JPH06340448A - ガラスのエッチング処理方法 - Google Patents
ガラスのエッチング処理方法Info
- Publication number
- JPH06340448A JPH06340448A JP5146899A JP14689993A JPH06340448A JP H06340448 A JPH06340448 A JP H06340448A JP 5146899 A JP5146899 A JP 5146899A JP 14689993 A JP14689993 A JP 14689993A JP H06340448 A JPH06340448 A JP H06340448A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- glass
- acid
- haze
- hydrofluoric acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】エッチングに際し、フッ酸系エッチング液、無
機酸、アルカリおよび有機酸からなる群から選ばれる少
なくとも１種のエッチング液により前エッチングするこ
とを特徴とするガラスのエッチング処理方法。 【効果】デバイス作製のエッチング工程においてガラス
に生じるヘイズを減らすエッチング処理方法として好適
である。
機酸、アルカリおよび有機酸からなる群から選ばれる少
なくとも１種のエッチング液により前エッチングするこ
とを特徴とするガラスのエッチング処理方法。 【効果】デバイス作製のエッチング工程においてガラス
に生じるヘイズを減らすエッチング処理方法として好適
である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は各種ディスプレイ作製時
におけるフッ酸系薬液によるエッチング工程において、
その際ガラスに生じるヘイズを小さくする、エッチング
処理方法に関する。
におけるフッ酸系薬液によるエッチング工程において、
その際ガラスに生じるヘイズを小さくする、エッチング
処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ガラス基板上に直接薄膜トランジ
スタ等のデバイスを形成させた液晶ディスプレイが増え
てきている。このデバイス作製工程ではＳｉＯx やＳｉ
Ｎx 等の薄膜のエッチングのため、ガラス基板はフッ酸
を含有したエッチャントにさらされることが多い。
スタ等のデバイスを形成させた液晶ディスプレイが増え
てきている。このデバイス作製工程ではＳｉＯx やＳｉ
Ｎx 等の薄膜のエッチングのため、ガラス基板はフッ酸
を含有したエッチャントにさらされることが多い。
【０００３】ガラスはフッ酸系薬液にさらされると、表
面に難溶性の反応生成物が生じ、これがマスキング材と
なって、エッチングむらを生じさせ、反応生成物除去後
も、ガラス表面に０．０１μｍから1 μｍの高さの凹凸
が残り、ヘイズ模様を生じさせる。このヘイズ模様はデ
ィスプレイにしたとき画面上にむらとして現れ、使用で
きないという課題があった。
面に難溶性の反応生成物が生じ、これがマスキング材と
なって、エッチングむらを生じさせ、反応生成物除去後
も、ガラス表面に０．０１μｍから1 μｍの高さの凹凸
が残り、ヘイズ模様を生じさせる。このヘイズ模様はデ
ィスプレイにしたとき画面上にむらとして現れ、使用で
きないという課題があった。
【０００４】このようなヘイズを生じさせない方法とし
て２つのアプローチ方法がある。１つはガラスの組成を
耐久性のある組成とすること、もう１つはエッチャント
の組成をガラスに対してダメージの少ない組成とするこ
とである。
て２つのアプローチ方法がある。１つはガラスの組成を
耐久性のある組成とすること、もう１つはエッチャント
の組成をガラスに対してダメージの少ない組成とするこ
とである。
【０００５】ガラスの組成をフッ酸系薬液、特に緩衝剤
としてフッ化アンモニウム等を加えたバッファードフッ
酸に対して、耐久性のある組成を考えた場合、Ｂ2 Ｏ3
を多く含有するガラスであることが望ましい。しかし、
Ｂ2 Ｏ3 を多く含有するガラスは歪点が低いため、デバ
イス作製工程で行われる熱処理に対し、変形しやすい、
熱収縮が大きいなど耐熱性に問題があった。また、Ｂ2
Ｏ3 を多く含有するガラスは製造時のＢ2 Ｏ3 の揮散が
激しく、脈理を生じさせる等製造上問題があった。
としてフッ化アンモニウム等を加えたバッファードフッ
酸に対して、耐久性のある組成を考えた場合、Ｂ2 Ｏ3
を多く含有するガラスであることが望ましい。しかし、
Ｂ2 Ｏ3 を多く含有するガラスは歪点が低いため、デバ
イス作製工程で行われる熱処理に対し、変形しやすい、
熱収縮が大きいなど耐熱性に問題があった。また、Ｂ2
Ｏ3 を多く含有するガラスは製造時のＢ2 Ｏ3 の揮散が
激しく、脈理を生じさせる等製造上問題があった。
【０００６】ガラスに対するダメージの少ないエッチャ
ントの組成を考えた場合、フッ酸濃度が薄い組成が望ま
しい。しかし、フッ酸濃度の薄いエッチャントではエッ
チングを目的としているＳｉＯx やＳｉＮx 等の薄膜の
エッチングレートが遅くなり、生産性が悪くなるなど、
問題があった。
ントの組成を考えた場合、フッ酸濃度が薄い組成が望ま
しい。しかし、フッ酸濃度の薄いエッチャントではエッ
チングを目的としているＳｉＯx やＳｉＮx 等の薄膜の
エッチングレートが遅くなり、生産性が悪くなるなど、
問題があった。
【０００７】既述のように、Ｂ2 Ｏ3 の含有量が充分多
い組成のガラスではヘイズが生じず、逆にＢ2 Ｏ3 の含
有量が少ない組成のガラスではヘイズが全面に生じ、す
りガラスのようになる。しかし、Ｂ2 Ｏ3 の含有量が両
者の間の組成となると、エッチング液への浸漬前のガラ
スの表面状態が浸漬、乾燥後のヘイズの強さに影響を与
える。
い組成のガラスではヘイズが生じず、逆にＢ2 Ｏ3 の含
有量が少ない組成のガラスではヘイズが全面に生じ、す
りガラスのようになる。しかし、Ｂ2 Ｏ3 の含有量が両
者の間の組成となると、エッチング液への浸漬前のガラ
スの表面状態が浸漬、乾燥後のヘイズの強さに影響を与
える。
【０００８】エッチング液は表面張力を下げるために、
しばしば、特開昭５８−５５３２３および特開昭５８−
５５３２４に開示されているような、酢酸あるいは硝酸
あるいは界面活性剤が添加される。このような添加剤を
添加すると浸漬後のヘイズが悪化することがありあり、
問題となることがあった。
しばしば、特開昭５８−５５３２３および特開昭５８−
５５３２４に開示されているような、酢酸あるいは硝酸
あるいは界面活性剤が添加される。このような添加剤を
添加すると浸漬後のヘイズが悪化することがありあり、
問題となることがあった。
【０００９】また、エッチング液浸漬後のガラスの表面
に生じるヘイズを小さくする方法として、ＳｉＯ2 を表
面にコートしたガラスを用いる方法も考えらる。しかし
この方法ではＳｉＯ2 層が薄すぎて保護層としての役割
が不充分であったり、エッチング工程が何段も行われる
ことも多く、この場合には最初の段のエッチングで既に
ＳｉＯ2 層がなくなってしまい使用に耐えられないとい
う問題があった。
に生じるヘイズを小さくする方法として、ＳｉＯ2 を表
面にコートしたガラスを用いる方法も考えらる。しかし
この方法ではＳｉＯ2 層が薄すぎて保護層としての役割
が不充分であったり、エッチング工程が何段も行われる
ことも多く、この場合には最初の段のエッチングで既に
ＳｉＯ2 層がなくなってしまい使用に耐えられないとい
う問題があった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、エッ
チング液に浸漬することによってガラス表面に生成する
凹凸のヘイズを小さくする、エッチング処理方法を提供
することにある。
チング液に浸漬することによってガラス表面に生成する
凹凸のヘイズを小さくする、エッチング処理方法を提供
することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、ガラスをエッ
チングする際に、フッ酸系エッチング液、無機酸、アル
カリおよび有機酸からなる群から選ばれる少なくとも１
種のエッチング液により前エッチングすることを特徴と
するガラスのエッチング処理方法である。
チングする際に、フッ酸系エッチング液、無機酸、アル
カリおよび有機酸からなる群から選ばれる少なくとも１
種のエッチング液により前エッチングすることを特徴と
するガラスのエッチング処理方法である。
【００１２】フッ酸系エッチング液としては特に限定さ
れないが、ＨＦ、ＮＨ4 ＦおよびＨＢＦ4 からなる群か
ら選ばれる少なくとも１種が好ましい。
れないが、ＨＦ、ＮＨ4 ＦおよびＨＢＦ4 からなる群か
ら選ばれる少なくとも１種が好ましい。
【００１３】特にＨＦを用いる場合には、重量％表示で
０．１〜６５％の濃度のＨＦを用いることが好ましい。
０．１〜６５％の濃度のＨＦを用いることが好ましい。
【００１４】無機酸としては特に限定されないが、ＨＮ
Ｏ3 、Ｈ2 ＳＯ4 およびＨＣｌからなる群から選ばれる
少なくとも１種が好ましい。
Ｏ3 、Ｈ2 ＳＯ4 およびＨＣｌからなる群から選ばれる
少なくとも１種が好ましい。
【００１５】アルカリとしては特に限定されないが、Ｎ
ａＯＨおよび／またはＮＨ3 が好ましい。
ａＯＨおよび／またはＮＨ3 が好ましい。
【００１６】有機酸としては特に限定されないが、酢酸
が好ましい。
が好ましい。
【００１７】
【実施例】ガラス表面にヘイズを生じさせるフッ酸系エ
ッチング液としては市販の１９ＢＨＦ（５０％ＨＦと４
０％ＮＨ4 Ｆを１：９で混合したもの）と１００％の試
薬酢酸を、室温で体積比で４：１に混合したものを用い
た。エッチング液へのガラスの浸漬は、表面を鏡面に研
磨したガラスを用い、５分間、室温下で行った。
ッチング液としては市販の１９ＢＨＦ（５０％ＨＦと４
０％ＮＨ4 Ｆを１：９で混合したもの）と１００％の試
薬酢酸を、室温で体積比で４：１に混合したものを用い
た。エッチング液へのガラスの浸漬は、表面を鏡面に研
磨したガラスを用い、５分間、室温下で行った。
【００１８】浸漬した後、ガラス板を洗浄、乾燥し、ガ
ラスに残ったヘイズの度合いを測定した。ヘイズの度合
いは、触針式の表面あらさ計にて表面あらさＲa として
評価した。
ラスに残ったヘイズの度合いを測定した。ヘイズの度合
いは、触針式の表面あらさ計にて表面あらさＲa として
評価した。
【００１９】エッチング前処理方法は市販の５０％フッ
酸とイオン交換水を重量比で１：４９の割合で混ぜた、
１％フッ酸を用い、３０秒行った。その結果、表面あら
さＲa が前処理を行わなかった場合には１３６Åとな
り、ヘイズが生じたものが、１％ＨＦ３０秒の前処理を
したことにより、浸漬しないガラス表面と同じ２４Åと
なり、ヘイズがなくなった。
酸とイオン交換水を重量比で１：４９の割合で混ぜた、
１％フッ酸を用い、３０秒行った。その結果、表面あら
さＲa が前処理を行わなかった場合には１３６Åとな
り、ヘイズが生じたものが、１％ＨＦ３０秒の前処理を
したことにより、浸漬しないガラス表面と同じ２４Åと
なり、ヘイズがなくなった。
【００２０】
【発明の効果】本発明はデバイス作製のエッチング工程
においてガラスに生じるヘイズを減らすエッチング処理
方法として好適である。
においてガラスに生じるヘイズを減らすエッチング処理
方法として好適である。
Claims (6)
- 【請求項１】ガラスをエッチングする際に、フッ酸系エ
ッチング液、無機酸、アルカリおよび有機酸からなる群
から選ばれる少なくとも１種のエッチング液により前エ
ッチングすることを特徴とするガラスのエッチング処理
方法。 - 【請求項２】フッ酸系エッチング液がＨＦ、ＮＨ4 Ｆお
よびＨＢＦ4 からなる群から選ばれる少なくとも１種で
ある請求項２のエッチング処理方法。 - 【請求項３】無機酸がＨＮＯ3 、Ｈ2 ＳＯ4 およびＨＣ
ｌからなる群から選ばれる少なくとも１種である請求項
２のエッチング処理方法。 - 【請求項４】アルカリがＮａＯＨおよび／またはＮＨ3
である請求項２のエッチング処理方法。 - 【請求項５】有機酸が酢酸である請求項２のエッチング
処理方法。 - 【請求項６】前エッチング液が、重量％表示で０．１〜
６５％の濃度のＨＦである請求項２または３記載のエッ
チング処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5146899A JPH06340448A (ja) | 1993-05-26 | 1993-05-26 | ガラスのエッチング処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5146899A JPH06340448A (ja) | 1993-05-26 | 1993-05-26 | ガラスのエッチング処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06340448A true JPH06340448A (ja) | 1994-12-13 |
Family
ID=15418093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5146899A Pending JPH06340448A (ja) | 1993-05-26 | 1993-05-26 | ガラスのエッチング処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06340448A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100325067B1 (ko) * | 1998-08-24 | 2002-07-31 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 박막트랜지스터의제조방법 |
| US6815720B2 (en) | 2001-08-24 | 2004-11-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Substrate having buried structure, display device including the substrate, method of making the substrate and method for fabricating the display device |
| US7727407B2 (en) | 2000-09-13 | 2010-06-01 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Amorphous material processing method |
| US7824564B2 (en) | 2006-03-06 | 2010-11-02 | Casio Computer Co., Ltd. | Method for flattening glass substrate |
| US8273262B2 (en) | 2007-11-19 | 2012-09-25 | Asahi Glass Company, Limited | Method for etching glass substrate |
| CN103951270A (zh) * | 2014-04-17 | 2014-07-30 | 苏州凯利昂光电科技有限公司 | 一种tft玻璃薄化预处理方法 |
| CN104415800A (zh) * | 2013-08-27 | 2015-03-18 | 攀钢集团攀枝花钢铁研究院有限公司 | 一种防止液体暴沸的玻璃棒及其制作和使用方法 |
| CN105293934A (zh) * | 2014-07-11 | 2016-02-03 | 东京应化工业株式会社 | 玻璃加工方法、玻璃蚀刻液、及玻璃基板 |
| CN115385336A (zh) * | 2022-06-10 | 2022-11-25 | 中国石油大学(华东) | 一种基于SiOx与超声波联合强化的二维纳米MXene材料快速制备方法 |
-
1993
- 1993-05-26 JP JP5146899A patent/JPH06340448A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100325067B1 (ko) * | 1998-08-24 | 2002-07-31 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 박막트랜지스터의제조방법 |
| US7727407B2 (en) | 2000-09-13 | 2010-06-01 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Amorphous material processing method |
| US6815720B2 (en) | 2001-08-24 | 2004-11-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Substrate having buried structure, display device including the substrate, method of making the substrate and method for fabricating the display device |
| US6992008B2 (en) | 2001-08-24 | 2006-01-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of making a substrate having buried structure and method for fabricating a display device including the substrate |
| US7824564B2 (en) | 2006-03-06 | 2010-11-02 | Casio Computer Co., Ltd. | Method for flattening glass substrate |
| US8273262B2 (en) | 2007-11-19 | 2012-09-25 | Asahi Glass Company, Limited | Method for etching glass substrate |
| CN104415800A (zh) * | 2013-08-27 | 2015-03-18 | 攀钢集团攀枝花钢铁研究院有限公司 | 一种防止液体暴沸的玻璃棒及其制作和使用方法 |
| CN104415800B (zh) * | 2013-08-27 | 2016-03-16 | 攀钢集团攀枝花钢铁研究院有限公司 | 一种防止液体暴沸的玻璃棒及其制作和使用方法 |
| CN103951270A (zh) * | 2014-04-17 | 2014-07-30 | 苏州凯利昂光电科技有限公司 | 一种tft玻璃薄化预处理方法 |
| CN105293934A (zh) * | 2014-07-11 | 2016-02-03 | 东京应化工业株式会社 | 玻璃加工方法、玻璃蚀刻液、及玻璃基板 |
| CN105293934B (zh) * | 2014-07-11 | 2019-11-29 | 东京应化工业株式会社 | 玻璃加工方法、玻璃蚀刻液、及玻璃基板 |
| CN115385336A (zh) * | 2022-06-10 | 2022-11-25 | 中国石油大学(华东) | 一种基于SiOx与超声波联合强化的二维纳米MXene材料快速制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0892840B1 (en) | A composition for cleaning and etching electronic display and substrate | |
| CN100364910C (zh) | 含有多成分的玻璃基板用的微细加工表面处理液 | |
| US6284721B1 (en) | Cleaning and etching compositions | |
| TW200951205A (en) | Cleaning and etching composition for glass substrate of liquid crystal display device and etching method for glass substrate using the same | |
| JPWO2009066624A1 (ja) | ガラス基板のエッチング処理方法 | |
| US3867218A (en) | Method of etching a pattern in a silicon nitride layer | |
| JPH06340448A (ja) | ガラスのエッチング処理方法 | |
| KR100865881B1 (ko) | 다성분을 가지는 글라스 기판용 미세가공 표면처리액 | |
| KR20030079740A (ko) | 알루미늄(또는 알루미늄 합금)층을 함유한 다층막 및단일막 식각액 조성물 | |
| US10392297B2 (en) | Method for manufacturing substrate | |
| TWI444488B (zh) | 用於具有鈦及鋁層之金屬層積膜的蝕刻液組成物 | |
| CN101399196A (zh) | 晶圆背面粗糙化处理方法 | |
| EP0052787B1 (en) | Etchant composition and application thereof | |
| JPH07286172A (ja) | エッチング液およびエッチング方法 | |
| JP4225548B2 (ja) | エッチング液組成物及びエッチング方法 | |
| KR101317473B1 (ko) | 티탄 및 알루미늄 금속 적층막용 에칭액 조성물 | |
| KR100598418B1 (ko) | 알루미늄 및 투명도전막의 통합 식각액 조성물 | |
| US4588471A (en) | Process for etching composite chrome layers | |
| KR20070005275A (ko) | 평판디스플레이 금속 전극용 식각액 조성물 | |
| JPH06333912A (ja) | フッ酸系エッチング液 | |
| JP2000160367A (ja) | エッチレートが高速化されたエッチング液 | |
| JP2004311993A (ja) | 高誘電率薄膜エッチング剤組成物 | |
| US6893578B1 (en) | Selective etchant for oxide sacrificial material in semiconductor device fabrication | |
| JPH01265521A (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
| JP2006173292A (ja) | エッチング用組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060221 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071204 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080128 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080507 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Effective date: 20100922 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Effective date: 20101028 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101101 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Effective date: 20110107 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 3 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140114 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 3 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140114 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |