の各工程毎の層構造を示す基板断面図であ
る。
を実施する際の各工程毎の層構造を示す基板断面図であ
る。
１０ 基板 １２ 絶縁膜 １４ 配線層 １６ マスクパターン １８ メタル系ポリマー膜 ２０ 有機系ポリマー膜 ２２ ポリマー膜
Claims (1)
- 【請求項１】 絶縁膜上に形成されたアルミニム・銅合
金からなる配線層上にホトレジスト膜のマスクパターン
を形成する工程と、 マスクパターンをマスクにして配線層をエッチングする
工程と、 第１次酸素プラズマ処理によりホトレジスト膜の表面か
ら所定深さまでホトレジスト膜を除去する工程と、 アミン系有機溶剤を使用してウエハを洗浄し、ホトレジ
スト膜残部及び配線層側壁に付着しているメタル系ポリ
マー膜を除去する工程と、 配線層側壁に付着している有機ポリマー成分を第２次酸
素プラズマ処理により除去する工程とを有することを特
徴とする配線形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18466795A JPH0917796A (ja) | 1995-06-28 | 1995-06-28 | 配線形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18466795A JPH0917796A (ja) | 1995-06-28 | 1995-06-28 | 配線形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0917796A true JPH0917796A (ja) | 1997-01-17 |
Family
ID=16157257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18466795A Pending JPH0917796A (ja) | 1995-06-28 | 1995-06-28 | 配線形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0917796A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990059076A (ko) * | 1997-12-30 | 1999-07-26 | 김영환 | 반도체 소자의 금속 배선 부식 방지 방법 |
| US6375859B1 (en) * | 1999-02-04 | 2002-04-23 | International Business Machines Corporation | Process for resist clean up of metal structures on polyimide |
| SG94741A1 (en) * | 2000-01-21 | 2003-03-18 | Chartered Semiconductor Mfg | Method of residual resist removal after etching of aluminum or aluminum alloy films in chlorine containing plasma |
-
1995
- 1995-06-28 JP JP18466795A patent/JPH0917796A/ja active Pending
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