JP3903215B2 - エッチング液 - Google Patents

エッチング液 Download PDF

Info

Publication number
JP3903215B2
JP3903215B2 JP33276798A JP33276798A JP3903215B2 JP 3903215 B2 JP3903215 B2 JP 3903215B2 JP 33276798 A JP33276798 A JP 33276798A JP 33276798 A JP33276798 A JP 33276798A JP 3903215 B2 JP3903215 B2 JP 3903215B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
etching
weight
less
bpsg
item
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP33276798A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2000164585A (ja
Inventor
健彦 毛塚
誠 陶山
充司 板野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Daikin Industries Ltd
Original Assignee
Daikin Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP33276798A priority Critical patent/JP3903215B2/ja
Application filed by Daikin Industries Ltd filed Critical Daikin Industries Ltd
Priority to PCT/JP1999/006503 priority patent/WO2000031786A1/ja
Priority to KR1020047020797A priority patent/KR100556276B1/ko
Priority to US09/856,361 priority patent/US7052627B1/en
Priority to CNB998135933A priority patent/CN1167110C/zh
Priority to KR1020017006446A priority patent/KR20010101051A/ko
Priority to EP99972782A priority patent/EP1168424A4/en
Priority to TW088120469A priority patent/TWI247791B/zh
Publication of JP2000164585A publication Critical patent/JP2000164585A/ja
Priority to US11/142,418 priority patent/US20050224459A1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3903215B2 publication Critical patent/JP3903215B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105After-treatment
    • H01L21/311Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105Etching inorganic layers
    • H01L21/31111Etching inorganic layers by chemical means
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C09K13/04Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
    • C09K13/08Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid containing a fluorine compound

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Weting (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、エッチング液、エッチング処理物の製造方法および該方法により得ることができるエッチング処理物に関し、より詳しくは、ボロンリンガラス膜(BPSG)などのドープ酸化膜と熱酸化膜(THOX)などの非ドープ酸化膜を等速度或いはそれに近いエッチングレートでエッチングするエッチング液、エッチング処理物の製造方法および該方法により得ることができるエッチング処理物に関する。
【0002】
【従来の技術及びその課題】
従来、シリコンウェハなどのエッチング剤は、HF(50重量%水溶液)とNH4F(40重量%水溶液)を所望のエッチングレートになるように適当な割合で混合したバッファードフッ酸が用いられていた。
【0003】
しかしながら、バッファードフッ酸は、BSG(ボロンガラス膜)、BPSG、PSG(リンガラス膜)、AsSG(砒素ガラス膜)などのドープ酸化膜をTEOS(テトラエトキシシランガスを用いたCVD法による酸化膜)等のUSG、THOXなどの非ドープ酸化膜よりも高速でエッチングするため、ドープ酸化膜及び非ドープ酸化膜を等速度でエッチングすることはできなかった。
【0004】
本発明は、TEOS、THOXなどの非ドープ酸化膜と不純物をドープした酸化膜を等速度でエッチングするエッチング液及びエッチング方法を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明は、以下の項1〜項15に関する。
項1. 熱酸化膜(THOX)及びボロンリンガラス膜(BPSG)のエッチングレートが25℃で100Å/min以下、かつBPSGのエッチングレート/THOXのエッチングレートが1.5以下であるエッチング液。
項2. フッ化物塩及び重フッ化物塩からなる群から選ばれる少なくとも1種を含む項1に記載のエッチング液。
項3. エッチング液の溶媒の比誘電率が35以下である項2に記載のエッチング液。
項4. 有機酸及びヘテロ原子を有する有機溶媒からなる群から選ばれる少なくとも1種を含む項2又は3に記載のエッチング液。
項5. 一水素二フッ化アンモニウム及び水を含み、さらに有機酸及びヘテロ原子を有する有機溶媒からなる群から選ばれる少なくとも1種を含み、水濃度が3重量%以下である項1に記載のエッチング液。
項6. 一水素二フッ化アンモニウム、水及びイソプロピルアルコールを含み、水濃度が3重量%以下である項1に記載のエッチング液。
項7. 一水素二フッ化アンモニウム、水及びエタノールを含み、水濃度が3重量%以下である項1に記載のエッチング液。
項8. 一水素二フッ化アンモニウム、水及びアセトンを含み、水濃度が3重量%以下である項1に記載のエッチング液。
項9. フッ化アンモニウムを含み、さらに有機酸及びヘテロ原子を有する有機溶媒からなる群から選ばれる少なくとも1種を含む項1に記載のエッチング液。
項10. フッ化アンモニウム及び水を含み、さらに有機酸及びヘテロ原子を有する有機溶媒からなる群から選ばれる少なくとも1種を含む水濃度が10重量%以下である項1に記載のエッチング液。
項11. フッ化アンモニウム、水及びエタノールを含み、水濃度が10重量%以下である項1に記載のエッチング液。
項12. フッ化アンモニウム、水及びイソプロピルアルコールを含み、水濃度が10重量%以下である項1に記載のエッチング液。
項13. フッ化アンモニウム、水及び酢酸を含み、水濃度が1.5重量%以下である項1に記載のエッチング液。
項14. 項1〜13のいずれかに記載のエッチング液を用いて被エッチング物をエッチング処理するエッチング処理物の製造方法。
項15. 項14の方法により得ることができるエッチング処理物。
【0006】
【発明の実施の形態】
本発明のエッチング液は、BPSGのエッチングレート/THOXのエッチングレートが25℃で1.5以下、好ましくは1.3以下、より好ましくは1.2以下、さらに好ましくは1.1以下、特に1.05以下である。
【0007】
なお、エッチングレートを測定するBPSGは、成膜後にアニーリングしたものである。
【0008】
本発明のエッチング液は、上記のエッチングレート比を満足すると同時に、THOX及びBPSGのエッチングレートが25℃で100Å/min以下、好ましくは80Å/min以下、より好ましくは60Å/min以下、特に50Å/min以下である。
【0009】
本発明のエッチング液のエッチングレートは、エッチング液を25℃でBPSG及びTHOXをエッチングし、各膜のエッチング処理前の膜厚とエッチング処理後の膜厚の差をエッチング時間で割って算出したものである。
【0010】
本発明のフッ化物塩、重フッ化物塩としては、金属塩、アンモニウム塩、第四級アンモニウム塩が挙げられる。金属塩としては、溶解度の高いものが好ましく、フッ化カリウム、フッ化ナトリウム、フッ化水素カリウム、フッ化水素ナトリウム等が挙げられ、アンモニウム塩としては、フッ化アンモニウム、フッ化水素アンモニウム(一水素二フッ化アンモニウム)が挙げられ、第四級アンモニウム塩としては、フッ化テトラメチルアンモニウム、メチルアミンフッ酸塩、フッ化2−ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウム、フッ化水素テトラメチルアンモニウム等が挙げられる。
【0011】
本発明において、比誘電率は、溶媒(ヘテロ原子を含む有機溶媒または有機酸、または水)自身の25℃での値を示す。
【0012】
比誘電率は、35以下、好ましくは25以下、より好ましくは21以下である。
【0013】
本発明のエッチング液に含まれる一水素二フッ化アンモニウムは、一水素二フッ化アンモニウムの結晶又は水溶液を加えてもよく、理論量のフッ化アンモニウムとHFを加えて、エッチング液中で一水素二フッ化アンモニウムを形成させてもよい。
【0014】
本発明のエッチング液に含まれるフッ化アンモニウムは、フッ化アンモニウムの結晶又は水溶液が利用できる。
【0015】
有機酸としては、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、吉草酸、カプロン酸、カプリル酸、モノクロロ酢酸、ジクロロ酢酸、トリクロロ酢酸、モノフルオロ酢酸、ジフルオロ酢酸、トリフルオロ酢酸、α−クロロ酪酸、β−クロロ酪酸、γ−クロロ酪酸、乳酸、グリコール酸、ピルビン酸、グリオキサル酸、アクリル酸等のモノカルボン酸、メタンスルホン酸、トルエンスルホン酸等のスルホン酸、シュウ酸、コハク酸、アジピン酸、酒石酸、クエン酸等のポリカルボン酸が挙げられる。
【0016】
ヘテロ原子を有する有機溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール(IPA)、1−プロパノール、1−ブタノール、2−ブタノール、t−ブタノール、2−メチル−1−プロパノール、1−ペンタノール、1−ヘキサノール、1−ヘプタノール、4−ヘプタノール、1−オクタノール、1−ノニルアルコール、1−デカノール、1−ドデカノールなどのアルコール類;アセトン、アセチルアセトン、メチルエチルケトン等のケトン類;アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、イソブチロニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル類;ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒドなどのアルデヒド類;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルなどのアルキレングリコールモノアルキルエーテル;テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類、トリフルオロエタノール、ペンタフルオロプロパノール、2,2,3,3-テトラフルオロプロパノール等のフッ素アルコール、スルホラン、ニトロメタン等が挙げられる。
【0017】
一水素二フッ化アンモニウムの含有量は、0.01〜5重量%程度、好ましくは0.01〜2.5重量%程度である。
【0018】
フッ化アンモニウムの含有量は、好ましくは0.01〜4重量%程度、より好ましくは0.01〜2重量%程度である。
【0019】
水の含有量は、好ましくは10重量%以下、より好ましくは3重量%以下である。
【0020】
有機酸の含有量は、好ましくは95重量%以上、より好ましくは96重量%以上である。
【0021】
ヘテロ原子を有する有機溶媒の含有量は、好ましくは85重量%以上、より好ましくは95重量%以上である。
【0022】
本発明の好ましいエッチング液及びその配合比を以下に示す。
・一水素二フッ化アンモニウム:IPA:水=0.01〜5重量%:92〜99.99重量%:0〜3重量%;
・一水素二フッ化アンモニウム:エタノール:水=0.01〜5重量%:92〜99.99重量%:0〜3重量%;
・一水素二フッ化アンモニウム:アセトン:水=0.01〜5重量%:92〜99.99重量%:0〜3重量%;
・フッ化アンモニウム:IPA:水=0.01〜4重量%:86〜99.99重量%:0〜10重量%;
・フッ化アンモニウム:酢酸:水=0.01〜4重量%:94.5〜99.99重量%:0〜1.5重量%;
・フッ化アンモニウム:エタノール:水=0.01〜5重量%:86〜99.99重量%:0〜10重量%。
【0023】
本発明のエッチング液は、B、P、Asなどをドープした酸化膜(BSG、BPSG、PSG、AsSG等)及びTHOXやTEOS等のUSGなどの非ドープ酸化膜を有する被エッチング物の両酸化膜をともにエッチングするのに好適に使用できる。
【0024】
本発明のエッチング方法において、エッチング液の温度は15〜40℃程度、時間は0.25〜10分間程度である。
【0025】
被エッチング物としては、シリコン単結晶ウェハ、ガリウム−砒素ウェハなどのウェハが挙げられ、特にドープ酸化膜(BSG,BPSG,PSG,AsSGなど)と非ドープ酸化膜(THOX,TEOS等のUSG)を有する被エッチング物が好ましい。
【0026】
【発明の効果】
本発明によれば、THOX,TEOS等のUSGとBPSG,BSGなどの不純物をドープした酸化膜をほぼ等速度でエッチングできるエッチング液エッチング処理物の製造方法および該方法により得ることができるエッチング処理物を提供できる。
【0027】
【実施例】
以下、本発明を実施例および比較例を用いてより詳細に説明する。
【0028】
なお、以下において、比誘電率は、溶媒(ヘテロ原子を含む有機溶媒または有機酸または水)自身の25℃での値を示す。
【0029】
さらに、エッチングレートはRudolf Reaseach社 Auto EL−IIIエリプソメーターを用いてエッチング前後の膜厚を測定することで行った。
【0030】
エッチング液のエッチングレートは、各エッチング液を25℃で各膜をエッチングし、エッチング処理前の膜厚とエッチング処理後の膜厚の差をエッチング時間で割って算出したものである。
実施例1〜3及び比較例1〜2
一水素二フッ化アンモニウム(NH4F・HF)、水及びヘテロ原子を含む有機溶媒を表1で表される割合で混合した後、濾紙を用いて結晶を分離したエッチング液を調整し、シリコン基板上にTHOX、BPSGのいずれかを形成した試験基板に対するエッチングレート及び選択比を求めた。
【0031】
結果を表1に示す。
【0032】
【表1】
Figure 0003903215
実施例4〜7及び比較例3
フッ化アンモニウム(NH4F)、水及びヘテロ原子を含む有機溶媒を表2で表される割合で混合した後、濾紙を用いて結晶を分離したエッチング液を調整し、シリコン基板上にTHOX、BPSGのいずれかを形成した試験基板に対するエッチングレート及び選択比を求めた。結果を表2に示す。
【0033】
【表2】
Figure 0003903215
実施例8及び比較例4〜7
一水素二フッ化アンモニウム(NH4F・HF)、フッ化アンモニウム(NH4F)、水及びヘテロ原子を含む有機溶媒を表3で表される割合で混合した後、濾紙を用いて結晶を分離したエッチング液を調整し、シリコン基板上にTHOX、BPSGのいずれかを形成した試験基板に対するエッチングレート及び選択比を求めた。結果を表3に示す。
【0034】
【表3】
Figure 0003903215
実施例9〜13及び比較例8
一水素二フッ化アンモニウム(NH4F・HF)、水及びIPAを表4で表される割合で混合した後、濾紙を用いて結晶を分離したエッチング液を調整し、シリコン基板上にTHOX、BPSGのいずれかを形成した試験基板に対するエッチングレート及び選択比を求めた。結果を表4に示す。
【0035】
【表4】
Figure 0003903215
実施例14〜15及び比較例9〜10
フッ化アンモニウム(NH4F)、水及びエタノ−ルを表5で表される割合で混合した後、濾紙を用いて結晶を分離したエッチング液調整し、シリコン基板上にTHOX、BPSGのいずれかを形成した試験基板に対するエッチングレート及び選択比を求めた。結果を表5に示す。
【0036】
【表5】
Figure 0003903215
実施例16〜19及び比較例11〜12
フッ化アンモニウム(NH4F)、水及び酢酸を表6で表される割合で混合した後、濾紙を用いて結晶を分離したエッチング液を調整し、シリコン基板上にTHOX、BPSGのいずれかを形成した試験基板に対するエッチングレート及び選択比を求めた。結果を表6に示す。
【0037】
【表6】
Figure 0003903215
実施例20及び比較例13〜14
一水素二フッ化アンモニウム(NH4F・HF)、水及びヘテロ原子を含む有機溶媒を表7で表される割合で混合した後、濾紙を用いて結晶を分離したエッチング液を調整し、シリコン基板上に非ドープ酸化膜(THOX、TEOS)、不純物をド−プした酸化膜(BSG、BPSG、PSG、AsSG)のいずれかを形成した試験基板に対するエッチングレート及び選択比を求めた。エッチングレ−ト、選択比の結果を表7に示す。
【0038】
【表7】
Figure 0003903215

Claims (3)

  1. 熱酸化膜(THOX)及びボロンリンガラス膜(BPSG)のエッチングレートが25℃で100Å/min以下、かつBPSGのエッチングレート/THOXのエッチングレートが1.5以下であり、一水素二フッ化アンモニウム、イソプロピルアルコール及び水を含み、一水素二フッ化アンモニウムの含有量が0.01〜2.5重量%、イソプロピルアルコールの含有量が95重量%以上、水の含有量が3重量%以下であるボロンリンガラス膜(BPSG)用エッチング液。
  2. 熱酸化膜(THOX)及びボロンリンガラス膜(BPSG)のエッチングレートが25℃で100Å/min以下、かつBPSGのエッチングレート/THOXのエッチングレートが1.5以下であり、一水素二フッ化アンモニウム、エタノール及び水を含み、一水素二フッ化アンモニウムの含有量が0.01〜2.5重量%、エタノールの含有量が95重量%以上、水の含有量が3重量%以下であるボロンリンガラス膜(BPSG)用エッチング液。
  3. 熱酸化膜(THOX)及びボロンリンガラス膜(BPSG)のエッチングレートが25℃で100Å/min以下、かつBPSGのエッチングレート/THOXのエッチングレートが1.5以下であり、一水素二フッ化アンモニウム、アセトン及び水を含み、一水素二フッ化アンモニウムの含有量が0.01〜2.5重量%、アセトンの含有量が95重量%以上、水の含有量が3重量%以下であるボロンリンガラス膜(BPSG)用エッチング液。
JP33276798A 1998-11-24 1998-11-24 エッチング液 Expired - Fee Related JP3903215B2 (ja)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP33276798A JP3903215B2 (ja) 1998-11-24 1998-11-24 エッチング液
KR1020047020797A KR100556276B1 (ko) 1998-11-24 1999-11-22 식각액, 식각 처리물 및 식각 처리물의 제조 방법
US09/856,361 US7052627B1 (en) 1998-11-24 1999-11-22 Etching solution, etched article and method for etched article
CNB998135933A CN1167110C (zh) 1998-11-24 1999-11-22 蚀刻溶液,蚀刻制品和制造蚀刻制品的方法
PCT/JP1999/006503 WO2000031786A1 (fr) 1998-11-24 1999-11-22 Reactif d'attaque, article produit par attaque et procede d'attaque d'un article
KR1020017006446A KR20010101051A (ko) 1998-11-24 1999-11-22 식각액, 식각 처리물 및 식각 처리물의 제조 방법
EP99972782A EP1168424A4 (en) 1998-11-24 1999-11-22 RESIN SOLUTION, ASSESSED OBJECT AND METHOD FOR ASSESSED OBJECT
TW088120469A TWI247791B (en) 1998-11-24 1999-11-23 Etching solution
US11/142,418 US20050224459A1 (en) 1998-11-24 2005-06-02 Etching solution, etched article and method for etched article

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP33276798A JP3903215B2 (ja) 1998-11-24 1998-11-24 エッチング液

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005006785A Division JP2005101674A (ja) 2005-01-13 2005-01-13 エッチング液

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000164585A JP2000164585A (ja) 2000-06-16
JP3903215B2 true JP3903215B2 (ja) 2007-04-11

Family

ID=18258618

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP33276798A Expired - Fee Related JP3903215B2 (ja) 1998-11-24 1998-11-24 エッチング液

Country Status (7)

Country Link
US (2) US7052627B1 (ja)
EP (1) EP1168424A4 (ja)
JP (1) JP3903215B2 (ja)
KR (2) KR100556276B1 (ja)
CN (1) CN1167110C (ja)
TW (1) TWI247791B (ja)
WO (1) WO2000031786A1 (ja)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000164586A (ja) * 1998-11-24 2000-06-16 Daikin Ind Ltd エッチング液
JP2003129089A (ja) * 2001-10-24 2003-05-08 Daikin Ind Ltd 洗浄用組成物
US7833957B2 (en) * 2002-08-22 2010-11-16 Daikin Industries, Ltd. Removing solution
JP2004277576A (ja) * 2003-03-17 2004-10-07 Daikin Ind Ltd エッチング用又は洗浄用の溶液の製造法
US20060049132A1 (en) * 2004-09-07 2006-03-09 Nanya Technology Corporation Etchant composition and the use thereof
CN101180712B (zh) * 2005-05-25 2012-05-09 大金工业株式会社 具有bpsg膜和sod膜的基板的蚀刻液
US7491650B2 (en) * 2005-07-27 2009-02-17 Micron Technology, Inc. Etch compositions and methods of processing a substrate
US20090032766A1 (en) * 2005-10-05 2009-02-05 Advanced Technology Materials, Inc. Composition and method for selectively etching gate spacer oxide material
KR100752172B1 (ko) * 2005-12-29 2007-08-24 동부일렉트로닉스 주식회사 콘택홀 형성 방법
US20070207622A1 (en) * 2006-02-23 2007-09-06 Micron Technology, Inc. Highly selective doped oxide etchant
KR100741991B1 (ko) 2006-06-29 2007-07-23 삼성전자주식회사 실리콘 산화물 식각액 및 이를 이용한 콘택홀 형성 방법
KR100860367B1 (ko) * 2006-08-21 2008-09-25 제일모직주식회사 금속실리사이드막 대비 실리콘 산화막에 대한 상대적인 식각 선택성이 향상된 식각용액
KR100902586B1 (ko) * 2007-06-04 2009-06-11 주식회사 동부하이텍 폴리 실리콘의 제거방법
TWI591158B (zh) * 2008-03-07 2017-07-11 恩特葛瑞斯股份有限公司 非選擇性氧化物蝕刻濕清潔組合物及使用方法
KR101057155B1 (ko) * 2009-03-13 2011-08-16 제일모직주식회사 금속실리사이드막 대비 실리콘 산화막에 대한 상대적인 식각 선택성이 향상된 식각용액
US8940178B2 (en) 2009-03-18 2015-01-27 E I Du Pont De Nemours And Company Textured silicon substrate and method
JP5913869B2 (ja) * 2011-08-31 2016-04-27 林純薬工業株式会社 エッチング液組成物およびエッチング方法
EP2626891A3 (en) * 2012-02-07 2018-01-24 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Activation process to improve metal adhesion
JP2015533228A (ja) 2012-10-08 2015-11-19 コーニング インコーポレイテッド 改善されたディスプレイコンポーネントを提供するための方法及び装置
CN108594342B (zh) 2013-12-19 2020-09-25 康宁股份有限公司 用于显示器应用的织构化表面
KR102153745B1 (ko) 2014-04-16 2020-09-09 삼성전자주식회사 세정액 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 세정 방법
KR101966808B1 (ko) * 2016-09-30 2019-04-08 세메스 주식회사 기판 세정 조성물, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
CN108550639B (zh) * 2018-03-21 2020-08-21 台州市棱智塑业有限公司 一种硅异质结太阳能电池界面处理剂及处理方法
CN114517094B (zh) * 2020-11-20 2023-08-22 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种丝网印刷电化学刻蚀用浆料及其制备方法和应用
KR102513757B1 (ko) 2020-11-30 2023-03-24 경희대학교 산학협력단 정형-비정형 데이터의 연계를 기반으로 기업성장지수를 제공하는 방법 및 시스템
CN113480183B (zh) * 2021-06-28 2022-07-05 江西沃格光电股份有限公司 高铝玻璃蒙砂粉、高铝玻璃的蒙砂方法和蒙砂玻璃及应用

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3518135A (en) * 1967-01-30 1970-06-30 Sylvania Electric Prod Method for producing patterns of conductive leads
US3979241A (en) * 1968-12-28 1976-09-07 Fujitsu Ltd. Method of etching films of silicon nitride and silicon dioxide
JPS4952799A (ja) 1972-09-22 1974-05-22
FR2288392A1 (fr) * 1974-10-18 1976-05-14 Radiotechnique Compelec Procede de realisation de dispositifs semiconducteurs
JPS5256869A (en) * 1975-11-05 1977-05-10 Toshiba Corp Production of semiconductor element
JPS58204540A (ja) * 1982-05-22 1983-11-29 Matsushita Electric Works Ltd 半導体装置の製法
US5277835A (en) * 1989-06-26 1994-01-11 Hashimoto Chemical Industries Co., Ltd. Surface treatment agent for fine surface treatment
CA2069038C (en) 1991-05-22 1997-08-12 Kiyofumi Sakaguchi Method for preparing semiconductor member
JP3250673B2 (ja) * 1992-01-31 2002-01-28 キヤノン株式会社 半導体素子基体とその作製方法
US5320709A (en) * 1993-02-24 1994-06-14 Advanced Chemical Systems International Incorporated Method for selective removal of organometallic and organosilicon residues and damaged oxides using anhydrous ammonium fluoride solution
JP3355504B2 (ja) * 1994-02-25 2002-12-09 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 半導体装置の製造方法及びエッチング液
JPH09148301A (ja) * 1995-11-29 1997-06-06 Nec Corp 半導体装置の製造方法とエッチング液
US5716535A (en) * 1996-03-05 1998-02-10 Micron Technology, Inc. Methods and etchants for etching oxides of silicon with low selectivity
US5698503A (en) * 1996-11-08 1997-12-16 Ashland Inc. Stripping and cleaning composition
KR100248113B1 (ko) 1997-01-21 2000-03-15 이기원 전자 표시 장치 및 기판용 세정 및 식각 조성물
TW434196B (en) * 1997-06-25 2001-05-16 Ibm Selective etching of silicate
US5824601A (en) * 1997-06-30 1998-10-20 Motorola, Inc. Carboxylic acid etching solution and method
KR100252223B1 (ko) * 1997-08-30 2000-04-15 윤종용 반도체장치의 콘택홀 세정방법
US6280651B1 (en) * 1998-12-16 2001-08-28 Advanced Technology Materials, Inc. Selective silicon oxide etchant formulation including fluoride salt, chelating agent, and glycol solvent
JPH11297656A (ja) 1998-04-14 1999-10-29 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法、リンス液、及び半導体基板洗浄液

Also Published As

Publication number Publication date
KR20050007613A (ko) 2005-01-19
TWI247791B (en) 2006-01-21
JP2000164585A (ja) 2000-06-16
CN1167110C (zh) 2004-09-15
WO2000031786A1 (fr) 2000-06-02
EP1168424A1 (en) 2002-01-02
CN1328697A (zh) 2001-12-26
EP1168424A4 (en) 2005-12-21
KR20010101051A (ko) 2001-11-14
US7052627B1 (en) 2006-05-30
KR100556276B1 (ko) 2006-03-03
US20050224459A1 (en) 2005-10-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3903215B2 (ja) エッチング液
KR100467741B1 (ko) 식각액, 식각 처리물 및 식각 처리물의 제조 방법
US6280651B1 (en) Selective silicon oxide etchant formulation including fluoride salt, chelating agent, and glycol solvent
JP2980585B2 (ja) ケイ酸塩の選択的エッチング方法およびそれに適したエッチング組成物
US7192910B2 (en) Cleaning solutions and etchants and methods for using same
US5496485A (en) Etching compositions
KR20040084799A (ko) 고유전율 박막 에칭제 조성물 및 에칭 방법
TW202104573A (zh) 用於去除蝕刻殘餘物的清洗液
TWI703170B (zh) 用於半導體製程之組成物及半導體製程
JP2003332297A (ja) エッチング液及びエッチング方法
EP1062682B1 (en) Selective silicon oxide etchant formulation including fluoride salt, chelating agent and glycol solvent
TW200424290A (en) Process for production of etching or cleaning fluids
JP2005101674A (ja) エッチング液
JP2000160367A (ja) エッチレートが高速化されたエッチング液
KR101344541B1 (ko) 실리콘 산화막에 대한 선택적 에칭액 조성물
JP2005117068A (ja) エッチング液
JP4758187B2 (ja) フォトレジスト残渣及びポリマー残渣除去液
JP2002134468A (ja) 犠牲またはマスク酸化膜除去液
JP4396267B2 (ja) エッチング剤
KR20190081344A (ko) 식각 조성물 및 이를 이용한 식각 방법
TW202206584A (zh) 用於去除蝕刻殘餘物的清洗液
JP2007220833A (ja) エッチング水溶液

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20041117

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050113

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20050224

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20050408

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20050527

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20060814

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061102

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20061219

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100119

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110119

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120119

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130119

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130119

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees