JP2001305752A - 微細パターン用ポリマー剥離液組成物 - Google Patents

微細パターン用ポリマー剥離液組成物

Info

Publication number
JP2001305752A
JP2001305752A JP2000125237A JP2000125237A JP2001305752A JP 2001305752 A JP2001305752 A JP 2001305752A JP 2000125237 A JP2000125237 A JP 2000125237A JP 2000125237 A JP2000125237 A JP 2000125237A JP 2001305752 A JP2001305752 A JP 2001305752A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
water
concentration
mass
polymer
substituted
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000125237A
Other languages
English (en)
Inventor
Takehiko Kezuka
健彦 毛塚
Mitsushi Itano
充司 板野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Daikin Industries Ltd
Original Assignee
Daikin Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Daikin Industries Ltd filed Critical Daikin Industries Ltd
Priority to JP2000125237A priority Critical patent/JP2001305752A/ja
Priority to US10/257,944 priority patent/US6831048B2/en
Priority to TW090110148A priority patent/TWI288777B/zh
Priority to EP01925952A priority patent/EP1277830A4/en
Priority to CN01808514A priority patent/CN1426452A/zh
Priority to KR1020027014274A priority patent/KR100540525B1/ko
Priority to PCT/JP2001/003620 priority patent/WO2001081525A1/ja
Publication of JP2001305752A publication Critical patent/JP2001305752A/ja
Priority to US10/948,306 priority patent/US20050054549A1/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
    • H01L21/02063—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers the processing being the formation of vias or contact holes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/02—Inorganic compounds ; Elemental compounds
    • C11D3/04—Water-soluble compounds
    • C11D3/042—Acids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/43—Solvents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/02—Inorganic compounds
    • C11D7/04—Water-soluble compounds
    • C11D7/10—Salts
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/50—Solvents
    • C11D7/5004—Organic solvents
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/423—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral acids or salts thereof, containing mineral oxidizing substances, e.g. peroxy compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10—Objects to be cleaned
    • C11D2111/14—Hard surfaces
    • C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】金属に対する低腐食性とポリマーの高剥離性を
兼ね備えたポリマー剥離液を提供する。 【解決手段】(1)フッ化水素酸とアンモニア、ヒドロキ
シルアミン類、脂肪族アミン類、芳香族アミン類、脂肪
族ないし芳香族第４級アンモニウム塩からなる群から選
ばれるフッ化物塩及び重フッ化物塩の少なくとも１種；
(2)アルコール類及びケトン類からなる少なくとも１種
の含酸素有機溶媒；及び(3)水を含むことを特徴とする
ポリマー剥離液組成物。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ポリマー剥離液組
成物に関し、詳しくは、ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子或
いは液晶パネル素子の製造に好適に使用される微細パタ
ーン用ポリマー剥離液組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術及びその課題】ＩＣやＬＳＩ等の半導体素
子や液晶パネル素子は、基板上に形成されたアルミニウ
ム、銅、アルミニウム−銅合金等の導電性金属膜やＳｉ
Ｏ2膜等の絶縁膜上にフォトレジストを均一に塗布し、
リソグラフィー技術によりレジストパターンを形成し、
導電性金属膜や絶縁膜を選択的にエッチングし、残存す
るレジストをアッシング、ポリマー剥離液等により除去
して製造されている。
【０００３】微細パターン用ポリマー剥離液としては、
例えば特開平９−１９７６８１号公報及び特開２０００
−４７４０１号公報に記載されるように、フッ化水素酸
塩水溶液に、ＤＭＦ、ＤＭＳＯなどの水溶性有機溶媒、
必要に応じてさらにフッ化水素酸を加えたものが知られ
ている。しかしながら、金属に対する低腐食性とポリマ
ーの高剥離性は両立することが困難であり、従来のポリ
マー剥離液はこれらのバランスにおいて改善の余地があ
った。
【０００４】本発明は、ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子或
いは液晶パネル素子の製造に好適に使用される、金属に
対する低腐食性とポリマーの高剥離性を兼ね備えたポリ
マー剥離液を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、下記のポリマ
ー剥離液を提供するものである。 項１． (1)フッ化水素酸とアンモニア、ヒドロキシル
アミン類、脂肪族アミン類、芳香族アミン類、脂肪族な
いし芳香族第４級アンモニウム塩からなる群から選ばれ
るフッ化物塩及び重フッ化物塩の少なくとも１種；(2)
アルコール類及びケトン類からなる少なくとも１種の含
酸素有機溶媒；及び(3)水を含むことを特徴とするポリ
マー剥離液組成物。 項２． 含酸素有機溶媒がイソプロピルアルコール、エ
タノール及びメタノールからなる群から選ばれる少なく
とも１種であり、水の濃度が１０重量％以下である項１
に記載のポリマー剥離液組成物。 項３． 含酸素有機溶媒がアセトンであり、水の濃度が
２０〜４０重量％である項１に記載のポリマー剥離液組
成物。 項４． ＮＲ4Ｆ（Ｒは水素又はＲはフッ素原子で置換
されていても良い炭素数１〜１２の直鎖又は分枝を有す
る低級アルキル基、フッ素原子で置換されていても良い
フェニル基を示す）で表されるフッ化物塩の濃度が１質
量％以下及び／又はＮＲ4ＨＦ2（Ｒは前記に定義された
とおりである）で表される重フッ化物塩の濃度が0.001
〜１質量％、水濃度が１０質量％以下、残部がイソプロ
ピルアルコール、エタノール及びメタノールからなる群
から選ばれる少なくとも１種である項１に記載のポリマ
ー剥離液組成物。 項５． ＮＲ4Ｆ（Ｒは水素又はＲはフッ素原子で置換
されていても良い炭素数１〜４の直鎖又は分枝を有する
低級アルキル基、フッ素原子で置換されていても良いフ
ェニル基を示す）で表されるフッ化物塩の濃度が１質量
％以下及び／又はＮＲ4ＨＦ2（Ｒは前記に定義されたと
おりである）で表される重フッ化物塩の濃度が0.001〜
１質量％、水濃度が２０〜４０質量％、残部がアセトン
である項１に記載のポリマー剥離液組成物。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明において、フッ化水素酸と
塩形成するヒドロキシルアミン類としては、ヒドロキシ
ルアミン、N-メチルヒドロキシルアミン、N,N-ジメチル
ヒドロキシルアミン、N-エチルヒドロキシルアミン、N,
N-ジエチルヒドロキシルアミン、N-プロピルヒドロキシ
ルアミン、N-フェニルヒドロキシルアミンなどの炭素数
１〜４の直鎖又は分枝を有する低級アルキル基又はフェ
ニル基で１又は２置換されたヒドロキシルアミンが挙げ
られる。
【０００７】脂肪族アミン類としては、メチルアミン、
エチルアミン、プロピルアミン、イソプロピルアミン、
ブチルアミン、ヘキシルアミン、オクチルアミン、ジメ
チルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジイ
ソプロピルアミン、ジブチルアミン、トリメチルアミ
ン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリイソ
プロピルアミン、トリブチルアミンなどの炭素数１〜８
の直鎖又は分枝を有する低級アルキル基で１、２または
３置換された脂肪族アミン、モノフルオロメチルアミ
ン、ジフルオロメチルアミン、トリフルオロメチルアミ
ン、パーフルオロエチルアミン、パーフルオロプロピル
アミン、パーフルオロイソプロピルアミン、パーフルオ
ロブチルアミン、パーフルオロヘキシルアミン、パーフ
ルオロオクチルアミン、ジ（パーフルオロメチル）アミ
ン、ジ（パーフルオロエチル）アミン、ジ（パーフルオ
ロプロピル）アミン、ジ（パーフルオロイソプロピル）
アミン、ジ（パーフルオロブチル）アミン、トリ（パー
フルオロメチル）アミン、トリ（パーフルオロエチル）
アミン、トリ（パーフルオロプロピル）アミン、トリ
（パーフルオロイソプロピル）アミン、トリ（パーフル
オロブチル）アミンなどの炭素数１〜８の直鎖又は分枝
を有する少なくとも１つのフッ素原子含有低級アルキル
基で１、２または３置換された脂肪族アミン、モノエタ
ノールアミン、エチレンジアミン、２−（２−アミノエ
チルアミノ）エタノール、ジエタノールアミン、ジプロ
ピルアミン、２−エチルアミノエタノール、ジメチルア
ミノエタノール、エチルジエタノールアミンなどが、シ
クロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミンが挙げら
れる。
【０００８】芳香族アミン類としては、アニリン、N-メ
チルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、ベンジルアミ
ン、ジベンジルアミン、Ｎ−メチルベンジルアミンなど
が挙げられる。
【０００９】脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウム塩
としては、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルア
ンモニウム、テトラプロピルアンモニウム、テトライソ
プロピルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム、ト
リメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム、テト
ラフェニルアンモニウムなどの脂肪族ないし芳香族第４
級アンモニウムの塩酸塩、臭化水素酸塩、硫酸塩、硝酸
塩などの鉱酸塩が挙げられる。
【００１０】本発明のフッ化水素酸塩は、フッ化水素酸
（ＨＦ）とアンモニア、ヒドロキシルアミン類、脂肪族
アミン類または芳香族アミン類の１対１の塩、または、
脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウムのフッ化水素酸
塩である。好ましいフッ化水素酸塩は、ＮＲ4Ｆ（Ｒは
水素又はフッ素原子で置換されていても良い炭化水素基
を示す）で表されるフッ化物塩が挙げられる。
【００１１】本発明の重フッ化水素酸塩は、フッ化水素
酸（ＨＦ）とアンモニア、ヒドロキシルアミン類、脂肪
族アミン類または芳香族アミン類の１対２の塩、また
は、脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウムのフッ化水
素酸塩である。好ましいフッ化水素酸塩は、ＮＲ4ＨＦ2
（Ｒは水素又はフッ素原子で置換されていても良い炭化
水素基を示す）で表される重フッ化物塩が挙げられる。
【００１２】アルコール類としては、メタノール、エタ
ノール、n-プロパノール、イソプロパノール(IPA)が挙
げられる。
【００１３】ケトン類としては、アセトン、メチルエチ
ルケトン、1,3-ジヒドロキシアセトンなどが挙げられ
る。
【００１４】本発明のポリマー剥離液組成物は、アルコ
ール類を溶媒とした場合、通常(1)フッ化物塩及び重フ
ッ化物塩の少なくとも１種を０．００１〜１質量％、
(2)含酸素有機溶媒８９〜９９．９８９質量％、及び(3)
水を０．０１〜１０質量％含み；好ましくは(1)フッ化
物塩及び重フッ化物塩の少なくとも１種を０．００５〜
０．１質量％、(2)含酸素有機溶媒８９．９．９〜９
９．９８５質量％、及び(3)水を０．０１〜１０質量％
含む。
【００１５】ケトン類を溶媒とした場合、通常(1)フッ
化物塩及び重フッ化物塩の少なくとも１種を０．００１
〜１質量％、(2)含酸素有機溶媒５９〜７９．９９９質
量％、及び(3)水を２０〜４０質量％含み；好ましくは
(1)フッ化物塩及び重フッ化物塩の少なくとも１種を
０．００５〜０．１質量％、(2)含酸素有機溶媒５９．
９〜７９．９９５質量％、及び(3)水を２０〜４０質量
％含む。
【００１６】本発明のポリマー剥離液組成物を用いたポ
リマーの剥離は、被処理物（例えばビアホール、コンタ
クトホールを有する半導体基板）を該組成物溶液に浸漬
し、例えば１５〜４０℃程度で０．５〜３０分間程度処
理することにより行うことができる。
【００１７】本発明のポリマー剥離液のＴＨＯＸ及びＢ
ＰＳＧに対するエッチングレートが２５℃で１００Å／
ｍｉｎ以下、好ましくは８０Å／ｍｉｎ以下、より好ま
しくは６０Å／ｍｉｎ以下、特に５０Å／ｍｉｎ以下で
ある。
【００１８】本発明のエッチング液に含まれる一水素二
フッ化アンモニウムは、一水素二フッ化アンモニウムの
結晶又は水溶液を加えてもよく、理論量のフッ化アンモ
ニウムとＨＦを加えて、エッチング液中で一水素二フッ
化アンモニウムを形成させてもよい。
【００１９】本発明のエッチング液に含まれるフッ化ア
ンモニウムは、フッ化アンモニウムの結晶又は水溶液が
利用できる。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、腐食され易いＡｌ、Ａ
ｌ−Ｃｕ、Ｃｕ、Ｗ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等
の基板や金属に対する低腐食性を有し、レジスト等に由
来するポリマーを低温且つ短時間の処理で高い剥離性を
備えたポリマー剥離液を提供することができる。
【００２１】本発明のポリマー剥離液組成物は、ネガ型
及びポジ型レジストを含めてアルカリ水溶液を用いて現
像できるレジストに有利に使用できる。前記レジストと
しては、（ｉ）ナフトキノンジアジド化合物とノボラッ
ク樹脂を含有するポジ型レジスト、（ｉｉ）露光により
酸を発生する化合物、酸により分解しアルカリ水溶液に
対する溶解性が増大する化合物及びアルカリ可溶性樹脂
を含有するポジ型レジスト、（ｉｉｉ）露光により酸を
発生する化合物、酸により分解しアルカリ水溶液に対す
る溶解性が増大する基を有するアルカリ可溶性樹脂を含
有するポジ型レジスト、及び（ｉｖ）光により酸を発生
する化合物、架橋剤及びアルカリ可溶性樹脂を含有する
ネガ型レジスト等が挙げられるが、これに限定されるも
のではない。
【００２２】
【実施例】以下、本発明を実施例および比較例を用いて
より詳細に説明する。
【００２３】なお、以下において、酸化膜のエッチング
レートはＲｕｄｏｌｆ Ｒｅａｓｅａｃｈ社 Ａｕｔｏ
ＥＬ−ＩＩＩエリプソメーターを用いてエッチング前
後の膜厚を測定することで行った。
【００２４】エッチング液のエッチングレートは、各エ
ッチング液を２５℃で各膜をエッチングし、エッチング
処理前の膜厚とエッチング処理後の膜厚の差をエッチン
グ時間で割って算出したものである。 実施例１〜８及び比較例１〜５ 以下に示される組成のポリマー剥離液を、常法に従い製
造した。 実施例１：NH4・HF2(0.01wt%)、水(0.3wt%)、残りIPA； 実施例２：NH4・HF2(0.085wt%)、水(0.3wt%)、残りIP
A； 実施例３：NH4・HF2(0.01wt%)、NH4F(0.065wt%)、水(7.
5wt%)、残りIPA； 実施例４：(CH3)4N・HF2(0.3wt%)、水(7.5wt%)、残りIP
A； 実施例５：C8H17NH3・HF2(0.5wt%)、水(7.5wt%)、残りI
PA； 実施例６：NH4・HF2(0.085wt%)、NH4F(0.11wt%)、水(7.
5wt%)、残りMeOH； 実施例７：NH4・HF2(0.085wt%)、NH4F(0.11wt%)、水(7.
5wt%)、残りEtOH； 実施例８：NH4・HF2(0.04wt%)、NH4F(0.10wt%)、水(35w
t%)、残りアセトン； 比較例１：HF(5wt%)、水(5wt%)、残りアセトン； 比較例２：HF(5wt%)、水(5wt%)、残りＩＰＡ； 比較例３：0.29wt%アンモニア水； 比較例４：0.5wt%フッ酸； 比較例５：HF(0.125wt%)、NH4F(40wt%)、残り水。 試験例１：メタル腐食試験Ｉ ２２℃のポリマー剥離液２２０ｇに、3cm×3cmのCuテス
トピース、Al、Ｗウェハを別々に１０分間浸漬し、薬液
中に溶出したＣｕ、Ａｌ、Ｗ濃度をＩＣＰ−ＭＳで測定
し、エッチングレートを算出した。結果を表１に示す。
【００２５】
【表１】
【００２６】試験例２：メタル腐食試験II 実施例１のポリマー剥離液（NH4・HF2(0.01wt%)、水(0.
3wt%)、残りIPA）において、NH4・HF2の濃度を0.01wt%
で固定し、水及びＩＰＡの比率を以下の表２（水の量の
みを示し、残部はＩＰＡ）に示されるように変えて、試
験例１と同一の条件下で薬液中に溶出したＣｕ、Ａｌ、
Ｗ濃度をＩＣＰ−ＭＳで測定し、エッチングレートを算
出した。結果を表２に示す。
【００２７】
【表２】
【００２８】試験例３：メタル腐食試験III アセトンを溶媒としたポリマー剥離液（NH4・HF2(0.04w
t%)、水、残りアセトン）において、NH4HF2の濃度を0.0
4wt%で固定し、水及びＩＰＡの比率を以下の表２（水の
量のみを示し、残部はＩＰＡ）に示されるように変え
て、試験例１と同一の条件下で薬液中に溶出したＣｕ、
Ａｌ、Ｗ濃度をＩＣＰ−ＭＳで測定し、エッチングレー
トを算出した。結果を表３に示す。
【００２９】
【表３】
【００３０】試験例４：メタル腐食試験IV 実施例１及び比較例５のポリマー剥離液を用い、3cm×3
cmのTiNウエハ及びＷウェハについて試験例１と同様に
して腐食試験を行った。結果を表４に示す。
【００３１】
【表４】
【００３２】試験例５：ポリマー剥離性能試験Ｉ 表面にＡｌを蒸着したシリコンウェハ上に、常法に従い
ナフトキノン／ノボラック樹脂系のポジ型フォトレジス
トからなるレジストパターンを形成した。得られたレジ
ストパターンを有するシリコンウェハを、常法に従いメ
タルドライエッチング処理し、次いで、酸素ガスでアッ
シング処理して残存するレジストを除去した。
【００３３】得られた表面に金属配線を有するシリコン
ウェハを、実施例１〜８及び比較例１〜４のいずれかの
ポリマー剥離液に２５℃で１０分間浸漬しポリマーの剥
離処理を行った。処理したウェハを純水でリンス処理
し、シリコンウェハのアッシング残渣（ポリマー性デポ
物）の剥離状況及び配線メタルの腐食の有無をＳＥＭ
（走査型電子顕微鏡）の写真観察により評価した。ポリ
マー性デポ物の剥離状況は、「良好」、「不完全」の２
段階評価、配線メタル腐食の有無は腐食の「有り」、
「無し」の２段階評価とした。結果を表５に示す。
【００３４】
【表５】
【００３５】試験例６：ポリマー剥離性能試験II 表面に層間絶縁膜、その下層にＡｌ配線層(Ti/TiN層−
Ａｌ層−Ti/TiN層の３層構成)を有するシリコンウェハ
上に、常法に従いナフトキノン／ノボラック樹脂系のポ
ジ型フォトレジストからなるレジストパターンを形成し
た。得られたレジストパターンを有するシリコンウェハ
を、常法に従い酸化膜ドライエッチング処理し、ビアホ
ールを形成した。次いで、酸素ガスでアッシング処理を
行い、残存するレジストを除去した。
【００３６】得られたビアホールを有するシリコンウェ
ハを、実施例１〜８及び比較例１〜４のいずれかのポリ
マー剥離液に２５℃で１０分間浸漬しポリマーデポ物の
剥離処理を行った。処理したウェハを純水でリンス処理
し、シリコンウェハのアッシング残渣（ポリマー性デポ
物）の剥離状況及び配線メタルの腐食の有無をＳＥＭ
（走査型電子顕微鏡）の写真観察により評価した。前記
ポリマー性デポ物の剥離状況は、「良好」、「不完全」
の２段階評価、配線メタル腐食の有無は腐食の「有
り」、「無し」の２段階評価とした。結果を表６に示
す。
【００３７】
【表６】
【００３８】試験例７：絶縁膜のエッチングレート 実施例１〜８，比較例１〜４のポリマー剥離液に、シリ
コン基板表面に熱酸化膜、ＢＰＳＧ膜、ＮＳＧ膜を各々
形成した試験基板を２５℃でエッチングし、それぞれの
膜に対するエッチングレートを求めた。結果を表７に示
す。なお、表中のエッチングレートは、いずれも（Å／
ｍｉｎ）である。
【００３９】
【表７】
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H096 AA25 AA27 LA03 4J038 RA02 RA03 RA12 5F043 CC16 GG10 5F046 MA02

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】(1)フッ化水素酸とアンモニア、ヒドロキ
    シルアミン類、脂肪族アミン類、芳香族アミン類、脂肪
    族ないし芳香族第４級アンモニウム塩からなる群から選
    ばれるフッ化物塩及び重フッ化物塩の少なくとも１種；
    (2)アルコール類及びケトン類からなる少なくとも１種
    の含酸素有機溶媒；及び(3)水を含むことを特徴とする
    ポリマー剥離液組成物。
  2. 【請求項２】含酸素有機溶媒がイソプロピルアルコー
    ル、エタノール及びメタノールからなる群から選ばれる
    少なくとも１種であり、水の濃度が１０重量％以下であ
    る請求項１に記載のポリマー剥離液組成物。
  3. 【請求項３】含酸素有機溶媒がアセトンであり、水の濃
    度が２０〜４０重量％である請求項１に記載のポリマー
    剥離液組成物。
  4. 【請求項４】ＮＲ4Ｆ（Ｒは水素又はＲはフッ素原子で
    置換されていても良い炭素数１〜１２の直鎖又は分枝を
    有する低級アルキル基、フッ素原子で置換されていても
    良いフェニル基を示す）で表されるフッ化物塩の濃度が
    １質量％以下及び／又はＮＲ4ＨＦ2（Ｒは前記に定義さ
    れたとおりである）で表される重フッ化物塩の濃度が0.
    001〜１質量％、水濃度が１０質量％以下、残部がイソ
    プロピルアルコール、エタノール及びメタノールからな
    る群から選ばれる少なくとも１種である請求項１に記載
    のポリマー剥離液組成物。
  5. 【請求項５】ＮＲ4Ｆ（Ｒは水素又はＲはフッ素原子で
    置換されていても良い炭素数１〜１２の直鎖又は分枝を
    有する低級アルキル基、フッ素原子で置換されていても
    良いフェニル基を示す）で表されるフッ化物塩の濃度が
    １質量％以下及び／又はＮＲ4ＨＦ2（Ｒは前記に定義さ
    れたとおりである）で表される重フッ化物塩の濃度が0.
    001〜１質量％、水濃度が２０〜４０質量％、残部がア
    セトンである請求項１に記載のポリマー剥離液組成物。
JP2000125237A 2000-04-26 2000-04-26 微細パターン用ポリマー剥離液組成物 Pending JP2001305752A (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000125237A JP2001305752A (ja) 2000-04-26 2000-04-26 微細パターン用ポリマー剥離液組成物
US10/257,944 US6831048B2 (en) 2000-04-26 2001-04-26 Detergent composition
TW090110148A TWI288777B (en) 2000-04-26 2001-04-26 Detergent composition
EP01925952A EP1277830A4 (en) 2000-04-26 2001-04-26 DETERGENT COMPOSITION
CN01808514A CN1426452A (zh) 2000-04-26 2001-04-26 洗涤剂组合物
KR1020027014274A KR100540525B1 (ko) 2000-04-26 2001-04-26 세정용 조성물
PCT/JP2001/003620 WO2001081525A1 (fr) 2000-04-26 2001-04-26 Composition de detergent
US10/948,306 US20050054549A1 (en) 2000-04-26 2004-09-24 Detergent composition

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000125237A JP2001305752A (ja) 2000-04-26 2000-04-26 微細パターン用ポリマー剥離液組成物

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001305752A true JP2001305752A (ja) 2001-11-02

Family

ID=18635222

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000125237A Pending JP2001305752A (ja) 2000-04-26 2000-04-26 微細パターン用ポリマー剥離液組成物

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001305752A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007519942A (ja) * 2003-12-02 2007-07-19 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド レジスト、ｂａｒｃ、およびギャップフィル材料を剥離する化学物質ならびに方法
KR100818708B1 (ko) 2006-08-18 2008-04-01 주식회사 하이닉스반도체 표면 세정을 포함하는 반도체소자 제조방법
WO2008081416A3 (en) * 2007-01-03 2008-11-27 Az Electronic Materials Usa Stripper for coating layer

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007519942A (ja) * 2003-12-02 2007-07-19 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド レジスト、ｂａｒｃ、およびギャップフィル材料を剥離する化学物質ならびに方法
KR100818708B1 (ko) 2006-08-18 2008-04-01 주식회사 하이닉스반도체 표면 세정을 포함하는 반도체소자 제조방법
WO2008081416A3 (en) * 2007-01-03 2008-11-27 Az Electronic Materials Usa Stripper for coating layer
US8026201B2 (en) 2007-01-03 2011-09-27 Az Electronic Materials Usa Corp. Stripper for coating layer

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100671249B1 (ko) 세정용 조성물
JP3302120B2 (ja) レジスト用剥離液
JP3410403B2 (ja) ホトレジスト用剥離液およびこれを用いたホトレジスト剥離方法
EP0578507B1 (en) Cleaning solutions including nucleophilic amine compound having reduction and oxidation potentials
JP5537126B2 (ja) エッチング残渣を除去するための組成物基板及びその使用
US6221818B1 (en) Hydroxylamine-gallic compound composition and process
US7816313B2 (en) Photoresist residue remover composition and semiconductor circuit element production process employing the same
KR100360397B1 (ko) 레지스트 제거용 조성물 및 이를 이용한 레지스트 제거 방법
US6713440B2 (en) Resist and etching by-product removing composition and resist removing method using the same
JP2001517863A (ja) 半導体基板から残留物を除去する方法
JPH11352703A (ja) アッシング後の処理液およびこれを用いた処理方法
WO2003083582A1 (en) Ph buffered compositions for cleaning semiconductor substrates
KR20020086959A (ko) 세정용 조성물
JP3389166B2 (ja) レジスト用剥離液組成物
TWI388943B (zh) 剝離劑組合物
KR20160097201A (ko) 표면 잔류물 제거용 세정 제형
JP2002505765A (ja) ヒドロキシルアンモニウムカルボキシレートを使用したレジストおよびエッチング残査を除去するための組成物および除去方法
WO2006107169A1 (en) Remover composition for photoresist of semiconductor device
JPH11282176A (ja) フォトレジスト剥離用組成物
JP3255623B2 (ja) レジスト用剥離液組成物
JP4296320B2 (ja) レジスト剥離剤組成物及びその使用方法
JP2001305752A (ja) 微細パターン用ポリマー剥離液組成物
JP4028904B2 (ja) ヒドロキシルアミン−没食子化合物の組成物及びその使用方法
JP2001330970A (ja) 微細パターン用ポリマー剥離液組成物
JP2003035963A (ja) フォトレジスト残渣除去液組成物