KR100671249B1

KR100671249B1 - 세정용 조성물

Info

Publication number: KR100671249B1
Application number: KR1020047006091A
Authority: KR
Inventors: 이타노미츠시; 게즈카다케히코
Original assignee: 다이킨 고교 가부시키가이샤
Priority date: 2001-10-24
Filing date: 2002-10-23
Publication date: 2007-01-19
Also published as: EP1447440A4; WO2003035815A1; EP1447440A1; CN1575331A; TWI264068B; KR20040047959A; JP2003129089A; US20050003977A1

Abstract

본 발명은, (1) 히드록실아민류, 지방족 아민류, 방향족 아민류, 지방족 내지 방향족 제4급 암모늄염으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종과 불화수소산으로 형성된 불화물염 및 중불화물염의 적어도 1종 ; (2) 헤테로 원자를 갖는 유기 용매의 적어도 1종 ; 및 (3) 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 세정용 조성물에 관한 것이다.

Description

세정용 조성물{COMPOSITION FOR CLEANING}

본 발명은, 반도체 제조 공정에서 사용하는 세정용 조성물에 관한 것이다. 구체적으로는, STI, 메탈 게이트, 콘택트 홀, 비아 홀, 캐패시터 등의 세정, 레지스트 유래의 폴리머 박리나 CMP 후 세정시에 있어서, 표면의 거침을 발생시키지 않는 세정용 조성물에 관한 것이다. 이 조성물은, IC나 LSI 등의 반도체 소자 또는 액정 패널 소자의 제조에 바람직하게 사용된다.

종래, 반도체 소자에서의 게이트 전극의 재료로서는 poly-Si가 사용되고 있었으나, 미세화에 따라, 게이트 전극의 재료가 텅스텐, 동, 알루미늄 등의 금속이 될 가능성이 있다. 그러나, 게이트, 콘택트 홀 및 캐패시터 세정용 조성물로서 현재 사용하고 있는 SPM(H₂SO₄-H₂O₂-H₂O), APM(NH ₄OH-H₂O₂-H₂O), HPM(HCl-H₂O₂-H₂O), DHF(HF-H₂O) 등은 금속을 부식시키기 쉽기 때문에, 레지스트 등에 유래하는 폴리머, 자연 산화막등을 제거할 수 있고, 또한 금속을 부식시키기 힘든 세정용 조성물이 요구되고 있다.

한편, IC나 LSI 등의 반도체 소자나 액정 패널 소자는, 기판 상에 형성된 알루미늄, 동, 알루미늄-동 합금 등의 도전성 금속막이나 SiO₂막 등의 절연막 상에 포 토레지스트를 균일하게 도포하고, 리소그래피 기술에 의해 레지스트 패턴을 형성하고, 도전성 금속막이나 절연막을 선택적으로 에칭하여, 잔존하는 레지스트를 애싱, 폴리머 박리용 조성물 등에 의해 제거하여 제조되고 있다.

폴리머 박리용 조성물로서는, 예를 들면 일본국 특개평 9-197681호 공보 및 일본국 특개 2000-47401호 공보에 기재된 바와 같이, 불화물염 수용액에, DMF, DMSO 등의 수용성 유기 용매, 필요에 따라 또한 불화수소산을 첨가한 것이 알려져 있다. 그러나, 금속에 대한 저 부식성과 폴리머의 고 박리성은 양립하는 것이 곤란하여, 종래의 폴리머 박리용 조성물은 이들의 균형에 있어서 개선의 여지가 있었다.

또, IC의 소자 구조가 복잡해져, 다층 배선화가 진행되면, 배선 형성에 싱글 다마신이나 듀얼 다마신 프로세스가 사용된다. 해당 프로세스에는 연마제를 사용한 표면의 연마(CMP ; Chemical Mechanical Polishing)가 포함되므로, 다마신 프로세스 후의 피처리물의 표면에는, 연마제에 기인하는 입자가 많이 부착되거나, 연마중에 막의 표면에 입자가 파고든 상태로 되어 있다. 통상의 산화막의 CMP를 행한 후에는, DHF(HF-H₂O)나 APM(NH₄OH-H₂O₂-H₂O) 등의 세정용 조성물을 사용한 브러시 세정이 행해지고 있다. 그러나, 다마신 공정에서는, 피세정면에 금속(A1, AlCu, Cu, TiN 등)이 존재하고 있어, 상기한 바와 같은 세정용 조성물을 사용하면, 메탈 표면이 부식되기 쉬워 사용하기 어렵다.

WO 00/31786은, 도프 산화막과 열 산화막을 동일한 속도로 에칭하는 에칭액을 개시하며, 구체적으로는 (i)불화암모늄 또는 일수소이불화암모늄, (ii) 물 및 (iii)이소프로필알콜(IPA) 등의 헤테로 원자를 갖는 유기 용매를 포함하는 에칭액을 사용한 도프 산화막과 열 산화막의 에칭이 기재되어 있다. WO00/31786에 개시되는 NH₄F 내지 NH₄F·HF/물/IPA로 이루어지는 에칭액을 사용하여 열 산화막을 에칭하면, 에칭 후의 산화막 표면의 거침이 발생하는 문제가 있었다.

본 발명의 목적은, 금속(A1, Al-Cu, Cu, W, WN, Ti, TiN)에 대한 저 부식성과 실리콘 산화막에 대한 저 데미지성과 폴리머나 자연 산화막 등의 세정성을 겸비하고, 또한 피세정 표면의 거침이 발생하지 않는, STI, 메탈 게이트, 콘택트 홀, 비아 홀, 캐패시터 등의 세정용 조성물을 제공하는 것이다.

즉, 본 발명은 (1) 히드록실아민류, 지방족 아민류, 방향족 아민류, 지방족 내지 방향족 제4급 암모늄염으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종과 불화수소산으로 형성된 불화물염 및 중불화물염의 적어도 1종 ; (2) 헤테로 원자를 갖는 유기 용매의 적어도 1종 ; 및 (3) 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 세정용 조성물을 제공하는 것이다.

또, 본 발명은, STI, 메탈 게이트, 콘택트 홀, 비아 홀 및 캐패시터의 적어도 1개를 형성한 피처리물을 상기 세정용 조성물에 의해 세정하는 공정을 포함하는, 이 피처리물에 부착된 부착물을 박리하는 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 조성물은 (1) 히드록실아민류, 지방족 아민류, 방향족 아민류, 지방족 내지 방향족 제4급 암모늄염으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종과 불화수소산으로 형성된 불화물염 및 중불화물염의 적어도 1종 ; (2) 헤테로 원 자를 갖는 유기 용매의 적어도 1종 ; 및 (3) 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 조성물이고, 반도체의 제조 공정에서, STI, 메탈 게이트, 콘택트 홀, 비아 홀, 캐패시터 등의 세정에 사용할 수 있는 조성물이다. 이 세정용 조성물은, STI, 콘택트 홀, 캐패시터, 메탈 게이트, 비아 홀, 메탈 배선 등의 측벽에 잔존한 폴리머 박리를 위해, 또 이온 임프란테이션 후의 레지스트 잔사 제거나 싱글 다마신 또는 듀얼 다마신 프로세스에서의 드라이 에칭 후의 부착 폴리머의 박리, 또는 싱글 다마신이나 듀얼 다마신 프로세스에서의 CMP 후의 세정을 위해 사용할 수도 있다.

본 발명의 세정용 조성물에 포함되는 히드록실아민류, 지방족 아민류, 방향족아민류, 지방족 내지 방향족 제4급 암모늄염으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종은, 불화수소산과 염을 형성할 수 있는 것이다.

히드록실아민류로서는, N, N-디메틸히드록실아민, N-에틸히드록실아민, N, N-디에틸히드록실아민, N-프로필히드록실아민, N-페닐히드록실아민 등의 직쇄 또는 분기를 갖는 탄소수 1∼4의 알킬기 또는 페닐기로 1 또는 2 치환된 히드록실아민을 들 수 있다.

지방족 아민류로서는, 에틸아민, 프로필아민, 이소프로필아민, 부틸아민, 헥실아민, 옥틸아민, 데실아민, 도데실아민, 디메틸아민, 디에틸아민, 디프로필아민, 디이소프로필아민, 디부틸아민, 트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리프로필아민, 트리이소프로필아민, 트리부틸아민 등의 직쇄 또는 분기를 갖는 탄소수 1∼8의 알킬기로 1, 2 또는 3치환된 지방족 아민 ; 모노플루오로메틸아민, 디플루오로메틸아민, 트리플루오로메틸아민, 퍼플루오로에틸아민, 퍼플루오로프로필아민, 퍼플루오 로이소프로필아민, 퍼플루오로부틸아민, 퍼플루오로헥실아민, 퍼플루오로옥틸아민, 디(퍼플루오로메틸)아민, 디(퍼플루오로에틸)아민, 디(퍼플루오로프로필)아민, 디(퍼플루오로이소프로필)아민, 디(퍼플루오로부틸)아민, 트리(퍼플루오로메틸)아민, 트리(퍼플루오로에틸)아민, 트리(퍼플루오로프로필)아민, 트리(퍼플루오로이소프로필)아민, 트리(퍼플루오로부틸)아민 등의 직쇄 또는 분기를 갖는 적어도 1개의 불소 원자 함유 C_1∼8 알킬기로 1, 2 또는 3치환된 지방족 아민 ; 모노에탄올아민, 에틸렌디아민, 2-(2-아미노에틸아미노)에탄올, 디에탄올아민, 2-에틸아미노에탄올, 디메틸아미노에탄올, 에틸디에탄올아민, 시클로헥실아민, 디시클로헥실아민 등을 들 수 있다.

방향족 아민류로서는, 아닐린, N-메틸아닐린, N, N-디메틸아닐린, 벤질아민, 디벤질아민, N-메틸벤질아민 등을 들 수 있다.

지방족 내지 방향족 제4급 암모늄염으로서는, 테트라에틸암모늄, 테트라프로필암모늄, 테트라이소프로필암모늄, 테트라부틸암모늄, 테트라페닐암모늄 등의 지방족 내지 방향족 제4급 암모늄의 클로라이드, 브로마이드, 황산염, 질산염 등의 광산염을 들 수 있다.

본 발명의 바람직한 불화물염(fluoride)은, 일반식

N(R¹)(R²)₃·F

(R¹은 불소 및/또는 히드록실기로 치환되어도 되는 직쇄 또는 분기를 갖는 C_1∼12 알킬기, 불소 원자로 치환되어도 되는 페닐기 또는 히드록실기를 나타낸다. R²는 동일하거나 상이하고, 불소 및/또는 히드록실기로 치환되어도 되는 직쇄 또는 분기를 갖는 C_1∼12 알킬기, 불소 원자로 치환되어도 되는 페닐기 또는 수소 원자를 나타낸다)로 표시된다.

본 발명의 바람직한 중불화물염((hydrogendifluoride)은, 일반식

N(R¹)(R²)₃·HF₂

(R¹ 및 R²는 상기에 정의되는 바와 같다. )로 표시된다.

본 발명 조성물에 포함되는 중불화물염은, 중불화물염의 결정 또는 수용액을 더해도 되고, 이론량의 불화물염과 HF를 더해, 조성물중에서 중불화물염을 형성시켜도 된다.

본 발명 조성물에 포함되는 헤테로 원자를 갖는 유기 용매로서는,N, N-디메틸포름아미드, N, N-디메틸아세트아미드, 디메틸술폭시드, N-메틸-2-피롤리돈, 1, 3-디메틸-2-이미다졸리지논 ; 메탄올, 에탄올, 이소프로필알콜(IPA), 1-프로판올, 1-부탄올, 2-부탄올, t-부탄올, 2-메틸-1-프로판올, 1-펜탄올, 1-헥산올, 1-헵탄올, 4-헵탄올, 1-옥탄올, 1-노닐알콜, 1-데칸올, 1-도데칸올 등의 알콜류 ; 에틸렌글리콜, 1, 2-프로판디올, 프로필렌글리콜, 2, 3-부탄디올, 글리세린 등의 폴리올류 ; 아세톤, 아세틸아세톤, 메틸에틸케톤, 1, 3-디히드록시아세톤 등의 케톤류 ; 아세토니트릴, 프로피오니트릴, 부티로니트릴, 이소부티로니트릴, 벤조니트릴 등의 니트릴류 ; 포름알데히드, 아세트알데히드, 프로피온알데히드 등의 알데히드류 ; 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 등의 알킬렌글리콜모노알킬에테르 ; 테트라히드로푸란, 디옥산 등의 환상 에테르류 ; 트리플루오로에탄올, 펜타플루오로프로판올, 2, 2, 3, 3-테트라플루오로프로판올 등의 불소 알콜 ; 술포란 및 니트로메탄이 예시된다. 보다 바람직하게는 알콜류 및 케톤류로 이루어지는 산소함유 유기 용매를 들 수 있다. 구체적으로는, 메탄올, 에탄올, n-프로판올, 이소프로판올(IPA) 등의 알콜류, 아세톤, 메틸에틸케톤, 1, 3-디히드록시아세톤 등의 케톤류를 보다 바람직하게 들 수 있다. 이들 헤테로 원자를 갖는 유기 용매는, 단독으로, 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다.

본 발명 조성물에 있어서, 산소함유 유기 용매가 이소프로필 알콜, 에탄올 및 메탄올로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 경우, 물의 농도가 10질량% 이하인 것이 바람직하다.

본 발명의 조성물은, 알콜류를 용매로 한 경우, 통상 (1) 불화물염 및 중불화물염의 적어도 1종을 0.001∼10질량%, (2) 알콜류 80∼99.989질량%, 및 (3) 물을 0.01∼10질량% 포함하고 ; 바람직하게는 (1) 불화물염 및 중불화물염의 적어도 1종을 0.005∼5질량%, (2) 알콜류 85∼99.985질량%, 및 (3) 물을 0.01∼10질량% 포함한다.

보다 구체적으로는, (1)일반식

N(R¹)(R²)₃·F

(R¹은 불소 및/또는 히드록실기로 치환되어도 되는 직쇄 또는 분기를 갖는 C_1∼12 알킬기, 불소 원자로 치환되어도 되는 페닐기 또는 히드록실기를 나타낸다. R²는 동일하거나 상이하고, 불소 및/또는 히드록실기로 치환되어도 되는 직쇄 또는 분기를 갖는 C_1∼12 알킬기, 불소 원자로 치환되어도 되는 페닐기 또는 수소 원자를 나타낸다.)로 표시되는 불화물염의 농도가 10질량% 이하 및/또는 일반식

N(R¹)(R²)₃·HF₂

(R¹ 및 R²는 상기에 정의되는 바와 같다.)로 표시되는 중불화물염의 농도가 0.001∼10질량%, (3) 물 농도가 10질량% 이하, (2) 잔부가 이소프로필 알콜, 에탄올 및 메탄올로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 조성물이 바람직하다.

본 발명의 조성물은, 또한, (4) 계면 활성제를 함유할 수도 있다. 계면 활성제로서는, 음이온계, 양이온계 및 비이온계 계면 활성제의 어느 1종 또는 2종 이상을 함유하고 있어도 된다. 이들 계면 활성제로서는, 음이온계 계면 활성제가 바람직하다.

음이온계 계면 활성제로서는, 친수기가 일반식 -COOM, -SO₃M, -OSO₃M(M은 수소 원자, 암모늄 또는 금속 원자를 나타낸다)인 각각 카르복실산형, 술폰산형, 황 산에스테르형의 계면 활성제가 바람직하다. 염으로서는, 알칼리 금속(예를 들면 나트륨, 칼륨) 등의 금속염, 암모늄염, 제1, 제2 또는 제3 아민염을 들 수 있다. 금속 원자는, 1가 또는 2가이어도 된다. 이들 중에서도 술폰산형의 음이온계 계면 활성제가 바람직하다.

카르복실산형의 계면 활성제로서는, CF₃(CF₂)_aCOOH, (CF₃)₂CF(CF₂)_aCOOH, HCF₂(CF₂)_aCOOH, CF₃(CF₂)_a(CH₂)_bCOOH, CF₃(CF₂)_aCF=CH(CH₂)_bCOOH, Cl(CF₂CFCl)_pCF₂COOH {단, a는 2∼17의 정수, b는 1∼2의 정수, p는 1∼9의 정수이다.} 및 이들의 알칼리 금속염, 암모늄염, 제1 아민염, 제2 아민염, 제3 아민염 등을 들 수 있다.

이들의 구체예로서는, CF₃(CF₂)_aCOONa, (CF₃)₂CF(CF ₂)_aCOONa, H CF₂(CF₂)_aCOONa, CF₃(CF₂)_a(CH₂)_bCOONa, CF₃(CF₂)_aCF=CH(CH₂)_bCOONa, C l(CF₂CFCl)_pCF₂COONa 등을 들 수 있다(a, b는 상기에 정의되는 바와 같다).

술폰산형의 계면 활성제로서는, C_cH_2c+1SO₃H, C_cH_2c+1O(CH₂CH₂O)_dSO₃H 또는 C_cH_2c+1-ph-SO₃H {식중, ph는 페닐렌기, c는 5∼20의 정수, d는 0∼20의 정수를 나타낸다} ; C_nH_mC₆H₃(SO₃H)Oph(SO₃H) {ph는 페닐렌기, n은 1∼30의 정수, m은 3∼61의 정수를 나타낸다}, C_nH_mph(SO₃H) {ph는 페닐렌기, n은 1∼30의 정수, m은 3∼61의 정수를 나타낸다} ; 및 이들의 금속염, 암모늄염, 제1 아민염, 제2 아민염, 제3 아민염 등을 들 수 있다.

이들의 구체예로서는 C₁₂H₂₅O(CH₂CH₂O)₂SO₃Na, C₉H₁₉phO(CH₂CH₂O)₄SO₃Na, C₁₂H₂₅O(CH₂CH₂O)₄SO₃Na, C₆F _llPhSO₃Na, C₉F₁₉OphSO₃Na, R'''' CH=CH(CH₂)_jSO₃Na {R''''는, C_jH_m, C_jF_m 또는C_jH_kF_l을 나타내고, j는 0∼30의 정수, m은 1∼61의 정수, k는 1∼60의 정수, l은 1∼60의 정수를 나타낸다}, C₁₂H₂₅OSO₃Na, C₁₂H₂₅phC₆H₃(SO₃H)Oph(SO₃H)가 예시된다.

음이온계 계면 활성제로서는, 상기에 예시한 것 중에서도, C_nH_mC₆H₃(SO₃H)Oph(SO₃H) {ph는 페닐렌기, n은 1∼30의 정수, m은 3∼61의 정수를 나타낸다}로 표시되는 화합물 및 C_nH_mph(SO₃H){ph, n 및 m은 상기에 정의된 바와 같다}로 표시되는 화합물 및 이들의 금속염, 암모늄염, 제1, 제2, 제3 아민염 등이 바람직하게 사용된다.

또, 상기 식중, C_nH_m으로 표시되는 기로서는, n이 1∼30의 정수, 또한, m이 3∼61의 정수인 조건을 만족하는 기이고, 구체적으로는 직쇄 또는 분기를 갖는 지방족 알킬기, 1 이상의 2중 결합을 갖는 지방족 알케닐기, 분기를 가져도 되는 지환식 알킬기, 분기를 가져도 되는 지환식 알케닐기, 방향족 알킬기가 예시된다.

비이온계 계면 활성제로서는, 친수기가 일반식 -R′(CH₂CH₂O)_qR″ 또는 -R′O(CH₂CH₂O)_qR″{상기 식중, R″는 수소 원자 또는 탄소수 1∼10의 알킬기, R′은 수소 원자가 불소 원자로 치환되어 있는 경우가 있는 탄소수 1∼20의 탄화수소 기, q는 0∼30의 정수를 나타낸다.}인 폴리에틸렌글리콜형의 계면 활성제가 바람직하다. 구체적으로는 하기의 것을 들 수 있다.

C₉F₁₇O(CH₂CH₂O)_qCH₃(q=0∼30), C₉H₁₉ph(CH₂CH₂O)₁₀H, C₁₂H₂₅O(CH ₂CH₂O)₉H, C₉H₁₉phO(CH₂CH₂O)₁₀H, C₉H₁₉phO(CH ₂CH₂O)₅H, C₈H₁₇phO(CH₂CH₂O) ₃H, C₈H₁₇ph(CH₂CH₂O)₁₀H {식중, ph는 페닐렌기를 나타낸다}.

양이온계 계면 활성제로서는 R'''NH₂로 표시되는 1급 아민, R'''₂NH로 표시되는 2급 아민, R'''₃N으로 표시되는 3급 아민, [R'''₄N]M'로 표시되는 4급 아민을 들 수 있다(여기서 R'''는, 동일하거나 상이하고, 불소 원자 또는 OH기로 치환되어도 되는 직쇄 또는 분기를 갖는 탄소수 1∼30의 알킬기, 불소 원자 또는 0H기로 치환되어도 되는 페닐기 또는 수소 원자를 나타낸다. 또, M'은 1가의 음이온(예를 들면 Cl^-)를 나타낸다. ). 구체적으로는 하기와 같은 화합물을 들 수 있다 :

CH₃(CH₂)nNH₂, (CH₃(CH₂)n)₂NH, (CH ₃(CH₂)n)₃N, (CH₃(CH₂)n)₄NCl, C H₃(CH₂)nN((CH₂)nOH)₂, CF₃(CF₂)nNH ₂, (CF₃(CF₂)n)₂NH, (CF₃(CF₂)n)₃N, (CF₃(CF₂)n)₄NCl, CF₃(CF₂)nN((CH₂)nOH) ₂, C₆H₅NH₂, (CH₃)₂(CH₂)nNH ₂ {상기 식중, n은 1∼30의 정수이다.}

계면 활성제의 함유량은, 본 발명 소기의 효과가 발휘되는 한 특별히 한정되는 것은 아니지만, 통상 0.0001∼10질량% 정도이고, 0.001∼5질량% 정도가 바람직하고, 특히 0.01∼1질량% 정도가 바람직하다.

계면 활성제가 음이온계 계면 활성제인 경우는, 0.001∼10질량%인 것이 바람직하다.

또, 본 발명의 조성물이 음이온계 계면 활성제를 함유하는 경우, 물의 함유량은 60질량% 이하인 것이 바람직하다.

본 발명의 조성물이 음이온계 계면 활성제를 함유하는 경우는, 통상 (1) 불화물염 및 중불화물염의 적어도 1종을 0.001∼10질량%, (2) 헤테로 원자를 갖는 유기 용매 20∼99.988질량%, (3) 물을 0.01∼60질량% 및 (4) 음이온계 계면 활성제를 0.001∼10질량% 포함하고 ; 바람직하게는 (1) 불화물염 및 중불화물염의 적어도 1종을 0.005∼10질량%, (2) 헤테로 원자를 갖는 유기 용매 49.0∼99.975질량%, (3) 물을 0.01∼40질량% 및 (4) 음이온계 계면 활성제를 0.01∼1질량%를 포함한다.

보다 구체적으로는, (1) NR₄F(R은, 동일하거나 상이하고, 불소 원자로 치환되어 있어도 되는 직쇄 또는 분기를 갖는 탄소수 1∼12, 바람직하게는 1∼4의 알킬기, 불소 원자로 치환되어 있어도 되는 페닐기 또는 수소 원자를 나타낸다)로 표시되는 불화물염의 농도가 1질량% 이하 및/또는, NR₄HF₂(R은 상기에 정의된 바와 같다)로 표시되는 중불화물염의 농도가 0.001∼5질량%, (3) 물 농도가 60질량% 이하, (4) 음이온계 계면 활성제의 농도가 0.001∼10질량%, (2) 잔부가 이소프로필알콜, 에탄올 및 메탄올로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 폴리머 박리용 조성물이 바람직하다.

본 발명 조성물은, 또한 (5) 방식제를 함유하고 있어도 된다. 방식제로서 는, 예를 들면, 카테콜, 피로갈롤, 옥신 등의 방향족 히드록시 화합물, 벤조트리아졸, 트릴트리아졸 등의 트리아졸 화합물 및 그 유도체, 프탈산, 살리실산, 아젤라인산 등의 카르복실기 함유 유기 화합물, 에틸렌디아민테트라아세트산 등의 아미노폴리카르복실산류, 1, 2-프로판아민테트라메틸렌포스폰산 등의 포스폰산류, 쿠페론 등의 킬레이트제, 피리딘 유도체, 2-메르캅토벤조티아졸나트륨 등의 티아졸 화합물, 테트라메틸암모늄개미산염 등의 제4급 암모늄염, 솔비톨, 아라비톨, 아밀로오스 등의 당류 및 그 유도체 등을 예시할 수 있다. 방식제의 함유량은, 본 발명 소기의 효과가 발휘되는 한 특별히 한정되는 것은 아니지만, 통상 0.01∼30질량% 정도이고, 0.5∼10질량% 정도가 바람직하다.

본 발명의 (1) 불화물염 및 중불화물염의 적어도 1종 ; (2) 헤테로 원자를 갖는 유기 용매 ; 및 (3) 물을 포함하는 조성물의 THOX 및 BPSG에 대한 에칭 레이트는, 25℃에서 100Å/min 이하, 바람직하게는 80Å/min 이하, 보다 바람직하게는 60Å/min 이하, 특히 바람직하게는 50Å/min 이하이다.

본 발명 조성물은, 부식되기 쉬운 Al, Al-Cu, Cu, W, Ti, TiN 등의 기판이나 금속에 대한 저 부식성을 갖고, 또한 레지스트 등에 유래하는 폴리머, 자연 산화막, 반도체의 제조 공정에서 발생하는 유기물, 입자 등의 오염물을 저온 또한 단시간의 처리로 높은 세정성을 구비하고 있다. 또, 세정 후의 자연 산화막 등의 표면이, 세정 전과 실질적으로 변화하지 않고, 표면의 거침이 거의 또는 전혀 없다.

따라서, 본 발명의 조성물은, 게이트 전극의 재료에 금속이 포함되는 경우라도, 반도체 제조 공정에서, 메탈 게이트, 콘택트 홀, 비아 홀 및 캐패시터의 적어 도 1종의 세정용 조성물로서 사용할 수 있고, 얻어진 세정물은 오염이 없고, 금속 등과의 밀착성도 양호하다.

본 발명에 있어서는, 세정의 대상이 되는 것은, 반도체 제조 공정 도중의 단계의 기판이고, 예를 들면 콘택트 홀을 형성한 후, 메탈 등이 매입(埋入)되기 전의 상태를 세정한다.

보다 구체적으로는, 본 발명의 세정용 조성물은, 반도체 제조 공정에서, 반도체 기판이 되는 실리콘 기판 상의 절연층막 및 그 위에 형성된 도전층으로 이루어지는 피가공층 상에 레지스트의 패턴을 형성하고, 이 레지스트를 마스크로 하여, 드라이 에칭에 의해 상기 피가공층을 소정 패턴으로 형성한 후, 얻어진 반도체 기판을 세정할 때 사용할 수 있다. 이러한 공정에서, 반도체 기판 상에는, 예를 들면 메탈 게이트나 메탈 배선이 형성되어 있다.

또, 본 발명의 세정용 조성물은, 반도체 제조 공정에서, 반도체 기판의 실리콘 기판 상의 소정 패턴에 도전층을 형성하고, 이 도전층 상에 절연층을 형성한 후, 이 절연층으로 이루어지는 피가공층 상에 레지스트의 패턴을 형성하여 이 레지스트를 마스크로 하여, 드라이 에칭에 의해 상기 피가공층을 소정 패턴으로 형성하는 공정 후, 얻어진 반도체 기판을 세정할 때 사용할 수 있다. 이러한 공정에서, 반도체 기판 상에는, 예를 들면 콘택트 홀이 형성되어 있다. 또, 이러한 공정은, 싱글 또는 듀얼 다마신 프로세스에서의 드라이 에칭 공정에 상당한다.

본 발명의 세정용 조성물에 의한 STI, 메탈 게이트, 콘택트 홀, 비아 홀 및 캐패시터의 세정은, 예를 들면 피처리물(예를 들면, STI, 메탈 게이트, 콘택트 홀, 비아 홀 및 캐패시터의 적어도 1개를 형성한 반도체 기판)을 이 조성물에 침지시키고, 예를 들면 15∼40℃ 정도, 바람직하게는 실온 정도로 0.5∼30분간 정도 처리함으로써 행할 수 있다. 세정용 조성물은, 피처리물에 접촉시키면 되고, 예를 들면 피처리물을 회전시키면서 그 위에서 액을 공급하여 세정해도 되고, 피처리물에 세정용 조성물을 분무기로 계속 내뿜어 세정해도 되고, 피처리물을 세정용 조성물에 침지시켜 세정해도 된다.

본 발명 조성물을 사용하여 세정을 행한 반도체 기판은, 관용되어 있는 방법(예를 들면, Atlas of IC Technologies : An Introduction to VLSI Processes by W.Maly, 1987 by The Benjamin/Cummings Publishing Company Inc.에 기재된 방법)에 따라서, 여러가지 종류의 반도체 장치로 가공할 수 있다.

본 발명 세정용 조성물은, 부식되기 쉬운 Al, Al-Cu, Cu, W, Ti, TiN 등의 기판이나 금속에 대한 저 부식성을 갖고, 또한, 레지스트 등에 유래하는 폴리머를 저온 또한 단시간의 처리로 높은 세정성을 구비하고 있다. 따라서, 본 발명 세정용 조성물은, 예를 들면 반도체 제조 프로세스에 있어서, 에칭 처리 후에, STI, 메탈 게이트, 콘택트 홀, 비아 홀, 캐패시터 등의 측벽에 잔존하는 레지스트용 폴리머를 박리하는 것을 목적으로 하여, 즉 폴리머 박리용 조성물로서 사용할 수 있다.

본 발명의 세정용 조성물은, STI, 메탈 게이트, 콘택트 홀, 비아 홀, 캐패시터 또는 n⁺ 또는 p⁺ 영역의 형성 공정, 또는 싱글 또는 듀얼 다마신 프로세스에서의 드라이 에칭 후의 부착 폴리머의 박리에도 사용할 수 있다.

본 발명의 조성물을 사용한 폴리머의 박리는, 피처리물(예를 들면 STI, 메탈 게이트, 콘택트 홀, 비아 홀 및 캐패시터의 적어도 1종을 형성한 반도체 기판)을 이 조성물에 침지시키고, 예를 들면 15∼40℃ 정도, 바람직하게는 실온 정도로 0.5∼30분간 정도 처리함으로서 행할 수 있다. 이 경우도, 조성물을 피처리물에 접촉시키면 폴리머의 박리를 행할 수 있고, 예를 들면 피처리물을 회전시키면서 그 위에서 액을 공급하여 세정해도 되고, 피처리물에 조성물을 분무기로 계속 내뿜어 세정해도 된다.

본 발명의 조성물은, 미세 패턴(예를 들면 0.0001∼10㎛ 정도의 간격의 패턴)을 갖는 반도체 기판에 잔존하는 폴리머의 박리에 사용하는 것이 바람직하다.

본 발명 조성물을 사용하여 폴리머의 박리를 행한 반도체 기판은, 관용되어 있는 방법(예를 들면, Atlas of IC Technologies : An Introduction to VLSI Processes by W.Maly, 1987 by The Benjamin/Cummings Publishing Company Inc.에 기재된 방법)에 따라서, 여러가지 종류의 반도체 장치로 가공할 수 있다.

본 발명의 세정용 조성물(특히 폴리머 박리에 사용하는 경우)은, 알칼리 수용액을 사용하여 현상할 수 있는 레지스트(네가티브형 및 포지티브형 레지스트를 포함한다)에 유리하게 사용할 수 있다. 상기 레지스트로서는, (i) 나프토퀴논지아지드 화합물과 노볼락 수지를 함유하는 포지티브형 레지스트, (ii) 노광에 의해 산을 발생시키는 화합물, 산에 의해 분해하여 알칼리 수용액에 대한 용해성이 증대하는 화합물 및 알칼리 가용성 수지를 함유하는 포지티브형 레지스트, (iii) 노광에 의해 산을 발생시키는 화합물, 산에 의해 분해하여 알칼리 수용액에 대한 용해성이 증대하는 기를 갖는 알칼리 가용성 수지를 함유하는 포지티브형 레지스트, 및 (iv) 빛에 의해 산을 발생시키는 화합물, 가교제 및 알칼리 가용성수지를 함유하는 네가티브형 레지스트등을 들 수 있으나, 이것에 한정되는 것은 아니다.

또한, 에칭 처리 후에, 잔존 레지스트에 유래하는 폴리머의 애싱을 행한 후, 본 발명 조성물에 의한 세정 또는 박리를 행해도 되나, 애싱을 행하지 않고, 폴리머의 세정 또는 박리를 행해도 된다.

본 발명 세정용 조성물은, 반도체 제조 공정 이외에도, 액정 패널 소자의 제조 공정에서도 사용할 수 있다.

반도체 제조 공정에서, 싱글 다마신이나 듀얼 다마신 프로세스에 있어서의 CMP 후에, 표면의 연마재를 제거하기 위해 세정 공정이 필요해진다. 본 발명의 세정용 조성물을 사용하면, CMP 후에 표면에 잔존하는 연마재를 브러시 등에 의해 제거할 수 있다. 따라서, 본 발명의 세정용 조성물은, 반도체 제조 공정에서, CMP 후의 표면 세정용 조성물로서도 사용할 수 있다.

본 발명의 조성물에 의한 CMP 후의 세정은, 예를 들면 피세정물을 조성물에 15∼40℃ 정도, 바람직하게는 실온 정도로 0.1∼30분간 정도 침지시키는 방법이나, 피세정물 상에 조성물을 15℃∼40℃ 정도, 바람직하게는 실온 정도로, 1초∼10분간 정도 흐르게 하면서 행할 수 있다. 세정 공정에서 브러시는 사용해도 되고 하지 않아도 되지만, 브러시를 병용하면 슬러리의 제거 효율이 향상하기 때문에 바람직하다. 또, 피처리물을, 본 발명 조성물에 침지시켜, 초음파 세정(메가소닉)함으로써도, CMP 후의 세정을 행할 수 있다.

상기 세정은, 반도체 기판의 한쪽 면에 도전층과 절연층이 혼재한 피가공층, 또는 도전층으로 이루어지는 피가공층을, CMP를 행한 후, 예를 들어, 플러그나 배선을 형성하기 위한 싱글 다마신 프로세스, 또는 듀얼 다마신 프로세스에서의 CMP를 행한 후에 행할 수 있다.

다마신 프로세스는, 예를 들면 액정 패널 소자의 제조 공정에서도 사용되고 있으며, 본 발명 조성물은, 이 공정에 포함되는 싱글 다마신 프로세스 또는 듀얼 다마신 프로세스에서의 CMP를 행한 후의 세정에도 사용할 수 있다.

본 발명에는, 반도체 기판의 한쪽 면에 싱글 다마신 또는 듀얼 다마신에 의해 도전층과 절연층이 혼재한 피가공층을 형성하는 공정, 및 본 발명 세정용 조성물을 사용하여 피가공층을 세정하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법도 포함된다.

본 발명 세정용 조성물을 사용하여 CMP 후의 세정을 행한 반도체 기판은, 관용되고 있는 방법(예를 들면, Atlas of IC Technologies : An Introduction to VLSI Processes by W.Maly, 1987 by The Benjamin/Cummings Publishing Company Inc.에 기재된 방법)에 따라서, 여러가지 종류의 반도체 장치로 가공할 수 있다.

이하에 실시예를 개시하여 본 발명을 보다 상세히 설명하는데, 본 발명은 하기의 실시예에 한정되는 것은 아니다.

또한, 이하에 있어서, 산화막의 에칭 레이트는 Rudolf Reaseach사 Auto EL-III 에립소 미터를 사용하여 에칭 전후의 막두께를 측정함으로써 행했다. 또, 금속의 에칭 레이트는 공화이연사 저항률 측정기 K-705RS를 사용하여 에칭 전후의 저 항률을 측정하여, 저항율로부터 막두께를 구했다.

하기 조성물의 에칭 레이트는, 각 조성물을 사용하여 23℃에서 각 막을 에칭하고, 에칭 처리 전의 막두께와 에칭 처리 후의 막두께의 차를 에칭 시간으로 나누어 산출한 것이다.

또, 산화막의 표면 거침은, 히타치제작소사, 주사형 전자 현미경(S-5000)의 사진 촬영에 의해 관찰했다.

시험예 1 : 산화막의 에칭 레이트의 측정과 표면 거침의 확인

불화물염, 중불화물염, 물 및 헤테로 원자를 갖는 유기 용매를 실시예 1∼15 및 비교예 1∼9에 나타낸 비율로 혼합하고, 실리콘 기판 상에 THOX(열산화막), BPSG막, PE-TEOS막 중 어느 하나를 형성한 시험 기판에 대한 에칭 레이트 및 에칭 후의 표면 거침의 상태를 측정했다. THOX, BPSG, PE-TEOS의 거침 상황은「A(거침 없음)」,「B(조금 거침 있음)」, 「C(거침 있음)」의 3단계 평가로 했다. 결과를 표 1에 나타낸다.

실시예 1∼15 및 비교예 1∼9

이하에 나타낸 조성의 조성물을 정법(定法)에 따라서 조정했다.

실시예 1 : C₂H₅NH₃·HF₂(0.85wt%), 물(0.59wt%), 나머지 IPA

실시예 2 : C₂H₅NH₃·HF₂(0.85wt%), 물(0.59wt%), 나머지 메탄올

실시예 3 : C₂H₅NH₃·HF₂(0.85wt%), 물(0.59wt%), 나머지 에탄올

실시예 4 : C₂H₅NH₃·HF₂(0.85wt%), 물(0.59wt%), 나머지 아세톤

실시예 5 : C₂H₅NH₃·HF₂(0.85wt%), 물(0.59wt%), 나머지 아세트산

실시예 6: C₂H₅NH₃·F(1.95wt%), 물(1.12wt%), 나머지 IPA

실시예 7 : C₂H₅NH₃·HF₂(0.425wt%), 물(0.30wt%), 나머지 IPA

실시예 8 : HOC₂H₄NH₃·HF₂(1.01wt%), 물(0.4wt%), 나머지 IPA

실시예 9 : (CH₃)₂NH₂·HF₂(0.43wt%), 물(0.43wt%), 나머지 IPA

실시예 10 : (CH₃)₂NH₂·HF₂(0.99wt%), 물(1.24wt%), 나머지 IPA

실시예 11 : C₅H₁₁NH₃·HF₂(1.25wt%), 물(0.40wt%), 나머지 IPA

실시예 12 : C₈H₁₇NH₃·HF₂(2.68wt%), 물(0.4wt%), 나머지 IPA

실시예 13 : C₁₀H₂₁NH₃·HF₂(1.97wt%), 물(0.4wt%), 나머지 IPA

실시예 14 : (C₂H₅)₄N·HF₂(1.69wt%), 물(3.14wt%), 나머지 IPA

실시예 15 : (C₆H₅)CH₂NH₃·HF₂(0.74wt%), 물(0.2wt%), 나머지 IPA

비교예 1 : NH₄·HF₂(0.01wt%), 물(0.3wt%), 나머지 IPA

비교예 2 : NH₄·HF₂(0.08wt%), 물(0.3wt%), 나머지 IPA

비교예 3 : NH₄·HF₂(1.7wt%), 물(1.5wt%), 나머지 메탄올

비교예 4 : NH₄·HF₂(2.28wt%), 물(1.5wt%), 나머지 에탄올

비교예 5 : NH₄·HF₂(2.28wt%), 물(1.5wt%), 나머지 아세톤

비교예 6 : NH₄F(0.12wt%), 나머지 아세트산

비교예 7 : CH₃NH₃·HF₂(0.21wt%), 물(0.26wt%), 나머지 IPA

비교예 8 : HONH₃·HF₂(0.73wt%), 물(1.13wt%), 나머지 IPA

비교예 9 : (CH₃)₄N·HF₂(1.13wt%), 물(2.99wt%), 나머지 IPA

시험예 2 : 메탈 에칭 레이트의 측정

불화물염, 중불화물염, 물 및 헤테로 원자를 갖는 유기 용매를 실시예 3, 6, 7, 8, 12 및 비교예 1, 10∼12로 표시되는 비율로 혼합하여 에칭액을 조제했다.

이 에칭액을 사용하여, A1-Cu 웨이퍼, Cu 웨이퍼, W 웨이퍼, WN 웨이퍼, Ti 웨이퍼, TiN 웨이퍼를 각각 형성한 시험 기판을 23℃에서 에칭하고, 각각의 막에 대한 에칭 레이트를 구했다. 결과를 표 2에 나타낸다.

비교예 10∼12

이하에 나타낸 조성의 조성물을 정법에 따라서 조정했다.

비교예 10 : 0.29% 암모니아수

비교예 11 : 0.25wt% 플루오르화 수소산

비교예 12 : HF(0.125wt%), NH₄F(40wt%), 나머지 물

시험예 3

실시예 7의 조성물(C₂H₅NH₃·HF₂(0.425wt%), 물(0.3wt%), 나머지 IPA)에 있어서, C₂H₅NH₃·HF₂의 농도를 0.425wt%로 고정하고, 물 및 IPA의 비율을 이하의 표 3(물의 양만을 나타내고, 잔부는 IPA)에 나타낸 바와 같이 바꿔, 시험 2와 동일 조건 하에서 Al-Cu, Cu, W, WN, Ti, TN을 에칭하여, 에칭 레이트를 측정했다. 결과를 표 3에 나타낸다.

시험예 4 : 폴리머 세정 시험

표면에 층간 절연막, 그 하층에 Cu 배선층을 갖는 실리콘 웨이퍼 상에, 상법(常法)에 따라 나프토퀴논/노볼락 수지계의 포지티브형 포토레지스트로 이루어지는 레지스트 패턴을 형성했다. 얻어진 레지스트 패턴을 갖는 실리콘 웨이퍼를, 상법에 따라서 산화막 드라이 에칭 처리하여, 비아 홀을 형성했다. 이어서, 산소 가스로 애싱 처리를 행하여, 잔존하는 레지스트를 제거했다.

얻어진 비아 홀을 갖는 실리콘 웨이퍼를, 실시예 3, 6, 7, 8, 12 및 비교예 1, 10∼12의 어느 하나의 조성물에 23℃에서 10분간 침지시켜 폴리머 침전물의 박리 처리를 행했다. 처리한 웨이퍼를 순수로 린스 처리하여, 실리콘 웨이퍼의 애싱 잔사(폴리머성 침전물)의 박리 상황 및 배선 메탈의 부식의 유무를 SEM(주사형 전자 현미경)의 사진 관찰에 의해 평가했다. 상기 폴리머성 침전물의 박리 상황은, 「양호」,「불완전」의 2단계 평가, 배선 메탈 부식의 유무는 부식의 「유」,「무」의 2단계 평가, 산화막의 거침 상황은「A(거침 없음)」,「B(조금 거침 있음)」, 「C(거침 있음)」의 3단계 평가로 했다. 결과를 표 4에 나타낸다.

시험예 1∼4의 결과로부터, 본 발명의 조성물은 폴리머(레지스트)를 세정하는 성능을 갖고, 게다가 배선 메탈을 부식시키지 않는다고 하는 성질을 갖고 있는 것을 알았다. 따라서, 본 발명의 조성물은, STI, 메탈 게이트, 콘택트 홀, 비아 홀, 캐패시터 등의 세정용 조성물로서 바람직한 것을 알았다. 또, 본 발명의 세정용 조성물은, STI, 메탈 게이트, 콘택트 홀, 비아 홀, 캐패시터 등의 측벽에 잔존하는 폴리머 박리를 위해서도 바람직하게 사용할 수 있는 것을 알았다.

Claims

(1) 히드록실아민류, 메틸아민을 제외한 지방족 아민류, 방향족 아민류, 테트라메틸암모늄을 제외한 지방족 내지 방향족 제4급 암모늄염으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종과 불화수소산으로 형성된 중불화물염의 적어도 1종; (2) 헤테로 원자를 갖는 유기 용매의 적어도 1종 ; 및 (3) 물을 포함하며, 물의 함유량이 10중량% 이하인 것을 특징으로 하는 세정용 조성물.
제1항에 있어서, (1) 상기 중불화물염이, 일반식

N(R¹)(R²)₃·HF₂

(R¹은 불소 및/또는 히드록실기로 치환되어도 되는 직쇄 또는 분기를 갖는 C_1∼12 알킬기, 불소 원자로 치환되어도 되는 페닐기 또는 히드록실기를 나타낸다. R²는 동일하거나 상이하고, 불소 및/또는 히드록실기로 치환되어도 되는 직쇄 또는 분기를 갖는 C_1∼12 알킬기, 불소 원자로 치환되어도 되는 페닐기 또는 수소 원자를 나타낸다)로 표시되는 세정용 조성물.
제1항에 있어서, 히드록실아민류가, N, N-디메틸히드록실아민, N-에틸히드록실아민, N, N-디에틸히드록실아민, N-프로필히드록실아민, N-페닐히드록실아민 등의 직쇄 또는 분기를 갖는 탄소수 1∼4의 알킬기 또는 페닐기로 1 또는 2 치환된 히드록실아민으로 이루어지는 군으로부터 선택될 수 있는 적어도 1종인 세정용 조성물.
제1항에 있어서, 지방족 아민류가, 에틸아민, 프로필아민, 이소프로필아민, 부틸아민, 헥실아민, 옥틸아민, 데실아민, 도데실아민, 디메틸아민, 디에틸아민, 디프로필아민, 디이소프로필아민, 디부틸아민, 트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리프로필아민, 트리이소프로필아민, 트리부틸아민 등의 직쇄 또는 분기를 갖는 탄소수 1∼12의 알킬기로 1, 2 또는 3치환된 지방족 아민 ; 모노플루오로메틸아민, 디플루오로메틸아민, 트리플루오로메틸아민, 퍼플루오로에틸아민, 퍼플루오로프로필아민, 퍼플루오로이소프로필아민, 퍼플루오로부틸아민, 퍼플루오로헥실아민, 퍼플루오로옥틸아민, 디(퍼플루오로메틸)아민, 디(퍼플루오로에틸)아민, 디(퍼플루오로프로필)아민, 디(퍼플루오로이소프로필)아민, 디(퍼플루오로부틸)아민, 트리(퍼플루오로메틸)아민, 트리(퍼플루오로에틸)아민, 트리(퍼플루오로프로필)아민, 트리(퍼플루오로이소프로필)아민, 트리(퍼플루오로부틸)아민 등의 직쇄 또는 분기를 갖는 적어도 1개의 불소원자 함유 C _1∼8 알킬기로 1, 2 또는 3치환된 지방족 아민 ; 모노에탄올아민, 에틸렌디아민, 2-(2-아미노에틸아미노)에탄올, 디에탄올아민, 2-에틸아미노에탄올, 디메틸아미노에탄올, 에틸디에탄올아민, 시클로헥실아민, 디시 클로헥실아민으로 이루어지는 군으로부터 선택될 수 있는 적어도 1종인 세정용 조성물.
제1항에 있어서, 상기 지방족 내지 방향족 제4급 암모늄염이, 테트라에틸암모늄, 테트라프로필암모늄, 테트라이소프로필암모늄, 테트라부틸암모늄, 테트라페닐암모늄 등의 지방족 내지 방향족 제4급 암모늄의 염산염, 브롬화수소산염, 황산염, 질산염 등의 광산염으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 세정용 조성물.
제1항에 있어서, 헤테로 원자를 갖는 유기 용매가, N, N-디메틸포름아미드, N, N-디메틸아세트아미드, 디메틸술폭시드, N-메틸-2-피롤리돈, 1, 3-디메틸-2-이미다졸리지논 ; 메탄올, 에탄올, 이소프로필알콜(IPA), 1-프로판올, 1-부탄올, 2-부탄올, t-부탄올, 2-메틸-1-프로판올, 1-펜탄올, 1-헥산올, 1-헵탄올, 4-헵탄올, 1-옥탄올, 1-노닐알콜, 1-데칸올, 1-도데칸올 등의 알콜류 ; 에틸렌글리콜, 1, 2-프로판디올, 프로필렌글리콜, 2, 3-부탄디올, 글리세린 등의 폴리올류 ; 아세톤, 아세틸아세톤, 메틸에틸케톤 등의 케톤류 ; 아세토니트릴, 프로피오니트릴, 부티로니트릴, 이소부티로니트릴, 벤조니트릴 등의 니트릴류 ; 포름알데히드, 아세트알데히드, 프로피온알데히드 등의 알데히드류 ; 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 등의 알킬렌글리콜모노알킬에테르 ; 테트라히드로푸란, 디옥산 등의 환상 에테르류 ; 트리플루오로에탄올, 펜타 플루오로프로판올, 2, 2, 3, 3-테트라플루오로프로판올 등의 불소 알콜 ; 술포란 및 니트로메탄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 세정용 조성물.
제6항에 있어서, 헤테로 원자를 갖는 유기 용매가, 알콜류 및 케톤류로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 산소함유 유기 용매인 것을 특징으로 하는 세정용 조성물.
제7항에 있어서, 산소함유 유기 용매가 이소프로필 알콜, 에탄올 및 메탄올로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 세정용 조성물.
제7항에 있어서, 산소함유 유기 용매가 이소프로필 알콜, 에탄올 및 메탄올로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종이고, 물의 농도가 10 질량% 이하인 세정용 조성물.
제2항에 있어서, (1) 일반식

N(R¹)(R²)₃·HF₂

(R¹은 불소 및/또는 히드록실기로 치환되어도 되는 직쇄 또는 분기를 갖는 C_1∼12 알킬기, 불소 원자로 치환되어도 되는 페닐기 또는 히드록실기를 나타낸다. R²는 동일하거나 상이하고, 불소 및/또는 히드록실기로 치환되어도 되는 직쇄 또는 분기를 갖는 C_1∼12 알킬기, 불소 원자로 치환되어도 되는 페닐기 또는 수소 원자를 나타낸다)로 표시되는 중불화물염이 0.001∼10질량%, (3) 물 농도가 10질량% 이하, (2) 잔부가 이소프로필 알콜, 에탄올 및 메탄올로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 세정용 조성물.
STI, 메탈 게이트, 콘택트 홀, 비아 홀 및 캐패시터 중 적어도 1개를 형성한 피처리물을 제1항에 기재된 조성물에 의해 세정하는 공정을 포함하는, 피처리물에 부착된 부착물을 박리하는 방법.
제11항에 있어서, 상기 부착물이 에칭 처리 후의 표면에 존재하는 레지스트또는 STI, 메탈 게이트, 콘택트 홀, 비아 홀 및 캐패시터 중 적어도 1개의 측벽에 잔존하는 레지스트 유래의 폴리머인, 피처리물에 부착된 부착물을 박리하는 방법.
제11항에 있어서, 상기 부착물이 싱글 다마신 또는 듀얼 다마신 프로세스에서의 CMP 후에 잔존하는 연마제인, 피처리물에 부착된 부착물을 박리하는 방법.
제11항에 있어서, 상기 부착물이 이온 임프란테이션 후의 레지스트 잔사인, 피처리물에 부착된 부착물을 박리하는 방법.
제11항에 있어서, 상기 부착물이 에칭 처리 후에 잔존하는 레지스트이고, 피처리물의 세정 공정 전에 레지스트를 에싱하는 공정을 포함하는, 피처리물에 부착된 부착물을 박리하는 방법.
제11항에 있어서, 세정이, 피처리물을 제1항에 기재된 조성물에 침지시키는 것, 피처리물에 제1항에 기재된 조성물을 연속적 또는 간헐적으로 공급하는 것, 또는 피처리물에 제1항에 기재된 조성물을 스프레이함으로써 행해지는, 피처리물에 부착된 부착물을 박리하는 방법.
제1항에 있어서, 상기 (1)에 불화물염의 적어도 1종을 더 포함하는, 세정용 조성물.