JP2004311993A - 高誘電率薄膜エッチング剤組成物 - Google Patents
高誘電率薄膜エッチング剤組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004311993A JP2004311993A JP2004092794A JP2004092794A JP2004311993A JP 2004311993 A JP2004311993 A JP 2004311993A JP 2004092794 A JP2004092794 A JP 2004092794A JP 2004092794 A JP2004092794 A JP 2004092794A JP 2004311993 A JP2004311993 A JP 2004311993A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acid
- thin film
- high dielectric
- etching
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 56
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 31
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 21
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 claims abstract description 18
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims abstract description 18
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 11
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims abstract description 8
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims abstract description 7
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 claims abstract description 7
- LNOPIUAQISRISI-UHFFFAOYSA-N n'-hydroxy-2-propan-2-ylsulfonylethanimidamide Chemical compound CC(C)S(=O)(=O)CC(N)=NO LNOPIUAQISRISI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 claims abstract description 7
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- MOVBJUGHBJJKOW-UHFFFAOYSA-N methyl 2-amino-5-methoxybenzoate Chemical compound COC(=O)C1=CC(OC)=CC=C1N MOVBJUGHBJJKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910017493 Nd 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 3
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 abstract description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 abstract 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 4
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Chemical compound OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LCTONWCANYUPML-UHFFFAOYSA-N Pyruvic acid Chemical compound CC(=O)C(O)=O LCTONWCANYUPML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N salicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-N thiocyanic acid Chemical compound SC#N ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTOKDFKDUYQOAK-UHFFFAOYSA-N 2-aminoethanol;hydrofluoride Chemical compound F.NCCO PTOKDFKDUYQOAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FHCUSSBEGLCCHQ-UHFFFAOYSA-M 2-hydroxyethyl(trimethyl)azanium;fluoride Chemical compound [F-].C[N+](C)(C)CCO FHCUSSBEGLCCHQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- QEVGZEDELICMKH-UHFFFAOYSA-N Diglycolic acid Chemical compound OC(=O)COCC(O)=O QEVGZEDELICMKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 1
- KVBCYCWRDBDGBG-UHFFFAOYSA-N azane;dihydrofluoride Chemical compound [NH4+].F.[F-] KVBCYCWRDBDGBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N carbonic acid monoamide Natural products NC(O)=O KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- LZCVHHFGMKXLBU-UHFFFAOYSA-N ethanamine;hydrofluoride Chemical compound [F-].CC[NH3+] LZCVHHFGMKXLBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 1
- RRSMHQNLDRCPQG-UHFFFAOYSA-N methanamine;hydrofluoride Chemical compound [F-].[NH3+]C RRSMHQNLDRCPQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVVSSOQAYNYNPP-UHFFFAOYSA-N olaflur Chemical compound F.F.CCCCCCCCCCCCCCCCCCN(CCO)CCCN(CCO)CCO ZVVSSOQAYNYNPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001245 olaflur Drugs 0.000 description 1
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N papa-hydroxy-benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N phosphinic acid Chemical compound O[PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DSISTIFLMZXDDI-UHFFFAOYSA-N propan-1-amine;hydrofluoride Chemical compound F.CCCN DSISTIFLMZXDDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940107700 pyruvic acid Drugs 0.000 description 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 229960004889 salicylic acid Drugs 0.000 description 1
- 238000004335 scaling law Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000001384 succinic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011044 succinic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- QSUJAUYJBJRLKV-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;fluoride Chemical compound [F-].CC[N+](CC)(CC)CC QSUJAUYJBJRLKV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KJAMZCVTJDTESW-UHFFFAOYSA-N tiracizine Chemical compound C1CC2=CC=CC=C2N(C(=O)CN(C)C)C2=CC(NC(=O)OCC)=CC=C21 KJAMZCVTJDTESW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ASVMCHUOIVTKQQ-UHFFFAOYSA-M triethyl(methyl)azanium;fluoride Chemical compound [F-].CC[N+](C)(CC)CC ASVMCHUOIVTKQQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Weting (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
【課題】 高誘電率薄膜を用いた半導体装置、特にＭＯＳＦＥＴの高集積化と高速化に不可欠な極薄ゲート絶縁膜層、ゲート電極を用いた半導体装置の製造工程に使用される高誘電率薄膜エッチング剤組成物を提供する。
【解決手段】 有機酸（シュウ酸、クエン酸、マロン酸、コハク酸、酢酸またはプロピオン酸が好ましい。）又は無機酸（硫酸、硝酸、塩酸、リン酸またはスルファミン酸が好ましい。）の少なくともいずれかとフッ素化合物を含有する水溶液である高誘電率薄膜のエッチング剤組成物。
【解決手段】 有機酸（シュウ酸、クエン酸、マロン酸、コハク酸、酢酸またはプロピオン酸が好ましい。）又は無機酸（硫酸、硝酸、塩酸、リン酸またはスルファミン酸が好ましい。）の少なくともいずれかとフッ素化合物を含有する水溶液である高誘電率薄膜のエッチング剤組成物。
Description
本発明は、高誘電率薄膜を用いた半導体装置、特にＭＯＳＦＥＴ（Metal-
Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）の高集積化と高速化に不可欠な極薄ゲート絶縁膜層、ゲート電極を用いた半導体装置の製造工程に使用される高誘電率薄膜のエッチング剤組成物に関する。
Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）の高集積化と高速化に不可欠な極薄ゲート絶縁膜層、ゲート電極を用いた半導体装置の製造工程に使用される高誘電率薄膜のエッチング剤組成物に関する。
シリコン酸化膜はプロセス上の安定性や優れた絶縁特性を有し、ＭＯＳＦＥＴのゲート絶縁膜材料として用いられている。近年の素子微細化と共にゲート絶縁膜の薄層化が進んでおり、ゲート長が１００ｎｍ程度以下になるとスケーリング則の要請からゲート絶縁膜であるシリコン酸化膜の厚さは１．５ｎｍ以下であることが必要となっている。しかし、この様な極薄の絶縁膜を用いた場合、ゲートバイアス印加時に絶縁層を挿んでのトンネル電流がソース／ドレイン電流に対して無視できない値となり、ＭＯＳＦＥＴの高性能化と低消費電力化における大きな課題となっている。
そこで、実効的なゲート絶縁膜を薄くし、かつトンネル電流をデバイス設計上の許容値内に抑える為の研究開発が進められている。その一つの方法は、シリコン酸化膜中に窒素を添加する事で純粋なシリコン酸化膜に比べて誘電率を増大させ、物理的な膜厚を薄層化する事なしに実効的なゲート絶縁層の膜厚を減少させる方法であるが、シリコン酸化膜への窒素添加による高誘電率化には限界があることが指摘されている。
他の方法は、誘電率３．９であるシリコン酸化膜に代わって、誘電率１０以上の薄膜材料、またはこれらの材料とシリコンとの複合材料であるシリケート薄膜をゲート絶縁膜に採用するという方法である。この様な高誘電率薄膜としては、Al2O3、ZrO2、HfO2およびY2O3などの希土類元素酸化物やランタノイド系元素の酸化物が候補材料として検討されている。これらの高誘電率膜を用いれば、ゲート長を微細にしてもスケーリング則に則ったゲート絶縁膜容量を保持しつつ、ゲート絶縁膜としてトンネル電流を防げる厚さにすることができる。
しかしながら、これらの希土類元素酸化物、ランタノイド系元素酸化物を材料とした高誘電率薄膜を用いた半導体装置を製造する際、従来のガスを用いたドライエッチング方法のみでは微細な加工が困難であり、高誘電率薄膜のエッチングに適した薬液の開発が要望されていた。
本発明は高誘電率薄膜を用いた半導体装置、特にＭＯＳＦＥＴの高集積化と高速化に不可欠な極薄ゲート絶縁膜層を用いた半導体装置の製造工程において、従来のガスを用いたドライエッチング方法のみでは困難な微細な加工が可能であり、且つ他の配線材料や基盤等への腐食性が少ない高誘電率薄膜エッチング剤組成物を提供することにある。
本発明者等は、上記課題を解決すべく鋭意研究を行った結果、有機酸又は無機酸のいずれかとフッ素化合物を含有する水溶液であるエッチング剤組成物が、高誘電率薄膜の微細な加工が可能でありかつ種々の配線材料や基盤に対して腐食性が少ない優れた特性が有ることを見いだし、本発明を完成するに至った。すなわち本発明は、以下の高誘電率薄膜のエッチング剤組成物及び高誘電率薄膜のエッチング方法に関するものである。
１．有機酸又は無機酸の少なくともいずれかとフッ素化合物を含有する水溶液である高誘電率薄膜のエッチング剤組成物。
４．有機酸０．０１〜１５重量％、フッ素化合物０．００１〜１０重量％である前記１記載のエッチング剤組成物。
３．有機酸がシュウ酸、クエン酸、マロン酸、コハク酸、酢酸、プロピオン酸から選ばれる少なくとも１種である前記１又は２記載のエッチング剤組成物。
４．無機酸を０．０１〜５０重量％、フッ素化合物を０．００１〜１０重量％含有する前記１記載のエッチング剤組成物。
５．無機酸が硫酸、硝酸、塩酸、リン酸、スルファミン酸から選ばれる少なくとも1種である前記１又は４記載のエッチング剤組成物。
６．フッ素化合物がフッ化水素酸、フッ化アンモニウムまたはフッ化テトラメチルアンモニウムである前記１〜５のいずれかに記載のエッチング剤組成物。
７．高誘電率薄膜の材料が、ZrO2、Ta2O5、Nb2O5、Al2O3、HfO2、TiO2、ScO3、Y2O3、La2O3、CeO3、Pr2O3、Nd2O3、Sm2O3、Eu2O3、Gd2O3、Tb2O3、Dy2O3、Ho2O3、Er2O3、Tm2O3、Yb2O3若しくはLu2O3を含む材料、又はこれらに珪素を含むシリケート材料、さらにはこれらに窒素を含むナイトライド材料である前記１〜６のいずれかに記載のエッチング剤組成物。
８．有機酸又は無機酸の少なくともいずれかとフッ素化合物を含有する水溶液を用いて高誘電率薄膜をエッチングする高誘電率薄膜のエッチング方法。
９．有機酸０．０１〜１５重量％、フッ素化合物０．００１〜１０重量％である前記８記載のエッチング方法。
１０．有機酸がシュウ酸、クエン酸、マロン酸、コハク酸、酢酸、プロピオン酸から選ばれる少なくとも１種である前記８又は９記載のエッチング方法。
１１．無機酸を０．０１〜５０重量％、フッ素化合物を０．００１〜１０重量％含有する前記８記載のエッチング方法。
１２．無機酸が硫酸、硝酸、塩酸、リン酸、スルファミン酸から選ばれる少なくとも1種である前記８又は１１記載のエッチング方法。
１３．フッ素化合物がフッ化水素酸、フッ化アンモニウムまたはフッ化テトラメチルアンモニウムである前記８〜１２のいずれかに記載のエッチング方法。
１４．高誘電率薄膜の材料が、ZrO2、Ta2O5、Nb2O5、Al2O3、HfO2、TiO2、ScO3、Y2O3、La2O3、CeO3、Pr2O3、Nd2O3、Sm2O3、Eu2O3、Gd2O3、Tb2O3、Dy2O3、Ho2O3、Er2O3、Tm2O3、Yb2O3若しくはLu2O3を含む材料、又はこれらに珪素を含むシリケート材料、さらにはこれらに窒素を含むナイトライド材料である前記８〜１３のいずれかに記載のエッチング方法。
４．有機酸０．０１〜１５重量％、フッ素化合物０．００１〜１０重量％である前記１記載のエッチング剤組成物。
３．有機酸がシュウ酸、クエン酸、マロン酸、コハク酸、酢酸、プロピオン酸から選ばれる少なくとも１種である前記１又は２記載のエッチング剤組成物。
４．無機酸を０．０１〜５０重量％、フッ素化合物を０．００１〜１０重量％含有する前記１記載のエッチング剤組成物。
５．無機酸が硫酸、硝酸、塩酸、リン酸、スルファミン酸から選ばれる少なくとも1種である前記１又は４記載のエッチング剤組成物。
６．フッ素化合物がフッ化水素酸、フッ化アンモニウムまたはフッ化テトラメチルアンモニウムである前記１〜５のいずれかに記載のエッチング剤組成物。
７．高誘電率薄膜の材料が、ZrO2、Ta2O5、Nb2O5、Al2O3、HfO2、TiO2、ScO3、Y2O3、La2O3、CeO3、Pr2O3、Nd2O3、Sm2O3、Eu2O3、Gd2O3、Tb2O3、Dy2O3、Ho2O3、Er2O3、Tm2O3、Yb2O3若しくはLu2O3を含む材料、又はこれらに珪素を含むシリケート材料、さらにはこれらに窒素を含むナイトライド材料である前記１〜６のいずれかに記載のエッチング剤組成物。
８．有機酸又は無機酸の少なくともいずれかとフッ素化合物を含有する水溶液を用いて高誘電率薄膜をエッチングする高誘電率薄膜のエッチング方法。
９．有機酸０．０１〜１５重量％、フッ素化合物０．００１〜１０重量％である前記８記載のエッチング方法。
１０．有機酸がシュウ酸、クエン酸、マロン酸、コハク酸、酢酸、プロピオン酸から選ばれる少なくとも１種である前記８又は９記載のエッチング方法。
１１．無機酸を０．０１〜５０重量％、フッ素化合物を０．００１〜１０重量％含有する前記８記載のエッチング方法。
１２．無機酸が硫酸、硝酸、塩酸、リン酸、スルファミン酸から選ばれる少なくとも1種である前記８又は１１記載のエッチング方法。
１３．フッ素化合物がフッ化水素酸、フッ化アンモニウムまたはフッ化テトラメチルアンモニウムである前記８〜１２のいずれかに記載のエッチング方法。
１４．高誘電率薄膜の材料が、ZrO2、Ta2O5、Nb2O5、Al2O3、HfO2、TiO2、ScO3、Y2O3、La2O3、CeO3、Pr2O3、Nd2O3、Sm2O3、Eu2O3、Gd2O3、Tb2O3、Dy2O3、Ho2O3、Er2O3、Tm2O3、Yb2O3若しくはLu2O3を含む材料、又はこれらに珪素を含むシリケート材料、さらにはこれらに窒素を含むナイトライド材料である前記８〜１３のいずれかに記載のエッチング方法。
本発明のエッチング剤組成物を用いて高誘電率薄膜をエッチングすることにより、従来のガスを用いたエッチング方法のみでは困難である微細な加工が可能でありかつ種々の配線材料や基盤に対する腐食によるダメージを抑制する事ができる。
本発明に使用する有機酸は、シュウ酸、コハク酸、マロン酸、プロピオン酸、酢酸、マレイン酸、グリコール酸、ジグリコール酸、酒石酸、イタコン酸、ピルビン酸、リンゴ酸、アジピン酸、ギ酸、コハク酸、フタル酸、安息香酸、サリチル酸、カルバミン酸、チオシアン酸、乳酸またはクエン酸が挙げられ、なかでもシュウ酸、マロン酸、コハク酸、酢酸、プロピオン酸とクエン酸が好ましい。
無機酸としては硫酸、硝酸、塩酸、リン酸、次亜リン酸、炭酸、スルファミン酸、硼酸が挙げられ、この中では硫酸、硝酸、塩酸、リン酸、スルファミン酸がより好ましい。
本発明に用いられる上記有機酸、無機酸は、単独でも２種類以上組み合わせて用いてもよい。また本発明のエッチング剤組成物中の有機酸濃度は、含まれる水への溶解度によって適宜決定されるが、好ましくは０．０１〜１５重量％の範囲で使用される。０．０１重量％よりも低い濃度では高誘電率薄膜のエッチング速度が遅くなり、１５重量％以上では、エッチング剤組成物中での結晶の析出が生じる等好ましくない。
無機酸の濃度は、含まれる水への溶解度によって適宜決定されるが、好ましくは０．０１〜５０重量％の範囲で使用される。０．０１重量％よりも低い濃度では、高誘電率薄膜のエッチング速度が遅くなり、５０重量％以上では、エッチング対象となる高誘電率薄膜以外に共存する、本来エッチングによるダメージを与えたくない材質に対してもエッチングを行う等好ましくない。
本発明に使用するフッ素化合物は、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、酸性フッ化アンモニウム、フッ化モノエタノールアミン、メチルアミンフッ化水素塩、エチルアミンフッ化水素塩、プロピルアミンフッ化水素塩等の有機アミンフッ化物、フッ化テトラメチルアンモニウム、フッ化テトラエチルアンモニウム、フッ化トリエチルメチルアンモニウム、フッ化トリメチルヒドロキシエチルアンモニウム、フッ化テトラエタノールアンモニウム、フッ化メチルトリエタノールアンモニウム等が挙げられる。なかでも好ましいフッ素化物は、フッ化水素酸、フッ化アンモニウムまたはフッ化テトラメチルアンモニウムである。
本発明に用いられる上記フッ素化合物は、単独でも２種類以上組み合わせて用いてもよい。フッ素化合物の濃度は０.００１〜１０重量％の範囲で使用されるが、０.００１重量％以下では高誘電率薄膜のエッチング速度が遅くなり、１０重量％以上では配線材料や基盤に腐食を生じ得策ではない。
本発明のエッチング剤組成物には、所望により本発明の目的を損なわない範囲で従来から使用されている添加剤を配合してもよい。また、エッチング剤組成物の濡れ性を向上させるために界面活性剤を添加してもよく、例えばカチオン系、ノニオン系、アニオン系の何れの界面活性剤も使用できる。本発明のエッチング剤組成物のｐＨは特に制限はなく、通常、ｐＨ１〜１２の範囲で使用されるが、エッチング条件、使用される半導体基体の種類等により選択すればよい。アルカリ性で使用する場合は、例えばアンモニア、アミン、テトラメチルアンモニウム水酸化物等の第四級アンモニウム水酸化物等を添加すればよく、酸性で使用する場合は、有機酸、無機酸等を添加すればよい。
本発明の使用温度は常温から９０℃の温度範囲であるが、エッチング対象となる高誘電率薄膜材料の種類や必要なエッチング量により、使用時間とともに適宜決定される。
本発明の高誘電率薄膜の材料は、ZrO2、Ta2O5、Nb2O5、Al2O3、HfO2、TiO2、
ScO3、Y2O3、La2O3、CeO3、Pr2O3、Nd2O3、Sm2O3、Eu2O3、Gd2O3、Tb2O3、Dy2O3、Ho2O3、Er2O3、Tm2O3、Yb2O3及びLu2O3から選ばれる少なくとも一種を含んでいればよく、より好ましくはZrO2、Ta2O5、Al2O3、HfO2から選ばれる。また、これらの材料に珪素を含んだシリケート材料、窒素を含んだナイトライド材料であっても適用できる。さらに上記材料中２つの材料が混合されていても、積層状態であっても適用できる。
ScO3、Y2O3、La2O3、CeO3、Pr2O3、Nd2O3、Sm2O3、Eu2O3、Gd2O3、Tb2O3、Dy2O3、Ho2O3、Er2O3、Tm2O3、Yb2O3及びLu2O3から選ばれる少なくとも一種を含んでいればよく、より好ましくはZrO2、Ta2O5、Al2O3、HfO2から選ばれる。また、これらの材料に珪素を含んだシリケート材料、窒素を含んだナイトライド材料であっても適用できる。さらに上記材料中２つの材料が混合されていても、積層状態であっても適用できる。
実施例及び比較例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によりなんら制限されるものではない。
実施例１
シリコンウエハー基板上にSiO2膜、さらにHfO2膜を形成したウェハサンプル（図１）を用いHfO2のエッチング量を測定した。図１に示す基板上のHfO2膜厚を光学式膜厚計により測定し初期膜厚とした。このサンプルをシュウ酸３重量％とフッ化水素酸０．０５重量％を含有する水溶液であるエッチング剤組成物中に、５０℃で１０分間浸漬した後に、水でリンス後、乾燥し再度光学式膜厚計にてHfO2膜厚を測定し、処理後膜厚とした。HfO2膜初期膜厚、処理後膜厚よりHfO2エッチング量を算出した結果、HfO2膜のエッチング量は３８．５Åであった。
シリコンウエハー基板上にSiO2膜、さらにHfO2膜を形成したウェハサンプル（図１）を用いHfO2のエッチング量を測定した。図１に示す基板上のHfO2膜厚を光学式膜厚計により測定し初期膜厚とした。このサンプルをシュウ酸３重量％とフッ化水素酸０．０５重量％を含有する水溶液であるエッチング剤組成物中に、５０℃で１０分間浸漬した後に、水でリンス後、乾燥し再度光学式膜厚計にてHfO2膜厚を測定し、処理後膜厚とした。HfO2膜初期膜厚、処理後膜厚よりHfO2エッチング量を算出した結果、HfO2膜のエッチング量は３８．５Åであった。
一方、シリコンウェハー基板上にSiO2膜のみを形成したウェハサンプルを用い上記と同様の方法にてSiO2膜のエッチング量を算出した。その結果、HfO2膜のエッチング量は１６．５Åであった。従って、HfO2膜／SiO2膜のエッチング量比は、２．３であった。
実施例２〜５、比較例１〜３
実施例１で使用した基板を用いて、表１に示した組成のエッチング剤組成物で処理を行って、HfO2膜、SiO2膜のエッチング量測定を行った。結果を表１に示す。
実施例１で使用した基板を用いて、表１に示した組成のエッチング剤組成物で処理を行って、HfO2膜、SiO2膜のエッチング量測定を行った。結果を表１に示す。
比較例４
実施例１と同一の基板で初期膜厚を測定した基盤を用いて、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド２０重量％、残部が水である組成物を使用して、７０℃、３０分間浸漬を行った。水でリンス後、乾燥し光学式膜厚計にて処理後膜厚の測定を試みたが、基板表面に斑が生じており処理後膜厚の測定はできなかった。
実施例１と同一の基板で初期膜厚を測定した基盤を用いて、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド２０重量％、残部が水である組成物を使用して、７０℃、３０分間浸漬を行った。水でリンス後、乾燥し光学式膜厚計にて処理後膜厚の測定を試みたが、基板表面に斑が生じており処理後膜厚の測定はできなかった。
実施例６〜９、比較例５〜７
実施例１で使用した基板と同様な構造でHfO2層がAl2O3層になったサンプルを用い、表２に示した組成のエッチング剤組成物で処理を行って、Al2O3膜、SiO2膜のエッチング量測定を行った。結果を表２に示す。
実施例１で使用した基板と同様な構造でHfO2層がAl2O3層になったサンプルを用い、表２に示した組成のエッチング剤組成物で処理を行って、Al2O3膜、SiO2膜のエッチング量測定を行った。結果を表２に示す。
実施例１０〜１３、比較例８〜１１
実施例１で使用した基板と同様な構造でHfO2層がHfSiON層になったサンプルを用い、表３に示した組成のエッチング剤組成物で処理を行って、HfSiON膜、SiO2膜のエッチング量測定を行った。結果を表３に示す。
実施例１で使用した基板と同様な構造でHfO2層がHfSiON層になったサンプルを用い、表３に示した組成のエッチング剤組成物で処理を行って、HfSiON膜、SiO2膜のエッチング量測定を行った。結果を表３に示す。
表１、２及び３において、本発明のエッチング剤組成物を適用することにより、HfO2、Al2O3又はHfSiONに対するエッチング量と、SiO2に対するエッチング量を比較すると、実施例１〜１３ではHfO2、Al2O3またはHfSiONに対するエッチング量の方が、SiO2に対するエッチング量よりも大きいことがわかる。
このように、本発明のエッチング剤組成物を用いて高誘電率薄膜をエッチングすれば、Al2O3、ZrO2、HfO2、HfSiON、Y2O3などの希土類元素酸化物やランタノイド系元素酸化物に対するエッチングをより効果的に行うことができる。
Claims (14)
- 有機酸又は無機酸の少なくともいずれかとフッ素化合物を含有する水溶液である高誘電率薄膜のエッチング剤組成物。
- 有機酸０．０１〜１５重量％、フッ素化合物０．００１〜１０重量％である請求項１記載のエッチング剤組成物。
- 有機酸がシュウ酸、クエン酸、マロン酸、コハク酸、酢酸、プロピオン酸から選ばれる少なくとも１種である請求項１又は２記載のエッチング剤組成物。
- 無機酸を０．０１〜５０重量％、フッ素化合物を０．００１〜１０重量％含有する請求項１記載のエッチング剤組成物。
- 無機酸が硫酸、硝酸、塩酸、リン酸、スルファミン酸から選ばれる少なくとも1種である請求項１又は４記載のエッチング剤組成物。
- フッ素化合物がフッ化水素酸、フッ化アンモニウムまたはフッ化テトラメチルアンモニウムである請求項１〜５のいずれかに記載のエッチング剤組成物。
- 高誘電率薄膜の材料が、ZrO2、Ta2O5、Nb2O5、Al2O3、HfO2、TiO2、ScO3、Y2O3、La2O3、CeO3、Pr2O3、Nd2O3、Sm2O3、Eu2O3、Gd2O3、Tb2O3、Dy2O3、Ho2O3、Er2O3、Tm2O3、Yb2O3若しくはLu2O3を含む材料、又はこれらに珪素を含むシリケート材料、さらにはこれらに窒素を含むナイトライド材料である請求項１〜６のいずれかに記載のエッチング剤組成物。
- 有機酸又は無機酸の少なくともいずれかとフッ素化合物を含有する水溶液を用いて高誘電率薄膜をエッチングする高誘電率薄膜のエッチング方法。
- 有機酸０．０１〜１５重量％、フッ素化合物０．００１〜１０重量％である請求項８記載のエッチング方法。
- 有機酸がシュウ酸、クエン酸、マロン酸、コハク酸、酢酸、プロピオン酸から選ばれる少なくとも１種である請求項８又は９記載のエッチング方法。
- 無機酸を０．０１〜５０重量％、フッ素化合物を０．００１〜１０重量％含有する請求項８記載のエッチング方法。
- 無機酸が硫酸、硝酸、塩酸、リン酸、スルファミン酸から選ばれる少なくとも1種である請求項８又は１１記載のエッチング方法。
- フッ素化合物がフッ化水素酸、フッ化アンモニウムまたはフッ化テトラメチルアンモニウムである請求項８〜１２のいずれかに記載のエッチング方法。
- 高誘電率薄膜の材料が、ZrO2、Ta2O5、Nb2O5、Al2O3、HfO2、TiO2、 ScO3、Y2O3、La2O3、CeO3、Pr2O3、Nd2O3、Sm2O3、Eu2O3、Gd2O3、Tb2O3、Dy2O3、Ho2O3、Er2O3、Tm2O3、Yb2O3若しくはLu2O3を含む材料、又はこれらに珪素を含むシリケート材料、さらにはこれらに窒素を含むナイトライド材料である請求項８〜１３のいずれかに記載のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004092794A JP4362714B2 (ja) | 2003-03-26 | 2004-03-26 | 高誘電率薄膜エッチング剤組成物及びエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003084473 | 2003-03-26 | ||
| JP2004092794A JP4362714B2 (ja) | 2003-03-26 | 2004-03-26 | 高誘電率薄膜エッチング剤組成物及びエッチング方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009096816A Division JP2009200506A (ja) | 2003-03-26 | 2009-04-13 | 高誘電率薄膜エッチング剤組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004311993A true JP2004311993A (ja) | 2004-11-04 |
| JP4362714B2 JP4362714B2 (ja) | 2009-11-11 |
Family
ID=33478259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004092794A Expired - Lifetime JP4362714B2 (ja) | 2003-03-26 | 2004-03-26 | 高誘電率薄膜エッチング剤組成物及びエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4362714B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004363502A (ja) * | 2003-06-06 | 2004-12-24 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2005311316A (ja) * | 2004-03-24 | 2005-11-04 | Tosoh Corp | エッチング用組成物及びエッチング処理方法 |
| JP2007180304A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Seiko Epson Corp | パターンの形成方法、及び液滴吐出ヘッド |
| JP2014001447A (ja) * | 2012-02-07 | 2014-01-09 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 金属接着を向上させる活性化方法 |
| KR101347446B1 (ko) * | 2006-05-25 | 2014-01-16 | 동우 화인켐 주식회사 | 금속배선 형성을 위한 저점도 식각용액 |
| WO2014203600A1 (ja) * | 2013-06-21 | 2014-12-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 酸化チタン膜の除去方法および除去装置 |
| JP2015005660A (ja) * | 2013-06-21 | 2015-01-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 酸化タンタル膜の除去方法および除去装置 |
| JP2018121077A (ja) * | 2018-04-19 | 2018-08-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 酸化チタン膜の除去方法および除去装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10321611A (ja) * | 1997-05-22 | 1998-12-04 | Sumitomo Chem Co Ltd | 酸化アルミニウム用エッチング液 |
| JP2003332297A (ja) * | 2002-05-10 | 2003-11-21 | Daikin Ind Ltd | エッチング液及びエッチング方法 |
| JP2004259946A (ja) * | 2003-02-26 | 2004-09-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法及びその装置 |
-
2004
- 2004-03-26 JP JP2004092794A patent/JP4362714B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10321611A (ja) * | 1997-05-22 | 1998-12-04 | Sumitomo Chem Co Ltd | 酸化アルミニウム用エッチング液 |
| JP2003332297A (ja) * | 2002-05-10 | 2003-11-21 | Daikin Ind Ltd | エッチング液及びエッチング方法 |
| JP2004259946A (ja) * | 2003-02-26 | 2004-09-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法及びその装置 |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004363502A (ja) * | 2003-06-06 | 2004-12-24 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US7718532B2 (en) | 2003-06-06 | 2010-05-18 | Nec Electronics Corporation | Method of forming a high-k film on a semiconductor device |
| JP2005311316A (ja) * | 2004-03-24 | 2005-11-04 | Tosoh Corp | エッチング用組成物及びエッチング処理方法 |
| JP4580258B2 (ja) * | 2004-03-24 | 2010-11-10 | 東ソー株式会社 | エッチング用組成物及びエッチング処理方法 |
| JP2007180304A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Seiko Epson Corp | パターンの形成方法、及び液滴吐出ヘッド |
| KR101347446B1 (ko) * | 2006-05-25 | 2014-01-16 | 동우 화인켐 주식회사 | 금속배선 형성을 위한 저점도 식각용액 |
| JP2014001447A (ja) * | 2012-02-07 | 2014-01-09 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 金属接着を向上させる活性化方法 |
| WO2014203600A1 (ja) * | 2013-06-21 | 2014-12-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 酸化チタン膜の除去方法および除去装置 |
| JP2015005660A (ja) * | 2013-06-21 | 2015-01-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 酸化タンタル膜の除去方法および除去装置 |
| JP2015005661A (ja) * | 2013-06-21 | 2015-01-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 酸化チタン膜の除去方法および除去装置 |
| KR101792444B1 (ko) * | 2013-06-21 | 2017-11-01 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 산화 티탄막의 제거 방법 및 제거 장치 |
| JP2018121077A (ja) * | 2018-04-19 | 2018-08-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 酸化チタン膜の除去方法および除去装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4362714B2 (ja) | 2009-11-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2009200506A (ja) | 高誘電率薄膜エッチング剤組成物 | |
| KR101275448B1 (ko) | 반도체 표면 처리제 | |
| TWI434339B (zh) | 金屬材料用蝕刻劑組成物及用它之半導體裝置之製法 | |
| US7235495B2 (en) | Controlled growth of highly uniform, oxide layers, especially ultrathin layers | |
| WO2010086745A1 (en) | Method of etching lanthanum-containing oxide layers | |
| CN115044375A (zh) | 蚀刻组合物 | |
| CN111225965B (zh) | 蚀刻组合物 | |
| US20030235985A1 (en) | Method for etching high-k films in solutions comprising dilute fluoride species | |
| EP1538664A1 (en) | Etchant and etching method | |
| JP4362714B2 (ja) | 高誘電率薄膜エッチング剤組成物及びエッチング方法 | |
| US12104108B2 (en) | Etching compositions | |
| JP2007150118A (ja) | 微細加工処理剤、及びそれを用いた微細加工処理方法 | |
| JP4189651B2 (ja) | 高誘電率薄膜エッチング剤組成物 | |
| JP4501669B2 (ja) | エッチング用組成物 | |
| JP2006073871A (ja) | エッチング用組成物 | |
| JP4396267B2 (ja) | エッチング剤 | |
| Balasubramanian et al. | Wet etching of heat treated atomic layer chemical vapor deposited zirconium oxide in HF based solutions | |
| WO2024211275A1 (en) | Etching compositions | |
| WO2024163215A2 (en) | Surface treatment compositions and methods |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070202 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081107 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081112 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081217 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090325 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090413 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20090601 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090722 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090804 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120828 Year of fee payment: 3 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4362714 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130828 Year of fee payment: 4 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |