JP2002289569A

JP2002289569A - 残渣剥離剤組成物およびその使用方法

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Publication number: JP2002289569A
Application number: JP2001085495A
Authority: JP
Inventors: Toyoki Motai; 豊樹馬渡; Tomoko Suzuki; 智子鈴木
Original assignee: MEC Co Ltd; EKC Technology KK
Current assignee: MEC Co Ltd; EKC Technology KK
Priority date: 2001-03-23
Filing date: 2001-03-23
Publication date: 2002-10-04
Anticipated expiration: 2021-03-23
Also published as: JP4689855B2

Abstract

(57)【要約】【課題】残渣除去性に優れ、銅配線の腐食が良好に防
止できる残渣剥離剤組成物を提供すること。【解決手段】フッ化アンモニウム、極性有機溶剤、水
及びエポキシポリアミドを含有することを特徴とする残
渣剥離剤組成物により、上記課題を解決する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路、
液晶パネルの半導体素子回路等の製造に用いられる残渣
剥離剤組成物及びその使用方法に関し、詳しくは、半導
体素子回路等の製造工程における配線形成時に生成する
残渣の除去性能と、基板上に形成された銅配線の防食性
能を有する残渣剥離剤組成物に関する。

【０００２】

【従来の技術】剥離剤組成物は、半導体集積回路、液晶
パネルの半導体素子回路等の製造に用いられるホトレジ
ストを剥離する際に用いられる。半導体素子回路又は付
随する電極部の製造は、以下のように行われる。まず、
基板上に形成されたアルミニウム、アルミニウム合金等
の導電性金属膜やＳｉＯ₂膜等の絶縁膜上にホトレジス
トを均一に塗布し、それを露光又は電子線により描画し
たのち、現像してレジストパターンを形成する。このパ
ターン形成されたホトレジストをマスクとして前記導電
性金属膜や絶縁膜を選択的にエッチングし、微細回路を
形成する。その後、不要のホトレジスト層を剥離・除去
した後、洗浄液で洗浄する。これらの操作を繰り返すこ
とにより素子の形成が行われる。

【０００３】一方、最近では、配線抵抗が高いアルミニ
ウム合金系配線に代わって、アルミニウム合金系配線よ
りも低抵抗であり、かつエレクトロマイグレーション耐
性に優れている銅配線が注目を集めている。

【０００４】銅を導電性金属配線に使用するときの銅配
線を形成する方法としては、銅のドライエッチングが一
般に容易ではないことから、ダマシン法と呼ばれる溝配
線法が注目されている。この方法によれば、絶縁膜にパ
ターニングされたレジスト等を利用して溝を形成し、レ
ジストを除去した後、銅を含む配線用金属を埋め込み、
溝外部の余分な金属をＣＭＰ法（化学機械研磨法）を用
いて除去することにより溝内に配線パターンを形成す
る。これらの操作を繰り返すことにより素子の形成が行
われる。

【０００５】銅含有配線を使用した半導体素子形成にお
いて、レジストを除去する際に使用する剥離剤組成物と
しては、有機アルカリ、無機アルカリ、有機酸、無機
酸、極性溶剤等の単一溶剤、これらの混合溶液、又はこ
れらの水溶液が用いられている。

【０００６】また、銅含有配線を使用した半導体素子形
成において、エッチングをした際や、レジストを除去し
た際に、エッチング残渣やレジスト残渣が配線用溝に生
成されるが、このような残渣を除去するために、アルキ
ルアミン及びアルキルアンモニウム水酸化物の少なくと
もいずれかと、有機溶剤と、水とを主成分とするレジス
ト剥離剤組成物も良く知られている。

【０００７】さらに、フッ化水素酸と各種アミンとの混
合物が、配線形成時に生成する残渣除去に有効であるこ
とが知られている。例えば、特開平８−２０２０５２号
公報には、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、水溶性
有機溶媒及び防食剤を含有するレジスト剥離液組成物が
記載されている。また、特開平９−１９７６８１号公報
には、フッ化水素酸と金属を含まない塩基との塩、水溶
性有機溶媒及び水を含有し、水素イオン濃度（pH）が５
〜８であるレジスト用剥離液組成物が記載されている。

【０００８】また、特開平７−２０１７９４号公報に
は、半導体装置製造工程において生成する保護堆積膜
を、第四級アンモニウム塩とフッ素化合物を含有する水
溶液、又は第四級アンモニウム塩とフッ素化合物に、ア
ミド類、ラクトン類、ニトリル類、アルコール類、エス
テル類から選ばれた有機溶媒を含有する水溶液からなる
半導体装置洗浄剤を用いて剥離することが記載されてい
る。また、特開平７−２７１０５６号公報には、有機カ
ルボン酸アンモニウム塩又は有機カルボン酸アミン塩、
及びフッ素化合物を含有する水溶液からなるフォトレジ
スト用剥離液が記載されている。さらに、特開平９−６
２０１３号公報には、フッ素化合物及びベタイン化合物
と、アミド類、ラクトン類、アルコール類から選ばれた
一種以上の有機溶剤を含む半導体装置用洗浄剤が記載さ
れている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ここで、銅を配線材料
として使用するとき、半導体素子形成工程において、配
線用溝が形成された絶縁膜の下層に銅配線が形成されて
いる場合は、この配線用溝内には、下層の銅配線の上面
が露出されている。このため、溝内に生じた残渣を剥離
する剥離剤組成物は、残渣除去性に優れ、かつ、基板上
に形成された銅配線の腐食を良好に防止できることが要
求される。しかしながら、フッ化化合物を含有する上記
の公報で開示されている剥離剤組成物では、レジスト残
渣の良好な除去を維持しながら、銅の腐食を良好に防止
させることはできなかった。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記問題を
検討し、フッ化アンモニウム、極性有機溶剤及び水から
なる組成物に、防食剤としてエポキシポリアミドを添加
することによって、残渣除去性を保持したまま、銅を含
む配線の良好な防食性が得られることを見いだし、上記
課題を解決した。

【００１１】即ち、本発明では、フッ化アンモニウム、
極性有機溶剤、水及びエポキシポリアミドを含有するこ
とを特徴とする残渣剥離剤組成物が提供される。

【００１２】ここで、フッ化アンモニウムの含有量が
０．１重量％〜５０．０重量％であり、極性有機溶剤の
含有量が４．９重量％〜８０．０重量％であり、水の含
有量が１．０重量％〜８０．０重量％であり、エポキシ
ポリアミドの含有量が０．０１重量％〜１０．０重量％
であることが好ましい。

【００１３】また、上記残渣剥離剤組成物であって、更
に有機アルカリ又は有機酸を含有していてもよい。この
場合、有機アルカリ又は有機酸の含有量は０．１重量％
〜５０．０重量％であることが好ましい。

【００１４】本発明において、有機アルカリが、ジエタ
ノールアミン、ヒドロキシルアミン、モノエタノールア
ミン、ジグリコールアミン、モノイソプロピルアミン及
び２−メチルアミノエタノールからなる群より選ばれる
少なくとも１つであることが好ましい。

【００１５】本発明のおいて、有機酸が、カルボキシル
基を含有することが好ましい。

【００１６】また、本発明において、極性有機溶剤が、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシ
ド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、プロピレングリコー
ル及びジメチルピペリドンからなる群から選ばれる少な
くとも１つであることが好ましい。

【００１７】また、本発明において、エポキシポリアミ
ドの重量平均分子量が、１０００〜６０００であること
が好ましい。

【００１８】本発明では、銅を含有する導電性金属配線
を有する無機質基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記
絶縁膜上に所定のパターンを有するレジスト層を形成す
る工程と、前記レジスト層をエッチングマスクとして前
記絶縁膜をエッチングし、少なくとも前記導電性金属配
線の上面を露出させるように凹部を形成する工程と、前
記レジスト層を除去する工程と、上記残渣剥離剤組成物
を用いて前記凹部を洗浄する工程とを含むことを特徴と
する残渣剥離剤組成物の使用方法が提供される。

【００１９】

【発明の実施の形態】まず、本発明で用いられるエポキ
シポリアミドについて、説明する。本発明で用いられる
エポキシポリアミドとしては、例えば、ジアミノアルキ
ルアミンとジカルボン酸との反応物に、グリシジル基及
びハロゲン化グリシジル基を導入した化合物を挙げるこ
とができる。例えば、下記式（Ｉ）で表される繰り返し
単位を含む化合物を挙げることができる。

【００２０】

【化１】（式中、Ｒ₁、Ｒ₂及びＲ₃は、それぞれ、互いに独立
し、同一または異なって、低級アルキレン基を表す。Ａ
は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって下記
式（ＩＩ）、下記式（ＩＩＩ）又は水素原子であり、少
なくとも下記式（ＩＩ）と下記式（ＩＩＩ）とが存在し
ている。ｍは０〜４の整数であり、ｎは１以上の整数で
ある。）

【化２】（式中、Ｘは、塩素原子等のハロゲン原子を示す。）

【化３】本明細書において、低級とは、炭素数が約６個以下のこ
とをいう。低級アルキレン基としては、例えば、エチレ
ン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチ
レン基等を挙げることができる。

【００２１】上記式（Ｉ）中、ｎは、１〜６であること
が好ましく、２〜４であることが更に好ましい。

【００２２】本発明において、エポキシポリアミドの重
量平均分子量は、水溶液化させやすい等の点から、１０
００〜６０００であることが好ましく、２０００〜５０
００であることが更に好ましい。エポキシポリアミドと
しては、市販されているエポキシポリアミド水溶液を用
いてもよく、例えば、メック社製ＡＣ−１０００、同社
製ＡＣ−３０００、星光化学工業製スターガ４ＫＷ−２
５Ｅ等を用いてもよい。

【００２３】本発明の残渣剥離剤組成物中、エポキシポ
リアミドの含有量は、０．０１重量％〜１０．０重量％
であることが好ましく、更に好ましくは、０．０１重量
％〜１．０重量％である。この範囲内であると、良好に
銅の腐食を抑えることができるからである。

【００２４】本発明の残渣剥離剤組成物中、フッ化アン
モニウムの含有量は、０．１重量％〜５０．０重量％で
あることが好ましく、更に好ましくは、０．１重量％〜
１０重量％であり、特に更に好ましくは０．５重量％〜
２重量％である。この範囲内であると、レジスト残渣及
びエッチング残渣を良好に除去することができる。フッ
化アンモニウムの含有量が多過ぎると、銅や酸化膜に対
する腐食が激しくなる傾向がある。

【００２５】本発明で用いられる極性有機溶剤として
は、例えば、エチレングリコールモノエチルエーテル、
エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレング
リコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモ
ノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエ
ーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プ
ロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレング
リコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコール
モノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチ
ルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテ
ル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピ
レングリコールジメチルエーテル等のエーテル系溶剤、
ホルムアミド、モノメチルホルムアミド、ジメチルホル
ムアミド、モノエチルホルムアミド、ジエチルホルムア
ミド、アセトアミド、モノメチルアセトアミド、ジメチ
ルアセトアミド、モノエチルアセトアミド、ジエチルア
セトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ−エチルピロリ
ドン等のアミド系溶剤、ジメチルスルホキシド、ジメチ
ルスルホン、ジエチルスルホン、テトラメチレンスルホ
ン等の硫黄化合物系溶剤を挙げることができ、好ましく
は、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキ
シド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、プロピレングリコ
ール、ジメチルピペリドン等を挙げることができる。こ
れらの極性有機溶剤は、単独でも使用しても、２種類以
上組み合わせ使用してもよい。

【００２６】本発明の残渣剥離剤組成物中、極性有機溶
剤の含有量は４．９重量％〜８０．０重量％であること
が好ましく、更に好ましくは、５０重量％〜７５重量％
である。極性有機溶剤の含有量が少な過ぎると、レジス
ト残渣及びエッチング残渣の除去性が低下する傾向があ
り、また、多過ぎると、フッ化アンモニウムが析出する
傾向があるからである。

【００２７】本発明の残渣剥離剤組成物中、水の含有量
は、１．０重量％〜８０．０重量％であることが好まし
く、更に好ましくは、１０重量％〜５０重量％である。
水の含有量が少な過ぎると、レジスト残渣及びエッチン
グ残渣の除去性が低下し、また、フッ化アンモニウムが
析出する傾向があり、また、多過ぎると、銅の腐食を良
好に防止することができない傾向があるからである。

【００２８】本発明の残渣剥離剤組成物は、水素イオン
濃度（ｐＨ）が酸性領域であることが好ましい。ｐＨが
酸性領域であると、エポキシポリアミドによる銅の防食
効果が高くなる傾向にあるからである。本発明の組成物
のｐＨは、３．５〜６．０であることが更に好ましい。
特に、導電性金属として銅を用いる場合は、ｐＨは３．
５〜６．０であることが更に好ましい。なお、ｐＨの調
整は、硝酸、塩酸等のｐＨ調整剤によって調整され、そ
の添加量は、残渣剥離剤組成物の組成によって適宜決定
される。

【００２９】本発明の残渣剥離剤組成物は、更に有機ア
ルカリ又は有機酸を含有していてもよい。

【００３０】本発明において、有機アルカリとしては、
例えば、ジエタノールアミン、ヒドロキシルアミン、モ
ノエタノールアミン、ジグリコールアミン、モノイソプ
ロピルアミン、２−メチルアミノエタノールを挙げるこ
とができる。これらの有機アルカリは、単独でも使用し
ても、２種類以上組み合わせ使用してもよい。

【００３１】また、本発明において、有機酸としては、
カルボキシル基を含有する有機酸を好ましく挙げること
ができる。カルボキシル基を含有する有機酸としては、
例えば、ギ酸、酢酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、
マレイン酸、乳酸、リンゴ酸、クエン酸、無水コハク
酸、無水フタル酸、無水アリルコハク酸、無水マレイン
酸、フタル酸、無水コハク酸等を挙げることができる。
これらの有機酸は、単独でも使用しても、２種類以上組
み合わせ使用してもよい。

【００３２】本発明の残渣剥離剤組成物中、有機アルカ
リ又は有機酸の含有量は、０．１重量％〜５０．０重量
％であることが好ましく、更に好ましくは、１重量％〜
３０重量％である。

【００３３】本発明の残渣剥離剤組成物は、水性組成物
であり、その状態は分散液あるいは懸濁液であってもよ
いが、通常は水溶液である。また、本発明の剥離液に
は、所望により、本発明の目的を損なわない範囲で従来
から残渣剥離液に使用されている添加剤を配合しても良
い。

【００３４】ｐＨ調整剤としては、例えば、硝酸、塩
酸、クエン酸等を挙げることができる。

【００３５】残渣剥離剤組成物の濡れ性を向上させるた
めに、界面活性剤を添加してもよく、カチオン系、ノニ
オン系、アニオン系の何れの界面活性剤も使用すること
ができる。

【００３６】次に、本発明の残渣剥離剤組成物の使用方
法について説明する。

【００３７】本発明にかかる使用方法は、銅を含有する
導電性金属配線を有する無機質基板上に絶縁膜を形成す
る工程と、前記絶縁膜上に所定のパターンを有するレジ
スト層を形成する工程と、前記レジスト層をエッチング
マスクとして前記絶縁膜をエッチングし、少なくとも前
記導電性金属配線の上面を露出させるように凹部を形成
する工程と、前記レジスト層を除去する工程と、本発明
にかかる残渣剥離剤組成物を用いて前記凹部を洗浄する
工程とを含むものである。

【００３８】本発明の残渣剥離剤組成物の使用方法にお
いて使用される無機質基板としては、シリコン、非晶性
−シリコン、ポリシリコン、シリコン酸化膜、シリコン
窒化膜、アルミニウム、アルミニウム合金、銅および銅
合金、チタン、チタン−タングステン、窒化チタン、タ
ングステン、タンタル、タンタル化合物、タンタル合
金、クロム、クロム酸化物、クロム合金、ＩＴＯ（イン
ジウム−錫酸化物）等の半導体配線材料あるいはガリウ
ム−砒素、ガリウム−リン、インジウム−リン等の化合
物半導体、さらにＬＣＤのガラス基板等を挙げることが
できる。

【００３９】無機質基板は、銅を含有する導電性金属配
線を有している。銅を含有する導電性金属配線として
は、純銅配線、銅を含む合金、例えば、アルミニウム及
び銅からなる合金、アルミニウム、シリコン及び銅から
なる合金等を挙げることができる。配線抵抗を低下さ
せ、本発明にかかる残渣剥離剤組成物を使用することに
よって配線の腐食を良好に防止する観点からは、純銅配
線であることが好ましい。

【００４０】銅を含有する導電性金属配線の形成方法と
しては、絶縁膜上に所定のパターンを有するレジスト層
を形成する工程と、前記レジスト層をエッチングマスク
として前記絶縁膜をエッチングして凹部を形成する工程
と、前記凹部に銅を含有する配線材料を埋め込む工程を
少なくとも含む方法であれば特に制限はない。

【００４１】半導体素子には、一般に、導電性金属材料
からなる配線の他に、導電性金属材料からなる接続プラ
グが形成されるが、導電性金属配線の形成方法として
は、接続プラグ用コンタクト孔内に埋め込まれる接続プ
ラグと、配線用溝に埋め込まれる配線とをそれぞれ別々
に形成する、いわゆるシングルダマシン法であってもよ
いし、予めコンタクト孔と配線用溝を開口しておき、こ
れらを配線材料で同時に埋め込むことにより、コンタク
ト孔内に埋め込まれる接続プラグと溝に埋め込まれる配
線を同時に形成する、いわゆるデュアルダマシン法であ
ってもよい。工程数が少ない観点から、デュアルダマシ
ン法で配線を形成することが好ましい。

【００４２】絶縁膜としては、誘電率の小さい材料が好
ましく、例えば、ＳｉＯ₂系、ＳｉＯＣ系、ＨＳＱ（水
素化シルセスキオサキン）系、ＭＳＱ（アルキルシルセ
スキオキサン）系、ＰＡＥ系、ポーラスＨＳＱ系、ポー
ラスＭＳＱ系等の低誘電膜等を特に制限なく挙げること
ができる。

【００４３】絶縁膜のドライエッチング方法としては、
反応性イオンエッチング、プラズマエッチング、ハード
マスクエッチング等を挙げることができる。

【００４４】上記のように銅を含む配線が形成された無
機質基板上には、絶縁膜が形成され、この絶縁膜には次
の配線や接続プラグを形成するための凹部が形成され
る。前記凹部は、絶縁膜上に所定のパターンを有するレ
ジスト層を必要な数形成し、このレジスト層をエッチン
グマスクとして絶縁膜をエッチングすることにより形成
される。絶縁膜中には、１層以上のストッパ絶縁膜が形
成されていてもよい。

【００４５】絶縁膜の被覆方法や、所定のパターンを有
するレジスト層を形成する方法としては、特に制限はな
く、半導体素子回路の製造工程において周知の方法を採
用することができる。所定のパターンとしては、配線用
パターン、接続プラグ用パターンを挙げることができ
る。レジスト層としては、ネガ型及びポジ型レジストを
特に制限なく使用することができる。

【００４６】絶縁膜に凹部を形成するに際し、少なくと
も、下層にある銅を含む導電性金属部分の上面を凹部内
で露出させる。凹部としては、配線用溝、コンタクト孔
を挙げることができる。凹部形成後、エッチングマスク
として利用されたレジスト層は、アッシング等により除
去される。

【００４７】続いて、上記のようにして形成された凹部
を、本発明にかかる残渣剥離剤組成物を用いて洗浄す
る。洗浄方法としては、例えば、浸漬法、スプレー法等
を挙げることができる。また、洗浄の際の温度は、通常
は常温〜８０℃の範囲であり、エッチングの条件や使用
される無機質基板により適宜選択すればよい。洗浄に際
し、必要に応じて適宜加熱あるいは超音波等を併用する
ことができる。洗浄時間は、特に制限はなく、残渣を充
分に剥離することができる時間であれば好ましい。

【００４８】本発明にかかる残渣剥離剤組成物を使用し
て凹部を洗浄することにより、凹部内や凹部付近に生成
したエッチング残渣、レジスト残渣を良好に除去するこ
とができる。また、凹部内に露出している銅を含有する
配線の腐食を防止することができる。

【００４９】洗浄後のリンスとしては、水でリンスする
だけで充分である。半導体素子が多層積層構造である場
合は、以上の操作を繰り返すことにより素子の形成が行
われる。

【００５０】

【実施例】実施例および比較例により本発明をさらに具
体的に説明する。但し、本発明はこれらの実施例により
制限されるものではない。

【００５１】シリコン基板上に、約１０００オングスト
ロームのＣｕ膜を電解メッキにて蒸着し、サンプル１と
した。

【００５２】約２０００〜２５００オングストロームの
Ｃｕ膜を有するシリコン基板上に、低誘電率（Ｌｏｗ−
ｋ）絶縁膜（ダウケミカル社製：商品名ＳＩＬＫ）をス
ピンコーティングにて膜付けした。続いて、パターニン
グされたレジストをマスクとしてドライエッチングし、
スルーホールを形成した。その後、アッシングによりレ
ジストを灰化し、サンプル２とした。サンプル２のスル
ーホールの底部・側壁部には、エッチング残渣が生成し
ていた。

【００５３】下記の表１に従って、剥離剤組成物として
実施例１及び実施例２、比較例１及び比較例２を調整し
た。但し、表１中、４０％ＮＨ₄Ｆは、４０％フッ化ア
ンモニウムを、防食剤Ａは、メック社製ＡＣ−１０００
（重量平均分子量４０００〜５０００のエポキシポリア
ミド３．０％水溶液）を、防食剤Ｂは、メック社製ＡＣ
−３０００（重量平均分子量２０００〜３０００のエポ
キシポリアミド３．０％水溶液）を表す。また、ＤＭＡ
ＣはＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドを、ＭＥＡはモノエ
タノールアミンを表す。なお、表１中、単位は重量％で
ある。

【００５４】

【表１】

【００５５】＜サンプル１を用いた試験＞５００ｍＬテ
フロン（登録商標）ビーカーを用いて、上記のように調
製した実施例１、実施例２及び比較例１の剥離剤中に、
室温（２１．５℃）にて所定時間（５分、１０分、１５
分）サンプル１を浸漬した。この際、実施例１、実施例
２及び比較例１の剥離剤のｐＨは、それぞれ、3.5、4.
0、5.0、6.0、7.0、7.5となるように調節してからサン
プル１を浸漬した。ｐＨ調整剤として、７０％ＨＮＯ₃
を用いた。

【００５６】同様のビーカーを用いて、上記のように調
製した比較例２の剥離剤中に、室温（２１．５℃）にて
サンプル１を５分間浸漬した。比較例２については、特
にｐＨの調節を行わずにそのまま使用し、浸漬時間を５
分又は１０分とした。なお、ｐＨを測定したところ８．
９であった。

【００５７】上記各剥離剤にサンプル１を浸漬した後、
純水洗浄用ＱＤＲ槽を用いて、純水で１０分間洗浄し、
窒素ガスにて乾燥させた。

【００５８】こうして得られた処理後のサンプル１にお
ける、剥離剤の防食性を評価した。評価は、処理前と処
理後のサンプル１上のＣｕ膜の膜厚を測定し、処理前と
比較した膜厚減少量を測定することにより行った。膜厚
測定装置としては、４−プローブ（４−ディメンジョン
社製）を使用した。結果を図１〜図４に示す。図１〜図
３中、横軸はｐＨを示し、縦軸は膜厚減少量（オングス
トローム）を示す。図４中、横軸は処理時間（分）を示
し、縦軸は膜厚減少量（オングストローム）を示す。

【００５９】＜サンプル２について＞５００ｍＬテフロ
ンビーカーを用いて、上記のように調製した実施例１、
実施例２、比較例１及び比較例２の剥離剤中に、室温
（２１．５℃）にてサンプル２を５分間浸漬した。

【００６０】こうして得られた処理後のサンプル２にお
ける、剥離剤の残渣除去性、防食性を評価した。評価
は、処理後のサンプル２の表面のＳＥＭ（走査型電子顕
微鏡）写真を観察することにより行った。ＳＥＭとして
は、ＤＳ−７２０（トプコン社製）を使用した。結果を
表２に示す。なお、残渣除去性及び防食性については、
以下の評価基準により評価した。

【００６１】

【表２】

【００６２】残渣除去状態： ◎…極めて良好Ｃｕ防食性： ◎…十分に防食されている。 ○…ほぼ防食されている。 △…やや腐食されている。 ×…腐食されている。

【００６３】防食性については、図１〜図４及び表２か
ら明らかなように、エポキシポリアミドを含む実施例１
及び２にかかる剥離剤にＣｕ防食効果があることがわか
った。特に、実施例１及び２の剥離剤であって酸性領域
にあるものには、Ｃｕ防食効果が顕著にあることがわか
った。浸漬時間と防食性能との関係については、エポキ
シポリアミドを含まない比較例１及び比較例２にかかる
剥離剤では経時的にＣｕが腐食され、膜厚変化量が大き
くなっているにもかかわらず、エポキシポリアミドを含
む実施例１及び実施例２にかかる剥離剤は、膜厚変化量
にほとんど差がなく、経時的なＣｕの腐食が抑えられて
いることがわかった。

【００６４】また、表２から、エポキシポリアミドを含
む実施例１及び実施例２にかかる剥離剤は、残渣除去性
も極めて良好に維持していることがわかった。

【００６５】

【発明の効果】本発明の剥離剤組成物によれば、銅を含
む配線の腐食を防止しながら、レジスト残渣やエッチン
グ残渣を良好に除去することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１を使用した場合のサンプル１の膜厚
変化を示した図である。

【図２】実施例２を使用した場合のサンプル１の膜厚
変化を示した図である。

【図３】比較例１を使用した場合のサンプル１の膜厚
変化を示した図である。

【図４】比較例２を使用した場合のサンプル１の膜厚
変化を示した図である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者鈴木智子神奈川県川崎市高津区坂戸３丁目２番１号Ｒ＆ＤビジネスパークビルＤ棟３階イーケーシー・テクノロジー株式会社内Ｆターム(参考） 5F033 KK09 KK11 MM01 MM02 QQ09 QQ12 QQ13 QQ20 QQ37 QQ92 RR04 RR09 RR25 RR29 WW04 XX18 XX21 5F043 AA26 BB27

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】フッ化アンモニウム、極性有機溶剤、水及
びエポキシポリアミドを含有することを特徴とする残渣
剥離剤組成物。
【請求項２】フッ化アンモニウムの含有量が０．１重量
％〜５０．０重量％であり、極性有機溶剤の含有量が
４．９重量％〜８０．０重量％であり、水の含有量が
１．０重量％〜８０．０重量％であり、エポキシポリア
ミドの含有量が０．０１重量％〜１０．０重量％である
ことを特徴とする請求項１に記載の残渣剥離剤組成物。
【請求項３】請求項１又は２に記載の残渣剥離剤組成物
であって、更に有機アルカリ又は有機酸を含有すること
を特徴とする残渣剥離剤組成物。
【請求項４】有機アルカリ又は有機酸の含有量は０．１
重量％〜５０．０重量％であることを特徴とする請求項
３に記載の残渣剥離剤組成物。
【請求項５】有機アルカリが、ジエタノールアミン、ヒ
ドロキシルアミン、モノエタノールアミン、ジグリコー
ルアミン、モノイソプロピルアミン及び２−メチルアミ
ノエタノールからなる群より選ばれる少なくとも１つで
あることを特徴とする請求項３又は４に記載の残渣剥離
剤組成物。
【請求項６】有機酸が、カルボキシル基を含有すること
を特徴とする請求項３〜５の何れかに記載の残渣剥離剤
組成物。
【請求項７】極性有機溶剤が、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセト
アミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロ
リドン、プロピレングリコール及びジメチルピペリドン
からなる群から選ばれる少なくとも１つであることを特
徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の残渣剥離剤組
成物。
【請求項８】エポキシポリアミドの重量平均分子量が、
１０００〜６０００であることを特徴とする請求項１〜
７のいずれかに記載の残渣剥離剤組成物。
【請求項９】銅を含有する導電性金属配線を有する無機
質基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に所
定のパターンを有するレジスト層を形成する工程と、前
記レジスト層をエッチングマスクとして前記絶縁膜をエ
ッチングし、少なくとも前記導電性金属配線の上面を露
出させるように凹部を形成する工程と、前記レジスト層
を除去する工程と、請求項１〜８のいずれかに記載の残
渣剥離剤組成物を用いて前記凹部を洗浄する工程とを含
むことを特徴とする残渣剥離剤組成物の使用方法。