JP2000160367A - エッチレートが高速化されたエッチング液 - Google Patents
エッチレートが高速化されたエッチング液Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】エッチレートが高速化されたエッチング液を提
供する。 【解決手段】 フッ化水素及びフッ化アンモニウムを含
有する水溶液であって、さらに他の塩を含有するエッチ
ング液。
供する。 【解決手段】 フッ化水素及びフッ化アンモニウムを含
有する水溶液であって、さらに他の塩を含有するエッチ
ング液。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エッチレートが高
速化されたエッチング液に関する。
速化されたエッチング液に関する。
【０００２】
【従来の技術】フッ化水素及びフッ化アンモニウムの混
合溶液（いわゆる「バッファードフッ酸」）は、半導体
集積回路製造工程の湿式プロセスにおいてエッチング液
として用いられている。
合溶液（いわゆる「バッファードフッ酸」）は、半導体
集積回路製造工程の湿式プロセスにおいてエッチング液
として用いられている。
【０００３】エッチング処理には現在は主としてバッチ
方式が用いられているが、ウェハが大型化すると枚葉式
のエッチング処理方法が重要となる。枚様式のエッチン
グ処理方法ではウェハを１枚１枚処理するため、複数枚
を同時に処理するバッチ方式に比べて１枚当たりの処理
時間がかかる。従って、現在、バッファードフッ酸のエ
ッチレートの高速化が求められており、その方法とし
て、フッ化水素とフッ化アンモニウムを特定の濃度とす
る方法、エッチング処理時の温度を上げる方法等が提案
されている。
方式が用いられているが、ウェハが大型化すると枚葉式
のエッチング処理方法が重要となる。枚様式のエッチン
グ処理方法ではウェハを１枚１枚処理するため、複数枚
を同時に処理するバッチ方式に比べて１枚当たりの処理
時間がかかる。従って、現在、バッファードフッ酸のエ
ッチレートの高速化が求められており、その方法とし
て、フッ化水素とフッ化アンモニウムを特定の濃度とす
る方法、エッチング処理時の温度を上げる方法等が提案
されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、エッ
チレートが高速化されたエッチング液を提供することに
ある。
チレートが高速化されたエッチング液を提供することに
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、バッファー
ドフッ酸に、さらに他の塩を添加することによりエッチ
レートが高められることを見出し本発明を完成した。
ドフッ酸に、さらに他の塩を添加することによりエッチ
レートが高められることを見出し本発明を完成した。
【０００６】即ち、本発明は、以下の各項に示すエッチ
ング液を提供するものである。項１ フッ化水素及びフ
ッ化アンモニウムを含有する水溶液であって、さらに他
の塩を含有することを特徴とするエッチング液。項２
他の塩が、強酸の塩であることを特徴とする項１に記載
のエッチング液。項３ 他の塩が、塩酸、臭化水素酸、
ヨウ化水素酸、硝酸、硫酸、ヘキサフルオロケイ酸及び
テトラフルオロホウ酸の塩からなる群より選ばれる１種
又は２種以上であることを特徴とする項１又は２に記載
のエッチング液。項４ 他の塩が、強酸のアルカリ金属
塩、強酸のアンモニウム塩及び強酸の第四級アンモニウ
ム塩からなる群より選ばれる１種又は２種以上であるこ
とを特徴とする項１〜３のいずれかに記載のエッチング
液。項５ 他の塩が、強酸のカリウム塩及び強酸のアン
モニウム塩からなる群より選ばれる１種又は２種以上で
あることを特徴とする項１〜４のいずれかに記載のエッ
チング液。項６ 他の塩が、塩化カリウム、臭化カリウ
ム、ヨウ化カリウム、塩化アンモニウム、臭化アンモニ
ウム、ヨウ化アンモニウム、硝酸アンモニウム、硫酸ア
ンモニウム、ヘキサフルオロケイ酸アンモニウム及びテ
トラフルオロホウ酸アンモニウムからなる群より選ばれ
る１種又は２種以上であることを特徴とする項１〜５の
いずれかに記載のエッチング液。項７ フッ化水素の濃
度が０．０５〜１０ｍｏｌ／ｋｇ、フッ化アンモニウム
の濃度が０．０５〜１１ｍｏｌ／ｋｇ及び他の塩の濃度
が０．０５〜５ｍｏｌ／ｋｇであることを特徴とする項
１〜６のいずれかに記載のエッチング液。
ング液を提供するものである。項１ フッ化水素及びフ
ッ化アンモニウムを含有する水溶液であって、さらに他
の塩を含有することを特徴とするエッチング液。項２
他の塩が、強酸の塩であることを特徴とする項１に記載
のエッチング液。項３ 他の塩が、塩酸、臭化水素酸、
ヨウ化水素酸、硝酸、硫酸、ヘキサフルオロケイ酸及び
テトラフルオロホウ酸の塩からなる群より選ばれる１種
又は２種以上であることを特徴とする項１又は２に記載
のエッチング液。項４ 他の塩が、強酸のアルカリ金属
塩、強酸のアンモニウム塩及び強酸の第四級アンモニウ
ム塩からなる群より選ばれる１種又は２種以上であるこ
とを特徴とする項１〜３のいずれかに記載のエッチング
液。項５ 他の塩が、強酸のカリウム塩及び強酸のアン
モニウム塩からなる群より選ばれる１種又は２種以上で
あることを特徴とする項１〜４のいずれかに記載のエッ
チング液。項６ 他の塩が、塩化カリウム、臭化カリウ
ム、ヨウ化カリウム、塩化アンモニウム、臭化アンモニ
ウム、ヨウ化アンモニウム、硝酸アンモニウム、硫酸ア
ンモニウム、ヘキサフルオロケイ酸アンモニウム及びテ
トラフルオロホウ酸アンモニウムからなる群より選ばれ
る１種又は２種以上であることを特徴とする項１〜５の
いずれかに記載のエッチング液。項７ フッ化水素の濃
度が０．０５〜１０ｍｏｌ／ｋｇ、フッ化アンモニウム
の濃度が０．０５〜１１ｍｏｌ／ｋｇ及び他の塩の濃度
が０．０５〜５ｍｏｌ／ｋｇであることを特徴とする項
１〜６のいずれかに記載のエッチング液。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明のエッチング液が含有する
他の塩としては、フッ化水素とフッ化アンモニウムを含
有するバッファードフッ酸に添加した場合にエッチレー
トを高めることができる塩であれば、特に限定されず各
種の有機酸又は無機酸の塩から選択することができる。
他の塩としては、フッ化水素とフッ化アンモニウムを含
有するバッファードフッ酸に添加した場合にエッチレー
トを高めることができる塩であれば、特に限定されず各
種の有機酸又は無機酸の塩から選択することができる。
【０００８】他の塩としては、強酸の塩が好ましく、例
えば、塩酸、臭化水素酸、ヨウ化水素酸、硝酸、硫酸、
ヘキサフルオロケイ酸、テトラフルオロホウ酸等の塩が
挙げられる。
えば、塩酸、臭化水素酸、ヨウ化水素酸、硝酸、硫酸、
ヘキサフルオロケイ酸、テトラフルオロホウ酸等の塩が
挙げられる。
【０００９】また、強酸の塩としては、強酸のアルカリ
金属塩、強酸のアンモニウム塩、強酸の第四級アンモニ
ウム塩であることが好ましく、上記に例示したような強
酸の、アルカリ金属塩、アンモニウム塩又は第四級アン
モニウム塩が特に好ましい。
金属塩、強酸のアンモニウム塩、強酸の第四級アンモニ
ウム塩であることが好ましく、上記に例示したような強
酸の、アルカリ金属塩、アンモニウム塩又は第四級アン
モニウム塩が特に好ましい。
【００１０】強酸の第四級アンモニウム塩において、置
換基は、好ましくはアルキル基であり、特に炭素数１〜
２個のアルキル基が好ましい。
換基は、好ましくはアルキル基であり、特に炭素数１〜
２個のアルキル基が好ましい。
【００１１】これらの中でも、強酸、特に上記に例示し
たような強酸の、アルカリ金属塩及びアンモニウム塩が
特に好ましい。また、強酸のアルカリ金属塩の中でも、
強酸のカリウム塩がさらに好ましい。
たような強酸の、アルカリ金属塩及びアンモニウム塩が
特に好ましい。また、強酸のアルカリ金属塩の中でも、
強酸のカリウム塩がさらに好ましい。
【００１２】他の塩としては、具体的には、塩化カリウ
ム、臭化カリウム、ヨウ化カリウム、塩化アンモニウ
ム、臭化アンモニウム、ヨウ化アンモニウム、硝酸アン
モニウム、硫酸アンモニウム、ヘキサフルオロケイ酸ア
ンモニウム、テトラフルオロホウ酸アンモニウム、塩化
テトラメチルアンモニウム、臭化テトラメチルアンモニ
ウム、ヨウ化テトラメチルアンモニウム等が挙げられ
る。
ム、臭化カリウム、ヨウ化カリウム、塩化アンモニウ
ム、臭化アンモニウム、ヨウ化アンモニウム、硝酸アン
モニウム、硫酸アンモニウム、ヘキサフルオロケイ酸ア
ンモニウム、テトラフルオロホウ酸アンモニウム、塩化
テトラメチルアンモニウム、臭化テトラメチルアンモニ
ウム、ヨウ化テトラメチルアンモニウム等が挙げられ
る。
【００１３】本発明エッチング液には、これら他の塩を
単独で又は２種以上を組み合わせて含有させてもよい。
単独で又は２種以上を組み合わせて含有させてもよい。
【００１４】他の塩の濃度は、エッチレートの高速化と
いう本発明所期の効果が得られるような範囲であれば特
に限定されず広範囲から適宜設定することができるが、
例えば、０．０５〜５ｍｏｌ／ｋｇ程度、好ましくは、
０．５〜３ｍｏｌ／ｋｇ程度、より好ましくは、１〜２
ｍｏｌ／ｋｇ程度となるような量である。
いう本発明所期の効果が得られるような範囲であれば特
に限定されず広範囲から適宜設定することができるが、
例えば、０．０５〜５ｍｏｌ／ｋｇ程度、好ましくは、
０．５〜３ｍｏｌ／ｋｇ程度、より好ましくは、１〜２
ｍｏｌ／ｋｇ程度となるような量である。
【００１５】フッ化水素の濃度は、例えば、０．０５〜
１０ｍｏｌ／ｋｇ程度、好ましくは２〜１０ｍｏｌ／ｋ
ｇ程度、より好ましくは５〜１０ｍｏｌ／ｋｇ程度であ
る。
１０ｍｏｌ／ｋｇ程度、好ましくは２〜１０ｍｏｌ／ｋ
ｇ程度、より好ましくは５〜１０ｍｏｌ／ｋｇ程度であ
る。
【００１６】また、フッ化アンモニウムの濃度は、例え
ば、０．０５〜１１ｍｏｌ／ｋｇ程度、好ましくは０．
５〜７ｍｏｌ／ｋｇ程度、より好ましくは１〜５ｍｏｌ
／ｋｇ程度である。
ば、０．０５〜１１ｍｏｌ／ｋｇ程度、好ましくは０．
５〜７ｍｏｌ／ｋｇ程度、より好ましくは１〜５ｍｏｌ
／ｋｇ程度である。
【００１７】本発明エッチング液のｐＨは通常、２以上
程度、より好ましくは３以上程度である。
程度、より好ましくは３以上程度である。
【００１８】本発明のエッチング液は、上記各成分の他
に、さらに界面活性剤を含有することができる。
に、さらに界面活性剤を含有することができる。
【００１９】界面活性剤としては、一般に用いられてい
るノニオン界面活性剤（脂肪族アルコール、ポリオキシ
エチレンアルキルエーテル、モノグリセリド等）、アニ
オン界面活性剤（カルボン酸、スルホン酸等の塩な
ど）、カチオン界面活性剤（アミン塩類等）等から適宜
選択して用いることができる。
るノニオン界面活性剤（脂肪族アルコール、ポリオキシ
エチレンアルキルエーテル、モノグリセリド等）、アニ
オン界面活性剤（カルボン酸、スルホン酸等の塩な
ど）、カチオン界面活性剤（アミン塩類等）等から適宜
選択して用いることができる。
【００２０】界面活性剤の添加量は、本発明所期の効果
を損なわない範囲で適宜設定することができるが、例え
ば、０．００００１〜０．１ｍｏｌ／ｋｇ程度、より好
ましくは０．０００１〜０．０１ｍｏｌ／ｋｇ程度とす
ることができる。
を損なわない範囲で適宜設定することができるが、例え
ば、０．００００１〜０．１ｍｏｌ／ｋｇ程度、より好
ましくは０．０００１〜０．０１ｍｏｌ／ｋｇ程度とす
ることができる。
【００２１】本発明のエッチング液は、各成分を混合す
ることによって調製することができ、その添加順序に制
限はない。例えば、予めフッ化水素酸とフッ化アンモニ
ウム水溶液を混合して調製されたバッファードフッ酸
に、他の塩を添加して混合する方法によって調製するこ
とができる。
ることによって調製することができ、その添加順序に制
限はない。例えば、予めフッ化水素酸とフッ化アンモニ
ウム水溶液を混合して調製されたバッファードフッ酸
に、他の塩を添加して混合する方法によって調製するこ
とができる。
【００２２】本発明のエッチング液は、特に、半導体の
ウエットエッチング用のエッチング液として有用であ
り、例えば、各種シリコン酸化膜のエッチングに用いる
ことができる。
ウエットエッチング用のエッチング液として有用であ
り、例えば、各種シリコン酸化膜のエッチングに用いる
ことができる。
【００２３】エッチング処理は、通常の方法に従って行
うことができ、例えば、シリコン酸化膜等の膜をエッチ
ング液に浸漬し、０．１〜１０分間程度処理することに
より行うことができる。
うことができ、例えば、シリコン酸化膜等の膜をエッチ
ング液に浸漬し、０．１〜１０分間程度処理することに
より行うことができる。
【００２４】また、エッチング処理は、通常、２０〜３
０℃程度で行うことができる。或いは、３０〜４０℃程
度とするとさらにエッチレートを高めることが可能とな
る。
０℃程度で行うことができる。或いは、３０〜４０℃程
度とするとさらにエッチレートを高めることが可能とな
る。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、エッチレートが高速化
されたエッチング液を得ることができる。
されたエッチング液を得ることができる。
【００２６】
【実施例】以下に、実施例及び比較例を挙げて本発明を
より詳細に説明する。
より詳細に説明する。
【００２７】実施例１ Rudolf Trsearch社 Auto EL-IIIエリプリメータを用い
て、エッチング処理前のシリコン熱酸化膜（ＴＨＯＸ）
の膜圧を測定した。
て、エッチング処理前のシリコン熱酸化膜（ＴＨＯＸ）
の膜圧を測定した。
【００２８】他の塩添加後にＨＦ＝７．５ｍｏｌ／ｋ
ｇ、ＮＨ4Ｆ＝３．７５ｍｏｌ／ｋｇとなるように調製
したバッファードフッ酸に、１．２５ｍｏｌ／ｋｇとな
るような量の他の塩を添加し、本発明のエッチング液を
得た（実施例）。他の塩無添加のエッチング液（バッフ
ァードフッ酸）を比較例とした。
ｇ、ＮＨ4Ｆ＝３．７５ｍｏｌ／ｋｇとなるように調製
したバッファードフッ酸に、１．２５ｍｏｌ／ｋｇとな
るような量の他の塩を添加し、本発明のエッチング液を
得た（実施例）。他の塩無添加のエッチング液（バッフ
ァードフッ酸）を比較例とした。
【００２９】得られたエッチング液を恒温漕で２５℃に
調整し、これに熱酸化膜を１分間浸漬してエッチング処
理した。
調整し、これに熱酸化膜を１分間浸漬してエッチング処
理した。
【００３０】エッチング処理後の膜厚を、超純水でのリ
ンス、窒素ブローでの乾燥後に測定した。
ンス、窒素ブローでの乾燥後に測定した。
【００３１】エッチレート（Å/min）は、エッチング処
理前の膜厚とエッチング処理後の膜厚の差を、エッチン
グ時間で割って算出した。
理前の膜厚とエッチング処理後の膜厚の差を、エッチン
グ時間で割って算出した。
【００３２】結果を表１及び図１に示す。
【００３３】
【表１】
【００３４】表１及び図１より、比較例と比べ、実施例
は、他の塩を添加したことによりエッチレートが高めら
れていることがわかる。
は、他の塩を添加したことによりエッチレートが高めら
れていることがわかる。
【００３５】実施例２ 塩添加後にＨＦ＝７．５ｍｏｌ／ｋｇ、ＮＨ4Ｆ＝５ｍ
ｏｌ／ｋｇとなるように調製したバッファードフッ酸
に、ハロゲンのアンモニウム塩（ＮＨ4Ｃｌ、ＮＨ4Ｂ
ｒ、ＮＨ4Ｉ）を濃度を変えて添加し、本発明のエッチ
ング液を得、実施例１と同様にしてＴＨＯＸに対するエ
ッチレートを測定した（実施例）。ハロゲンのアンモニ
ウム塩としてバッファードフッ酸にさらにＮＨ4Ｆを添
加したものを比較例とする（比較例のエッチング液中の
実際のＮＨ4Ｆ含有量は、図２に示された「塩の添加濃
度」に５ｍｏｌ／ｋｇを足したものとなる。）。
ｏｌ／ｋｇとなるように調製したバッファードフッ酸
に、ハロゲンのアンモニウム塩（ＮＨ4Ｃｌ、ＮＨ4Ｂ
ｒ、ＮＨ4Ｉ）を濃度を変えて添加し、本発明のエッチ
ング液を得、実施例１と同様にしてＴＨＯＸに対するエ
ッチレートを測定した（実施例）。ハロゲンのアンモニ
ウム塩としてバッファードフッ酸にさらにＮＨ4Ｆを添
加したものを比較例とする（比較例のエッチング液中の
実際のＮＨ4Ｆ含有量は、図２に示された「塩の添加濃
度」に５ｍｏｌ／ｋｇを足したものとなる。）。
【００３６】結果を図２に示す。
【００３７】他の塩を添加した実施例においては、添加
量に比例してエッチレートが高められていることがわか
る。
量に比例してエッチレートが高められていることがわか
る。
【００３８】実施例３ 他の塩添加後にＨＦ＝７．５ｍｏｌ／ｋｇ、ＮＨ4Ｆ＝
５ｍｏｌ／ｋｇとなるように調製したバッファードフッ
酸に、ＮＨ4Ｂｒを１．８７５ｍｏｌ／ｋｇとなるよう
に添加して本発明エッチング液を調製し、２５℃にて、
ＴＨＯＸ及びボロンガラス膜（ＢＳＧ）は１分間、ボロ
ンリンガラス膜（ＢＰＳＧ）、リンガラス膜（ＰＳＧ）
及びヒ素ガラス膜（ＡｓＳＧ）は１０秒間エッチング処
理して、これら膜に対するエッチレートを測定した（実
施例）。
５ｍｏｌ／ｋｇとなるように調製したバッファードフッ
酸に、ＮＨ4Ｂｒを１．８７５ｍｏｌ／ｋｇとなるよう
に添加して本発明エッチング液を調製し、２５℃にて、
ＴＨＯＸ及びボロンガラス膜（ＢＳＧ）は１分間、ボロ
ンリンガラス膜（ＢＰＳＧ）、リンガラス膜（ＰＳＧ）
及びヒ素ガラス膜（ＡｓＳＧ）は１０秒間エッチング処
理して、これら膜に対するエッチレートを測定した（実
施例）。
【００３９】結果を表２、図３及び図４に示す。なお、
比較例として、ＮＨ4Ｂｒ無添加の場合のエッチレート
を示す。
比較例として、ＮＨ4Ｂｒ無添加の場合のエッチレート
を示す。
【００４０】
【表２】
【００４１】いずれの膜に対しても、ＮＨ4Ｂｒを添加
することにより、エッチレートが高速化されていること
がわかる。
することにより、エッチレートが高速化されていること
がわかる。
【図１】 バッファードフッ酸に他の塩を添加した場合
のエッチレートを示す図である。
のエッチレートを示す図である。
【図２】 バッファードフッ酸にハロゲンのアンモニウ
ム塩を添加した場合のエッチレートを示す図である。
ム塩を添加した場合のエッチレートを示す図である。
【図３】 バッファードフッ酸にＮＨ4Ｂｒを添加した
場合のＴＨＯＸ及びＢＳＧに対するエッチレートを示す
図である。
場合のＴＨＯＸ及びＢＳＧに対するエッチレートを示す
図である。
【図４】 バッファードフッ酸にＮＨ4Ｂｒを添加した
場合のＢＰＳＧ、ＰＳＧ及びＡｓＳＧに対するエッチレ
ートを示す図である。
場合のＢＰＳＧ、ＰＳＧ及びＡｓＳＧに対するエッチレ
ートを示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 板野 充司 大阪府摂津市西一津屋１番１号 ダイキン 工業株式会社淀川製作所内 Ｆターム(参考） 4K057 WA10 WB06 WE01 WE02 WE03 WE07 WE08 WE09 WE11 WF01 WN01 5F043 AA02 AA32 AA36 BB22 BB24 BB28
Claims (7)
- 【請求項１】 フッ化水素及びフッ化アンモニウムを含
有する水溶液であって、さらに他の塩を含有することを
特徴とするエッチング液。 - 【請求項２】 他の塩が、強酸の塩であることを特徴と
する請求項１に記載のエッチング液。 - 【請求項３】 他の塩が、塩酸、臭化水素酸、ヨウ化水
素酸、硝酸、硫酸、ヘキサフルオロケイ酸及びテトラフ
ルオロホウ酸の塩からなる群より選ばれる１種又は２種
以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載のエ
ッチング液。 - 【請求項４】 他の塩が、強酸のアルカリ金属塩、強酸
のアンモニウム塩及び強酸の第四級アンモニウム塩から
なる群より選ばれる１種又は２種以上であることを特徴
とする請求項１〜３のいずれかに記載のエッチング液。 - 【請求項５】 他の塩が、強酸のカリウム塩及び強酸の
アンモニウム塩からなる群より選ばれる１種又は２種以
上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記
載のエッチング液。 - 【請求項６】 他の塩が、塩化カリウム、臭化カリウ
ム、ヨウ化カリウム、塩化アンモニウム、臭化アンモニ
ウム、ヨウ化アンモニウム、硝酸アンモニウム、硫酸ア
ンモニウム、ヘキサフルオロケイ酸アンモニウム及びテ
トラフルオロホウ酸アンモニウムからなる群より選ばれ
る１種又は２種以上であることを特徴とする請求項１〜
５のいずれかに記載のエッチング液。 - 【請求項７】 フッ化水素の濃度が０．０５〜１０ｍｏ
ｌ／ｋｇ、フッ化アンモニウムの濃度が０．０５〜１１
ｍｏｌ／ｋｇ及び他の塩の濃度が０．０５〜５ｍｏｌ／
ｋｇであることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに
記載のエッチング液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10332911A JP2000160367A (ja) | 1998-11-24 | 1998-11-24 | エッチレートが高速化されたエッチング液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10332911A JP2000160367A (ja) | 1998-11-24 | 1998-11-24 | エッチレートが高速化されたエッチング液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000160367A true JP2000160367A (ja) | 2000-06-13 |
Family
ID=18260189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10332911A Pending JP2000160367A (ja) | 1998-11-24 | 1998-11-24 | エッチレートが高速化されたエッチング液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000160367A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008129944A1 (ja) * | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Daikin Industries, Ltd. | エッチング液 |
| JP2009530834A (ja) * | 2006-03-21 | 2009-08-27 | ウクシィ サンテック パワー カンパニー リミテッド | 多結晶シリコンのテクスチャ表面形成用酸腐食溶液およびその使用方法 |
| JP2010067826A (ja) * | 2008-09-11 | 2010-03-25 | Tosoh Corp | 透明電極用のエッチング液 |
| WO2010113616A1 (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-07 | ダイキン工業株式会社 | エッチング液 |
| WO2012063472A1 (ja) * | 2010-11-12 | 2012-05-18 | 国立大学法人東北大学 | 超高速ウェットエッチング装置 |
| WO2013031554A1 (ja) * | 2011-08-31 | 2013-03-07 | 林純薬工業株式会社 | エッチング液組成物およびエッチング方法 |
| WO2022025161A1 (ja) * | 2020-07-31 | 2022-02-03 | 株式会社トクヤマ | シリコンエッチング液、並びに該エッチング液を用いたシリコンデバイスの製造方法およびシリコン基板の処理方法 |
| WO2022025163A1 (ja) * | 2020-07-31 | 2022-02-03 | 株式会社トクヤマ | シリコンエッチング液、並びに該エッチング液を用いたシリコンデバイスの製造方法およびシリコン基板の処理方法 |
-
1998
- 1998-11-24 JP JP10332911A patent/JP2000160367A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009530834A (ja) * | 2006-03-21 | 2009-08-27 | ウクシィ サンテック パワー カンパニー リミテッド | 多結晶シリコンのテクスチャ表面形成用酸腐食溶液およびその使用方法 |
| JP4916546B2 (ja) * | 2006-03-21 | 2012-04-11 | ウクシィ サンテック パワー カンパニー リミテッド | 多結晶シリコンのテクスチャ表面形成用酸腐食溶液およびその使用方法 |
| CN101657887B (zh) * | 2007-04-13 | 2012-02-01 | 大金工业株式会社 | 蚀刻液 |
| US9399734B2 (en) | 2007-04-13 | 2016-07-26 | Daikin Industries, Ltd. | Etching solution |
| WO2008129944A1 (ja) * | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Daikin Industries, Ltd. | エッチング液 |
| JP5251867B2 (ja) * | 2007-04-13 | 2013-07-31 | ダイキン工業株式会社 | エッチング液 |
| JP2010067826A (ja) * | 2008-09-11 | 2010-03-25 | Tosoh Corp | 透明電極用のエッチング液 |
| WO2010113616A1 (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-07 | ダイキン工業株式会社 | エッチング液 |
| JP5423788B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2014-02-19 | ダイキン工業株式会社 | エッチング液及びその製造方法、並びに該エッチング液を用いたエッチング方法及びエッチング処理物の製造方法 |
| US8728338B2 (en) | 2010-11-12 | 2014-05-20 | National University Corporation Tohoku University | Ultra high-speed wet etching apparatus |
| WO2012063472A1 (ja) * | 2010-11-12 | 2012-05-18 | 国立大学法人東北大学 | 超高速ウェットエッチング装置 |
| JP2013051371A (ja) * | 2011-08-31 | 2013-03-14 | Hayashi Junyaku Kogyo Kk | エッチング液組成物およびエッチング方法 |
| US9193904B2 (en) | 2011-08-31 | 2015-11-24 | Hayashi Pure Chemical Ind., Ltd. | Etchant composition and etching method |
| WO2013031554A1 (ja) * | 2011-08-31 | 2013-03-07 | 林純薬工業株式会社 | エッチング液組成物およびエッチング方法 |
| WO2022025161A1 (ja) * | 2020-07-31 | 2022-02-03 | 株式会社トクヤマ | シリコンエッチング液、並びに該エッチング液を用いたシリコンデバイスの製造方法およびシリコン基板の処理方法 |
| WO2022025163A1 (ja) * | 2020-07-31 | 2022-02-03 | 株式会社トクヤマ | シリコンエッチング液、並びに該エッチング液を用いたシリコンデバイスの製造方法およびシリコン基板の処理方法 |
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