JP2006173292A - エッチング用組成物 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】フッ化物、リン酸、さらに臭化物及び/又は塩化物を含んでなるエッチング用組成物では、酸化ケイ素等の他の半導体材料にダメージを与えることなく、ハフニウムシリケート、窒化ハフニウムシリケート、ハフニウムアルミネート、窒化ハフニウムアルミネートハフニウムシリケート、ハフニウムアルミネート等を選択的にエッチングできるとともに、不燃性である。
【選択図】 選択図なし
Description
AF:フッ化アンモニウム
HF:フッ化水素酸
BF3:三フッ化ホウ素
AlF3:三フッ化アルミニウム
HBr:臭化水素酸
AB:臭化アンモニウム
HCl:塩化水素
AC:塩化アンモニウム
PA:リン酸(オルトリン酸)
IPA:2−プロパノール
HfSiOx:ハフニウムシリケート
HfSiONx:窒化ハフニウムシリケート
SiOx:酸化シリコン
実施例1〜9、比較例1〜4
<エッチング評価>
HfSiOx、HfSiONxをCVD(化学気相成長)法で10nmの厚みで成膜したシリコンウエハ基板、及び熱酸化膜(SiOx)を300nmの厚みで形成したシリコン基板を、ポリエチレン容器に入れた表1記載のエッチング用組成物の中に浸漬した。(10分間浸漬)その後、水洗、乾燥の後、光学式膜厚測定装置で浸漬前後のHfSiOx,HfSiONx,SiOxの膜厚を測定し、エッチング速度を求めた。なお、表1の組成物において残部は水である。
Claims (7)
- フッ化物、リン酸、さらに臭化物及び/又は塩化物を含んでなるハフニウム化合物のエッチング用組成物。
- フッ化物が、三フッ化ホウ素、フッ化アルミニウム、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、フッ化ケイ素から成る群より選ばれる少なくとも1種である請求項1に記載のエッチング用組成物。
- 臭化物が、臭化水素酸及び/又は臭化アンモニウムである請求項1〜請求項2のいずれかに記載のエッチング用組成物。
- 塩化物が、塩化水素酸及び/又は塩化アンモニウムである請求項1〜3に記載のエッチング用組成物。
- 金属付着防止剤として錯化剤をさらに含んでなることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれかに記載のエッチング用組成物。
- 錯化剤がシュウ酸、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、フタル酸、酒石酸、乳酸、グリコール酸、マレイン酸及びそれらの塩、エチレンジアミン四酢酸、トランス−1,2−シクロヘキサンジアミン四酢酸、ニトリロトリ酢酸、ジエチレントリアミンペンタ酢酸、N−(2−ヒドロキシエチル)エチレンジアミン−N,N’,N’−トリ酢酸からなる群から選ばれる1種以上である請求項5に記載のエッチング用組成物。
- ハフニウム化合物が、ハフニウムシリケート、窒化ハフニウムシリケート、ハフニウムアルミネート、窒化ハフニウムアルミネートから成る群より選ばれる少なくとも1種である請求項1〜請求項6のいずれかに記載のエッチング用組成物。
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