CN105293934A - 玻璃加工方法、玻璃蚀刻液、及玻璃基板 - Google Patents

Abstract

本发明提供玻璃加工方法、玻璃蚀刻液、及玻璃基板，所述玻璃加工方法可以按照在玻璃基板的端部，使朝向玻璃基板的面方向外侧突出的顶部的顶端不位于玻璃基板的面方向的最外侧的方式加工玻璃基板。本发明的玻璃加工方法包括：第一玻璃蚀刻工序，使用含有氢氟酸0.5～20质量％、硝酸5.0～25.0质量％、和氢氟酸及硝酸以外的无机酸0.5～10质量％的第一玻璃蚀刻液，对在一对主平面上具有相同图案的蚀刻掩模的玻璃基板进行蚀刻；和第二玻璃蚀刻工序，使用含有氢氟酸0.5～20质量％、和硫酸10.0～50.0质量％的第二玻璃蚀刻液，对在所述第一玻璃蚀刻工序中被蚀刻了的所述玻璃基板进行蚀刻。

Description

玻璃加工方法、玻璃蚀刻液、及玻璃基板

技术领域

本发明涉及玻璃加工方法、玻璃蚀刻液、及玻璃基板。

背景技术

在智能手机等携带型电子设备中，作为触摸面板的构件、图像显示面板保护用的外罩玻璃，使用了玻璃基板。

以往，作为此种玻璃基板的加工方法一般为物理方法，然而在加工时容易形成裂纹，从而存在有强度降低、成品率恶化的问题。

因而，近年将来，提出了通过在玻璃基板上形成所需形状的抗蚀剂图案、以该抗蚀剂图案为掩模蚀刻玻璃基板，由此得到所需形状的玻璃基板的方法(例如参照专利文献1)。根据此种化学方法，由于在加工时不会施加物理的负荷，因此不易形成裂纹。另外，与物理方法不同，也可以对玻璃基板进行麦克或扬声器用的开孔加工。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009－167086号公报

发明内容

发明所要解决的问题

然而，以往的借助蚀刻的玻璃加工方法中，如图2所示，为了从玻璃基板101的相向的主表面111及112各向同性地进行蚀刻，端面113形成为具有朝向玻璃基板101的面方向外侧突出的顶部、并且上述顶部的顶端位于玻璃基板101的面方向的最外侧的形状。如果上述顶部的顶端位于玻璃基板101的面方向的最外侧，则难以提高玻璃基板101的尺寸稳定性，另外，上述顶部的机械强度容易降低。

本发明是鉴于上述的状况而完成的，其目的在于，提供可以按照在玻璃基板的端部使朝向玻璃基板的面方向外侧突出的顶部的顶端不位于玻璃基板的面方向的最外侧的方式加工玻璃基板的玻璃加工方法、玻璃蚀刻液、及玻璃基板。

用于解决问题的方法

本发明人等为了解决上述问题反复进行了深入研究。其结果是，发现通过分为2个工序来进行玻璃基板的蚀刻，并在各工序中使用特定的蚀刻液，由此可以解决上述问题，从而完成了本发明。具体而言，本发明提供以下的内容。

本发明的第一方式为一种玻璃加工方法，包括：第一玻璃蚀刻工序，使用含有氢氟酸0.5～20质量％、硝酸5.0～25.0质量％、和氢氟酸及硝酸以外的无机酸0.5～10质量％的第一玻璃蚀刻液，对在一对主平面上具有相同图案的蚀刻掩模的玻璃基板进行蚀刻；和第二玻璃蚀刻工序，使用含有氢氟酸0.5～20质量％、和硫酸10.0～50.0质量％的第二玻璃蚀刻液，对在上述第一玻璃蚀刻工序中被蚀刻了的上述玻璃基板进行蚀刻。

本发明的第二方式为一种玻璃蚀刻液，其为上述玻璃加工方法中的上述第一玻璃蚀刻工序中所使用的玻璃蚀刻液，其含有氢氟酸0.5～20质量％、硝酸5.0～25.0质量％、和氢氟酸及硝酸以外的无机酸0.5～10质量％。

本发明的第三方式为一种利用上述玻璃加工方法加工而成的玻璃基板。

本发明的第四方式为一种玻璃基板，是具有一对主表面、和与所述一对主表面大致垂直的端面的玻璃基板，

上述端面具有从上述一对主表面朝向上述玻璃基板的面方向外侧隆起的一对隆起部、位于上述一对隆起部之间且朝向上述玻璃基板的面方向内侧凹陷的凹陷部、和位于上述凹陷部的中央且朝向上述玻璃基板的面方向外侧突出的顶部，上述一对隆起部的公共切线与上述顶部的顶端的距离为0mm以下，其中，在上述顶部的顶端与上述公共切线相比位于上述玻璃基板的面方向外侧时，将上述距离的符号设为正，在上述顶部的顶端与上述公共切线相比位于上述玻璃基板的面方向内侧时，将上述距离的符号设为负。

发明的效果

根据本发明，可以提供能够按照在玻璃基板的端部使朝向玻璃基板的面方向外侧突出的顶部的顶端不位于玻璃基板的面方向的最外侧的方式加工玻璃基板的玻璃加工方法、玻璃蚀刻液、及玻璃基板。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式的玻璃基板的一部分的图。

图2是表示利用以往的借助蚀刻的玻璃加工方法加工而成的玻璃基板的一部分的图。

具体实施方式

＜玻璃基板＞

参照图1，对本发明的玻璃基板进行说明。

图1是表示本发明的实施方式的玻璃基板的一部分的图。图1所示的玻璃基板1具有一对主表面11及12、和与一对主表面11及12大致垂直的端面13。端面13具有从一对主表面11及12朝向玻璃基板1的面方向外侧隆起的一对隆起部14及15、位于一对隆起部14及15之间且朝向玻璃基板1的面方向内侧凹陷的凹陷部16、和位于凹陷部16的中央且朝向玻璃基板1的面方向外侧突出的顶部17。一对隆起部14及15的公共切线18与顶部17的顶端的距离d为0mm以下。其中，在顶部17的顶端与公共切线18相比位于玻璃基板1的面方向外侧时，将距离d的符号设为正，在顶部17的顶端与公共切线18相比位于玻璃基板1的面方向内侧时，将距离d的符号设为负。图1中，由于顶部17的顶端与公共切线18相比位于玻璃基板1的面方向内侧，因此距离d的符号为负。

玻璃基板1中，一对隆起部14及15位于玻璃基板1的面方向的最外侧，顶部17的顶端没有位于玻璃基板1的面方向的最外侧。因此，玻璃基板1的尺寸稳定性容易提高，另外，顶部17的机械强度不易降低。

在隆起部14与隆起部15之间，玻璃基板1在面方向上的高度既可以相同也可以不同。需要说明的是，上述高度在图1中相同。

所谓“端面13与一对主表面11及12大致垂直”是指公共切线18与主表面11或12所成的角为70～110°。公共切线18与主表面11或12所成的角优选为80～100°，更优选为85～95°。

一对隆起部14及15的公共切线18与顶部17的顶端的距离d为0mm以下。只要距离d为0mm以下，则距离d的下限没有特别限定，然而距离d的绝对值优选为玻璃基板1的厚度以下。例如，在玻璃基板1的厚度为0.7mm的情况下，距离d优选为－0.7mm～0mm，更优选为－0.3mm～0mm。如果距离d的绝对值为玻璃基板1的厚度以下，则端面13的机械强度不易降低。

优选为：玻璃基板1是通过对板状的玻璃基材从其两个主表面进行蚀刻从而裁切为所需的形状而成的，该玻璃基板1具有一对主表面11及12、和通过蚀刻裁切上述玻璃基材而形成且与一对主表面11及12大致垂直的端面13。

依照JISB0601测定的玻璃基板1的端面的表面粗糙度以算术平均粗糙度Ra计优选为3.8μm以下，更优选为3.5μm以下，进一步优选为2.0μm以下。如果以算术平均粗糙度Ra表示的上述表面粗糙度为3.5μm以下，则容易使得玻璃基板1的端面的平滑性优异。需要说明的是，上述表面粗糙度的下限没有特别限定，然而在实用上以算术平均粗糙度Ra计为0.1nm以上。

玻璃基板1只要是可以得到图1中所示的形状，则无论用何种玻璃加工方法制造均可，例如可以利用本发明的玻璃加工方法制造。玻璃基板1既包含利用本发明的玻璃加工方法加工而成的玻璃基板，也包含利用其他的玻璃加工方法加工而成的玻璃基板。对于本发明的玻璃加工方法将在后面叙述。

＜玻璃加工方法＞

本发明的玻璃加工方法包括：第一玻璃蚀刻工序，使用含有氢氟酸0.5～20质量％、硝酸5.0～25.0质量％、和氢氟酸及硝酸以外的无机酸0.5～10质量％的第一玻璃蚀刻液，对在一对主平面上具有相同图案的蚀刻掩模的玻璃基板进行蚀刻；和第二玻璃蚀刻工序，使用含有氢氟酸0.5～20质量％、和硫酸10.0～50.0质量％的第二玻璃蚀刻液，对在上述第一玻璃蚀刻工序中被蚀刻的上述玻璃基板进行蚀刻。

利用本发明的玻璃加工方法，可以得到本发明的玻璃基板。第一玻璃蚀刻工序中，考虑与图2同样地形成如下的端面，即，在具有朝向玻璃基板的面方向外侧突出的顶部、并且具有上述顶部的顶端位于玻璃基板的面方向的最外侧的形状的同时，将上述顶部的在玻璃基板的面方向上的高度进一步抑制在较低水平的端面。第二玻璃蚀刻工序中，考虑尤其是进行上述顶部周边的蚀刻，最终形成具有图1中所示的形状的端面。

需要说明的是，在第一及第二玻璃蚀刻工序中，作为蚀刻速度，没有特别限定，可以适当地调整，然而例如可以举出1～20μm/分钟。另外，在第一及第二玻璃蚀刻工序中，作为蚀刻温度，没有特别限定，可以适当地调整，然而例如可以举出10～60℃。

[第一玻璃蚀刻工序]

第一玻璃蚀刻工序中，使用第一玻璃蚀刻液，对在一对主平面上具有相同图案的蚀刻掩模的玻璃基板进行蚀刻。认为：由于在第一玻璃蚀刻液中含有规定量的硝酸，因此可以将利用蚀刻形成于玻璃基板的端面的顶部的、在玻璃基板的面方向上的高度进一步抑制在较低水平。

第一玻璃蚀刻液的蚀刻处理可以利用以往公知的方法进行，例如，可以通过将玻璃基板浸渍在蚀刻液中来进行。第一玻璃蚀刻液的蚀刻处理时间可以根据玻璃基板的厚度、蚀刻速度等适当地调整，优选为蚀刻处理时间的合计、特别是第一玻璃蚀刻液的蚀刻处理时间与第二玻璃蚀刻液的蚀刻处理时间的合计的50～90％，更优选为60～80％。

(第一玻璃蚀刻液)

第一玻璃蚀刻液含有氢氟酸0.5～20质量％、硝酸5.0～25.0质量％、和氢氟酸及硝酸以外的无机酸0.5～10质量％。需要说明的是，第一玻璃蚀刻液中的溶剂通常为水，然而也可以是甘油、聚乙二醇等水溶性有机溶剂与水的混合溶剂。

·氢氟酸

氢氟酸有助于第一玻璃蚀刻液溶解玻璃基板中的SiO₂。在第一玻璃蚀刻液中，氢氟酸的含量为0.5～20质量％，优选为1.0～7.0质量％，更优选为1.5～6.5质量％。如果第一玻璃蚀刻液中的氢氟酸的含量为0.5～20质量％，则可以在充分地确保第一玻璃蚀刻液所带来的SiO₂的溶解性的同时，减少第一玻璃蚀刻液中的氢氟酸的含量，容易提高安全性、节省资源性。

·硝酸

硝酸有助于第一玻璃蚀刻液将利用蚀刻形成于玻璃基板的端面的顶部的、在玻璃基板的面方向上的高度进一步抑制在较低水平。在第一玻璃蚀刻液中，硝酸的含量为5.0～25.0质量％，优选为5.0～24.0质量％，更优选为5.0～20.0质量％，更进一步优选为9.0～19.5质量％。如果第一玻璃蚀刻液中的硝酸的含量为5.0～25.0质量％，则容易在合适的范围中将上述高度进一步抑制在较低水平。

·氢氟酸及硝酸以外的无机酸

氢氟酸及硝酸以外的无机酸有助于第一玻璃蚀刻液溶解玻璃基板中的硅以外的金属成分。氢氟酸及硝酸以外的无机酸既可以单独使用1种，也可以并用2种以上。

作为氢氟酸及硝酸以外的无机酸，可以根据玻璃基板中所含的硅以外的金属成分的种类适当地选择，例如可以举出盐酸、硫酸、磷酸、氨基磺酸等，优选盐酸及硫酸。

在第一玻璃蚀刻液中，氢氟酸及硝酸以外的无机酸的含量为0.5～10质量％，优选为0.5～4.5质量％，更优选为1.0～4.0质量％。如果第一玻璃蚀刻液中的氢氟酸及硝酸以外的无机酸的含量为0.5～10质量％，则容易在保证氢氟酸所带来的SiO₂的溶解性的平衡的同时，将第一玻璃蚀刻液所带来的硅以外的金属成分的溶解性调整为合适的范围。

·螯合剂

第一玻璃蚀刻液也可以含有螯合剂。如果第一玻璃蚀刻液含有螯合剂，则因玻璃基板的蚀刻而溶解于第一玻璃蚀刻液中的玻璃成分就会被螯合剂螯合，因此将难以在玻璃基板上重结晶，特别容易提高玻璃基板的端面的平滑性(即，容易将以算术平均粗糙度Ra表示的表面粗糙度抑制在较低水平)。螯合剂既可以单独使用1种，也可以并用2种以上。

作为螯合剂，例如可以举出具有2个以上的羧基或2个以上的羟基的化合物，具体而言，可以举出柠檬酸、葡糖酸、琥珀酸、草酸、酒石酸、乙二胺四乙酸(EDTA)、羟基乙叉二膦酸(HEDP)、次氮基三乙酸、二乙烯三胺五乙酸、二羟乙基甘氨酸、羟基乙二胺三乙酸等，特别优选柠檬酸及草酸。

在第一玻璃蚀刻液中，螯合剂的含量优选为0.01～10质量％，更优选为0.05～3.5质量％，进一步优选为0.1～3.0质量％。如果第一玻璃蚀刻液中的螯合剂的含量为0.01～10质量％，则容易提高玻璃基板的端面的平滑性。

·其他的成分

第一玻璃蚀刻液也可以根据需要含有具有1个羧基或1个羟基的化合物(例如乙酸等单羧酸)、二胺化合物(例如乙二胺)等其他的成分。其他的成分的含量没有特别限定，只要适当地调整即可，然而在第一玻璃蚀刻液中，具有1个羧基的化合物的含量优选为0.01～10质量％，更优选为0.15～2.5质量％，进一步优选为0.2～2.0质量％。

(玻璃基板)

在第一玻璃蚀刻工序中使用第一玻璃蚀刻液而被蚀刻的玻璃基板在一对主平面上具有相同图案的蚀刻掩模。作为玻璃基板没有特别限定，可以使用利用公知的方法制作的玻璃基板。作为玻璃基板，例如可以举出硅酸铝盐玻璃或钠钙玻璃，也可以使用将它们利用化学强化等表面处理强化了的玻璃。具体而言，作为市售品，例如可以举出Dragontrail(旭硝子制)、大猩猩玻璃(康宁制)、ARMOREX(CENTRALGLASS制)、Xensation(Schott制)等。

作为玻璃基板的厚度，没有特别限定，然而例如可以举出0.05～2mm。玻璃基板的厚度越薄，则在对玻璃基板实施物理加工时，破损的风险越高，玻璃基板的加工越困难。然而，本发明的玻璃加工方法中，由于使用蚀刻加工，因此即使是薄的玻璃基板，也可以高精度地加工，对玻璃基板施加的应力低，破损的风险低，因此可以实现高成品率。

在一对主平面上具有相同图案的蚀刻掩模的玻璃基板可以通过在形成上述蚀刻掩模前的玻璃基板上涂布或层压抗蚀剂组合物、并进行曝光及显影而得到。作为抗蚀剂组合物，只要是对于第一及第二玻璃蚀刻液具有耐性的组合物，就没有特别限定，例如可以使用氢氟酸耐性优异的抗蚀剂组合物等。抗蚀剂组合物既可以是正型抗蚀剂组合物，也可以是负型抗蚀剂组合物。此处，正型抗蚀剂组合物可以是非化学放大系、化学放大系的任意一种。作为非化学放大系正型抗蚀剂组合物，例如可以举出至少含有包醌二叠氮基的化合物及碱可溶性树脂的组合物。另一方面，作为化学放大系正型抗蚀剂组合物，例如可以举出至少含有树脂及光致产酸剂的组合物，所述树脂具有酸解离性的离去基团，该离去基团在因曝光而由光致产酸剂产生的酸的作用下发生脱离，由此碱可溶性增大。另外，作为负型抗蚀剂组合物，例如可以举出：至少含有碱可溶性树脂、光聚合性单体、及光聚合引发剂的聚合型的负型抗蚀剂组合物；至少含有碱可溶性树脂、交联剂、及产酸剂的化学放大型的负型抗蚀剂组合物；至少含有树脂及光致产酸剂的溶剂显影工艺用的化学放大型负型抗蚀剂组合物，所述树脂具有酸解离性的离去基团，该离去基团在因曝光而由光致产酸剂产生的酸的作用下脱离，由此极性增大。另外，抗蚀剂组合物既可以是液状，也可以是干式膜(设于支承膜上的由抗蚀剂组合物构成的树脂层)的形态。

通过隔着遮光图案照射紫外线等活性能量射线，而对涂布于玻璃基板上的抗蚀剂组合物选择性地进行曝光。在曝光中，可以使用高压水银灯、超高压水银灯、氙灯、碳弧灯等发出紫外线的光源。所照射的能量射线量虽然也根据抗蚀剂组合物的组成而不同，然而例如优选为30～3000mJ/cm²左右。需要说明的是，也可以在曝光后，适当地进行曝光后烘焙(PEB)。

对曝光后的上述抗蚀剂组合物进行显影，形成图案。显影方法没有特别限定，可以使用浸渍法、喷雾法、喷淋法、液池(パドル)法等。作为显影液，例如可以举出：0.25～3质量％的氢氧化钠水溶液、氢氧化钾水溶液、有机胺、四甲基氢氧化铵、三乙醇胺、N－甲基吡咯烷酮、二甲亚砜、碳酸钠水溶液、碳酸钾水溶液等。显影时间没有特别限定，然而例如为1～120分钟左右。需要说明的是，显影液也可以加温到25～40℃左右。

需要说明的是，在第一及第二玻璃蚀刻工序后，剥离上述图案。剥离方法没有特别限定，可以使用浸渍法、喷雾法、喷淋法、液池法等。作为剥离液，例如可以举出3～15质量％的氢氧化钠水溶液、氢氧化钾水溶液、有机胺、四甲基氢氧化铵、三乙醇胺、N―甲基吡咯烷酮、二甲亚砜等。剥离处理时间没有特别限定，然而例如为1～120分钟左右。需要说明的是，剥离液也可以加温到25～60℃左右。

[第二玻璃蚀刻工序]

第二玻璃蚀刻工序中，使用第二玻璃蚀刻液，蚀刻在上述第一玻璃蚀刻工序中被蚀刻的上述玻璃基板。在第二玻璃蚀刻液中，含有规定量的硫酸，因此考虑尤其是进行如下蚀刻，即，在上述第一玻璃蚀刻工序中将玻璃基板的面方向上的高度进一步抑制在较低水平后的顶部周边的蚀刻。

第二玻璃蚀刻液的蚀刻处理可以利用以往公知的方法进行，例如可以通过将玻璃基板浸渍在蚀刻液中而进行。第二玻璃蚀刻液的蚀刻处理时间可以根据玻璃基板的厚度、蚀刻速度等适当地调整，优选为蚀刻处理时间的合计、特别是第一玻璃蚀刻液的蚀刻处理时间与第二玻璃蚀刻液的蚀刻处理时间的合计的10～50％，更优选为20～40％。

(第二玻璃蚀刻液)

第二玻璃蚀刻液含有氢氟酸0.5～20质量％、和硫酸10.0～50.0质量％。需要说明的是，第二玻璃蚀刻液中的溶剂通常为水，然而也可以是水溶性有机溶剂与水的混合溶剂。作为水溶性有机溶剂，例如可以举出第一玻璃蚀刻液的说明中例示的有机溶剂。

·氢氟酸

氢氟酸有助于第二玻璃蚀刻液溶解玻璃基板中的SiO₂。在第二玻璃蚀刻液中，氢氟酸的含量为0.5～20质量％，优选为0.5～6.0质量％，更优选为1.0～5.5质量％。如果第二玻璃蚀刻液中的氢氟酸的含量为0.5～20质量％，则可以在充分地确保第二玻璃蚀刻液所带来的SiO₂的溶解性的同时，减少第二玻璃蚀刻液中的氢氟酸的含量，容易提高安全性、节省资源性。

·硫酸

硫酸有助于特别是进行如下蚀刻，即，在上述第一玻璃蚀刻工序中将玻璃基板的面方向上的高度进一步抑制在较低水平后的顶部周边的蚀刻。在第二玻璃蚀刻液中，硫酸的含量为10.0～50.0质量％，优选为15.0～50.0质量％，更优选为17.0～49.0质量％。如果第二玻璃蚀刻液中的硫酸的含量为10.0～50.0质量％，则特别容易进行如下蚀刻，即，在上述第一玻璃蚀刻工序中将玻璃基板的面方向上的高度进一步抑制在较低水平后的顶部周边的蚀刻。

·螯合剂

第二玻璃蚀刻液也可以含有螯合剂。如果第二玻璃蚀刻液含有螯合剂，则因玻璃基板的蚀刻而溶解于第二玻璃蚀刻液中的玻璃成分就会被螯合剂螯合，因此将难以在玻璃基板上重结晶，特别容易提高玻璃基板的端面的平滑性(即，容易将以算术平均粗糙度Ra表示的表面粗糙度抑制在较低水平)。螯合剂既可以单独使用1种，也可以并用2种以上。

作为螯合剂，例如可以举出第一玻璃蚀刻液的说明中例示的螯合剂，特别优选柠檬酸。

在第二玻璃蚀刻液中，螯合剂的含量优选为0.01～10质量％，更优选为0.05～3.5质量％，更进一步优选为0.1～3.0质量％。如果第二玻璃蚀刻液中的螯合剂的含量为0.01～10质量％，则容易提高玻璃基板的端面的平滑性。

·其他的成分

第二玻璃蚀刻液也可以根据需要含有具有1个羧基或1个羟基的化合物(例如乙酸等单羧酸)、二胺化合物(例如乙二胺)、表面活性剂等其他的成分。其他的成分的含量没有特别限定，只要适当地调整即可。

＜玻璃蚀刻液＞

本发明的玻璃蚀刻液是本发明的玻璃加工方法中的第一玻璃蚀刻工序中所使用的玻璃蚀刻液，是含有氢氟酸0.5～20质量％、硝酸5.0～25.0质量％、和氢氟酸及硝酸以外的无机酸0.5～10质量％的玻璃蚀刻液。由于本发明的玻璃蚀刻液与上述第一玻璃蚀刻液相同，因此省略说明。

[实施例]

以下将给出本发明的实施例，对本发明进行更详细的说明，然而本发明并不限定于下述实施例。

(玻璃基板的蚀刻)

在板状的玻璃基材(商品名：Dragontrail、旭硝子制、厚度0.7mm)的两面涂布抗蚀剂组合物(商品名：Glibes、东京应化工业株式会社制)，进行曝光及显影，在上述玻璃基材的一对主平面上形成相同图案的蚀刻掩模。将形成有上述蚀刻掩模的上述玻璃基材在具有表1或2中所示的组成的第一玻璃蚀刻液(39℃)中浸渍90分钟而进行蚀刻，然后，取出上述玻璃基材，将该玻璃基材在具有表1或2中所示的组成的第二玻璃蚀刻液(40℃)中浸渍30分钟而进行蚀刻。其后，剥离上述蚀刻掩模，得到具有120mm×60mm×0.7mm的尺寸的玻璃基板。其中，比较例1中，没有进行在第二玻璃蚀刻液中的浸渍。

需要说明的是，作为表1及2中的表面活性剂，使用了酸性清洗剂(商品名：DS－S、横滨油脂工业株式会社制)。

(距离d的测定)

观察玻璃基板的端面的形状，其结果是，对于实施例1～10而言，为图1所示的形状，而对于比较例1～3而言，为图2所示的形状。对于实施例及比较例中分别得到的玻璃基板，测定出图1或图2中的距离d的值。将结果表示于表1及2中。

(端面的表面粗糙度的测定)

依照JISB0601，使用表面粗糙度计(商品名：SURFCOM480A、株式会社东京精密制)，作为玻璃基板的端面的表面粗糙度测定出算术平均粗糙度Ra。将结果表示于表1及2中。

[表1]

[表2]

从表1及2的实施例可知，利用本发明的玻璃加工方法加工而成的玻璃基板的距离d为0mm以下，端面的表面粗糙度以算术平均粗糙度Ra计为3.8μm以下。另一方面，从表2的比较例可知，利用与本发明的玻璃加工方法不同的加工方法加工而成的玻璃基板的距离d大于0mm，端面的表面粗糙度以算术平均粗糙度Ra计大于3.8μm。

符号的说明

1玻璃基板

11、12主表面

13端面

14、15隆起部

16凹陷部

17顶部

18公共切线

101玻璃基板

111、112主表面

113端面

Claims (8)

1.一种玻璃加工方法，包括：

第一玻璃蚀刻工序，使用含有氢氟酸0.5～20质量％、硝酸5.0～25.0质量％、和氢氟酸及硝酸以外的无机酸0.5～10质量％的第一玻璃蚀刻液，对在一对主平面上具有相同图案的蚀刻掩模的玻璃基板进行蚀刻；和

第二玻璃蚀刻工序，使用含有氢氟酸0.5～20质量％、和硫酸10.0～50.0质量％的第二玻璃蚀刻液，对在所述第一玻璃蚀刻工序中被蚀刻了的所述玻璃基板进行蚀刻。

2.根据权利要求1所述的玻璃加工方法，其中，

所述第一玻璃蚀刻液和/或第二玻璃蚀刻液还含有螯合剂。

3.一种玻璃蚀刻液，是权利要求1或2所述的玻璃加工方法中的所述第一玻璃蚀刻工序中所用的玻璃蚀刻液，其含有氢氟酸0.5～20质量％、硝酸5.0～25.0质量％、和氢氟酸及硝酸以外的无机酸0.5～10质量％。

4.根据权利要求3所述的玻璃蚀刻液，其还含有螯合剂。

5.一种玻璃基板，利用权利要求1或2所述的玻璃加工方法进行加工而成。

6.一种玻璃基板，是具有一对主表面、和与所述一对主表面大致垂直的端面的玻璃基板，

所述端面具有从所述一对主表面朝向所述玻璃基板的面方向外侧隆起的一对隆起部、位于所述一对隆起部之间且朝向所述玻璃基板的面方向内侧凹陷的凹陷部、和位于所述凹陷部的中央且朝向所述玻璃基板的面方向外侧突出的顶部，

所述一对隆起部的公共切线与所述顶部的顶端的距离为0mm以下，其中，在所述顶部的顶端与所述公共切线相比位于所述玻璃基板的面方向外侧时，将所述距离的符号设为正，在所述顶部的顶端与所述公共切线相比位于所述玻璃基板的面方向内侧时，将所述距离的符号设为负。

7.根据权利要求6所述的玻璃基板，其中，

所述玻璃基板是通过对板状的玻璃基材从其两个主表面进行蚀刻从而裁切为所需的形状而成，所述玻璃基板具有一对主表面、和通过蚀刻裁切所述玻璃基材而形成且与所述一对主表面大致垂直的端面。

8.蚀刻液在权利要求1或2所述的玻璃加工方法中的所述第一蚀刻工序中的使用，其中，

所述蚀刻液含有氢氟酸0.5～20质量％、硝酸5.0～25.0质量％、和氢氟酸及硝酸以外的无机酸0.5～10质量％。