CN1645259B - 抗蚀剂残渣去除液组合物及半导体电路元件的制造方法 - Google Patents

抗蚀剂残渣去除液组合物及半导体电路元件的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1645259B
CN1645259B CN200410100602.0A CN200410100602A CN1645259B CN 1645259 B CN1645259 B CN 1645259B CN 200410100602 A CN200410100602 A CN 200410100602A CN 1645259 B CN1645259 B CN 1645259B
Authority
CN
China
Prior art keywords
photoresist residue
semiconductor circuit
circuit components
fluid composition
acid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN200410100602.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1645259A (zh
Inventor
川本浩
宫里美季江
大和田拓央
石川典夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Kanto Chemical Co Inc
Original Assignee
Toshiba Corp
Kanto Chemical Co Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Kanto Chemical Co Inc filed Critical Toshiba Corp
Publication of CN1645259A publication Critical patent/CN1645259A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1645259B publication Critical patent/CN1645259B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/423—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral acids or salts thereof, containing mineral oxidizing substances, e.g. peroxy compounds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
    • H01L21/02063—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers the processing being the formation of vias or contact holes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H01L21/02068—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
    • H01L21/02071—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers the processing being a delineation, e.g. RIE, of conductive layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

本发明提供一种光致抗蚀剂残渣去除液组合物，其在半导体电路元件的制造工序中，提高在干蚀刻后残留的光致抗蚀剂残渣的去除性强，充分地抑制对铝、铜、钨及以各自金属为主要成分的合金的腐蚀，由于不配合有机溶剂等有机化合物，对环境的影响小，保存稳定性好。本发明的光致抗蚀剂残渣去除液组合物及使用该光致抗蚀剂残渣去除液组合物的半导体电路元件的制造方法，配合有无机酸和无机氟化合物中的1种、2种或以上。

Description

抗蚀剂残渣去除液组合物及半导体电路元件的制造方法
技术领域
本发明涉及光致抗蚀剂残渣去除液组合物，更详细地说，是涉及在半导体电路元件的制造中，在基板表面上形成铝、铜、钨及以各自金属为主要成分的合金中的任何一种金属的布线的工序中，去除干蚀刻后抛光(也称为灰化)抗蚀剂的处理产生的光致抗蚀剂残渣的光致抗蚀剂残渣去除液组合物，以及使用该光致抗蚀剂残渣去除液组合物的半导体电路元件的制造方法。更加详细地说，涉及配合有无机酸、无机氟化合物和水，不配合有过氧化氢的光致抗蚀剂残渣去除液组合物，以及使用该光致抗蚀剂残渣去除液组合物的半导体电路元件的制造方法。
这里所述的光致抗蚀剂残渣是指干蚀刻之后，抛光处理抗蚀剂，残留在基板表面上的抗蚀剂的不完全灰化物、有机金属聚合物、金属氧化物等构成的光致抗蚀剂残渣(也称作侧壁聚合物、侧壁保护膜、兔耳)。
背景技术
在半导体电路元件的制造工序中，使用光致抗蚀剂和干蚀刻以及抛光，将在基板表面上形成铝、铜、钨及以各自金属为主要成分的合金等的金属布线图案工序中产生的光致抗蚀剂残渣，通过光致抗蚀剂残渣去除液去除该残渣是常见的。
例如特开平6-349785号公报报告了在基板表面上形成金属布线时使用的光致抗蚀剂残渣去除液，例如在布线铝合金时，使用氟化铵、有机酸和水组成的光致抗蚀剂残渣去除液组合物，但作为有机酸的醋酸含量高至30～90重量％时，除对环境的影响大之外，醋酸的气味浓重，操作性差。
另外，在布线为铝、铝合金、钨中的任何一种时，例如特开平7-201794号公报和美国专利第5334332号公报提出了使用“氟化合物+四级胺化合物+水”或者“氟化合物+四级胺化合物+有机溶剂+水”构成的光致抗蚀剂残渣去除液组合物或“羟基胺+烷醇胺(+溶剂)”构成的抗蚀剂和蚀刻残渣去除用组合物，这些光致抗蚀剂残渣去除液对前述金属的腐蚀性低，可以室温下使用，但是，为了完全地去除附着的光致抗蚀剂残渣，需要进行20或30分钟长时间的处理。为此，近年来，正在发展的向光致抗蚀剂中导入、在低温、短时间处理的不可缺少的单扇式清洗装置上，不能使用上述光致抗蚀剂残渣去除液。另外上述光致抗蚀剂残渣去除液含有四级胺和有机溶剂等有机化合物数十重量％或以上，对环境的影响大。
与此相对，例如特开平11-243085号公报提出了“含氟化合物+硫酸+过氧化氢或臭氧+水”的所有的无机系化合物构成的组合物可以在低温、经短时间去除光致抗蚀剂残渣，并且，对铝合金的腐蚀性小，但由于过氧化氢或臭氧分解，光致抗蚀剂残渣去除液自身存在随时间稳定性发生变化的问题。而且在单扇式清洗装置中使用时，如本发明的实施例中所示的那样，作为布线的铝等金属的腐蚀不能充分地抑制。另外，含有氟的化合物只举例了氢氟酸。
另一方面，例如特开平11-135473号公报报告了作为没有布线的基板形成时的干蚀刻中生成的光致抗蚀剂残渣进行去除的光致抗蚀剂残渣去除液例如有“硫酸5～7+氢氟酸1/400～1/1000(体积比)”、“硫酸5～7+过氧化氢水1+氢氟酸1/400～1/1000(体积比)”的组合物，但因为添加的氢氟酸和过氧化氢水的量少，所以通过添加硫酸的浓度几乎没有被稀释，另外，没有考虑这些组合物对金属等的影响。
另外，特开平2003-45894号公报提出了不是光致抗蚀剂残渣去除液，涂覆的硅氧化膜的蚀刻液组合物由“0.01～1.0重量％的氢氟酸+0.001～30.0重量％的无机酸(盐酸、硫酸、硝酸)+水”构成。这些有可能去除含有无机氧化物的光致抗蚀剂残渣，但是能够在除去光致抗蚀剂残渣中使用的还未见报道。恐怕是因为作为铝合金的蚀刻液组合物，例如特开平5-82505号公报中提出的“氢氟酸+大约10％或以上的硝酸+水”的组合物，及例如特开平6-10161号公报中提出的“氢氟酸10+硝酸250+水60(体积比)”的组合物等，故判定这些组合物对布线的腐蚀性大造成的。
如上所述，现在半导体电路的制造工序中，在基板表面上形成铝、铜、钨及以各自金属为主要成分的合金中的任何一种金属的布线的工序中，作为去除干蚀刻后抛光抗蚀剂的处理产生的光致抗蚀剂残渣的光致抗蚀剂残渣去除液组合物，为了不腐蚀前述金属布线，减少对环境的影响，不使其含有大量的有机溶剂等有机化合物，而且使其保存稳定性好的光致抗蚀剂残渣去除液还没有公开报道，希望开发一种光致抗蚀剂残渣去除液组合物，使其可以在低温进行短时间地处理，可以应用于近年来采用的单扇式清洗装置中。
发明内容
本发明的目的是提供一种光致抗蚀剂残渣去除液组合物，其是在半导体电路的制造工序中，在基板表面上形成铝、铜、钨及以各自金属为主要成分的合金中的任何一种金属构成的布线的工序中，去除在干蚀刻后抛光抗蚀剂的处理产生的光致抗蚀剂残渣光致抗蚀剂残渣，前述组合物对前述布线材料的腐蚀性低、由于不含大量的有机溶剂等有机物而对环境的影响小，保存稳定性好，另外，可以在低温下、短时间内进行去除。
本发明者等为了解决上述问题，进行深入地研究，结果发现配合有无机酸和无机氟化物的光致抗蚀剂残渣去除液组合物对铝、铜、钨及以各自金属为主要成分的合金的腐蚀可以得到充分地抑制，通过低温、短时间的处理可以去除光致抗蚀剂残渣，而且其保存稳定性好，直至完成本发明。
也就是，本发明涉及在基板表面上形成铝、铜、钨及以各自金属为主要成分的合金中的任何一种金属的布线的工序中，去除在干蚀刻后抛光抗蚀剂的处理产生的光致抗蚀剂残渣的光致抗蚀剂残渣去除液组合物，其中配合有无机酸和无机氟化合物中的1种、2种或以上的所述光致抗蚀剂残渣去除液组合物。
而且，本发明涉及无机酸的配合量为30重量％或以下，无机氟化合物的配合量为0.001～0.015质量％的前述光致抗蚀剂残渣去除组合物。
另外，本发明涉及不配合有过氧化氢的前述光致抗蚀剂残渣去除组合物。
而且，本发明涉及无机酸为硫酸，无机氟化合物为氢氟酸的的前述光致抗蚀剂残渣去除组合物。
而且，本发明涉及在形成铝、铜、钨及以各自金属为主要成分的合金中的任何一种金属的布线的工序中，使用前述光致抗蚀剂残渣去除液组合物，去除在干蚀刻后抛光抗蚀剂的处理产生的光致抗蚀剂残渣的半导体电路元件的制造方法。
另外，本发明涉及使用了前述光致抗蚀剂残渣去除液组合物，进行多层布线前述处理或后处理的半导体电路元件的制造方法。
本发明的光致抗蚀剂残渣去除液组合物可以在低温、短时间内处理去除光致抗蚀剂残渣，为了可以充分地抑制对铝、铜、钨及以各自金属为主要成分的合金的腐蚀，将无机酸和无机氟化合物的配合比适宜化。另外，通过将本发明的组合物都做成无机系的化合物，可以得到现有技术中没有的效果，即可以降低对环境的影响，同时通过配合有无机酸和无机氟化合物，提高低温、短时间处理时抗蚀剂残渣去除性，并且将对金属布线的影响降低至最小。
以上所述的本发明的光致抗蚀剂残渣去除液组合物，其是在基板表面形成铝、铜、钨及以各自金属为主要成分的合金中的任何一种金属布线的工序中，去除在干蚀刻后抛光抗蚀剂的处理产生的光致抗蚀剂残渣，该组合物可以在低温、短时间内去除光致抗蚀剂残渣，另外，充分地抑制对前述金属的腐蚀。
附图说明
图1是通过有机氟系光致抗蚀剂残渣去除液处理的半导体电路元件(布线材料成膜后)。
图2是在本发明的光致抗蚀剂残渣去除液组合物中处理的半导体电路元件(布线材料成膜后)。
图3是通过本发明的光致抗蚀剂残渣去除液组合物中处理的半导体电路元件(具有金属嵌线镶嵌结构或通孔的多层布线)。
图4是通过有机氟系光致抗蚀剂残渣去除液处理的半导体电路元件在纯水冲洗时的蚀刻行为。
图5是在本发明的光致抗蚀剂残渣去除液中处理的半导体电路元件在纯水冲洗时的蚀刻行为。
具体实施方式
本发明的光致抗蚀剂残渣去除液组合物中使用的无机酸例如有硫酸、硝酸、盐酸、磷酸等。其中，优选硫酸。
本发明者等发现了当无机酸的配合量增多时，光致抗蚀剂残渣的去除性降低，对铝、铜、钨及以各自金属为主要成分的合金的腐蚀性因酸的种类不同而异，当无机酸的配合量减少时，虽然光致抗蚀剂残渣的去除性提高，但是对前述金属的腐蚀性增强。
为此，无机酸的配合量过多时，光致抗蚀剂残渣的去除性成为问题，配合量过少时，对前述金属的腐蚀性成为问题。其原因还不清楚，当无机酸的配合量过多时，推测由于无机氟化合物的离解受到抑制，光致抗蚀剂残渣去除性降低。因此，考虑无机氟化合物的配合量，根据光致抗蚀剂残渣的去除性和对前述金属的腐蚀性适当地进行选择，无机酸的配合量优选30质量％或以下，更优选3～15质量％。
本发明的光致抗蚀剂残渣去除液组合物中使用的无机氟化合物例如有氢氟酸、氟化铵、酸性氟化铵等。其中优选氢氟酸。
本发明者等发现当无机氟化合物的配合量增多时，光致抗蚀剂残渣的去除性增强，同时对前述金属的腐蚀性提高；当减少配合量时，光致抗蚀剂残渣的去除性和对前述金属的腐蚀性降低。为此无机氟化合物的配合量过多时，对前述金属的腐蚀性成为问题，当配合量过少时，光致抗蚀剂残渣的去除性成为问题。因此，考虑到无机酸的配合量，而根据光致抗蚀剂残渣的去除性和对前述金属的腐蚀性适当地进行选择，无机氟化合物的配合量优选0.001～0.015质量％，更优选0.005～0.011质量％。
另外，本发明的光致抗蚀剂残渣去除液组合物优选不配合有过氧化氢。当配合有过氧化氢时，加快对前述金属的腐蚀，不仅处理条件下的安全系数(margin)不能充分地保持，而且，也担心过氧化氢的分解会导致光致抗蚀剂残渣去除液组成物随时间变化的稳定性降低。
并且，为了增强光致抗蚀剂残渣中含有的有机金属聚合物等粒子的去除性，或者提高对基板的润湿性，增强微细加工性，本发明的光致抗蚀剂残渣去除液组合物可以再添加表面活性剂。
另外，为了增强金属氧化物等的去除性，本发明的光致抗蚀剂残渣去除液组合物可以再添加络合剂。
本发明者等在研究本发明的课题的过程中，发现本发明的光致抗蚀剂残渣去除液的无机氟化合物为0.001～0.015质量％，即使当硫酸为30质量％或以上时，光致抗蚀剂残渣去除性低下，但金属的腐蚀性得到抑制。因此，本发明的组合物是一种新型的组合物，通过调整硫酸的配合量，不仅可以在需要低温短时间的处理的单扇式清洗装置中使用，而且也可以在高温长时间处理的间歇式浸渍装置中使用。
并且，通过使用本发明的光致抗蚀剂残渣去除液组合物，可以进行多层布线的前处理或后处理。这里所述的前处理是指金属包埋工序的前处理，去除图3中记载的具有金属嵌线镶嵌(damassin)结构或通孔等的多层布线的金属包埋之前的光致抗蚀剂残渣的工序。利用本发明的光致抗蚀剂残渣去除液组合物，去除干蚀刻和抛光后的金属嵌线镶嵌或通孔中存在的残渣物，由此可以防止下层金属布线或包埋的金属的腐蚀等。
并且，所谓的后处理是指将图2记载的成膜的布线材料进行干蚀刻和抛光，利用本发明的去除液处理残留在布线侧壁和布线上的抗蚀剂残渣和反应生成物等残渣。本发明的光致抗蚀剂残渣去除液组合物不仅去除性好，并且对金属的影响小，因而，也可以抑制产生布线变细和中空。
本发明适用于多层布线的前处理和后处理，当然也可以用作没有金属布线的半导体电路元件的干蚀刻和抛光处理产生的光致抗蚀剂残渣的去除液。
实施例
下面，通过实施例和比较例对本发明的光致抗蚀剂残渣去除液组合物进行更加详细地说明，本发明不限于这些实施例。
(1)对Al布线的腐蚀性的评价试验
如图2所示，在硅晶片(wafer)上依次形成TiN/Ti、Al、TiN/Ti膜，将在TiN/Ti上进行涂覆、曝光、显影的抗蚀剂作为掩模，形成布线图案后，通过抛光去除抗蚀剂，得到生成光致抗蚀剂残渣的晶片。然后，将该晶片在光致抗蚀剂残渣去除液中，在25℃下浸渍处理30～150秒，利用超纯水进行流水冲洗处理，干燥后利用电子显微镜评价光致抗蚀剂残渣去除性和对Al的腐蚀性。结果示于表1。
(2)对Cu布线的腐蚀性的评价试验
在硅晶片上依次将在隔壁金属中使用了Ta的Cu金属嵌线镶嵌布线、层间绝缘膜等成膜，对在层间绝缘膜上涂覆、曝光、显影的抗蚀剂进行干蚀刻，形成通孔(viahole)后，利用抛光去除抗蚀剂，得到生成光致抗蚀剂残渣的晶片。然后，将该晶片在光致抗蚀剂残渣去除液中，在25℃下浸渍处理30～150秒，利用超纯水进行流水冲洗处理、干燥后，利用电子显微镜评价光致抗蚀剂残渣去除性和对Al的腐蚀性。结果示于表2。
(3)对Cu、W金属膜的蚀刻量的评价试验
在硅晶片上形成Cu或W膜的晶片在光致抗蚀剂残渣去除液中，在25℃下浸渍处理60分钟，利用超纯水进行流水冲洗处理、干燥后，利用荧光X射线膜厚测定仪测定Cu或W的蚀刻量。结果示于表3。
(4)去除抗蚀剂后的冲洗工序中AlCu布线蚀刻量的评价试验
如图1和图2所示，在底层氧化膜上依次将TiN/Ti、AlCu、TiN/Ti膜形成后，将在TiN/Ti上进行涂覆、曝光、显影后的抗蚀剂作为掩模，形成布线图案后，通过抛光去除抗蚀剂，得到生成光致抗蚀剂残渣的晶片。然后使用该晶片，去除光致抗蚀剂残渣后，对通过超纯水进行冲洗时对AlCu金属布线的腐蚀性，利用相当于清洗条件的下述方法进行评价。
也就是，将该晶片在本发明的组合物配合有HF 0.009质量％、硫酸7.50质量％的水溶液中常温处理90秒之后，在用纯水稀释的前述组合物中浸渍处理60秒，干燥之后，利用四探针法薄片电阻测定器测定AlCu布线的蚀刻量。结果示于图5。再利用现有技术中使用的氟化合物和含有有机溶剂的光致抗蚀剂残渣去除液(三菱瓦斯化学制造的ELM-C30)，进行同样地处理，测定这时的蚀刻量。结果示于图4。
由上述结果可以确认本发明的光致抗蚀剂去除液组合物即使在低温、经过短时间处理也具有充分地光致抗蚀剂去除性，对金属没有腐蚀性。
另外，本发明的光致抗蚀剂去除液组合物，在清洗工序中的蚀刻量与有机氟系的光致抗蚀剂残渣去除液相比少得多，可以抑制Al布线变细和中空的发生。
本发明在基板表面上形成铝、铜、钨及各种金属为主要成分的合金中的任何一种金属的的布线的工序中，去除在干蚀刻后抛光抛光抗蚀剂的处理产生的光致抗蚀剂残渣的光致抗蚀剂残渣去除液组合物，可以在低温下、经过短时间处理不腐蚀前述金属布线而可以去除光致抗蚀剂残渣。

Claims (7)

1.一种半导体电路元件的制造方法，其包含使用光致抗蚀剂残渣去除液组合物来去除在干蚀刻后由抛光抗蚀剂的处理产生的光致抗蚀剂残渣的工序，其中，所述光致抗蚀剂残渣去除液组合物是在基板表面上形成铝、铜、钨及以所述铝、所述铜、所述钨为主要成分的合金中的任何一种金属或合金的布线的工序中，去除在干蚀刻后由抛光抗蚀剂的处理产生的光致抗蚀剂残渣的光致抗蚀剂残渣去除液组合物，该光致抗蚀剂残渣去除液组合物中配合有无机酸和无机氟化合物各自中的1种、2种或以上，无机酸的配合量为3～15质量％，无机氟化物的配合量以氢氟酸换算为0.001～0.015质量％，其中不含有机酸、四级烷基铵、过氧化氢及臭氧。
2.根据权利要求1所记载的半导体电路元件的制造方法，其中，无机酸选自硫酸、硝酸、盐酸和磷酸。
3.根据权利要求1记载的半导体电路元件的制造方法，其中，无机氟化物选自氢氟酸、氟化铵和酸性氟化铵。
4.根据权利要求1记载的半导体电路元件的制造方法，其中，无机酸为硫酸。
5.根据权利要求1记载的半导体电路元件的制造方法，其中，无机氟化合物为氢氟酸。
6.根据权利要求1记载的半导体电路元件的制造方法，光致抗蚀剂残渣去除液组合物中，还含有络合剂。
7.一种半导体电路元件的制造方法，其使用了权利要求1～6中任一项记载的半导体电路元件的制造方法中所使用的光致抗蚀剂残渣去除液组合物进行多层布线的前处理或后处理。
CN200410100602.0A 2003-12-09 2004-12-09 抗蚀剂残渣去除液组合物及半导体电路元件的制造方法 Expired - Fee Related CN1645259B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP410836/2003 2003-12-09
JP2003410836A JP4326928B2 (ja) 2003-12-09 2003-12-09 フォトレジスト残渣除去液組成物及び該組成物を用いる半導体回路素子の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1645259A CN1645259A (zh) 2005-07-27
CN1645259B true CN1645259B (zh) 2010-04-28

Family

ID=34510503

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200410100602.0A Expired - Fee Related CN1645259B (zh) 2003-12-09 2004-12-09 抗蚀剂残渣去除液组合物及半导体电路元件的制造方法

Country Status (6)

Country Link
US (2) US20050209118A1 (zh)
EP (1) EP1542080A1 (zh)
JP (1) JP4326928B2 (zh)
KR (2) KR101191895B1 (zh)
CN (1) CN1645259B (zh)
TW (1) TWI360729B (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4326928B2 (ja) * 2003-12-09 2009-09-09 株式会社東芝 フォトレジスト残渣除去液組成物及び該組成物を用いる半導体回路素子の製造方法
US20070184666A1 (en) * 2006-02-08 2007-08-09 Texas Instruments Inc. Method for removing residue containing an embedded metal
JP4642001B2 (ja) 2006-10-24 2011-03-02 関東化学株式会社 フォトレジスト残渣及びポリマー残渣除去液組成物
KR100891255B1 (ko) * 2007-01-05 2009-04-01 주식회사 하이닉스반도체 커패시터의 리닝 방지용 식각액 조성물 및 이를 이용한커패시터 제조 방법
JP5251977B2 (ja) * 2008-06-02 2013-07-31 三菱瓦斯化学株式会社 半導体素子の洗浄方法
WO2010099017A2 (en) 2009-02-25 2010-09-02 Mallinckrodt Baker, Inc. Stripping compositions for cleaning ion implanted photoresist from semiconductor device wafers
WO2011019209A2 (ko) * 2009-08-12 2011-02-17 동우 화인켐 주식회사 금속 배선 형성을 위한 식각액 조성물
JP2013521646A (ja) * 2010-03-05 2013-06-10 ラム リサーチ コーポレーション ダマシン処理によるサイドウォールポリマー用の洗浄溶液
CN102468131B (zh) * 2010-11-10 2016-06-01 中国科学院微电子研究所 高k栅介质/金属栅叠层栅结构刻蚀后聚合物去除方法
US8334205B2 (en) 2010-11-10 2012-12-18 Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences Method for removing polymer after etching gate stack structure of high-K gate dielectric/metal gate
CN105261556A (zh) * 2015-10-30 2016-01-20 京东方科技集团股份有限公司 一种膜层图案化的方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6248704B1 (en) * 1999-05-03 2001-06-19 Ekc Technology, Inc. Compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductors devices
CN1368563A (zh) * 2000-02-16 2002-09-11 阿托泰克德国有限公司 去除铝表面污点的组合物
US6562726B1 (en) * 1999-06-29 2003-05-13 Micron Technology, Inc. Acid blend for removing etch residue
US6605230B1 (en) * 1996-03-22 2003-08-12 Merck Patent Gmbh Solutions and processes for removal of sidewall residue after dry etching

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5279771A (en) * 1990-11-05 1994-01-18 Ekc Technology, Inc. Stripping compositions comprising hydroxylamine and alkanolamine
JPH10186681A (ja) * 1996-12-24 1998-07-14 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 光硬化パターン剥離用組成物およびそれを用いたブラックマトリックスパターンの形成方法
US6630074B1 (en) * 1997-04-04 2003-10-07 International Business Machines Corporation Etching composition and use thereof
JP3607061B2 (ja) * 1997-10-29 2005-01-05 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
JP3693875B2 (ja) * 2000-01-26 2005-09-14 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 回路製造方法
US7456140B2 (en) * 2000-07-10 2008-11-25 Ekc Technology, Inc. Compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductor devices
AU2001278890A1 (en) * 2000-07-10 2002-01-21 Ekc Technology, Inc. Compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductor devices
TW511180B (en) * 2000-07-31 2002-11-21 Mitsubishi Chem Corp Mixed acid solution in etching process, process for producing the same, etching process using the same and process for producing semiconductor device
US6391794B1 (en) * 2000-12-07 2002-05-21 Micron Technology, Inc. Composition and method for cleaning residual debris from semiconductor surfaces
JP3889271B2 (ja) 2000-12-15 2007-03-07 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US6830979B2 (en) * 2001-05-23 2004-12-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for fabricating semiconductor device
US20050089489A1 (en) * 2003-10-22 2005-04-28 Carter Melvin K. Composition for exfoliation agent effective in removing resist residues
JP4326928B2 (ja) * 2003-12-09 2009-09-09 株式会社東芝 フォトレジスト残渣除去液組成物及び該組成物を用いる半導体回路素子の製造方法
JP4440689B2 (ja) * 2004-03-31 2010-03-24 東友ファインケム株式会社 レジスト剥離剤組成物
US8044009B2 (en) * 2005-04-04 2011-10-25 Avantor Performance Materials, Inc. Compositions for cleaning ion implanted photoresist in front end of line applications
JP4826235B2 (ja) * 2005-12-01 2011-11-30 三菱瓦斯化学株式会社 半導体表面処理剤

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6605230B1 (en) * 1996-03-22 2003-08-12 Merck Patent Gmbh Solutions and processes for removal of sidewall residue after dry etching
US6248704B1 (en) * 1999-05-03 2001-06-19 Ekc Technology, Inc. Compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductors devices
US6562726B1 (en) * 1999-06-29 2003-05-13 Micron Technology, Inc. Acid blend for removing etch residue
CN1368563A (zh) * 2000-02-16 2002-09-11 阿托泰克德国有限公司 去除铝表面污点的组合物

Also Published As

Publication number Publication date
TW200525012A (en) 2005-08-01
US7816313B2 (en) 2010-10-19
KR101191895B1 (ko) 2012-10-16
JP4326928B2 (ja) 2009-09-09
US20080318424A1 (en) 2008-12-25
TWI360729B (en) 2012-03-21
CN1645259A (zh) 2005-07-27
EP1542080A1 (en) 2005-06-15
JP2005173046A (ja) 2005-06-30
KR20120030480A (ko) 2012-03-28
KR20050056153A (ko) 2005-06-14
US20050209118A1 (en) 2005-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100529039C (zh) 干蚀刻后的洗涤液组合物及半导体装置的制造方法
JP3810607B2 (ja) 集積回路の基板表面の不純物を除去するための洗浄水溶液及びこれを用いた洗浄方法
TWI399621B (zh) 用於去除光阻殘渣及聚合物殘渣之組成物
US6248704B1 (en) Compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductors devices
TWI416282B (zh) 用以移除殘餘光阻及聚合物的組合物及使用該組合物的殘餘物移除製程
US7816313B2 (en) Photoresist residue remover composition and semiconductor circuit element production process employing the same
TWI678601B (zh) 可抑制含鎢材料之損壞的半導體元件之清洗液及利用該清洗液的半導體元件之清洗方法
JP4252758B2 (ja) フォトレジスト残渣除去液組成物
TWI388943B (zh) 剝離劑組合物
CN102138202B (zh) 残渣剥离液组合物及使用其的半导体元件的洗涤方法
CN106601598A (zh) 半导体元件的清洗用液体组合物、半导体元件的清洗方法及半导体元件的制造方法
Thanu et al. Effect of Water Addition to Choline Chloride–Urea Deep Eutectic Solvent (DES) on the Removal of Post-Etch Resid ues Formed on Copper
JP2002289569A (ja) 残渣剥離剤組成物およびその使用方法
CN106952803B (zh) 半导体元件的清洗用液体组合物及半导体元件的清洗方法、以及半导体元件的制造方法
US20060000492A1 (en) Forming a passivating aluminum fluoride layer and removing same for use in semiconductor manufacture
JP2003035963A (ja) フォトレジスト残渣除去液組成物
JP5278434B2 (ja) 半導体ドライプロセス後の残渣除去液及びそれを用いた残渣除去方法
JP2008216843A (ja) フォトレジスト剥離液組成物
JP4758187B2 (ja) フォトレジスト残渣及びポリマー残渣除去液
JP5206177B2 (ja) レジスト剥離液組成物およびそれを用いた半導体素子の製造方法
JP2019046952A (ja) 半導体素子表面を清浄化するための洗浄液
TW201925445A (zh) 基於氟化物之清洗組合物
JP2009094286A (ja) 半導体洗浄用組成物およびこれを用いた半導体装置の製造方法
JPH09283481A (ja) 半導体回路用洗浄液及び半導体回路の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20100428

Termination date: 20131209