JP3903215B2 - エッチング液 - Google Patents
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- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims description 87
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 11
- KVBCYCWRDBDGBG-UHFFFAOYSA-N azane;dihydrofluoride Chemical compound [NH4+].F.[F-] KVBCYCWRDBDGBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 6
- GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N [B].[P] Chemical compound [B].[P] GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 34
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 12
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- -1 ammonium monohydrogen Chemical class 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N N-Pentanol Chemical compound CCCCCO AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N benzonitrile Chemical compound N#CC1=CC=CC=C1 JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N butan-2-ol Chemical compound CCC(C)O BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 1-Octanol Chemical compound CCCCCCCCO KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BBMCTIGTTCKYKF-UHFFFAOYSA-N 1-heptanol Chemical compound CCCCCCCO BBMCTIGTTCKYKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RVBUZBPJAGZHSQ-UHFFFAOYSA-N 2-chlorobutanoic acid Chemical compound CCC(Cl)C(O)=O RVBUZBPJAGZHSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YVBCULSIZWMTFY-UHFFFAOYSA-N 4-Heptanol Natural products CCCC(O)CCC YVBCULSIZWMTFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IKHGUXGNUITLKF-UHFFFAOYSA-N Acetaldehyde Chemical compound CC=O IKHGUXGNUITLKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Chemical compound OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBBJYMSMWIIQGU-UHFFFAOYSA-N Propionic aldehyde Chemical compound CCC=O NBBJYMSMWIIQGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LCTONWCANYUPML-UHFFFAOYSA-N Pyruvic acid Chemical compound CC(=O)C(O)=O LCTONWCANYUPML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N Trifluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N decan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCO MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LPLMZAJYUPAYQZ-UHFFFAOYSA-N diazanium;difluoride Chemical compound [NH4+].[NH4+].[F-].[F-] LPLMZAJYUPAYQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JXTHNDFMNIQAHM-UHFFFAOYSA-N dichloroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(Cl)Cl JXTHNDFMNIQAHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LQZZUXJYWNFBMV-UHFFFAOYSA-N dodecan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCCCO LQZZUXJYWNFBMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004673 fluoride salts Chemical class 0.000 description 2
- QEWYKACRFQMRMB-UHFFFAOYSA-N fluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)CF QEWYKACRFQMRMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HHLFWLYXYJOTON-UHFFFAOYSA-N glyoxylic acid Chemical compound OC(=O)C=O HHLFWLYXYJOTON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N hexan-1-ol Chemical compound CCCCCCO ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N isobutanol Chemical compound CC(C)CO ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KQNPFQTWMSNSAP-UHFFFAOYSA-N isobutyric acid Chemical compound CC(C)C(O)=O KQNPFQTWMSNSAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- MOVBJUGHBJJKOW-UHFFFAOYSA-N methyl 2-amino-5-methoxybenzoate Chemical compound COC(=O)C1=CC(OC)=CC=C1N MOVBJUGHBJJKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical compound CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 2
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N valeric acid Chemical compound CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- COWKRCCNQSQUGJ-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2,3-pentafluoropropan-1-ol Chemical compound OC(F)(F)C(F)(F)CF COWKRCCNQSQUGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005968 1-Decanol Substances 0.000 description 1
- NBUKAOOFKZFCGD-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3-tetrafluoropropan-1-ol Chemical compound OCC(F)(F)C(F)F NBUKAOOFKZFCGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 2-Methylbenzenesulfonic acid Chemical compound CC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FHCUSSBEGLCCHQ-UHFFFAOYSA-M 2-hydroxyethyl(trimethyl)azanium;fluoride Chemical compound [F-].C[N+](C)(C)CCO FHCUSSBEGLCCHQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ASZZHBXPMOVHCU-UHFFFAOYSA-N 3,9-diazaspiro[5.5]undecane-2,4-dione Chemical compound C1C(=O)NC(=O)CC11CCNCC1 ASZZHBXPMOVHCU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IPLKGJHGWCVSOG-UHFFFAOYSA-N 4-chlorobutanoic acid Chemical compound OC(=O)CCCCl IPLKGJHGWCVSOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005635 Caprylic acid (CAS 124-07-2) Substances 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N Hydrogen atom Chemical class [H] YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RHQDFWAXVIIEBN-UHFFFAOYSA-N Trifluoroethanol Chemical compound OCC(F)(F)F RHQDFWAXVIIEBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XFCFYXYRYOKBJS-UHFFFAOYSA-N [F-].[F-].[F-].[NH4+].[NH4+].[NH4+] Chemical compound [F-].[F-].[F-].[NH4+].[NH4+].[NH4+] XFCFYXYRYOKBJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-O azanium;hydrofluoride Chemical compound [NH4+].F LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N butyric aldehyde Natural products CCCC=O ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KVNRLNFWIYMESJ-UHFFFAOYSA-N butyronitrile Chemical compound CCCC#N KVNRLNFWIYMESJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- FOCAUTSVDIKZOP-UHFFFAOYSA-N chloroacetic acid Chemical compound OC(=O)CCl FOCAUTSVDIKZOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 229960005215 dichloroacetic acid Drugs 0.000 description 1
- PBWZKZYHONABLN-UHFFFAOYSA-N difluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(F)F PBWZKZYHONABLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LRDFRRGEGBBSRN-UHFFFAOYSA-N isobutyronitrile Chemical compound CC(C)C#N LRDFRRGEGBBSRN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- RRSMHQNLDRCPQG-UHFFFAOYSA-N methanamine;hydrofluoride Chemical compound [F-].[NH3+]C RRSMHQNLDRCPQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N methanone Chemical compound O=[14CH2] WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- ZWRUINPWMLAQRD-UHFFFAOYSA-N n-Nonyl alcohol Natural products CCCCCCCCCO ZWRUINPWMLAQRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- LYGJENNIWJXYER-UHFFFAOYSA-N nitromethane Chemical compound C[N+]([O-])=O LYGJENNIWJXYER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960002446 octanoic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 235000003270 potassium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- 239000011698 potassium fluoride Substances 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- FVSKHRXBFJPNKK-UHFFFAOYSA-N propionitrile Chemical compound CCC#N FVSKHRXBFJPNKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940107700 pyruvic acid Drugs 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 description 1
- BFXAWOHHDUIALU-UHFFFAOYSA-M sodium;hydron;difluoride Chemical compound F.[F-].[Na+] BFXAWOHHDUIALU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N sulfolane Chemical compound O=S1(=O)CCCC1 HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003460 sulfonic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNJBWRMUSHSURL-UHFFFAOYSA-N trichloroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(Cl)(Cl)Cl YNJBWRMUSHSURL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940005605 valeric acid Drugs 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、エッチング液、エッチング処理物の製造方法および該方法により得ることができるエッチング処理物に関し、より詳しくは、ボロンリンガラス膜(BPSG)などのドープ酸化膜と熱酸化膜(THOX)などの非ドープ酸化膜を等速度或いはそれに近いエッチングレートでエッチングするエッチング液、エッチング処理物の製造方法および該方法により得ることができるエッチング処理物に関する。
【0002】
【従来の技術及びその課題】
従来、シリコンウェハなどのエッチング剤は、HF(50重量%水溶液)とNH4F(40重量%水溶液)を所望のエッチングレートになるように適当な割合で混合したバッファードフッ酸が用いられていた。
【0003】
しかしながら、バッファードフッ酸は、BSG(ボロンガラス膜)、BPSG、PSG(リンガラス膜)、AsSG(砒素ガラス膜)などのドープ酸化膜をTEOS(テトラエトキシシランガスを用いたCVD法による酸化膜)等のUSG、THOXなどの非ドープ酸化膜よりも高速でエッチングするため、ドープ酸化膜及び非ドープ酸化膜を等速度でエッチングすることはできなかった。
【0004】
本発明は、TEOS、THOXなどの非ドープ酸化膜と不純物をドープした酸化膜を等速度でエッチングするエッチング液及びエッチング方法を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明は、以下の項1〜項15に関する。
項1. 熱酸化膜(THOX)及びボロンリンガラス膜(BPSG)のエッチングレートが25℃で100Å/min以下、かつBPSGのエッチングレート/THOXのエッチングレートが1.5以下であるエッチング液。
項2. フッ化物塩及び重フッ化物塩からなる群から選ばれる少なくとも1種を含む項1に記載のエッチング液。
項3. エッチング液の溶媒の比誘電率が35以下である項2に記載のエッチング液。
項4. 有機酸及びヘテロ原子を有する有機溶媒からなる群から選ばれる少なくとも1種を含む項2又は3に記載のエッチング液。
項5. 一水素二フッ化アンモニウム及び水を含み、さらに有機酸及びヘテロ原子を有する有機溶媒からなる群から選ばれる少なくとも1種を含み、水濃度が3重量%以下である項1に記載のエッチング液。
項6. 一水素二フッ化アンモニウム、水及びイソプロピルアルコールを含み、水濃度が3重量%以下である項1に記載のエッチング液。
項7. 一水素二フッ化アンモニウム、水及びエタノールを含み、水濃度が3重量%以下である項1に記載のエッチング液。
項8. 一水素二フッ化アンモニウム、水及びアセトンを含み、水濃度が3重量%以下である項1に記載のエッチング液。
項9. フッ化アンモニウムを含み、さらに有機酸及びヘテロ原子を有する有機溶媒からなる群から選ばれる少なくとも1種を含む項1に記載のエッチング液。
項10. フッ化アンモニウム及び水を含み、さらに有機酸及びヘテロ原子を有する有機溶媒からなる群から選ばれる少なくとも1種を含む水濃度が10重量%以下である項1に記載のエッチング液。
項11. フッ化アンモニウム、水及びエタノールを含み、水濃度が10重量%以下である項1に記載のエッチング液。
項12. フッ化アンモニウム、水及びイソプロピルアルコールを含み、水濃度が10重量%以下である項1に記載のエッチング液。
項13. フッ化アンモニウム、水及び酢酸を含み、水濃度が1.5重量%以下である項1に記載のエッチング液。
項14. 項1〜13のいずれかに記載のエッチング液を用いて被エッチング物をエッチング処理するエッチング処理物の製造方法。
項15. 項14の方法により得ることができるエッチング処理物。
【0006】
【発明の実施の形態】
本発明のエッチング液は、BPSGのエッチングレート/THOXのエッチングレートが25℃で1.5以下、好ましくは1.3以下、より好ましくは1.2以下、さらに好ましくは1.1以下、特に1.05以下である。
【0007】
なお、エッチングレートを測定するBPSGは、成膜後にアニーリングしたものである。
【0008】
本発明のエッチング液は、上記のエッチングレート比を満足すると同時に、THOX及びBPSGのエッチングレートが25℃で100Å/min以下、好ましくは80Å/min以下、より好ましくは60Å/min以下、特に50Å/min以下である。
【0009】
本発明のエッチング液のエッチングレートは、エッチング液を25℃でBPSG及びTHOXをエッチングし、各膜のエッチング処理前の膜厚とエッチング処理後の膜厚の差をエッチング時間で割って算出したものである。
【0010】
本発明のフッ化物塩、重フッ化物塩としては、金属塩、アンモニウム塩、第四級アンモニウム塩が挙げられる。金属塩としては、溶解度の高いものが好ましく、フッ化カリウム、フッ化ナトリウム、フッ化水素カリウム、フッ化水素ナトリウム等が挙げられ、アンモニウム塩としては、フッ化アンモニウム、フッ化水素アンモニウム(一水素二フッ化アンモニウム)が挙げられ、第四級アンモニウム塩としては、フッ化テトラメチルアンモニウム、メチルアミンフッ酸塩、フッ化2−ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウム、フッ化水素テトラメチルアンモニウム等が挙げられる。
【0011】
本発明において、比誘電率は、溶媒(ヘテロ原子を含む有機溶媒または有機酸、または水)自身の25℃での値を示す。
【0012】
比誘電率は、35以下、好ましくは25以下、より好ましくは21以下である。
【0013】
本発明のエッチング液に含まれる一水素二フッ化アンモニウムは、一水素二フッ化アンモニウムの結晶又は水溶液を加えてもよく、理論量のフッ化アンモニウムとHFを加えて、エッチング液中で一水素二フッ化アンモニウムを形成させてもよい。
【0014】
本発明のエッチング液に含まれるフッ化アンモニウムは、フッ化アンモニウムの結晶又は水溶液が利用できる。
【0015】
有機酸としては、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、吉草酸、カプロン酸、カプリル酸、モノクロロ酢酸、ジクロロ酢酸、トリクロロ酢酸、モノフルオロ酢酸、ジフルオロ酢酸、トリフルオロ酢酸、α−クロロ酪酸、β−クロロ酪酸、γ−クロロ酪酸、乳酸、グリコール酸、ピルビン酸、グリオキサル酸、アクリル酸等のモノカルボン酸、メタンスルホン酸、トルエンスルホン酸等のスルホン酸、シュウ酸、コハク酸、アジピン酸、酒石酸、クエン酸等のポリカルボン酸が挙げられる。
【0016】
ヘテロ原子を有する有機溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール(IPA)、1−プロパノール、1−ブタノール、2−ブタノール、t−ブタノール、2−メチル−1−プロパノール、1−ペンタノール、1−ヘキサノール、1−ヘプタノール、4−ヘプタノール、1−オクタノール、1−ノニルアルコール、1−デカノール、1−ドデカノールなどのアルコール類;アセトン、アセチルアセトン、メチルエチルケトン等のケトン類;アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、イソブチロニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル類;ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒドなどのアルデヒド類;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルなどのアルキレングリコールモノアルキルエーテル;テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類、トリフルオロエタノール、ペンタフルオロプロパノール、2,2,3,3-テトラフルオロプロパノール等のフッ素アルコール、スルホラン、ニトロメタン等が挙げられる。
【0017】
一水素二フッ化アンモニウムの含有量は、0.01〜5重量%程度、好ましくは0.01〜2.5重量%程度である。
【0018】
フッ化アンモニウムの含有量は、好ましくは0.01〜4重量%程度、より好ましくは0.01〜2重量%程度である。
【0019】
水の含有量は、好ましくは10重量%以下、より好ましくは3重量%以下である。
【0020】
有機酸の含有量は、好ましくは95重量%以上、より好ましくは96重量%以上である。
【0021】
ヘテロ原子を有する有機溶媒の含有量は、好ましくは85重量%以上、より好ましくは95重量%以上である。
【0022】
本発明の好ましいエッチング液及びその配合比を以下に示す。
・一水素二フッ化アンモニウム:IPA:水=0.01〜5重量%:92〜99.99重量%:0〜3重量%;
・一水素二フッ化アンモニウム:エタノール:水=0.01〜5重量%:92〜99.99重量%:0〜3重量%;
・一水素二フッ化アンモニウム:アセトン:水=0.01〜5重量%:92〜99.99重量%:0〜3重量%;
・フッ化アンモニウム:IPA:水=0.01〜4重量%:86〜99.99重量%:0〜10重量%;
・フッ化アンモニウム:酢酸:水=0.01〜4重量%:94.5〜99.99重量%:0〜1.5重量%;
・フッ化アンモニウム:エタノール:水=0.01〜5重量%:86〜99.99重量%:0〜10重量%。
【0023】
本発明のエッチング液は、B、P、Asなどをドープした酸化膜(BSG、BPSG、PSG、AsSG等)及びTHOXやTEOS等のUSGなどの非ドープ酸化膜を有する被エッチング物の両酸化膜をともにエッチングするのに好適に使用できる。
【0024】
本発明のエッチング方法において、エッチング液の温度は15〜40℃程度、時間は0.25〜10分間程度である。
【0025】
被エッチング物としては、シリコン単結晶ウェハ、ガリウム−砒素ウェハなどのウェハが挙げられ、特にドープ酸化膜(BSG,BPSG,PSG,AsSGなど)と非ドープ酸化膜(THOX,TEOS等のUSG)を有する被エッチング物が好ましい。
【0026】
【発明の効果】
本発明によれば、THOX,TEOS等のUSGとBPSG,BSGなどの不純物をドープした酸化膜をほぼ等速度でエッチングできるエッチング液エッチング処理物の製造方法および該方法により得ることができるエッチング処理物を提供できる。
【0027】
【実施例】
以下、本発明を実施例および比較例を用いてより詳細に説明する。
【0028】
なお、以下において、比誘電率は、溶媒(ヘテロ原子を含む有機溶媒または有機酸または水)自身の25℃での値を示す。
【0029】
さらに、エッチングレートはRudolf Reaseach社 Auto EL−IIIエリプソメーターを用いてエッチング前後の膜厚を測定することで行った。
【0030】
エッチング液のエッチングレートは、各エッチング液を25℃で各膜をエッチングし、エッチング処理前の膜厚とエッチング処理後の膜厚の差をエッチング時間で割って算出したものである。
実施例1〜3及び比較例1〜2
一水素二フッ化アンモニウム(NH4F・HF)、水及びヘテロ原子を含む有機溶媒を表1で表される割合で混合した後、濾紙を用いて結晶を分離したエッチング液を調整し、シリコン基板上にTHOX、BPSGのいずれかを形成した試験基板に対するエッチングレート及び選択比を求めた。
【0031】
結果を表1に示す。
【0032】
【表1】
実施例4〜7及び比較例3
フッ化アンモニウム(NH4F)、水及びヘテロ原子を含む有機溶媒を表2で表される割合で混合した後、濾紙を用いて結晶を分離したエッチング液を調整し、シリコン基板上にTHOX、BPSGのいずれかを形成した試験基板に対するエッチングレート及び選択比を求めた。結果を表2に示す。
【0033】
【表2】
実施例8及び比較例4〜7
一水素二フッ化アンモニウム(NH4F・HF)、フッ化アンモニウム(NH4F)、水及びヘテロ原子を含む有機溶媒を表3で表される割合で混合した後、濾紙を用いて結晶を分離したエッチング液を調整し、シリコン基板上にTHOX、BPSGのいずれかを形成した試験基板に対するエッチングレート及び選択比を求めた。結果を表3に示す。
【0034】
【表3】
実施例9〜13及び比較例8
一水素二フッ化アンモニウム(NH4F・HF)、水及びIPAを表4で表される割合で混合した後、濾紙を用いて結晶を分離したエッチング液を調整し、シリコン基板上にTHOX、BPSGのいずれかを形成した試験基板に対するエッチングレート及び選択比を求めた。結果を表4に示す。
【0035】
【表4】
実施例14〜15及び比較例9〜10
フッ化アンモニウム(NH4F)、水及びエタノ−ルを表5で表される割合で混合した後、濾紙を用いて結晶を分離したエッチング液調整し、シリコン基板上にTHOX、BPSGのいずれかを形成した試験基板に対するエッチングレート及び選択比を求めた。結果を表5に示す。
【0036】
【表5】
実施例16〜19及び比較例11〜12
フッ化アンモニウム(NH4F)、水及び酢酸を表6で表される割合で混合した後、濾紙を用いて結晶を分離したエッチング液を調整し、シリコン基板上にTHOX、BPSGのいずれかを形成した試験基板に対するエッチングレート及び選択比を求めた。結果を表6に示す。
【0037】
【表6】
実施例20及び比較例13〜14
一水素二フッ化アンモニウム(NH4F・HF)、水及びヘテロ原子を含む有機溶媒を表7で表される割合で混合した後、濾紙を用いて結晶を分離したエッチング液を調整し、シリコン基板上に非ドープ酸化膜(THOX、TEOS)、不純物をド−プした酸化膜(BSG、BPSG、PSG、AsSG)のいずれかを形成した試験基板に対するエッチングレート及び選択比を求めた。エッチングレ−ト、選択比の結果を表7に示す。
【0038】
【表7】
Claims (3)
- 熱酸化膜(THOX)及びボロンリンガラス膜(BPSG)のエッチングレートが25℃で100Å/min以下、かつBPSGのエッチングレート/THOXのエッチングレートが1.5以下であり、一水素二フッ化アンモニウム、イソプロピルアルコール及び水を含み、一水素二フッ化アンモニウムの含有量が0.01〜2.5重量%、イソプロピルアルコールの含有量が95重量%以上、水の含有量が3重量%以下であるボロンリンガラス膜(BPSG)用エッチング液。
- 熱酸化膜(THOX)及びボロンリンガラス膜(BPSG)のエッチングレートが25℃で100Å/min以下、かつBPSGのエッチングレート/THOXのエッチングレートが1.5以下であり、一水素二フッ化アンモニウム、エタノール及び水を含み、一水素二フッ化アンモニウムの含有量が0.01〜2.5重量%、エタノールの含有量が95重量%以上、水の含有量が3重量%以下であるボロンリンガラス膜(BPSG)用エッチング液。
- 熱酸化膜(THOX)及びボロンリンガラス膜(BPSG)のエッチングレートが25℃で100Å/min以下、かつBPSGのエッチングレート/THOXのエッチングレートが1.5以下であり、一水素二フッ化アンモニウム、アセトン及び水を含み、一水素二フッ化アンモニウムの含有量が0.01〜2.5重量%、アセトンの含有量が95重量%以上、水の含有量が3重量%以下であるボロンリンガラス膜(BPSG)用エッチング液。
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33276798A JP3903215B2 (ja) | 1998-11-24 | 1998-11-24 | エッチング液 |
KR1020047020797A KR100556276B1 (ko) | 1998-11-24 | 1999-11-22 | 식각액, 식각 처리물 및 식각 처리물의 제조 방법 |
CNB998135933A CN1167110C (zh) | 1998-11-24 | 1999-11-22 | 蚀刻溶液,蚀刻制品和制造蚀刻制品的方法 |
KR1020017006446A KR20010101051A (ko) | 1998-11-24 | 1999-11-22 | 식각액, 식각 처리물 및 식각 처리물의 제조 방법 |
PCT/JP1999/006503 WO2000031786A1 (fr) | 1998-11-24 | 1999-11-22 | Reactif d'attaque, article produit par attaque et procede d'attaque d'un article |
EP99972782A EP1168424A4 (en) | 1998-11-24 | 1999-11-22 | RESIN SOLUTION, ASSESSED OBJECT AND METHOD FOR ASSESSED OBJECT |
US09/856,361 US7052627B1 (en) | 1998-11-24 | 1999-11-22 | Etching solution, etched article and method for etched article |
TW088120469A TWI247791B (en) | 1998-11-24 | 1999-11-23 | Etching solution |
US11/142,418 US20050224459A1 (en) | 1998-11-24 | 2005-06-02 | Etching solution, etched article and method for etched article |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33276798A JP3903215B2 (ja) | 1998-11-24 | 1998-11-24 | エッチング液 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005006785A Division JP2005101674A (ja) | 2005-01-13 | 2005-01-13 | エッチング液 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000164585A JP2000164585A (ja) | 2000-06-16 |
JP3903215B2 true JP3903215B2 (ja) | 2007-04-11 |
Family
ID=18258618
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33276798A Expired - Fee Related JP3903215B2 (ja) | 1998-11-24 | 1998-11-24 | エッチング液 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7052627B1 (ja) |
EP (1) | EP1168424A4 (ja) |
JP (1) | JP3903215B2 (ja) |
KR (2) | KR100556276B1 (ja) |
CN (1) | CN1167110C (ja) |
TW (1) | TWI247791B (ja) |
WO (1) | WO2000031786A1 (ja) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000164586A (ja) * | 1998-11-24 | 2000-06-16 | Daikin Ind Ltd | エッチング液 |
JP2003129089A (ja) * | 2001-10-24 | 2003-05-08 | Daikin Ind Ltd | 洗浄用組成物 |
JP4434950B2 (ja) * | 2002-08-22 | 2010-03-17 | ダイキン工業株式会社 | 剥離液 |
JP2004277576A (ja) * | 2003-03-17 | 2004-10-07 | Daikin Ind Ltd | エッチング用又は洗浄用の溶液の製造法 |
US20060049132A1 (en) * | 2004-09-07 | 2006-03-09 | Nanya Technology Corporation | Etchant composition and the use thereof |
KR100927080B1 (ko) * | 2005-05-25 | 2009-11-13 | 다이킨 고교 가부시키가이샤 | Bpsg막과 sod막을 포함하는 기판의 에칭액 |
US7491650B2 (en) | 2005-07-27 | 2009-02-17 | Micron Technology, Inc. | Etch compositions and methods of processing a substrate |
EP1949424A2 (en) * | 2005-10-05 | 2008-07-30 | Advanced Technology Materials, Inc. | Composition and method for selectively etching gate spacer oxide material |
KR100752172B1 (ko) * | 2005-12-29 | 2007-08-24 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 콘택홀 형성 방법 |
US20070207622A1 (en) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Micron Technology, Inc. | Highly selective doped oxide etchant |
KR100741991B1 (ko) | 2006-06-29 | 2007-07-23 | 삼성전자주식회사 | 실리콘 산화물 식각액 및 이를 이용한 콘택홀 형성 방법 |
KR100860367B1 (ko) * | 2006-08-21 | 2008-09-25 | 제일모직주식회사 | 금속실리사이드막 대비 실리콘 산화막에 대한 상대적인 식각 선택성이 향상된 식각용액 |
KR100902586B1 (ko) * | 2007-06-04 | 2009-06-11 | 주식회사 동부하이텍 | 폴리 실리콘의 제거방법 |
CN102007196B (zh) * | 2008-03-07 | 2014-10-29 | 高级技术材料公司 | 非选择性氧化物蚀刻湿清洁组合物及使用方法 |
KR101057155B1 (ko) * | 2009-03-13 | 2011-08-16 | 제일모직주식회사 | 금속실리사이드막 대비 실리콘 산화막에 대한 상대적인 식각 선택성이 향상된 식각용액 |
US8940178B2 (en) * | 2009-03-18 | 2015-01-27 | E I Du Pont De Nemours And Company | Textured silicon substrate and method |
JP5913869B2 (ja) * | 2011-08-31 | 2016-04-27 | 林純薬工業株式会社 | エッチング液組成物およびエッチング方法 |
EP2626891A3 (en) * | 2012-02-07 | 2018-01-24 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Activation process to improve metal adhesion |
WO2014058748A1 (en) | 2012-10-08 | 2014-04-17 | Corning Incorporated | Methods and apparatus for providing improved display components |
WO2015095288A2 (en) | 2013-12-19 | 2015-06-25 | Corning Incorporated | Textured surfaces for display applications |
KR102153745B1 (ko) | 2014-04-16 | 2020-09-09 | 삼성전자주식회사 | 세정액 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 세정 방법 |
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CN108550639B (zh) * | 2018-03-21 | 2020-08-21 | 台州市棱智塑业有限公司 | 一种硅异质结太阳能电池界面处理剂及处理方法 |
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-
1998
- 1998-11-24 JP JP33276798A patent/JP3903215B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-11-22 US US09/856,361 patent/US7052627B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-11-22 KR KR1020047020797A patent/KR100556276B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-11-22 CN CNB998135933A patent/CN1167110C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1999-11-22 WO PCT/JP1999/006503 patent/WO2000031786A1/ja not_active Application Discontinuation
- 1999-11-22 KR KR1020017006446A patent/KR20010101051A/ko not_active Application Discontinuation
- 1999-11-22 EP EP99972782A patent/EP1168424A4/en not_active Withdrawn
- 1999-11-23 TW TW088120469A patent/TWI247791B/zh not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-06-02 US US11/142,418 patent/US20050224459A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100556276B1 (ko) | 2006-03-03 |
WO2000031786A1 (fr) | 2000-06-02 |
JP2000164585A (ja) | 2000-06-16 |
CN1167110C (zh) | 2004-09-15 |
CN1328697A (zh) | 2001-12-26 |
US20050224459A1 (en) | 2005-10-13 |
KR20010101051A (ko) | 2001-11-14 |
TWI247791B (en) | 2006-01-21 |
EP1168424A1 (en) | 2002-01-02 |
US7052627B1 (en) | 2006-05-30 |
KR20050007613A (ko) | 2005-01-19 |
EP1168424A4 (en) | 2005-12-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041117 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050113 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20050224 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20050408 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20050527 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20060814 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061102 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20061219 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100119 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110119 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120119 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130119 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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