JPH01265521A - 半導体基板の洗浄方法 - Google Patents
半導体基板の洗浄方法Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔Ｊ概要〕
半導体基板の洗浄方法に関し。
従来の洗浄法では除去されに（い不純物を基板表面から
除去し、基板表面に形成する素子の特性を向上させるこ
とを目的とし。
除去し、基板表面に形成する素子の特性を向上させるこ
とを目的とし。
硝酸（ＩＩＮＯ３）対弗化水素（）ＩＰ）のモル比ｎＮ
ｏ、ｘ／ＨＦが５０以上である硝酸及び弗化水素の水溶
液中に半導体基板を浸漬する工程を有し、該基板の表面
除去量が０．５μｍ以下であるように構成する。
ｏ、ｘ／ＨＦが５０以上である硝酸及び弗化水素の水溶
液中に半導体基板を浸漬する工程を有し、該基板の表面
除去量が０．５μｍ以下であるように構成する。
本発明は半導体基板の洗浄方法に関する。
ＶＬＳＩ等半導体装置の微細化に伴い、半４体素子は従
来以上に基板表面近傍に形成されるようになってきてい
る。
来以上に基板表面近傍に形成されるようになってきてい
る。
そのため、デバイス形成前の半導体基板表面の清浄度は
一層厳しさが要求されている。
一層厳しさが要求されている。
従来、シリコン（Ｓｉ）等の半導体基板の洗浄法として
は＋ Ｋｅｒｎ等が提唱した“ＲＣＡ”洗浄口、もしく
はその改良法が一般に使用されている。
は＋ Ｋｅｒｎ等が提唱した“ＲＣＡ”洗浄口、もしく
はその改良法が一般に使用されている。
この方法は、 Ｎ１１４０Ｈ−ＨｚＯｚ−１１ｚＯ溶液
で有機物とＣｕ。
で有機物とＣｕ。
Ａｇ等の金属を除去し、 ＨＣｌ−Ｈ２０□−１（２０
溶液でアルカリ金属及び重金属を除去するものである。
溶液でアルカリ金属及び重金属を除去するものである。
１） Ｗ、Ｋｅｒｎ ｅｔ ａｌ、、ＲＣＡ Ｒｅｖｉ
ｅｗ ３１＋ １８７（１９７０）。
ｅｗ ３１＋ １８７（１９７０）。
しかしながら、これらの洗浄を繰り返し行ってもある種
の金属１例えばＦｅ等は除去が困難であり。
の金属１例えばＦｅ等は除去が困難であり。
素子特性の劣化の原因となっている。
本発明は従来の洗浄法では除去されにくい不純物を基板
表面から除去し、基板表面に形成する素子の特性を向上
させることを目的とする。
表面から除去し、基板表面に形成する素子の特性を向上
させることを目的とする。
上記目的の解決は、硝酸（ｔ（Ｎｏ：＋）対弗化水素（
ＩＩＦ）のモル比１１ＮＯ３／ＨＦが５０以上である硝
酸及び弗化水素の水溶液中に半導体基板を浸漬する工程
を有し。
ＩＩＦ）のモル比１１ＮＯ３／ＨＦが５０以上である硝
酸及び弗化水素の水溶液中に半導体基板を浸漬する工程
を有し。
３−Ｊ ＩＩＥ板の表面除去量が０．５μｍ以下である
ことを特徴とする半導体基板の洗浄方法により達成され
る。
ことを特徴とする半導体基板の洗浄方法により達成され
る。
本発明は基板洗浄工程において、 （ｌｌＮＯ３−）Ｉ
Ｆ）水溶液中にＳｉ基板を浸漬すると、この水溶液はＳ
ｉを溶解し、基板表面に付着した有機物や金属不純物を
Ｓｉと共に表面から除去できることを利用したものであ
る。
Ｆ）水溶液中にＳｉ基板を浸漬すると、この水溶液はＳ
ｉを溶解し、基板表面に付着した有機物や金属不純物を
Ｓｉと共に表面から除去できることを利用したものであ
る。
この場合、 ｌｌＮＯ３／ＨＦが５０以下では、嘗激な
反応を生じ、基板表面にスティンを生じたり１表面の凹
凸の増大を起こし好ましくない。
反応を生じ、基板表面にスティンを生じたり１表面の凹
凸の増大を起こし好ましくない。
本発明者は、 ！１Ｎ（ｈ／ＨＦ≧５０の溶液を用い１
表面除去量が０．５μｍ以下であれば基板表面の凹凸を
増大させることなく良好な基板洗浄が可能であり、又逆
に２表面除去量が０．５μｍ以下になるように再現性良
く行うためには、溶液はＩ［ＮＯ３／ＩＩＦ≧５０の条
件が必要であることを実験的に確かめた（実施例参照）
。
表面除去量が０．５μｍ以下であれば基板表面の凹凸を
増大させることなく良好な基板洗浄が可能であり、又逆
に２表面除去量が０．５μｍ以下になるように再現性良
く行うためには、溶液はＩ［ＮＯ３／ＩＩＦ≧５０の条
件が必要であることを実験的に確かめた（実施例参照）
。
第１図は本発明の一実施例を説明する模式断面図である
。
。
市販のＳｉ基板に従来のＲＣＡ洗浄を行った後、−部の
基板に対し本発明による方法を適用しく図中の実施例）
、残りの基板に対しては従来法を繰り返した（図中の従
来例）。
基板に対し本発明による方法を適用しく図中の実施例）
、残りの基板に対しては従来法を繰り返した（図中の従
来例）。
溶液はｌｌＮ０：ｌ／ＩＩＦ ＝ ４５０の水溶液（ｌ
ｌＮＯ３及びＩＩＦ総計で６０ ｗｔ％を含む水溶液）
１をテフロンビーカ２に入れ、ヒータ３で加熱して、溶
液を８０℃に保つ。
ｌＮＯ３及びＩＩＦ総計で６０ ｗｔ％を含む水溶液）
１をテフロンビーカ２に入れ、ヒータ３で加熱して、溶
液を８０℃に保つ。
ここで使用する薬品はすべて半導体工業用の高純度品で
ある。弗化水素は濃度５０％の弗化水素酸を用い、硝酸
は濃度６０％のものを用いた。
ある。弗化水素は濃度５０％の弗化水素酸を用い、硝酸
は濃度６０％のものを用いた。
次に、Ｓｉ基板４をテフロンキャリア５に載せ。
上記の溶液に５分間浸漬した後、超純水で洗浄した。
この例では溶液の撹拌を行っていないが、スターラや窒
素バブルや基板の回転等を導入すれば。
素バブルや基板の回転等を導入すれば。
−層効果が上がる。
実施例及び従来例による基板を５本発明者が先に開示し
た二重石英管２ゝを用いて、ヒータから石英管を浸透し
て管内に侵入する重金属の影響を除外した条件下で、基
板表面に厚さ約２００人の酸化膜を形成し、実施例及び
従来例各々の基板の一部は気相分解法及び原子吸光法で
酸化膜中の不純物定量３１を行った結果を第２図に示す
。
た二重石英管２ゝを用いて、ヒータから石英管を浸透し
て管内に侵入する重金属の影響を除外した条件下で、基
板表面に厚さ約２００人の酸化膜を形成し、実施例及び
従来例各々の基板の一部は気相分解法及び原子吸光法で
酸化膜中の不純物定量３１を行った結果を第２図に示す
。
２）実願昭５９−１８１７５６号明細書、滝沢。
３）＾、Ｓｈｉｍａｚａｋｉ ｅｔ ａｌ、、Ｅｘ
ｔｅｎｄｅｄ Ａｂｓｔｒａｃｔｓｏｆ ｔｈｅ
１６ｔｈ １９８４ １ｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ
Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎＳｏｌｉｄ ５ｔａｔ
ｅ Ｄｅｖｉｃｅｓ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌ
ｓ、Ｋｏｂｅ、２８１゜第２図は従来例と対比して実施
例の基板表面不純物濃度の測定結果を示す図である。
ｔｅｎｄｅｄ Ａｂｓｔｒａｃｔｓｏｆ ｔｈｅ
１６ｔｈ １９８４ １ｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ
Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎＳｏｌｉｄ ５ｔａｔ
ｅ Ｄｅｖｉｃｅｓ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌ
ｓ、Ｋｏｂｅ、２８１゜第２図は従来例と対比して実施
例の基板表面不純物濃度の測定結果を示す図である。
この図は、基板表面の不純物濃度として、酸化膜中の不
純物濃度を定量した結果を示し、 Ｆｅ、Ｍｇともに実
施例の方が低減していることがわかる。
純物濃度を定量した結果を示し、 Ｆｅ、Ｍｇともに実
施例の方が低減していることがわかる。
又、実施例及び従来例各々の基板の一部はＡｔゲートＭ
ＯＳダイオードを形成し、Ｃ−ｔ（静電容、ｆｆ１−時
間）法により発生ライフタイムを求めた結果を第３図に
示す。
ＯＳダイオードを形成し、Ｃ−ｔ（静電容、ｆｆ１−時
間）法により発生ライフタイムを求めた結果を第３図に
示す。
第３図は従来例と対比して実施例の発生ライフタイムの
測定結果を示す図である。
測定結果を示す図である。
実施例においては、上記のように表面不純物濃度が低減
した結果３発生ライフタイムが従来例の２倍程度向上し
ていることがわかる。
した結果３発生ライフタイムが従来例の２倍程度向上し
ていることがわかる。
次に、実施例のエツチング後のＳｉ基板の表面は平均で
約０．１μｍエツチング除去されていたが。
約０．１μｍエツチング除去されていたが。
基板表面の凹凸は従来例に比べて有意差はみられない程
度に良好であった。
度に良好であった。
第４図は本発明における表面除去量に対する表面粗さの
測定結果を示す図である。
測定結果を示す図である。
図より、エッチ除去量が０．５μｍ以下であれば。
表面粗さは従来例の１．５倍以内で良好であることがわ
かる。
かる。
実施例においては、硝酸及び弗酸の希釈剤として水を用
いたが、これの代わりに酢酸等を用いても同様の効果が
得られた。
いたが、これの代わりに酢酸等を用いても同様の効果が
得られた。
以上説明したように本発明によれば、半導体基板表面の
不純物、特にＦｅ、 Ｍｇ等の従来の洗浄法では除去さ
れにくい不純物を、従来法より約１桁低減でき、その結
果発生ライフタイムも約２倍に向上でき、基板表面に形
成する素子の特性を向上させることが可能となった。
不純物、特にＦｅ、 Ｍｇ等の従来の洗浄法では除去さ
れにくい不純物を、従来法より約１桁低減でき、その結
果発生ライフタイムも約２倍に向上でき、基板表面に形
成する素子の特性を向上させることが可能となった。
第１図は本発明の一実施例を説明する模式断面図。
第２図は従来例と対比して実施例の基板表面不純物濃度
の測定結果を示す図である。 第３図は従来例と対比して実施例の発生ライフタイムの
測定結果を示す図。 第４図は本発明における表面除去量に対する表面粗さの
測定結果を示す図である。 図において。 １はｌｌＮ０ｆｆ／ＩＩＦ≧５０の水溶液。 ２はテフロンビーカ。 ３はヒータ。 ４はＳｉ基板。 ５はテフロンキャリア ３１ 図 条韮王化お到廼能米 茅 ２７ ０ ａ、ｓ ｔ、。 台面除央量做ｍ） 長至狙、′側を粘子 発 乙 ロ
の測定結果を示す図である。 第３図は従来例と対比して実施例の発生ライフタイムの
測定結果を示す図。 第４図は本発明における表面除去量に対する表面粗さの
測定結果を示す図である。 図において。 １はｌｌＮ０ｆｆ／ＩＩＦ≧５０の水溶液。 ２はテフロンビーカ。 ３はヒータ。 ４はＳｉ基板。 ５はテフロンキャリア ３１ 図 条韮王化お到廼能米 茅 ２７ ０ ａ、ｓ ｔ、。 台面除央量做ｍ） 長至狙、′側を粘子 発 乙 ロ
Claims (1)
- 硝酸（ＨＮＯ＿３）対弗化水素（ＨＦ）のモル比ＨＮ
Ｏ＿３／ＨＦが５０以上である硝酸及び弗化水素の水溶
液中に半導体基板を浸漬する工程を有し、該基板の表面
除去量が０．５μｍ以下であることを特徴とする半導体
基板の洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9381388A JPH01265521A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 半導体基板の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9381388A JPH01265521A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 半導体基板の洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01265521A true JPH01265521A (ja) | 1989-10-23 |
Family
ID=14092840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9381388A Pending JPH01265521A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 半導体基板の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01265521A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03208900A (ja) * | 1990-01-12 | 1991-09-12 | Nippon Steel Corp | シリコンウェハの洗浄方法 |
| US5294570A (en) * | 1990-09-26 | 1994-03-15 | International Business Machines Corporation | Reduction of foreign particulate matter on semiconductor wafers |
| CN102070146A (zh) * | 2010-11-26 | 2011-05-25 | 安阳市凤凰光伏科技有限公司 | 太阳能硅电池片碎料的处理方法 |
| CN102386284A (zh) * | 2011-11-29 | 2012-03-21 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池的制备方法 |
| CN102800754A (zh) * | 2012-08-23 | 2012-11-28 | 英利能源（中国）有限公司 | 晶硅太阳能电池及其制作方法 |
| CN103066162A (zh) * | 2013-01-24 | 2013-04-24 | 山东力诺太阳能电力股份有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池均匀扩散制节方法 |
| CN103094417A (zh) * | 2013-01-24 | 2013-05-08 | 山东力诺太阳能电力股份有限公司 | 低高低掺杂浓度的发射极结构的太阳能电池制作方法 |
-
1988
- 1988-04-15 JP JP9381388A patent/JPH01265521A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03208900A (ja) * | 1990-01-12 | 1991-09-12 | Nippon Steel Corp | シリコンウェハの洗浄方法 |
| JPH0583520B2 (ja) * | 1990-01-12 | 1993-11-26 | Nippon Steel Corp | |
| US5294570A (en) * | 1990-09-26 | 1994-03-15 | International Business Machines Corporation | Reduction of foreign particulate matter on semiconductor wafers |
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| CN103094417A (zh) * | 2013-01-24 | 2013-05-08 | 山东力诺太阳能电力股份有限公司 | 低高低掺杂浓度的发射极结构的太阳能电池制作方法 |
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