JP2005057276A - High−k物質を選択的に除去する方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 high−k物質の選択的除去方法は、半導体基板の上にhigh−k物質層5を設けるステップと、前記high−k物質層5を、フッ化水素、有機化合物及び無機酸を含む溶液にさらすステップとを含む。前記high−k物質層5をダメージ付与ステップにさらすステップをさらに含んでもよい。
【選択図】図1
Description
半導体基板の上にhigh−k物質を設けるステップと、
前記前記high−k物質をHF、有機化合物、及び有機酸を含む溶液にさらすステップと
を含むことを特徴とする。
成膜したままの、また、ダメージ付与され、且つ、熱処理したHFO2ベース層について熱酸化物に対する最高の選択性、すなわち無限大の選択性が得られる。
成膜したままのHfO2ベース層について、ポリシリコンに対して少なくとも14:1の選択性が得られる。
ダメージ付与され、熱処理されたHfO2ベース層について、ポリシリコンに対して少なくとも250:1の選択性が得られる。
ダメージ付与され、熱処理されたHfO2ベース層の場合、LPCVD Si3N4に対して少なくとも20:1の選択性が得られる.
HDP酸化物の場合には、少なくとも9:1の選択性が得られる。
DXZ酸化物の場合には、少なくとも5:1の選択性が得られる。
TEOSの場合には、少なくとも6:1の選択性が得られる。
TaN及びTiNの場合には、少なくとも100:1の選択性が得られる。
ダメージ付与され、熱処理されたHfO2ベース層の場合には、室温で5nm/minのエッチングレートが得られる。
2 絶縁構造体
3 ゲート・ポリシリコン
4 マスク
5 high−k物質層
Claims (22)
- 半導体基板の上にhigh−k物質を設けるステップと、
前記high−k物質を、フッ化水素、有機化合物及び無機酸を含む溶液にさらすステップと
を含むことを特徴とするhigh−k物質の選択的除去方法。 - 前記high−k物質をダメージ付与ステップにさらすステップをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記high−k物質は、7より高い比誘電率を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の方法。
- 前記high−k物質は、ZrO2、Al2O3、HfO2、Zr1−xAlxOy、HfSiOx、HfAlOx、HfSiOxN(x、yは実数)の群から選ばれることを特徴とする請求項3に記載の方法。
- 前記フッ化水素HFの濃度は、0.2M未満であることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記フッ化水素HFの濃度は、0.005M〜0.1Mの範囲内であることを特徴とする請求項5に記載の方法。
- 前記フッ化水素HFの濃度は、約0.05Mであることを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 前記無機酸は、塩酸HCl、硝酸HNO3、硫酸H2SO4、リン酸H3PO4の群から選ばれることを特徴とする請求項1から7のいずれか一項に記載の方法。
- 前記溶液中の前記無機酸の濃度は、50%未満であることを特徴とする請求項1から8のいずれか一項に記載の方法。
- 前記溶液中の前記無機酸の濃度は、10%〜30%の範囲内であることを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記溶液中の前記無機酸の濃度は、約20%であることを特徴とする請求項10に記載の方法。
- 前記有機化合物の前記high−k物質に対するぬれ性は、酸化シリコンに対するぬれ性と比べて高いことを特徴とする請求項1から11のいずれか一項に記載の方法。
- 前記有機化合物は、アルコール、アセトン又は極性溶剤の群から選ばれることを特徴とする請求項12に記載の方法。
- 前記有機化合物は、エタノール、イソプロピルアルコール及びエチレングリコールの群から選ばれることを特徴とする請求項13に記載の方法。
- 前記有機化合物の濃度は、50%を超えることを特徴とする請求項1から14のいずれか一項に記載の方法。
- 前記有機化合物の濃度は、60%〜90%の範囲内にあることを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記有機化合物の濃度は、約80%であることを特徴とする請求項16に記載の方法。
- 前記溶液の温度は、20℃〜80℃の範囲内にあることを特徴とする請求項1から17のいずれか一項に記載の方法。
- 前記溶液の温度は、約40℃であることを特徴とする請求項18に記載の方法。
- 前記溶液は、さらに界面活性剤を含むことを特徴とする請求項1から19のいずれか一項に記載の方法。
- 前記溶液は、pH−0.5〜pH2の範囲のpHを有することを特徴とする請求項1から20のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ダメージ付与ステップは、化学的ダメージ付与ステップ又は物理的ダメージ付与ステップを含むことを特徴とする請求項2から21のいずれか一項に記載の方法。
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