JPS63127531A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS63127531A JPS63127531A JP27344486A JP27344486A JPS63127531A JP S63127531 A JPS63127531 A JP S63127531A JP 27344486 A JP27344486 A JP 27344486A JP 27344486 A JP27344486 A JP 27344486A JP S63127531 A JPS63127531 A JP S63127531A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- gas
- grinding
- etching
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 5
- 238000005498 polishing Methods 0.000 abstract description 5
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 abstract description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、半導体基板の厚さ調整などのために平面研削
された一面に電極を形成する半導体装置の製造方法に関
する。
された一面に電極を形成する半導体装置の製造方法に関
する。
単結晶棒から切り出された半導体基板の厚さ調整のため
、あるいは−導電形の層の上に他面側の逆導電形層形成
のための不純物拡散時に生じた他導電形の層の除去のた
めに、半導体基板の一面をロータリーサーフェスグライ
ンダ等を用いて平面研削することが行われる。この場合
、研削によって表面層に生ずる結晶欠陥が問題となる半
導体装置においては、結晶欠陥を取り除く目的で熱処理
あるいは化学研磨をする必要がある。しかし、熱処理に
ついては、高温処理が既に基板内に形成された層構造に
影響を及ぼす直があるため適用に制限があり、また化学
研磨は、表面が鏡面化するため後工程で被着される金属
電極との密着力が弱くなるという欠点があった。さらに
化学研磨では、研磨しない表面を覆う保護膜が耐強酸性
でなければならないという制約があった。
、あるいは−導電形の層の上に他面側の逆導電形層形成
のための不純物拡散時に生じた他導電形の層の除去のた
めに、半導体基板の一面をロータリーサーフェスグライ
ンダ等を用いて平面研削することが行われる。この場合
、研削によって表面層に生ずる結晶欠陥が問題となる半
導体装置においては、結晶欠陥を取り除く目的で熱処理
あるいは化学研磨をする必要がある。しかし、熱処理に
ついては、高温処理が既に基板内に形成された層構造に
影響を及ぼす直があるため適用に制限があり、また化学
研磨は、表面が鏡面化するため後工程で被着される金属
電極との密着力が弱くなるという欠点があった。さらに
化学研磨では、研磨しない表面を覆う保護膜が耐強酸性
でなければならないという制約があった。
本発明は、上述の欠点を除き、平面研削時に発生した表
面層結晶欠陥を高温にさらすことなく、鏡面化すること
なく取除き、後工程で被着される電極との密着性のよい
表面を容易に形成できる半導体装置の製造方法を提供す
ることを目的とする。
面層結晶欠陥を高温にさらすことなく、鏡面化すること
なく取除き、後工程で被着される電極との密着性のよい
表面を容易に形成できる半導体装置の製造方法を提供す
ることを目的とする。
本発明は、半導体基板の一面を平面研削後、その面をガ
スエツチングして上記の目的を達成するものである。
スエツチングして上記の目的を達成するものである。
先ず、厚さを調整すべき半導体基板の一面に表面保護膜
を塗布し、ロータリーサーフェスグラインダにより保護
膜を塗布しない他面を研削し、所定の厚さにする０次い
で基板を洗浄、乾燥したのち、反応槽に入れ、フレオン
（ＣＦ、）と酸素（０，）の混合ガスを用いて露出した
研削面をプラズマエツチングする。そして表面保護膜を
除去する０反応ガスとしてはＣＦ、単独あるいはＳＦ、
ガスを用いることもできる。またプラズマエツチングの
代わりにスパフタエッチング、イオンビームエツチング
を適用することもできる０表面保護膜としては化学研磨
の場合のような耐強酸性の膜は必要なく、例えばフォト
レジスト等を用いることができる。
を塗布し、ロータリーサーフェスグラインダにより保護
膜を塗布しない他面を研削し、所定の厚さにする０次い
で基板を洗浄、乾燥したのち、反応槽に入れ、フレオン
（ＣＦ、）と酸素（０，）の混合ガスを用いて露出した
研削面をプラズマエツチングする。そして表面保護膜を
除去する０反応ガスとしてはＣＦ、単独あるいはＳＦ、
ガスを用いることもできる。またプラズマエツチングの
代わりにスパフタエッチング、イオンビームエツチング
を適用することもできる０表面保護膜としては化学研磨
の場合のような耐強酸性の膜は必要なく、例えばフォト
レジスト等を用いることができる。
本発明によれば、半導体基板の一面研削後の表面層欠陥
をガスエツチングにより除去することにより、粗面が得
られ、電極形成時の半導体基板と電極との密着力が向上
し、電極接触抵抗が減少してダイオード、トランジスタ
等の順方向損失を低減させることができる。また表面欠
陥除去のために熱を加えないので、層借造に影響を及ぼ
ず二がなく、非エツチング面の表面保護膜も耐強酸性の
必要がないので、極めて容易に表面欠陥層の除去が可能
になる。
をガスエツチングにより除去することにより、粗面が得
られ、電極形成時の半導体基板と電極との密着力が向上
し、電極接触抵抗が減少してダイオード、トランジスタ
等の順方向損失を低減させることができる。また表面欠
陥除去のために熱を加えないので、層借造に影響を及ぼ
ず二がなく、非エツチング面の表面保護膜も耐強酸性の
必要がないので、極めて容易に表面欠陥層の除去が可能
になる。
Claims (1)
- １）平面研削された半導体基板の面に電極が被着される
半導体装置の製造方法において、平面研削後研削面をガ
スエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27344486A JPS63127531A (ja) | 1986-11-17 | 1986-11-17 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27344486A JPS63127531A (ja) | 1986-11-17 | 1986-11-17 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63127531A true JPS63127531A (ja) | 1988-05-31 |
Family
ID=17527995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27344486A Pending JPS63127531A (ja) | 1986-11-17 | 1986-11-17 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63127531A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09293909A (ja) * | 1996-02-26 | 1997-11-11 | Matsushita Electric Works Ltd | 熱電モジュール及びその製造方法 |
| EP1538663A2 (en) * | 2003-12-02 | 2005-06-08 | Tokyo Seimitsu Co.,Ltd. | Wafer backside processing method and corresponding processing apparatus |
| JP2006253366A (ja) * | 2005-03-10 | 2006-09-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置製造方法 |
| JP2007129032A (ja) * | 2005-11-02 | 2007-05-24 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 半導体ウェーハの処理用治具及び半導体ウェーハの処理方法 |
| DE10108388B4 (de) * | 2000-03-13 | 2010-02-18 | Disco Corp. | Halbleiterwafer-Bearbeitungsvorrichtung und Verfahren zum Dünnermachen eines Halbleiterwafers |
-
1986
- 1986-11-17 JP JP27344486A patent/JPS63127531A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09293909A (ja) * | 1996-02-26 | 1997-11-11 | Matsushita Electric Works Ltd | 熱電モジュール及びその製造方法 |
| DE10108388B4 (de) * | 2000-03-13 | 2010-02-18 | Disco Corp. | Halbleiterwafer-Bearbeitungsvorrichtung und Verfahren zum Dünnermachen eines Halbleiterwafers |
| EP1538663A2 (en) * | 2003-12-02 | 2005-06-08 | Tokyo Seimitsu Co.,Ltd. | Wafer backside processing method and corresponding processing apparatus |
| EP1538663A3 (en) * | 2003-12-02 | 2006-05-24 | Tokyo Seimitsu Co.,Ltd. | Wafer backside processing method and corresponding processing apparatus |
| JP2006253366A (ja) * | 2005-03-10 | 2006-09-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置製造方法 |
| JP2007129032A (ja) * | 2005-11-02 | 2007-05-24 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 半導体ウェーハの処理用治具及び半導体ウェーハの処理方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR19980703246A (ko) | 실리콘 절연체 웨이퍼의 제조를 위한 싱글-에치 스톱 공정 | |
| JPS61285714A (ja) | 半導体構造の製造方法 | |
| JPH0917984A (ja) | 貼り合わせｓｏｉ基板の製造方法 | |
| JPS63127531A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62272541A (ja) | 半導体基板の表面処理方法 | |
| JPS63117423A (ja) | 二酸化シリコンのエツチング方法 | |
| JP2006120819A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法及び半導体ウェーハ | |
| JPH05109677A (ja) | Ｓｏｉ基板の製造方法 | |
| JP3080860B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPS6293950A (ja) | ウエハの製造方法 | |
| JPS59167021A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0451520A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3134483B2 (ja) | 半導体基板の液体による処理装置 | |
| JPH0410739B2 (ja) | ||
| JP2991176B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04124823A (ja) | 半導体ウエハの製造方法 | |
| JPS63173331A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58113375A (ja) | ドライエツチング方法 | |
| JPS59178732A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH08111409A (ja) | 半導体装置の製法 | |
| JPS594117A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS59210644A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01286330A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH09270407A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03171626A (ja) | 半導体基体の処理方法 |