JP2021150331A - ウエハの洗浄方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本発明の一実施形態に係るウエハの洗浄方法に用いるウエハ10を示す模式図であって、(a)はウエハ10の正面図、(b)は(a)のA−A’断面の一部を示す図である。
次に、上述したようなウエハ10の洗浄方法について図2を参照しつつ詳説する。なお、本実施形態においては、ウエハの洗浄に枚葉式洗浄装置を使用している。枚葉式洗浄とは、ウェット洗浄方法の一つであり、ウエハに液体を噴射する洗浄方法をいう。
第一洗浄工程においては、まず、ウエハ10に対して、枚葉式洗浄装置から第一洗浄液W1が噴射される。このとき、第一洗浄液W1は表面張力や粘度が低いアルコールを主成分とするため、ウエハ10の凹部2に入り込み易い。よって、ウエハ10の表面1だけではなく、高アスペクト比の凹部2の内部に残留する微粒子等の汚染物質も良好に除去することができる。
第二洗浄工程においては、まず、第一洗浄液W1が表面1に残留したウエハ10に対して、枚葉式洗浄装置から第二洗浄液W2が噴射される。このとき、第二洗浄液W2は超純水を主成分とするため、通常であればウエハ10の凹部2との間に作用する表面張力の影響で、凹部2に入り込み難いところ、凹部2の内部に残留する第一洗浄液W1が第二洗浄液W2に置換されるので、図2(b)に示すように、残留する第一洗浄液W1を流しつつ、高アスペクト比の凹部2の内部まで第二洗浄液W2を十分に洗浄することができる。
図1に示すウエハ10に対して、第一洗浄工程としてイソプロピルアルコール(IPA)で15秒間の洗浄を行った。連続して、第二洗浄工程として、超純水で60秒間の洗浄を行った。超純水はウエハ10の孔の内部まで浸水し、洗浄終了後のウエハ10上に残留する30nm以上の微粒子数は20個であった。
図1に示すウエハ10に対して、第一洗浄工程としてエタノールで15秒間の洗浄を行った。連続して、第二洗浄工程として、超純水で60秒間の洗浄を行った。超純水はウエハ10の孔の内部まで浸水し、洗浄後のウエハ10に残留する30nm以上の微粒子数は20個であった。
図1に示すウエハ10に対して、超純水のみで60秒間の洗浄を行った。超純水はウエハ10の孔の内部まで浸水せず、洗浄後のウエハ10に残留する30nm以上の微粒子数は20,000個であった。
図1に示すウエハ10に対して、超純水のみで1,200秒間の洗浄を行った。超純水はウエハ10の孔の内部まで浸水し、洗浄後のウエハ10上に残留する30nm以上の微粒子数は20個であった。
図1に示すウエハ10に対して、IPAのみで60秒間の洗浄を行った。IPAはウエハ10の孔の内部まで浸水したが、IPAに含まれる微粒子の影響により、洗浄後のウエハ10上に残留する30nm以上の微粒子数は200個であった。
図1に示すウエハ10に対して、エタノールのみで60秒間の洗浄を行った。エタノールはウエハ10の孔の内部まで浸水したが、エタノールに含まれる微粒子の影響により、洗浄後のウエハ10上に残留する30nm以上の微粒子数は200個であった。
図1に示すウエハ10に対して、界面活性剤の一つであるラウリルベタインで15秒間の洗浄を行った。連続して、超純水で60秒間の洗浄を行った。ラウリルベタインはウエハ10の孔の内部まで浸水したが、ラウリルベタインから超純水への置換が十分に行われず、ラウリルベタインに含まれる微粒子の影響により、洗浄後のウエハ10上に残留する30nm以上の微粒子数は1000個であった。
図1に示すウエハ10に対して、ラウリルベタインで15秒間の洗浄を行った。連続して、超純水で1,200秒間の洗浄を行った。ラウリルベタインはウエハ10の孔の内部まで浸水し、洗浄後のウエハ10上に残留する30nm以上の微粒子数は100個であった。
1 表面
2 凹部
21 凹部の幅
22 凹部の深さ
W1 第一洗浄液
W2 第二洗浄液
Claims (4)
- ウエハの表面をアルコールを主成分とする第一洗浄液で洗浄する第一洗浄工程と、
前記第一洗浄工程後のウエハの表面を超純水を主成分とする第二洗浄液で洗浄する第二洗浄工程とを備えるウエハの洗浄方法。 - 前記第一洗浄工程と前記第二洗浄工程を連続して行う請求項1に記載のウエハの洗浄方法。
- 前前記第二洗浄工程の洗浄時間が60秒以下である請求項1又は請求項2に記載のウエハの洗浄方法。
- 前記第一洗浄液のアルコールがイソプロピルアルコール又はエタノールである請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のウエハの洗浄方法。
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JP2001332526A (ja) * | 2000-05-23 | 2001-11-30 | Daikin Ind Ltd | メタルゲート、コンタクトホール及びキャパシタ洗浄液組成物 |
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