JP2004179583A

JP2004179583A - 半導体装置の製造方法

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Publication number: JP2004179583A
Application number: JP2002346928A
Authority: JP
Inventors: Masami Saito; 真美齋藤; Motoyuki Sato; 基之佐藤; Hisashi Oguchi; 寿史大口; Yoshihiro Ogawa; 義宏小川; Hiroshi Tomita; 寛冨田; Hiroshi Kawamoto; 浩川本
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2002-11-29
Filing date: 2002-11-29
Publication date: 2004-06-24
Anticipated expiration: 2022-11-29
Also published as: JP3974028B2

Abstract

【課題】有機酸や有機溶媒を使用しない同一組成のエッチング液を用いて、半導体基板上の複数の絶縁膜の非選択的エッチングもしくは選択的エッチングを行う半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】エッチング液を水溶液中でＦ⁻とＨＦ_２ ⁻に解離するＨＦの水溶液とし、このＨＦ水溶液の濃度と温度をコントロールすることによりＳｉＮ膜の熱酸化ＳｉＯ_２膜に対する選択比（エッチングレートの比）を１程度にするか３０程度以上の大きな値にするかの設定を変え、ＳｉＮ膜の熱酸化ＳｉＯ_２膜に対する非選択的エッチング工程にも選択的エッチング工程にも使用する。
【選択図】図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に絶縁膜のエッチングに関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の製造工程では、半導体基板上に膜質の異なる種々の膜が形成される。よって、エッチング工程も各膜の膜質に応じたエッチング条件が必要になる。
【０００３】
また、半導体基板上には、通常複数の膜が積層されており、エッチング処理開始時あるいはエッチング処理の過程で、基板表面に膜質の異なる複数の膜が露出されることが多い。エッチング工程では、膜質の異なる複数の膜を同程度のエッチングレートで同時に（非選択的に）エッチングすることが求められる場合もあれば、これらの露出している複数の膜の中から特定の膜のみを選択的にエッチングすることが求められる場合もある。
【０００４】
例えば、半導体基板上に形成される絶縁物としては、熱酸化法で得られる二酸化シリコン（熱酸化ＳｉＯ_２）膜、熱ＣＶＤ法を用いて得られるＴＥＯＳ（ＴｅｔｒａＥｔｈｏｘｙＳｉｌａｎｅ）膜、プラズマＣＶＤ法で得られるＴＥＯＳ膜、ＣＶＤ法で得られるＢＰＳＧ（ＢｏｒｏｎＰｈｏｓｐｈｅｒＳｉｌｉｃａｔｅＧｌａｓｓ）膜、ＰＳＧ（ＰｈｏｓｐｈｅｒＳｉｌｉｃａｔｅＧｌａｓｓ）膜、ＢＳＧ（ＢｏｒｏｎＳｉｌｉｃａｔｅＧｌａｓｓ）膜、あるいは各種ＣＶＤ法で作製される窒化シリコン（ＳｉＮ）膜、窒化酸化シリコン（ＳｉＯＮ）膜等が挙げられ、このうち複数の絶縁膜が半導体基板表面に露出している場合があり、複数の絶縁膜を非選択的にエッチングしたり、あるいは、いずれかの絶縁物のみを選択的にエッチングしたりする工程が必要である。
【０００５】
従来は、エッチングの対象となる膜の膜質や求められるエッチング態様により、それぞれの工程ごとにエッチング液とする薬液成分が選択されている。よって、エッチング液として様々な種類のエッチング液が使用されており、それぞれに個別のエッチング装置が用いられている。
【０００６】
例えば、熱酸化ＳｉＯ_２膜に対してＢＰＳＧ膜を非選択的にエッチングを行うエッチング液としては、フッ化アンモニウムなどのフッ化物塩と酢酸などの有機酸あるいはエタノールなどの有機溶媒との混合液が用いられる（例えば特許文献１参照。）。
【０００７】
また、熱酸化ＳｉＯ_２膜に対してＢＳＧ膜やＢＰＳＧ膜を選択的にエッチングするエッチング液として、フッ化水素（ＨＦ）と酢酸などの有機酸あるいはエタノールなどの有機溶媒との混合液が用いられる（例えば特許文献２参照。）。
【０００８】
また、ハードマスク（エッチングマスク）として用いられるＳｉＮを熱酸化ＳｉＯ_２に対して高選択にエッチングするエッチング液として、燐酸と水の混合液を１６０°Ｃ程度に加熱したものが用いられる（例えば特許文献３参照。）。
【０００９】
【特許文献１】
特開２０００−１６４５８５号公報（第６−７頁、表５、表６）
【００１０】
【特許文献２】
特開２０００−１６４５８６号公報（第６−８頁、表２、表６）
【００１１】
【特許文献３】
特開平９−４５６６０号公報（第４頁、表１）
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、従来のエッチング工程では、エッチング対象の膜質やエッチング態様により、エッチング液の薬液成分が異なっている。そのため、それぞれのエッチング液に応じて個別のエッチング装置が必要であり、薬液や装置のコスト面、エッチング装置の設置スペース面等、製造工程への負担が大きい。
【００１３】
さらに、エッチング液に有機酸や有機溶媒を使用すると、その廃液処理には環境保護上厳密な管理が必要であり、一層のコスト高となる。
【００１４】
また、高温の燐酸を用いる場合、そのための専用の装置が必要であり、また燐がクリーンルーム中に飛散しやすいため、代替プロセスが望まれていた。
【００１５】
そこで、本発明の目的は、組成物に有機酸あるいは燐酸を含まず、また溶媒を水とする溶液をエッチング液とすることにより薬液管理コストの低減や廃液処理コストの低減およびクリーンルームの環境保全を可能とし、かつ、非選択的および選択的エッチング工程において共通のエッチング装置の使用を可能とする半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の第１の発明は、フッ素イオンと二フッ化水素イオンに解離する組成物の水溶液をエッチング液として用いて、半導体基板上に積層された第１の絶縁膜と第２の絶縁膜を非選択的にエッチングすることを特徴とする。
【００１７】
また、本発明の第２の発明は、フッ素イオンと二フッ化水素イオンに解離する組成物の水溶液をエッチング液として用いて、半導体基板上に積層された第１の絶縁膜に対し第２の絶縁膜を選択的にエッチングすることを特徴とする。
【００１８】
また、本発明の第３の発明は、半導体基板上に第１の絶縁膜および第２の絶縁膜を積層する工程と、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜を非選択的にエッチングする第１のエッチング工程と、前記第１の絶縁膜に対し前記第２の絶縁膜を選択的にエッチングする第２のエッチング工程とを有し、前記第１および第２のエッチング工程にフッ素イオンと二フッ化水素イオンに解離する同一の組成物の水溶液をエッチング液として用いることを特徴とする。
【００１９】
このような本発明の半導体装置の製造方法によれば、同一の組成物の水溶液をエッチング液として用いて、半導体基板上に積層された複数の絶縁膜を非選択的にエッチングすることも、選択的にエッチングすることもできる。そのため、それぞれのエッチングに使用するエッチング装置を共通化することが可能である。したがって、個々のエッチング液ごとに異なるエッチング装置を装備するよりもエッチング液およびエッチング装置の設置コストを低減することが可能で、エッチング装置の設置スペースも少なくすることが可能である。
【００２０】
また、有機酸や有機溶媒を使用しないため、エッチング液の廃液処理のコストも低減できる。
【００２１】
さらに、エッチング液に高温の燐酸を使用しないため、クリーンルームの環境汚染を防止することもできる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
本願発明者等は、半導体装置を製造するために必要な各種のエッチング条件について、これまでいろいろと検討を行ってきた。その中で、エッチング液としてＨＦ水溶液を用いて、ＨＦ添加濃度に対するＳｉＮ膜および熱酸化ＳｉＯ_２膜のエッチングレートの変化の関係を求める実験を行った。その結果、ＳｉＮ膜と熱酸化ＳｉＯ_２膜のエッチングレートおよびこの両膜間のエッチング選択比は、ＨＦ水溶液のＨＦ濃度と温度によりコントロールが可能なことを見出した。
【００２３】
すなわち、熱酸化ＳｉＯ_２膜に対するＳｉＮ膜の選択比を３０以上にする高選択エッチングを行うこともできれば、その選択比を１とする等速エッチングも可能であることを見出した。
【００２４】
そこで、まず、本発明の実施の形態に共通に使用するエッチング液について説明する。
【００２５】
（エッチング液）
図２は、本発明で用いるエッチング液であるＨＦ水溶液のＨＦ濃度を０．１ｗｔ％〜５ｗｔ％まで変化させたときの２５°ＣにおけるＳｉＮ膜と熱酸化ＳｉＯ_２膜のエッチングレートの変化をグラフにしたものである。
【００２６】
ＨＦ濃度が５ｗｔ％のときは、ＳｉＮ膜に比べて熱酸化ＳｉＯ２膜のエッチングレートは非常に高く、熱酸化ＳｉＯ２膜のエッチングレートに対するＳｉＮ膜のエッチングレートの比、すなわち熱酸化ＳｉＯ２膜に対するＳｉＮ膜の選択比（ＳｉＮ／熱酸化ＳｉＯ_２）は、０．１程度とかなり小さい。
【００２７】
ＨＦ濃度を下げると、熱酸化ＳｉＯ_２膜のエッチングレートは急激に下がるが、ＳｉＮ膜のエッチングレートの低下の度合いは緩やかである。そのため、ＨＦ濃度が０．１ｗｔ％のときの選択比（ＳｉＮ／熱酸化ＳｉＯ_２）は、０．５程度まで上昇する。
【００２８】
図１は、さらに低濃度領域のエッチング特性を示すもので、ＨＦ水溶液のＨＦ濃度を０．０１ｗｔ％〜０．２５ｗｔ％としたときのＳｉＮ膜と熱酸化ＳｉＯ_２膜のエッチングレートの変化をグラフにしたものである。ここでは、エッチングの進行を早めるため、ＨＦ水溶液の温度を９０°Ｃとしている。
【００２９】
図１のグラフにおいても、ＨＦ濃度の低下に対する熱酸化ＳｉＯ_２膜のエッチングレートの低下は急激であり、ＨＦ濃度が０．２５ｗｔ％以下では、ついにＳｉＮ膜のエッチングレートを下回るようになる。
【００３０】
すなわち、ＨＦ濃度が０．２５ｗｔ％で選択比（ＳｉＮ／熱酸化ＳｉＯ_２）がほぼ１となり、ＨＦ濃度が０．２５ｗｔ％より低いと選択比（ＳｉＮ／熱酸化ＳｉＯ_２）が１以上になることを示している。例えば、ＨＦ濃度が０．０３ｗｔ％のときの選択比（ＳｉＮ／熱酸化ＳｉＯ_２）はおよそ４０となり、ＨＦ濃度が０．０２ｗｔ％のときの選択比（ＳｉＮ／熱酸化ＳｉＯ_２）はおよそ８０となる。
【００３１】
また、図２との比較より、ＨＦ水溶液の温度を変えることによっても、選択比（ＳｉＮ／熱酸化ＳｉＯ_２）を変化させることができることもわかる。
【００３２】
すなわち、ＨＦ濃度が０．１ｗｔ％の場合、ＨＦ水溶液の温度が２５°Ｃでは選択比（ＳｉＮ／熱酸化ＳｉＯ_２）がおよそ０．５（図２）であったものが、ＨＦ水溶液の温度が９０°Ｃでは選択比（ＳｉＮ／熱酸化ＳｉＯ_２）がおよそ３（図１）となっている。
【００３３】
図３は、ＨＦ濃度を一定として、ＨＦ水溶液の温度と選択比（ＳｉＮ／熱酸化ＳｉＯ_２）の関係をグラフにしたものである。ＨＦ水溶液の温度が高くなるほど選択比（ＳｉＮ／熱酸化ＳｉＯ_２）が高くなることがわかる。
【００３４】
上記実験結果より、ＳｉＮ膜と熱酸化ＳｉＯ_２膜のエッチングレートおよびその選択比（ＳｉＮ／熱酸化ＳｉＯ_２）は、ＨＦ水溶液のＨＦ濃度と温度でコントロールできることがわかる。これにより、選択比（ＳｉＮ／熱酸化ＳｉＯ_２）が３０以上の高選択エッチングを行うこともできるし、選択比（ＳｉＮ／熱酸化ＳｉＯ_２）が１となる等速のエッチングを行うこともできる。
【００３５】
ここで、ＨＦ水溶液のＨＦ濃度の変化により選択比（ＳｉＮ／熱酸化ＳｉＯ_２）が変化することについては、以下のように説明できる。
【００３６】
Ｈ．Ｋｉｋｕｙａｍａ等による論文（“ＡＳｔｕｄｅｙｏｆＤｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎＳｔａｔｅａｎｄｔｈｅＳｉＯ２ＥｔｃｈｉｎｇＲｅａｃｔｉｏｎｆｏｒＨＦＳｏｌｕｔｉｏｎｓｏｆＥｘｔｒｅｍｅｌｙＬｏｗＣｏｎｃｅｎｔｒｉｏｎ”、ＪｏｕｒｎａｌｏｆＥｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌＳｏｃｉｅｔｙ、（ＵＳＡ）、ＴｈｅＥｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌＳｏｃｉｅｔｙ、Ｆｅｂｒｕａｒｙ１９９４、Ｖｏｌ．１４１、Ｎｏ．２、ｐ．３６６−３７３）によれば、ＨＦ水溶液では、ＨＦ濃度が高い場合は、ＨＦの解離により二フッ化水素イオン（ＨＦ_２ ⁻）とフッ素イオン（Ｆ⁻）が生成されるが、ＨＦ水溶液を希釈するに従い、ＨＦ_２ ⁻濃度が低下し、超希釈領域ではＨＦはＨ^＋とＦ⁻に完全解離すると報告されている。
【００３７】
通常、熱酸化ＳｉＯ_２膜は、ＨＦではなく、ＨＦが解離したＨＦ_２ ⁻によりエッチングされることが知られている。しかし、ＨＦ水溶液を希釈すればするほどＨＦ_２ ⁻濃度が低下するため、熱酸化ＳｉＯ_２膜のエッチングレートが徐々に低下し、超希釈領域では上記論文に報告されているようにＨＦ_２ ⁻が生成されないため、熱酸化ＳｉＯ_２のエッチングは起こらなくなるものと考えられる。
【００３８】
一方、本発明者等は、ＳｉＮ膜のエッチングはＨＦ_２ ⁻の濃度変化には全く依存せず、むしろＦ⁻の濃度変化に依存していることを見出した。
【００３９】
これより、ＨＦ水溶液中のＨＦ_２ ⁻の濃度がＦ⁻の濃度より高い領域では、熱酸化ＳｉＯ_２膜のエッチングレートの方がＳｉＮ膜のエッチングレートより高いが、ＨＦ_２ ⁻の濃度がＦ⁻の濃度より低くなる超希釈領域では、ＳｉＮ膜のエッチングレートの方が熱酸化ＳｉＯ_２膜のエッチングレートより高くなるものと考えられる。
【００４０】
なお、ここではＨＦを例にとって説明したが、水溶液中で解離してＦ⁻とＨＦ_２ ⁻を生成するフッ化アンモニウム（ＮＨ_４Ｆ）やバッファードフッ酸（ＮＨ_４Ｆ／ＨＦ）などの水溶液も同様の効果を示すエッチング液として使用できる。
【００４１】
次に、本発明の実施の形態について説明する。
【００４２】
（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態は、半導体装置の製造工程において、上述のエッチング液を用いて２種類の絶縁膜を非選択的にエッチングする方法を示すものである。
【００４３】
図４（ａ）は、本実施の形態のエッチングを行う前の半導体装置の断面を示す部分断面図である。この半導体装置は、シリコン基板１上に熱酸化法で形成された熱酸化ＳｉＯ_２膜２とＳｉＮ膜３を積層形成したものであり、ＳｉＮ膜３の上面からシリコン基板１に向かって、シリコン基板１を含む各層が内壁面に露出するようトレンチ４が形成されている。
【００４４】
このトレンチ４を形成した後、熱酸化ＳｉＯ_２膜２およびＳｉＮ膜３部分のトレンチ４の内壁を、Ｓｉ基板１部分のトレンチ４の内壁より各１０ｎｍ程度後退させる工程がある。
【００４５】
この工程は、ＳｉＮ膜３および熱酸化ＳｉＯ_２膜２を同程度のエッチングレートで非選択的にエッチングすること、すなわち、選択比（ＳｉＮ／熱酸化ＳｉＯ_２）が１〜２程度のエッチングを行うことにより実現できる。
【００４６】
図３に示すように、ＨＦ濃度が０．１ｗｔ％のＨＦ水溶液の温度を５０°Ｃにしたときの選択比（ＳｉＮ／熱酸化ＳｉＯ_２）は１であり、ＨＦ水溶液の温度が７０°Ｃのときの選択比（ＳｉＮ／熱酸化ＳｉＯ_２）は２である。
【００４７】
したがって、濃度０．１ｗｔ％のＨＦ水溶液を用いて、水溶液温度を５０°Ｃ〜７０°Ｃの範囲に設定すれば、上記工程に望まれるＳｉＮ膜３および熱酸化ＳｉＯ_２膜２の非選択的エッチングが実現できる。
【００４８】
また、図１に示すように、濃度０．２５ｗｔ％、温度９０°ＣのＨＦ水溶液においてもＳｉＮ膜３および熱酸化ＳｉＯ_２膜２のエッチングレートはほぼ同じであり、このような条件の下でも上記工程に望まれるＳｉＮ膜３と熱酸化ＳｉＯ_２膜２の非選択的エッチングが実現できる。
【００４９】
図４（ｂ）に本実施の形態のエッチングを実行後の半導体装置の断面を示す。Ｓｉ基板１部分のトレンチ４の内壁に対して、熱酸化ＳｉＯ_２膜２およびＳｉＮ膜３部分のトレンチ４の内壁が一様に後退していることがわかる。
【００５０】
このような本実施の形態によれば、ＨＦ水溶液の濃度と温度をコントロールすることにより、熱酸化ＳｉＯ_２膜に対してＳｉＮ膜を非選択的にエッチングすることができる。
【００５１】
（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態は、半導体装置の製造工程において、上述のエッチング液を用いて絶縁膜を高い選択比で選択エッチングする方法を示すものである。
【００５２】
図５（ａ）は、本実施の形態のエッチングを行う前の半導体装置の断面を示す部分断面図である。この半導体装置は、シリコン基板１上に熱酸化法で形成された熱酸化ＳｉＯ_２膜２とＳｉＮ膜３が積層形成されており、さらにＳｉＮ膜３の上面からＳｉ基板１に向かって、これらの層が内壁面に露出するようトレンチ４が形成されているものとする。
【００５３】
このような半導体装置において、ＳｉＮ膜３の剥離を必要とする工程がある。この場合、ＳｉＮ膜３を熱酸化ＳｉＯ_２膜２に対して選択的にエッチングすることが求められる。このとき、ＳｉＮ膜３の膜厚が５０ｎｍ〜１００ｎｍと厚いため、ＳｉＮに対するエッチングレートが少なくとも２ｎｍ／分以上で、選択比（ＳｉＮ／熱酸化ＳｉＯ_２）が３０以上のエッチングが望まれる。
【００５４】
図１に示すように、本発明のエッチング液を用いることにより、上記の条件に適った選択エッチングを行うことができる。すなわち、０．０３ｗｔ％に希釈したＨＦ水溶液を９０°Ｃにしてエッチングを行うと、ＳｉＮ膜のエッチングレートがおよそ２ｎｍ／分で選択比（ＳｉＮ／熱酸化ＳｉＯ_２）がおよそ４０のエッチングを行うことができる。
【００５５】
さらに高い選択比を望む場合は、ＨＦ濃度を０．０２ｗｔ％にすれば、ＳｉＮ膜のエッチングレートは２ｎｍ／分を多少下回るが、選択比（ＳｉＮ／熱酸化ＳｉＯ_２）８０程度のエッチングを行うことができる。
【００５６】
図５（ｂ）に本実施の形態のエッチングを実行後の半導体装置の断面を示す。ＳｉＮ膜３のみが剥離されている様子がわかる。
【００５７】
このような本実施の形態によれば、ＨＦ水溶液の濃度と温度をコントロールすることにより、熱酸化ＳｉＯ_２膜に対してＳｉＮ膜を選択的にエッチングすることができる。特に、高温の希釈したＨＦ水溶液を用いると、ＳｉＮ膜のエッチングレートを高く保ちながら、熱酸化ＳｉＯ_２膜に対する選択比の高いエッチングを行うことができる。
【００５８】
なお、ＣＶＤ法で作製され、ゲート加工用のハードマスクとして使用されるＳｉＯＮ膜の剥離工程も上述したＳｉＮ膜の剥離方法と同様な方法で行うことができる。
【００５９】
以上、本発明のエッチング方法について、実施の形態に沿って説明してきたが、本発明は、これらの実施の形態の記載に限定されるものではない。エッチング液としては、エッチング液の説明の項で述べたように、ＨＦ水溶液以外に、フッ化アンモニウム（ＮＨ_４Ｆ）やバッファードフッ酸（ＮＨ_４Ｆ／ＨＦ）などの水溶液を用いることもできる。また、水溶液の濃度や温度などのエッチング条件も、実施の形態に記載した例に限らない。さらに、半導体装置上の絶縁膜の形状や厚さも実施の形態に記載した例に限らない。
【００６０】
また、一つの半導体装置を製造するための一連の工程の中に非選択的エッチング工程と選択的エッチング工程の両方が含まれる場合は、それぞれに上述の第１の実施の形態のエッチング方法と第２の実施の形態のエッチング方法を適用することも可能である。
【００６１】
【発明の効果】
このような本発明の半導体装置の製造方法によれば、半導体基板上に積層された複数の絶縁膜を非選択的にエッチングする工程にも選択的にエッチングする工程にも共通のエッチング装置を使用することできる。そのため、個々の工程に特有のエッチング装置を設備するよりもエッチング装置およびエッチング液のコストを低減することができる。また、エッチング装置の設置スペースも少なくすることができる。
【００６２】
また、有機酸や有機溶媒を使用しないため、エッチング液の廃液処理のコストも低減できる。
【００６３】
さらに、エッチング液に高温の燐酸を使用しないため、クリーンルームの環境汚染を防止することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】温度９０°ＣにおけるＨＦ水溶液濃度とエッチングレートの関係を示すグラフ。
【図２】温度２５°ＣにおけるＨＦ水溶液濃度とエッチングレートの関係を示すグラフ。
【図３】濃度０．１ｗｔ％のＨＦ水溶液の温度と選択比の関係を示すグラフ。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係るエッチングの例を示す半導体装置の部分断面図。
【図５】本発明の第２の実施の形態に係るエッチングの例を示す半導体装置の部分断面図。
【符号の説明】
１シリコン基板
２熱酸化ＳｉＯ２膜
３ＳｉＮ膜
４トレンチ

Claims

フッ素イオンと二フッ化水素イオンに解離する組成物の水溶液をエッチング液として用いて、半導体基板上に積層された第１の絶縁膜と第２の絶縁膜を非選択的にエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
フッ素イオンと二フッ化水素イオンに解離する組成物の水溶液をエッチング液として用いて、半導体基板上に積層された第１の絶縁膜に対し第２の絶縁膜を選択的にエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
半導体基板上に第１の絶縁膜および第２の絶縁膜を積層する工程と、
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜を非選択的にエッチングする第１のエッチング工程と、
前記第１の絶縁膜に対し前記第２の絶縁膜を選択的にエッチングする第２のエッチング工程とを有し、
前記第１および第２のエッチング工程にフッ素イオンと二フッ化水素イオンに解離する同一の組成物の水溶液をエッチング液として用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記エッチング液の組成物をフッ化水素、フッ化アンモニウムまたはバッファードフッ酸としたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
前記第１の絶縁膜として熱酸化ＳｉＯ_２膜を形成し、前記第２の絶縁膜としてＳｉＮ膜あるいはＣＶＤ法で作成されたＳｉＯＮ膜を形成することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
前記エッチング液の濃度と温度の組み合わせにより、前記第１の絶縁膜に対する前記第２の絶縁膜のエッチング速度の比を設定することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
前記エッチング液を、フッ化水素の濃度が０．０２〜０．２５ｗｔ％で温度が５０°Ｃ以上のフッ化水素水溶液とすることを特徴とする請求項１乃至３または請求項６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。